CN109326615A - 元件基板 - Google Patents
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Abstract
一种元件基板，包括可挠式基板、多条扫描线、多条数据线、第一绝缘层、多个主动元件以及缓冲结构。多条扫描线位于可挠式基板上，且沿着第一方向延伸。多条数据线位于可挠式基板上，且沿着第二方向延伸。第一方向交错于第二方向。第一绝缘层位于扫描线与数据线之间。多个主动元件电性连接至扫描线以及数据线。缓冲结构位于可挠式基板上，且包括多条第一缓冲线以及多条第二缓冲线。多条第一缓冲线沿着第三方向延伸。多条第二缓冲线沿着第四方向延伸。第三方向交错于第四方向。
Description
技术领域
本发明涉及一种元件基板，且特别涉及一种包括可挠式基板的元件基板。
背景技术
随着科技的进展，可挠式电子产品在市面上的出现率逐渐增加，且各种有关的技术也层出不穷。可挠式电子产品通常是先于硬质的基板上制造，于后段工艺(Back end ofline,BEOL)时再将硬质的基板移除。然而，在移除硬质的基板时，可挠式电子产品容易因为应力拉扯而造成变形，使得可挠式电子产品要与其他元件接合时无法精准对位，影响产品的良率。
发明内容
本发明提供一种元件基板，可以改善其因为应力拉扯而造成变形的问题。
本发明的至少一实施例提供一种元件基板，包括可挠式基板、多条扫描线、多条数据线、第一绝缘层、多个主动元件以及缓冲结构。多条扫描线位于可挠式基板上，且沿着第一方向延伸。多条数据线位于可挠式基板上，且沿着第二方向延伸。第一方向交错于第二方向。第一绝缘层位于扫描线与数据线之间。多个主动元件电性连接至扫描线以及数据线。缓冲结构位于可挠式基板上。缓冲结构包括多条第一缓冲线以及多条第二缓冲线。多条第一缓冲线沿着第三方向延伸。多条第二缓冲线沿着第四方向延伸。第三方向交错于第四方向。第一方向、第二方向、第三方向以及第四方向互相不同。
基于上述，缓冲结构可以使元件基板所受到的应力分散到二维平面，可以改善元件基板因为应力拉扯而造成变形的问题。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。
附图说明
图1A是依照本发明的一实施例的一种元件基板的俯视图。
图1B是图1A的一种元件基板的局部放大示意图。
图1C是图1B剖面线aa’的剖面示意图。
图2是依照本发明的一实施例的一种元件基板的上视局部放大示意图。
图3是依照本发明的一实施例的一种元件基板的上视局部放大示意图。
图4是依照本发明的一实施例的一种元件基板的俯视图。
图5是依照本发明的一实施例的一种元件基板的俯视图。
图6A是依照本发明的一实施例的一种元件基板的上视局部放大示意图。
图6B是图6A剖面线bb’的剖面示意图。
图7是依照本发明的一实施例的一种元件基板的剖面示意图。
图8是依照本发明的一实施例的一种元件基板的剖面示意图。
附图标记说明：
10、20、30、40、50、60、70、80：元件基板
AR：主动区
AL：配向层
aa’、bb’：剖面线
B：缓冲结构
B1：第一缓冲线
B2：第二缓冲线
BR：周边区
CE：共用电极
CH：半导体通道层
D：漏极
DL：数据线
DR1：第一驱动电路
DR2：第二驱动电路
E1、E2、E3、E4：方向
G：栅极
GI：栅绝缘层
H1、H2、O1、O2、O3：开口
I0、I1、I2、I3：绝缘层
LS：感测元件
OL：有机发光层
OLED：有机发光二极管
PDL：像素定义层
PE：像素电极
PX：像素结构
S：源极
SB：可挠式基板
SL：扫描线
SM：遮蔽金属层
SN：感光层
T：主动元件
t：狭缝
TFE：封装层
X1：第一电极
X2：第二电极
具体实施方式
应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。
图1A是依照本发明的一实施例的一种元件基板的俯视图。图1B是图1A的一种元件基板的局部放大示意图。图1C是图1B剖面线aa’的剖面示意图。为了方便说明，图1A、图1B以及图1C分别省略示出了元件基板的部分构件。
请参考图1A、图1B以及图1C，其中图1B例如为图1A中四个像素结构PX的俯视图。元件基板10包括可挠式基板SB、多条扫描线SL、多条数据线DL、第一绝缘层I1、多个主动元件T以及缓冲结构B。在本实施例中，元件基板10还包括第一驱动电路DR1、第二驱动电路DR2、像素电极PE、共用电极CE以及配向层AL。
可挠式基板SB举例而言包括聚酰胺(Polyamide，PA)聚亚酰胺(Polyimide，PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate)，PMMA)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、玻璃纤维强化塑胶(fiber reinforced plastics，FRP)、聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK)、环氧树脂或其它合适的材料或前述至少二种的组合，但本发明不限于此。此外，可挠式基板SB的材料可为全部是有机材料混合物、有机材料混合无机材料、有机分子与无机分子键结而成的材料或是其它合适的材料。可挠式基板SB包括主动区AR以及位于主动区AR至少一侧的周边区BR。
多条扫描线SL、多条数据线DL、第一驱动电路DR1以及第二驱动电路DR2位于可挠式基板SB上。在本实施例中，第一驱动电路DR1以及第二驱动电路DR2位于周边区BR上，扫描线SL自第一驱动电路DR1的位置延伸进主动区AR，且数据线DL自第二驱动电路DR2的位置延伸进主动区AR，但本发明不以此为限。在一些实施例中，第一驱动电路DR1及/或第二驱动电路DR2也可以设置于主动区AR中。在一些实施例中，第一驱动电路DR1以及第二驱动电路DR2例如是电路板或是芯片，且通过多个位于周边区BR上的接垫(未绘出)而分别电性连接至扫描线SL以及数据线DL，但本发明不以此为限。在一些实施例中，第一驱动电路DR1以及第二驱动电路DR2可以是直接形成于可挠式基板SB上的驱动电路。
扫描线SL沿着第一方向E1延伸。数据线DL沿着第二方向E2延伸。第一方向E1交错于第二方向E2。在本实施例中，第一方向E1正交于第二方向E2，但本发明不以此为限。
多条扫描线SL以及多条数据线DL定义出多个像素结构PX。每个像素结构PX的范围例如为相邻的两条数据线DL之间以及相邻的两条扫描线SL之间的范围。
请参考图1B与图1C，主动元件T位于可挠式基板SB的主动区AA上，且电性连接至扫描线SL以及数据线DL。在本实施例中，主动元件T与可挠式基板SB之间还夹有遮蔽金属层SM以及绝缘层I0。遮蔽金属层SM重叠于主动元件T，且遮蔽金属层SM位于主动元件T与可挠式基板SB之间，遮蔽金属层SM能改善主动元件T的漏电问题。
主动元件T包括半导体通道层CH、栅极G、源极S与漏极D。栅极G电性连接至对应的扫描线SL。半导体通道层CH重叠于栅极G，且栅极G与半导体通道层CH之间夹有栅绝缘层GI。第一绝缘层I1覆盖栅极G，且第一绝缘层I1位于扫描线SL与数据线DL之间。源极S与漏极D位于第一绝缘层I1上，且分别通过开口H1、H2而电性连接至半导体通道层CH。开口H1、H2至少贯穿第一绝缘层I1，在本实施例中，开口H1、H2贯穿栅绝缘层GI与第一绝缘层I1。源极S电性连接至对应的数据线DL。
虽然在本实施例中，主动元件T是以顶部栅极型的薄膜晶体管为例，但本发明不以此为限。在其他实施例中，主动元件T也可以是底部栅极型或其他类型的薄膜晶体管，当主动元件T为底部栅极型薄膜晶体管时，位于扫描线SL与数据线DL之间的第一绝缘层可作为栅极绝缘层。
第二绝缘层I2覆盖源极S与漏极D。共用电极CE位于第二绝缘层I2上，且具有对应主动元件T的开口O1。第三绝缘层I3覆盖共用电极CE。像素电极PE覆盖第三绝缘层I3，且与共用电极CE分隔。像素电极PE通过开口O3而电性连接至主动元件T的漏极D，开口O3贯穿第三绝缘层I3，且对应于第二绝缘层I2的开口O2以及共用电极CE的开口O1而设置。配向层AL位于像素电极PE以及第三绝缘层I3上。
虽然在本实施例中，是以共用电极CE位于像素电极PE与可挠式基板SB之间，且像素电极PE具有多个狭缝t为例，但本发明不以此为限。在其他实施例中，像素电极PE位于共用电极CE与可挠式基板SB之间，且共用电极CE具有多个狭缝t。
请参考图1A、图1B与图1C，缓冲结构B位于可挠式基板SB上。举例来说，缓冲结构B可以位于可挠式基板SB的主动区AA及/或周边区BR上。缓冲结构B包括多条第一缓冲线B1以及多条第二缓冲线B2。多条第一缓冲线B1沿着第三方向E3延伸。多条第二缓冲线B2沿着第四方向延伸E4。第三方向E3交错于第四方向E4。第一方向E1、第二方向E2、第三方向E3以及第四方向E4互相不同。在一些实施例中，第三方向E3与第一方向E1之间的夹角例如大于0度且小于90度，优选地介于15度至75度，又或介于30度至60度，又或更优选地介于40度至50度，且第四方向E4与第二方向E2之间的夹角例如大于0度且小于90度，优选地介于15度至75度，又或介于30度至60度，又或更优选地介于40度至50度。
在本实施例中，第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2是位于同一膜层，也可以说第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2是通过同一道图案化工艺所形成，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2是属于不同膜层，也可以说第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2可以通过不同道图案化工艺所形成。
在本实施例中，第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2中的至少一者与扫描线SL属于同一膜层，且扫描线SL与第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2分隔。扫描线SL与第一缓冲线B1之间隔有间隙且两者不接触，扫描线SL与第二缓冲线B2之间隔有间隙且两者不接触。举例来说，第一缓冲线B1、第二缓冲线B2以及扫描线SL皆属于同一膜层，且是由相同的导电材料所形成，例如为金属材料、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或其它合适的材料或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。因此，第一缓冲线B1、第二缓冲线B2以及扫描线SL可以于同一道图案化工艺中定义出来。
在本实施例中，每个像素结构PX中具有一条第一缓冲线B1以及一条第二缓冲线B2，且每一条第一缓冲线B1仅与一条对应的第二缓冲线B2交错设置，但本发明不以此为限。在其他实施例中，每一条第一缓冲线B1及/或每一条第二缓冲线B2可以横跨多个像素结构PX。
在一些实施例中，元件基板10是于硬质基板上形成，且于后段工艺(Back end ofline,BEOL)中需将硬质基板移除，例如是将元件基板10自硬质基板上剥离。沿着扫描线SL或数据线DL的延伸方向施力以剥离元件基板10，元件基板10所受到的应力仍以被缓冲结构B分散到二维平面，使元件基板10在剥离后不容易因为应力拉扯而变形，提升元件基板10的产品良率。
基于上述，元件基板10的缓冲结构B包括不同延伸方向的第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2，且第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2的延伸方向不同于扫描线SL与数据线DL，因此，可以改善元件基板10因为应力拉扯而变形的问题。
图2是依照本发明的一实施例的一种元件基板的上视局部放大示意图。为了方便说明，图2省略示出了元件基板的部分构件。在此必须说明的是，图2的实施例沿用图1A～图1C的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图2的元件基板20与图1A的元件基板10的主要差异在于：元件基板20的第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2中的至少一者与数据线DL属于同一膜层。
请参考图2，在本实施例中，第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2皆与数据线DL属于同一膜层，且是由相同的导电材料所形成，例如为金属材料、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或其它合适的材料或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。因此，第一缓冲线B1、第二缓冲线B2以及数据线DL可以于同一道图案化工艺中定义出来。
数据线DL与第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2分隔。举例来说，数据线DL与第一缓冲线B1之间隔有间隙且两者不接触，数据线DL与第二缓冲线B2之间隔有间隙且两者不接触。
基于上述，元件基板20的缓冲结构B包括不同延伸方向的第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2，且第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2的延伸方向不同于扫描线SL与数据线DL，因此，可以改善元件基板20因为应力拉扯而变形的问题。
图3是依照本发明的一实施例的一种元件基板的上视局部放大示意图。为了方便说明，图3省略示出了元件基板的部分构件。在此必须说明的是，图3的实施例沿用图1A～图1C的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图3的元件基板30与图1A的元件基板10的主要差异在于：元件基板30的第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2中的至少一者与遮蔽金属层SM属于同一膜层。
请参考图3，在本实施例中，第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2皆与遮蔽金属层SM属于同一膜层，且是由相同的导电材料所形成，例如为金属材料、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或其它合适的材料或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。
在本实施例中，缓冲结构B所在的膜层不同于扫描线SL所在的膜层以及数据线DL所在的膜层。
虽然在本实施例中，是以第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2皆与遮蔽金属层SM属于同一膜层为例，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2中的至少一者与半导体通道层CH属于同一膜层，且是由相同的导电材料所形成，例如为非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、或是其它合适的材料、或上述的组合)、或其它合适的材料、或含有掺杂物(dopant)于上述材料中或上述的组合。在一些实施例中，第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2皆与半导体通道层CH属于同一膜层。
在本实施例中，由于第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2所在的膜层不同于扫描线SL与数据线DL，因此，第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2不必于扫描线SL与数据线DL处断开，且第一缓冲线B1、第二缓冲线B2以及遮蔽金属层SM彼此相连，且实质上连成一体，也可以说部分的遮蔽金属层SM属于第一缓冲线B1的一部分且部分的遮蔽金属层SM属于第二缓冲线B2的一部分。缓冲结构B中的每一条第一缓冲线B1及每一条第二缓冲线B2可以横跨多个像素结构PX，且每一条第一缓冲线B1与一条以上对应的第二缓冲线B2交错设置。
基于上述，元件基板30的缓冲结构B包括不同延伸方向的第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2，且第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2的延伸方向不同于扫描线SL与数据线DL，因此，可以改善元件基板30因为应力拉扯而变形的问题。
图4是依照本发明的一实施例的一种元件基板的俯视图。为了方便说明，图4省略示出了元件基板的部分构件。在此必须说明的是，图4的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图4的元件基板40与图1的元件基板10的主要差异在于：元件基板40的第一缓冲线B1与第二缓冲线B2属于不同膜层。
请参考图4，第一缓冲线B1与第二缓冲线B2属于不同膜层。缓冲结构B中的第一缓冲线B1所在的膜不同于扫描线SL与数据线DL，每一条第一缓冲线B1可以横跨多个像素结构PX，且每一条第一缓冲线B1与一条以上对应的第二缓冲线B2交错设置。第一缓冲线B1与第二缓冲线B2属于相同或不同的材料。于一实施例中，第一缓冲线B1例如可以与遮蔽金属层SM属于同一膜层。
在本实施例中，第二缓冲线B2所在的膜层与扫描线SL或数据线DL相同，因此，第二缓冲线B2与扫描线SL或数据线DL分隔，以避免元件基板40短路。
基于上述，元件基板40的缓冲结构B包括不同延伸方向的第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2，且第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2的延伸方向不同于扫描线SL与数据线DL，因此，可以改善元件基板40因为应力拉扯而变形的问题。
图5是依照本发明的一实施例的一种元件基板的俯视图。为了方便说明，图5省略示出了元件基板的部分构件。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图3的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图5的元件基板50与图3的元件基板30的主要差异在于：元件基板50的缓冲结构B的分布较元件基板30的缓冲结构B的分布稀疏。
请参考图5，部分像素结构PX中不具有缓冲结构B。在本实施例中，是以约一半的像素结构PX中不具有缓冲结构B为例，但本发明不以此为限。缓冲结构B的分布情形可以依照实际需求而进行调整。
虽然在本实施例中，是以第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2属于相同膜层为例，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2属于不同膜层。在其他实施例中，第一缓冲线B1及/或第二缓冲线B2所在的膜层与扫描线SL或数据线DL相同，因此，第一缓冲线B1及/或第二缓冲线B2与扫描线SL或数据线DL分隔，以避免元件基板50短路。
基于上述，元件基板50的缓冲结构B包括不同延伸方向的第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2，且第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2的延伸方向不同于扫描线SL与数据线DL，因此，可以改善元件基板50因为应力拉扯而变形的问题。
图6A是依照本发明的一实施例的一种元件基板的俯视图。图6B是图6A剖面线bb’的剖面示意图。为了方便说明，图6A和图6B省略示出了元件基板的部分构件。在此必须说明的是，图6A和图6B的实施例沿用图1A～图1C的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图6A和图6B的元件基板60与图1B的元件基板10的主要差异在于：元件基板60的主动元件T电性连接至光感测元件LS。
请参考图6A和图6B，主动元件T为底部栅极型的薄膜晶体管。举例来说，主动元件T的栅极G位于半导体通道层CH与可挠式基板SB之间，且第一绝缘层I1位于栅极G与半导体通道层CH之间以及扫描线SL与数据线DL之间。源极S与漏极D位于第一绝缘层I1以及半导体通道层CH上，且与半导体通道层CH电性连接。在一些实施例中，源极S与半导体通道层CH之间以及漏极D与半导体通道层CH之间还可以有欧姆接触层(未示出)，但本发明不以此为限。
光感测元件LS具有依序堆叠的第一电极X1、感光层SN以及第二电极X2。第一电极X1电性连接主动元件T的漏极D，第一电极X1与漏极D例如连成一体。第二绝缘层I2覆盖源极S、漏极D与第一电极X1。第二绝缘层I2的开口O2对应于第一电极X1设置。感光层SN位于开口O2中，且电性连接第一电极X1。感光层SN的材料包括富硅氧化物、富硅氮化物、富硅氮氧化物、富硅碳化物、富硅碳氧化物、氢化富硅氧化物、氢化富硅氮化物、氢化富硅碳化物或其他合适的材料或上述材料的组合。感光层SN的材料也可以为PIN材料、PN材料或其他合适的材料。第二电极X2位于感光层SN上。第二电极X2例如为透明导电材料。
第三绝缘层I3覆盖光感测元件LS以及第二绝缘层I2。导电层CL位于第三绝缘层I3上，且重叠于主动元件T。主动元件T位于导电层CL与可挠式基板SB之间。导电层CL可以改善主动元件T的漏电问题。
第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2中的至少一者与导电层CL属于同一膜层。在本实施例中，第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2皆与导电层CL属于同一膜层，且是由相同的导电材料所形成，例如为金属材料、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或其它合适的材料或是金属材料与其它导材料的堆叠层。在本实施例中，缓冲结构B与导电层CL可作为共用电极使用，且通过第三绝缘层I3的开口O3而电性连接至光感测元件LS的第二电极X2。第四绝缘层I4覆盖第三绝缘层I3、缓冲结构B以及导电层CL。
基于上述，元件基板60的缓冲结构B包括不同延伸方向的第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2，且第一缓冲线B1以及第二缓冲线B2的延伸方向不同于扫描线SL与数据线DL，因此，可以改善元件基板60因为应力拉扯而变形的问题。
图7是依照本发明的一实施例的一种元件基板的剖面示意图。为了方便说明，图7省略示出了元件基板的部分构件。在此必须说明的是，图7的实施例沿用图3的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图7的元件基板70与图3的元件基板30的主要差异在于：元件基板70的主动元件T电性连接至有机发光二极管OLED。
请参考图7，主动元件T的栅极G连接至扫描线SL，且源极S连接至数据线DL。主动元件T与可挠式基板SB之间夹有遮蔽金属层SM、绝缘层I0以及第三绝缘层I3。遮蔽金属层SM重叠于主动元件T，且遮蔽金属层SM位于绝缘层I0以及第三绝缘层I3之间。在本实施例中，缓冲结构B例如与遮蔽金属层SM属于同一膜层。
第二绝缘层I2覆盖源极S、漏极D与第一绝缘层I1，且具有对应主动元件T的开口O2。第二绝缘层I2可以是单层绝缘层或多层绝缘层。
有机发光二极管OLED具有依序堆叠的第一电极X1、有机发光层OL以及第二电极X2。第一电极X1位于第二绝缘层I2上，且通过开口O2而与主动元件T的漏极D电性连接。像素定义层PDL的开口O4暴露出第一电极X1，有机发光层OL位于开口O4中，且有机发光层OL与第一电极X1电性连接。第二电极E2位于有机发光层OL以及像素定义层PDL上，且第二电极X2与有机发光层OL电性连接。在本实施例中，元件基板70还包括封装层TFE，封装层TFE位于有机发光二极管OLED以及像素定义层PDL上。
图8是依照本发明的一实施例的一种元件基板的剖面示意图。为了方便说明，图8省略示出了元件基板的部分构件。在此必须说明的是，图8的实施例沿用图7的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图8的元件基板80与图7的元件基板70的主要差异在于：元件基板80的缓冲结构B位于第一绝缘层I1上。
请参考图8，第三绝缘层I3位于第一绝缘层I1与扫描线SL之间，其中缓冲结构B的第一缓冲线以及第二缓冲线中的至少一者位于第三绝缘层I3与第一绝缘层I1之间。
在本实施例中，元件基板80选择性的包括电容电极M，电容电极M位于栅绝缘层GI上，且重叠于缓冲结构B。电容电极M与缓冲结构B可以共同组成电容器，但本发明不以此为限。
综上所述，元件基板的缓冲结构包括不同延伸方向的第一缓冲线以及第二缓冲线，且第一缓冲线以及第二缓冲线的延伸方向不同于扫描线与数据线，因此，可以改善元件基板因为应力拉扯而变形的问题。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。
Claims (12)
1.一种元件基板，包括：
一可挠式基板；
多条扫描线，位于该可挠式基板上，且沿着一第一方向延伸；
多条数据线，位于该可挠式基板上，且沿着一第二方向延伸，该第一方向交错于该第二方向；
一第一绝缘层，位于该些扫描线与该些数据线之间；
多个主动元件，电性连接至该些扫描线以及该些数据线；以及
一缓冲结构，位于该可挠式基板上，该缓冲结构包括：
多条第一缓冲线，沿着一第三方向延伸；以及
多条第二缓冲线，沿着一第四方向延伸，且该第三方向交错于该第四方向，其中该第一方向、该第二方向、该第三方向以及该第四方向互相不同。
2.如权利要求1所述的元件基板，其中该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线中的至少一者与该些扫描线属于同一膜层，且该些扫描线与该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线分隔。
3.如权利要求1所述的元件基板，其中该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线中的至少一者与该些数据线属于同一膜层，且该些数据线与该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线分隔。
4.如权利要求1所述的元件基板，还包括：
一遮蔽金属层，重叠于该些主动元件，且该遮蔽金属层位于该些主动元件与该可挠式基板之间，其中该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线中的至少一者与该遮蔽金属层属于同一膜层。
5.如权利要求1所述的元件基板，还包括：
一导电层，重叠于该些主动元件，且该些主动元件位于该导电层与该可挠式基板之间，其中该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线中的至少一者与该导电层属于同一膜层。
6.如权利要求1所述的元件基板，其中各该主动元件包括：
一栅极，电性连接至对应的该扫描线；
一半导体通道层，重叠于该栅极，其中该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线中的至少一者与该半导体通道层属于同一膜层；
一源极，电性连接该半导体通道层以及对应的该数据线；以及
一漏极，电性连接该半导体通道层。
7.如权利要求1所述的元件基板，其中该些第一缓冲线与该些第二缓冲线属于不同膜层。
8.如权利要求1所述的元件基板，其中该些第一缓冲线与该些第二缓冲线属于不同的材料。
9.如权利要求1所述的元件基板，其中每一条该些第一缓冲线仅与一条对应的该第二缓冲线交错设置。
10.如权利要求1所述的元件基板，其中每一条该些第一缓冲线与一条以上对应的该些第二缓冲线交错设置。
11.如权利要求1所述的元件基板，其中该第一方向正交于该第二方向，该第三方向与该第一方向之间的夹角为15度至75度，且该第四方向与该第二方向之间的夹角为15度至75度。
12.如权利要求1所述的元件基板，还包括：
一第二绝缘层，位于该第一绝缘层与该些扫描线之间，其中该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线中的至少一者位于该第二绝缘层与该第一绝缘层之间。
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