KR101251815B1 - 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치 - Google Patents

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Abstract

광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치가 개시된다. 광학 부재는 복수의 광 변환 입자들을 포함하는 광 변환층; 및 상기 광 변환층 아래에 배치되고, 복수의 광 경로 변경 입자들을 포함하는 광 확산층을 포함한다.

Description

광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치{OPTICAL SHEET AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}
실시예는 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.
최근 종래의 CRT를 대신하여 액정표시장치(LCD), PDP(plasma display panel), OLED(organic light emitting diode) 등의 평판표시장치가 많이 개발되고 있다.
이 중 액정표시장치는 박막트랜지스터 기판, 컬러필터 기판 그리고 양 기판 사이에 액정이 주입되어 있는 액정표시패널을 포함한다. 액정표시패널은 비발광소자이기 때문에 박막트랜지스터 기판의 하면에는 빛을 공급하기 위한 백라이트 유닛이 위치한다. 백라이트 유닛에서 조사된 빛은 액정의 배열상태에 따라 투과량이 조정된다.
백라이트 유닛은 광원의 위치에 따라 에지형과 직하형으로 구분된다. 에지형은 도광판의 측면에 광원이 설치되는 구조이다.
직하형은 액정표시장치의 크기가 대형화되면서 중점적으로 개발된 구조로서, 액정표시패널의 하부면에 하나 이상의 광원을 배치시켜 액정표시패널에 전면적으로 빛을 공급하는 구조이다.
이러한 직하형 백라이트 유닛은 에지형 백라이트 유닛에 비해 많은 수의 광원을 이용할 수 있어 높은 휘도를 확보할 수 있는 장점이 있는 반면, 휘도의 균일성을 확보하기 위하여 에지형에 비하여 두께가 두꺼워지는 단점이 있다.
이를 극복하기 위해, 백라이트 유닛을 구성하는 청색 광을 발진하는 블루 LED의 전방에 청색 광을 받으면 적색파장 또는 녹색파장으로 변환되는 다수의 양자점이 분산된 양자점바를 구비시켜, 상기 양자점바에 청색 광을 조사함으로써, 양자점바에 분산된 다수의 양자점들에 의해 청색광, 적색 광 및 녹색 광이 혼합된 광이 도광판으로 입사되어 백색광을 제공한다.
이때, 상기 양자점바를 이용하여 도광판에 백색광을 제공할 경우 고색재현을 구현할 수 있다.
상기 백라이트 유닛은 청색 광을 발진하는 블루 LED의 일측에 LED와 신호를 전달하고, 전원공급하기 위한 FPCB(Flexible Printed Circuits Board)가 구비되며, FPCB의 하면에는 접착부재가 더 구비될 수 있다.
이와 같이, 블루 LED로부터 발진하는 광이 누출되면 양자점바를 통해 도광판에 제공되는 백색광을 사용하여 다양한 형태로 영상을 표시하는 표시장치가 널리 사용되고 있다.
이와 같은 양자점이 적용된 표시장치에 관하여, 한국 특허 공개 공보 10-2011-0068110 등에 개시되어 있다.
실시예는 향상된 색재현성 및 휘도 균일도를 가지는 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 광학 부재는 복수의 광 변환 입자들을 포함하는 광 변환층; 및 상기 광 변환층 아래에 배치되고, 복수의 광 경로 변경 입자들을 포함하는 광 확산층을 포함한다.
일 실시예에 따른 표시장치는 광원; 상기 광원으로부터의 광이 입사되는 광 변환 부재; 상기 광 변환 부재로부터의 광이 입사되는 표시 패널을 포함하고, 상기 광 변환 부재는 상기 광원으로부터의 광의 파장을 변환시키는 복수의 광 변환 입자들을 포함하는 광 변환층; 및 상기 광원으로부터의 광의 경로를 기준으로 상기 광 변환층 전에 배치되고, 복수의 광 경로 변경 입자들을 포함하는 광 확산층을 포함한다.
일 실시예에 따른 표시장치는 광원; 상기 광원으로부터의 광이 입사되는 광학 부재; 상기 광학 부재 상에 배치되는 광 변환 부재; 및 상기 광 변환 부재 상에 배치되는 표시패널을 포함하고, 상기 광 변환 부재는 상기 광학 부재를 향하여 돌출되는 복수의 돌기들을 포함한다.
실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 상기 광 변환층 아래에 배치되는 광 확산층을 포함한다. 이에 따라서, 상기 광원으로부터의 광은 상기 광 변환층을 통하여, 균일하게 분산되어, 상기 광 변환층으로 입사될 수 있다. 즉, 상기 광 변환층에는 전체적으로 휘도 균일도가 향상되는 광이 입사될 수 있다.
따라서, 상기 광 변환층은 전체적으로 휘도 균일도가 향상된 광을 변환시키므로, 향상된 변환 효율을 가질 수 있다.
또한, 상기 광 확산층은 상기 광 경로 변경 입자들을 포함한다. 이때, 상기 광 확산층은 상기 광 경로 변경 입자들에 대응하는 돌기들을 포함할 수 있다. 상기 돌기들은 하방으로 돌기된다.
특히, 상기 돌기들은 아래에 배치되는 도광판 등과 같은 광학 부재와의 직접 접촉될 수 있다. 상기 돌기들에 의해서, 상기 광 변환 부재 및 상기 도광판 사이의 접촉 면적이 전체적으로 균일하게 될 수 있다.
따라서, 상기 광 변환 부재 및 상기 도광판이 접촉되는 부분이 일부에 편중되어 발생되는 휘도 불균일은 상기 돌기들에 의해서 방지될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 상기 광 변환층의 광 변한 효율을 극대화시키고, 향상된 휘도 균일도를 가질 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 2는 광 변환 시트를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4 및 도 5는 광 변환 시트의 다양한 변형 예들의 일 단면을 도시한 단면도들이다.
도 6은 광 변환 시트가 도광판에 접촉된 상태를 도시한 단면도이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 광 변환 시트의 일 단면을 도시한 단면도이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 2는 광 변환 시트를 도시한 사시도이다. 도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 4 및 도 5는 광 변환 시트의 다양한 변형 예들의 일 단면을 도시한 단면도들이다. 도 6은 광 변환 시트가 도광판에 접촉된 상태를 도시한 단면도이다. 도 7은 다른 실시예에 따른 광 변환 시트의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 1 내지 도 7을 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 백라이트 유닛(10) 및 액정패널(20)을 포함한다.
상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20)에 광을 출사한다. 상기 백라이트 유닛(10)은 면 광원으로 상기 액정패널(20)의 하면에 균일하기 광을 조사할 수 있다.
상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20) 아래에 배치된다. 상기 백라이트 유닛(10)은 바텀 커버(100), 도광판(200), 반사시트(300), 다수 개의 발광다이오드들(400), 인쇄회로기판(401) 및 다수 개의 광학 시트들(500)을 포함한다.
상기 바텀 커버(100)는 상부가 개구된 형상을 가진다. 상기 바텀 커버(100)는 상기 도광판(200), 상기 발광다이오드들(400), 상기 인쇄회로기판(401), 상기 반사시트(300) 및 상기 광학 시트들(500)을 수용한다.
상기 도광판(200)은 상기 바텀 커버(100) 내에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 반사시트(300) 상에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 입사되는 광을 전반사, 굴절 및 산란을 통하여 상방으로 출사한다.
상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 및 상기 바텀 커버(100)의 바닥면 사이에 배치된다. 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200)의 하부면으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다.
상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시키는 광원이다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 도광판(200)의 일 측면에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시켜서, 상기 도광판(200)의 측면을 통하여, 상기 도광판(200)에 입사시킨다.
상기 발광다이오드들(400)은 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드일 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드들(400)은 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.
상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)에 실장된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.
상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)에 전기적으로 연결된다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)을 실장할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 바텀 커버(100) 내측에 배치된다.
상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 광의 특성을 변화 또는 향상시켜서, 상기 광을 상기 액정패널(20)에 공급한다.
상기 광학 시트들(500)은 광 변환 시트(501), 제 1 프리즘 시트(502) 및 제 2 프리즘 시트(503)일 수 있다.
상기 광 변환 시트(501)는 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 광 변환 시트(501)는 상기 도광판(200) 및 상기 확산 시트 사이에 개재될 수 있다. 상기 광 변환 시트(501)는 입사되는 광의 파장을 변환하여 상방으로 출사할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광다이오드들(400)이 청색 발광다이오드인 경우, 상기 광 변환 시트(501)는 상기 도광판(200)으로부터 상방으로 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 시트(501)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
또한, 상기 발광다이오드들(400)이 UV 발광다이오드인 경우, 상기 광 변환 시트(501)는 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 시트(501)는 상기 자외선의 일부를 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 또 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 변환되지 않고 상기 광 변환 시트(501)를 통과하는 광 및 상기 광 변환 시트(501)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 액정패널(20)에는 백색광이 입사될 수 있다.
즉, 상기 광 변환 시트(501)는 입사광의 특성을 변환시키는 광 변환 부재이다. 더 자세하게, 상기 광 변환 시트(501)는 입사광의 특성을 변환시키는 광학 부재이다. 상기 광 변환 시트(501)는 입사되는 광의 파장을 변환 시키는 파장 변환 부재이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 시트(501)는 하부 기판(510), 상부 기판(520), 광 변환층(530) 및 광 확산층(540)을 포함한다.
상기 하부 기판(510)은 상기 광 변환층(530) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(510)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(510)은 상기 광 변환층(530)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 하부 기판(510)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET) 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(520)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530)의 상면에 밀착될 수 있다.
상기 상부 기판(520)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530)을 샌드위치한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530)을 지지한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 외부의 물리적인 충격으로부터 상기 광 변환층(530)을 보호한다.
또한, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 낮은 산소 투과도 및 투습성을 가진다. 이에 따라서, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 수분 및/또는 산소 등과 같은 외부의 화학적인 충격으로부터 상기 광 변환층(530)을 보호할 수 있다.
상기 광 변환층(530)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 개재된다. 상기 광 변환층(530)은 상기 하부 기판(510)의 상면에 밀착되고, 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 광 변환층(530)은 다수 개의 광 변환 입자들(531) 및 제 1 호스트층(532)을 포함한다.
상기 광 변환 입자들(531)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 더 자세하게, 상기 광 변환 입자들(531)은 상기 제 1 호스트층(532)에 균일하게 분산되고, 상기 제 1 호스트층(532)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다.
상기 광 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 광 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 광 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들(531) 중 일부는 상기 청색광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 광 변환 입자들(531) 중 다른 일부는 상기 청색광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이와는 다르게, 상기 광 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들(531) 중 일부는 상기 자외선을 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 광 변환 입자들(531) 중 다른 일부는 상기 자외선을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 광 변환 입자들(531) 중 또 다른 일부는 상기 자외선을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
즉, 상기 발광다이오드들(400)이 청색광을 발생시키는 청색 발광다이오드(400)인 경우, 청색광을 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 광 변환 입자들(531)이 사용될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 발광다이오드들(400)이 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드(400)인 경우, 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 광 변환 입자들(531)이 사용될 수 있다.
상기 광 변환 입자들(531)은 다수 개의 양자점(QD, Quantum Dot)들일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.
상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.
상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 지름은 1 nm 내지 10 nm일 수 있다.
상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기 또는 합성 과정에서의 분자 클러스터 화합물(molecular cluster compound)와 나노입자 전구체 (precurser)의 몰분율 (molar ratio)에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.
특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다.
이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.
상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.
상기 제 1 호스트층(532)은 상기 광 변환 입자들(531)을 둘러싼다. 즉, 상기 제 1 호스트층(532)은 상기 광 변환 입자들(531)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 제 1 호스트층(532)은 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 제 1 호스트층(532)은 투명하다. 즉, 상기 제 1 호스트층(532)은 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.
상기 제 1 호스트층(532)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 상기 제 1 호스트층(532)은 상기 하부 기판(510)의 상면 및 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 광 확산층(540)은 상기 하부 기판(510) 아래에 배치된다. 상기 광 확산층(540)은 상기 하부 기판(510)의 하면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 광 확산층(540)은 상기 하부 기판(510)의 하면에 밀착될 수 있다. 상기 광 확산층(540)은 상기 하부 기판(510)의 하면에 전체적으로 코팅될 수 있다.
상기 광 확산층(540)은 입사광의 경로를 변경시킨다. 더 자세하게, 상기 광 확산층(540)은 입사광의 경로를 랜덤하게 변경시킬 수 있다. 이에 따라서, 상기 광 확산층(540)은 입사광의 휘도 균일도를 향상시킬 수 있다. 상기 광 확산층(540)은 상기 도광판(200)으로부터 입사되는 광을 균일하게, 상기 광 확산층(540)으로 출사한다.
또한, 상기 광 확산층(540)은 보호층 기능을 수행할 수 있다. 즉, 상기 광 확산층(540)은 상기 하부 기판(510)에 더하여, 상기 광 변환층(530)에 산소 및/또는 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
상기 광 확산층(540)의 두께는 약 5㎛ 내지 약 100㎛일 수 있다. 상기 광 확산층(540)은 제 2 호스트층(541) 및 광 경로 변경 입자들(542)을 포함한다.
상기 제 2 호스트층(541)은 상기 광 경로 변경 입자들(542)을 둘러싼다. 상기 제 2 호스트층(541)은 상기 광 경로 변경 입자들(542)을 균일하게 분산시킬 수 있다.
상기 제 2 호스트층(541)은 상기 하부 기판(510)의 하면에 배치된다. 상기 제 2 호스트층(541)은 상기 하부 기판(510)의 하면에 코팅될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 호스트층(541)은 상기 하부 기판(510)의 하면에 전체적으로 밀착될 수 있다.
상기 제 2 호스트층(541)은 투명하다. 상기 제 2 호스트층(541)의 두께(T1)는 약 5㎛ 내지 약 100㎛일 수 있다. 상기 제 2 호스트층(541)은 투명한 폴리머를 포함한다. 더 자세하게, 상기 제 2 호스트층(541)은 에폭시계 수지 또는 실리콘계 수지를 포함할 수 있다. 즉, 상기 제 2 호스트층(541)은 전체적으로 수지로 이루어지는 수지층일 수 있다.
상기 광 경로 변경 입자들(542)은 상기 제 2 호스트층(541) 내에 배치된다. 상기 광 경로 변경 입자들(542)은 상기 제 2 호스트층(541) 내에 균일하게 분산된다. 상기 광 경로 변경 입자들(542)은 상기 하부 기판(510)의 하면에 전체적으로 배치될 수 있다.
상기 광 경로 변경 입자들(542)은 투명할 수 있다. 상기 광 경로 변경 입자들(542)은 상기 제 2 호스트층(541)과 다른 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 광 경로 변경 입자들(542)은 상기 제 2 호스트층(541)보다 더 높은 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 호스트층(541)은 약 1.2 내지 1.6의 굴절율을 가지고, 상기 광 경로 변경 입자들(542)은 약 1.3 내지 약 2.1의 굴절율을 가질 수 있다. 상기 광 경로 변경 입자들(542)의 굴절율 및 상기 제 2 호스트층(541)의 굴절율은 약 0.05 내지 약 0.8일 수 있다.
상기 광 경로 변경 입자들(542)은 실리콘 옥사이드(silicon oxide), 알루미늄 옥사이드(aluminium oxide), 탄탈륨 옥사이드(tatalum oxide), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate;PMMA), 폴리부틸메타크릴레이트(polybutylmethacrylate;PBMA) 실리카(silica), 베마이트(boehmite), 폴리스티렌(polystyrene) 또는 티타늄 옥사이드(titanium oxide) 등을 들 수 있다.
상기 광 경로 변경 입자들(542)은 구 형상, 다면체 형상 또는 기둥 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 경로 변경 입자들(542)은 비드일 수 있다.
상기 광 경로 변경 입자들(542)의 직경(R)은 상기 제 2 호스트층(541)의 두께(T1)보다 더 작을 수 있다. 예를 들어, 제 2 호스트층(541)의 두께(T1)는 상기 광 경로 변경 입자들(542)의 직경(R)의 1.1배보다 더 클 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 호스트층(541)의 두께(T1)는 상기 광 경로 변경 입자들(542)의 직경(R)의 약 1.1배 내지 약 20배일 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 광 경로 변경 입자들(542)의 직경(R)은 상기 제 2 호스트층(541)의 두께(T2)와 유사할 수 있다. 상기 광 경로 변경 입자들(542)의 직경(R)은 상기 제 2 호스트층(541)의 두께(T2)에 대응될 수 있다. 상기 광 경로 변경 입자들(542)의 직경(R)은 상기 제 2 호스트층(541)의 두께(T2)와 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 호스트층(541)의 두께(T2)는 상기 광 경로 변경 입자들(542)의 직경(R)의 약 0.9배 내지 약 1.1배일 수 있다.
이에 따라서, 상기 제 2 호스트층(541)에는 상기 광 경로 변경 입자들(542)에 각각 대응되는 미세한 돌기들(543)이 형성될 수 있다. 상기 제 2 호스트층(541)의 두께는 상기 광 경로 변경 입자들(542) 및 상기 제 2 호스트층(541)을 형성하기 위한 수지 조성물의 비율에 따라서 결정될 수 있다. 또한, 상기 제 2 호스트층(541)의 두께(T2)는 상기 수지 조성물의 점도에 따라서 달라질 수 있다.
상기 호스트층의 두께(T2)는 약 5㎛ 내지 약 7㎛일 수 있다. 또한, 상기 광 경로 변경 입자들(542)의 직경(R)은 약 5㎛ 내지 약 7㎛일 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 광 경로 변경 입자들(542)의 직경(R)은 상기 제 2 호스트층(541)의 두께(T3)보다 더 클 수 있다. 즉, 상기 제 2 호스트층(541)의 두께(T3)는 상기 광 경로 변경 입자들(542)의 직경(R)에 비하여 매우 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 호스트층(541)의 두께(T3)는 상기 광 경로 변경 입자들(542)의 직경(R)의 약 0.9배보다 더 작을 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 호스트층(541)의 두께(T3)는 상기 광 경로 변경 입자들(542)의 직경(R)의 약 0.6배 내지 약 0.8배일 수 있다.
이에 따라서, 상기 제 2 호스트층(541)에는 상기 광 경로 변경 입자들(542)에 각각 대응되는 돌기들(543)이 형성될 수 있다. 상기 제 2 호스트층(541)의 두께(T3)는 상기 광 경로 변경 입자들(542) 및 상기 제 2 호스트층(541)을 형성하기 위한 수지 조성물의 비율에 따라서 결정될 수 있다. 또한, 상기 제 2 호스트층(541)의 두께(T3)는 상기 수지 조성물의 점도에 따라서 달라질 수 있다.
예들 들어, 상기 제 2 호스트층(541)의 두께(T3)는 약 5㎛이하일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 호스트층(541)의 두께(T3)는 약 1.5㎛ 내지 약 4㎛일 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 돌기들(543)은 상기 도광판(200)의 상면에 직접 접촉될 수 있다. 이때, 상기 돌기들(543)은 상기 광 변환 시트(501)의 하면을 상기 도광판(200)의 상면에 균일하게 접촉시킨다. 또한, 상기 돌기들(543)은 상기 광 변환 시트(501) 및 상기 도광판(200)의 접촉 면적을 감소시킨다. 특히, 상기 돌기들(543)은 상기 광 변환 시트(501) 및 상기 도광판(200)이 일 부분에서만 접촉되는 현상을 방지할 수 있다.
이에 따라서, 상기 광 변환 시트(501) 및 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 휘도 균일도를 가질 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 하부 기판(510)은 생략될 수 있다. 즉, 상기 광 확산층(540)은 상기 광 변환층(530)에 직접 접촉될 수 있다. 즉, 상기 제 2 호스트층(541)은 상기 광 확산층(540)에 직접 접촉될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 호스트층(532) 및 상기 제 2 호스트층(541)은 서로 직접 접촉될 수 있다.
즉, 상기 광 확산층(540)은 휘도 균일도 향상 뿐만 아니라, 상기 광 변환층(530)을 밀봉하는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 하부 기판(510)이 생략되므로, 상기 광 변환 시트(501)는 얇은 두께를 가질 수 있다.
상기 제 1 프리즘 시트(502)는 상기 확산 시트(501) 상에 배치된다. 상기 제 2 프리즘 시트(503)는 상기 제 1 프리즘 시트(502) 상에 배치된다. 상기 제 1 프리즘 시트(502) 및 상기 제 2 프리즘 시트(503)는 통과하는 광의 직진성을 증가시킨다.
상기 액정패널(20)은 상기 광학시트들(500)상에 배치된다. 또한, 상기 액정패널(20)은 패널 가이드 상에 배치된다. 상기 액정패널(20)은 상기 패널 가이드에 의해서 가이드될 수 있다.
상기 액정패널(20)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(20)은 상기 백라이트 유닛(10)으로부터 출사되는 광을 사용하여, 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(20)은 TFT기판(21), 컬러필터기판(22), 두 기판들 사이에 개재되는 액정층을 포함한다. 또한, 상기 액정패널(20)은 편광필터들을 포함한다.
도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 TFT기판(21) 및 컬러필터기판(22)을 상세히 설명하면, 상기 TFT기판(21)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터기판(22)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.
액정패널(21)의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(25)가 구비된다.
상기 구동 PCB(25)는 COF(Chip on film, 24)에 의해 액정패널(21)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(24)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 광 변환층(530) 아래에 배치되는 상기 광 확산층(540)을 포함한다. 이에 따라서, 상기 발광다이오드(400)로부터의 광은 상기 광 변환층(530)을 통하여, 균일하게 분산되어, 상기 광 변환층(530)으로 입사될 수 있다. 즉, 상기 광 변환층(530)에는 전체적으로 휘도 균일도가 향상되는 광이 입사될 수 있다.
따라서, 상기 광 변환층(530)은 전체적으로 휘도 균일도가 향상된 광을 변환시키므로, 향상된 변환 효율을 가질 수 있다. 즉, 상기 도광판(200)으로부터의 광은 상기 광 변환층(530)의 일부에 몰리지 않고, 전체적으로 균일하게 입사될 수 있다. 이에 따라서, 상기 광 변환층(530)의 광 변환 성능이 극대화될 수 있다.
또한, 상기 광 변환층(530)은 휘도 균일도를 향상시키기 때문에, 실시예에 따른 액정표시장치는 별도의 확산시트를 필요로 하지 않는다. 이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 슬림한 구조를 가질 수 있다.
또한, 상기 광 확산층(540)은 상기 광 경로 변경 입자들(542)을 포함한다. 이때, 상기 광 확산층(540)은 상기 광 경로 변경 입자들(542)에 대응하는 돌기들(543)을 포함할 수 있다. 상기 돌기들(543)은 하방으로 돌기된다.
특히, 상기 돌기들(543)은 아래에 배치되는 상기 도광판(200)과 직접 접촉될 수 있다. 상기 돌기들(543)에 의해서, 상기 광 변환 시트(501) 및 상기 도광판(200) 사이의 접촉 면적이 전체적으로 균일하게 될 수 있다.
따라서, 상기 광 변환 시트(501) 및 상기 도광판(200)이 접촉되는 부분이 일부에 편중되어 발생되는 휘도 불균일은 상기 돌기들(543)에 의해서 방지될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 광 변환층(530)의 광 변한 효율을 극대화시키고, 향상된 휘도 균일도를 가질 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

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  8. 광원;
    상기 광원으로부터 광이 입사되는 도광판;
    상기 도광판으로부터의 광이 입사되는 광 변환 부재; 및
    상기 광 변환 부재로부터의 광이 입사되는 표시 패널을 포함하고,
    상기 광 변환 부재는
    상기 광원으로부터의 광의 파장을 변환시키는 복수의 양자점들을 포함하는 광 변환층; 및
    상기 광원으로부터의 광의 경로를 기준으로 상기 광 변환층 전에 배치되고, 복수의 광 경로 변경 입자들을 포함하는 광 확산층을 포함하고,
    상기 광 확산층은 상기 도광판을 향하여 돌출되고, 상기 도광판과 직접 접촉되는 복수의 돌기들이 형성되는 표시장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 광 경로 변경 입자들의 직경은 5㎛ 내지 7㎛인 표시장치.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 광 변환층은 상기 양자점들을 둘러싸는 제 1 호스트층을 포함하고,
    상기 광 확산층은 상기 광 경로 변경 입자들을 둘러싸는 제 2 호스트층을 포함하는 표시장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 광 경로 변경 입자들은 티타늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드, 탄탈륨 옥사이드, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리부틸메타크릴레이트, 실리카, 베마이트 또는 폴리스티렌을 포함하는 표시장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 제 2 호스트층은 실리콘계 수지 또는 에폭시계 수지를 포함하는 표시장치.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 제 2 호스트층의 굴절율 및 상기 광 경로 변경 입자들의 굴절율의 차이는 0.05 내지 0.8인 표시장치.
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