TW201918752A - 轉置頭及轉置裝置 - Google Patents
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Abstract
一種轉置頭，包括基板、第一電極、第二電極、驅動電路以及彈性體。基板具有一頂表面。第一電極配置於基板上。第二電極配置於基板上且與第一電極結構上分離。驅動電路配置於基板上且電性連接於第一電極及第二電極。彈性體配置於基板上且覆蓋第一電極及第二電極，其中第一電極與第二電極中的至少一者具有一最頂點，最頂點與基板的頂表面之間的距離為A，彈性體具有一轉置面，轉置面與基板的頂表面之間的距離為B，且1＞A/B≧0.1。
Description
本發明是有關於一種轉置頭及轉置裝置，且特別是有關於一種用於轉置微型發光二極體的轉置頭及轉置裝置。
轉置微型發光二極體技術已使用在新興電子裝置的製程中。以發光裝置的製程為例，發光裝置的製程包括下列步驟：提供具有多個轉置凸塊的彈性轉置頭；提供一個發光陣列，所述發光陣列包括多個目標發光元件；使彈性轉置頭的轉置凸塊與目標發光元件接觸，進而提取所欲的多個目標發光元件；利用彈性轉置頭將目標發光元件轉置到接收基板上；在載有多個發光元件的接收基板上製作其他結構，進而完成發光裝置。然而，當擴大轉置製程的規模時，目前使用具有多個轉置凸塊的彈性轉置頭進行轉置的方法將面臨製程良率不高、精度不高且量產不易的問題。
本發明提供一種轉置頭及轉置裝置，其應用於巨量轉置製程時可達成良好製程良率及操作精度。
本發明的轉置頭包括基板、第一電極、第二電極、驅動電路及彈性體。基板具有一頂表面。第一電極配置於基板上。第二電極配置於基板上且與第一電極結構上分離。驅動電路配置於基板上且電性連接於第一電極及第二電極。彈性體配置於基板上且覆蓋第一電極及第二電極，其中第一電極與第二電極中的至少一者具有一最頂點，最頂點與基板的頂表面之間的距離為A，彈性體具有一轉置面，轉置面與基板的頂表面之間的距離為B，且A/B≧0.1。
本發明的轉置裝置包括如上所述的轉置頭以及承載器。承載器用以承載轉置頭並與轉置頭電性連接。
基於上述，在本發明所提出之轉置頭及轉置裝置中，透過具有轉置面的彈性體覆蓋第一電極及第二電極，其中第二電極與第一電極結構上分離，第一電極與第二電極中的至少一者所具有的最頂點與基板的頂表面之間的距離A和轉置面與基板的頂表面之間的距離B滿足以下關係式：1＞A/B≧0.1，使得本發明的轉置頭及轉置裝置可在轉置面無設置任何圖案化結構的情況下，以低的操作電壓來驅動而於第一電極及第二電極間產生均勻分佈的橫向電場。如此一來，透過所述橫向電場的作用使轉置面發生形變，不但使得本發明的轉置頭及轉置裝置能有效達成轉置功能，還提升本發明的轉置頭及轉置裝置的應用性、便利性與產品競爭性，並且與具有多個轉置凸塊的習知轉置裝置相比，本發明的轉置頭及轉置裝置可在應用於巨量轉置製程時達成良好製程良率及操作精度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1是依照本發明的一實施方式的轉置頭的剖面示意圖。圖2是圖1的轉置頭的上視示意圖。圖1的剖面位置可對應於圖2之剖面線I-I’的位置。
請同時參照圖1及圖2，本實施方式的轉置頭10包括基板100、第一電極110、第二電極120、驅動電路130及彈性體140。另外，在本實施方式中，轉置頭10可更包括第一凸塊P1及第二凸塊P2。在本實施方式中，轉置頭10可用以轉置微型發光二極體以製造顯示裝置。值得注意的是，為了清楚繪示第一電極110、第二電極120與驅動電路130之間的配置關係，圖2省略繪示了彈性體140。
基板100用以承載第一電極110、第二電極120、驅動電路130及彈性體140。在本實施方式中，基板100的材質例如可為玻璃、石英或有機聚合物。
第一電極110及第二電極120配置於基板100上。在本實施方式中，第一電極110及第二電極120結構上彼此分離。在本實施方式中，第一電極110用以配置第一電壓V1，第二電極120用以配置第二電壓V2，且第一電壓V1與第二電壓V2之間具有電壓差。也就是說，第一電極110與第二電極120電性連接於不相同的電壓源。在一實施方式中，第一電壓V1大於第二電壓V2。進一步而言，由於第一電壓V1與第二電壓V2之間具有電壓差，當第一電極110被施加第一電壓V1而第二電極120被施加第二電壓V2時，第一電極110與第二電極120之間會形成橫向電場。
另外，如圖2所示，第一電極110及第二電極120的形狀為直條狀，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，為了符合顯示裝置的影像品質的需求，第一電極110及第二電極120的形狀也可以是斜條狀（如圖3A所示）、鋸齒狀（如圖3B所示）、梯狀（如圖3C所示）或波浪條狀（如圖3D所示）。
在本實施方式中，第一凸塊P1及第二凸塊P2配置於基板100上，且第一凸塊P1與第二凸塊P2彼此分離。詳細而言，在本實施方式中，第一凸塊P1及第二凸塊P2分別與第一電極110及第二電極120對應設置。更詳細而言，在本實施方式中，第一電極110覆蓋第一凸塊P1的頂表面及側表面，且第二電極120覆蓋第二凸塊P2的頂表面及側表面。
從另一觀點而言，在本實施方式中，第一電極110與第一凸塊P1構成第一電極結構E1，第二電極120與第二凸塊P2構成第二電極結構E2，其中第一電極結構E1具有彼此相對的電極結構頂表面E1a及電極結構底表面E1b，第二電極結構E2具有彼此相對的電極結構頂表面E2a及電極結構底表面E2b。
在本實施方式中，第一凸塊P1及第二凸塊P2的材質例如是絕緣材料，所述絕緣材料例如包括無機材料、有機材料、上述之組合或其堆疊層，其中無機材料例如是（但不限於）：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、上述之組合或其他合適的材料，有機材料例如是（但不限於）：聚酯類（PET）、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類、上述之組合或其他合適的材料。
另外，雖然圖1繪示第一電極110覆蓋第一凸塊P1的頂表面及側表面，且第二電極120覆蓋第二凸塊P2的頂表面及側表面，但本發明並不限於此。在一實施方式中，第一電極110及第二電極120分別也可以僅覆蓋第一凸塊P1的頂表面及第二凸塊P2的頂表面。在另一實施方式中，第一電極110也可以覆蓋第一凸塊P1的頂表面及部分的側表面，且第二電極120也可以覆蓋第二凸塊P2的頂表面及部分的側表面。
另外，雖然圖1繪示第一凸塊P1及第二凸塊P2的剖面輪廓外型為矩形，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，第一凸塊P1及第二凸塊P2的剖面輪廓外型也可以是梯形（如圖4A所示）、倒梯形（如圖4B所示）、或雙向梯形（如圖4C所示）。
值得一提的是，在本實施方式中，第一電極結構E1的電極結構頂表面E1a的面積與電極結構底表面E1b的面積的比值較佳大於0.6，且第二電極結構E2的電極結構頂表面E2a的面積與電極結構底表面E2b的面積的比值較佳大於0.6，藉此當利用轉置頭10來轉置微型發光二極體時，轉置頭10能夠以較低的操作電壓來驅動。從另一觀點而言，在本實施方式中，第一凸塊P1及第二凸塊P2的輪廓外型較佳呈平台狀結構，例如矩形（如圖1所示）、梯形（如圖4A所示）、倒梯形（如圖4B所示）或雙向梯形（如圖4C所示）。然而，本發明並不以此為限。在其他實施方式中，第一凸塊P1及第二凸塊P2的輪廓外型可以是不呈平台狀結構，亦即第一電極結構E1及第二電極結構E2可不具電極結構頂表面E1a及電極結構頂表面E2a。舉例而言，在一實施方式中，第一凸塊P1及第二凸塊P2的剖面輪廓外型可以是三角形（如圖5A所示）或圓弧形（如圖5B所示）。
以下，藉由圖7來說明，調整電極結構頂表面E1a的面積與電極結構底表面E1b的面積的比值以及電極結構頂表面E2a的面積與電極結構底表面E2b的面積的比值可降低轉置頭10的操作電壓。
圖7是圖1的轉置頭之操作電壓對電極結構之電極結構頂表面的面積與電極結構底表面的面積的比值的模擬關係圖。值得一提的是，在對轉置頭10進行操作電壓的模擬測量中，必須額外於彈性體140中設置液晶分子以透過液晶分子因受橫向電場影響所產生的表現來量化橫向電場的方向及大小，才能夠獲得模擬測試結果。
由圖7可知，隨著電極結構頂表面E1a的面積與電極結構底表面E1b的面積的比值以及電極結構頂表面E2a的面積與電極結構底表面E2b的面積的比值自0.2調整至1，轉置頭10的操作電壓逐漸降低。當在電極結構頂表面E1a的面積與電極結構底表面E1b的面積的比值以及電極結構頂表面E2a的面積與電極結構底表面E2b的面積的比值為0.6時，轉置頭10的操作電壓降低至約17 V，且當在電極結構頂表面E1a的面積與電極結構底表面E1b的面積的比值以及電極結構頂表面E2a的面積與電極結構底表面E2b的面積的比值為1時，轉置頭10的操作電壓更是降低到約12.5 V。此結果證實，本發明的轉置頭10確實可藉由調整電極結構頂表面E1a的面積與電極結構底表面E1b的面積的比值或電極結構頂表面E2a的面積與電極結構底表面E2b的面積的比值來降低轉置頭10的操作電壓，藉以提升轉置頭10的應用性、便利性與產品競爭性。
驅動電路130配置於基板100上，且驅動電路130電性連接於第一電極110及第二電極120，以將外部訊號（例如第一電壓V1、第二電壓V2）電性連接於第一電極110及第二電極120。在本實施方式中，驅動電路130例如是被動元件陣列層，其可以是任何所屬領域中具有通常知識者所周知的用於顯示裝置中的任一種被動元件陣列層。舉例而言，在一實施方式中，驅動電路130可包括與第一電極110連接的訊號線、與第二電極120連接的訊號線、以及連接前述訊號線及外部電路的接點。也就是說，在本實施方式中，驅動電路130為被動式驅動電路。
另外，為了符合顯示裝置的影像品質的需求，驅動電路130的佈局並不以圖2中所繪者為限。在其他實施方式中，驅動電路130的佈局也可以如圖6A或圖6B所示。
值得一提的是，在本實施方式中，由於驅動電路130可以是任何所屬領域中具有通常知識者所周知的用於顯示裝置中的任一種被動元件陣列層，且第一電極110及第二電極120實質上設置於同一平面上，故轉置頭10具有類似於共平面轉換（In-Plane Switching，IPS）的設計，藉此使得轉置頭10的製作能與現有顯示裝置的製程相容。
再請同時參照圖1，彈性體140配置於基板100上且覆蓋第一電極110及第二電極120。在本實施方式中，彈性體140具有轉置面140a。詳細而言，當轉置頭10未進行轉置操作時，整個轉置面140a實質上為單一且連續的平面。也就是說，在本實施方式中，轉置面140a不具有任何圖案化結構。
在本實施方式中，彈性體140的材質例如是（但不限於）：聚二甲基矽氧烷（poly dimethyl siloxane，PDMS）、橡膠（rubber）、或環氧樹脂(（epoxy Resin)。值得一提的是，在本實施方式中，彈性體140能夠用於黏接微型發光二極體，以於轉置微型發光二極體的操作過程中提取微型發光二極體。
另外，在本實施方式中，第一電極110及第二電極120具有最頂點T。詳細而言，由於第一凸塊P1及第二凸塊P2的輪廓外型呈平台狀結構，故覆蓋第一凸塊P1之頂表面的第一電極110的表面中的任一點皆為最頂點T，且覆蓋第二凸塊P2之頂表面的第二電極120的表面中的任一點皆為最頂點T。在本實施方式中，所述最頂點T與基板100的頂表面S之間的距離A和轉置面140a與基板100的頂表面S之間的距離B滿足以下關係式：1＞A/B≧0.1，藉此當利用轉置頭10來轉置微型發光二極體時，透過施加第一電壓V1及第二電壓V2於第一電極110及第二電極120而在兩者間產生的橫向電場能夠均勻分佈在彈性體140中，使得彈性體140受到所述橫向電場的作用而造成對應的轉置面140a呈現凹凸不平狀。如此一來，黏接於轉置面140a上的微型發光二極體會因轉置面140a發生形變而自彈性體140脫離，因而達成轉置功能。
以下，藉由圖8及圖9來說明，當採用轉置頭10來進行轉置製程時，轉置頭10能夠以低的操作電壓驅動並獲得均勻分布於彈性體140中的橫向電場，因而有效達成轉置功能。
圖8是圖1的轉置頭之操作電壓對距離A與距離B的比值的模擬關係圖。值得一提的是，在對轉置頭10進行操作電壓的模擬測量中，必須額外於彈性體140中設置液晶分子以透過液晶分子因受橫向電場影響所產生的表現來量化橫向電場的方向及大小，才能夠獲得模擬測試結果。
由圖8可知，當距離A與距離B的比值為0.1時，轉置頭10的操作電壓降低至約40 V，且當距離A與距離B的比值為0.2至0.7時，轉置頭10的操作電壓更是降低到約10 V至20 V。此結果證實，本發明的轉置頭10確實可藉由調整距離A與距離B的比值滿足以下關係式：1＞A/B≧0.1來降低轉置頭10的操作電壓。
圖9是圖1的轉置頭之穿透率對距離A與距離B的比值的模擬關係圖。同樣地，在對轉置頭10進行穿透率的模擬測量中，必須額外於彈性體140中設置液晶分子以透過液晶分子因受橫向電場影響所產生的表現來量化橫向電場的方向及大小，才能夠獲得模擬測試結果。
由圖9可知，當距離A與距離B的比值為0.1時，轉置頭10的穿透率可達約85%，且當距離A與距離B的比值為0.2至0.7時，轉置頭10的穿透率更是提高到約94%至98%。此結果證實，透過距離A與距離B的比值滿足以下關係式：1＞A/B≧0.1，轉置頭10能夠以低的操作電壓驅動並獲得良好的穿透率。也就是說，以低的操作電壓來驅動轉置頭10即能於第一電極110及第二電極120間產生均勻分佈的橫向電場，藉此不但能有效達成轉置功能，還提升轉置頭10的應用性、便利性與產品競爭性。
有鑑於此，在本實施方式中，轉置面140a無須設置任何圖案化結構即可達成轉置功能。如此一來，與具有多個轉置凸塊的習知轉置裝置相比，本實施方式的轉置頭10可在應用於巨量轉置製程時達成良好製程良率及操作精度。進一步，在本實施方式中，透過調整距離A與距離B的比值，轉置頭10能夠在低的操作電壓驅動下即獲得均勻分布於彈性體140中的橫向電場，因而提升轉置頭10的應用性、便利性與產品競爭性。
另外，雖然圖1繪示第一電極110及第二電極120皆具有最頂點，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，第一電極110及第二電極120中也可以只有一者具有最頂點。
基於前述可知，透過施加第一電壓V1及第二電壓V2於第一電極110及第二電極120且距離A與距離B的比值滿足以下關係式：1＞A/B≧0.1，轉置頭10可有效達成轉置微型發光二極體的功能。以下，將參照圖10A至圖10C詳細說明利用轉置頭10來轉置微型發光二極體的一種實施型態。
圖10A至圖10C是利用圖1的轉置頭轉置微型發光二極體的方法的剖面示意圖。
請參照圖10A，使轉置頭10的彈性體140的轉置面140a與配置於承載基板S1上的微型發光二極體M1、M2接觸後，向上移動轉置頭10以使轉置頭10提取（pick-up）微型發光二極體M1、M2。在此步驟中，微型發光二極體M1及微型發光二極體M2的位置分別皆與相鄰的第一電極110及第二電極120相對應。承載基板S1例如是（但不限於）：藍寶石基板（Sapphire base）或矽基板（Silicon base）。微型發光二極體M1、M2例如是覆晶式微型發光二極體、垂直式微型發光二極體或有機微型發光二極體。
接著，請參照圖10B，使轉置頭10將微型發光二極體M1、M2置於接收基板S2上之後，施加第一電壓V1及第二電壓V2分別至第一電極110及第二電極120，以使第一電極110與第二電極120之間產生橫向電場X。此時，對應於第一電極110及第二電極120的轉置面140a因彈性體140受到橫向電場X的作用而呈現凹凸不平狀，藉此使得微型發光二極體M1、M2自然地自彈性體140脫離。
接著，請參照圖10C，使轉置頭10向上移動並停止對第一電極110及第二電極120施加電壓，以完成轉置微型發光二極體M1、M2。
在圖10A至圖10C的實施方式中，微型發光二極體M1及微型發光二極體M2分別皆與相鄰的兩個電極（即一個第一電極110與一個第二電極120）相對應，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，依據所欲轉置的微型發光二極體的尺寸，一個微型發光二極體也可以與彼此相鄰的多個第一電極110與多個第二電極120相對應。
另外一提的是，雖然圖9A至圖9C中未繪示，但任何所屬技術領域中具有通常知識者應理解，在利用轉置頭10進行轉置微型發光二極體時，轉置頭10會組裝至轉置裝置的承載器上。以下，將參照圖11針對轉置裝置進行說明。
圖11是依照本發明的一實施方式的轉置裝置的剖面示意圖。值得注意的是，為了清楚說明轉置頭10在轉置裝置200中的配置方式，圖11中省略繪示了為彈性體140所覆蓋的構件，例如第一電極110、第二電極120、驅動電路130，而轉置頭10的詳細結構及其相關描述請參照圖1及圖2的實施方式。
請參照圖11，轉置裝置200包括用以承載轉置頭10且與轉置頭10電性連接的承載器210。詳細而言，在轉置頭10中，基板100的邊緣可突出於彈性體140的邊緣，藉此在將轉置頭10與承載器210組裝時，可避免承載器210破壞彈性體140；或者在轉置製程中避免承載器210影響轉置頭10的轉置效果。
在本實施方式中，轉置頭10包括接點C1，承載器210包括接點C2，且轉置頭10與承載器210是透過接點C1與接點C2接觸而電性連接。也就是說，在實施方式中，驅動電路130包括接點C1。
另外，雖然圖11繪示轉置頭10包括一個接點C1且承載器210包括一個接點C2，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，轉置裝置200所設置的接點的數量及位置可根據實際上轉置製程的需要和條件等來調整。舉例而言，在一實施方式中，轉置頭10的驅動電路130可包括兩個以上的接點C1，而承載器210相應地也可以包括兩個以上的接點C2。
在圖1及圖2的實施方式中，轉置頭10包括分別用以配置第一電壓V1及第二電壓V2的第一電極110及第二電極120，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，依據實際上轉置製程的需要和條件，轉置頭10也可以包括用以配置不同於第一電壓V1及第二電壓V2的第三電壓的第三電極。
以下，將參照圖12針對其他的實施型態進行說明。在此必須說明的是，下述實施方式沿用了前述實施方式的元件符號與部分內容，其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式，下述實施方式不再重複贅述。
圖12是依照本發明的另一實施方式的轉置頭的上視示意圖。請同時參照圖12及圖2，圖12的轉置頭30與圖2的轉置頭10相似，因此以下將僅針對彼此之間的主要差異進行說明。
請參照圖12，轉置頭30除了包括用以配置第一電壓V1的第一電極110及用以配置第二電壓V2的第二電極120外，更包括第三電極310。在本實施方式中，第三電極310用以配置第三電壓V3，其中第三電壓V3與第二電壓V2之間具有電壓差，且第三電壓V3不同於第一電壓V1及第二電壓V2。也就是說，第一電極110、第二電極120及第三電極310電性連接於不相同的電壓源。在一實施方式中，第三電壓V3大於第二電壓V2，第一電壓V1大於第二電壓V2，且第三電壓V3大於第一電壓V1。進一步而言，由於第一電壓V1與第二電壓V2之間具有電壓差且第三電壓V3與第二電壓V2之間具有電壓差，當第一電極110被施加第一電壓V1、第二電極120被施加第二電壓V2且第三電極310被施加第三電壓V3時，第一電極110與第二電極120之間會形成橫向電場且第二電極120與第三電極310之間會形成橫向電場。
另外，在本實施方式中，驅動電路130除了電性連接於第一電極110及第二電極120外，更電性連接於第三電極310，以將第三電壓V3施加於第三電極310。
在前述轉置頭10、30中，驅動電路130為被動式驅動電路，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，轉置頭中的驅動電路也可以是主動式驅動電路。
以下，將參照圖13及圖14針對其他的實施型態進行說明。在此必須說明的是，下述實施方式沿用了前述實施方式的元件符號與部分內容，其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式，下述實施方式不再重複贅述。
圖13是依照本發明的另一實施方式的轉置頭的剖面示意圖。圖14是圖13的轉置頭的上視示意圖。圖13的剖面位置可對應於圖14之剖面線I-I’的位置。圖13及圖14的轉置頭40與上述圖1及圖2的轉置頭10相似，因此以下將僅針對彼此之間的主要差異進行說明。
請同時參照圖13及圖14，轉置頭40所包括的驅動電路410配置於基板100上，且電性連接於第一電極110及第二電極120，以將外部訊號（例如第一電壓V1、第二電壓V2）電性連接於第一電極110及第二電極120。
如圖14所示，在本實施方式中，驅動電路410可包括掃描線SL、資料線DL、共通線CL及電晶體T，其中電晶體T電性連接於掃描線SL、資料線DL及第一電極110以作為開關元件，以及共通線CL電性連接於第二電極120以提供第二電壓V2。也就是說，在本實施方式中，驅動電路410例如是主動元件陣列層，其可以是任何所屬領域中具有通常知識者所周知的用於顯示裝置中的任一種主動元件陣列層。詳細而言，在本實施方式中，電晶體T例如是頂部或底部閘極型薄膜電晶體，其可包括閘極、通道層、源極與汲極。另外，在本實施方式中，掃描線SL的延伸方向與資料線DL的延伸方向不相同，且掃描線SL與資料線DL可位於不相同的膜層。當然，驅動電路410並不以圖12中所繪者為限，任何所屬領域中具有通常知識者應可理解，驅動電路410還可更包括電容器、連接墊、訊號線及絕緣層等構件。從另一觀點而言，在本實施方式中，驅動電路410是主動式驅動電路。
另外，由於驅動電路410可以是任何所屬領域中具有通常知識者所周知的用於顯示裝置中的任一種主動元件陣列層，且第一電極110及第二電極120實質上設置於同一平面上，故轉置頭40具有類似於共平面轉換（In-Plane Switching，IPS）的設計，藉此使得轉置頭40的製作能與現有顯示裝置的製程相容。
值得說明的是，基於圖1及圖2的實施方式可知，由於轉置面140a無須設置任何圖案化結構，因此與具有多個轉置凸塊的習知轉置裝置相比，本實施方式的轉置頭40可在應用於巨量轉置製程時達成良好製程良率及操作精度。
進一步，基於圖1及圖2的實施方式可知，透過第一電極110及第二電極120的最頂點T與基板100的頂表面S之間的距離A和轉置面140a與基板100的頂表面S之間的距離B滿足以下關係式：1＞A/B≧0.1，當利用轉置頭40來轉置微型發光二極體時，轉置頭40能夠在低的操作電壓驅動下即在第一電極110及第二電極120間獲得均勻分布於彈性體140中的橫向電場。如此一來，彈性體140會因所述橫向電場的作用而造成對應的轉置面140a呈現凹凸不平狀，使得黏接於轉置面140a上的微型發光二極體會自彈性體140脫離，藉此不但能有效達成轉置功能，還提升轉置頭40的應用性、便利性與產品競爭性。
另外，由於驅動電路410是主動式驅動電路，其具有作為開關元件的電晶體T，因此基於圖10A至圖10C的內容可知，透過電晶體T的控制，轉置頭40能夠選擇性地轉置微型發光二極體M1及微型發光二極體M2中的一者，如圖15所示。也就是說，當利用包括主動式驅動電路410的轉置頭40來轉置微型發光二極體時，選擇性地轉置特定的微型發光二極體。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、30、40‧‧‧轉置頭
100‧‧‧基板
110‧‧‧第一電極
120‧‧‧第二電極
130、410‧‧‧驅動電路
140‧‧‧彈性體
140a‧‧‧轉置面
200‧‧‧轉置裝置
210‧‧‧承載器
A、B‧‧‧距離
C1、C2‧‧‧接點
CL‧‧‧共通線
DL‧‧‧資料線
E1‧‧‧第一電極結構
E2‧‧‧第二電極結構
E1a、E2a‧‧‧電極結構頂表面
E1b、E2b‧‧‧電極結構底表面
M1、M2‧‧‧微型發光二極體
P1‧‧‧第一凸塊
P2‧‧‧第二凸塊
S1‧‧‧承載基板
S2‧‧‧接收基板
SL‧‧‧掃描線
T‧‧‧電晶體
V1‧‧‧第一電壓
V2‧‧‧第二電壓
X‧‧‧橫向電場
圖1是依照本發明的一實施方式的轉置頭的剖面示意圖。 圖2是圖1的轉置頭的上視示意圖。 圖3A、圖3B、圖3C及圖3D分別是電極的變化實施方式的上視示意圖。 圖4A、圖4B及圖4C分別是電極結構的變化實施方式的剖面示意圖。 圖5A及圖5B分別是電極結構的變化實施方式的剖面示意圖。圖6A及圖6B分別是驅動電路的變化實施方式的上視示意圖。 圖7是圖1的轉置頭之操作電壓對電極結構之電極結構頂表面的面積與電極結構底表面的面積的比值的模擬關係圖。 圖8是圖1的轉置頭之操作電壓對距離A與距離B的比值的模擬關係圖。 圖9是圖1的轉置頭之穿透率對距離A與距離B的比值的模擬關係圖。 圖10A至圖10C是利用圖1的轉置頭轉置微型發光二極體的方法的剖面示意圖。 圖11是依照本發明的一實施方式的轉置裝置的剖面示意圖。 圖12是依照本發明的另一實施方式的轉置頭的上視示意圖。 圖13是依照本發明的另一實施方式的轉置頭的剖面示意圖。 圖14是圖13的轉置頭的上視示意圖。 圖15是利用圖13的轉置頭轉置微型發光二極體的方法的一階段的剖面示意圖。
Claims (10)
- 一種轉置頭，包括： 一基板，具有一頂表面； 一第一電極，配置於該基板上； 一第二電極，配置於該基板上且與該第一電極結構上分離； 一驅動電路，配置於該基板上且電性連接於該第一電極及該第二電極；以及 一彈性體，配置於該基板上且覆蓋該第一電極及該第二電極，其中該第一電極與該第二電極中的至少一者具有一最頂點，該最頂點與該基板的該頂表面之間的距離為A，該彈性體具有一轉置面，該轉置面與該基板的該頂表面之間的距離為B，且1＞A/B≧0.1。
- 如申請專利範圍第1項所述的轉置頭，其中該第一電極用以配置一第一電壓，該第二電極用以配置一第二電壓，該第一電壓與該第二電壓之間具有電壓差。
- 如申請專利範圍第1項所述的轉置頭，其中該驅動電路為主動式驅動電路或被動式驅動電路。
- 如申請專利範圍第1項所述的轉置頭，更包括： 一第一凸塊，配置於該基板上；以及 一第二凸塊，配置於該基板上且與該第一凸塊彼此分離，其中該第一電極至少覆蓋該第一凸塊的頂表面，該第二電極至少覆蓋該第二凸塊的頂表面。
- 如申請專利範圍第4項所述的轉置頭，其中該第一電極更覆蓋該第一凸塊的側表面，該第二電極更覆蓋該第二凸塊的側表面。
- 如申請專利範圍第5項所述的轉置頭，其中該第一電極與該第一凸塊構成一第一電極結構，該第二電極與該第二凸塊構成一第二電極結構，且該第一電極結構與該第二電極結構中的至少一者具有彼此相對的電極結構頂表面及電極結構底表面，其中所述電極結構頂表面的面積與所述電極結構底表面的面積的比值大於0.6。
- 如申請專利範圍第1項所述的轉置頭，其中該第一電極及該第二電極的形狀包括條狀、鋸齒狀、波浪條狀或梯狀。
- 如申請專利範圍第1項所述的轉置頭，其中該基板的邊緣突出於該彈性體的邊緣。
- 一種轉置裝置，包括： 如申請專利範圍第1項至第8項中的任一項所述的轉置頭；以及 承載器，用以承載該轉置頭並與該轉置頭電性連接。
- 如申請專利範圍第9項所述的轉置裝置，其中該轉置頭包括一第一接點，該承載器包括一第二接點，且該第一接點與該第二接點接觸以使該承載器與該轉置頭電性連接。
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