TW201517327A - 波長轉換膜結構、波長轉換膜貼合結構以及發光結構與其製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種波長轉換膜結構、波長轉換膜貼合結構以及發光結構與其製造方法。波長轉換膜結構包括可撓式基材、波長轉換層及擴散層。可撓式基材具有一表面。波長轉換層轉印於可撓式基材之表面上。擴散層轉印於波長轉換層上。
Description
本發明是有關於一種波長轉換膜結構、波長轉換膜貼合結構以及發光結構與其製造方法，且特別是有關於一種可改善光線被封膠吸收的波長轉換膜結構、波長轉換膜貼合結構以及發光結構與其製造方法。
傳統發光結構包括數個發光二極體晶粒及摻雜有螢光粒子的封膠，其中封膠包覆發光二極體晶粒。然而，封膠通常具有一厚度，使發光二極體晶粒射出的光線經過封膠後部份被吸收而降低出光效率。
本發明係有關於一種波長轉換膜結構、波長轉換膜貼合結構以及發光結構與其製造方法，可改善光線被封膠吸收的問題。
根據本發明之一實施例，提出一種波長轉換膜結構。波長轉換膜結構包括一可撓式基材、一波長轉換層及一擴散
層。可撓式基材具有相對的一第一表面和一第二表面。波長轉換層轉印於可撓式基材之第一表面上。擴散層轉印於波長轉換層上。
根據本發明之另一實施例，提出一種波長轉換膜結構。波長轉換膜結構包括一可撓式基材、一擴散層及一第一波長轉換層。可撓式基材具有相對的一第一表面和一第二表面。擴散層轉印於可撓性基材之第一表面上。第一波長轉換層轉印於擴散層上。
根據本發明之另一實施例，提出一種波長轉換膜貼合結構。波長轉換膜貼合結構包括上述波長轉換膜結構、一第一貼合膜及一第二貼合膜。波長轉換膜結構具有相對之一第一面與一第二面。第一貼合膜形成於波長轉換膜結構之第一面。第二貼合膜形成於波長轉換膜結構之第二面。
根據本發明之另一實施例，提出一種發光結構的製造方法。製造方法包括以下步驟。提供上述波長轉換膜貼合結構；提供一待封裝發光結構，待封裝發光結構包括一基板及一光源，且光源設於基板上；提供一封裝模具，封裝模具具有一模穴；移除波長轉換膜貼合結構之第一貼合膜，以露出波長轉換膜結構；貼合波長轉換膜貼合結構於模穴內；結合封裝模具與基板，使光源位於模穴內且波長轉換膜結構朝向基板；將一透光包覆體填滿模穴，使透光包覆體包覆光源且透光包覆體之外表面接觸波長轉換膜結構；分離封裝模具與透光包覆體；以及，移除波長轉
換膜結構之第二貼合膜；以及，切割基板，以形成一發光結構。
根據本發明之另一實施例，提出一種發光結構。發光結構包括一基板、一光源、一透光包覆體及上述波長轉換膜結構。光源設於基板上且發出具有一第一波長之一第一光線。透光包覆體包覆光源。波長轉換膜結構順應透光包覆體之一外表面的輪廓而包覆透光包覆體之外表面。其中，第一光線在經過波長轉換膜結構後，部分被轉換成具有一第二波長之一第二光線，其中第一波長小於第二波長。
根據本發明之另一實施例，提出一種發光結構。發光結構包括一基板、一環形承載件、一光源及上述波長轉換膜結構。環形承載件設於基板且具有一容置空間。光源設於容置空間之底部且發出具有一第一波長之第一光線。波長轉換膜結構設於環形承載件之頂面並覆蓋整個光源之上方。其中，第一光線在經過波長轉換膜結構後，部分被轉換成具有一第二波長之一第二光線，其中第一波長小於第二波長。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
100、200、300‧‧‧發光結構
110‧‧‧基板
110s‧‧‧側面
110u‧‧‧上表面
120‧‧‧光源
130‧‧‧透光包覆體
130s‧‧‧外表面
131‧‧‧透光封膠
132‧‧‧螢光粒子
140‧‧‧波長轉換膜結構
140'‧‧‧波長轉換膜貼合結構
141‧‧‧可撓式基材
141s1‧‧‧第一表面
141s2‧‧‧第二表面
142‧‧‧第一波長轉換層
1421‧‧‧紅色螢光圖案
1422‧‧‧綠色螢光圖案
1423‧‧‧紅色文字圖案
1424‧‧‧黃色螢光背景圖案
143‧‧‧擴散層
144‧‧‧保護層
145‧‧‧第二波長轉換層
146‧‧‧第一貼合膜
147‧‧‧第二貼合膜
150‧‧‧封裝模具
150s‧‧‧內表面
150r‧‧‧模穴
230、330‧‧‧環形承載件
230r、330r‧‧‧容置空間
230u‧‧‧頂面
100'‧‧‧待封裝發光結構
A1、A2‧‧‧橫向面積
L1‧‧‧第一光線
L2‧‧‧第二光線
第1A圖繪示依照本發明一實施例之發光結構的剖視圖。
第1B~1D圖繪示第1A圖之擴散膜的數種實施態樣之結構圖。
第2圖繪示依照本發明另一實施例之波長轉換膜結構的剖視圖。
第3圖繪示依照本發明另一實施例之波長轉換膜結構的剖視圖。
第4圖繪示依照本發明另一實施例之波長轉換層的俯視圖。
第5圖繪示依照本發明另一實施例之波長轉換層的俯視圖。
第6圖繪示依照本發明另一實施例之發光結構的俯視圖。
第7圖繪示依照本發明另一實施例之發光結構的俯視圖。
第8A至8I圖繪示第1A圖之發光結構的製造過程圖。
請參照第1A圖，其繪示依照本發明一實施例之發光結構的剖視圖。發光結構100包括基板110、至少一光源120、透光包覆體130及波長轉換膜結構140。
基板110例如是金屬基板或陶瓷基板。光源120例如是發光二極體，其設於基板上。本實施例中，光源120係藍光發光二極體，其可發出具有第一波長之第一光線L1。第一光線L1在經過波長轉換膜結構140後，部分被轉換成具有第二波長之第二光線L2，其中第一光線L1的第一波長小於第二光線L2的第二波長，使第二光線L2與第一光線L1的色溫不同。例如，第一光線L1的色溫介於6500K至7500K之間，而第二光線L2的色溫介於2500K至3500K之間。
透光包覆體130包覆光源120，以保護光源120。一實施例中，透光包覆體130包括透光封膠131及數個螢光粒子132，螢光粒子132混合於透光封膠131中。在此設計下，第一
光線L1在經由螢光粒子132與波長轉換膜結構140後，部分被轉換成具有第二波長之第二光線L2。另一實施例中，透光包覆體130可省略螢光粒子132，在此設計下，第一光線L1透過波長轉換膜結構140仍可被轉換成第二光線L2。
波長轉換膜結構140係一可撓式波長轉換膜結構，其可順應透光包覆體130之外表面130s的輪廓而包覆透光包覆體130。波長轉換膜結構140包括可撓式基材141、第一波長轉換層142、擴散層143及保護層144。
可撓式基材141具有相對的第一表面141s1和第二表面141s2。可撓式基材141可由例如是聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚乙烯(PV)、聚對苯二甲酸乙二酯(Polythylene terephthalate,PET)、環氧樹脂、矽基化合物或其組合的材料製成。可撓式基材141的厚度介於10與200um之間。
第一波長轉換層142轉印於可撓式基材141之第一表面141s1上。第一光線L1在經由第一波長轉換層142後，部分被轉換成具有第二波長之第二光線L2。由於第一波長轉換層142透過轉印方式形成，故可降低波長轉換膜結構140的製程時間，且第一波長轉換層142與可撓式基材141之間不易形成間隙，進而提升第一波長轉換層142與可撓式基材141的結合性，使第一波長轉換層142與可撓式基材141不容易分離。此外，由於第一波長轉換層142透過轉印方式形成，使第一波長轉換層142與可撓式基材141直接接觸，第一波長轉換層142與可撓式基材
141形同一體成形結構。
第一波長轉換層142包括基材及數個螢光粒子，螢光粒子摻雜於基材內。第一波長轉換層142之基材例如是油墨、塗料或高分子聚合物等，其可以是層狀結構或顆粒結構。一實施例中，第一波長轉換層142的厚度例如是介於5與20um之間。
擴散層143轉印於第一波長轉換層142上，可擴大第二光線L2的出光範圍。由於擴散層143透過轉印方式形成，故可降低波長轉換膜結構140的製程時間，且擴散層143與第一波長轉換層142之間不易形成間隙，進而提升擴散層143與第一波長轉換層142的結合性，使擴散層143與第一波長轉換層142不容易分離。此外，由於擴散層143透過轉印方式形成，使擴散層143與第一波長轉換層142直接接觸，擴散層143與第一波長轉換層142形同一體成形結構。保護層144轉印於擴散層143上，可保護擴散層143免受環境的侵害。此外，擴散層143的厚度可介於30微米至100微米之間。
請參照第1B~1D圖，其繪示第1A圖之擴散膜的數種實施態樣之結構圖。如第1B圖所示，擴散層143可包括至少一擴散結構1431，擴散結構1431係一錐形凹部，可使入射至擴散結構1431的入射光擴散地出光。位於擴散層143二側的擴散結構1431密度高於位於擴散層143中間的擴散結構1431，使擴散層143二側的出光與擴散層143中間區域的出光較為一致。如第1C圖所示，擴散層143之二側的擴散結構1431沿一弧形配置，使擴散層143
之中間區域的擴散結構1431往外凸出。如第1D圖所示，擴散層143之擴散結構1431係壓花結構，可使入射至擴散結構1431的入射光散射地出光。
請參照第2圖，其繪示依照本發明另一實施例之波長轉換膜結構的剖視圖。本實施例中，波長轉換膜結構140之擴散層143轉印於可撓式基材141之第一表面141s1上，而第一波長轉換層142轉印於擴散層143上，可使第一光線L1先擴散後再轉換成第二光線L2。
請參照第3圖，其繪示依照本發明另一實施例之波長轉換膜結構的剖視圖。本實施例中，波長轉換膜結構140更包括第二波長轉換層145，其轉印於可撓式基材141之第二表面141s2上。第二波長轉換層145可具有相似於第一波長轉換層142的結構，容此不再贅述。
請參照第4圖，其繪示依照本發明另一實施例之波長轉換層的俯視圖。第一波長轉換層142包括數個不同顏色的螢光圖案。舉例來說，第一波長轉換層142包括數個紅色螢光圖案1421及數個綠色螢光圖案1422，二紅色螢光圖案1421之間配置綠色螢光圖案1422，或二綠色螢光圖案1422之間配置紅色螢光圖案1421。進一步地說，由於第一波長轉換層142係一可轉印的層結構，故提升螢光圖案(螢光粒子)分佈的設計彈性，可形成具有任何圖案的第一波長轉換層142。此外，本發明實施例並不限定第一波長轉換層142之螢光圖案的顏色，各螢光圖案可以是紅色、
綠色或黃色之任一者。
請參照第5圖，其繪示依照本發明另一實施例之波長轉換層的俯視圖。第一波長轉換層142具有一文字圖案。舉例來說，第一波長轉換層142包括數個紅色文字圖案1423及一黃色螢光背景圖案1424，其中紅色文字圖案1423可重疊於或不重疊於黃色螢光背景圖案1424上。
請參照第6圖，其繪示依照本發明另一實施例之發光結構的俯視圖。發光結構200包括基板110、至少一光源120、環形承載件230及波長轉換膜結構140。
環形承載件230設於基板110且具有容置空間230r。光源120設於容置空間230r之底部，且可發出具有第一波長之第一光線L1。本實施例中，環形承載件230係反射杯，反射杯環繞基板110的側面110s。波長轉換膜結構140的橫向面積A1大於基板110的橫向面積A2，使波長轉換膜結構140覆蓋整個基板110，使發光結構200提供一大出光面積。
本例中，容置空間230r內可不設有會阻擋光源120之光線的實體元件，如封膠，如此可避免第一光線L1部分被該實體元件吸收而降低出光效率。波長轉換膜結構140設於環形承載件230之頂面230u並覆蓋整個光源120之上方。第一光線L1在經過波長轉換膜結構140後，部分被轉換成具有第二波長之第二光線L2，其中第一波長小於第二波長。
本實施例中，波長轉換膜結構140遠離光源120且
厚度較薄(相較於封膠)，因此可減少光線被吸收的量，而提升發光結構100的出光效率。
請參照第7圖，其繪示依照本發明另一實施例之發光結構的俯視圖。發光結構300包括基板110、至少一光源120、環形承載件330及波長轉換膜結構140。本實施例中，環形承載件330係擋牆，其設於基板110的上表面110u上。環形承載件330具有容置空間330r，容置空間330r內可不設有會阻擋光源120之光線的實體元件，如封膠，如此可避免第一光線L1部分被該實體元件吸收而降低出光效率。此外，波長轉換膜結構140的橫向面積A1小於基板110的橫向面積A2，但仍覆蓋所有光源120，以轉換此些光源120的第一光線L1成為第二光線L2。本實施例中，波長轉換膜結構140遠離光源120且厚度較薄(相較於封膠)，因此可減少光線被吸收的量，而提升發光結構100的出光效率。
請參照第8A至8I圖，其繪示第1A圖之發光結構的製造過程圖。
如第8A圖所示，提供一波長轉換膜貼合結構140’。波長轉換膜貼合結構140’包括波長轉換膜結構140、第一貼合膜146及第二貼合膜147。波長轉換膜結構140具有相對之第一表面140s1與第二表面140s2。第一貼合膜146形成於波長轉換膜結構140之第一表面140s1，而第二貼合膜147形成於波長轉換膜結構140之第二表面140s2。
如第8B圖所示，提供一待封裝發光結構100’。待封
裝發光結構100’包括基板110及至少一光源120，其中光源120設於基板110上。
如第8C圖所示，提供一封裝模具150，封裝模具150具有至少一模穴150r。
如第8D圖所示，分離波長轉換膜結構140與第一貼合膜146，以露出波長轉換膜結構140之第一表面140s1。
如第8E圖所示，貼合波長轉換膜貼合結構140’於模穴150r內，其中第二貼合膜147貼合於模穴150r之內表面150s上。由於貼合波長轉換膜貼合結構140’具有可撓性，故其可順應模穴150r的內表面150s的輪廓而形成。
如第8F圖所示，結合封裝模具150與基板110，使光源120位於模穴150r內且波長轉換膜結構140之內表面朝向基板110。
如第8F圖所示，填滿透光包覆體130於模穴150r內，使透光包覆體130包覆光源120且透光包覆體130之外表面130s接觸波長轉換膜結構140之第一表面140s1。
如第8G圖所示，分離封裝模具150與透光包覆體130，以露出第二貼合膜147。
如第8H圖所示，移除波長轉換膜結構140之第二貼合膜147，以露出波長轉換膜結構140。
如第8I圖所示，切割基板110，以形成至少一如第1A圖所示之發光結構100。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧發光結構
110‧‧‧基板
120‧‧‧光源
130‧‧‧透光包覆體
130s‧‧‧外表面
131‧‧‧透光封膠
132‧‧‧螢光粒子
140‧‧‧波長轉換膜結構
141‧‧‧可撓式基材
141s1‧‧‧第一表面
141s2‧‧‧第二表面
142‧‧‧第一波長轉換層
143‧‧‧擴散層
144‧‧‧保護層
L1‧‧‧第一光線
L2‧‧‧第二光線
Claims (23)
- 一種波長轉換膜結構，包括：一可撓式基材，具有相對的一第一表面和一第二表面；一第一波長轉換層，轉印於該可撓式基材之該第一表面上；以及一擴散層，轉印於該波長轉換層上。
- 一種波長轉換膜結構，包括：一可撓式基材，具有相對的一第一表面和一第二表面；一擴散層，轉印於該可撓性基材之該第一表面上；以及一第一波長轉換層，轉印於該擴散層上。
- 如申請專利範圍第1項所述之波長轉換膜結構，更包括一第二波長轉換層，轉印於該可撓性基材之該第二表面上。
- 如申請專利範圍第2項所述之波長轉換膜結構，更包括一第二波長轉換層，轉印於該可撓性基材之該第二表面上。
- 如申請專利範圍第1項所述之波長轉換膜結構，其中該第一波長轉換層包括數個不同顏色的螢光圖案。
- 如申請專利範圍第2項所述之波長轉換膜結構，其中該第 一波長轉換層包括數個不同顏色的螢光圖案。
- 如申請專利範圍第1項所述之波長轉換膜結構，其中該第一波長轉換層具有一文字圖案。
- 如申請專利範圍第2項所述之波長轉換膜結構，其中該第一波長轉換層具有一文字圖案。
- 如申請專利範圍第1項所述之波長轉換膜結構，更包括一保護層，該保護層覆蓋該擴散層。
- 如申請專利範圍第2項所述之波長轉換膜結構，更包括一保護層，該保護層覆蓋該第一波長轉換層。
- 如申請專利範圍第1至10項中任一項所述之該波長轉換膜結構，其中該可撓式基材是由聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚乙烯(PV)、聚對苯二甲酸乙二酯(Polythylene terephthalate,PET)、環氧樹脂、矽基化合物或其組合製成。
- 如申請專利範圍第11項所述之波長轉換膜結構，其中該可撓式基材的厚度介於10至200微米之間。
- 如申請專利範圍第11項所述之波長轉換膜結構，其中該第一波長轉換層的厚度介於5至20微米之間。
- 如申請專利範圍第11項所述之波長轉換膜結構，其中該擴散層的厚度介於30至100微米之間。
- 一種波長轉換膜貼合結構，包括：一如申請專利範圍第14項之波長轉換膜結構，該波長轉換膜結構具有相對之一第一面與一第二面；一第一貼合膜，形成於該波長轉換膜結構之該第一面；以及一第二貼合膜，形成於該波長轉換膜結構之該第二面。
- 一種發光結構的製造方法，包括：提供一如申請專利範圍第14項所述之波長轉換膜貼合結構；提供一待封裝發光結構，該待封裝發光結構包括一基板及一光源，且該光源設於該基板上；提供一封裝模具，該封裝模具具有一模穴；分離該波長轉換膜結構與該第一貼合膜，以露出該波長轉換膜結構；貼合該波長轉換膜貼合結構於該模穴內；結合該封裝模具與該基板，使該光源位於該模穴內且該波長轉換膜結構朝向該基板； 將一透光包覆體填滿該模穴，使該透光包覆體包覆該光源且該透光包覆體之外表面接觸該波長轉換膜結構；分離該封裝模具與該透光包覆體；移除該波長轉換膜結構之該第二貼合膜；以及切割該基板，以形成一發光結構。
- 一種發光結構，包括：一基板；一光源，設於該基板上且發出具有一第一波長之一第一光線；一透光包覆體，包覆該光源；以及一如申請專利範圍第14項所述之波長轉換膜結構，順應該透光包覆體之一外表面的輪廓而包覆該透光包覆體之該外表面；其中，該第一光線在經過該波長轉換膜結構後，部分被轉換成具有一第二波長之一第二光線，其中該第一波長小於該第二波長。
- 如申請專利範圍第17項所述之發光結構，其中該光源係藍光發光二極體。
- 如申請專利範圍第17項所述之發光結構，其中該透光包 覆體包含螢光粒子。
- 一種發光結構，包括：一基板；一環形承載件，設於該基板且具有一容置空間；一光源，設於該容置空間之底部，且發出具有一第一波長之第一光線；以及一如申請專利範圍第11項所述之波長轉換膜結構，設於該環形承載件之頂面並覆蓋整個該光源之上方；其中，該第一光線在經過該波長轉換膜結構後，部分被轉換成具有一第二波長之一第二光線，其中該第一波長小於該第二波長。
- 如申請專利範圍第20項所述之發光結構，其中該環形承載件係一反射杯，該反射杯環繞該基板的側面，且該波長轉換膜結構的橫向面積大於該基板的橫向面積。
- 如申請專利範圍第20項所述之發光結構，其中該環形承載件係一擋牆，該擋牆設於該基板的上表面上，且該波長轉換膜結構的橫向面積小於該基板的橫向面積。
- 如申請專利範圍第20項所述之發光結構，其中該光源係 藍光發光二極體。
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Cited By (2)
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