TWI811754B

TWI811754B - 顯示裝置

Info

Publication number: TWI811754B
Application number: TW110128701A
Authority: TW
Inventors: 馮玟菲; 蔡正曄; 楊文瑋
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2021-08-04
Filing date: 2021-08-04
Publication date: 2023-08-11
Also published as: TW202308192A

Abstract

一種顯示裝置，包括：電路基板、多個發光元件、多個隔離結構、色轉換層以及布拉格反射層。多個發光元件位於電路基板上。多個隔離結構分別位於多個發光元件之間。色轉換層位於多個發光元件中的第一發光元件上，且位於隔離結構之間。布拉格反射層位於色轉換層上。第一發光元件發第一色光，色轉換層將第一色光轉為第二色光，第二色光不同於第一色光，且布拉格反射層反射第一色光。

Description

顯示裝置

本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種具有良好的全彩化顯示效果的顯示裝置。

微型發光二極體（Micro-LED）顯示裝置具有省電、高效率、高亮度及反應時間快等優點。由於微型發光二極體的尺寸極小，目前其實現全彩化的方式是藉由隔離結構（Bank）來分隔各個微型發光二極體，並將色轉換材料填充於隔離結構中覆蓋需要進行光色轉換的微型發光二極體，以讓微型發光二極體所發出的光色轉換成不同的光色。

然而，由於隔離結構的高度受材料特性限制，導致色轉換材料覆蓋厚度不足，而無法得到完全的光色轉換，造成微型發光二極體顯示裝置的全彩化顯示效果不佳。

本發明提供一種顯示裝置，具有改善的全彩化顯示效果。

本發明的一個實施例提出一種顯示裝置，包括：電路基板；多個發光元件，位於電路基板上；多個隔離結構，位於多個發光元件之間；第一色轉換層，位於多個發光元件中的第一發光元件上，且位於隔離結構之間；以及布拉格反射層，位於第一色轉換層上，其中第一發光元件發第一色光，第一色轉換層將第一色光轉為第二色光，第二色光不同於第一色光，且布拉格反射層反射第一色光。

在本發明的一實施例中，上述的多個發光元件中的第二發光元件發所述第一色光，所述多個發光元件中的第三發光元件發第三色光，且所述第三色光不同於所述第一色光及所述第二色光。

在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置還包括第一光學層，位於所述第二發光元件上，且位於所述隔離結構之間。

在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置還包括第二光學層，位於所述第三發光元件上，且位於所述隔離結構之間。

在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置還包括第三光學層，位於所述第二發光元件及所述第三發光元件上，且位於所述第一色轉換層與所述布拉格反射層之間。

在本發明的一實施例中，上述的第三光學層包括圓弧形結構，且所述圓弧形結構位於所述第一色轉換層與所述布拉格反射層之間。在本發明的一實施例中，上述的布拉格反射層具有圓弧形剖面輪廓。

在本發明的一實施例中，上述的多個發光元件中的第二發光元件及第三發光元件發所述第一色光。

在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置還包括第二色轉換層，位於所述第二發光元件上，且所述第二色轉換層將所述第一色光轉為第三色光，且所述第三色光不同於所述第一色光及所述第二色光。

在本發明的一實施例中，上述的布拉格反射層位於所述第一色轉換層及所述第二色轉換層上。

在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置還包括第四光學層，位於所述第三發光元件上，且位於所述隔離結構之間。

在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置還包括第五光學層，位於所述第三發光元件上，且位於所述第一色轉換層及所述第二色轉換層與所述布拉格反射層之間。

在本發明的一實施例中，上述的第五光學層包括多個圓弧形結構，且所述多個圓弧形結構分別位於所述第一色轉換層及所述第二色轉換層與所述布拉格反射層之間。在本發明的一實施例中，上述的布拉格反射層具有圓弧形剖面輪廓。

在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置還包括遮光結構，位於所述隔離結構上，且所述遮光結構於所述電路基板的正投影重疊所述隔離結構於所述電路基板的正投影。

在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置還包括彩色濾光結構，位於所述遮光結構之間。

在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置還包括平坦層，位於所述彩色濾光結構及所述遮光結構與所述布拉格反射層之間。

在本發明的一實施例中，上述的布拉格反射層包括交疊的多個低折射率層及多個高折射率層，且最下方的所述低折射率層位於最下方的所述高折射率層與所述第一色轉換層之間。

在本發明的一實施例中，上述的低折射率層的折射率小於1.7，且所述高折射率層的折射率大於1.7。

在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置還包括抗反射層，位於所述布拉格反射層及所述隔離結構上。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是依照本發明一實施例的顯示裝置10的局部剖面示意圖。請參照圖1，顯示裝置10包括：電路基板110；多個發光元件120，位於電路基板110上；多個隔離結構130，分別位於多個發光元件120之間；色轉換層141，位於多個發光元件120中的發光元件121上，且位於隔離結構130之間；以及布拉格反射層（Distributed Bragg Reflector，DBR）150，位於色轉換層141上，其中發光元件121發第一色光，色轉換層141將第一色光轉為不同於第一色光的色光，且布拉格反射層150反射第一色光。

在本發明的一實施例的顯示裝置10中，藉由設置布拉格反射層150來控制特定波段全穿透或全反射以進行濾光，可確保顯示裝置10的色光轉換完全，且全反射的波段可再次進行光色轉換以增加光強，從而改善顯示裝置10的全彩化顯示效果。

在本實施例中，電路基板110中可以設置顯示裝置10需要的元件或線路，例如驅動元件、開關元件、儲存電容、電源線、驅動訊號線、時序訊號線、電流補償線、檢測訊號線等等。另外，電路基板110還可以包括位於其表面上的多個接墊，且此些接墊可用於電性連接電路基板110中設置的元件或線路與電路基板110外部的元件或線路，例如發光元件120。

多個發光元件120例如是於生長基板上製造後，透過巨量轉移製程轉置於電路基板110上，並分別透過例如銲料或導電膠電性連接至例如電路基板110上的多個接墊。在本實施例中，發光元件120可以是微型發光二極體（Micro-LED）。

隔離結構130可以設置在相鄰的發光元件120之間。舉例而言，隔離結構130可以包括多個條狀結構，多個條狀結構可以相互交叉而形成多個容置空間HS，每一容置空間HS中可以設置一個發光元件120，且各容置空間HS中還可以視需要設置色轉換層或光學層。

色轉換層141可以依據需要包括螢光材料、量子點（QD）或性質類似的波長轉換材料，例如矽酸鹽類、矽氮化物類、硫化物類、量子點類或石榴石類等，以讓發光元件121所發出的色光轉換成所需色彩的光線。舉例而言，在本實施例中，發光元件120可以包括發光元件121、發光元件122以及發光元件123，其中發光元件121及發光元件122可以皆為藍色發光二極體，且發光元件123可以是綠色發光二極體，也就是說，發光元件121及發光元件122皆發射藍色光，且發光元件123發射綠色光。在此情況下，可以利用色轉換層141來將發光元件121發射的藍色光轉換為紅色光，使得發光元件121、發光元件122以及發光元件123能夠構成一個全彩化的像素。

布拉格反射層150位於色轉換層141上，且可使不同波段的光全穿透或全反射。舉例而言，在本實施例中，布拉格反射層150可以使波長500 nm以下的光全反射，同時可使波長500 nm以上的光全穿透。如此一來，穿過色轉換層141卻未被轉換成紅色光的藍色光（波長450-495 nm）可被布拉格反射層150全反射，以再次穿過色轉換層141重新進行光色轉換。另外，經色轉換層141轉換而出的紅色光可全穿透布拉格反射層150。

布拉格反射層150可以包括交疊的多個低折射率層151及多個高折射率層152，其中低折射率層151及高折射率層152依序交替疊置於色轉換層141上，最下方的低折射率層151可位於最下方的高折射率層152與色轉換層141之間，且低折射率層151的折射率小於高折射率層152的折射率。舉例而言，在本實施例中，低折射率層151的折射率可以小於1.7，例如1.5或1.6，且高折射率層152的折射率可以大於1.7，例如1.8或2.1。

多個低折射率層151及多個高折射率層152的總層數並無特殊限制，在本實施例中，多個低折射率層151及多個高折射率層152的總層數為8層，但不以此為限。在一些實施例中，多個低折射率層151及多個高折射率層152的總層數可以是6層、10層或更多層。在一些實施例中，低折射率層151的材質可以包括低折射率光學薄膜材料，例如SiO ₂、MgF ₂等。在一些實施例中，高折射率層152的材質可以包括高折射率光學薄膜材料，例如TiO ₂、SiN _x、Ta ₂O ₅、Zr ₂O ₃等。

在一些實施例中，顯示裝置10還可以包括光學層C1，光學層C1位於發光元件122上，且位於隔離結構130之間。光學層C1的折射率可以小於高折射率層152的折射率，或者光學層C1的折射率可以近似於色轉換層141的折射率，例如光學層C1的折射率可以介於1.3至1.7之間，以有助於出光。

在一些實施例中，顯示裝置10還可以包括光學層C2，光學層C2位於發光元件123上，且位於隔離結構130之間。光學層C2的折射率可以小於高折射率層152的折射率，或者光學層C2的折射率可以近似於色轉換層141的折射率，例如光學層C2的折射率可以介於1.3至1.7之間，以有助於出光。

在一些實施例中，顯示裝置10還可以包括遮光結構BM，遮光結構BM位於隔離結構130上，且遮光結構130於電路基板110的正投影可以重疊隔離結構130於電路基板110的正投影，以提高發光元件121發出後經色轉換層141轉換的光線、以及發光元件122及發光元件123發出的光線之間的色彩對比度。

以下，使用圖2至圖7繼續說明本發明的其他實施例，並且，沿用圖1的實施例的元件標號與相關內容，其中，採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明，可參考圖1的實施例，在以下的說明中不再重述。

圖2是依照本發明一實施例的顯示裝置20的局部剖面示意圖。請參照圖2，顯示裝置20包括：電路基板110、發光元件120、隔離結構130、色轉換層141、布拉格反射層150以及遮光結構BM。與如圖1所示的顯示裝置10相比，圖2所示的顯示裝置20的不同之處在於：顯示裝置20還包括光學層C3，光學層C3位於發光元件122及發光元件123上，且位於色轉換層141與布拉格反射層150之間。

在本實施例中，光學層C3的折射率可以小於高折射率層152的折射率，或者光學層C3的折射率可以小於或等於色轉換層141的折射率，例如光學層C3的折射率可以介於1.3至1.7之間，以有助於出光。

與顯示裝置10相比，由於光學層C3在沉積步驟完成之後不需再藉由蝕刻步驟來移除高於隔離結構130及色轉換層141的部分，因此可簡化製程步驟。另外，光學層C3位於隔離結構130及色轉換層141上方的部分還可充當平坦層，以利後續膜層形成。

圖3是依照本發明一實施例的顯示裝置30的局部剖面示意圖。請參照圖3，顯示裝置30包括：電路基板110；多個發光元件120A位於電路基板110上；隔離結構130，位於多個發光元件120A之間；色轉換層141、142分別位於多個發光元件120A中的發光元件121、122上，且位於隔離結構130之間；以及布拉格反射層150A，位於色轉換層141、142上，其中發光元件121發藍色光，色轉換層141將藍色光轉為與藍色光顏色不同的紅色光，且布拉格反射層150A反射藍色光。

與如圖1所示的顯示裝置10相比，圖3所示的顯示裝置30的不同之處在於：多個發光元件120A可以包括發光元件121、發光元件122以及發光元件123A，其中發光元件121、發光元件122以及發光元件123A可以皆為藍色發光二極體，也就是說，發光元件121、發光元件122以及發光元件123A皆發藍色光。

在本實施例中，顯示裝置30的色轉換層142位於發光元件122上，且色轉換層142可以將藍色光轉為不同於藍色光及紅色光的綠色光。如此一來，發光元件121、發光元件122以及發光元件123A能夠構成一個全彩化的像素。

布拉格反射層150A位於色轉換層141、142及隔離結構130上，且可使不同波段的光全穿透或全反射。舉例而言，在本實施例中，布拉格反射層150可以使波長495 nm以下的光全反射，同時可使波長495 nm以上的光全穿透。如此一來，穿過色轉換層141或色轉換層142卻未被轉換成紅色光或綠色光的藍色光（波長450-495 nm）可被布拉格反射層150A全反射，以再次穿過色轉換層141或色轉換層142重新進行光色轉換。另外，經色轉換層141或色轉換層142轉換而出的紅色光或綠色光可全穿透布拉格反射層150A。

布拉格反射層150A可以包括交疊的多個低折射率層151A及多個高折射率層152A，其中低折射率層151A及高折射率層152A依序交替疊置於色轉換層141及色轉換層142上，最下方的低折射率層151A可位於最下方的高折射率層152A與色轉換層141及色轉換層142之間，且低折射率層151A的折射率小於高折射率層152A的折射率，例如，低折射率層151A的折射率可以小於1.7，例如1.5或1.6，且高折射率層152A的折射率可以大於1.7，例如1.8或2.1。

在本實施例中，多個低折射率層151A及多個高折射率層152A的總層數可以是例如6層、10層或更多層，可以視需要決定。低折射率層151A的材質可以包括低折射率光學薄膜材料，例如SiO ₂、MgF ₂等，而高折射率層152A的材質可以包括高折射率光學薄膜材料，例如TiO ₂、SiN _x、Ta ₂O ₅、Zr ₂O ₃等。

在本實施例中，顯示裝置30還可以包括光學層C4，光學層C4位於發光元件123A上，且位於隔離結構130之間。光學層C4的折射率可以小於高折射率層152A的折射率，或者光學層C4的折射率可以小於或等於色轉換層141或色轉換層142的折射率，例如光學層C4的折射率可以介於1.3至1.7之間，以利於出光。

顯示裝置30還可以包括遮光結構BM，遮光結構BM位於隔離結構130上，以提高不同色光之間的色彩對比度。在本實施例中，布拉格反射層150A可以一體成形地位於色轉換層141及色轉換層142上，但不以此為限。在一些實施例中，布拉格反射層150A中也可以設置重疊色轉換層141與色轉換層142之間的隔離結構130的遮光結構BM。

圖4是依照本發明一實施例的顯示裝置40的局部剖面示意圖。請參照圖4，顯示裝置40包括：電路基板110、發光元件120A、隔離結構130、色轉換層141、142、布拉格反射層150A以及遮光結構BM。與如圖3所示的顯示裝置30相比，圖4所示的顯示裝置40的不同之處在於：顯示裝置40包括光學層C5，光學層C5位於發光元件123A上，且位於色轉換層141、142與布拉格反射層150A之間。

在本實施例中，光學層C5的折射率可以小於高折射率層152A的折射率，或者光學層C5的折射率可以小於或等於色轉換層141或色轉換層142的折射率，例如光學層C5的折射率可以介於1.3至1.7之間，以利於出光。

與顯示裝置30相比，光學層C5在沉積步驟完成之後不需再藉由蝕刻步驟來移除高於隔離結構130及色轉換層141、142的部分，因此可簡化製程步驟。另外，光學層C5位於隔離結構130及色轉換層141、142上方的部分還可充當平坦層，以利後續膜層形成。

圖5是依照本發明一實施例的顯示裝置50的局部剖面示意圖。請參照圖5，顯示裝置50包括：電路基板110、發光元件120、隔離結構130、色轉換層141、布拉格反射層150B、遮光結構BM以及光學層C6。與如圖2所示的顯示裝置20相比，圖5所示的顯示裝置50的不同之處在於：顯示裝置20的光學層C6包括圓弧形結構AS，且圓弧形結構AS位於色轉換層141與布拉格反射層150B之間。藉由光學層C6的圓弧形結構AS來形成具有圓弧形剖面輪廓的布拉格反射層150B，可使發光元件120發出的光以大致垂直的角度入射布拉格反射層150B，從而避免產生視角差異。

在本實施例中，布拉格反射層150B位於色轉換層141上，且可使不同波段的光全穿透或全反射。舉例而言，在本實施例中，布拉格反射層150B可以使波長500 nm以下的光全反射，同時可使波長500 nm以上的光全穿透。如此一來，穿過色轉換層141卻未被轉換成紅色光的藍色光（波長450-495 nm）可被布拉格反射層150B全反射，以再次穿過色轉換層141重新進行光色轉換。另外，經色轉換層141轉換而出的紅色光可全穿透布拉格反射層150B。

布拉格反射層150B可以包括交疊的多個低折射率層151B及多個高折射率層152B，其中低折射率層151B及高折射率層152B依序交替疊置於色轉換層141上，最下方的低折射率層151B可位於最下方的高折射率層152B與色轉換層141之間，且低折射率層151B的折射率小於高折射率層152B的折射率。舉例而言，在本實施例中，低折射率層151B的折射率可以小於1.7，例如1.5或1.6，且高折射率層152B的折射率可以大於1.7，例如1.8或2.1。

多個低折射率層151B及多個高折射率層152B的總層數並無特殊限制，在本實施例中，多個低折射率層151B及多個高折射率層152B的總層數為8層，但不以此為限。在一些實施例中，多個低折射率層151B及多個高折射率層152B的總層數可以是6層、10層或更多層。在一些實施例中，低折射率層151B的材質可以包括低折射率光學薄膜材料，例如SiO ₂、MgF ₂等。在一些實施例中，高折射率層152B的材質可以包括高折射率光學薄膜材料，例如TiO ₂、SiN _x、Ta ₂O ₅、Zr ₂O ₃等。

圖6是依照本發明一實施例的顯示裝置60的局部剖面示意圖。請參照圖6，顯示裝置60包括：電路基板110、發光元件120A、隔離結構130、色轉換層141、142、布拉格反射層150C、遮光結構BM以及光學層C7。與如圖4所示的顯示裝置40相比，圖6所示的顯示裝置60的不同之處在於：顯示裝置60的光學層C7包括多個圓弧形結構AS1、AS2，且顯示裝置60還包括位於布拉格反射層150C及隔離結構130上的抗反射層AR。

在本實施例中，多個圓弧形結構AS1、AS2分別位於色轉換層141、142與布拉格反射層150C之間。藉由光學層C7的多個圓弧形結構AS1、AS2來形成具有圓弧形剖面輪廓的布拉格反射層150C，可使發光元件120A發出的光以大致垂直的角度入射布拉格反射層150C，從而避免產生視角差異。此外，抗反射層AR可以遮擋布拉格反射層150C的反光，以減少螢幕反射。在一些實施例中，抗反射層AR可以取代遮光結構BM，也就是說，在設置抗反射層AR的情況下可不設置遮光結構BM。

在本實施例中，布拉格反射層150C之間可以設置重疊色轉換層141與色轉換層142之間的隔離結構130的遮光結構BM。在一些實施例中，可以省略色轉換層141與色轉換層142之間的隔離結構130上方的遮光結構BM，使得色轉換層141以及色轉換層142上方的布拉格反射層150C可以一體成型。

布拉格反射層150C位於色轉換層141及色轉換層142上，且可使不同波段的光全穿透或全反射。舉例而言，在本實施例中，布拉格反射層150C可以使波長495 nm以下的光全反射，同時可使波長495 nm以上的光全穿透。如此一來，穿過色轉換層141或色轉換層142卻未被轉換成紅色光或綠色光的藍色光（波長450-495 nm）可被布拉格反射層150C全反射，以再次穿過色轉換層141或色轉換層142重新進行光色轉換。另外，經色轉換層141或色轉換層142轉換而出的紅色光或綠色光可全穿透布拉格反射層150C。

布拉格反射層150C可以包括交疊的多個低折射率層151C及多個高折射率層152C，其中低折射率層151C及高折射率層152C依序交替疊置於色轉換層141及色轉換層142上，最下方的低折射率層151C可位於最下方的高折射率層152C與色轉換層141及色轉換層142之間，且低折射率層151C的折射率小於高折射率層152C的折射率，例如，低折射率層151C的折射率可以小於1.7，例如1.5或1.6，且高折射率層152C的折射率可以大於1.7，例如1.8或2.1。

在本實施例中，多個低折射率層151C及多個高折射率層152C的總層數可以是例如6層、10層或更多層，可以視需要決定。低折射率層151C的材質可以包括低折射率光學薄膜材料，例如SiO ₂、MgF ₂等，而高折射率層152C的材質可以包括高折射率光學薄膜材料，例如TiO ₂、SiN _x、Ta ₂O ₅、Zr ₂O ₃等。

圖7是依照本發明一實施例的顯示裝置70的局部剖面示意圖。請參照圖7，顯示裝置70包括：電路基板110、發光元件120A、隔離結構130、色轉換層141、142、光學層C5、布拉格反射層150A以及遮光結構BM。與如圖4所示的顯示裝置40相比，圖7所示的顯示裝置70的不同之處在於：顯示裝置70還包括平坦層PL、彩色濾光結構CF以及透光蓋板CV。

在本實施例中，透光蓋板CV、彩色濾光結構CF以及遮光結構BM可以構成彩色濾光基板，彩色濾光結構CF以及遮光結構BM可以形成於透光蓋板CV上靠近電路基板110的表面上，且彩色濾光結構CF可以位於遮光結構BM之間。另外，平坦層PL可以位於彩色濾光結構CF以及遮光結構BM與布拉格反射層150A之間，且平坦層PL的折射率較佳小於或等於光學層C5的折射率，或者平坦層PL的折射率小於或等於布拉格反射層150A的低折射率層151A的折射率。藉由疊加布拉格反射層150A以及彩色濾光結構CF，能夠得到亮度增加以及改善色域的效果。

綜上所述，本發明的顯示裝置藉由設置布拉格反射層來控制特定波段的全穿透或全反射而進行濾光，可改善顯示裝置的色域，且全反射的波段可再次進行光色轉換，能夠確保光色轉換完全同時增加光強，使得顯示裝置具有改善的全彩化顯示效果。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、20、30、40、50、60、70:顯示裝置 110:電路基板 120、120A、121、122、123、123A:發光元件 130:隔離結構 141、142:色轉換層 150、150A、150B、150C:布拉格反射層 151、151A、151B、151C:低折射率層 152、152A、152B、152C:高折射率層 AR:抗反射層 AS、AS1、AS2:圓弧形結構 BM:遮光結構 C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7:光學層 CF:彩色濾光結構 CV:透光蓋板 HS:容置空間 PL:平坦層

圖1是依照本發明一實施例的顯示裝置10的局部剖面示意圖。圖2是依照本發明一實施例的顯示裝置20的局部剖面示意圖。圖3是依照本發明一實施例的顯示裝置30的局部剖面示意圖。圖4是依照本發明一實施例的顯示裝置40的局部剖面示意圖。圖5是依照本發明一實施例的顯示裝置50的局部剖面示意圖。圖6是依照本發明一實施例的顯示裝置60的局部剖面示意圖。圖7是依照本發明一實施例的顯示裝置70的局部剖面示意圖。

10:顯示裝置

110:電路基板

120、121、122、123:發光元件

130:隔離結構

141:色轉換層

150:布拉格反射層

151:低折射率層

152:高折射率層

BM:遮光結構

C1、C2:光學層

HS:容置空間

Claims

一種顯示裝置，包括：電路基板；多個發光元件，位於所述電路基板上；多個隔離結構，分別位於所述多個發光元件之間；第一色轉換層，位於所述多個發光元件中的第一發光元件上，且位於所述隔離結構之間；布拉格反射層，位於所述第一色轉換層上，其中所述第一發光元件發第一色光，所述第一色轉換層將所述第一色光轉為第二色光，所述第二色光不同於所述第一色光，且所述布拉格反射層反射所述第一色光，其中所述多個發光元件中的第二發光元件發所述第一色光，所述多個發光元件中的第三發光元件發第三色光，且所述第三色光不同於所述第一色光及所述第二色光；以及第一光學層，位於所述第二發光元件及所述第三發光元件上，且位於所述第一色轉換層與所述布拉格反射層之間，其中所述第一光學層包括圓弧形結構，且所述圓弧形結構位於所述第一色轉換層與所述布拉格反射層之間。
如請求項1所述的顯示裝置，還包括第二光學層，位於所述第二發光元件上，且位於所述隔離結構之間。
如請求項1所述的顯示裝置，還包括第三光學層，位於所述第三發光元件上，且位於所述隔離結構之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述布拉格反射層具有圓弧形剖面輪廓。
一種顯示裝置，包括：電路基板；多個發光元件，位於所述電路基板上；多個隔離結構，分別位於所述多個發光元件之間；第一色轉換層，位於所述多個發光元件中的第一發光元件上，且位於所述隔離結構之間；布拉格反射層，位於所述第一色轉換層上，其中所述第一發光元件發第一色光，所述第一色轉換層將所述第一色光轉為第二色光，所述第二色光不同於所述第一色光，且所述布拉格反射層反射所述第一色光，其中所述多個發光元件中的第二發光元件及第三發光元件發所述第一色光；第二色轉換層，位於所述第二發光元件上，且所述第二色轉換層將所述第一色光轉為第三色光，且所述第三色光不同於所述第一色光及所述第二色光；以及第四光學層，位於所述第三發光元件上，且位於所述第一色轉換層及所述第二色轉換層與所述布拉格反射層之間，其中所述第四光學層包括多個圓弧形結構，且所述多個圓弧形結構分別位於所述第一色轉換層及所述第二色轉換層與所述布拉格反射層之間。
如請求項5所述的顯示裝置，其中所述布拉格反射層位於所述第一色轉換層及所述第二色轉換層上。
如請求項5所述的顯示裝置，還包括第五光學層，位於所述第三發光元件上，且位於所述隔離結構之間。
如請求項5所述的顯示裝置，其中所述布拉格反射層具有圓弧形剖面輪廓。
如請求項1或5所述的顯示裝置，還包括遮光結構，位於所述隔離結構上，且所述遮光結構於所述電路基板的正投影重疊所述隔離結構於所述電路基板的正投影。
如請求項9所述的顯示裝置，還包括彩色濾光結構，位於所述遮光結構之間。
如請求項10所述的顯示裝置，還包括平坦層，位於所述彩色濾光結構及所述遮光結構與所述布拉格反射層之間。
如請求項1或5所述的顯示裝置，其中所述布拉格反射層包括交疊的多個低折射率層及多個高折射率層，且最下方的所述低折射率層位於最下方的所述高折射率層與所述第一色轉換層之間。
如請求項12所述的顯示裝置，其中所述低折射率層的折射率小於1.7，且所述高折射率層的折射率大於1.7。
如請求項1或5所述的顯示裝置，還包括抗反射層，位於所述布拉格反射層及所述隔離結構上。