CN117334127A - 显示装置与可挠式装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示装置，其包括显示层与设置于显示层上的触控层。显示层包括第一层与第二层，其中第一层包括多个第一图案，且多个第一图案具有第一间距。第二层重叠于第一层且包括多个第二图案，多个第二图案具有第二间距，其中多个第二图案包括第一导线。第一间距对第二间距的比值大于或等于2且小于或等于200。多个第一图案的其中一个具有一第一宽度，多个第二图案的其中一个具有一第二宽度，第一宽度及第二宽度分别为所述其中一个第一图案及所述其中一个第二图案的线宽，且第一宽度对第一间距的比值小于第二宽度对第二间距的比值。
Description
本申请是申请日为2019年12月18日、申请号为201911310275.4、发明名称为“可挠式显示装置”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明是关于一种可挠式显示装置，特别涉及一种具有弯折辅助的可挠式显示装置。
背景技术
近年来，电子装置或可变形电子装置已成为新时代电子科技的焦点之一，因此能够结合在电子装置中的可挠式显示装置的需求也相应提高。电子装置指的是该装置可被弯曲(curve)、弯折(fold)、拉伸(stretch)、挠曲(flex)、卷曲(roll)或以其他方式变形。由于消费者对于可挠式电子装置的要求越来越高，因此如何发展出具有较高可靠度的电子装置对于制造商来说是重要的议题之一。
发明内容
本发明提供了一种电子装置，其可以包括具有弯折辅助的可挠式显示装置，以辅助可挠式显示装置的挠曲效果。于一实施例中，可在可挠式显示装置中经由不同膜层中的图案的相对间距设计，提高可挠式显示装置的挠曲稳定度。
本发明的一实施例提供了一种显示装置，其包括一显示层与设置于显示层上的一触控层。显示层包括一第一层与一第二层，其中第一层包括多个第一图案，且多个第一图案具有第一间距。第二层重叠于第一层且包括多个第二图案，多个第二图案具有第二间距，其中多个第二图案包括第一导线。第一间距对第二间距的比值大于或等于2且小于或等于200。多个第一图案的其中一个具有一第一宽度，多个第二图案的其中一个具有一第二宽度，第一宽度及第二宽度分别为所述其中一个第一图案及所述其中一个第二图案的线宽，且第一宽度对第一间距的比值小于第二宽度对第二间距的比值。
本发明的一实施例提供了一种可挠式装置，其包括一可挠式基板、一第一层、一第二层以及一第三层。可挠式基板具有一挠曲轴，可挠式基板能以挠曲轴为轴心而卷曲。第一层设置于所述可挠式基板上，包括多个第一图案，且多个第一图案具有一第一间距。第二层设置于所述可挠式基板上，重叠于第一层且包括多个第二图案，多个第二图案具有一第二间距。第三层在第一层与可挠性基板之间，其中第三层重叠第一层且包括多个第三图案。第一间距对第二间距的比值大于或等于2且小于或等于200。多个第一图案的其中一个具有一第一宽度，多个第二图案的其中一个具有一第二宽度，第一宽度及第二宽度分别为所述其中一个第一图案及所述其中一个第二图案的线宽，且第一宽度对第一间距的比值小于第二宽度对第二间距的比值。
本发明的一实施例提供了一种可挠式显示装置，其包括一第一层与重叠于第一层的一第二层。第一层包括多个第一图案，且多个第一图案具有一第一间距。第二层包括多个第二图案，且多个第二图案具有一第二间距。其中，第一间距对第二间距的比值大于或等于2且小于或等于200。
附图说明
图1为本发明电子装置的两材料层的相互关系示意图。
图2为本发明电子装置的两材料层的另一实施例的相互关系示意图。
图3为本发明电子装置的第一实施例的部分元件的俯视示意图。
图4为本发明电子装置的第一实施例的变化形的局部外观示意图。
图5为本发明电子装置的第一实施例的局部俯视示意图。
图6为本发明电子装置的第一实施例的局部剖面示意图。
图7为本发明电子装置的第二实施例的局部剖面示意图。
图8为本发明电子装置的第三实施例的局部剖面示意图。
图9为本发明电子装置的第四实施例的局部剖面示意图。
图10为本发明电子装置的第五实施例的局部剖面示意图。
图11为本发明电子装置的辅助图案的不同实例的局部俯视示意图。
图12为本发明电子装置的辅助层的第一变化实施例的局部剖面示意图。
图13为本发明电子装置的辅助层的第二变化实施例的局部剖面示意图。
图14为本发明电子装置的辅助层的第三变化实施例的局部剖面示意图。
图15为本发明电子装置的又一实施例的辅助层的俯视示意图。
附图标记说明：100-可挠式显示装置；102-可挠式基板；102'-基板；1021-上表面；1022-下表面；102E-边缘；104-发光层；106-发光单元；106a-第一电极；106b-显示介质层；106c-第二电极；108-导线图案；110-显示区；112-电路层；114-显示层；116-导电层；116a、116a'、116b-触控元件；120-触控层；122-黏胶层；124-支撑膜；126-偏光层；128-覆盖层；132-驱动元件；132C-半导体层；132D-汲极；132G-闸极；132I、136-介电层；132S-源极；134、130、146-绝缘层；142、144-封装层；148-缓冲层；AR-箭头；BSa-表面；BSb-凹穴；BSL-辅助层；BSP-辅助图案；BSP1-第一次辅助层；BSP2-第二次辅助层；BSP3-第三次辅助层；CLL-材料层；Ds-线距；Dy、Dz、Dx-方向；E1-边缘距离；ED-电子装置；FX-挠曲轴；Hp-总厚度；Hp1、Hp2、TH1、TH2、TH3-厚度；LP1-第一图案；LP2-第二图案；LR1-第一层；LR2-第二层；P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8、P9-部分；Ps、Pc、Ptx、Pty-间距；Pt1-第一间距；Pt2-第二间距；Ws、Wp、Wc-线宽。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了图式的简洁，本发明中的多张图式只绘出电子装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。
在下文说明书与权利要求书中，“含有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。
应了解到，当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层“上”或“连接到”另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接到”另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。
虽然术语第一、第二、第三…可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，将数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
请参考图1，图1为本发明电子装置的两材料层的相互关系示意图。如图1所示，本发明电子装置ED为可挠式电子装置，此处的“可挠式”是指电子装置ED可以弯曲(curved)、弯折(bent)、折叠(folded)、卷曲(rolled)、挠曲(flexible)、拉伸(Stretch)及/或其他类似的变形，以下以“挠曲”表示上述的变形。电子装置ED可包括显示装置、天线装置、感测装置或拼接装置，但不以此为限。电子装置ED可例如包括液晶(liquid crystal)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、发光二极管、其它合适的显示介质、或前述的组合，但不以此为限；发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)、纳米线发光二极管(nano wire LED)、棒状发光二极管(bar type LED)、量子点发光二极管(quantum dot，QD，可例如为QLED、QDLED)或其他适合的材料且其材料可任意排列组合，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。下文将以显示装置作为电子装置以说明本发明内容，亦即下文中的电子装置ED以具有显示功能且包含可挠式显示装置100为例，其可具有显示元件，但本发明不以此为限。可挠式显示装置100包括第一层LR1与第二层LR2，在垂直方向Dz上，第二层LR2重叠于第一层LR1，亦即第二层LR2的至少一部分与第一层LR1重叠。在图1的结构中，在沿着方向Dz的方向上，第一层LR1位于第二层LR2之上，举例而言，当可挠式显示装置100包括可挠式基板102且第一层LR1与第二层LR2都位于可挠式基板102上时，第二层LR2位于第一层LR1与可挠式基板102之间。但在变化实施例中，第一层LR1也可以位于第二层LR2之下。第一层LR1包括多个第一图案LP1沿着方向Dy延伸且沿着方向Dx并排，各第一图案LP1具有一第一间距Pt1与第一宽度(即第一图案LP1的线宽)，第二层LR2包括多个第二图案LP2，且第二图案LP2具有第二间距Pt2与第二宽度(即第二图案LP2的线宽)，其中第一间距Pt1大于第二间距Pt2，且第一间距Pt1对第二间距Pt2的比值大于或等于2且小于或等于200。在此范围下，可以降低第一层LR1与第二层LR2之间的光学纹波干扰，提供较好的显示效果。在一些实施例中，第一间距Pt1的范围例如为大于40微米且小于或等于4000微米，但不以此为限。在某些实施例中，第一层LR1可当作辅助层BSL使用，本案中的“辅助层”是指有助于使可挠式显示装置100可以朝着垂直于辅助层BSL的图案(称做辅助图案，或例如为第一图案LP1)的延伸方向(例如方向Dy)的方向挠曲或弯折。第二图案LP2可为显示层或触控层中的任何导线，例如(但不限于)扫描线或数据线，或者也可以为电源供应线、共享电压线、数据线、扫描线、信号参考线及触控信号线的其中任一个。在某些实施例中，多个第一图案LP1的其中一个具有第一宽度(或称第一线宽)，多个第二图案LP2的其中一个具有第二宽度(或称第二线宽)，且第一宽度对第一间距Pt1的比值小于第二宽度对第二间距Pt2的比值。举例而言，第二宽度对第二间距Pt2的比值可大于或等于0.02且小于或等于0.2。
请参考图2，图2为本发明电子装置的两材料层的另一实施例的相互关系示意图。根据本发明，位于上层的材料层的图案间距也可以小于位于下层的材料层的图案间距。在图2所示结构中，第二层LR2位于第一层LR1之上，亦即上层材料层的间距(第二间距Pt2)小于下层材料层的间距(第一间距Pt1)，然而，第一间距Pt1对第二间距Pt2的比值仍大于或等于2且小于或等于200。第二间距Pt2的范围可为0.1到40微米，例如为0.1到10微米，第一间距Pt1的范围为10微米到20微米，例如为20微米，但不以此为限。在某些实施例中，第二层LR2可当作辅助层BSL使用，有助于可挠式显示装置100朝着垂直于辅助层BSL的图案(称做辅助图案，或例如为第二图案LP2)的延伸方向(例如方向Dy)的方向挠曲或弯折，在一些实施例中，第二层LR2可以作为光栅元件。光栅元件例如可提供偏光、准直及/或防窥等功能，但不以此为限。在一些实施例中，光栅元件可例如为栅格偏光元件(wire grid polarizer，WGP)。第一图案LP1可为显示层或触控层中的任何导线，例如(但不限于)扫描线或数据线，或者也可以为电源供应线、共享电压线、数据线、扫描线、信号参考线及触控信号线的其中任一个。在某些实施例中，多个第一图案LP1的其中一个具有第一宽度，多个第二图案LP2的其中一个具有第二宽度，且第一宽度对第一间距Pt1的比值小于第二宽度对第二间距Pt2的比值。举例而言，第二宽度对第二间距Pt2的比值可大于或等于0.3且小于或等于3，例如大于或等于0.3且小于或等于0.8，第一宽度对第一间距Pt1的比值可大于或等于0.02且小于或等于0.2。在此范围下，可以使第二层LR2当作辅助层BSL的效果更为显著，也可以降低第一层LR1与第二层LR2之间的光学纹波干扰，提供较好的显示效果。
以下将以不同实施例介绍辅助层BSL和辅助图案BSP在电子装置或可挠式显示装置中的应用、结构与材料。
请参考图3到图6，图3为本发明电子装置的第一实施例的部分元件的俯视示意图，图4为本发明电子装置的第一实施例的变化形的局部外观示意图，图5为本发明电子装置的第一实施例的局部俯视示意图，图6为本发明电子装置的第一实施例的局部剖面示意图。如图3所示，可挠式显示装置100可具有可挠式基板102与辅助层BSL。辅助层BSL可设置在可挠式基板102一表面并可包含多个辅助图案BSP，可挠式基板102具有至少一挠曲轴FX，大致平行于辅助图案BSP的延伸方向(例如方向Dy)，可挠式基板102的一部分至少可以朝着垂直于方向Dy的一方向(例如方向Dz)弯折或卷曲，例如沿着箭头AR的方向弯曲。或者，可挠式基板102的一部分例如可以以挠曲轴FX为轴心而卷曲，但可挠式基板102的变形与挠曲方式不以上述为限。请参考图4，在本发明的第一实施例的变化形中，可挠式基板102的一部分至少可以沿一方向弯折，弯折的部分可以定义出一挠曲轴FX。
请再参考图3与图5，可挠式基板102可为透明或不透明，其材料可包括聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚碳酸(polycarbonate，PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，PET)等聚合物材料及/或黏着材料，但不以此为限，可挠式基板102也可包括薄玻璃或任何适合的材料。辅助层BSL可提供可挠式基板102较适合的支撑性而不影响可挠式基板102的可挠性。进一步而言，辅助层BSL的辅助图案BSP可提供可挠式显示装置100类似支架的功能，其功用是可以协助调整可挠式基板102的弯折方向或挠曲方向，使得可挠式基板102能朝预定方向弯折，降低非弯折方向上的应力以减少显示异常问题。辅助图案BSP可由任何适合整合进可挠式显示装置100的材料所构成，例如使用能配合可挠式显示装置100中的发光层、电路层、接合层、遮光层、光调整层、触控层、绝缘层及保护层等制程的材料。举例而言，辅助层BSL的材料可包括但不限于金属(例如铜、铝)、黑色矩阵(blackmatrix，BM)材料或有机聚合物材料。辅助图案BSP可由压印、镀膜或其他适合的方式所制作。
在图3(或图4)所示的辅助层BSL中，辅助图案BSP大致均匀分布在可挠式基板102表面并沿着方向Dx并排，其中方向Dx与挠曲轴Fx的延伸方向(亦即方向Dy)相交，例如两者互相垂直。在方向Dx上，相邻辅助图案BSP之间可具有相同的线距Ds，各辅助图案BSP可具有相同的线宽Ws，间距Ps为线距Ds与线宽Ws的总和。间距Ps的定义可以为一辅助图案BSP的中心到相邻的另一辅助图案BSP的中心，或者可以为一辅助图案BSP的一侧边缘到相邻的另一辅助图案BSP的同侧边缘。需注意的是，本发明的辅助图案BSP的设计并不以图3与图4所示者为限，一层辅助层BSL中的多个辅助图案BSP可具有不同的图案、不同的线宽Ws且/或线距Ds，辅助图案BSP也可不以均匀方式分布在可挠式基板102上，例如(但不限于)可挠式基板102上某一区(例如但不限于较远离挠曲轴FX的区域)的辅助图案BSP可以分布较密集，而可挠式基板102上的另一区(例如但不限于较接近挠曲轴FX的区域)的辅助图案BSP的分布可以较疏松。当辅助图案BSP的分布不均匀时，辅助图案BSP的间距Ps可以由辅助层BSL中所有辅助图案BSP的间距Ps取平均值后得到，亦或由五个辅助图案BSP的间距Ps取平均值后得到，但不限于此。此外，根据本发明，辅助层BSL的分布区域可以由各辅助图案BSP的最外侧边缘连接而定义。
请参考图5，可挠式显示装置100还可包括另一材料层CLL设置在可挠式基板102上。材料层CLL可设置在辅助层BSL之上(亦即辅助层BSL位于材料层CLL与可挠式基板102之间)，或是辅助层BSL可设置在材料层CLL之上(亦即材料层CLL位于辅助层BSL与可挠式基板102之间)。换言之，本发明不限定材料层CLL与辅助层BSL在可挠式基板102表面或是方向DZ上的相对位置。图5以将材料层CLL绘示于辅助层BSL之上作为例子，但本发明并不限于图5所示者。材料层CLL可包含多条导线图案108大致沿着方向Dy延伸，并具有间距Pc，其中导线图案108的间距Pc的定义方式可类似辅助图案BSP的间距Ps，不再赘述。在图5所示结构中，间距Pc不同于间距Ps，且间距Ps对间距Pc的比值大于或等于2且小于或等于200，此设计可以兼顾可挠性及支撑性，且降低光学纹波干扰，提供较好的显示效果。详细而言，材料层CLL可包含于显示层114(示于图6)中，而导线图案108可用来作为显示层114中的多条导线，例如用来传递信号或提供电压。显示层114还可包括由多个发光单元106所构成的发光层104，且各发光单元106的对应区域可视为一子像素，以定义出可挠式显示装置100的显示区110。根据本发明，辅助层BSL的分布区域(或称分布面积)可大于显示区110的面积。如图5所示，在方向Dx上，可挠式基板102大致平行于挠曲轴FX的一边缘102E与最靠近边缘102E的辅助图案BSP的外侧边之间的最小距离定义为边缘距离E1，发光层104或显示区110与边缘102E的最小距离定义为边缘距离E2，且边缘距离E2大于边缘距离E1。换言之，在方向Dx上，最外侧的辅助图案BSP会比显示区110更靠近边缘102E，例如在垂直于可挠式基板102的表面方向(例如方向Dz)上，至少一部分的辅助图案BSP可位于显示区110之外，亦或至少一部分的辅助层BSL不与显示区110或发光层104重叠。
请参考图6，可挠式基板102的下侧可另外包含黏胶层122与支撑膜124，其中可挠式基板102可经由黏胶层122而贴附于支撑膜124表面，使得可挠式基板102、黏胶层122与支撑膜124构成一基板结构。在某些实施例中，可挠式基板102与支撑膜124可分别包含例如聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚酰亚胺(polyimide，PI)或聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)等材料，但不以此为限。在可挠式基板102上可设有显示层114，显示层114可包含电路层112与发光层104。电路层112可包含导线、驱动元件、开关元件、重置元件、补偿元件、操作控制元件及电容等电子元件，用以驱动发光层104发光，例如电路层112包括设置成数组的多个驱动元件132，图6中的驱动元件132是以薄膜晶体管表示，但不以此为限。发光层104包含多个发光单元106，每个驱动元件132可分别电性连接到一个对应的发光单元106以驱动所对应的发光单元106。图6示出了在可挠式基板102的表面的垂直方向(方向Dz)上，驱动元件132可与对应的发光单元106至少部分重叠，但不以此为限。
发光单元106可包含任何种类的显示介质或发光元件(element)，例如有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)、微型发光二极管(micro light-emittingdiode，micro-LED)、次毫米发光二极管(mini-LED)、量子点发光二极管(quantum dot LED，QLED)、纳米线发光二极管(nano wire LED)或棒状发光二极管(bar type LED)，但不以此为限。举例来说，发光单元106包括第一电极106a、第二电极106c以及设置在第一电极106a与第二电极106c之间的显示介质层106b。例如第一电极106a可为发光单元106的阳极而第二电极106c可为发光单元106的阴极，但不以此为限。每个发光单元106的发光区可经由作为像素定义层(pixel defining layer，PDL)的绝缘层134所定义。显示介质层106b可包含一层或多层发光(emissive)材料，且发光材料可为有机或无机材料。不同发光单元106可发出不同颜色的光，例如红色、绿色及蓝色。举例来说，不同发光单元106的显示介质层106b可以不同材料制成以发出红光、绿光以及蓝光。在一些实施例中，不同发光单元106的显示介质层106b可以相同材料制成以发出相同的光。第一电极106a以及第二电极106c可包含金属或透明导电材料，但不以此为限。电极的金属材料可例如包括镁、钙、铝、银、钨、铜、镍、铬或前述的排列组合或上述材料的一种或多种的合金，但不以此为限。透明导电材料可例如包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌或氧化铟或前述的排列组合，但不以此为限。此外，发光单元106的表面可覆盖一绝缘层140作为保护层。在一些实施例中，显示介质层106b可例如为液晶材料，在另一些实施例中，可挠式显示装置100更可以包含彩色滤光层(图未绘示)与黑色矩阵(图未绘示)设置于发光单元106上，但不限于此。
在本实施例中，驱动元件132可为顶闸极式(top-gate type)的薄膜晶体管(thinfilm transistor，TFT)，但不以此为限。在其他实施例中可采用底闸极式薄膜晶体管或是其他适合的电子元件，并且，在可挠式显示装置100中，薄膜晶体管结构可不局限于只有一种。驱动元件132可包含半导体层132C、介电层132I、闸极132G、介电层136、汲极132D以及源极132S。半导体层132C可由半导体材料形成，例如硅或金属氧化物，但不以此为限。举例来说，半导体层132C可为非晶硅层、多晶硅层或氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，IGZO)层。再者，在一驱动元件132中，半导体层132C包括源极接点、汲极接点与设置在源极接点与汲极接点之间的通道。源极132S经由介电层136和介电层132I的介层洞以电性连接到对应的源极接点。汲极132D经由另一个介电层138的介层洞以电性连接到对应的汲极接点。闸极132G经由驱动元件132中作为闸极绝缘层的介电层132I而与半导体层132C相隔离。闸极132G、源极132S与汲极132D可由导电材料(例如金属)所形成，但不以此为限。适合形成闸极132G、源极132S以及汲极132D的材料可参考上述形成第一电极106a和第二电极106c的材料。在本发明中，一个驱动元件132可经由汲极132D而电性连接到对应的发光单元106以驱动该发光单元106。详细来说，汲极132D可直接连接到发光单元106的第一电极106a。此外，介电层138可设置在发光单元106的第一电极106a与形成源极电极132S与汲极电极132D的导电层之间。
再者，缓冲层148可设置在可挠式基板102与显示层114之间。缓冲层148例如可包含氧化层、氮化层或其他适合的绝缘层，但不以此为限。再者，封装层142可设置于显示层114上。封装层142可为显示层114提供保护、封装和/或平坦化的功能且可包含有机材料、无机材料、前述的排列组合或其混合物，但不以此为限。举例来说封装层142可为多层结构，包含无机层、有机层、无机层。在一些实施例中，封装层142可以被另一可挠性基板(图未绘示)取代，在此可挠性基板上可以设有彩色滤光层或黑色矩阵，但不限于此。另一方面，可挠式显示装置100还可具有触控功能，例如选择性的包括触控层120，触控层120中的导电层116可以用来形成触控元件116a及/或触控信号线，导电层116之上可覆盖绝缘层118。在方向Dz上，触控元件116a及触控信号线可避开发光单元106的发光区或是至少部分不与发光单元106重叠，但不限于此。此外，在触控层120之上可选择性的设有偏光层126，偏光层126例如包括有机材料，偏光层126上另可选择性的设有透明覆盖层128，例如包括玻璃或有机材料，但本发明不以上述为限。
在图6中，辅助层BSL位于显示层114与触控层120之上而位于偏光层126之下，也就是辅助层BSL位于触控层120与偏光层126之间，辅助层BSL上可设有具平坦层功能的绝缘层130。在方向Dz上，各辅助图案BSP可对应重叠于一触控元件116a，并对应PDL绝缘层134重叠而曝露出发光单元106，以增加开口率。辅助图案BSP的分布密度可小于触控元件116a，但本发明不以此为限，例如在某些实施例中，各触控元件116a可分别对应一辅助图案BSP。此外，在图6所示结构中，用来形成闸极132G的导电层可视为图5所提到的材料层CLL，且材料层CLL所包括的导线图案108(示于图5)例如作为显示层114的扫描线，但不以此为限，在其他实施例中，导线图案108也可以是电源供应线、共享电压线、数据线、信号参考线、触控信号线的其中一个。本实施态样中的辅助层BSL可对应于图1中的第一层LR1，辅助图案BSP可对应于图1中的第一图案LP1，间距Ps可对应于图1中的第一间距Pt1，材料层CLL可对应于图1中的第二层LR2，导线图案108可对应于图1中的第二图案LP2，间距Pc可对应于图1中的第二间距Pt2，且第一间距Pt1对第二间距Pt2的比值大于或等于2且小于或等于200，此设计可以兼顾可挠性及支撑性，且降低光学纹波干扰，提供较好的显示效果。再者，第一图案的其中一个所具有的第一宽度为线宽Ws，第二图案的其中一个所具有的线宽Wc定义为第二宽度，且第一宽度(即线宽Ws)对第一间距(即间距Ps)的比值小于第二宽度(即线宽Wc)对第二间距(即间距Pc)的比值。在某些实施例中，第二宽度对第二间距的比值为大于或等于0.02且小于或等于0.2，但不以此为限。由上述可知，本实施例中的第一层位于第二层之上，亦即第二层位于可挠式基板与第一层之间。举例而言，第一间距Ps的范围为40微米(micrometer)到4000微米，第二间距Pc可为1～20微米。
须注意的是，本发明的可挠式显示装置100的结构并不以上述为限，辅助层BSL可以设置在剖面结构的其他适合位置中。
下文中将描述本发明更多的实施例或变化实施例。为了简化说明，下述实施例中相同的膜层或元件会使用相同的标注，且其特征不再赘述，而各实施例之间的差异将会于下文中详细描述。
请参考图7，图7为本发明电子装置的第二实施例的局部剖面示意图。在某些实施例中，辅助层BSL的辅助图案BSP设置在偏光层126与显示层114上。并且，在图7所示结构中，触控层120可不包括绝缘层118，构成触控元件116a的导电层116直接设置在封装层142上。可挠式显示装置100还包括另一封装层144直接覆盖接触触控元件116a，且封装层144位于辅助层BSL与触控元件116a之间。封装层144举例(但不限于)为具有较大厚度的有机材料层，可使得辅助层BSL与触控层120之间于方向Dz上具有较大的距离，当辅助层BSL包括金属材料时，此设计可降低辅助层BSL对于触控元件116a感应信号或触控信号线传递信号的影响。图7中的辅助图案BSP的分布密度较图6大，间距Ps较小，例如一个辅助图案BSP可对应一个触控元件116a或触控导线，但本发明不以此为限。举例而言，辅助层BSL、辅助图案BSP与间距Ps可对应于图1或图2中的第一层、第一图案与第一间距，而可挠式显示装置100中的任一种大致平行于辅助图案BSP的导线可以被视为图1或图2中的第二图案，形成该些导线的材料层与该些导线的间距可以对应图1或图2中的第二层与第二间距，其中第一间距不同于第二间距，且第一间距对第二间距的比值大于或等于2且小于或等于200。在另一例子中，辅助层BSL、辅助图案BSP与间距Ps对应于图1或图2中的第二层、第二图案与第二间距，而可挠式显示装置100中的任一种大致平行于辅助图案BSP的导线可以被视为图1或图2中的第一图案，形成该些导线的材料层与该些导线的间距可以视为图1或图2中的第一层与第一间距，其中第一间距不同于第二间距，且第一间距对第二间距的比值大于或等于2且小于或等于200。举例而言，当辅助图案BSP的间距Ps对于形成该些导线的材料层所构成的导线间距的比值为大于或等于2且小于或等于200时，可将辅助层BSL视为图1或图2的第一层，该材料层视为第二层；另一方面，若形成该些导线的材料层所构成的导线间距对间距Ps的比值为大于或等于2且小于或等于200时，可将辅助层BSL视为图1或图2的第二层，该材料层视为第一层。在满足上述条件下，辅助层BSL可以提供如前述的支撑功能，有助于可挠式显示装置100在使用时朝预定的方向被挠曲，降低其他方向在弯折时所产生的应力影响。辅助图案BSP若具有较小间距Ps和较大的线宽Ws，可以提供良好的支撑效果，但若间距Ps过小而线宽Ws过大，则可能会使可挠式显示装置100整体的可挠性降低，因此本发明设计使辅助图案BSP的间距需满足以上设计，以提供所期望的可挠性及支撑效果。
请参考图8，图8为本发明电子装置的第三实施例的局部剖面示意图。在某些实施例中，辅助层BSL的辅助图案BSP设置在可挠式基板102的上表面1021上，亦即辅助层BSL位于可挠式基板102与显示层114之间。再者，偏光层126可直接接触触控层120，例如设置在触控层120中的绝缘层118的上表面上。辅助层BSL、辅助图案BSP与间距Ps可对应图1或图2中的第一层、第一图案与第一间距或是第二层、第二图案与第二间距，而可挠式显示装置100中用来构成导线的某一材料层CLL可相对视为图1或图2中的另一者(视为第二层或第一层)，此时材料层CLL所构成的该些导线与其间距可相对辅助图案BSP与间距Ps而被视为图1或图2中的另一者(视为第二图案与第二间距或视为第一图案与第一间距)，在图8中，是以构成资料线的导电层当作材料层CLL，其中该导电层同时构成源极132S与汲极132D，但本发明不以此为限。在图8所示实施例中，同样设计第一间距对第二间距的比值大于或等于2且小于或等于200。举例而言，于此实施例中，当材料层CLL所构成的导线间距对间距Ps的比值为大于或等于2且小于或等于200时，可将辅助层BSL视为图1或图2的第二层，材料层视为第一层。在另一些实施例中，辅助图案BSP的间距Ps可大于材料层CLL所构成的导线的间距，即辅助图案BSP的间距Ps对材料层CLL所构成的导线的间距的比值为大于或等于2且小于或等于200时，可将辅助层BSL视为图1或图2中的第一层，材料层CLL视为第二层。
请参考图9，图9为本发明电子装置的第四实施例的局部剖面示意图。图9所示结构与图8的主要差别在于辅助层BSL与辅助图案BSP位于可挠式基板102的下侧，形成在可挠式基板102的下表面1022，黏胶层122可直接覆盖在辅助图案BSP上。换言之，辅助层BSL位于可挠式基板102与黏胶层122之间。在此设计下，辅助层BSL与辅助图案BSP及其间距可对应图1或图2中的第一层、第一图案与第一间距或是对应图1或图2中的第二层、第二图案与第二间距，而另一材料层的选用可参考图8与图7的叙述，不再赘述。
请参考图10，图10为本发明电子装置的第五实施例的局部剖面示意图。在图10所示结构中，辅助层BSL可用来作为光栅元件。在图10中，辅助层BSL是以作为栅格偏光元件(wire grid polarizer，WGP)为例，可取代前述实施例中的偏光层126。辅助层BSL设置在显示层114与触控层120之上，其材料举例包括钼(molybdenum，Mo)、钛(titanium，Ti)、钽(tantalum，Ta)、铌(niobium，Nb)、铪(hafnium，Hf)、镍(nickel，Ni)、铬(chromium，Cr)、钴(cobalt，Co)、锆(zirconium，Zr)、钨(tungsten，W)、铝(aluminum，Al)，铜(copper，Cu)等或上述材料的合金或组合，但不以此为限。封装层142、144与辅助层BSL之间可设有绝缘层146，其中绝缘层146也可以为四分之一波长相位延迟片，但不以为限。在此实施例中，辅助图案BSP具有较小的间距Ps，例如小于数据线的间距，且辅助层BSL、辅助图案BSP与间距Ps可视为图2中的第二层、第二图案与第二间距，而可挠式显装置100中的另一材料层CLL可视为图2中的第一层，例如用来形成数据线(未标示)的导电层当作第一层，数据线当作第一图案，数据线的间距当作第一间距。在本实施例中，第一间距大于第二间距，且第一间距对第二间距的比值大于或等于2且小于或等于200。在此实施例中，第二层是设置在所述第一层上，第一图案的线宽视为第一宽度(例如数据线的线宽)，第一宽度对于第一间距的比值可小于第二宽度(线宽Ws)对第二间距(间距Ps)的比值。举例而言，第一宽度对于第一间距的比值大于或等于0.02且小于等于0.2，第二宽度对第二间距的比值大于或等于0.3且小于或等于3，例如第二宽度对第二间距的比值的范围为0.3到0.8，但本发明不以此为限。在本发明的一实例中，线宽Ws可例如为150纳米(nm)，间距Ps可例如为300纳米，则第二宽度对第二间距的比值为0.5；在本发明的另一实例中，线宽Ws可例如为80纳米，间距Ps可例如为200纳米，则第二宽度对第二间距的比值为0.4。
请参考图11，图11为本发明电子装置的辅助图案的不同实例的局部俯视示意图。根据本发明，辅助图案BSP虽然沿着一方向延伸(如图1中的方向Dy)，但其实际图案可具有不同的设计，例如可具有不光滑的侧边或具有凹凸状边缘。在实例(I)中，辅助图案BSP可具有直线状图形，具有大体上平滑的两侧边。在实例(II)中，辅助图案BSP可由多个部分所构成，例如具有接近矩形或方形的部分P1、具有麻花形状的部分P2及具有长条状或长矩形形状的部分P3，此三部分穿插设置，例如一个部分P2设置在两个部分P1之间，两个部分P1设置在两个部分P3之间。在实例(III)中，辅助图案BSP可由多个不同形状的部分所构成，例如具有类三角形状的部分P4、P6与接近菱形或倾斜矩形形状的部分P5，其中部分P4的尖角朝右并位于部分P5的右侧，部分P6的尖角朝左并位于部分P5的左侧，且部分P5位于部分P4与部分P6的中间。在实例(IV)中，部分P4的尖角朝右并位于部分P5的左侧，部分P6的尖角朝左并位于部分P5的右侧，且部分P5位于部分P4与部分P6的中间。在实例(V)中，辅助图案BSP可由多个不同形状的部分所构成，例如具饼图案的部分P7、具椭圆形状的部分P8以及具长椭圆形状的部分P9，其中部分P7可位于相邻两个或多个部分P8之间，且部分P8可位于相邻两个或多个部分P9之间。本发明的辅助图案BSP并不限于图8所示者，任合适合的图案设计都可应用于本发明的辅助图案BSP中。需注意的是，本发明辅助图案BSP的间距、宽度与线距可以依需求设计，例如在一电子装置中，辅助图案BSP可以具有相同的间距，但线宽及/或线距不完全相同；在另一实施例中，辅助图案BSP的间距、线宽及/或线距三者可以都不完全相同。
请参考图12，图12为本发明电子装置的辅助层的第一变化实施例的局部剖面示意图，其绘示了辅助层BSL的一个辅助图案BSP的剖面形状，其中辅助图案BSP位于基板102’表面，且图12中的基板102’可表示包括了图1到图10中的可挠式基板102和其表面上的任何其他膜层，例如可选择性的包含了可挠式基板102、电路层112、发光层104、封装层142、封装层144及绝缘层146等，但不以此为限。根据本发明，辅助层BSL可以为复合结构，例如辅助层BSL(或辅助图案BSP)可以为双层结构或多层结构，包含第一次辅助层BSP1与第二次辅助层BSP2依序设置在基板102’表面，其中第一次辅助层BSP1具有厚度TH1，第二次辅助层BSP2具有厚度TH2，厚度TH2可不同于厚度TH1，例如厚度TH2大于厚度TH1。在一些实施例中，辅助层BSL的总厚度Hp对复合结构的最大线宽Wp的比值可大于或等于0.2并小于或等于2。举例来说，第一次辅助层BSP1可选用包含钛或钼等具有较佳附着力的材料，第二次辅助层BSP2可选用包含铝或铜具有较佳导线延展性(wire extension)的材料，但不以此为限。
请参考图13，图13为本发明电子装置的辅助层的第二变化实施例的局部剖面示意图。在图13中，辅助层BSL(或辅助图案BSP)可包括三层结构，例如包括第一次辅助层BSP1、第二次辅助层BSP2及第三次辅助层BSP3依序设置在基板102’上。第二次辅助层BSP2的厚度TH2可大于第一次辅助层BSP1的厚度TH1，及/或第二次辅助层BSP2的厚度TH2可大于第三次辅助层BSP3的厚度TH3。举例来说，第一次辅助层BSP1和第三次辅助层BSP3可选用包含钛或钼等具有较佳附着力的材料，第二次辅助层BSP2可选用包含铝或铜具有较佳导线延展性的材料，但不以此为限。
请参考图14，图14为本发明电子装置的辅助层的第三变化实施例的局部剖面示意图。本变化实施例的结构类似于图13，辅助层BSL(或辅助图案BSP)可包括第一次辅助层BSP1、第二次辅助层BSP2及第三次辅助层BSP3依序设置在基板102’上，但不同处是辅助层BSL可包括具有高低起伏的表面BSa，例如第二次辅助层BSP2的表面可具有凹穴BSb，因此设置在第二次辅助层BSP2上的第三次辅助层BSP3形成了不平整的表面BSa。换言之，辅助层BSL的三层复合结构至少包括厚度Hp1与厚度Hp2等两个厚度，其中最大厚度Hp1对辅助图案BSP的最大线宽Wp的比值可大于或等于0.2且小于或等于2，但本发明不以此为限。在一些实施例中辅助层BSL也可例如为多层结构，且多层结构至少包含两种以上的厚度，但不以此为限。
由上述可知，本发明可挠式显示装置至少包括两个材料层，其中一材料层可设计为辅助层，其包括多个辅助图案沿着一方向延伸(例如方向Dy)，而另一材料层可以选择可挠式显示装置的显示层或触控层中的任一导线材料层，其包括了多个平行辅助图案的多个重复导线，且辅助图案的间距与线宽与该导线材料层的导线的间距与线宽具有特定的关系，上述两材料层可依设计需要分别视为图1或图2中的第一层或第二层，并满足第一间距对第二间距的比值大于或等于2且小于或等于200，此设计可以降低光学纹波干扰，另可使辅助图案能达到提供协助显示装置挠曲的功能，提供较好的显示效果。
请参考图15，图15为本发明电子装置的又一实施例的辅助层的俯视示意图。在图15所示实施例中，辅助层BSL可以整合于触控层120，亦即触控层120中的触控元件116a(以细线表示)、116a’(以粗线表示)或导线可以当作辅助图案BSP。举例来说，触控层120可包括沿着方向Dy延伸的触控元件116a、116a’与沿着方向Dx延伸的触控元件116b，其中触控元件116a、116a’在方向Dx上具有间距Ptx，触控元件116b在方向Dy上具有间距Pty。本发明设计使间距Ptx不同于间距Pty，例如间距Pty大于间距Ptx，又例如(但不限于)间距Pty为间距Ptx的两倍。亦即触控元件116a、116a’的分布密度大于触控元件116b。由于间距Ptx不同于间距Pty，因此当可挠式显示装置100在挠曲时，触控元件116a、116a’与触控元件116b对于可挠式显示装置100朝方向Dy与方向Dx的挠曲影响不相同，例如由于间距Ptx较小，因此有助于可挠式显示装置100以垂直于触控元件116a’的延伸方向(例如方向Dy)弯折，例如朝垂直于方向Dy的方向Dx弯折，弯折的部分可以定义一挠曲轴FX，大致平行于触控元件116a’的延伸方向(例如方向Dy)，可挠式显示装置100可以以挠曲轴FX为轴心而挠曲或弯折。详细而言，具有相同距离的多个触控元件116a的数量以及具有相同距离的多个触控元件116b的数量大致相同，因此两者对于挠曲应力的影响会互相抵销，触控元件116a与触控元件116b都无法提供辅助挠曲的功能，但触控元件116b不会抵销触控元件116a’对挠曲的影响，因此，触控元件116a’可视为辅助图案BSP，其具有间距Ps，而触控层120也可以视为本发明的辅助层BSL。简言之，当由同一道制程所制作的材料层有沿着不同方向延伸的图案时，可以设计使此两方向的图案具有不同间距，例如使平行于挠曲轴FX的图案具有较小的间距或具有较大的平均分布密度，则该图案可提供本发明的辅助图案BSP的功能。换言之，上述原理也可应用在以不同道制程所制作的两层材料层中，使其中一层材料层的平行于挠曲轴FX的图案密度较大，则该层材料层即可作为辅助层BSL。需注意的是，上述虽然将触控层120的线状图案称为触控元件116a、116a’、116b，但在不同实施例中，线状图案也可以是触控层120中的导线，用来电连接触控元件。
根据本发明，包含可挠式显示装置的电子装置可具有辅助层，辅助层可包括多个辅助图案，以有助于使可挠式显示装置朝着预定方向挠曲并降低其他方向的不良应力影响。辅助图案的间距与显示装置中其他大致平行辅助图案的图案(例如扫描线或数据线)的间距有至少大于两倍的差距，两者间距的比值大于或等于2且小于或等于200，此设计可以降低光学纹波干扰，提供较好的显示效果。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
一显示层，包括：
一第一层，包括多个第一图案，且所述多个第一图案具有一第一间距；以及
一第二层，所述第二层重叠于所述第一层且包括多个第二图案，所述多个第二图案具有一第二间距，其中所述多个第二图案包括第一导线；以及
一触控层，设置于所述显示层上；
其中所述第一间距对所述第二间距的比值大于或等于2且小于或等于200；
其中所述多个第一图案的其中一个具有一第一宽度，所述多个第二图案的其中一个具有一第二宽度，所述第一宽度及所述第二宽度分别为所述其中一个第一图案及所述其中一个第二图案的线宽，且所述第一宽度对所述第一间距的比值小于所述第二宽度对所述第二间距的比值。
2.一种可挠式装置，其特征在于，包括：
一可挠式基板，具有一挠曲轴，所述可挠式基板能以所述挠曲轴为轴心而卷曲；
一第一层，设置于所述可挠式基板上，包括多个第一图案，且所述多个第一图案具有一第一间距；
一第二层，设置于所述可挠式基板上，所述第二层重叠于所述第一层且包括多个第二图案，所述多个第二图案具有一第二间距；以及
一第三层，在所述第一层与所述可挠性基板之间，所述第三层重叠所述第一层且包括多个第三图案；
其中所述第一间距对所述第二间距的比值大于或等于2且小于或等于200；
其中所述多个第一图案的其中一个具有一第一宽度，所述多个第二图案的其中一个具有一第二宽度，所述第一宽度及所述第二宽度分别为所述其中一个第一图案及所述其中一个第二图案的线宽，且所述第一宽度对所述第一间距的比值小于所述第二宽度对所述第二间距的比值。
3.根据权利要求2所述的可挠式装置，其特征在于，所述第一间距为所述多个第一图案的其中一个的一侧边缘到相邻的另一个所述第一图案的同侧边缘的距离，所述第二间距为所述多个第二图案的其中一个的一侧边缘到相邻的另一个所述第二图案的同侧边缘的距离。
4.根据权利要求2所述的可挠式装置，其特征在于，所述多个第一图案包括一数据线，所述多个第二图案包括一扫描线。
5.根据权利要求4所述的可挠式装置，其特征在于，所述可挠式装置还包含一半导体层，设置在所述第三层与所述第一层之间。
6.根据权利要求5所述的可挠式装置，其特征在于，所述可挠式装置还包含一缓冲层，设置在所述第三层与所述半导体层之间。
7.根据权利要求4所述的可挠式装置，其特征在于，所述可挠式装置还包含一介电层，设置于所述第一层与所述第二层之间。
8.根据权利要求2所述的可挠式装置，其特征在于，所述多个第二图案的延伸方向平行所述挠曲轴。
9.根据权利要求2所述的可挠式装置，其特征在于，所述多个第一图案与所述多个第二图案的至少其中一个包括多层结构。
10.根据权利要求9所述的可挠式装置，其特征在于，所述多层结构包括两种以上的厚度。
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