CN103811432B - 环境敏感电子元件封装体 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种环境敏感电子元件封装体，其包括第一基板、第二基板、环境敏感电子元件、至少一侧壁阻障结构以及填充层。第二基板配置于第一基板上方。环境敏感电子元件配置于第一基板上，且位于第一基板与第二基板之间。侧壁阻障结构位于第一基板与第二基板之间，其中侧壁阻障结构环绕环境敏感电子元件。侧壁阻障结构沿着路径延伸，且侧壁阻障结构的高度沿着路径变化。填充层位于第一基板与第二基板之间，且包覆环境敏感电子元件以及侧壁阻障结构。
Description
技术领域
本发明是有关于一种封装体，且特别是有关于一种环境敏感电子元件封装体。
背景技术
随着电子元件工业技术的进步，电子元件已从硬质不可挠曲接口朝向软性可挠曲接口发展，此发展过程伴随着电子元件基板的材质的改变。具体而言，软性基板已逐渐取代了硬质玻璃基板的应用。然而，软性电子元件的水气及氧气阻绝性一直是亟待解决的问题，为求有效延长软性电子元件的寿命，封装结构即成为可以有效阻绝水气或氧气的技术手段。
发明内容
本发明提供一种环境敏感电子组件封装体，以改善环境敏感电子组件寿命减短的问题。
本发明的一实施例提出一种环境敏感电子元件封装体，其包括第一基板、第二基板、环境敏感电子元件、至少一侧壁阻障结构以及填充层。第二基板配置于第一基板上方。环境敏感电子元件配置于第一基板上，且位于第一基板与第二基板之间。侧壁阻障结构位于第一基板与第二基板之间，其中侧壁阻障结构环绕环境敏感电子元件。侧壁阻障结构沿着路径延伸，且侧壁阻障结构的高度沿着路径变化。填充层位于第一基板与第二基板之间，且包覆环境敏感电子元件以及侧壁阻障结构。
本发明的另一实施例提出一种环境敏感电子元件封装体，其包括第一基板、第二基板、环境敏感电子元件、至少一第一侧壁阻障结构、至少一第二侧壁阻障结构以及填充层。第二基板配置于第一基板上方。环境敏感电子元件配置于第一基板上，且位于第一基板与第二基板之间。第一侧壁阻障结构配置于第一基板上，且位于第一基板与第二基板之间，其中第一侧壁阻障结构环绕环境敏感电子元件。第一侧壁阻障结构沿着路径延伸，且第一侧壁阻障结构的高度固定。第二侧壁阻障结构配置于第二基板上，且位于第一基板与第二基板之间，其中第二侧壁阻障结构环绕环境敏感电子元件。第二侧壁阻障结构沿着路径延伸，且第二侧壁阻障结构的高度固定。填充层位于第一基板与第二基板之间，且包覆环境敏感电子元件、第一侧壁阻障结构以及第二侧壁阻障结构。
本发明的的一实施例提出一种环境敏感电子组件封装体，其第一基板与第二基板之间具有侧壁阻障结构，其中侧壁阻障结构沿着一路径延伸，以环绕环境敏感电子组件，并且侧壁阻障结构的高度适于沿着此路径作变化。因此，本发明的环境敏感电子组件封装体具有良好的阻隔水气与氧气的能力，可有效延长环境敏感电子组件的寿命。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
图1A是本发明一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图。
图1B是图1A的环境敏感电子元件封装体的上视图。
图2A至图2G分别为图1的环境敏感电子元件封装体沿I-I’剖面线所得的多个实施例的局部剖面示意图。
图3A至图3B是本发明另一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图。
图4A至图4E是本发明另一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图。
图5A至图5D是本发明另一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图。
图6A是本发明又一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图。
图6B是图6A的环境敏感电子元件封装体的上视图。
图6C为图6A的环境敏感电子元件封装体沿J-J’剖面线所得的局部剖面示意图。
图6D至图6G是本发明又一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图。
【符号说明】
100A～100L、200A～200E：环境敏感电子元件封装体；
110、210：第一基板；
120、220：第二基板；
130、230：环境敏感电子元件；
142、242：第一侧壁阻障结构；
142a、242a：第一阻障层；
142b、242b：第一包覆层；
144、244：第二侧壁阻障结构；
144a、244a：第二阻障层；
144b、244b：第二包覆层；
150、250：填充层；
160：吸湿层；
170、270：保护层；
180：线路区；
P1～P5：路径。
具体实施方式
图1A是本发明一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图。图1B是图1A的环境敏感电子元件封装体的上视图。图2A至图2G分别为图1的环境敏感电子元件封装体沿I-I'剖面线所得的多个实施例的局部剖面示意图。请参考图1A以及图1B，在本实施例中，环境敏感电子元件封装体100A包括第一基板110、第二基板120、环境敏感电子元件130、第一侧壁阻障结构142、第二侧壁阻障结构144以及填充层150。第二基板120配置于第一基板110上方。环境敏感电子元件130配置于第一基板110上，且位于第一基板110与第二基板120之间。第一侧壁阻障结构142与第二侧壁阻障结构144位于第一基板110与第二基板120之间，其中第一侧壁阻障结构142与第二侧壁阻障结构144分别环绕环境敏感电子元件130。
第一侧壁阻障结构142沿着路径P1延伸，而第二侧壁阻障结构144分别沿着路径P2与P3延伸，其中第一侧壁阻障结构142的高度沿着路径P1变化，第二侧壁阻障结构144的高度则分别沿着路径P2与P3变化，如图2A至图2G所绘示。填充层150位于第一基板110与第二基板120之间，且包覆环境敏感电子元件130以及第一侧壁阻障结构142与第二侧壁阻障结构144。
在本实施例中，第一基板110与第二基板120例如是可挠性基板，其中可挠性基板的材质可以为玻璃(glass)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚间苯二甲酸乙二酯(polyethylenenaphthalate，PEN)、聚醚砜(polyethersulfone，PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚亚酰胺(polyimide，PI)或金属箔(metal foil)。此外，环境敏感电子元件封装体100A可以进一步包括功能性薄膜(未绘示)，其中功能性薄膜例如是配置于第一基板110或第二基板120上。一般而言，功能性薄膜可以是触控面板(touch panel)，触控面板例如是表面式电容触控面板、数字矩阵式触控面板(例如投射式电容触控)或模拟矩阵式触控面板。当然，功能性薄膜也可以是彩色滤光片(color filter)或电泳显示器(EPD)。简单来说，本发明一实施例的环境敏感电子元件封装体可以具有触控功能。
另外，环境敏感电子元件130例如是主动式环境敏感电子显示元件或被动式环境敏感电子显示元件，其中主动式环境敏感电子显示元件例如是主动型矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AM-OLED)或者是主动型矩阵电泳显示器(Active Matrix Electro PhoreticDisplay,AM-EPD)，俗称电子纸，或者是主动型矩阵液晶显示器(ActiveMatrix Liquid Crystal Display,AM-LCD)，或者是主动型矩阵蓝相液晶显示器(Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display)。被动式环境敏感电子显示元件则例如是被动驱动式阵列有机电激发光元件(Passive MatrixOLED，PM-OLED)或者是超扭转向列型液晶显示器(Super TwistedNematic Liquid Crystal Display,STN-LCD)。在本实施例中，环境敏感电子元件130是由保护层170所包覆，一般而言，保护层170可以是光学薄膜，也可以是其他可透光的高分子材料薄膜，本发明在此并不加以限制。保护层170可以提高环境敏感电子元件130的亮度，也可以具有阻绝水气及氧气的功效，以延长环境敏感电子元件130的寿命。
如图1A所示，在本实施例中，第一侧壁阻障结构142以及第二侧壁阻障结构144可以分别位于第一基板110以及第二基板120上，其中第一侧壁阻障结构142与第二侧壁阻障结构144交替排列于第一基板110与第二基板120之间。
第一侧壁阻障结构142朝向第二基板120延伸，而第二侧壁阻障结构144朝向第一基板110延伸，其中第一侧壁阻障结构142垂直于第一基板110的截面例如是矩形。另一方面，第二侧壁阻障结构144垂直于第二基板120的截面也例如是矩形。在其他可能实施例中，前述截面也可以是梯形、其他不同型态多边形、子弹形、圆形或椭圆形，本发明在此并不加以限制。
本实施例的第一侧壁阻障结构142还可以包括第一侧壁阻障层142a以及第一包覆层142b，其中第一侧壁阻障层142a位于第一基板110上并且由第一包覆层142b所覆盖。一般而言，第一侧壁阻障层142a的材质可以包括无机材料或有机与无机混合材料，且第一侧壁阻障层142a例如是通过刻蚀、压印或黄光光刻等工艺形成于第一基板110上。另一方面，第一包覆层142b的材质可以包括无机材料或金属材料，其中无机材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝，而金属材料例如是钼、钛、铝、铬、钼／铝／钼或钛／铝／钛。第一包覆层142b例如是通过湿式涂布法、薄膜蒸镀法或薄膜溅射法等工艺形成于第一阻障层142a上。第一侧壁阻障结构142与第一基板110可以是相同材质或不相同材质所构成，本发明在此并不加以限制。
本实施例的第二侧壁阻障结构144可以包括第二侧壁阻障层144a以及第二包覆层144b，其中第二侧壁阻障层144a位于第二基板120上并且由第二包覆层144b所覆盖。一般而言，第二侧壁阻障层144a的材质可以包括无机材料或有机与无机混合材料，且第二侧壁阻障层144a例如是通过刻蚀、压印或黄光光刻等工艺形成于第二基板120上。另一方面，第二包覆层144b的材质可以包括无机材料或金属材料，其中无机材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝，而金属材料例如是钼、钛、铝、铬、钼／铝／钼或钛／铝／钛。第二包覆层144b例如是通过湿式涂布法、薄膜蒸镀法或薄膜溅射法等工艺形成于第二阻障层144a上。第二侧壁阻障结构144与第二基板120可以是相同材质或不相同材质所构成，本发明在此并不加以限制。
在此必须说明的是，虽然在本发明是以上述实施例中由阻障层与包覆层所构成的侧壁阻障结构为范例做介绍，但非用以限制本发明，在其他未绘示的实施例中，第一侧壁阻障结构142以及第二侧壁阻障结构144也可以分别是仅具有第一阻障层142a或第二阻障层144a的阻气结构。另一方面，包覆第一侧壁阻障结构142与第二侧壁阻障结构144的填充层150例如是胶材通过紫外光固化或热固化所形成。胶材的材质例如是亚克力树脂(acrylic resin)或环氧树脂(expoxy resin)。在本实施例中，填充层150的型态例如是感压式胶材或填充式胶材。
如图1B所示，在本实施例中，第一侧壁阻障结构142以及第二侧壁阻障结构144都是连续且封闭的环状结构。当然，在其他的实施例中，第一侧壁阻障结构142与第二侧壁阻障结构144也可以是连续或非连续的结构，举例而言，第一侧壁阻障结构142与第二侧壁阻障结构144分别在第一基板110与第二基板120上的正投影也可以为U形图案、L形图案、虚线图案或其他可部分环绕环境静敏感电子元件的图案化结构，本发明在此并不加以限制。
也就是说，第一侧壁阻障结构142与第二侧壁阻障结构144可以包括多个彼此分离的区段，这些区段分别沿着前述延伸路径环绕环境敏感电子元件的周围，且这些区段的至少其中之一的高度随着前述延伸路径变化。
另一方面，如图1A以及1B所示，在本实施例中，吸湿层160可以分别配置于第一基板110与第二基板120上，并且位于第一基板110与第二基板120之间，其中吸湿层160可以是连续且封闭的环状结构以环绕环境敏感电子元件130，当然，在其他的实施例中，吸湿层160也可以是连续或非连续的结构以环绕环境敏感电子元件130，举例而言，吸湿层160分别在第一基板110与第二基板120上的正投影也可以为U形图案、L形图案、虚线图案或其他可部分环绕环境敏感电子元件的图案化结构。此外，在本实施例中，吸湿层160垂直于第一基板110的截面例如是矩形，当然，在其他实施例中，此截面也可以是圆形或椭圆形等，本发明在此并不加以限制。
在本实施例中，吸湿层160可以位于相邻的第一侧壁阻障结构142与第二侧壁阻障结构144之间或两相邻的第二侧壁阻障结构144之间。一般而言，吸湿层160例如是碱土族的氧化物，可以吸收来自外界的水气与氧气，从而有效提升环境敏感电子元件封装体100A阻水氧的能力。
请参考图2A至图2G，在本实施例中，第二侧壁阻障结构144的高度可以分别沿着路径P2与P3呈现规律性或随机性变化，换句话说，第二侧壁阻障结构144的高度变化可因应元件内部的表面高低起伏的实际状态，例如图1A所绘示的线路区180或其他未绘示的走线区或集成电路接合区进行调整，从而避免在封装过程所可能导致走线的破坏，且有效阻断水气或氧气的入侵至元件内部的可能路径。
在未绘示的实施例中，第一侧壁阻障结构142的高度也分别沿着路径P1呈现规律性变化或随机性变化，换句话说，第一侧壁阻障结构142的高度变化可以大致上与图2A至图2G所绘示的第二侧壁阻障结构144的高度变化相同或相似。也就是说，第一侧壁阻障结构142的高度变化也可因应元件内部的表面高低起伏的实际状态，例如图1A所绘示的线路区180或其他未绘示的区域或集成电路接合区进行调整，从而避免在封装过程所可能导致走线的破坏，且有效阻断水气或氧气的入侵至元件内部的可能路径。
在此必须说明的，但凡可以达到阻隔水气与氧气的能力的不同结构设计或配置，仍属于本发明可采用的技术方案，不脱离本发明所欲保护的范围。以下将列举多个不同的实施例来分别说明环境敏感电子元件封装体100B至100L的设计，其中相同或相似元件具有相同或相似标号，且相同或相似元件具有相同或相似特征，在此不赘述。
图3A至图3B是本发明另一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图，其中为求清楚表示与说明，并未绘示线路区180。请参考图3A，图3A的环境敏感电子元件封装体100B与图1A的环境敏感电子元件封装体100A相似，其不同之处在于：图3A的环境敏感电子元件封装体100B仅包括配置于第一基板110上的第一侧壁阻障结构142，而未配置有第二侧壁阻障结构144与吸湿层160。如此配置下，也可以达到阻绝水气与氧气入侵至封装体内，从而有效延长环境敏感电子元件130的寿命。
请参考图3B，图3B的环境敏感电子元件封装体100C与图1A的环境敏感电子元件封装体100A相似，其不同之处在于：图3B的环境敏感电子元件封装体100C仅包括配置于第二基板120上的第二侧壁阻障结构144，而未配置有第一侧壁阻障结构142与吸湿层160。如此配置下，也可以达到相同于上述实施例的技术功效。
图4A至图4E是本发明另一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图，其中为求清楚表示与说明，并未绘示线路区180。请参考图4A，图4A的环境敏感电子元件封装体100D与图3B的环境敏感电子元件封装体100C相似，其不同之处在于：图4A的环境敏感电子元件封装体100D的第二侧壁阻障结构144的数量例如是两个或两个以上，其中沿着同一路径延伸的第二侧壁阻障结构144在环境敏感电子元件130的周围，其两对侧例如是对等高度的组合。换句话说，在本实施例中，第二侧壁阻障结构144的高度变化可因应元件内部的表面高低起伏的实际状态，例如图1A所绘示的线路区180或其他未绘示的走线区或集成电路接合区进行调整，从而避免在封装过程所可能导致走线的破坏，且有效阻断水气或氧气的入侵至元件内部的可能路径。
请参考图4B，图4B的环境敏感电子元件封装体100E与图4A的环境敏感电子元件封装体100D相似，其不同之处在于：图4B的环境敏感电子元件封装体100E中沿着同一路径延伸的第二侧壁阻障结构144在环境敏感电子元件130的周围，其两对侧例如是不对等高度的组合。换句话说，在本实施例中，第二侧壁阻障结构144的高度变化可因应元件内部的表面高低起伏的实际状态，例如图1A所绘示的线路区180或其他未绘示的走线区或集成电路接合区进行调整，从而避免在封装过程所可能导致走线的破坏，且有效阻断水气或氧气的入侵至元件内部的可能路径。
请参考图4C，图4C的环境敏感电子元件封装体100F与图4A的环境敏感电子元件封装体100D相似，其不同之处在于：图4C的环境敏感电子元件封装体100F的第二侧壁阻障结构144的数量例如是多个，其中沿着同一路径延伸的第二侧壁阻障结构144在环境敏感电子元件130的周围，其两对侧例如是不对等高度以及对等高度的组合。换句话说，在本实施例中，第二侧壁阻障结构144的高度变化可因应元件内部的表面高低起伏的实际状态，例如图1A所绘示的线路区180或其他未绘示的走线区或集成电路接合区进行调整，从而避免在封装过程所可能导致走线的破坏，且有效阻断水气或氧气的入侵至元件内部的可能路径。
请参考图4D，图4D的环境敏感电子元件封装体100G与图4C的环境敏感电子元件封装体100F相似，其不同之处在于：图4D的环境敏感电子元件封装体100G的第一基板110上配置有吸湿层160，其中吸湿层160可对应例如正对于第二侧壁阻障结构144的其中之一。换句话说，环境敏感电子元件封装体100G不仅可以达到上述实施例的技术功效，也可以通过吸湿层160来吸收来自外界的水气与氧气。
请参考图4E，图4E的环境敏感电子元件封装体100H与图4C的环境敏感电子元件封装体100F相似，其不同之处在于：图4E的环境敏感电子元件封装体100H的第二侧壁阻障结构144在垂直于第一基板110的截面可以为矩形、梯形或子弹形。
图5A至图5D是本发明另一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图，其中为求清楚表示与说明，并未绘示线路区180。请参考图5A，图5A的环境敏感电子元件封装体100I与图1A的环境敏感电子元件封装体100A相似，其不同之处在于：图5A的环境敏感电子元件封装体100I未配置有吸湿层160，其中沿着同一路径延伸的第一侧壁阻障结构142在环境敏感电子元件130的周围，其两对侧例如是对等高度的组合，而沿着同一路径延伸的第二侧壁阻障结构144在环境敏感电子元件130的周围，其两对侧也可以为对等高度的组合。此外，第二侧壁阻障结构144的高度可以不同于第一侧壁阻障结构142的高度。
请参考图5B，图5B的环境敏感电子元件封装体100J与图5A的环境敏感电子元件封装体100I相似，其不同之处在于：图5B的环境敏感电子元件封装体100J的第一侧壁阻障结构142垂直于第一基板110的截面例如是子弹形，而第二侧壁阻障结构144垂直于第一基板110的截面则例如是矩形，其中第一侧壁阻障结构142的高度可以相同于第二侧壁阻障结构144。
请参考图5C，图5C的环境敏感电子元件封装体100K与图5B的环境敏感电子元件封装体100J相似，其不同之处在于：图5C的环境敏感电子元件封装体100K中的第二侧壁阻障结构144的高度不同于第一侧壁阻障结构142的高度。
请参考图5D，图5D的环境敏感电子元件封装体100L与图5C的环境敏感电子元件封装体100K相似，其不同之处在于：图5D的环境敏感电子元件封装体100L的第二侧壁阻障结构144垂直于第一基板110的截面可以例如分别为矩形与梯形。此外，第二侧壁阻障结构144的高度与第一侧壁阻障结构142的高度都各不相同。
图6A是本发明又一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图。图6B是图6A的环境敏感电子元件封装体的上视图。图6C为图6A的环境敏感电子元件封装体沿J-J’剖面线所得的局部剖面示意图，其中为求清楚表示与说明，并未绘示线路区180。请参考图6A至图6C，在本实施例中，环境敏感电子元件封装体200A包括第一基板210、第二基板220、环境敏感电子元件230、第一侧壁阻障结构242、第二侧壁阻障结构244以及填充层250。第二基板220配置于第一基板210上方。环境敏感电子元件230配置于第一基板210上，且位于第一基板210与第二基板220之间。第一侧壁阻障结构242配置于第一基板210上，且位于第一基板210与第二基板220之间，其中第一侧壁阻障结构242环绕环境敏感电子元件230。第一侧壁阻障结构242分别沿着路径P4与P5延伸，且第一侧壁阻障结构242的高度固定，在此是以第一侧壁阻障结构242在路径P4与P5上的高度相等作为举例说明，但本发明不限于此。
第二侧壁阻障结构244配置于第二基板220上，且位于第一基板210与第二基板220之间，其中第二侧壁阻障结构244环绕环境敏感电子元件230。第二侧壁阻障结构244分别沿着相似于路径P4与P5的路径(图未示)延伸，且第二侧壁阻障结构244的高度固定，在此是以第二侧壁阻障结构244的在前述路径上的高度互等作为举例说明，但本发明不限于此。填充层250位于第一基板210与第二基板220之间，且包覆环境敏感电子元件230、第一侧壁阻障结构242以及第二侧壁阻障结构244。
在本实施例中，第一基板210与第二基板220例如是可挠性基板，其中可挠性基板的材质可以为聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate，PET)、聚间苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚醚砜(polyethersulfone，PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚亚酰胺(polyimide，PI)或金属箔(metal foil)。此外，环境敏感电子元件装体200A可以进一步包括功能性薄膜(图未示)，其中功能性薄膜例如是配置于第一基板210或第二基板220上。一般而言，功能性薄膜可以是触控面板(touch panel)，触控面板例如是表面式电容触控面板、数字矩阵式触控面板(例如投射式电容触控)或模拟矩阵式触控面板。当然，功能性薄膜也可以是彩色滤光片(color filter)或电泳显示器(EPD)。简单来说，本发明一实施例的环境敏感电子元件封装体可以具有触控功能。
另外，环境敏感电子元件230例如是主动式环境敏感电子显示元件或被动式环境敏感电子显示元件，其中主动式环境敏感电子显示元件例如是主动型矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AM-OLED)或者是主动型矩阵电泳显示器(Active Matrix Electro PhoreticDisplay,AM-EPD)，俗称电子纸，或者是主动型矩阵液晶显示器(ActiveMatrix Liquid Crystal Display,AM-LCD)，或者是主动型矩阵蓝相液晶显示器(Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display)。被动式环境敏感电子显示元件则例如是被动驱动式阵列有机电激发光元件(Passive MatrixOLED，PM-OLED)或者是超扭转向列型液晶显示器(Super TwistedNematic Liquid Crystal Display,STN-LCD)。在本实施例中，环境敏感电子元件230是由保护层270所包覆，一般而言，保护层270可以是光学薄膜，也可以是其他可透光的高分子材料薄膜，本发明在此并不加以限制。保护层270可以提高环境敏感电子元件230的亮度，也可以具有阻绝水气及氧气的功效，以延长环境敏感电子元件230的寿命。
如图6A所示，第一侧壁阻障结构242朝向第二基板220延伸，且第二侧壁阻障结构244朝向第一基板210延伸，其中第一侧壁阻障结构242可对应例如正对于第二侧壁阻障结构244。另外，在第一侧壁阻障结构242与第二侧壁阻障结构244垂直于第一基板210的截面可以例如是矩形，当然，前述截面也可以是梯形、其他不同型态多边形、子弹形、圆形或椭圆形，本发明在此并不加以限制。
本实施例的第一侧壁阻障结构242还可以包括第一侧壁阻障层242a以及第一包覆层242b，其中第一侧壁阻障层242a位于第一基板210上并且由第一包覆层242b所覆盖。一般而言，第一侧壁阻障层242a的材质可以包括无机材料或有机与无机混合材料，且第一侧壁阻障层242a例如是通过刻蚀、压印或黄光光刻等工艺形成于第一基板210上。另一方面，第一包覆层242b的材质可以包括无机材料，其中无机材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝，当然，第一包覆层242b的材质也可以包括金属材料，而金属材料例如是钼、钛、铝、铬、钼／铝／钼或钛／铝／钛，且第一包覆层242b例如是通过湿式涂布法、薄膜蒸镀法或薄膜溅射法等工艺形成于第一阻障层242a上。第一侧壁阻障结构242与第一基板210可以是相同材质或不相同材质所构成，本发明在此并不加以限制。
本实施例的第二侧壁阻障结构244可以包括第二侧壁阻障层244a以及第二包覆层244b，其中第二侧壁阻障层244a位于第二基板220上并且由第二包覆层244b所覆盖。一般而言，第二侧壁阻障层244a的材质可以包括无机材料或有机与无机混合材料，且第二侧壁阻障层244a例如是通过刻蚀、压印或黄光光刻等工艺形成于第二基板220上。另一方面，第二包覆层244b的材质可以包括无机材料，其中无机材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝，当然，第二包覆层244b的材质也可以包括金属材料，而金属材料例如是钼、钛、铝、铬、钼／铝／钼或钛／铝／钛，且第二包覆层244b例如是通过湿式涂布法、薄膜蒸镀法或薄膜溅射法等工艺形成于第二阻障层244a上。第二侧壁阻障结构244与第二基板220可以是相同材质或不相同材质所构成，本发明在此并不加以限制。
在此必须说明的是，在其他未绘示的实施例中，第一侧壁阻障结构242以及第二侧壁阻障结构244并不限定由两种以上物质所构成，换句话说，第一侧壁阻障结构242以及第二侧壁阻障结构244也可以分别是仅具有第一阻障层242a或第二阻障层244a的阻气结构。
如图6B所示，在本实施例中，位于第一基板210上的第一侧壁阻障结构242例如是连续且封闭的环状结构，用以阻隔来自外界的水气与氧气。当然，在未绘示的实施例中，位于第二基板220上的第二侧壁阻障结构244也可以例如是与第一侧壁阻障结构242相似的连续且封闭的环状结构。
另一方面，填充层250例如是胶材通过紫外光固化或热固化所形成。胶材的材质例如是亚克力树脂(acrylic resin)或环氧树脂(expoxy resin)。在本实施例中，填充层250的型态例如是感压式胶材或填充式胶材。
环境敏感电子元件封装体200A的第一侧壁阻障结构242可对应例如正对于第二侧壁阻障结构244，其中彼此正对的第一侧壁阻障结构242与第二侧壁阻障结构244例如是相同截面高度且相同截面形状的组合，可以有效提升环境敏感电子元件封装体200A阻水氧的能力。
以下将列举多个不同的实施例来分别说明环境敏感电子元件封装体200B至200E的设计，其中相同或相似元件具有相同或相似标号，且相同或相似元件具有相同或相似特征，在此不赘述。
图6D至图6G是本发明又一实施例的环境敏感电子元件封装体的剖面示意图。请参考图6D，图6D的环境敏感电子元件封装体200B与图6A的环境敏感电子元件封装体200A相似，其不同之处在于：图6D的环境敏感电子元件封装体200B的第一侧壁阻障结构242垂直第一基板210的截面为子弹形，而第二侧壁阻障结构244垂直第一基板210的截面为矩形。换句话说，在本实施例中，环境敏感电子元件封装体200B的第一侧壁阻障结构242与第二侧壁阻障结构244例如是相同截面高度但不同截面形状的组合，如此配置下，也可以达到上述实施例的技术功效。
请参考图6E，图6E的环境敏感电子元件封装体200C与图6A的环境敏感电子元件封装体200A相似，其不同之处在于：图6E的环境敏感电子元件封装体200C的第一侧壁阻障结构242的截面高度不同于第二侧壁阻障结构244的截面高度。换句话说，在本实施例中，环境敏感电子元件封装体200C的第一侧壁阻障结构242与第二侧壁阻障结构244例如是不同截面高度但相同截面形状的组合，如此配置下，也可以达到上述实施例的技术功效。
请参考图6F，图6F的环境敏感电子元件封装体200D与图6D的环境敏感电子元件封装体200B相似，其不同之处在于：图6E的环境敏感电子元件封装体200D的第一侧壁阻障结构242的截面高度不同于第二侧壁阻障结构244的截面高度。换句话说，在本实施例中，环境敏感电子元件封装体200D的第一侧壁阻障结构242与第二侧壁阻障结构244例如是不同截面高度且不同截面形状的组合，如此配置下，也可以达到上述实施例的技术功效。
请参考图6G，图6G的环境敏感电子元件封装体200E与图6A的环境敏感电子元件封装体200A相似，其不同之处在于：图6F的环境敏感电子元件封装体200E的第一侧壁阻障结构242的截面高度不同于第二侧壁阻障结构244的截面高度，其中第一侧壁阻障结构242垂直第一基板210的截面可以例如分别为子弹形与矩形，而第二侧壁阻障结构244垂直第一基板210的截面可以例如分别为矩形与梯形。此外，两相邻的第一侧壁阻障结构242的截面高度互不相同，而两相邻的第二侧壁阻障结构244的截面高度互不相同。换句话说，环境敏感电子元件封装体200C的第一侧壁阻障结构242与第二侧壁阻障结构244例如是不同截面高度且不同截面形状的组合，如此配置下，也可以达到上述实施例的技术功效。
虽然在上述实施例中，第一侧壁阻障结构242与第二侧壁阻障结构244是以连续且封闭的环状结构做介绍，但非用以限制本发明。在未绘示的实施例中，第一侧壁阻障结构与第二侧壁阻障结构也可以包括多个彼此分离的区段，这些区段分别沿着前述延伸路径环绕环境敏感电子元件的周围，且这些区段的高度固定。
本发明一实施例的环境敏感电子元件封装体的第一基板与第二基板之间具有侧壁阻障结构，其中侧壁阻障结构于第一基板及／或第二基板上沿路径延伸并且环绕环境敏感电子元件，且侧壁阻障结构的高度沿着此路径呈现不等高的规律性或随机变化，又或者是在此路径上的高度固定。据此，本发明一实施例的环境敏感电子元件封装体的侧壁阻障结构可以因应元件内部的表面高低起伏的实际状态(例如走线区、回路区或集成电路接合区)进行调整，从而避免在封装过程所可能导致的走线的破坏，且有效阻断水气或氧气的入侵至元件内部的可能路径，以延长环境敏感电子元件的寿命。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作部分的更改与修饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。
Claims (25)
1.一种环境敏感电子元件封装体，其特征在于，包括：
第一基板；
第二基板，配置于该第一基板上方；
环境敏感电子元件，配置于该第一基板上，且位于该第一基板与该第二基板之间；
至少一侧壁阻障结构，位于该第一基板与该第二基板之间，其中该至少一侧壁阻障结构位于该第一基板和该第二基板的其中一个上，该侧壁阻障结构的顶端与该第一基板和该第二基板中的另一个之间具有一间隙，该侧壁阻障结构环绕该环境敏感电子元件，该侧壁阻障结构沿着路径延伸，且该侧壁阻障结构的高度沿着该路径变化；以及
填充层，位于该第一基板与该第二基板之间，且包覆该环境敏感电子元件以及该侧壁阻障结构的顶端。
2.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，还包括保护层，包覆该环境敏感电子元件。
3.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该侧壁阻障结构包括连续且封闭的环形结构。
4.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该侧壁阻障结构包括多个彼此分离的区段，该些区段的至少其中之一的高度沿着该路径变化。
5.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该侧壁阻障结构垂直于该第一基板的截面包括矩形、梯形、多边形、子弹形、圆形或椭圆形。
6.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该侧壁阻障结构包括：
阻障层；以及
包覆层，其中该包覆层覆盖该阻障层。
7.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该至少一侧壁阻障结构的数量为多个并且包括：
第一侧壁阻障结构，位于该第一基板上并且朝向该第二基板延伸；以及
第二侧壁阻障结构，位于该第二基板上并且朝向该第一基板延伸，其中该些第一侧壁阻障结构与该些第二侧壁阻障结构交替排列于该第一基板与该第二基板之间。
8.根据权利要求7所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该第一侧壁阻障结构包括：
第一阻障层；以及
第一包覆层，其中该第一包覆层覆盖该第一阻障层。
9.根据权利要求7所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该第二侧壁阻障结构包括：
第二阻障层；以及
第二包覆层，其中该第二包覆层覆盖该第二阻障层。
10.根据权利要求1所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，还包括吸湿层，位于该第一基板与该第二基板之间。
11.根据权利要求10所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该吸湿层包括连续且封闭的环状结构。
12.根据权利要求10所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该吸湿层垂直于该第一基板或该第二基板的截面包括矩形、圆形或椭圆形。
13.根据权利要求10所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该吸湿层正对于该侧壁阻障结构。
14.根据权利要求10所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该吸湿层位于两相邻的侧壁阻障结构之间。
15.一种环境敏感电子元件封装体，其特征在于，包括：
第一基板；
第二基板，配置于该第一基板上方；
环境敏感电子元件，配置于该第一基板上，且位于该第一基板与该第二基板之间；
至少一第一侧壁阻障结构，配置于该第一基板上，且位于该第一基板与该第二基板之间，其中该至少一第一侧壁阻障结构的顶端与该第二基板之间具有一间隙，该第一侧壁阻障结构环绕该环境敏感电子元件，该第一侧壁阻障结构沿着路径延伸，且该第一侧壁阻障结构的高度固定；
至少一第二侧壁阻障结构，配置于该第二基板上，且位于该第一基板与该第二基板之间，其中该至少一第二侧壁阻障结构的顶端与该第一基板之间具有一间隙，该第二侧壁阻障结构环绕该环境敏感电子元件，该第一侧壁阻障结构沿着路径延伸，且该第一侧壁阻障结构的高度固定；以及
填充层，位于该第一基板与该第二基板之间，且包覆该环境敏感电子元件、该第一侧壁阻障结构的顶端以及该第二侧壁阻障结构的顶端。
16.根据权利要求15所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，还包括保护层，包覆该环境敏感电子元件。
17.根据权利要求15所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该第一侧壁阻障结构包括连续且封闭的环形结构。
18.根据权利要求15所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该第一侧壁阻障包括多个彼此分离的区段，该些区段的高度固定。
19.根据权利要求15所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该第二侧壁阻障结构包括连续且封闭的环形结构。
20.根据权利要求15所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该第二侧壁阻障包括多个彼此分离的区段，该些区段的高度固定。
21.根据权利要求15所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该第一侧壁阻障结构垂直于该第一基板的截面包括矩形、梯形、多边形、子弹形、圆形或椭圆形。
22.根据权利要求15所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该第二侧壁阻障结构垂直于该第一基板的截面包括矩形、梯形、多边形、子弹形、圆形或椭圆形。
23.根据权利要求15所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该第一侧壁阻障结构包括：
第一阻障层；以及
第一包覆层，其中该第一包覆层覆盖该第一阻障层。
24.根据权利要求15所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该第二侧壁阻障结构包括：
第二阻障层；以及
第二包覆层，其中该第二包覆层覆盖该第二阻障层。
25.根据权利要求15所述的环境敏感电子元件封装体，其特征在于，该第一侧壁阻障结构朝向该第二基板延伸，该第二侧壁阻障结构朝向第一基板延伸，且该第一侧壁阻障结构正对于该第二侧壁阻障结构。
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