CN116487508B - 基于量子点的Micro LED结构及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及一种基于量子点的Micro LED结构及其制备方法，属于Micro LED显示技术领域，该结构包括阵列排布的像素，且每个像素包括：发光元件、第一光调制层以及阳极反射层；发光元件包括相对的第一表面和第二表面，以及衔接第一表面和第二表面的衔接面；发光元件的第一表面对应Micro LED结构的出光面；第一光调制层位于发光元件的至少部分第二表面和/或至少部分衔接面；第二颜色的光的波长大于第一颜色的光的波长；阳极反射层位于第一光调制层背离发光元件的一侧。如此，通过利用阳极反射层对第一光调制层发出的光进行反射，使发光元件的第二表面和/或衔接面的光能够进一步被反射至出光面，提高了Micro LED结构的光利用率并降低了整体能耗。
Description
技术领域
本公开涉及Micro LED显示技术领域，尤其涉及一种基于量子点的Micro LED结构及其制备方法。
背景技术
目前，现有Micro LED（微型发光二极管）显示技术中，LED发光为全方位角发光，即包括正面发光、侧面发光以及背面发光，通常都在LED正面的发光面制备相关结构提高光的利用率，而针对LED侧面发光以及背面发光的研究还较少，未有效实现对LED侧面和背面的光的利用，例如在相关的Micro LED显示技术中，LED背面的阳极金属和氧化硅（SiOx）工艺制备的绝缘层仅实现了电性连接，使LED背面和侧面发光时存在漏光，从而使光利用率降低且能耗增加。
发明内容
为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本公开提供了一种基于量子点的Micro LED结构及其制备方法。
本公开提供了一种基于量子点的Micro LED结构，包括阵列排布的像素，且每个所述像素包括：发光元件、第一光调制层以及阳极反射层；
所述发光元件包括相对的第一表面和第二表面，以及衔接所述第一表面和所述第二表面的衔接面；所述发光元件的第一表面对应所述Micro LED结构的出光面；所述发光元件用于发出第一颜色的光；
所述第一光调制层位于所述发光元件的至少部分所述第二表面和/或至少部分所述衔接面；所述第一光调制层用于基于所述发光元件的所述第二表面和/或所述衔接面出光发出第二颜色的光，或者用于传输所述第一颜色的光；所述第二颜色的光的波长大于所述第一颜色的光的波长；
所述阳极反射层位于所述第一光调制层背离所述发光元件的一侧；所述阳极反射层至少用于反射所述第二颜色的光或经所述第一光调制层之后的所述第一颜色的光至所述Micro LED结构的出光面。
可选地，所述第一光调制层位于所述发光元件的至少部分所述第二表面和/或至少部分所述衔接面，包括：
所述第一光调制层包覆所述发光元件的所述衔接面和部分所述第二表面。
可选地，所述第一光调制层包括第一量子点层或者第一透明传输层；
所述第一量子点层用于基于所述发光元件的所述第二表面和/或所述衔接面出光发出所述第二颜色的光；
所述第一透明传输层用于传输所述第一颜色的光。
可选地，所述Micro LED结构还包括第一阴极层和第二光调制层，所述第二光调制层与所述第一光调制层发出相同颜色的光；
所述第一阴极层设置于所述发光元件的第一表面；所述第二光调制层位于所述第一阴极层背离所述发光元件的一侧；
所述第二光调制层用于基于所述发光元件的第一表面出光发出所述第二颜色的光，或者用于传输所述第一颜色的光；
其中，所述第一阴极层用于接入公共电位。
可选地，所述Micro LED结构还包括反射绝缘层和第二阴极层；
所述反射绝缘层衔接在所述第二阴极层和所述阳极反射层之间，且所述反射绝缘层和/或所述第一光调制层间隔开所述阳极反射层和所述第一阴极层；
所述反射绝缘层至少用于对所述第一光调制层发出的所述第二颜色的光或所述第一颜色的光进行反射；
其中，所述第二阴极层为公共阴极层，用于将所述公共电位传输至所述第一阴极层。
可选地，所述反射绝缘层的折射率大于所述第一光调制层的折射率。
可选地，所述Micro LED结构还包括像素绝缘层；
所述像素绝缘层设置于所述阳极反射层和所述第二阴极层之间，且位于所述阳极反射层背离所述发光元件的一侧；
所述像素绝缘层用于对相邻所述像素进行绝缘。
可选地，所述Micro LED结构还包括准直元件；
所述准直元件设置于所述第二光调制层背离所述第一阴极层的一侧；所述准直元件用于准直由所述第二光调制层出射的光。
本公开还提供了一种基于量子点的Micro LED结构的制备方法，用于制备以上任一种所述的Micro LED结构；所述方法包括：
制备发光元件；
在所述发光元件的至少部分所述第二表面和/或至少部分所述衔接面形成第一光调制层；
在所述第一光调制层背离所述发光元件的一侧形成阳极反射层。
可选地，所述形成阳极反射层之后还包括：
基于所述阳极反射层，形成反射绝缘层；
在所述发光元件的第一表面，形成第一阴极层；
基于所述反射绝缘层，形成第二阴极层；
在所述第一阴极层背离所述发光元件的一侧形成第二光调制层；
在所述第二光调制层背离所述第一阴极层的一侧形成准直元件。
本公开实施例提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：
本公开实施例提供的基于量子点的Micro LED结构，包括阵列排布的像素，且每个像素包括：发光元件、第一光调制层以及阳极反射层；发光元件包括相对的第一表面和第二表面，以及衔接第一表面和第二表面的衔接面；发光元件的第一表面对应Micro LED结构的出光面；发光元件用于发出第一颜色的光；第一光调制层位于发光元件的至少部分第二表面和/或至少部分衔接面；第一光调制层用于基于发光元件的第二表面和/或衔接面出光发出第二颜色的光，或者用于传输第一颜色的光；第二颜色的光的波长大于第一颜色的光的波长；阳极反射层至少位于第一光调制层背离发光元件的一侧；阳极反射层至少用于反射第二颜色的光或经第一光调制层之后的第一颜色的光至Micro LED结构的出光面。如此，通过利用阳极反射层对第一光调制层发出的光进行反射，使发光元件的第二表面和/或衔接面的光能够进一步被反射至出光面，提高了Micro LED结构的光利用率并降低了整体能耗。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开实施例提供的一种基于量子点的Micro LED结构的示意图；
图2为本公开实施例提供的另一种基于量子点的Micro LED结构的示意图；
图3为本公开实施例提供的又一种基于量子点的Micro LED结构的示意图；
图4为本公开实施例提供的一种基于量子点的Micro LED结构的制备方法的流程示意图。
其中，110、发光元件；120、第一光调制层；130、阳极反射层；01、第一表面；02、第二表面；03、衔接面；04、驱动基板；05、发光基板；140、第一阴极层；150、第二光调制层；160、反射绝缘层；170、第二阴极层；180、像素绝缘层；190、准直元件。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本公开的上述目的、特征和优点，下面将对本公开的方案进行进一步描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本公开，但本公开还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施；显然，说明书中的实施例只是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。
下面结合附图，对本公开实施例提供的基于量子点的Micro LED结构及其制备方法进行示例性说明。
示例性地，在一些实施例中，图1为本公开实施例提供的一种基于量子点的MicroLED结构的示意图。参照图1，由于Micro LED结构包括阵列排布的像素，图1示出每个像素包括：发光元件110、第一光调制层120以及阳极反射层130；发光元件110包括相对的第一表面01和第二表面02，以及衔接第一表面01和第二表面02的衔接面03；发光元件110的第一表面01对应Micro LED结构的出光面；发光元件110用于发出第一颜色的光；第一光调制层120位于发光元件110的至少部分第二表面02和/或至少部分衔接面03；第一光调制层120用于基于发光元件110的第二表面02和/或衔接面03出光发出第二颜色的光，或者用于传输第一颜色的光；第二颜色的光的波长大于第一颜色的光的波长；阳极反射层130至少位于第一光调制层120背离发光元件110的一侧；阳极反射层130至少用于反射第二颜色的光或经第一光调制层120之后的第一颜色的光至Micro LED结构的出光面。
其中，由于第一表面01对应Micro LED结构的出光面，则第一表面01对应发光元件110的出光面，第二表面02和衔接面03一同对应发光元件110的背光面。示例性地，以图1示出的方位和结构为例，第一表面01位于发光元件110的下方，相对地，第二表面02位于发光元件110的上方，衔接面03位于发光元件110的侧方，以衔接相互平行的第一表面01和第二表面02，在此关于第一表面01和第二表面02的具体方位不做限定，只需保证第一表面01对应发光元件110的出光面即可。
其中，发光元件110为用于发出波长较短即能量较高的光的元件，例如可为LED，以激发第一光调制层120发出波长较长即能量较低的光。示例性地，由于第二颜色的光的波长大于第一颜色的光的波长，所以第二颜色的光可为绿光或红光，第一颜色的光可为蓝光，在此关于第二颜色的光和第一颜色的光的颜色不限定。
其中，第一光调制层120为用于形成光致发光或直接传输发光元件110发出的光的结构。示例性地，以图1示出的方位和结构为例，第一光调制层120可位于发光元件110两侧的衔接面03和部分第二表面02，或者位于发光元件110的第二表面02和两侧的衔接面03，或者位于发光元件110的部分衔接面03和部分第二表面02，在其他实施方式中，第一光调制层120还可为本领域技术人员可知的其他设置位置，可根据Micro LED结构的光利用率需求设置第一光调制层120的具体位置，在此不限定。
需要说明的是，图1中示出的Micro LED结构中，由于包覆第一光调制层120的阳极反射层130还需和发光元件110电性连接，所以第一光调制层120设置于发光元件110的部分第二表面02，以为电性连接预留出相应连接区域，同时，为进一步提高Micro LED结构的光利用率，还将第一光调制层120设置于发光元件110两侧的衔接面03；另外，第一光调制层120还具有绝缘功能，以避免阳极反射层130和后文中发光元件110下方的第一阴极层140接触而短路。
具体地，针对预设像素发出绿光的情况，发光元件110发出蓝光即第一颜色的光，第一光调制层120受蓝光激发而发出绿光即第二颜色的光，之后包覆第一光调制层120的阳极反射层130反射绿光至发光元件110的出光面；针对预设像素发出蓝光的情况，发光元件110发出蓝光，第一光调制层120直接传输发光元件110发出的蓝光，之后包覆第一光调制层120的阳极反射层130反射第一光调制层120传输过来的蓝光至发光元件110的出光面；按此，针对预设像素发出红光的情况与预设像素发出绿光的情况类似，可参见第一光调制层120发出绿光的原理进行理解，在此不再赘述。
不难理解的是，由于像素呈阵列排布，且每个像素均包括图1中示出的结构，可根据Micro LED结构的发光需求设置预设像素的发光颜色。示例性地，当像素为三行三列排布时，可使每行的像素依次发出红光、绿光和蓝光，或者每行的像素依次发出绿光、红光和蓝光，或为其他颜色的发光顺序，在此关于像素的排布方式和发光颜色均不进行具体限定。
公开实施例提供的基于量子点的Micro LED结构，通过利用阳极反射层130对第一光调制层120发出的光进行反射，使发光元件110的第二表面和/或衔接面的光能够进一步被反射至出光面，提高了Micro LED结构的光利用率并降低了整体能耗。
在一些实施例中，参照图1，第一光调制层120位于发光元件110的至少部分第二表面和/或至少部分衔接面，包括：第一光调制层120包覆发光元件110的衔接面和部分第二表面。
示例性地，以图1示出的方位和结构为例，阳极反射层130位于发光元件110上方，通过发光元件110上方的表面即第二表面02和发光元件110实现电性连接，所以为更好地提高光利用率，第一光调制层120将除电性连接的相应区域以外的背光面均进行覆盖；在此基础上，阳极反射层130向上方延伸至包覆住第一光调制层120，以对第一光调制层120发出的第二颜色的光或传输的第一颜色的光进行反射，同时，阳极反射层130作为阳极和发光元件110连接，便于在后续中和驱动基板实现电性连接，以利用驱动基板点亮发光元件110，在此不再赘述。
在一些实施例中，参照图1，第一光调制层120包括第一量子点层或者第一透明传输层；第一量子点层用于基于发光元件的第二表面和/或衔接面出光发出第二颜色的光；第一透明传输层用于传输第一颜色的光。
具体地，针对预设像素发出绿光的情况，第一光调制层120为包括绿色量子点的第一量子点层；针对预设像素发出红光的情况，第一光调制层120为包括红色量子点的第一量子点层；针对预设像素发出蓝光的情况，第一光调制层120为不包括量子点的第一透明传输层。示例性地，第一量子点层可为由量子点光刻胶形成的膜层，例如由掺杂红色量子点或绿色量子点的树脂或其他材料形成的膜层，相应地，第一透明传输层可为由不掺杂量子点的透明光刻胶形成的膜层，例如利用树脂或其他材料形成的膜层，且设置的第一透明传输层利于弥补相邻结构的折射率的差异，在此关于第一量子点层和第一透明传输层的组成材料均不限定。
不难理解的是，由于第一量子点层包括量子点，当发光元件110的第二表面和/或衔接面出光时，第一量子点层能够受激发而形成对应颜色的光致发光；据此，由于第一透明传输层不包括量子点，当发光元件110的第二表面和/或衔接面出光时，第一透明传输层则直接传输发光元件110发出的第一颜色的光，关于第一光调制层120的具体发光颜色可参见上文理解，在此不再赘述。
在一些实施例中，图2为本公开实施例提供的另一种基于量子点的Micro LED结构的示意图。在图1的基础上，参照图2，该Micro LED结构还包括第一阴极层140和第二光调制层150，第二光调制层150与第一光调制层120发出相同颜色的光；第一阴极层140设置于发光元件110的第一表面01；第二光调制层150位于第一阴极层140背离发光元件110的一侧；第二光调制层150用于基于发光元件110的第一表面01出光发出第二颜色的光，或者用于传输第一颜色的光；其中，第一阴极层140用于接入公共电位。
其中，第一阴极层140为用于引出并连接发光元件110的共阴极的结构，以通过发光元件110的共阴极接入公共电位。示例性地，以图1示出的方位和结构为例，第一阴极层140位于发光元件110的下方，且通过第一光调制层120间隔开阳极反射层130和第一阴极层140，以防止发光元件110的阳极反射层130和第一阴极层140接触而形成短路，保证MicroLED结构的良好连接。
其中，第二光调制层150为和第一光调制层120相同类型的结构，以和第一光调制层120发出相同颜色的光。示例性地，当第一光调制层120为包括绿色量子点的第一量子点层时，第二光调制层150也为包括绿色量子点的第一量子点层；当第一光调制层120为包括红色量子点的第一量子点层时，第二光调制层150也为包括红色量子点的第一量子点层；当第一光调制层120为第一透明传输层时，第二光调制层150也为第一透明传输层，可根据第一光调制层120的类型匹配设置第二光调制层150的类型，在此不限定。
具体地，以图1中示出的方位和结构为例，第二光调制层150位于第一阴极层140的下方，当第二光调制层150为包括量子点的第一量子点层时，通过发光元件110的第一表面01出光，第二光调制层150受激发发出第二颜色的光；或者，当第二光调制层150为第一透明传输层时，则直接传输发光元件110的第一表面01发出的第一颜色的光，可参见第二光调制层150的工作原理进行理解，在此不再赘述。
在一些实施例中，参照图2，该Micro LED结构还包括反射绝缘层160和第二阴极层170；反射绝缘层160衔接在第二阴极层170和阳极反射层130之间，且反射绝缘层160和/或第一光调制层120间隔开阳极反射层130和第一阴极层140；反射绝缘层160至少用于对第一光调制层120发出的第二颜色的光或第一颜色的光进行反射；其中，第二阴极层170为公共阴极层，用于将公共电位传输至第一阴极层。
其中，反射绝缘层160为具有较高折射率的绝缘结构，如由于反射绝缘层160衔接在第二阴极层170和阳极反射层130之间，所以反射绝缘层160能够对第二阴极层170和阳极反射层130进行绝缘，防止二者接触而短路，同时，由于反射绝缘层160和/或第一光调制层120间隔开阳极反射层130和第一阴极层140，则反射绝缘层160可和阳极反射层130一同对第一光调制层120进行包覆，所以反射绝缘层160还能够对第一光调制层120发出的第二颜色的光或第一颜色的光进行反射（如包括发生全反射）。
需要说明的是，当反射绝缘层160具有较高折射率时，第一光调制层120发出的第二颜色的光或第一颜色的光才可能在反射绝缘层160上发生全反射，为此，反射绝缘层160的尺寸需设置的较小一些，以保证能够在预设角度如45°、30°或其他角度发生全反射，可根据全反射的实际需求设置反射绝缘层160的具体尺寸，在此不限定。
其中，第二阴极层170（对应共阴极）为围绕第二光调制层150的环状结构，相邻像素的第二阴极层170均紧密相接且电位相同，由此形成共阴极，进一步地，在第二阴极层170和第一阴极层140连接的基础上，第二阴极层170能够进一步将公共电位传输至第一阴极层140。
示例性地，第二阴极层170的制备材料可为铝或其他材料，且当第二阴极层170为金属材料时，其能够对经过的光（如第一光调制层120发出的第二颜色的光或第一颜色的光）进行反射，进一步约束经过的光的方向；此外，第二阴极层170还能够防止相邻像素发生光串扰，在此关于第二阴极层170的制备材料不限定。
在一些实施例中，参照图2，反射绝缘层160的折射率大于第一光调制层120的折射率。
不难理解的是，当反射绝缘层160的折射率大于第一光调制层120的折射率时，能够将第一光调制层120发出的第二颜色的光或第一颜色的光在反射绝缘层160的表面进行全反射，以使其能够被反射至发光元件110的出光面；当反射绝缘层160的折射率小于第一光调制层120的折射率时，则无法实现全反射且第一光调制层120发出的第二颜色的光或第一颜色的光会部分透过。
其中，由于反射绝缘层160具有较高的折射率，为第一光调制层120发出的第二颜色的光或第一颜色的光提供了全反射条件，同时阳极反射层130和第二阴极层170均可反射第一光调制层120发出的第二颜色的光或第一颜色的光，从而使第一光调制层120发出的第二颜色的光或第一颜色的光能够被束缚于阳极反射层130、反射绝缘层160以及第二阴极层170包围形成的腔内，即，第一光调制层120发出的第二颜色的光或第一颜色的光通过在腔内不断进行反射，最终使其能够由发光元件110的出光面出射。
在一些实施例中，参照图2，该Micro LED结构还包括像素绝缘层180；像素绝缘层180设置于阳极反射层130和第二阴极层170之间，且位于阳极反射层130背离发光元件110的一侧；像素绝缘层180用于对相邻像素进行绝缘。
具体地，以图2示出的方位和结构为例，像素绝缘层180设置于每个像素中发光元件110的相对两侧，以对相邻像素进行绝缘，防止相邻像素之间发生短路。示例性地，像素绝缘层180的制备材料可为氧化硅（SiOx）材料或其他具有绝缘性质的材料，在此不限定。
在一些实施例中，该Micro LED结构还包括准直元件190；准直元件190设置于第二光调制层150背离第一阴极层140的一侧；准直元件190用于准直由第二光调制层150出射的光。
其中，以图2示出的方位和结构为例，准直元件190设置于第二光调制层150的下方，以将第二光调制层150出射的光，即将第一光调制层120发出的光和第二光调制层150发出的光进行准直。具体地，由于第二光调制层150与第一光调制层120发出相同颜色的光，所以当第一光调制层120发出第二颜色的光时，会被反射至发光元件110的出光面，与第二光调制层150发出的第二颜色的光一同被准直元件190准直，关于第二光调制层150与第一光调制层120传输第一颜色的光的情况可参见以上情况，即第二光调制层150与第一光调制层120均发出第二颜色的光的情况进行理解，在此不再赘述。
示例性地，准直元件190可为微透镜（Micro Lens），在其他实施方式中，还可为本领域技术人员可知的其他具有光准直功能的元件，在此不限定。
示例性地，图3为本公开实施例提供的又一种基于量子点的Micro LED结构的示意图。在图2的基础上，参照图3，图3中示出发光元件110设置于发光基板05内，且发光基板05通过发光元件110的阳极反射层130和驱动基板04实现电性连接，以利用驱动基板04点亮发光元件110。
在上述实施方式的基础上，本公开实施例还提供了一种基于量子点的Micro LED结构的制备方法，用于制备上述实施方式提供的任一种Micro LED结构，具有相应的有益效果。
示例性地，图4为本公开实施例提供的一种基于量子点的Micro LED结构的制备方法的流程示意图。在图3的基础上，参照图4，该制备方法包括：
S210、制备发光元件。
其中，发光元件110包括相对的第一表面01和第二表面02，以及衔接第一表面01和第二表面02的衔接面03；发光元件110的第一表面01对应Micro LED结构的出光面；发光元件110用于发出第一颜色的光。
结合前文中图3示出的结构，可先在发光基板05中形成发光元件110，例如在发光基板05中通过刻蚀工艺刻蚀出发光元件110的形状，之后再利用其他制备工艺形成发光元件110周围的其他结构，后文中对此进行示例性说明。
示例性地，基于已制备的发光元件110，可在发光元件110的相对两侧先沉积氧化硅（SiOx）材料，再通过光刻和刻蚀等工艺形成像素绝缘层180。
S220、在发光元件的至少部分第二表面和/或至少部分衔接面形成第一光调制层120。
其中，第一光调制层120用于基于发光元件110的第二表面02和/或衔接面03出光发出第二颜色的光，或者用于传输第一颜色的光；第二颜色的光的波长大于第一颜色的光的波长。
示例性地，可先在发光元件110的至少部分第二表面02和/或至少部分衔接面03涂布第一量子点层或第一透明传输层，之后再对涂布后的膜层进行光刻，由此形成第一光调制层120。
S230、在第一光调制层背离发光元件的一侧形成阳极反射层。
其中，阳极反射层130至少用于反射第二颜色的光或经第一光调制层120之后的第一颜色的光至Micro LED结构的出光面。
具体如，可采用大马士革工艺在发光基板05和驱动基板04中形成用于电性连接的阳极反射层130，再通过混合键合方式将发光基板05和驱动基板04进行键合。示例性地，阳极反射层130的制备材料可为氮化钽（TaN）、钽（Ta）以及铜（Cu）组合而成的材料，如可在发光元件110上方依次形成材料为氮化钽（TaN）、钽（Ta）以及铜（Cu）的叠层，以形成阳极反射层130，在此不限定。
在一些实施例中，参照图3和图4，S230中形成阳极反射层之后，还包括如下步骤：
步骤一：基于阳极反射层，形成反射绝缘层。
示例性地，在发光基板05中可通过光刻和离子注入等工艺，在阳极反射层130的相应位置处形成反射绝缘层160，以对阳极反射层130和后续形成的第二阴极层170进行绝缘，和/或第一光调制层120间隔开阳极反射层130和后续形成的第一阴极层140。
步骤二：在发光元件的第一表面，形成第一阴极层。
示例性地，可先对发光基板05进行刻蚀，并采用物理气相沉积（Physical VaporDeposition，PVD）的方式在发光元件110的第一表面01处沉积氧化铟锡（Indium TinOxide，ITO），再采用光刻、刻蚀等工艺形成第一阴极层140。
步骤三：基于反射绝缘层，形成第二阴极层。
示例性地，在已形成的反射绝缘层160的基础上，可采用物理气相沉积（PhysicalVapor Deposition，PVD）的方式沉积铝，以在反射绝缘层160背离阳极反射层130的一侧形成第二阴极层170。
步骤四：在第一阴极层背离发光元件的一侧形成第二光调制层。
示例性地，基于第一阴极层140和第二阴极层170，可在第二阴极层170内部填充第一量子点层或第一透明传输层，形成第二光调制层150，需要说明的是，第二光调制层150需和第一光调制层120的类型相同。
步骤五：在第二光调制层背离第一阴极层的一侧形成准直元件。
示例性地，在已填充好的第二光调制层150的表面，可通过光刻和加热等工艺形成微透镜，由此形成具有光准直功能的准直元件。
本公开实施例提供的基于量子点的Micro LED结构的制备方法，通过在发光元件110的至少部分第二表面和/或至少部分衔接面形成第一光调制层120，以及在第一光调制层120背离发光元件110的一侧形成阳极反射层130，对发光元件110的至少部分第二表面和/或至少部分衔接面进行了双层包覆，从而能够在阳极反射层130处实现多重反射，利于提高量子点转换效率并提供良好的防漏光效果，在此基础上，通过在发光元件110的出光面形成第二光调制层150，将发光元件110发出的光进行了全方位利用，由此，提高了MicroLED结构的光利用率并降低了整体能耗。
需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本公开的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本公开。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本公开的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本公开将不会被限制于本文所述的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (8)
1. 一种基于量子点的Micro LED结构，其特征在于，包括阵列排布的像素，且每个所述像素包括：发光元件、第一光调制层以及阳极反射层；
所述发光元件包括相对的第一表面和第二表面，以及衔接所述第一表面和所述第二表面的衔接面；所述发光元件的第一表面对应所述Micro LED结构的出光面；所述发光元件用于发出第一颜色的光；
所述第一光调制层位于所述发光元件的至少部分所述第二表面和/或至少部分所述衔接面；所述第一光调制层用于基于所述发光元件的所述第二表面和/或所述衔接面出光发出第二颜色的光，或者用于传输所述第一颜色的光；所述第二颜色的光的波长大于所述第一颜色的光的波长；
所述阳极反射层位于所述第一光调制层背离所述发光元件的一侧；所述阳极反射层至少用于反射所述第二颜色的光或经所述第一光调制层之后的所述第一颜色的光至所述Micro LED结构的出光面；还包括反射绝缘层和第二阴极层、第一阴极层；
所述反射绝缘层衔接在所述第二阴极层和所述阳极反射层之间，且所述反射绝缘层和/或所述第一光调制层间隔开所述阳极反射层和所述第一阴极层；
所述反射绝缘层至少用于对所述第一光调制层发出的所述第二颜色的光或所述第一颜色的光进行反射；
其中，所述第二阴极层为公共阴极层，用于将公共电位传输至所述第一阴极层；
所述反射绝缘层的折射率大于所述第一光调制层的折射率。
2. 根据权利要求1所述的Micro LED结构，其特征在于，所述第一光调制层位于所述发光元件的至少部分所述第二表面和/或至少部分所述衔接面，包括：
所述第一光调制层包覆所述发光元件的所述衔接面和部分所述第二表面。
3. 根据权利要求1所述的Micro LED结构，其特征在于，所述第一光调制层包括第一量子点层或者第一透明传输层；
所述第一量子点层用于基于所述发光元件的所述第二表面和/或所述衔接面出光发出所述第二颜色的光；
所述第一透明传输层用于传输所述第一颜色的光。
4. 根据权利要求1所述的Micro LED结构，其特征在于，还包括第二光调制层，所述第二光调制层与所述第一光调制层发出相同颜色的光；
所述第一阴极层设置于所述发光元件的第一表面；所述第二光调制层位于所述第一阴极层背离所述发光元件的一侧；
所述第二光调制层用于基于所述发光元件的第一表面出光发出所述第二颜色的光，或者用于传输所述第一颜色的光；
其中，所述第一阴极层用于接入所述公共电位。
5. 根据权利要求1所述的Micro LED结构，其特征在于，还包括像素绝缘层；
所述像素绝缘层设置于所述阳极反射层和所述第二阴极层之间，且位于所述阳极反射层背离所述发光元件的一侧；
所述像素绝缘层用于对相邻所述像素进行绝缘。
6. 根据权利要求4所述的Micro LED结构，其特征在于，还包括准直元件；
所述准直元件设置于所述第二光调制层背离所述第一阴极层的一侧；所述准直元件用于准直由所述第二光调制层出射的光。
7. 一种基于量子点的Micro LED结构的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1-6任一项所述的Micro LED结构；所述方法包括：
制备发光元件；
在所述发光元件的至少部分所述第二表面和/或至少部分所述衔接面形成第一光调制层；
在所述第一光调制层背离所述发光元件的一侧形成阳极反射层；
在第二阴极层和所述阳极反射层之间形成反射绝缘层，且所述反射绝缘层和/或所述第一光调制层间隔开所述阳极反射层和第一阴极层；其中，所述第二阴极层为公共阴极层，用于将所述公共电位传输至所述第一阴极层；
所述反射绝缘层的折射率大于所述第一光调制层的折射率。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成阳极反射层之后还包括：
基于所述阳极反射层，形成反射绝缘层；
在所述发光元件的第一表面，形成第一阴极层；
基于所述反射绝缘层，形成第二阴极层；
在所述第一阴极层背离所述发光元件的一侧形成第二光调制层；
在所述第二光调制层背离所述第一阴极层的一侧形成准直元件。
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