TW201928931A - 顯示裝置及其光源模組 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種顯示裝置及其光源模組，光源模組包括一發光結構、一光擴散層、一光波長轉換層以及一蓋板，其中發光結構所包括的發光元件都為藍光發光元件，光擴散層、光波長轉換層與蓋板依序設置於發光結構上。藉此，本發明能克服亮度衰減速度不一致所造成的缺陷，並能提高光的顏色轉換效率。

Description

顯示裝置及其光源模組
本發明涉及一種光源模組，特別是涉及一種使用藍光發光元件色彩化的光源模組及應用此光源模組的顯示裝置。
發光二極體(light emitting diode，LED)具備體積小、發光效率高及低耗能等優勢，在顯示裝置朝薄型化、高效化發展的趨勢下，現有的顯示裝置開始採用LED作為替代光源。
現有的顯示裝置中之LED光源一般是將紅、綠、藍三顆LED晶片封裝在一起，通過混合紅、綠、藍光來產生白光。然而，這類的LED光源中，多種LED晶片因為老化衰減不一致，亮度衰減速度不同，所以長期工作會導致色溫偏移。此外，這類的LED光源需要分別對多種晶片供電(三種或三種以上)，因而在驅動電路的設計上較為複雜。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種光源模組及應用此光源模組的顯示裝置。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是：一種光源模組，其包括一發光結構、一光擴散層、一光波長轉換層、一蓋板以及一藍光反射層。所述發光結構包括一基板以及至少三個藍光發光元件，所述基板定義有一第一區域、一與所述第一區域相鄰的第二區域以及一與所述第二區域相鄰的第三區域，且至少三個所述藍光發光元件分別設置在所述第一區域、所述第二區域與所述第三區域內；所述光擴散層設置於所述發光結 構上；所述光波長轉換層設置於所述光擴散層上，其中所述光波長轉換層包括一設置於所述第一區域內的第一轉換層、一設置於所述第二區域內的第二轉換層以及一設置於所述第三區域內的透明層，所述藍光發光元件從所述第一區域所產生的藍光通過所述第一轉換層以轉換為紅光，所述藍光發光元件從所述第二區域所產生的藍光通過所述第二轉換層以轉換為綠光；所述蓋板設置於所述光波長轉換層上；所述藍光反射層設置於所述蓋板上，且覆蓋所述第一轉換層與所述第二轉換層。
在本發明的一實施例中，所述光擴散層的材質為矽氧樹脂，且所述光擴散層中具有光擴散粒子。
在本發明的一實施例中，所述光擴散粒子的含量佔所述光擴散層的總重量的5%至25%，其中，所述光擴散粒子的材質為二氧化鈦，且所述光擴散粒子的粒徑介於20奈米至70奈米之間。
在本發明的一實施例中，所述第一轉換層中具有紅色螢光粉，所述第二轉換層中具有綠色螢光粉，所述透明層的材質為矽氧樹脂。
在本發明的一實施例中，所述蓋板為一玻璃蓋板。
在本發明的一實施例中，所述玻璃蓋板具有一靠近所述光波長轉換層的第一表面以及一相對於所述第一表面的第二表面，且所述藍光反射層形成於所述第一表面上。
在本發明的一實施例中，所述玻璃蓋板具有一靠近所述光波長轉換層的第一表面以及一相對於所述第一表面的第二表面，且所述藍光反射層形成於所述第二表面上。
在本發明的一實施例中，所述藍光發光元件為發光波長介於360奈米及450奈米之間的藍光發光二極體晶片。
在本發明的一實施例中，所述光波長轉換層還包括一第一遮光層以及一第二遮光層，所述第一遮光層設置於所述第一轉換層與所述第二轉換層之間，所述所述第二遮光層設置於所述第二轉 換層與所述透明層之間，且所述第一遮光層與所述第二遮光層構成一黑色矩陣。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是：一種顯示裝置，其包括多個前述光源模組。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的顯示裝置及其光源模組，其能通過“發光結構所包括的發光元件都為藍光發光元件”以及“光擴散層與光波長轉換層依序設置於所述光擴散層上”的技術方案，以達到降低成本與驅動電路的複雜度、避免因亮度衰減幅度不一致所造成的缺陷以及提高顏色轉換效率等功效。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
D‧‧‧顯示裝置
Z1、Z2、Z3‧‧‧光源模組
1‧‧‧發光結構
11‧‧‧基板
111‧‧‧第一區域
112‧‧‧第二區域
113‧‧‧第三區域
12a、12b、12c‧‧‧藍光發光元件
2‧‧‧光擴散層
21‧‧‧透明樹脂
22‧‧‧光擴散粒子
3‧‧‧光波長轉換層
31‧‧‧第一轉換層
32‧‧‧第二轉換層
33‧‧‧透明層
34‧‧‧第一遮光層
35‧‧‧第二遮光層
4‧‧‧蓋板
41‧‧‧第一表面
42‧‧‧第二表面
5‧‧‧藍光反射層
L‧‧‧光學距離
圖1為本發明第一實施例的光源模組的一種實施方式的結構示意圖。
圖2為本發明第一實施例的光源模組中的光擴散層的光效果示意圖。
圖3為本發明第一實施例的光源模組的另一種實施方式的結構示意圖。
圖4為本發明第二實施例的光源模組的一種實施方式的結構示意圖。
圖5為本發明第二實施例的光源模組的另一種實施方式的結構示意圖。
圖6為本發明第二實施例的光源模組中的藍光反射層的光效果示意圖。
圖7為本發明第三實施例的光源模組的結構示意圖。
圖8為根據本發明的顯示裝置的示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“顯示裝置及其光源模組”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應理解，雖然本文中可能使用術語第一、第二、第三等來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
請參閱圖1至圖3，本發明第一實施例提供一種光源模組Z1，其主要包括：一發光結構1、一光擴散層2、一光波長轉換層3及一蓋板4。
如圖1所示，發光結構1包括一基板11及多個藍光發光元件12a~12c。基板11上設有驅動電路(圖中未顯示)，用以施加電力訊號於藍光發光元件12a~12c。藍光發光元件12a~12c設置於基板11上，並電性連接至驅動電路，當藍光發光元件12a~12c接收到電力訊號時即發出藍光。在本實施例中，基板11定義有一第一區域111、一與第一區域111相鄰的第二區域112及一與第二區域112相鄰的第三區域113，分別作為紅光區域、綠光區域及藍光區域，其中第一區域111與第二區域112之間具有一預定距離，第二區域112與第三區域113之間同樣具有一預定距離。
於實務上，基板11可為印刷電路板(PCB)、金屬芯印刷電路板(MCPCB)、金屬印刷電路板(MPCB)或軟性印刷電路板(FPC)等，但並不限制於此。藍光發光元件12a~12c可為發光波長介於360奈米及450奈米之間的藍光發光二極體晶片，且可利用COB(Chip on Board)方式直接安裝於基板11上，但並不限制於此。雖然在本實施例中，發光結構1所包括的藍光發光元件12a~12c的數量為三個，但是在其他實施例中，發光結構1所包括的藍光發光元件12a~12c的數量也可為三個以上，舉例來說，為了滿足不同的亮度需求，可以在基板11的第一、第二和第三區域111、112、113內分別設置兩個藍光發光元件12a~12c。
值得一提的是，由於發光結構1所包括的發光元件均採用市場上常見且價格相對較便宜的藍光發光二極體晶片，因此能降低成本與驅動電路的複雜度，且不會有亮度衰減幅度及驅動電壓不一致所造成的缺陷。
如圖1及圖2所示，光擴散層2堆疊於發光結構1上，用以將從藍光發光元件12a~12c發射出的光線均勻分散。光擴散層2的組成包括一透明樹脂21及散佈於透明樹脂21中的光擴散粒子22，具體來說，光擴散層2是通過將光擴散粒子22混入透明樹脂21而形成。雖然在本實施例中，光擴散層2是緊鄰於藍光發光元件12a~12c，但是在其他實施例中，如圖3所示，也可將光擴散層2設置於發光結構1的上方，且位於藍光發光元件12a~12c的出光路徑上，以使光擴散層2與藍光發光元件12a~12c之間具有一預定光學距離L。
透明樹脂21的材料沒有特別限制，例如可舉出：環氧樹脂(epoxy)、矽氧樹脂(silicone)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、丙烯酸酯-苯乙烯共聚物(methacrylate-styrene copolymer，MS)、聚苯乙烯(polystyrene，PS)、聚對苯二甲酸二乙酯(polethylen eterephthalate， PET)等。光擴散粒子22可為有機粒子、無機粒子或其組合，前述有機粒子沒有特別限制，例如可舉出：聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、矽氧樹脂、聚對苯二甲酸二乙酯、聚醯胺(polyamide，PA)等，前述無機粒子沒有特別限制，例如可舉出：氧化鋅(ZnO)、二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鋁(Al2O3)、硫化鋅(ZnS)、硫酸鋇(BaSO4)。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
在本實施例中，光擴散層2的厚度的優選範圍在0.1毫米至0.6毫米之間，且光擴散層2所含透明樹脂21的材質優選為矽氧樹脂。光擴散粒子22的含量優選為佔光擴散層2總重量的5%至25%，光擴散粒子22的材質優選為二氧化鈦，且光擴散粒子22的粒徑的優選範圍在20奈米至70奈米之間。然而，本發明對於光擴散粒子22的形狀沒有特別限制。
光波長轉換層3堆疊於光擴散層2上，光波長轉換層3包括一第一轉換層31、一第二轉換層32及一透明層33，其中第一轉換層31設置於第一區域111內，用以將藍光發光元件12a發出的藍光轉換為紅光，第二轉換層32設置於第二區域112內，用以將藍光發光元件12b發出的藍光轉換為綠光，透明層33設置於第三區域113內，用以透射藍光發光元件12c發出的藍光。據此，能於第一、第二和第三區域111、112、113分別產生紅色、綠色和藍色分量而輸出白光。
在本實施例中，第一轉換層31中具有紅色螢光粉，第二轉換層32中具有綠色螢光粉，透明層33的材質為矽氧樹脂，但並不限制於此。例如，第一轉換層31中可具有能受藍光激發而產生紅光的量子點、磷光體或其他波長轉換材料，第二轉換層32中可具有能受藍光激發而產生綠光的量子點、磷光體或其他波長轉換材料，透明層33的材質可為其他前面所提到的透明樹脂。
值得一提的是，由於從藍光發光元件12a~12c發射出的光線 在進入到光波長轉換層3之前，先通過光擴散層2均勻散射而使得光能量密度降低，因此，能減少波長轉換材料(如：紅色螢光粉、綠色螢光粉等)的用量比例，並能提高顏色轉換效率。
如圖1所示，蓋板4堆疊於光波長轉換層3上，用以保護內側的發光結構1、光擴散層2與光波長轉換層3，避免此等元件受到擠壓損壞，並將所得的白光均勻向外出射。在本實施例中，蓋板4為一玻璃蓋板，且其厚度介於0.1微米至2微米之間，但是在其他實施例中，蓋板4也可為一高度透光性的塑膠蓋板，且其厚度可根據實際需要而改變。前述高度透光性的塑膠蓋板的材料沒有特別限制，例如可舉出：聚乙烯、聚碳酸酯)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸二乙酯等。
[第二實施例]
請參閱圖4至圖6，本發明第二實施例提供一種光源模組Z2，其主要包括：一發光結構1、一光擴散層2、一光波長轉換層3、一蓋板4及一藍光反射層5。關於發光結構1、光擴散層2、光波長轉換層3與蓋板4的技術細節與具體實施方式，可以參考第一實施例所述的內容，於此不再詳細贅述。
在本實施例中，蓋板4上可進一步形成有一藍光反射層5，且藍光反射層5相對於發光結構1的涵蓋範圍包括第一和第二區域111、112，用以將從第一區域111入射的藍光全部反射而只讓紅光通過，並將從第二區域112入射的藍光全部反射而只讓綠光通過，同時導引第一和第二區域111、112內經反射的藍光從第三區域113出射，以提高紅光、綠光和藍光的色採純淨度與顏色轉換效率。更進一步來說，如圖4及圖5所示，蓋板4具有一靠近光波長轉換層3的第一表面41及一相對於第一表面41的第二表面42，藍光反射層5可以設置於第一表面41或第二表面42上，且覆蓋第一轉換層31與第二轉換層32。
藍光反射層5可為一布拉格反射鏡層(Distributed Bragg Reflector，DBR)，舉例來說，藍光反射層5可由多個第一氧化物層與多個第二氧化物層相互堆疊而形成，其中第一氧化物層與第二氧化物層具有不同的折射率。前述第一氧化物層的材料沒有特別限制，例如可以是二氧化矽，前述第二氧化物層的材料沒有特別限制，例如可以是二氧化鈦或五氧化二铌(Nb2O5)。
[第三實施例]
請參閱圖7，本發明第三實施例提供一種光源模組Z3，其構成要件與第二實施例所述大致相同，主要的差異在於：光波長轉換層還包括一第一遮光層34及一第二遮光層35，且第一遮光層34與第二遮光層35構成一黑色矩陣。其中，第一遮光層34設置於第一轉換層31與第二轉換層32之間，用以防止通過第一轉換層31產生的紅光與通過第二轉換層32產生的綠光發生非預期的混光。第二遮光層35設置於第二轉換層32與透明層33之間，用以防止通過第二轉換層32產生的綠光與穿過透明層33的藍光發生非預期的混光。
請參閱圖8，前述所提供的光源模組Z1~Z3均可以應用在一顯示裝置D(如：LED顯示裝置)中。舉例來說，顯示裝置D可包括一定數量的光源模組Z1，且此等光源模組Z1可以排成矩形陣列，但並不限制於此。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的光源模組，其能通過“發光結構所包括的發光元件都為藍光發光元件”以及“光擴散層與光波長轉換層依序設置於所述光擴散層上”的技術方案，以達到降低成本與驅動電路的複雜度、避免因亮度衰減幅度不一致所造成的缺陷以及提高顏色轉換效率等功效。
更進一步來說，光源模組的蓋板上可進一步形成有一藍光反射層，且藍光反射層覆蓋光波長轉換層中的第一和第二轉換層，以提高紅光、綠光和藍光的色採純淨度與顏色轉換效率。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

Claims (10)

  1. 一種光源模組，其包括：一發光結構，其包括一基板以及至少三個藍光發光元件，所述基板定義有一第一區域、一與所述第一區域相鄰的第二區域以及一與所述第二區域相鄰的第三區域，且至少三個所述藍光發光元件分別設置在所述第一區域、所述第二區域與所述第三區域內；一光擴散層，其設置於所述發光結構上；一光波長轉換層，其設置於所述光擴散層上，其中所述光波長轉換層包括一設置於所述第一區域內的第一轉換層、一設置於所述第二區域內的第二轉換層以及一設置於所述第三區域內的透明層，所述藍光發光元件從所述第一區域所產生的藍光通過所述第一轉換層以轉換為紅光，所述藍光發光元件從所述第二區域所產生的藍光通過所述第二轉換層以轉換為綠光；一蓋板，其設置於所述光波長轉換層上；以及一藍光反射層，其設置於所述蓋板上，且覆蓋所述第一轉換層與所述第二轉換層。
  2. 如請求項1所述的光源模組，其中，所述光擴散層的材質為矽氧樹脂，且所述光擴散層中具有光擴散粒子。
  3. 如請求項2所述的光源模組，其中，所述光擴散粒子的含量佔所述光擴散層的總重量的5%至25%，其中，所述光擴散粒子的材質為二氧化鈦，且所述光擴散粒子的粒徑介於20微米至70微米之間。
  4. 如請求項1所述的光源模組，其中，所述第一轉換層中具有紅色螢光粉，所述第二轉換層中具有綠色螢光粉，所述透明層的材質為矽氧樹脂。
  5. 如請求項1所述的光源模組，其中，所述蓋板為一玻璃蓋板。
  6. 如請求項5所述的光源模組，其中，所述玻璃蓋板具有一靠近所述光波長轉換層的第一表面以及一相對於所述第一表面的第二表面，且所述藍光反射層形成於所述第一表面上。
  7. 如請求項5所述的光源模組，其中，所述玻璃蓋板具有一靠近所述光波長轉換層的第一表面以及一相對於所述第一表面的第二表面，且所述藍光反射層形成於所述第二表面上。
  8. 如請求項1所述的光源模組，其中，所述藍光發光元件為發光波長介於360奈米及450奈米之間的藍光發光二極體晶片。
  9. 如請求項1所述的光源模組，其中，所述光波長轉換層還包括一第一遮光層以及一第二遮光層，所述第一遮光層設置於所述第一轉換層與所述第二轉換層之間，所述所述第二遮光層設置於所述第二轉換層與所述透明層之間，且所述第一遮光層與所述第二遮光層構成一黑色矩陣。
  10. 一種顯示裝置，其包括多個如請求項1至9中任一項所述的光源模組。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI776516B (zh) * 2020-05-22 2022-09-01 大陸商北京芯海視界三維科技有限公司 發光模組、顯示模組、顯示幕及顯示器
TWI799929B (zh) * 2021-07-29 2023-04-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示裝置及其製造方法
TWI811754B (zh) * 2021-08-04 2023-08-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI706199B (zh) * 2019-04-24 2020-10-01 鴻海精密工業股份有限公司 顯示面板及應用該顯示面板的電子裝置
CN111862788B (zh) * 2019-04-24 2022-03-22 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 显示面板及应用该显示面板的电子装置
CN110643934A (zh) * 2019-09-20 2020-01-03 深圳市晶相技术有限公司 一种半导体设备
CN111028704A (zh) * 2019-12-10 2020-04-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN111261624B (zh) * 2020-02-28 2022-08-09 京东方科技集团股份有限公司 Led组件、光源和液晶显示装置
WO2021248375A1 (zh) * 2020-06-10 2021-12-16 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种显示背板及其制备方法
GB2598753B (en) * 2020-09-10 2023-06-14 Plessey Semiconductors Ltd Selective optical filter for RGB LED

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3378465B2 (ja) * 1997-05-16 2003-02-17 株式会社東芝 発光装置
JP5380943B2 (ja) * 2008-08-04 2014-01-08 セイコーエプソン株式会社 プロジェクタ
JP6275935B2 (ja) * 2010-09-17 2018-02-07 日東電工株式会社 光拡散素子、光拡散素子付偏光板、およびこれらを用いた液晶表示装置
KR20120108565A (ko) * 2011-03-24 2012-10-05 엘지디스플레이 주식회사 반사판과 이를 포함하는 디스플레이 장치
US9624426B2 (en) * 2011-08-04 2017-04-18 Philips Lighting Holding B.V. Light converter and lighting unit comprising such light converter
KR101251815B1 (ko) * 2011-11-07 2013-04-09 엘지이노텍 주식회사 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치
CA2879701C (en) * 2012-07-23 2021-11-09 Arkema France Optical reflectors, reflection films and sheets
TWI511344B (zh) * 2013-05-08 2015-12-01 Ind Tech Res Inst 光取出元件及發光裝置
US9111464B2 (en) * 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
TW201517327A (zh) * 2013-10-21 2015-05-01 Lextar Electronics Corp 波長轉換膜結構、波長轉換膜貼合結構以及發光結構與其製造方法
US9698056B2 (en) * 2015-04-09 2017-07-04 Samsung Electronics., Ltd. Method for designing layout of semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device using the same
KR102480902B1 (ko) * 2015-09-18 2022-12-22 삼성전자주식회사 표시 장치
WO2017171478A1 (ko) * 2016-04-01 2017-10-05 서울반도체주식회사 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
US20170345983A1 (en) * 2016-05-26 2017-11-30 Epistar Corporation Light-emitting device and light-emitting apparatus comprising the same
CN106449703A (zh) * 2016-10-09 2017-02-22 Tcl集团股份有限公司 一种oled显示面板及制作方法
US10388641B2 (en) * 2017-10-19 2019-08-20 Tectus Corporation Ultra-dense LED projector

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI776516B (zh) * 2020-05-22 2022-09-01 大陸商北京芯海視界三維科技有限公司 發光模組、顯示模組、顯示幕及顯示器
TWI799929B (zh) * 2021-07-29 2023-04-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示裝置及其製造方法
TWI811754B (zh) * 2021-08-04 2023-08-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置

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