JP2009260389A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、複数の第1の電極14上から第1の樹脂層20上に至るように形成された、複数でn1個の第1の配線28と、複数の第2の電極16上から第2の樹脂層22上に至るように形成された、複数でn2個(n2<n1)の第2の配線30と、を有する。第1の樹脂層20と第2の樹脂層22は、同じ材料からなり、同じ幅を以て長手方向に延びる形状をなす。第1の配線28は、第1の樹脂層20の長手軸に交差するように延び、第1の樹脂層20上で第1の幅W1を有する。第2の配線30は、第2の樹脂層22の長手軸に交差するように延び、第2の樹脂層22上で第2の幅W2(W1<W2)を有する。W1×n1=W2×n2の関係を有する。
【選択図】図1
Description
集積回路が形成された半導体基板と、
前記集積回路に電気的に接続されるように前記半導体基板に形成された、複数の第1の電極及び複数の第2の電極と、
前記半導体基板の面の、中心を通る直線によって2分割された第1及び第2の領域のうち前記第1の領域に配置された少なくとも1つの第1の樹脂層と、
前記第2の領域に配置された少なくとも1つの第2の樹脂層と、
前記複数の第1の電極上から前記第1の樹脂層上に至るように形成された、複数でn1個の第1の配線と、
前記複数の第2の電極上から前記第2の樹脂層上に至るように形成された、複数でn2個(n2<n1)の第2の配線と、
を有し、
前記第1の樹脂層と前記第2の樹脂層は、同じ材料からなり、同じ幅を以て長手方向に延びる形状をなし、
それぞれの前記第1の配線は、前記第1の樹脂層の長手軸に交差するように延び、前記第1の樹脂層上で第1の幅W1を有し、
それぞれの前記第2の配線は、前記第2の樹脂層の長手軸に交差するように延び、前記第2の樹脂層上で第2の幅W2(W1<W2)を有し、
W1×n1=W2×n2の関係を有する。本発明によれば、第1の樹脂層及び複数の第
1の配線からなる端子の数(n1)が、第2の樹脂層及び複数の第2の配線からなる端子の数(n2)よりも多くなっているが、第1の幅W1が第2の幅W2よりも小さく、W1×n1=W2×n2の関係を有するので、第1及び第2の樹脂層のつぶれる量の差を小さくすることができる。
前記複数の第1の配線は、隣同士の間隔をあけて前記第1の樹脂層の、前記半導体基板とは反対を向く上面に形成され、
前記複数の第2の配線は、隣同士の間隔をあけて前記第2の樹脂層の、前記半導体基板とは反対を向く上面に形成され、
前記第1の樹脂層の前記上面は、隣同士の前記第1の配線の間の領域が、前記第1の配線の直下の領域よりも、前記半導体基板に近くなるように形成され、
前記第2の樹脂層の前記上面は、隣同士の前記第2の配線の間の領域が、前記第2の配線の直下の領域よりも、前記半導体基板に近くなるように形成されていてもよい。
前記第1の樹脂層は、前記上面よりも下面が広くなるように形成され、
前記第2の樹脂層は、前記上面よりも下面が広くなるように形成されていてもよい。
前記半導体基板は矩形をなし、
前記第1の樹脂層は、前記矩形の全辺のうち第1の辺に最も近い位置に配置され、
前記第2の樹脂層は、前記矩形の全辺のうち前記第1の辺に対向する第2の辺に最も近い位置に配置されていてもよい。
半導体装置であって、
集積回路が形成された半導体基板と、
前記集積回路に電気的に接続されるように前記半導体基板に形成された、複数の第1の電極及び複数の第2の電極と、
前記半導体基板の面の、中心を通る直線によって2分割された第1及び第2の領域のうち前記第1の領域に配置された少なくとも1つの第1の樹脂層と、
前記第2の領域に配置された少なくとも1つの第2の樹脂層と、
前記複数の第1の電極上から前記第1の樹脂層上に至るように形成された、複数でn1個の第1の配線と、
前記複数の第2の電極上から前記第2の樹脂層上に至るように形成された、複数でn2個(n2<n1)の第2の配線と、
を有し、
前記第1の樹脂層と前記第2の樹脂層は、同じ材料からなり、同じ幅を以て長手方向に延びる形状をなし、
それぞれの前記第1の配線は、前記第1の樹脂層の長手軸に交差するように延び、前記第1の樹脂層上で第1の幅W1を有し、
それぞれの前記第2の配線は、前記第2の樹脂層の長手軸に交差するように延び、前記第2の樹脂層上で第2の幅W2(W1<W2)を有し、W1×n1=W2×n2の関係を有する半導体装置と、
前記半導体装置が搭載され、前記複数の第1の配線及び前記複数の第2の配線と対向して電気的に接続する配線パターンが形成された回路基板と、
前記半導体装置と前記回路基板の間に介在する接着剤と、
を有する。本発明によれば、第1の樹脂層及び複数の第1の配線からなる端子の数(n1)が、第2の樹脂層及び複数の第2の配線からなる端子の数(n2)よりも多くなっているが、第1の幅W1が第2の幅W2よりも小さく、W1×n1=W2×n2の関係を有するので、第1及び第2の樹脂層のつぶれる量の差を小さくすることができる。
前記第1の樹脂層及び前記第2の樹脂層は、前記半導体装置及び前記回路基板の対向方
向に圧縮された状態で配置されていてもよい。
前記複数の第1の配線は、隣同士の間隔をあけて前記第1の樹脂層の、前記半導体基板とは反対を向く上面に形成され、
前記複数の第2の配線は、隣同士の間隔をあけて前記第2の樹脂層の、前記半導体基板とは反対を向く上面に形成され、
前記第1の樹脂層の前記上面は、隣同士の前記第1の配線の間の領域が、前記第1の配線の直下の領域よりも、前記半導体基板に近くなるように形成され、
前記第2の樹脂層の前記上面は、隣同士の前記第2の配線の間の領域が、前記第2の配線の直下の領域よりも、前記半導体基板に近くなるように形成され、
隣同士の前記第1の配線の間の前記領域及び隣同士の前記第2の配線の間の前記領域は、前記回路基板に接触しなくてもよい。
半導体装置であって、
集積回路が形成された半導体基板と、
前記集積回路に電気的に接続されるように前記半導体基板に形成された、複数の第1の電極及び複数の第2の電極と、
前記半導体基板の面の、中心を通る直線によって2分割された第1及び第2の領域のうち前記第1の領域に配置された少なくとも1つの第1の樹脂層と、
前記第2の領域に配置された少なくとも1つの第2の樹脂層と、
前記複数の第1の電極上から前記第1の樹脂層上に至るように形成された、複数でn1個の第1の配線と、
前記複数の第2の電極上から前記第2の樹脂層上に至るように形成された、複数でn2個(n2<n1)の第2の配線と、
を有し、
前記第1の樹脂層と前記第2の樹脂層は、同じ材料からなり、同じ幅を以て長手方向に延びる形状をなし、
それぞれの前記第1の配線は、前記第1の樹脂層の長手軸に交差するように延び、前記第1の樹脂層上で第1の幅W1を有し、
それぞれの前記第2の配線は、前記第2の樹脂層の長手軸に交差するように延び、前記第2の樹脂層上で第2の幅W2(W1<W2)を有し、
W1×n1=W2×n2の関係を有する半導体装置を、配線パターンが形成された回路基板に搭載し、前記複数の第1の配線及び前記複数の第2の配線と前記配線パターンを対向させて電気的に接続する工程と、
前記半導体装置と前記回路基板を接着剤で接着する工程と、
を有する。本発明によれば、第1の樹脂層及び複数の第1の配線からなる端子の数(n1)が、第2の樹脂層及び複数の第2の配線からなる端子の数(n2)よりも多くなっているが、第1の幅W1が第2の幅W2よりも小さく、W1×n1=W2×n2の関係を有するので、第1及び第2の樹脂層のつぶれる量の差を小さくすることができる。
前記半導体装置を前記回路基板に搭載するときに、前記第1の樹脂層及び前記第2の樹脂層を、前記半導体装置及び前記回路基板の対向方向に圧縮し、
前記接着剤で接着する工程で、前記第1の樹脂層及び前記第2の樹脂層が圧縮された状態で、前記接着剤を硬化させてもよい。
Claims (3)
- 集積回路が形成された半導体基板と、
前記集積回路に電気的に接続されるように前記半導体基板に形成された、複数の第1の電極及び複数の第2の電極と、
前記半導体基板の面の、中心を通る直線によって2分割された第1及び第2の領域のうち前記第1の領域に配置された少なくとも1つの第1の樹脂突起と、
前記第2の領域に配置された少なくとも1つの第2の樹脂突起と、
前記複数の第1の電極上から前記第1の樹脂突起上に至るように形成された、複数でn1個の第1の配線と、
前記複数の第2の電極上から前記第2の樹脂突起上に至るように形成された、複数でn2個(n2<n1)の第2の配線と、
を有し、
前記第1の樹脂突起と前記第2の樹脂突起は、同じ材料からなり、同じ幅を以て長手方向に延びる形状をなし、
それぞれの前記第1の配線は、前記第1の樹脂突起の長手軸に交差するように延び、前記第1の樹脂突起上で第1の幅W1を有し、
それぞれの前記第2の配線は、前記第2の樹脂突起の長手軸に交差するように延び、前記第2の樹脂突起上で第2の幅W2(W1<W2)を有し、
W1×n1=W2×n2の関係を有し、
前記第1の電極は、少なくとも前記第2の領域に配置されている半導体装置。 - 請求項1に記載された半導体装置において、
前記複数の第1の配線は、隣同士の間隔をあけて前記第1の樹脂突起の、前記半導体基板とは反対を向く上面に形成され、
前記複数の第2の配線は、隣同士の間隔をあけて前記第2の樹脂突起の、前記半導体基板とは反対を向く上面に形成され、
前記第1の樹脂突起の前記上面は、隣同士の前記第1の配線の間の領域が、前記第1の配線の直下の領域よりも、前記半導体基板に近くなるように形成され、
前記第2の樹脂突起の前記上面は、隣同士の前記第2の配線の間の領域が、前記第2の配線の直下の領域よりも、前記半導体基板に近くなるように形成されている半導体装置。 - 請求項1又は2に記載された半導体装置において、
前記第1の樹脂突起は、前記上面よりも下面が広くなるように形成され、
前記第2の樹脂突起は、前記上面よりも下面が広くなるように形成されている半導体装置。
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