TWI666492B - 主動元件基板 - Google Patents
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Abstract
一種主動元件基板包括可撓基板、無機絕緣層、有機絕緣圖案、導電元件及周邊走線。可撓基板具有主動區、主動區外的周邊區以及連接於主動區與周邊區之間的可彎折區。無機絕緣層設置於可撓基板上且具有位於可彎折區的溝槽。有機絕緣圖案設置於無機絕緣層的溝槽。周邊走線由主動區延伸至位於周邊區的導電元件。周邊走線設置於有機絕緣圖案上，且有機絕緣圖案位於周邊走線與可撓基板之間。
Description
本發明是有關於一種元件基板，且特別是有關於一種主動元件基板。
隨著顯示科技的發展，顯示面板應用範圍日益廣泛。舉例而言，在早期，顯示面板多用做電子裝置(例如：電視、電腦、手機等)的螢幕，而應用在電子裝置上的顯示面板多為硬質顯示面板；在近期，則有人將顯示面板應用在穿戴裝置(例如：手錶、衣服等)，而應用在穿戴裝置上的顯示面板多為可撓式顯示面板。
可撓式顯示面板需具備相當的可彎曲程度。換言之，當可撓式顯示面板彎曲時，可撓基板上的構件(例如：薄膜電晶體、資料線、掃描線、周邊走線等)需隨之彎曲並維持正常功能。然而，在習知的可撓式顯示面板中，可撓式畫素陣列基板包括至少一層整面性的無機絕緣層。當可撓式顯示面板彎曲時，脆弱的無機絕緣層往往易斷裂，並牽連鄰近膜層(例如：第一導電層、第二導電層等)出現裂痕，進而導致可撓式顯示面板失效。
本發明提供一種主動元件基板，彎折耐受特性佳。
本發明的一種主動元件基板包括可撓基板、無機絕緣層、有機絕緣圖案、導電元件及周邊走線。可撓基板具有主動區以及主動區外的周邊區以及連接於主動區與周邊區之間的可彎折區。無機絕緣層設置於可撓基板上，且具有位於可彎折區的第一溝槽。有機絕緣圖案設置於無機絕緣層的第一溝槽。導電元件設置於周邊區。周邊走線由主動區延伸至位於周邊區的導電元件。位於可彎折區的周邊走線設置於有機絕緣圖案上，且有機絕緣圖案位於周邊走線與可撓基板之間。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件基板更包括薄膜電晶體，設置於主動區。薄膜電晶體包括半導體圖案、閘極、源極以及汲極。半導體圖案設置於可撓基板上。源極與汲極位於閘極上方，且與半導體圖案電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件基板的無機絕緣層包括第一絕緣層及第二絕緣層。第一絕緣層覆蓋半導體圖案。第二絕緣層覆蓋閘極以及第一絕緣層，其中第一溝槽貫穿第一絕緣層與第二絕緣層。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件基板的無機絕緣層更具有第一貫孔及第二貫孔。源極與汲極設置於無機絕緣層上且分別透過第一貫孔及第二貫孔與半導體圖案電性連接。周邊走線、源極與汲極屬於同一膜層。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件基板的有機絕緣圖案具有背向可撓基板的上表面。第二絕緣層具有背向可撓基板的上表面。有機絕緣圖案的上表面與可撓基板的距離大於或等於第二絕緣層的上表面與可撓基板的距離。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件基板的有機絕緣圖案之上表面具有多個凸起部，周邊走線共形地設置於有機絕緣圖案的上表面上。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件基板更包括平坦層、第一電極及畫素定義層。平坦層覆蓋薄膜電晶體。第一電極設置於平坦層上且與薄膜電晶體的汲極電性連接。畫素定義層設置於平坦層與第一電極上，且具有與部分第一電極重疊的開口。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件基板的平坦層覆蓋周邊走線，而畫素定義層覆蓋位於周邊走線上的平坦層。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件基板的平坦層的材料、畫素定義層的材料以及有機絕緣圖案的材料相同。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件基板更包括第三絕緣層。第三絕緣層覆蓋周邊走線與第二絕緣層。其中可撓基板具有厚度H1及楊氏模數E1，第一溝槽具有深度H2，有機絕緣圖案具有楊氏模數E2，第三絕緣層具有厚度H3及楊氏模數E3，H1．E1+H2．E2H3．E3。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件基板更包括緩衝層。緩衝層具有覆蓋可撓基板之可彎折區的薄部，其中有機絕
緣圖案設置於緩衝層的薄部上，緩衝層的薄部具有厚度H4及楊氏模數E4。H1．E1+H2．E2+H4．E4H3．E3。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件基板的有機絕緣圖案具有多個凸起部，每一凸起部朝遠離可撓基板的第一方向凸起，而周邊走線設置於多個凸起部上。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件基板的周邊走線具有多個彎曲段，每一彎曲段朝第二方向彎曲，而第一方向與第二方向交錯。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件基板的有機絕緣圖案的多個凸起部排成多列，相鄰兩列之多個凸起部彼此錯開。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件基板的周邊走線具有多個彎曲段，而周邊走線的多個彎曲段分別設置於有機絕緣圖案的多個凸起部上。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件基板的有機絕緣圖案還包括基部，基部設置於無機絕緣層之第一溝槽，多個凸起部設置於基部的表面上，每一凸起部的側壁與基部的表面夾有角度θ，而100°θ160°。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件基板的有機絕緣圖案還包括基部，基部設置於無機絕緣層之第一溝槽，多個凸起部設置於基部的表面上，凸起部具有厚度h，厚度h與基部的厚度和為H，而0.5μmh2.5μm，且1μmH5μm。
在本發明的一實施例中，上述的主動元件基板的可撓基
板具有相對的內表面及外表面，薄膜電晶體設置於可撓基板的內表面上，而主動元件基板更包括保護膜，設置於可撓基板的外表面上，其中保護膜與主動區和周邊區重疊而未與可彎折區重疊。
在本發明的一實施例中，在由主動區指向周邊區的方向上，第一溝槽具寬度L0 μm(微米)，可彎折區具寬度L1 μm，而L1+20μm<L0<3‧L1。
基於上述，本發明之實施例的主動元件基板於可彎折區的第一溝槽內設置有機絕緣圖案，周邊走線設置於有機絕緣圖案上，以跨越可彎折區而由主動區延伸至周邊區。由於有機絕緣圖案的材質較軟、不易因彎曲而斷裂(crack)，因此，當可彎折區彎曲時，周邊走線不易受有機絕緣圖案的牽連而斷裂，主動元件基板的彎折耐受性佳。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10、10A、10B‧‧‧主動元件基板
100‧‧‧硬質載板
110‧‧‧可撓基板
110a‧‧‧主動區
110b‧‧‧周邊區
110c‧‧‧可彎折區
111‧‧‧內表面
112‧‧‧外表面
115、116‧‧‧保護膜
120、120A‧‧‧緩衝層
120e‧‧‧凹陷
122‧‧‧薄部
130‧‧‧半導體圖案
140‧‧‧無機絕緣層
140s、162b‧‧‧側壁
140t‧‧‧上表面
141‧‧‧第一絕緣層
141h、142h‧‧‧貫孔
142‧‧‧第二絕緣層
143‧‧‧第一溝槽
144‧‧‧第一貫孔
145‧‧‧第二貫孔
146‧‧‧第三貫孔
147‧‧‧第四貫孔
150‧‧‧第一導電層
151‧‧‧閘極
152‧‧‧連接元件
153‧‧‧導電元件
160‧‧‧有機絕緣圖案
161‧‧‧基部
161a‧‧‧表面
161b‧‧‧底面
162‧‧‧凸起部
162a‧‧‧頂面
170‧‧‧第二導電層
171‧‧‧源極
172‧‧‧汲極
173‧‧‧周邊走線
173a、173b‧‧‧彎曲段
180‧‧‧平坦層
181‧‧‧第五貫孔
182‧‧‧第一電極
185‧‧‧第三絕緣層
190‧‧‧畫素定義層
191‧‧‧開口
192‧‧‧發光層
A-A’、B-B’、C-C’‧‧‧剖線
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
D3‧‧‧第三方向
DL‧‧‧資料線
H、H1、H3、H4、h‧‧‧厚度
H2‧‧‧深度
L0、L1‧‧‧寬度
SL‧‧‧掃描線
T‧‧‧薄膜電晶體
I‧‧‧區域
θ‧‧‧角度
圖1為本發明一實施例之主動元件基板10的上視示意圖。
圖2為圖1之主動元件基板10之可彎折區110c的局部I的上視放大示意圖。
圖3A至圖3Q為本發明一實施例之主動元件基板的製造流程剖面示意圖。
圖4為本發明的另一實施例之主動元件基板10A的剖面示意圖。
圖5為本發明的另一實施例之主動元件基板10B之可彎折區110c的局部區域I的上視放大示意圖。
圖6為本發明又一實施例之主動元件基板10C之可彎折區之局部區域I的上視放大示意圖。
圖7為本發明再一實施例之主動元件基板10D之可彎折區之局部區域I的上視放大示意圖。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於所附圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1為本發明一實施例之主動元件基板10的上視示意圖。圖2為圖1之主動元件基板10之可彎折區110c的局部I的上視放大示意圖。圖3A至圖3Q為本發明一實施例之主動元件基板的製造流程剖面示意圖。特別是，圖3Q分別對應圖1的剖線A-A’、B-B’及C-C’，且圖1省略圖3Q之畫素定義層190、發光層192及導電元件153的繪示。以下利用圖1、圖2及圖3A至圖3Q說明本發明一實施例之主動元件基板10的製造流程及其結構。
請參照圖1及圖3A，首先，提供可撓基板110。在本實施例中，可撓基板110可暫時設置於硬質載板100上。舉例而言，
在本實施例中，硬質載板100的材質可以是玻璃或其他不易形變且製程耐受性高的材料。可撓基板110具有主動區110a、主動區110a外的周邊區110b以及連接於主動區110a與周邊區110b之間的可彎折區110c。在本實施例中，彎折區110c例如是可撓基板110的寬度縮減部。舉例而言，可撓基板110可選擇性地具有圓形的主動區110a、連接於主動區110a下方之直條狀的可彎折區110c以及連接於可彎折區110c下方之橫條狀的周邊區110b。整體而言，可撓基板110大致上可呈一頭頸狀，而彎折區110c可以是可撓基板110的頸部。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，可撓基板110的各區也可依實際需求設計為其他適當形狀。
在本實施例中，可撓基板110的材質可選自有機聚合物，例如：聚醯亞胺(polyimide；PI)、聚萘二甲酸乙醇酯(polyethylene naphthalate；PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚碳酸酯(polycarbonates；PC)、聚醚碸(polyether sulfone；PES)、聚芳基酸酯(polyarylate)、或其它合適的材料，但本發明不以此為限。
請參照圖3A，接著，可選擇地於可撓基板110上形成緩衝層120。在本實施例中，緩衝層120可覆蓋可撓基板110的主動區110a、可彎折區110c及周邊區110b，但本發明不以此為限。舉例而言，在本實施例中，緩衝層120的材質可為氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層，但本發明不以此為限。
請參照圖3B，接著，在緩衝層120上形成半導體圖案130。在本實施例中，半導體圖案130可為單層或多層結構，其包含非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、有機半導體材料、氧化物半導體材料(例如：銦鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、或是其它合適的材料、或上述之組合)、或其它合適的材料、或含有摻雜物(dopant)於上述材料中、或上述之組合，但本發明不以此為限。
請參照圖3C，接著，形成第一絕緣層141，以覆蓋半導體圖案130及緩衝層120。請參照圖3D，接著，在第一絕緣層141上形成第一導電層150。在本實施例中，第一導電層150可包括位於主動區110a的閘極151、位於主動區110a的連接元件152以及位於周邊區110b的導電元件153。請參照圖1及圖3D，舉例而言，在本實施例中，第一導電層150還可包括多條掃描線SL。掃描線SL與閘極151電性連接。在本實施例中，基於導電性的考量，第一導電層150(或者說，閘極151、連接元件152、導電元件153及掃描線SL)一般是使用金屬材料製作，但本發明不限於此，根據其他實施例，第一導電層150也可以使用其他適當導電材料製作，例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
請參照圖3E，接著，形成第二絕緣層142，以覆蓋閘極151、連接元件152、導電元件153及掃描線SL(繪示於圖1)。在本實施例中，第一絕緣層141的材質與第二絕緣層142的材質可皆為無機材料，而第一絕緣層141與第二絕緣層142可組成無
機絕緣層140。舉例而言，在本實施例中，第一絕緣層141的材質及第二絕緣層142的材質例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的無機材料、或上述至少二種材料的堆疊層，但本發明不以此為限。在本實施例中，第一絕緣層141的材質及第二絕緣層142的材質可相同，但本發明不以此為限。
請參照圖3F，接著，在可撓基板110之可彎折區110c的上方形成第一溝槽143。在本實施例中，第一溝槽143貫穿第一絕緣層141及第二絕緣層142，而可不貫穿緩衝層120。舉例而言，在本實施例中，可利用同一遮罩(未繪示)圖案化第一絕緣層141、第二絕緣層142及緩衝層120，以形成第二絕緣層142的貫孔142h、第一絕緣層141的貫孔141h以及緩衝層120的凹陷120e。貫孔142h、貫孔141h與凹陷120e相連通且可實質上切齊，以形成本實施例的第一溝槽143。在第一方向D1上，第一溝槽143具有深度H2，其中第一方向D1與基板110之內表面111的法線方向平行。在第二方向D2上，第一溝槽143具有寬度L0，其中第二方向D2由主動區110a的上方指向周邊區110b的上方且與第一方向D1垂直。
請參照圖1及圖3F，在本實施例中，無機絕緣層140具有定義出第一溝槽143的側壁140s以及背向基板110的上表面140t，側壁140s與上表面140t的交界構成第一溝槽143的輪廓，而寬度L0可指所述輪廓於第二方向D2上的寬度。舉例而言，在本實施例中，可彎折區110c在第二方向D2上的寬度為L1微米
(μm)，第一溝槽143在第二方向D2上的寬度為L0微米，而L1與L0可滿足下式：L1+5μm<L0<5‧L1，較佳地是，L1+20μm<L0<3‧L1，但本發明不以此為限。
請參照圖3G，接著，在第一溝槽143內填充有機絕緣材料(未繪示)，並圖案化所述有機絕緣材料，以形成有機絕緣圖案160。在本實施例中，有機絕緣圖案160包括設置於第一溝槽143內的基部161及多個凸起部162，其中每一凸起部162設置於基部161的表面161a上且朝遠離可撓基板110的第一方向D1凸起。每一凸起部162具有遠離基部161的頂面162a及側壁162b。每一凸起部162的側壁162b與基部161的表面161a形成角度θ。舉例而言，在本實施例中，角度θ可滿足下式：100°θ160°，但本發明不以此為限。
請參照圖3G，在第一方向D1上，凸起部162具有厚度h。在一較佳的實施例中，凸起部162的厚度h可滿足下式：0.5μm(微米)h2.5μm(微米)，但本發明不以此為限。此外，凸起部162的頂面162a與基部161的底面161b在第一方向D1上相隔一段距離，所述距離實質上等於凸起部162之厚度h與基部161之厚度(即深度H2)的總和(即厚度H)。在一較佳的實施例中，厚度H可滿足下式：1μm(微米)H5μm(微米)，但本發明不以此為限。舉例而言，在本實施例中，有機絕緣圖案160的材質例如是聚亞醯胺、聚酯、苯環丁烯(benzocyclobutene，BCB)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚乙烯苯酚
(poly(4-vinylphenol)，PVP)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，PVA)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethene，PTFE)、六甲基二矽氧(hexamethyldisiloxane，HMDSO)、或其它適合之有機絕緣材料，但本發明不以此為限。
在本實施例中，基部161的表面161a與無機絕緣層140的上表面140t大致上平整。換言之，在本實施例中，有機絕緣圖案160的基部161可填平第一溝槽143。然而，本發明不以此為限，在另一實施例中，基部161的表面161a也可略高於或略低於無機絕緣層140的上表面140t。
請參照圖1、圖2及圖3G，在本實施例中，每一凸起部162可選擇性地呈塊狀，且相鄰兩列的凸起部162可選擇性地彼此錯開。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，凸起部162也可選擇性地呈其它形狀及/或以其它方式排列。
請參照圖3H，接著，在無機絕緣層140中形成第一貫孔144、第二貫孔145、第三貫孔146及第四貫孔147。在本實施例中，第一貫孔144及第二貫孔145貫穿第一絕緣層141及第二絕緣層142，以分別暴露出半導體圖案130的不同兩區域；第三貫孔146貫穿第二絕緣層142，以暴露出連接元件152的部分表面；第四貫孔147貫穿第二絕緣層142，以暴露出導電元件153的部分表面。
請參照圖3I，接著，在無機絕緣層140及有機絕緣圖案160上形成第二導電層170。在本實施例中，第二導電層170包括
源極171、汲極172與周邊走線173。請參照圖1及圖3I，在本實施例中，第二導電層170還包括多條資料線DL。資料線DL與源極171電性連接。在本實施例中，周邊走線173跨越可彎折區110c，且與掃描線SL或資料線DL電性連接。舉例而言，在本實施例中，周邊走線173可透過連接元件152與掃描線SL電性連接。連接元件152例如是掃描線SL的端部。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，周邊走線173也可透過連接元件152或不透過連接元件152而與資料線DL電性連接。
請參照圖3I，在本實施例中，源極171與汲極172設置於第二絕緣層142上並分別填入第一貫孔144及第二貫孔145，以與半導體圖案130的不同兩區域電性連接。半導體圖案130、源極171、汲極172及閘極151組成薄膜電晶體T。在本實施例中，薄膜電晶體T以頂部閘極型薄膜電晶體示例。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，薄膜電晶體T也可以是底部閘極型或其它適當型式的薄膜電晶體。
請參照圖1及圖3I，周邊走線173的一部份設置在有機絕緣圖案160上，以跨越可彎折區110c而由主動區110a延伸至周邊區110b。在本實施例中，周邊走線173的相對兩端分別填入第三貫孔146及第四貫孔147，以使位於主動區110a的連接元件152透過周邊走線173與位於周邊區110b導電元件153電性連接。
請參照圖3I，在本實施例中，於可彎折區110c中，基部161的表面161a、凸起部162的頂面162及凸起部162的側壁162b
形成有機絕緣圖案160的上表面，而周邊走線173共形地設置於所述上表面上，以形成朝向第一方向D1凸起的多個彎曲段173a。彎曲段173a的構造有助於提升周邊走線173的彎折耐受性。在本實施例中，基於導電性的考量，第二導電層170(或者說，資料線DL、源極171、汲極172及周邊走線173)一般是使用金屬材料製作。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，第二導電層170也可以使用其他導電材料，例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
請參照圖1及圖3I，值得注意的是，位於可彎折區110c的第一溝槽143內設有有機絕緣圖案160，且周邊走線173設置於有機絕緣圖案160上。由於有機絕緣圖案160的材質較軟、不易因彎曲而斷裂(crack)，因此，當可彎折區110c彎曲，以使周邊區110b設置於主動區110a的外表面112時，周邊走線173不易受有機絕緣圖案160的牽連而斷裂。
請參照圖3J，接著，形成平坦層180，平坦層180覆蓋薄膜電晶體T的源極171、汲極172、周邊走線173及第二絕緣層142。平坦層180具有第五貫孔181，第五貫孔181貫穿平坦層180，以暴露出汲極172的部分表面。在本實施例中，平坦層180的材質例如是有機絕緣材料。有機絕緣材料例如是聚亞醯胺、聚酯、苯環丁烯(benzocyclobutene，BCB)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚乙烯苯酚
(poly(4-vinylphenol)，PVP)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，PVA)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethene，PTFE)、六甲基二矽氧(hexamethyldisiloxane，HMDSO)、或其它適合之有機絕緣材料。平坦層180的材質與有機絕緣圖案160的材質可以選擇性地相同，但本發明不以此為限。
請參照圖3K，接著，在平坦層180上形成第一電極182，第一電極182填入平坦層180的第五貫孔181以和薄膜電晶體T的汲極172電性連接。舉例而言，在本實施例中，第一電極182可為反射電極，反射電極的材料例如是金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，第一電極182也可為透光電極。透光電極的材料例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。
請參照圖3L，接著，形成畫素定義層190。畫素定義層190覆蓋平坦層180及部分的第一電極182。畫素定義層190具有開口191，開口191暴露部第一電極182的部分表面。在本實施例中，畫素定義層190的材質例如是有機絕緣材料。有機絕緣材料例如是聚亞醯胺、聚酯、苯環丁烯(benzocyclobutene，BCB)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚乙烯苯酚(poly(4-vinylphenol)，PVP)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，PVA)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethene，PTFE)、六甲基二矽氧
(hexamethyldisiloxane，HMDSO)、或其它適合之有機絕緣材料。在本實施例中，畫素定義層190的材質與有機絕緣圖案160的材質可以選擇性地相同，但本發明不以此為限。
請參照圖3M，接著，在畫素定義層190的開口191填充電激發光材料，以形成發光層192。在本實施例中，電激發光材料例如是磷光有機電激發光材料、螢光有機電激發光材料、無機電激發光材料或上述至少二種材料的組成，但本發明不以此為限。
請參照圖3M，在本實施例中，主動元件基板10的可撓基板110於第一方向D1上具有厚度H1，有機絕緣圖案160的基部161於第一方向D1上具有厚度(即第一溝槽143的深度H2)，平坦層180及畫素定義層190可組成第三絕緣層185，第三絕緣層185於有機絕緣圖案160之凸起部162上方的厚度為H3，緩衝層120的薄部122位於有機絕緣圖案160的正下方，而緩衝層120的薄部122在第一方向D1上的厚度為H4，可撓基板110、有機絕緣圖案160、第三絕緣層185及緩衝層120分別具有楊氏模數E1、E2、E3及E4。在本實施例中，H1．E1+H2．E2+H4．E4H3．E3，藉此，主動元件基板10之可彎折區110c彎曲時，夾設於可撓基板110、緩衝層120之薄部122及有機絕緣圖案160的組合與第三絕緣層185之間的周邊走線173更不易受損，周邊走線173的彎曲耐受性進一步提升。
請參照圖3N，接著，於畫素定義層190上形成保護膜116，以覆蓋畫素定義層190及發光層192。需說明的是，在設置
保護層116前，可視需求再設置其他膜層，例如：設置電極層以做為發光層192之電極層、設置薄膜封裝層以保護下方元件等。請參照圖3N及圖3O，接著，去除(lift off)硬質載板100，以露出可撓基板110的外表面112。請參照圖3P，接著，在可撓基板110的外表面112上形成保護膜115。保護膜115設置於可撓基板110的外表面112上，其中保護膜115與主動區110a和周邊區110b重疊而未與可彎折區110c重疊。請參照圖3P及圖3Q，接著，移除覆蓋畫素定義層190及發光層192的保護膜116。於此，便完成本實施例之主動元件基板10。
請參照圖1及圖3Q，主動元件基板10是能彎折的，以組裝於終端產品(例如：智慧型手錶)的殼體內，並符合終端產品的外觀設計(例如：圓形錶面的設計)。舉例而言，主動元件基板10的可彎折區110c可沿順時針方向(以圖3Q來看)彎折，以使周邊區110b設置於主動區110a的下方。此時，重疊於周邊區110b的部份保護膜115可與重疊於主動區110a的部份保護膜115相接觸，周邊區110b及至少部分的可彎折區110c隱藏在主動區110a下方，而彎折的主動元件基板10大致上具有符合終端產品的外觀設計的形狀(例如：圓形)。
值得一提的是，主動元件基板10的可彎折區110c上設有機絕緣圖案160，相較於無機絕緣層140，有機絕緣圖案160具有較佳的彎折耐受性而不易斷裂。藉此，設置在有機絕緣圖案160上的周邊走線173不易受牽連而斷裂，進而能在可彎折區110c彎
折的狀態下維持主動元件基板10的正常運作。
圖4為本發明的另一實施例之主動元件基板10A的剖面示意圖。請參照圖4，圖4之主動元件基板10A與圖3M之主動元件基板10類似，兩者的差異在於：在圖4的實施例中，有機絕緣圖案160的基部161貫穿緩衝層120A而有機絕緣圖案160與可撓基板110直接接觸。另外，在本實施例中，H1．E1+H2．E2H3．E3。
圖5為本發明的另一實施例之主動元件基板10B之可彎折區110c的局部區域I的上視放大示意圖。請參照圖5，在本實施例中，有機絕緣圖案160的凸起部162可以是垂直第二方向D2延伸的長條狀結構。
圖6為本發明又一實施例之主動元件基板10C之可彎折區之局部區域I的上視放大示意圖。圖6之主動元件基板10C與圖5之主動元件基板10B類似，兩者的差異在於，周邊走線173的多個彎曲段173b不僅在第一方向D1上彎曲更在第三方向D3上彎曲，其中第三方向D3平行於可撓基板110的內表面111且垂直於第二方向D2。藉此，周邊走線173從有機絕緣圖案160之基部161的表面161a延伸至相鄰凸起部162的頂面162a時，周邊走線173在相鄰兩凸起部162之側壁162b上的長度可增加，進而能加強周邊走線173的彎折耐受性。
圖7為本發明再一實施例之主動元件基板10D之可彎折區之局部區域I的上視放大示意圖。圖7之主動元件基板10D與圖6主動元件基板10C類似，兩者的差異在於，在圖7的實施例
中，每一凸起部162可選擇性地呈塊狀，且相鄰兩列的凸起部162可選擇性地彼此錯開。
綜上所述，本發明之實施例的主動元件基板於可彎折區的第一溝槽內設置有機絕緣圖案，周邊走線設置於有機絕緣圖案上，以跨越可彎折區而由主動區延伸至周邊區。由於有機絕緣圖案的材質較軟、不易因彎曲而斷裂(crack)，因此，當可彎折區彎曲時，周邊走線不易受有機絕緣圖案的牽連而斷裂，主動元件基板的彎折耐受性佳。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
Claims (16)
- 一種主動元件基板，包括：一可撓基板，具有一主動區、該主動區外的一周邊區以及連接於該主動區與該周邊區之間的一可彎折區；一無機絕緣層，設置於該可撓基板上，且該無機絕緣層具有位於該可彎折區的一第一溝槽；一有機絕緣圖案，設置於該無機絕緣層的該第一溝槽；一導電元件，設置於該周邊區；一周邊走線，由該主動區延伸至位於該周邊區之該導電元件，其中位於該可彎折區的該周邊走線設置於該有機絕緣圖案上，且該有機絕緣圖案位於該周邊走線與該可撓基板之間；以及一薄膜電晶體，設置於該主動區，其中該薄膜電晶體包括一半導體圖案、一閘極、一源極以及一汲極，該半導體圖案設置於該可撓基板上，該源極以及該汲極位於該閘極上方且與該半導體圖案電性連接；其中，該無機絕緣層包括一第一絕緣層以及一第二絕緣層，該第一絕緣層覆蓋該半導體圖案，該第二絕緣層覆蓋該閘極以及該第一絕緣層，該第一溝槽貫穿該第一絕緣層與該第二絕緣層；該有機絕緣圖案具有背向該可撓基板的一上表面，該第二絕緣層具有背向該可撓基板的一上表面，而該有機絕緣圖案之該上表面與該可撓基板的距離大於或等於該第二絕緣層之該上表面與該可撓基板的距離。
- 如申請專利範圍第1項所述的主動元件基板，其中該無機絕緣層更具有一第一貫孔及一第二貫孔，該源極與該汲極設置於該無機絕緣層上且分別透過該第一貫孔及該第二貫孔與該半導體圖案電性連接，而該周邊走線、該源極與該汲極屬於同一膜層。
- 如申請專利範圍第1項所述的主動元件基板，其中該有機絕緣圖案之一上表面具有多個凸起部，而該周邊走線共形地設置於該有機絕緣圖案的該上表面上。
- 如申請專利範圍第1項所述的主動元件基板，更包括：一平坦層，覆蓋該薄膜電晶體；一第一電極，設置於該平坦層上且與該薄膜電晶體的該汲極電性連接；以及一畫素定義層，設置於該平坦層與該第一電極上，且具有與部分的該第一電極重疊的一開口。
- 如申請專利範圍第4項所述的主動元件基板，其中該平坦層覆蓋該周邊走線，而該畫素定義層覆蓋位於該周邊走線上的該平坦層。
- 如申請專利範圍第4項所述的主動元件基板，其中該平坦層的材料、該畫素定義層的材料以及該有機絕緣圖案的材料相同。
- 如申請專利範圍第1項所述的主動元件基板，其中該主動元件基板更包括一第三絕緣層，該第三絕緣層覆蓋該周邊走線與該第二絕緣層，該可撓基板具有一厚度H1及楊氏模數E1，該第一溝槽具有一深度H2，該有機絕緣圖案具有楊氏模數E2，該第三絕緣層具有一厚度H3及楊氏模數E3，而H1．E1+H2．E2H3．E3。
- 如申請專利範圍第7項所述的主動元件基板，更包括：一緩衝層，具有覆蓋該可撓基板之該可彎折區的一薄部，其中該有機絕緣圖案設置於該緩衝層的該薄部上，該緩衝層的該薄部具有一厚度H4及楊氏模數E4，而H1．E1+H2．E2+H4．E4H3．E3。
- 如申請專利範圍第1項所述的主動元件基板，其中該有機絕緣圖案具有多個凸起部，該些凸起部朝遠離該可撓基板的一第一方向凸起，而該周邊走線設置於該些凸起部上。
- 如申請專利範圍第9項所述的主動元件基板，其中該周邊走線具有多個彎曲段，各該彎曲段朝一第二方向彎曲，而該第一方向與該第二方向交錯。
- 如申請專利範圍第9項所述的主動元件基板，其中該有機絕緣圖案的該些凸起部排成多列，而相鄰兩列之多個凸起部彼此錯開。
- 如申請專利範圍第9項所述的主動元件基板，其中該周邊走線具有多個彎曲段，而該周邊走線的該些彎曲段分別設置於有機絕緣圖案的該些凸起部上。
- 如申請專利範圍第9項所述的主動元件基板，其中該有機絕緣圖案還包括一基部，該基部設置於該無機絕緣層之該第一溝槽，該些凸起部設置於該基部的一表面上，各該凸起部的一側壁與該基部的該表面夾有一角度θ，而100°θ
160°。
- 如申請專利範圍第8項所述的主動元件基板，其中該有機絕緣圖案還包括一基部，該基部設置於該無機絕緣層之該第一溝槽，該些凸起部設置於該基部的一表面上，該些凸起部具有一厚度h，該厚度h與該基部之厚度的和為H，而0.5μmh
2.5μm，且1μm
H
5μm。
- 如申請專利範圍第1項所述的主動元件基板，其中該可撓基板具有相對的一內表面及一外表面，該薄膜電晶體設置於該可撓基板的該內表面上，而該主動元件基板更包括：一保護膜，設置於該可撓基板的該外表面上，其中該保護膜與該主動區和該周邊區重疊而未與該可彎折區重疊。
- 如申請專利範圍第1項所述的主動元件基板，其中在由該主動區指向該周邊區的一方向上，該第一溝槽具一寬度L0(μm)，該可彎折區具一寬度L1(μm)，L1+20μm<L0<3‧L1。
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