CN113241368B - 显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
公开一种显示面板及显示装置，涉及显示领域，用于改善显示面板弯折区走线容易断裂的问题，并简化制作工艺。显示面板包括：基底；位于基底一侧的至少一层第一无机层；以及位于至少一层第一无机层远离基底一侧的多层第二无机层。至少一层第一无机层位于弯折区的至少部分区域被去除，形成第一结构。多层第二无机层位于弯折区的至少部分区域被去除，形成第二结构。第二结构的第二侧壁比第一结构的第一侧壁更靠近显示区。本公开提供的显示面板，可以简化制作工艺，并减小弯折区的信号线在弯折时受到的弯折应力，从而降低弯折区内信号线的断线风险。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，例如涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
有机电致发光 (Organic Light-Emitting Diode，简称OLED) 显示面板凭借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化等优异性能，逐渐成为显示领域的主流之一。OLED显示面板可广泛应用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品中。
发明内容
本公开一些实施例的目的在于提供一种显示面板及显示装置，通过对显示面板弯折区进行结构设计，可以简化制作工艺，并减小弯折区的信号线在弯折时受到的弯折应力，从而降低弯折区内信号线的断线风险。
为了实现上述目的，本公开提供如下技术方案：
一方面，提供一种显示面板。显示面板具有显示区以及围绕所述显示区的周边区。所述周边区包括：第一周边区、弯折区以及第二周边区，所述弯折区设置在所述第一周边区和所述第二周边区之间。所述显示面板包括：基底、至少一层第一无机层、多层第二无机层以及多个像素电路。至少一层第一无机层位于所述基底的一侧。所述至少一层第一无机层位于所述弯折区的至少部分区域被去除，形成第一结构。多层第二无机层位于所有所述第一无机层远离所述基底的一侧。所述多层第二无机层位于所述弯折区的至少部分区域被去除，形成第二结构。所述第二结构叠置于所述第一结构远离所述基底的一侧。以及，多个像素电路位于所有所述第一无机层远离所述基底的一侧、多个像素电路位于所述显示区，像素电路包括至少一个低温多晶硅薄膜晶体管和至少一个金属氧化物薄膜晶体管；所述低温多晶硅薄膜晶体管包括第一有源层，所述金属氧化物薄膜晶体管包括第二有源层。其中，所述多层第二无机层中，覆盖所述第一有源层的第二无机层层数大于覆盖所述第二有源层的第二无机层层数。覆盖所述第二有源层的所有第二无机层上具有暴露出所述第二有源层的第一过孔。所述第一结构的深度与所述第一过孔的深度大致相等。
在一些实施例中，所述第一结构与所述第一过孔通过同一次构图工艺制备。
在一些实施例中，覆盖所述第一有源层的所有第二无机层上具有暴露出所述第一有源层的第二过孔；所述第二结构的深度与所述第二过孔的深度大致相等。
在一些实施例中，所述第二结构与所述第二过孔通过同一次构图工艺制备。
在一些实施例中，所述第一结构包括靠近所述显示区的第一侧壁。所述第二结构包括靠近所述显示区的第二侧壁；所述第二侧壁比所述第一侧壁更靠近所述显示区。其中，所述第一侧壁包括靠近所述基底的第一底边，所述第二侧壁包括靠近所述基底的第二底边。所述第一底边在所述基底上的正投影与所述第二底边在所述基底上的正投影之间的间距为第一间距。所述多层第二无机层在所述周边区的整体厚度与所述第一间距的比值小于或等于0.13。
在一些实施例中，所述多层第二无机层在所述周边区的整体厚度与所述第一间距的比值小于或等于0.12。
在一些实施例中，所述多层第二无机层在所述周边区的整体厚度与所述第一间距的比值大于或等于0.08。
在一些实施例中，所述多层第二无机层在所述周边区的整体厚度与所述第一间距的比值大于或等于0.08，且小于或等于0.11。
在一些实施例中，所述多层第二无机层在所述周边区的整体厚度与所述第一间距的比值大于或等于0.09，且小于或等于0.10。
在一些实施例中，所述多层第二无机层在所述周边区的整体厚度大于或等于1微米。
在一些实施例中，所述多层第二无机层在所述周边区的整体厚度大于或等于1.3微米，且小于或等于1.5微米。
在一些实施例中，所述第一侧壁还包括远离所述基底的第一顶边、以及位于所述第一顶边与所述第一底边之间且相对设置的两个第一侧边。所述第二侧壁还包括远离所述基底的第二顶边、以及位于所述第二顶边与所述第二底边之间且相对设置的两个第二侧边。
在一些实施例中，所述第一顶边比所述第一底边更靠近所述显示区。所述第二顶边比所述第二底边更靠近所述显示区。
在一些实施例中，所述第一侧壁与平行于所述基底且经过所述第一底边的第一参考面之间的两个夹角中，靠近所述显示区的夹角为第一夹角θ1，所述第一夹角θ1的取值范围为：70°≤θ1≤90°。
在一些实施例中，所述第一夹角θ1的取值范围为：75°≤θ1≤85°。
在一些实施例中，所述第一夹角θ1的取值范围为：70°≤θ1＜75°。
在一些实施例中，所述第二侧壁与平行于所述基底且经过所述第二底边的第二参考面之间的两个夹角中，靠近所述显示区的夹角为第二夹角θ2，所述第二夹角θ2的取值范围为：70°≤θ2≤90°。
在一些实施例中，所述第二夹角θ2的取值范围为：75°≤θ2≤85°。
在一些实施例中，所述第二夹角θ2的取值范围为：70°≤θ2＜79°。
在一些实施例中，所述第二夹角θ2的取值范围为：70°≤θ2＜76°。
在一些实施例中，所述第一结构还包括远离所述显示区的第三侧壁，所述第三侧壁与所述第一侧壁相对设置。所述第三侧壁包括靠近所述基底的第三底边、远离所述基底的第三顶边以及位于所述第三顶边与所述第三底边之间且相对设置的两个第三侧边。所述第二结构还包括远离所述显示区的第四侧壁，所述第四侧壁与所述第二侧壁相对设置。所述第四侧壁包括靠近所述基底的第四底边、远离所述基底的第四顶边以及位于所述第四顶边与所述第四底边之间且相对设置的两个第四侧边。
在一些实施例中，所述第三顶边比所述第三底边更远离所述显示区。所述第四顶边比所述第四底边更远离所述显示区。
在一些实施例中，所述第三侧壁与平行于所述基底且经过所述第三底边的第三参考面之间的两个夹角中，远离所述显示区的夹角为第三夹角θ3，所述第三夹角θ3的取值范围为：70°≤θ3≤90°。
在一些实施例中，所述第三夹角θ1的取值范围为：75°≤θ3≤85°。
在一些实施例中，所述第四侧壁与平行于所述基底且经过所述第四底边的第四参考面之间的两个夹角中，远离所述显示区的夹角为第四夹角θ4，所述第四夹角θ4的取值范围为：70°≤θ4≤90°。
在一些实施例中，所述第四夹角θ4的取值范围为：75°≤θ4≤85°。
在一些实施例中，所述第二侧壁与平行于所述基底且经过所述第二底边的第二参考面之间的两个夹角中，靠近所述显示区的夹角为第二夹角θ2；所述第四侧壁与平行于所述基底且经过所述第四底边的第四参考面之间的两个夹角中，远离所述显示区的夹角为第四夹角θ4；θ4＜θ2。
在一些实施例中，所述第一结构为第一槽，所述第一槽在垂直于所述基底且平行于所述第一方向的平面内的横截面形状呈矩形或倒梯形。所述第二结构为第二槽，所述第二槽在垂直于所述基底且平行于所述第一方向的平面内的横截面形状呈矩形或倒梯形；其中，所述第一方向为由所述第一周边区指向所述第二周边区的方向。
在一些实施例中，所述第一槽在垂直于所述基底且平行于所述第一方向的平面内的横截面形状和所述第二槽在垂直于所述基底且平行于所述第一方向的平面内的横截面形状均呈倒立的等腰梯形。
在一些实施例中，显示面板还包括：平坦层和至少一条信号线。所述平坦层位于所述多层第二无机层远离所述基底的一侧，所述平坦层覆盖所述第一结构和所述第二结构。所述至少一条信号线位于所述平坦层远离所述基底的一侧，所述信号线从所述第一周边区经所述弯折区延伸至所述第二周边区。
在一些实施例中，所述平坦层的位于所述弯折区且远离所述基底的表面上具有缓冲结构。
在一些实施例中，所述缓冲结构包括多个缓冲槽，多个缓冲槽沿由所述第一周边区指向所述第二周边区的方向依次间隔设置，以形成波浪状结构。
在一些实施例中，所述信号线上具有多个开孔。
在一些实施例中，所述多个开孔在由所述第一周边区指向所述第二周边区的方向上呈中间密、两边疏的状态。
在一些实施例中，所述信号线的层数为多层，相邻两层信号线之间具有绝缘层，且相邻两层信号线之间通过所述绝缘层上的多个过孔连接。
在一些实施例中，连接相邻两层信号线的多个过孔，在由所述第一周边区指向所述第二周边区的方向上呈中间密、两边疏的状态。
在一些实施例中，所述至少一层第一无机层包括依次远离所述基底的阻挡层和/或第一缓冲层。
在一些实施例中，所述多层第二无机层包括：依次远离所述基底的第一栅绝缘层、第二缓冲层、第二栅绝缘层、第二层间绝缘层、以及钝化层。
在一些实施例中，所述多层第二无机层包括：依次远离所述基底的第一栅绝缘层、第一层间绝缘层、第二缓冲层、第二栅绝缘层以及第二层间绝缘层。
另一方面，本公开一些实施例提供了一种显示装置，包括：如上述任一项所述的显示面板。和，保护层，保护层位于所述显示面板的显示侧，且至少覆盖所述弯折区。
在一些实施例中，显示装置还包括：背膜，背膜位于所述显示面板中与所述显示侧相对的非显示侧。所述背膜中位于所述弯折区的至少部分区域被去除，形成靠近所述显示区的第一断面和远离所述显示区的第二断面。所述保护层在平行于所述基底的参考面上的正投影与所述第一断面在所述参考面上的正投影、所述第二断面在所述参考面上的正投影分别相交叠。
在一些实施例中，显示装置还包括：偏光片，偏光片位于所述显示面板的显示侧。其中，所述保护层覆盖所述偏光片的至少部分边缘。
在一些实施例中，所述保护层沿第一方向的两个边缘区域中的至少一个边缘区域具有斜坡结构。所述第一方向为由所述第一周边区指向所述第二周边区的方向。
又一方面，本公开一些实施例提供了另一种显示装置，包括：如上述任一项所述的显示面板。和，盖板组件，盖板组件位于所述显示面板的显示侧，所述盖板组件包括层叠设置的超薄玻璃和至少一层有机层。
在一些实施例中，所述盖板组件还包括：与所述超薄玻璃层叠设置的偏光片。
本公开提供的显示面板及显示装置具有如下有益效果：
本公开一些实施例提供的显示面板，由于具有第一结构和第二结构，第二结构叠置于第一结构远离基底的一侧，使得在第一结构和第二结构整体的上方依次形成平坦层和信号线后，可以减小信号线随弯折区弯折时所产生的弯折应力，从而降低弯折区内信号线的断线风险。而且，由于第一结构的深度和第一过孔的深度大致相等，使得第一结构和第一过孔可以通过同一次构图工艺制备，有利于简化工艺流程，降低制作成本。同时，第一结构的深度和第一过孔的深度大致相等还有利于调节第一结构与第二结构的深度比，有利于进一步降低弯折区内信号线的断线风险。
本公开一些实施例提供的显示装置，至少具有与上述技术方案提供的显示面板相同的有益效果，在此不做赘述。
附图说明
图1为本公开一些实施例提供的一种显示面板的结构图；
图2为图1中显示面板在A-A′处的一种截面结构图；
图3为图1中显示面板在B-B′处的一种截面结构图；
图4为本公开一些实施例提供的另一种显示面板在B-B′处的截面结构图；
图5为本公开一些实施例提供的又一种显示面板在B-B′处的截面结构图；
图6为本公开一些实施例提供的一种显示面板中第一结构和第二结构的俯视结构图；
图7为图6中C-C′处的截面结构图；
图8为本公开一些实施例提供的另一种显示面板中第一结构和第二结构的截面结构图；
图9为本公开一些实施例提供的有一种显示面板的截面结构图；
图10为本公开一些实施例提供的一种第三走线的结构图；
图11为本公开一些实施例提供的另一种第三走线的结构图；
图12为本公开一些实施例提供的一种显示装置的结构图；
图13为本公开一些实施例提供的另一种显示装置的结构图；
图14为本公开一些实施例提供的一种盖板组件的结构图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括（comprise）”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括（comprises）”和现在分词形式“包括（comprising）”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例（one embodiment）”、“一些实施例（some embodiments）”、“示例性实施例（exemplary embodiments）”、“示例（example）”、“特定示例（specific example）”或“一些示例（some examples）”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
如本文所使用的那样，“大致”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。
如本文所使用的那样，“平行”、“垂直”、“相等”包括所阐述的情况以及与所阐述的情况相近似的情况，该相近似的情况的范围处于可接受偏差范围内，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。例如，“平行”包括绝对平行和近似平行，其中近似平行的可接受偏差范围例如可以是5°以内偏差；“垂直”包括绝对垂直和近似垂直，其中近似垂直的可接受偏差范围例如也可以是5°以内偏差。“相等”包括绝对相等和近似相等，其中近似相等的可接受偏差范围内例如可以是相等的两者之间的差值小于或等于其中任一者的15%。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
随着OLED显示技术的发展以及消费者对创新产品的新需求，OLED产品形态也逐渐从最初的刚性转变为柔性，并逐步呈现折叠、卷曲、滑卷等产品新形态。
为了使OLED产品实现窄边框，例如对于柔性有源矩阵电致发光（Active MatrixOrganic Light Emitting Diode，AMOLED）显示面板，需要将位于其周边的绑定区反折到背侧。其中，实现反折功能的区域为弯折区。然而，相关技术中的显示面板，由于弯折区弯折时的弯曲应力较大，导致位于弯折区的信号走线容易发生断裂。
基于此，本公开一些实施例提供一种显示面板1。请参阅图1，显示面板1具有显示区10以及围绕显示区10的周边区11。
显示区10内具有多个子像素区P。多个子像素区P可以排列成多行多列，例如图1中以5行5列进行示意，可以理解，实际产品中，可以设置为更多行（如1024行）和更多列（如2048列）。多个子像素区P可以包括至少一个第一颜色子像素区、至少一个第二颜色子像素区以及至少一个第三子像素区，其中，第一颜色、第二颜色和第三颜色为三基色（如红色、绿色、蓝色）。
子像素区P用于布置像素电路和发光器件，通过像素电路驱动发光器件发光，可以使显示面板1实现画面显示。
周边区11用于布线，当然，也可以在周边区11设置驱动电路，如栅极驱动电路，以向显示区10内的像素电路提供栅极扫描信号。
周边区11包括：第一周边区111、弯折区112以及第二周边区113，弯折区112设置在第一周边区111和第二周边区113之间。通过设置弯折区112，可以使第二周边区113弯折至显示面板的背侧，有助于提高显示面板1的屏占比。
示例性的，如图1所示，显示区10大致呈矩形，第一周边区111围绕显示区10的两个长边和两个短边设置，即第一周边区111可以围绕显示面板设置一圈。弯折区112和第二周边区113均设置在图1示出的显示面板1的下端，且弯折区112连接于第一周边区111以及第二周边区113之间。
本公开不对上述第一周边区111的具体位置进行限定，只要保证第一周边区111可以连接弯折区112与显示区10即可。也即，在另一些示例中，第一周边区111也可以仅位于显示区10的一侧、两侧或三侧等。
同样的，本公开也不对显示区10的形状进行限制，例如，上述显示区的形状也可以为圆形、心形等规则形状，或者，上述显示区10的形状也可以为不规则形状。
下文中，为了便于说明，将图1中由第一周边区111指向第二周边区113的方向定义为第一方向X，可以理解，该第一方向X平行于显示面板1的基底，且该第一方向X可以垂直于显示区10的短边设置。与此同时，将图1中垂直于第一方向X且平行于基底的方向定义为第二方向Y，在图1的示例中，该第二方向Y平行于显示区的短边设置。
请参阅图2，显示面板1包括：基底20、至少一层第一无机层21以及多层第二无机层22，所述至少一层第一无机层21位于基底20的一侧，所述多层第二无机层22位于所有第一无机层21远离基底20的一侧。也就是说，基底20的一侧依次设置至少一层第一无机层21和多层第二无机层22。
需要说明的是，图2中，为了方便理解，将所述至少一层第一无机层21作为一个整体进行示意，同时将所述多层第二无机层22作为一个整体进行示意，本领域技术人员可以理解的是，在图2中，第一无机层21的层数可以设置为一层或多层，第二无机层22的层数可以设置为多层。
继续参阅图2，所述至少一层第一无机层21位于弯折区112的至少部分区域被去除，形成第一结构31。多层第二无机层22位于弯折区112的至少部分区域被去除，形成第二结构32。第二结构32叠置于第一结构31远离基底20的一侧。这样设计，使得在第一结构31与第二结构32整体的上方依次形成平坦层（例如图2中的第一平坦层241）和信号线（例如图2中的第三走线232）后，可以减小信号线随弯折区112弯折时所产生的弯折应力，从而降低弯折区122内信号线的断线风险。
参阅图3~图5，显示面板1还包括多个像素电路25。多个像素电路25位于显示区10，且多个像素电路25位于所有第一无机层21远离基底20的一侧。
像素电路25包括至少一个低温多晶硅薄膜晶体管251和至少一个金属氧化物薄膜晶体管252。由于低温多晶硅薄膜晶体管251迁移率高，可以加快对像素电容的充电速度，而金属氧化物薄膜晶体管252具有更低的泄漏电流，将这两种晶体管的优势相结合，有助于使显示面板1实现高分辨率、低功耗和高画质。
需要说明的是，像素电路25的结构可以包括多种，本公开对此不作限制。例如像素电路25的结构可以为“2T1C”“6T1C”、“7T1C”、“6T2C”或“7T2C”等结构。此处，“T”表示为薄膜晶体管，位于“T”前面的数字表示为薄膜晶体管的个数，“C”表示为存储电容器，“C”前面的数字表示为存储电容器的个数。
此外，像素电路25可以包括单栅结构（如底栅结构或顶栅结构）的薄膜晶体管和/或双栅结构的薄膜晶体管。例如，在图3~图5的示例中，低温多晶硅薄膜晶体管251设置为顶栅结构的薄膜晶体管，金属氧化物薄膜晶体管252设置为双栅结构的薄膜晶体管。
低温多晶硅薄膜晶体管251包括第一有源层2511，金属氧化物薄膜晶体管252包括第二有源层2521。
其中，第一有源层2511的材料可以为低温多晶硅（P-Si），第二有源层2521的材料可以为氧化铟镓锌（Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO）。
所述多层第二无机层22中，覆盖第一有源层2511的第二无机层22层数大于覆盖第二有源层2521的第二无机层22层数。
例如，在图3的示例中，覆盖第一有源层2511的第二无机层22层数为五层，覆盖第二有源层2521的第二无机层22的层数为三层，五层大于三层。
又例如，在图4和图5的示例中，覆盖第一有源层2511的第二无机层22层数为五层，覆盖第二有源层2521的第二无机层22的层数为二层，五层大于二层。
这样设置，可以使低温多晶硅薄膜晶体管251中的第一有源层2511与金属氧化物薄膜晶体管252中的第二有源层2521分别位于不同层，进而使得在制作低温多晶硅薄膜晶体管251中的第一有源层2511时所引入的大量的氢气，不会对金属氧化物薄膜晶体管252中的第二有源层2521造成损伤。
继续参阅图2~图5，覆盖第二有源层2521的所有第二无机层22上具有暴露出第二有源层2521的第一过孔71。上述第一结构31的深度d1与第一过孔71的深度h1大致相等。
在一些示例中，第一结构31的深度d1和第一过孔72的深度h1大致相等，包括绝对相等和近似相等。其中，“近似相等”的原因可能是由于制作工艺以及设备误差导致的。
此处，“近似相等”，例如可以为第一结构31的深度d1和第一过孔72的深度h1之差的绝对值小于或等于其中任一者的15%。示例性的，该第一结构31和第一过孔72的深度之差的绝对值可以为其中任一者的10%~14%。
又例如，第一结构31的深度d1和第一过孔72的深度h1之差的绝对值可以小于或等于第一阈值。示例性的，第一阈值为0.05微米。
在一些示例中，第一结构31的深度d1为0.65微米，第一过孔72的深度h1为0.62微米，在另一些示例中，第一结构31的深度d1为0.69微米，第一过孔72的深度h1为0.65微米。
本公开一些实施例提供的显示面板1中，由于具有上述第一结构31和第二结构32，第二结构32叠置于第一结构31远离基底20的一侧，使得在第一结构31和第二结构32整体的上方依次形成平坦层（例如图2中的第一平坦层241）和信号线（例如图2中的第三走线232）后，可以减小信号线随弯折区112弯折时所产生的弯折应力，从而降低弯折区122内信号线的断线风险。而且，由于第一结构31的深度d1和第一过孔72的深度h1大致相等，使得第一结构31和第一过孔72可以通过同一次构图工艺制备，有利于简化工艺流程，降低制作成本。同时，第一结构31的深度d1和第一过孔72的深度h1大致相等还有利于调节第一结构31与第二结构32的深度比，有利于进一步降低弯折区122内信号线的断线风险。
在一些实施例中，上述第一结构31与第一过孔72通过同一次构图工艺制备。这样设计，达到了简化工艺流程，降低制作成本的目的。
在一些实施例中，覆盖第一有源层2511的所有第二无机层22上具有暴露出所述第一有源层2511的第二过孔71，第二结构32的深度d2和第二过孔71的深度h2大致相等。
在一些示例中，第二结构32的深度d2和第二过孔71的深度h2大致相等，包括绝对相等和近似相等。其中，“近似相等”的原因可能是由于制作工艺以及设备误差导致的。
此处，“近似相等”，例如可以为第二结构32的深度d2和第二过孔71的深度h2之差的绝对值小于或等于其中任一者的8%。示例性的，该第二结构32的深度d2和第二过孔71的深度h2之差的绝对值可以为其中任一者的3%~5%；或者，该第二结构32的深度d2和第二过孔71的深度h2之差的绝对值可以为其中任一者的5%~7%。
又例如，第二结构32的深度d2和第二过孔71的深度h2之差的绝对值可以小于或等于第二阈值。示例性的，第一阈值为0.3微米。
在一些实例中，第二结构32的深度d2为1.43微米，第二过孔71的深度h2为1.62微米。在另一些示例中，第二结构32的深度d2为1.46微米，第二过孔71的深度h2为1.37微米。
这样设置，由于第二结构32的深度d2和第二过孔71的深度h2大致相等，使得第二结构32和第二过孔71可以通过同一次构图工艺制备，有利于简化工艺流程，降低制作成本。同时，第二结构32的深度d2和第二过孔71的深度h2大致相等，还有利于进一步调节第一结构31与第二结构32的深度比，有利于进一步降低弯折区122内信号线的断线风险。
在一些实施例中，第二结构32与第二过孔71通过同一次构图工艺制备。
这样设计，达到了简化工艺流程，降低制作成本的目的。
上述至少一层第一无机层21和多层第二无机层22的设置方式有多种。下面，结合图3~图5对所述至少一层第一无机层21和所述多层第二无机层22的一些设置方式进行说明。
请参阅图3，在一些实施例中，所述至少一层第一无机层21包括：依次远离基底20的阻挡层211和第一缓冲层212。
在一些示例中，阻挡层211为单层结构，阻挡层211的材料可以为氧化硅（SiOX）或氮化硅（SiNX）。在另一些示例中，阻挡层211可以包括两层，其中，沿逐渐远离基底20的方向，第一层的材料可以为氧化硅，第二层的材料可以为氮化硅。在又一些示例中，阻挡层211可以包括四层，其中，沿逐渐远离基底20的方向，第一层的材料可以为氧化硅，第二层的材料可以为氮化硅，第三层的材料可以为氧化硅，第四层的材料可以为氮化硅。
在一些示例中，第一缓冲层212的材料为氧化硅。
继续参阅图3，所述多层第二无机层包括：依次远离基底20的第一栅绝缘层221、第二缓冲层222、第二栅绝缘层223、第二层间绝缘层224、以及钝化层225。
在一些示例中，第一栅绝缘层221为单层结构，第一栅绝缘层221的材料可以为氧化硅。在另一些示例中，第一栅绝缘层221可以包括两层，其中，沿逐渐远离基底20的方向，第一层的材料可以为氧化硅，第二层的材料可以为氮化硅。
在一些示例中，第二缓冲层222、第二栅绝缘层223、第二层间绝缘层224和钝化层225均为单层结构。其中，第二缓冲层222的材料、第二栅绝缘层223的材料、以及第二层间绝缘层224的材料均可以为氧化硅。钝化层225的材料可以为氮化硅。
在一些实施例中，如图3所示，低温多晶硅薄膜晶体管251可以包括第一有源层2511、第一栅极2512、第一源极2513和第一漏极2514。也即，该低温多晶硅薄膜晶体管251可以为单栅结构的薄膜晶体管。
第一有源层2511的材料为低温多晶硅（P-Si），第一有源层2511位于上述第一缓冲层212与第一栅绝缘层221之间。
第一栅极2512的材料为金属，例如钼（Mo）。第一栅极2512位于第一有源层2511远离基底20的一侧，且第一栅极2512位于第一栅绝缘层221与第二缓冲层222之间。也即，该低温多晶硅薄膜晶体管251为顶栅结构的薄膜晶体管。
第一源极2513可以为单层结构或多层结构，第一漏极2514也可以为单层结构或多层结构。多层结构例如可以为层叠设置的钛/铝/钛（Ti/Al/Ti）。第一源极2513和第一漏极2514均位于第二层间绝缘层224远离基底20的一侧，且第一源极2513通过第二层间绝缘层224、第二栅绝缘层223、第二缓冲层222和第一栅绝缘层221上的一个第二过孔72连接至第一有源层2511的源极区，第一漏极2514通过第二层间绝缘层224、第二栅绝缘层223、第二缓冲层222和第一栅绝缘层221上的另一个第二过孔72连接至第一有源层2511的漏极区。
在一些示例中，如图3所示，显示面板1还包括位于阻挡层211与第一缓冲层212之间的遮光层26。第一有源层2511在基底20上的正投影位于遮光层26在基底20上的正投影之内。这样，可以利用遮光层26阻止光线照射到有源层，从而防止低温多晶硅薄膜晶体管251漏电，提高了低温多晶硅薄膜晶体管251的可靠性。
在一些示例中，遮光层26的材料为金属，例如钼（Mo）。在另一些示例中，遮光层26的材料为非晶硅（A-Si）。
继续参阅图3，示例性的，金属氧化物薄膜晶体管252可以包括第二有源层2521、第二栅极2522、第三栅极2523、第二源极2524和第二漏极2525。也即金属氧化物薄膜晶体管252可以为双栅结构。
第二有源层2521的材料为氧化铟镓锌（Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO）。第二有源层2521位于上述第二缓冲层222与第二栅绝缘层223之间。
第二栅极2522的材料为金属，例如钼（Mo），第二栅极2522位于第二有源层2521远离基底20的一侧，且第二栅极2522位于第二栅绝缘层223与第二层间绝缘层224之间。
第三栅极2523的材料为金属，例如钼（Mo），第三栅极2523位于第二有源层2521靠近基底20的一侧，且第三栅极2523位于第一栅绝缘层221与第二缓冲层222之间。
第二源极2524（或第二漏极2525）可以为单层结构或多层结构。多层结构例如可以为层叠设置的钛/铝/钛（Ti/Al/Ti）。第二源极2524和第二漏极2525均位于第二层间绝缘层224远离基底20的一侧，且第二源极2524通过第二层间绝缘层224、第二栅绝缘层223上的一个第一过孔和71连接至第二有源层2521的源极区，第二漏极2525通过第二层间绝缘层224、第二栅绝缘层223上的另一个第一过孔71连接至第二有源层2521的漏极区。
请继续参阅图3，在一些实施例中，显示面板1在显示区10内还包括：在钝化层225远离基底20一侧依次设置的导电连接部271、第一平坦层241、第一电极272和像素界定层28。
在图3的示例中，第一电极272通过导电连接部271连接至低温多晶硅薄膜晶体管251的第一漏极2514。像素界定层28包括多个开口区，每个开口区暴露出一个第一电极272。
在此基础上，该显示面板1还可以包括位于第一电极272上方的发光功能层、第二电极、封装层等结构（未图示）。其中，发光功能层可以是多个块状结构，也可以是整面结构；同样的，第二电极可以是多个块状结构，也可以是整面结构。
在一些示例中，第一电极272为阳极，第二电极为阴极。在另一些示例中，第一电极272为阴极，第二电极为阳极。
在一些示例中，发光功能层包括有机发光层。在另一些示例中，发光功能层除包括有机发光层之外，还包括电子注入层（election injection layer，EIL）、空穴阻挡层（HoleBlock Layer，HBL）、电子传输层（election transporting layer，ETL）、空穴传输层(holetransporting layer，HTL)、电子阻挡层（Electron Block Layer，EBL）、空穴注入层（holeinjection layer，HIL）中的一层或多层。
在一些示例中，封装层包括依次层叠设置的第一无机封装膜、有机封装膜以及第二无机封装膜。其中，第一无机封装膜以及第二无机封装膜可以采用等离子体化学气相沉积工艺制作，有机封装膜可以采用喷墨打印工艺制作。
在一些示例中，像素界定层28上还可以设有隔垫物。在利用高精度金属掩膜板（Fine Metal Mask，FMM）蒸镀形成多个块状的有机发光层时，隔垫物可以对高精度金属掩膜板进行支撑，以提高蒸镀精度。
请参阅图2，在一些实施例中，显示面板1在周边区12内还包括：位于多层第二无机层22之间的第一走线230、以及位于所有第二无机层22远离基底20一侧且依次远离基底20的第二走线231、所述第一平坦层241、第三走线232和第二平坦层242。第三走线232通过第二走线231连接至第一走线230。
在图3的示例中，第一走线230可以与像素电路25的任意一个栅极或者第一源极2513、第一漏极2514、第二源极2524或者第二漏极2525同层制作；第二走线231可以与导电连接部271同层制作；第三走线232可以与第一电极272同层制作；第二平坦层242可以与上述像素界定层28同层制作。
需要说明的是，本文中提及的“同层制作”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
请参阅图4，在另一些实施例中，至少一层第一无机层21包括：依次远离基底20的阻挡层211和第一缓冲层212。
对于阻挡层211和第一缓冲层212的设置方式，可参阅前述对图3的示例的说明，此处不再赘述。
多层第二无机层包括：依次远离基底20的第一栅绝缘层221、第一层间绝缘层226、第二缓冲层222、第二栅绝缘层223以及第二层间绝缘层224。
需要说明的是，图4的示例相较于图3的示例而言，不包括钝化层225，而是将图3的钝化层225替换为第一平坦层241，将图3中的第一平坦层241替换为第二平坦层242。并且，在图4的示例中，增加了第一层间绝缘层226。
在图4的示例中，第一栅绝缘层221、第一层间绝缘层226均为单层结构，且第一栅绝缘层221的材料可以为氧化硅，第一层间绝缘层226的材料可以为氮化硅。
第二缓冲层222为双层结构，其中，沿逐渐远离基底20的方向，第一层的材料可以为氮化硅，第二层的材料可以为氧化硅。
第二栅绝缘层223为单层结构，第二栅绝缘层223的材料可以为氧化硅。
第二层间绝缘层224为双层结构，其中，沿逐渐远离基底20的方向，第一层的材料可以为氧化硅，第二层的材料可以为氮化硅。
同样的，在图4的示例中，可以包括像素电路25，像素电路25包括至少一个低温多晶硅薄膜晶体管251和至少一个金属氧化物薄膜晶体管252。在图4中，相较于图3的不同之处在于：第一层间绝缘层226将低温多晶硅薄膜晶体管251的第一栅极2511与金属氧化物薄膜晶体管252的第三栅极2523分隔在两侧，其中，第一栅极2511位于第一层间绝缘层226靠近基底20的一侧，第三栅极2523位于第一层间绝缘层226远离基底20的一侧。
需要说明的是，在图4示例的基础上，图2中的第一走线230可以与像素电路25中的任意一个栅极同层设置，图2中的第二走线231可以与第一源极2513、第一漏极2514、第二源极2524、第二漏极2525同层制作；图2中的第三走线232可以与导电连接部271同层制作。
请参阅图5，在又一些实施例中，所述至少一层第一无机层21包括：依次远离基底20的阻挡层211或第一缓冲层212。
对于阻挡层211或第一缓冲层212的设置方式，可参阅前述对图3的示例的说明，此处不再赘述。
所述多层第二无机层包括：依次远离基底20的第一栅绝缘层221、第一层间绝缘层226、第二缓冲层222、第二栅绝缘层223以及第二层间绝缘层224。
对于第一栅绝缘层221、第一层间绝缘层226、第二缓冲层222、第二栅绝缘层223以及第二层间绝缘层224的设置方式，可参阅前述对图4的示例的说明，此处不再赘述。
在图5的示例中，显示面板1除包括像素电路25以外，还包括与第一栅极2511同层设置的电容电极291，该电容电极291与第三栅极2523构成存储电容器29。也即，第三栅极2523可以复用为存储电容器29的另一极。
示例性的，电容电极291的材料为金属，例如钼。
在图5的示例中，与图4相同的是：图2中的第一走线230可以与像素电路25中的任意一个栅极同层设置，第二走线231可以与第一源极2513、第一漏极2514、第二源极2524、第二漏极2525同层制作；第三走线232可以与导电连接部271同层制作。
可以理解的是，上述各个实施例中的第三走线232可以为经过第一结构31和第二结构32上方的信号线。
在一些实施例中，显示面板1包括：位于多层第二无机层22远离基底20一侧的平坦层（例如图2中的第一平坦层241），平坦层覆盖第一结构31和第二结构32。位于平坦层远离基底20一侧的至少一条信号线（例如图3中的第三走线232），信号线从第一周边区111经弯折区112延伸至第二周边区113。
下文中，为了方便说明，将此处的平坦层称为第一平坦层241，信号线称为第三走线232。
此处，第一平坦层241填充至第一结构31与第二结构32内，第一平坦层241起到隔离和支撑的作用。第三走线232形成在第一平坦层241上，第三走线232用于传递电信号。
本公开一些实施例提供的显示面板1，通过设置第一结构31以及第二结构32，并调整第一结构31以及第二结构32的深度，一方面可以降低第一结构与第二结构的制作难度；另一方面，可以改变第一平坦层241在弯折区112的远离基底20一侧表面的形状，进而能够使第三走线在弯折区112具有相对缓和的坡度角，降低第三走线弯折随弯折区112弯折后的应力，降低第三走线232的断线风险。
请参阅图2和图6，在一些实施例中，第一结构31包括靠近显示区10的第一侧壁41。第二结构32包括靠近显示区10的第二侧壁42。第二侧壁42比第一侧壁41更靠近显示区10。
第一侧壁41包括靠近基底20的第一底边411，第二侧壁42包括靠近基底20的第二底边421。例如，在图2和图6的示例中，第一底边411和第二底边421均平行于基底20且与垂直于第一方向X（即由第一周边区111指向第二周边区113的方向），也即第一底边411与第二底边421可以平行于图1中显示面板1的一个短边设置。
第一底边411在基底20上的正投影与第二底边421在基底20上的正投影之间的间距为第一间距（如图2中的B）。此处，需要说明的是，对于上述第一底边411与第二底边421相互平行的示例而言，该第一间距B为恒定值。而在实际应用中，由于膜层制作工艺以及设备误差等影响，该第一底边411与第二底边421可能存在近似平行的情况，此时，可以沿垂直于第一底边411或第二底边421的方向，测量多个间距值，将多个间距值中的中位值或平均值作为上述第一间距B。
多层第二无机层22在周边区11的整体厚度（如图2中的H）与第一间距B的比值小于或等于0.13。
其中，多层第二无机层22在周边区11的整体厚度H的确定方式与上述第一间距B的确定方式相类似。也即，当多层第二无机层22在周边区11的各厚度值为恒定值时，可以将任意一个位置处的厚度作为多层第二无机层22在周边区11的整体厚度H；当多层第二无机层22在周边区11的各厚度值由于膜层制作工艺以及设备误差等影响存在厚度不一致的情况时，可以测量多个厚度值，将多个厚度值中的中位值或平均值作为多层第二无机层22在周边区11的整体厚度H。
上述“多层第二无机层22在周边区11的整体厚度（如图2中的H）与第一间距B的比值小于或等于0.13”，例如，该比值可以为0.13、0.12、0.10或0.07等。
另外，需要说明的是，由于存在一定的不可控的误差（如制作工艺误差、设备精度、测量误差等），实际产品中整体厚度H与第一间距B的比值也可能包括三位或四位及以上的有效数字，例如0.131、0.1341、0.138等，此时，可以按照四舍五入的原则，将如0.131、0.1341等数值理解为等于0.13，同时将如0.138等数值理解为大于0.13。也即，整体厚度H与第一间距B的比值为0.131、0.1341等数值时，也认为其满足等于0.13的限定条件。
本公开一些实施例提供的显示面板1中，由于多层第二无机层22在周边区11的整体厚度（即图2中的H）与第一间距B的比值小于或等于0.13，使得多层第二无机层22整体在垂直于基底20方向上的尺寸H相对于第一间距B不会过大，也即，使得第一间距B相对于多层第二无机层22整体在垂直于基底20方向上的尺寸H不会过小。这样设计，在第一结构31和第二结构32上方依次形成平坦层（例如图2中的第一平坦层241）和信号线（例如图2中的第三走线232）后，可以使信号线在弯折区的倾角（如图2中的倾角α）减小，也即可以使信号线在至少一层第一无机层21以及多层第二无机层22形成的台阶处具有相对缓和的坡度角，因此可以减小信号线随弯折区112弯折时所产生的弯折应力，从而降低弯折区122内信号线的断线风险，提高了产品可靠性。
在一些实施例中，继续参阅图2，所述多层第二无机层22在周边区11的整体厚度H与第一间距B的比值小于或等于0.12。例如0.13、0.11、或0.075等。
如前所述，由于存在一定的不可控的误差（如制作工艺误差、设备精度、测量误差等），该整体厚度H与第一间距B的比值可以包括三位或四位及以上的有效数字，同样的，在该整体厚度H与第一间距B的比值为0.121、0.123等数值时，也可以认为该比值满足等于0.12的限定条件。
在这些实施例中，可以进一步使得多层第二无机层22整体在垂直于基底20方向上的整体厚度H相对于第一间距B不会过大，也即，进一步使得第一间距B相对于多层第二无机层22整体在垂直于基底20方向上的尺寸H不会过小，从而可以使信号线在弯折区的倾角（如图2中的倾角α）进一步减小，也即可以使信号线在至少一层第一无机层以及多层第二无机层形成的台阶处具有更加相对缓和的坡度角，因此可以减小信号线随弯折区112弯折时所产生的弯折应力，从而降低弯折区122内信号线的断线风险。
在此基础上，在一些实施例中，继续参阅图2，多层第二无机层22在周边区11的整体厚度H与第一间距B的比值大于或等于0.08。例如，该比值可以为0.08、0.09、0.10、0.11或0.12等。
如前所述，由于存在一定的不可控的误差（如制作工艺误差、设备精度、测量误差等），该整体厚度H与第一间距B的比值可以包括三位或四位及以上的有效数字，同样的，在该整体厚度H与第一间距B的比值为0.079、0.0761等数值时，也可以认为该比值满足等于0.08的限定条件。
在这些实施例中，由于多层第二无机层22在周边区11的整体厚度H与第一间距B的比值大于或等于0.08，使得多层第二无机层22整体在垂直于基底20方向上的尺寸H相对于第一间距B不会过小，也即，使得第一间距B相对于多层第二无机层22整体在垂直于基底20方向上的尺寸H不会过大，从而既可以保证弯折区信号线在至少一层第一无机层21与多层第二无机层22形成的台阶处具有相对缓和的坡度角，同时又不至于使至少一层第一无机层21在弯折区112向右延伸过长，影响弯折区112无机层去除的宽度，因此既降低了弯折区112内信号线的断线风险，又可以改善显示面板1在弯折区112的弯折性能。
在一些示例中，多层第二无机层22在周边区11的整体厚度H与第一间距B的比值大于或等于0.08、且小于或等于0.11。同样可以理解的是，由于存在一定的不可控的误差（如制作工艺误差、设备精度、测量误差等），在该整体厚度H与第一间距B的比值为0.079、0.0761等数值时，也可以认为该比值满足等于0.08的限定条件；同时，在该整体厚度H与第一间距B的比值为0.113、0.1141等数值时，也可以认为该比值满足等于0.11的限定条件。
这样设计，有利于平衡弯折区112内信号线的断线风险与显示面板1在弯折区112的弯折性能，使弯折区112内信号线的断线风险与显示面板1在弯折区112的弯折性能都能够得到较好的改善。
在一些示例中，多层第二无机层22在周边区11的整体厚度H与第一间距B的比值大于或等于0.09、且小于或等于0.10。同样可以理解的是，由于存在一定的不可控的误差（如制作工艺误差、设备精度、测量误差等），在该整体厚度H与第一间距B的比值为0.089、0.0861等数值时，也可以认为该比值满足等于0.09的限定条件；在该整体厚度H与第一间距B的比值为0.103、0.1041等数值时，也可以认为该比值满足等于0.11的限定条件。
这样设计，有利于进一步平衡弯折区112内信号线的断线风险与显示面板1在弯折区112的弯折性能，使弯折区112内信号线的断线风险与显示面板1在弯折区112的弯折性能均得到更好的改善。
在一些实施例中，请参阅图2，多层第二无机层22在周边区11的整体厚度H大于或等于1微米。示例性的，H的尺寸为1.1微米、1.2微米、1.3微米、1.4微米等，其中，H的具体尺寸可根据实际显示面板1的需求厚度以及工艺条件进行设定。
同样可以理解的是，由于存在一定的不可控的误差（如制作工艺误差、设备精度、测量误差等），在该整体厚度H为0.95微米、0.961微米等数值时，也可以按照四舍五入的原则，认为该整体厚度H满足等于1微米的限定条件。
这样设计，使得多层第二无机层22在周边区11的整体厚度H不会过小，显示面板1在周边区11的结构稳定性和可靠性较高。同时，使得形成在多层第二无机层22上的第二结构32的深度不容易过浅，有利于改善显示面板1在弯折区112的弯折性能。
在一些示例中，多层第二无机层22在周边区11的整体厚度H大于或等于1.3微米，且小于或等于1.5微米。例如，该整体厚度H可以为1.3微米、1.4微米、1.5微米等。
同样可以理解的是，由于存在一定的不可控的误差（如制作工艺误差、设备精度、测量误差等），在该整体厚度H为0.125微米、0.1281微米等数值时，也可以认为该整体厚度H满足等于1.3微米的限定条件；在该整体厚度H为0.153微米、0.1541微米等数值时，也可以认为该整体厚度H满足等于1.5微米的限定条件。
这样设计，一方面，使得多层第二无机层22在周边区11的整体厚度H不会过小，显示面板1在周边区11的结构稳定性和可靠性较高，同时，使得形成在多层第二无机层22上的第二结构32的深度不容易过浅，有利于改善显示面板1在弯折区112的弯折性能；另一方面，使得多层第二无机层22在周边区11的整体厚度H不会过大，显示面板1易于实现轻薄化设计，同时，使得形成在多层第二无机层22上的第二结构32的深度不容易过深，有利于降低弯折区112内信号线在弯折时的断线风险。
第一结构31和第二结构31的设置方式有多种。下面，结合图6~图8，对第一结构31和第二结构31的一些设置方式做进一步说明。
请参阅图6和图7，在一些实施例中，第一侧壁41还包括远离基底20的第一顶边412、以及位于第一顶边412与第一底边411之间且相对设置的两个第一侧边413。第二侧壁42还包括远离基底20的第二顶边422、以及位于第二顶边422与第二底边421之间且相对设置的两个第二侧边423。
第一结构31沿第一顶边412的延伸方向为完全贯通的结构，第二结构32沿第二顶边422的延伸方向也为完全贯通的结构。也就是说，第一结构31和第二结构32为两端开口的通槽形式。这种结构可以最大程度增大弯折区112的无机层（即第一无机层21与第二无机层22）去除面积，从而有利于弯折区112实现弯折，降低弯折区112的弯曲应力，从而降低信号线（例如图2中的第三走线）的断线风险。
在一些实施例中，如图6和图7所示，第一顶边412比第一底边411更靠近显示区10。第二顶边422比第二底边421更靠近显示区10。这样设置，使得第一侧壁41和第二侧壁42均为倾斜的侧壁，制作方便，且有利于释放弯折时产生的应力。
在一些实施例中，如图2和图7所示，第一侧壁41与平行于基底20且经过第一底边411的第一参考面之间的两个夹角中，靠近显示区10的夹角为第一夹角θ1，第一夹角θ1的取值范围为：70°≤θ1≤90°，例如第一夹角θ1可以为70°、80°或90°等。
同样可以理解的是，由于存在一定的不可控的误差（如制作工艺误差、设备精度、测量误差等），在该第一夹角θ1为69.5°、69.81°等角度时，也可以认为该第一夹角θ1满足等于70°的限定条件；在该第一夹角θ1为90.1°、90.455°等角度时，也可以认为该第一夹角θ1满足等于90°的限定条件。
在这些实施例中，可以使得第一侧壁41不倾斜或者倾斜的角度（90°－θ1）不容易过大，既有利于改善弯折区112弯折性能，又能够保证第一侧壁41的支撑性能。例如，在第一夹角θ1等于或趋近于70°时，可以在保证第一侧壁41的支撑性能的同时，较大程度的改善弯折区112的弯折性能；在第一夹角θ1等于或趋近于90°时，可以在具有一定弯折性能的同时，较大程度的提升第一侧壁41的支撑性能。
示例性的，第一夹角θ1的取值范围为：75°≤θ1≤85°，例如第一夹角θ1可以为75°、76°、79°、83°、或85°等。同样的，由于存在一定的不可控的误差（如制作工艺误差、设备精度、测量误差等），该第一夹角θ1也可以为74.58°、85.44°或85.45°等角度。
这样设置，使得第一侧壁41倾斜，且第一侧壁41倾斜的角度（90°－θ1）比较适中，第一侧壁41便于制作、且的稳定性和可靠性较高。此时，即有助于提升弯折区112弯折性能，又有助于提升第一侧壁41的支撑性能。
示例性的，第一夹角θ1的取值范围为：70°≤θ1＜75°，例如第一夹角θ1可以为70°、71°、72°、73°、74°、或74.5°等。同样的，由于存在一定的不可控的误差（如制作工艺误差、设备精度、测量误差等），该第一夹角θ1也可以为69.58°、69.66°等角度。
这样设置，使得第一侧壁41倾斜，且第一侧壁41倾斜的角度（90°－θ1）不容易过小，第一侧壁41便于制作、且的稳定性和可靠性较高。此时，既有助于提升弯折区112弯折性能，又有助于提升第一侧壁41的支撑性能。
在一些实施例中，如图2和图7所示，第二侧壁42与平行于基底20且经过第二底边421的第二参考面之间的两个夹角中，靠近显示区10的夹角为第二夹角θ2，第二夹角θ2的取值范围为：70°≤θ2≤90°，例如第二夹角θ2可以为70°、80°或90°等。
同样可以理解的是，由于存在一定的不可控的误差（如制作工艺误差、设备精度、测量误差等），在该第二夹角θ2为69.5°、69.81°等角度时，也可以认为该第二夹角θ2满足等于70°的限定条件；在该第二夹角θ2为90.1°、90.455°等角度时，也可以认为该第二夹角θ2满足等于90°的限定条件。
这样设置，使得第二侧壁42不倾斜或者倾斜的角度（90°－θ2）不容易过大，既有利于改善弯折区112弯折性能，又能够保证第二侧壁42的支撑性能。例如，在第二夹角θ2等于或趋近于70°时，可以在保证第二侧壁42的支撑性能的同时，较大程度的改善弯折区112的弯折性能；在第二夹角θ2等于或趋近于90°时，可以在具有一定弯折性能的同时，较大程度的提升第二侧壁42的支撑性能。
示例性的，第二夹角θ2的取值范围为：75°≤θ2≤85°，例如第二夹角θ2可以为75°、76°、79°、83°或85°等。同样的，由于存在一定的不可控的误差（如制作工艺误差、设备精度、测量误差等），该第二夹角θ2也可以为74.58°、85.44°或85.45°等角度。
这样设置，使得第二侧壁42倾斜的角度（90°－θ2）比较适中，第二侧壁42便于制作、且稳定性和可靠性较高。此时，即有助于提升弯折区112弯折性能，又有助于提升第二侧壁42的支撑性能。
示例性的，第二夹角θ2的取值范围为：70°≤θ1＜79°，例如第二夹角θ2可以为70°、71°、73°、75°、78°、或78.5°等。同样的，由于存在一定的不可控的误差（如制作工艺误差、设备精度、测量误差等），该第二夹角θ2也可以为69.58°、69.66°等角度。
这样设置，使得第二侧壁42倾斜，且第二侧壁42倾斜的角度（90°－θ2）不容易过小，第二侧壁42便于制作、且的稳定性和可靠性较高。此时，既有助于提升弯折区112弯折性能，又有助于提升第二侧壁42的支撑性能。
示例性的，第二夹角θ2的取值范围为：70°≤θ1＜76°，例如第二夹角θ2可以为70°、71°、73°、74°、75°、或75.5°等。同样的，由于存在一定的不可控的误差（如制作工艺误差、设备精度、测量误差等），该第二夹角θ2也可以为69.58°、69.66°等角度。
这样设置，使得第二侧壁42倾斜，且第二侧壁42倾斜的角度（90°－θ2）更加不容易过小，第二侧壁42便于制作、且的稳定性和可靠性较高。此时，既有助于提升弯折区112弯折性能，又有助于提升第二侧壁42的支撑性能。
在一些实施例中，请参阅图6和图7，第一结构31还包括远离显示区10的第三侧壁43，第三侧壁43与第一侧壁41相对设置。第三侧壁43包括靠近基底20的第三底边431、远离基底20的第三顶边432、以及位于第三顶边431与第三底边432之间且相对设置的两个第三侧边433。
第二结构32还包括远离显示区10的第四侧壁44，第四侧壁44与第二侧壁42相对设置。第四侧壁44包括靠近基底20的第四底边441、远离基底20的第四顶边442、以及位于第四顶边441与第四底边442之间且相对设置的两个第四侧边443。
第一侧壁41和第三侧壁43共同限制出第一结构31的范围，第一侧壁41和第三侧壁43之间的区域即为所述至少一层第一无机层21中被去除的区域。第二侧壁42和第四侧壁44共同限制了第二结构32的范围，第二侧壁42和第四侧壁44之间的区域即为所述多层第二无机层22中被去除的区域。显示面板1从弯折区112处弯折后，第三侧壁43以及第四侧壁44将被弯折到显示面板1的背侧。
在一些实施例中，如图6和图7所示，第三顶边432比第三底边431更远离显示区10。第四顶边442比第四底边441更远离显示区。
这样设置，使得第三侧壁43和第四侧壁44均为倾斜的侧壁，并且第三侧壁43向远离第一侧壁41的方向倾斜，第四侧壁44向远离第二侧壁的方向倾斜，第三侧壁43和第四侧壁44均设置为这种倾斜结构，可以更好的释放弯折时的应力，从而降低弯折区内信号线的断线风险。
在一些实施例中，如图7和图8所示，第三侧壁41与平行于基底20且经过第三底边431的第三参考面之间的两个夹角中，远离显示区10的夹角为第三夹角θ3，第三夹角θ3的取值范围为：70°≤θ3≤90°，例如第三夹角θ3可以为70°、80°或90°等。
同样可以理解的是，由于存在一定的不可控的误差（如制作工艺误差、设备精度、测量误差等），在该第三夹角θ3为69.5°、69.81°等角度时，也可以认为该第三夹角θ3满足等于70°的限定条件；在该第三夹角θ3为90.1°、90.455°等角度时，也可以认为该第三夹角θ3满足等于90°的限定条件。
在这些实施例中，使得第三侧壁43不倾斜或者倾斜的角度（90°－θ3）不容易过大，既有利于改善弯折区112弯折性能，又能够保证第三侧壁43的支撑性能。例如，在第三夹角θ3等于或趋近于70°时，可以在保证第三侧壁43的支撑性能的同时，较大程度的改善弯折区112的弯折性能；在第三夹角θ3等于或趋近于90°时，可以在具有一定弯折性能的同时，较大程度的提升第三侧壁43的支撑性能。
示例性的，第三夹角θ3的取值范围为：75°≤θ3≤85°，例如第三夹角θ3可以为75°、76°、79°、83°或85°等。同样的，由于存在一定的不可控的误差（如制作工艺误差、设备精度、测量误差等），该第三夹角θ3也可以为74.58°、85.44°或85.45°等角度。
这样设置，使得第三侧壁43倾斜的角度（90°－θ3）比较适中，第三侧壁43便于制作、且的稳定性和可靠性较高。此时，即有助于提升弯折区112弯折性能，又有助于提升第三侧壁43的支撑性能。
在一些实施例中，如图7和图8所示，第四侧壁44与平行于基底20且经过第四底边441的第四参考面之间的两个夹角中，远离显示区10的夹角为第四夹角θ4，第四夹角θ4的取值范围为：70°≤θ4≤90°，例如第四夹角θ4可以为70°、80°或90°等。
同样可以理解的是，由于存在一定的不可控的误差（如制作工艺误差、设备精度、测量误差等），在该第四夹角θ4为69.5°、69.81°等角度时，也可以认为该第四夹角θ4满足等于70°的限定条件；在该第四夹角θ4为90.1°、90.455°等角度时，也可以认为该第四夹角θ4满足等于90°的限定条件。
这样设置，使得第四侧壁44不倾斜或者倾斜的角度（90°－θ4）不容易过大，既有利于改善弯折区112弯折性能，又能够保证第四侧壁44的支撑性能。例如，在第四夹角θ4等于或趋近于70°时，可以在保证第四侧壁44的支撑性能的同时，较大程度的改善弯折区112的弯折性能；在第四夹角θ4等于或趋近于90°时，可以在具有一定弯折性能的同时，较大程度的提升第四侧壁44的支撑性能。
示例性的，第四夹角θ4的取值范围为：75°≤θ4≤85°，例如第四夹角θ4可以为75°、76°、79°、83°或85°等。同样的，由于存在一定的不可控的误差（如制作工艺误差、设备精度、测量误差等），该第四夹角θ4也可以为74.58°、85.44°或85.45°等角度。
这样设置，使得第四侧壁44倾斜的角度（90°－θ4）比较适中，第四侧壁44便于制作、且稳定性和可靠性较高。此时，即有助于提升弯折区112弯折性能，又有助于提升第四侧壁44的支撑性能。
在一些实施例中，请参阅图7，第二侧壁42与平行于基底20且经过第二底边421的第二参考面之间的两个夹角中靠近显示区的夹角为第二夹角θ2，第四侧壁44与平行于基底20且经过第四底边441的第四参考面之间的两个夹角中远离显示区10的夹角为第四夹角θ4，θ4＜θ2。
本实施例中，θ4＜θ2，也就是说，第四侧壁44向远离显示区10一侧倾斜的角度比第二侧壁42向靠近显示区10一侧倾斜的角度大，靠近第四侧壁44的区域去除掉的第二无机层22部分较多，这样，在弯折区112弯折时，更有利于释放靠近第二周边区113一侧的应力，降低弯折区112走线断裂风险。
在一些实施例中，第一结构31为由上述第一侧壁41与第三侧壁43围成的第一槽，第二结构32为由上述第二侧壁42与第四侧壁44围成的第二槽。
在显示面板1被弯折之前：第一槽在垂直于基底20且平行于第一方向X（即由所述第一周边区指向所述第二周边区的方向）的平内的横截面形状呈矩形或倒梯形。第二槽在垂直于基底20且平行于第一方向X的平面内的横截面形状呈矩形或倒梯形。这样设计，有利于提升显示面板1的弯折性能，降低信号线的断线风险。
示例性的，如图8所示，第一槽在垂直于第一底边411的平面内的横截面形状和第二槽在垂直于第一底边411的平面内的横截面形状均呈倒立的等腰梯形。
这样设计，使得第一侧壁41和第三侧壁43的倾斜角度相等，第二侧壁和第四侧壁的倾斜角度相等，既有利于简化工艺，又有利于提升显示面板1的弯折性能，降低信号线的断线风险。
本公开一些实施例还对承载信号线的平坦层做了改进。下面，以图2中承载第三走线232的第一平坦层241为例进行说明。
在一些实施例中，如图9所示，第一平坦层241的位于弯折区112且远离基底20的表面上具有缓冲结构51。
缓冲结构51设置在第一平坦层241远离基底20的表面上，也就是说，缓冲结构51设置在第一平坦层241靠近信号线一侧的表面，通过设置缓冲结构51，可以进一步释放弯折区弯折时的应力，从而更好的防止弯折区信号线产生断线问题。
示例性的，缓冲结构51包括多个缓冲槽511，多个缓冲槽511沿第一方向X（即由第一周边区111指向第二周边区113的方向）依次间隔设置，以形成波浪状结构。
在一些示例中，第一平坦层241的材料包含但不限于聚硅氧烷系、亚克力系或聚酰亚胺系材料中的至少一者。
在一些示例中，缓冲槽511可以通过干刻蚀工艺制作而成。
在上述一些实施例中，缓冲结构51设置为多个缓冲槽511，可以使第一平坦层241靠近第三走线232的表面形成凹凸表面，从而使其上的第三走线232布置为与多个缓冲槽511相适应的波浪状，有利于在弯折过程中释放应力，从而进一步防止第三走线232（即弯折区112信号线）在弯折时产生断裂。
需要说明的是，上述多个缓冲槽511仅为缓冲结构51的一种示例，也即，其它可以达到缓冲目的结构（例如开孔等结构），均可以作为本公开一些实施例中的缓冲结构51。此处不再赘述。
本公开一些实施例还对平坦层所承载的信号线做了改进。下面，以图2中第一平坦层241所承载的第三走线232为例进行说明。
在一些实施例中，如图10所示，第三走线232上具有多个开孔2321。这样设置，可以利用多个开孔2321来缓解第三走线232弯折时所产生的应力，从而有利于改善第三走线232在弯折时容易发生断裂的问题。
示例性的，如图10所示，第三走线232上具有多个圆形的开孔2321。
示例性的，图10所示，所述多个开孔2321在第一方向X（即由第一周边区111指向第二周边区113的方向）上呈中间密、两边疏的状态。
本示例中，通过将多个开孔2322的排布方式设置为中间密、两边疏的状态，可以使弯折区第三走线232的不同位置更好的释放应力，也即，中间应力较大的区域应力释放能力较强，两边应力较小的区域释放能力减小，此时两边的区域结构强度较大，从而可以更有效的降低断线风险。
在一些实施例中，如图11所示，第三走线232的层数为多层，相邻两层第三走线232之间具有绝缘层61，且相邻两层第三走线232之间通过所述绝缘层61上的多个过孔611连接。这样设置，可以利用中间的绝缘层61以及绝缘层61上的多个过孔611来缓解第三走线232弯折时所产生的应力，从而有利于改善第三走线232在弯折时容易发生断裂的问题。
示例性的，如图11所示，第三走线232的层数为两层。
示例性的，如图11所示，连接相邻两层第三走线232的多个过孔611，在第一方向X（即由第一周边区111指向第二周边区113的方向）上呈中间密、两边疏的状态。
本示例中，通过将多个过孔611的排布方式设置为中间密、两边疏的状态，可以使弯折区第三走线232的不同位置更好的释放应力，也即，中间应力较大的区域应力释放能力较强，两边应力较小的区域释放能力减小，此时两边的区域结构强度较大，从而可以更有效的降低断线风险。
请参阅图12，本公开一些实施例提供了一种显示装置100，显示装置100包括：如上任一实施例所述的显示面板1；和，保护层2，位于所述显示面板1的显示侧，且至少覆盖所述弯折区112。
保护层2可以起到保护弯折区112的作用，防止显示面板1在弯折区112处整体发生断裂。并且，保护层2能够调节弯折区112的信号线位于中性层，中性层是指弯折时既不受压也不受拉的膜层，这样有助于减小信号线受到的应力，防止信号线发生断裂。
在一些示例中，保护层2的材料包括绝缘材料。
在一些示例中，保护层2通过涂覆工艺形成。
在一些示例中，如图12所示，保护层2沿第一方向X（即由第一周边区111指向第二周边区113的方向）的两个边缘区域中的至少一个边缘区域具有斜坡结构E。这样，可以在保证保护层2支撑作用的情况下，更好的释放弯折时的应力，从而进一步降低弯折区信号线断线的风险。
示例性的，保护层2沿第一方向X的两个边缘区域均设置有上述斜坡结构E。
在一些实施例中，请参阅图12，显示装置100还包括：背膜3，位于显示面板1中与显示侧相对的非显示侧。
背膜3对显示面板1起到支撑作用。背膜3可以与显示面板通过胶粘的方式固定在一起，胶层的材料包括热固性树脂或光可固化树脂。示例性的，胶层的材料为压敏胶胶黏剂，例如丙烯酸酯压敏胶粘剂。
背膜3中位于弯折区112的至少部分区域被去除，形成靠近显示区10的第一断面31和远离显示区10的第二断面32。这样设计，有助于减小弯折区112的弯折应力。
保护层2在平行于基底20的参考面上的正投影与第一断面31在该参考面上的正投影、第二断面32在参考面上的正投影分别相交叠。也即，保护层2与背膜3存在重叠，重叠区域即为图12中的区域C和区域D。保护层2与背膜3存在重叠，可以在减小弯折区112的弯折应力的同时，提高背膜3的支撑能力，从而进一步能防止弯折区弯折应力过于集中造成弯折区信号线断线。
在一些实施例中，请参阅图12，显示装置100还包括：偏光片4，偏光片4位于显示面板1的显示侧。这样，可以利用偏光片4减小显示面板1对外界光线的反射，从而有利于达到防眩光的目的。
保护层2覆盖偏光片4的至少部分边缘，也即，保护层2靠近显示区10的边缘区域覆盖偏光片4的至少部分边缘，这样，能够防止水汽侵入偏光片4，使得偏光片4不容易失效。
示例性的，保护层2沿第一方向X的两个边缘区域中覆盖所述偏光片4的边缘区域可以不设置成上述斜坡结构E。这样能够有效的防止水汽侵入偏光片4，提高对偏光片4的保护作用。
在一些示例中，偏光片4为圆偏光片。
在一些示例中，显示装置100还包括盖板。
在一些示例中，盖板的材料可以为单面或者双面涂布硬化涂层（Hard Coating，HC）的透明聚酰亚胺膜（Colorless Polyimide ,CPI）。
在另一些示例中，盖板还可以为超薄玻璃（Ultra-Thin Glass ，UTG）。
在此基础上，示例性的，盖板可以为UTG和聚对苯二甲酸乙二醇酯（Polyethyleneterephthalate，PET）的复合结构，例如可以在UTG的一面或双面设置PET。又示例性的，盖板还可以为CPI和UTG的复合结构。
示例性的，盖板还可以为双层UTG，双层UTG通过紫外线（Ultraviolet Rays，UV）减粘胶结合，由于UV减粘胶在紫外线光照的情况下可以降低粘性，从而使外层UTG具有可替换性。此外，外层UTG的表面还可以设置一层聚合物材料，如热塑性聚氨酯弹性体橡胶（Thermoplastic polyurethanes，TPU）或PET等对UTG进行保护。
请参阅图13，本公开一些实施例提供了另一种显示装置100，该显示装置100包括：上述任一实施例的显示面板1以及盖板组件8，盖板组件8位于显示面板1的显示侧。
参阅图14，盖板组件8包括层叠设置的超薄玻璃81和至少一层有机层82。其中，有机层82的材料例如可以为上述CPI、TPU或PET等。
示例性的，超薄玻璃81的厚度的取值范围可以为0.1毫米至1.2毫米。
在一些实施例中，如图14所示，盖板组件81还包括：与超薄玻璃81层叠设置的偏光片4。这样设计，将偏光片4集成在盖板组件8中，一方面，具有组装方便，工艺简单的优点，且有利于减薄显示装置的整体厚度；另一方面，对于折叠或滑卷类产品而言，还可以改善显示装置显示面容易出现折痕的问题。
在一些示例中，盖板组件8可以包括依次层叠设置的覆盖膜（Cover film）、粘接层、第一液晶分子层、偏光片、第二液晶分子层、粘接层。其中，覆盖膜的材料可为透明聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯。覆盖膜位于盖板组件8远离基底20的一侧。
在另一些示例中，盖板组件8可以包括依次层叠设置的UTG、粘接层、聚乙烯醇薄膜层、粘接层、第一液晶分子层、粘接层、第二液晶分子层、粘接层。
需要说明的是，上述粘接层可以为压敏胶。
本公开一些实施例提供的显示装置100，由于包括上述任一实施例提供的显示面板1，因此至少还具有上述任一显示面板1相同的技术效果，例如通过对显示面板1的结构设计，可以降低弯折区信号线弯折应力，降低弯折区信号线断线风险，提高产品可靠度。
在一些示例中，如图12和图13所示，弯折后的显示装置100还包括：设置在断开的两部分背膜3之间的弯曲垫片5、支撑层6和缓冲层7。这样设置，有利于提高弯折后的显示装置的抗震能力，稳定性和可靠性较高。
上述显示装置100可以为电致发光显示装置，该电致发光显示装置可以为有机电致发光显示装置（Organic Light-Emitting Diode，简称 OLED）或量子点电致发光显示装置（Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED）。
此外，上述显示装置100可以是显示不论运动（例如，视频）还是固定（例如，静止图像）的且不论文字还是的图像的任何装置。更明确地说，预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联，所述多种电子装置例如（但不限于）移动电话、无线装置、个人数据助理（PDA）、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航器、相机、MP4视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器（例如，里程表显示器等）、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器（例如，车辆中后视相机的显示器）、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构（例如，对于一件珠宝的图像的显示器）等。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (42)
1.一种显示面板，其特征在于，具有显示区以及围绕所述显示区的周边区；所述周边区包括：第一周边区、弯折区以及第二周边区，所述弯折区设置在所述第一周边区和所述第二周边区之间；
所述显示面板包括：
基底；
位于所述基底一侧的至少一层第一无机层；所述至少一层第一无机层位于所述弯折区的至少部分区域被去除，形成第一结构；
位于所有所述第一无机层远离所述基底一侧的多层第二无机层；所述多层第二无机层位于所述弯折区的至少部分区域被去除，形成第二结构；所述第二结构叠置于所述第一结构远离所述基底的一侧；以及，
位于所有所述第一无机层远离所述基底一侧、且位于所述显示区的多个像素电路，像素电路包括至少一个低温多晶硅薄膜晶体管和至少一个金属氧化物薄膜晶体管；所述低温多晶硅薄膜晶体管包括第一有源层，所述金属氧化物薄膜晶体管包括第二有源层；
其中，所述多层第二无机层中，覆盖所述第一有源层的第二无机层层数大于覆盖所述第二有源层的第二无机层层数；覆盖所述第二有源层的所有第二无机层上具有暴露出所述第二有源层的第一过孔；
所述第一结构的深度与所述第一过孔的深度大致相等；
覆盖所述第一有源层的所有第二无机层上具有暴露出所述第一有源层的第二过孔；所述第二结构的深度与所述第二过孔的深度大致相等；
所述第一结构与所述第一过孔通过同一次构图工艺制备；
所述第二结构与所述第二过孔通过同一次构图工艺制备。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一结构包括靠近所述显示区的第一侧壁；所述第二结构包括靠近所述显示区的第二侧壁；所述第二侧壁比所述第一侧壁更靠近所述显示区；
其中，所述第一侧壁包括靠近所述基底的第一底边，所述第二侧壁包括靠近所述基底的第二底边；所述第一底边在所述基底上的正投影与所述第二底边在所述基底上的正投影之间的间距为第一间距；所述多层第二无机层在所述周边区的整体厚度与所述第一间距的比值小于或等于0.13。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述多层第二无机层在所述周边区的整体厚度与所述第一间距的比值小于或等于0.12。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述多层第二无机层在所述周边区的整体厚度与所述第一间距的比值大于或等于0.08。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述多层第二无机层在所述周边区的整体厚度与所述第一间距的比值大于或等于0.08，且小于或等于0.11。
6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述多层第二无机层在所述周边区的整体厚度与所述第一间距的比值大于或等于0.09，且小于或等于0.10。
7.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述多层第二无机层在所述周边区的整体厚度大于或等于1微米。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述多层第二无机层在所述周边区的整体厚度大于或等于1.3微米，且小于或等于1.5微米。
9.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第一侧壁还包括远离所述基底的第一顶边、以及位于所述第一顶边与所述第一底边之间且相对设置的两个第一侧边；
所述第二侧壁还包括远离所述基底的第二顶边、以及位于所述第二顶边与所述第二底边之间且相对设置的两个第二侧边。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，
所述第一顶边比所述第一底边更靠近所述显示区；
所述第二顶边比所述第二底边更靠近所述显示区。
11.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第一侧壁与平行于所述基底且经过所述第一底边的第一参考面之间的两个夹角中，靠近所述显示区的夹角为第一夹角θ1，所述第一夹角θ1的取值范围为：70°≤θ1≤90°。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述第一夹角θ1的取值范围为：75°≤θ1≤85°。
13.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述第一夹角θ1的取值范围为：70°≤θ1＜75°。
14.根据权利要求2所述显示面板，其特征在于，
所述第二侧壁与平行于所述基底且经过所述第二底边的第二参考面之间的两个夹角中，靠近所述显示区的夹角为第二夹角θ2，所述第二夹角θ2的取值范围为：70°≤θ2≤90°。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述第二夹角θ2的取值范围为：75°≤θ2≤85°。
16.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述第二夹角θ2的取值范围为：70°≤θ2＜79°。
17.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述第二夹角θ2的取值范围为：70°≤θ2＜76°。
18.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第一结构还包括远离所述显示区的第三侧壁，所述第三侧壁与所述第一侧壁相对设置；所述第三侧壁包括靠近所述基底的第三底边、远离所述基底的第三顶边、以及位于所述第三顶边与所述第三底边之间且相对设置的两个第三侧边；
所述第二结构还包括远离所述显示区的第四侧壁，所述第四侧壁与所述第二侧壁相对设置；所述第四侧壁包括靠近所述基底的第四底边、远离所述基底的第四顶边、以及位于所述第四顶边与所述第四底边之间且相对设置的两个第四侧边。
19.根据权利要求18所述的显示面板，其特征在于，
所述第三顶边比所述第三底边更远离所述显示区；
所述第四顶边比所述第四底边更远离所述显示区。
20.根据权利要求18所述的显示面板，其特征在于，
所述第三侧壁与平行于所述基底且经过所述第三底边的第三参考面之间的两个夹角中，远离所述显示区的夹角为第三夹角θ3，所述第三夹角θ3的取值范围为：70°≤θ3≤90°。
21.根据权利要求20所述的显示面板，其特征在于，所述第三夹角θ3的取值范围为：75°≤θ3≤85°。
22.根据权利要求18所述显示面板，其特征在于，
所述第四侧壁与平行于所述基底且经过所述第四底边的第四参考面之间的两个夹角中，远离所述显示区的夹角为第四夹角θ4，所述第四夹角θ4的取值范围为：70°≤θ4≤90°。
23.根据权利要求22所述的显示面板，其特征在于，所述第四夹角θ4的取值范围为：75°≤θ4≤85°。
24.根据权利要求18所述的显示面板，其特征在于，
所述第二侧壁与平行于所述基底且经过所述第二底边的第二参考面之间的两个夹角中，靠近所述显示区的夹角为第二夹角θ2；所述第四侧壁与平行于所述基底且经过所述第四底边的第四参考面之间的两个夹角中，远离所述显示区的夹角为第四夹角θ4；θ4＜θ2。
25.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一结构为第一槽，所述第一槽在垂直于所述基底且平行于第一方向的平面内的横截面形状呈矩形或倒梯形；
所述第二结构为第二槽，所述第二槽在垂直于所述基底且平行于第一方向的平面内的横截面形状呈矩形或倒梯形；
其中，所述第一方向为由所述第一周边区指向所述第二周边区的方向。
26.根据权利要求25所述的显示面板，其特征在于，
所述第一槽在垂直于所述基底且平行于所述第一方向的平面内的横截面形状和所述第二槽在垂直于所述基底且平行于所述第一方向的平面内的横截面形状均呈倒立的等腰梯形。
27.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
位于所述多层第二无机层远离所述基底一侧的平坦层，所述平坦层覆盖所述第一结构和所述第二结构；
位于所述平坦层远离所述基底一侧的至少一条信号线，所述信号线从所述第一周边区经所述弯折区延伸至所述第二周边区。
28.根据权利要求27所述的显示面板，其特征在于，
所述平坦层的位于所述弯折区且远离所述基底的表面上具有缓冲结构。
29.根据权利要求28所述的显示面板，其特征在于，
所述缓冲结构包括多个缓冲槽，多个缓冲槽沿由所述第一周边区指向所述第二周边区的方向依次间隔设置，以形成波浪状结构。
30.根据权利要求27所述的显示面板，其特征在于，
所述信号线上具有多个开孔。
31.根据权利要求30所述的显示面板，其特征在于，
所述多个开孔在由所述第一周边区指向所述第二周边区的方向上呈中间密、两边疏的状态。
32.根据权利要求27所述的显示面板，其特征在于，
所述信号线的层数为多层，相邻两层信号线之间具有绝缘层，且相邻两层信号线之间通过所述绝缘层上的多个过孔连接。
33.根据权利要求32所述的显示面板，其特征在于，
连接相邻两层所述信号线的多个过孔，在由所述第一周边区指向所述第二周边区的方向上呈中间密、两边疏的状态。
34.根据权利要求1所述显示面板，其特征在于，
所述至少一层第一无机层包括依次远离所述基底的阻挡层和/或第一缓冲层。
35.根据权利要求1所述显示面板，其特征在于，
所述多层第二无机层包括：依次远离所述基底的第一栅绝缘层、第二缓冲层、第二栅绝缘层、第二层间绝缘层、以及钝化层。
36.根据权利要求1所述显示面板，其特征在于，
所述多层第二无机层包括：依次远离所述基底的第一栅绝缘层、第一层间绝缘层、第二缓冲层、第二栅绝缘层以及第二层间绝缘层。
37.一种显示装置，其特征在于，包括：
如权利要求1~36中任一项所述的显示面板；和，
保护层，位于所述显示面板的显示侧，且至少覆盖所述弯折区。
38.根据权利要求37所述的显示装置，其特征在于，还包括：
背膜，位于所述显示面板中与所述显示侧相对的非显示侧；所述背膜中位于所述弯折区的至少部分区域被去除，形成靠近所述显示区的第一断面和远离所述显示区的第二断面；
所述保护层在平行于所述基底的参考面上的正投影与所述第一断面在所述参考面上的正投影、所述第二断面在所述参考面上的正投影分别相交叠。
39.根据权利要求37所述的显示装置，其特征在于，还包括：
偏光片，位于所述显示面板的显示侧；
其中，所述保护层覆盖所述偏光片的至少部分边缘。
40.根据权利要求37~39中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述保护层沿第一方向的两个边缘区域中的至少一个边缘区域具有斜坡结构；所述第一方向为由所述第一周边区指向所述第二周边区的方向。
41.一种显示装置，其特征在于，包括：
如权利要求1~36中任一项所述的显示面板；和，
盖板组件，位于所述显示面板的显示侧；所述盖板组件包括超薄玻璃以及与所述超薄玻璃层叠设置的至少一层有机层。
42.根据权利要求41所述的显示装置，其特征在于，所述盖板组件还包括：与所述超薄玻璃层叠设置的偏光片。
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