CN220984530U - 一种显示面板 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种显示面板。本实用新型的显示面板中的阻挡保护层覆盖于驱动基板及多个发光单元上，阻挡保护层覆盖侧壁的部分具有与侧壁相背离的侧保护面，反射层设置于至少一个侧保护面上。本实用新型直接在发光单元的侧壁上设置反射层，利用反射层对照射至其上的光线进行发射，防止发光单元发出的光线从其侧壁漏出，提高出光效率，提升发光单元的发光亮度，防止相邻发光单元之间产生光串扰现象。本实用新型在发光单元和反射层之间设置了阻挡保护层，利用阻挡保护层防止对反射层进行图案化处理过程中对发光单元造成损坏，避免影响发光单元的出光效果。

Description

一种显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板。

背景技术

随着人类对高质量显示产品需求的增长和科学技术的发展，显示技术不断地更新迭代，微型发光二极管(英文全称：Micro Light Emitting Diode，简称Micro LED)显示技术因其优越的显示优势逐渐受到人们的关注。具体的，微型发光二极管显示技术是一种以微型发光二极管作为显示像素点的自发光显示技术，将阵列化的微型发光二极管通过转移键合技术集成在驱动基板上，以实现单独控制和点亮，从而输出显示图像。相较于当前成熟的液晶显示器(英文全称：Liquid Crystal Display，简称LCD)和有机发光二极管(英文全称：Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示技术，微型发光二极管显示技术具有高亮度、高对比度、高分辨率、响应速度快、高可靠性、寿命长等优势。

目前，微型发光二极管显示技术中一般会包括多个微型发光二极管，在工作过程中，微型发光二极管发出的一部分光可能会从其侧壁漏出，从而导致微型发光二极管的发光亮度降低，并可能引发相邻的微型发光二极管之间产生光串扰现象。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种显示面板，其能够解决现有微型发光二极管显示技术中存在的微型发光二极管的发光亮度低，相邻的微型发光二极管之间存在光串扰现象的问题。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种显示面板，其包括：驱动基板；驱动基板；多个发光单元，相互间隔设置于所述驱动基板上，每一所述发光单元均包括背离所述驱动基板的一侧的出光面、靠近所述驱动基板的一侧的底面以及连接所述出光面和所述底面的侧壁；阻挡保护层，覆盖于所述驱动基板及多个所述发光单元上，所述阻挡保护层覆盖所述侧壁的部分具有与所述侧壁相背离的侧保护面；反射层，设置于至少一个所述侧保护面上。

进一步的，所述反射层在所述驱动基板上的正投影与所述发光单元的出光面在所述驱动基板上的正投影不重叠。

进一步的，相邻两个所述发光单元上的反射层相互间隔设置。

进一步的，所述阻挡保护层的材质为无机材料或有机材料；所述反射层为金属反射层。

进一步的，所述无机材料包括二氧化硅及氮化硅中的一种或多种；所述有机材料包括热塑性聚酯及聚酰亚胺中的一种或多种；所述金属反射层的材质包括：Al、Ag、Cu中的一种或多种。

进一步的，所述显示面板还包括：遮光层，设置于所述反射层远离所述发光单元的一侧，且与所述反射层对应设置。

进一步的，所述反射层为分布式布拉格反射层，所述分布式布拉格反射层包括至少一个反射膜组；每一所述反射膜组包括：第一反射膜；第二反射膜，设置于所述第一反射膜远离所述发光单元的一侧；所述第二反射膜的折射率小于所述第一反射膜的折射率。

进一步的，每一所述发光单元上的第一反射膜的厚度和第二反射膜的厚度均为相应所述发光单元的出射光线的波长的1/4。

进一步的，所述第一反射膜的折射率的范围为1.9-2.1；所述第二反射膜的折射率的范围为1.4-1.6。

进一步的，所述第一反射膜与所述第二反射膜的材质均包括非晶硅、氧化钛、氧化锆中的一种或多种。

本实用新型的优点是：本实用新型直接在发光单元的侧壁上设置反射层，利用反射层对照射至其上的光线进行发射，防止发光单元发出的光线从其侧壁漏出，提高出光效率，提升发光单元的发光亮度，防止相邻发光单元之间产生光串扰现象。

本实用新型在发光单元和反射层之间设置了阻挡保护层，利用阻挡保护层防止对反射层进行图案化处理过程中对发光单元造成损坏，避免影响发光单元的出光效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型的实施例1的显示面板的结构示意图；

图2是本实用新型的实施例1的显示面板的光路示意图；

图3是实施例1的在衬底上制备外延层的结构示意图；

图4是在外延层上制备第一子键合层的结构示意图；

图5是具有第二子键合层的驱动基板的结构示意图；

图6是将外延层和驱动基板进行键合并剥离衬底的结构示意图；

图7是对外延层进行刻蚀形成发光单元的结构示意图；

图8是制备阻挡保护层的结构示意图；

图9是制备反射层的结构示意图；

图10是本实用新型实施例2的显示面板的结构示意图；

图11是本实用新型的实施例1的显示面板的光路示意图；

图12是实施例2的在衬底上制备外延层的结构示意图；

图13是直接对衬底上的外延层进行刻蚀形成发光单元的结构示意图。

附图标记说明：

100、显示面板；

1、驱动基板； 2、键合层；

3、发光单元； 4、阻挡保护层；

5、反射层； 6、遮光层；

7、衬底； 8、外延层；

301、出光面； 302、底面；

303、侧壁；

31、第一半导体层； 32、发光层；

33、第二半导体层；

501、第一反射膜； 502、第二反射膜；

71、红色发光单元； 72、绿色发光单元；

73、蓝色发光单元；

111、微结构。

具体实施方式

以下结合说明书附图详细说明本实用新型的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本实用新型的技术内容，以举例证明本实用新型可以实施，使得本实用新型公开的技术内容更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本实用新型。然而本实用新型可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本实用新型的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本实用新型的范围。

本实用新型所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，本文所使用的方向用语是用来解释和说明本实用新型，而不是用来限定本实用新型的保护范围。

在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外，为了便于理解和描述，附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本实用新型并没有限定每个组件的尺寸和厚度。

如图1所示，本实施例提供一种显示面板100。显示面板100包括：驱动基板1、键合层2、多个发光单元3、阻挡保护层4、反射层5以及遮光层6。

其中，驱动基板1包括基板及驱动电路层等结构，此处不再一一赘述。

其中，键合层2设置于驱动基板1和发光单元3之间，主要用于电连接驱动基板1和发光单元3。本实施例中，键合层2的材质为金属，即驱动基板1和发光单元3之间采用金属键合的方式实现电连接，在其他实施例中，驱动基板1和发光单元3之间还可以采用异方性导电胶膜(英文全称：Anisotropic Conductive Film，简称ACF)键合的方式或者激光键合的方式实现电连接。

其中，多个发光单元3相互间隔设置于驱动基板1上。具体的，多个发光单元3相互间隔设置于键合层2远离驱动基板1的一侧的表面上。本实施例中，发光单元3为Micro LED，在其他实施例中，发光单元3还可以是Mini LED。

可以理解，“多个发光单元3相互间隔设置于驱动基板1上”是指发光单元3彼此间隔设置，且可以直接设置于驱动基板1，也可以间接设置于驱动基板1上，如图1所示的实施例中，发光单元3与驱动基板1隔了一层键合层2，在其他实施例中，发光单元3和驱动基板1之间还可以设置其他膜层。

其中，每一发光单元3均包括远离驱动基板1的一侧的出光面301、靠近驱动基板1的一侧的底面302以及连接出光面301和底面302的侧壁303。

其中，每一发光单元3均包括：第一半导体层31、发光层32以及第二半导体层33。第一半导体层31可以为p型半导体层，该p型半导体层可以是经过掺杂或离子注入等方式形成的，如可以是p型GaN或InGaN层等。第二半导体层33为n型半导体层，该n型半导体层可以为经过掺杂或离子注入等方式形成的，如可以是n型GaN或InGaN层等。发光层32是从第一半导体层31提供的空穴和从第二半导体层33提供的电子重新结合并且输出特定波长的光的层，并且发光层32可以具有单量子阱结构或多量子阱(MQW)结构以及阱层和势垒层交替层叠。

其中，阻挡保护层4覆盖于所述驱动基板1及多个所述发光单元3上，所述阻挡保护层4覆盖所述侧壁303的部分具有与所述侧壁303相背离的侧保护面401。值得注意的是，阻挡保护层4是连续的膜层结构，具有较高的透过率，能够透射发光单元3发出的光。本实用新型在发光单元3和反射层5之间设置了阻挡保护层4，利用阻挡保护层4防止对反射层5进行图案化处理过程中对发光单元3造成损坏，避免影响发光单元3的出光效果。

其中，阻挡保护层4的材质可以采用无机材料，无机材料包括二氧化硅及氮化硅中的一种或多种；阻挡保护层的材质也可以采用有机材料，有机材料包括热塑性聚酯(PET)及聚酰亚胺(PI)中的一种或多种。本实施例中，阻挡保护层4的材质为二氧化硅。

其中，反射层5设置于至少一个侧保护面401上。本实施例中，反射层设置于每一个侧保护面401上。可以理解的是，反射层5可以紧密贴合于侧保护面401上，也可以在反射层5与侧保护面401之间设置其他膜层，只要满足反射层5能够覆盖住侧保护面401，使得发光单元3的侧壁出射的光线能够被反射层5反射即可，本申请对此不作限制。

如图2所示，本实用新型直接在发光单元3的侧壁上设置反射层5，利用反射层5对照射至其上的光线进行发射，防止发光单元3发出的光线从其侧壁漏出，提高出光效率，提升发光单元3的发光亮度，防止相邻发光单元3之间产生光串扰现象。

其中，反射层5在驱动基板1上的正投影与发光单元3的出光面301在驱动基板1上的正投影不重叠。换句话而言，反射层5不覆盖发光单元3的出光面301，由此可以使得发光单元3的光线能够从出光面进行出射。

其中，相邻两个发光单元3上的反射层5相互间隔设置。换句话而言，反射层5不覆盖相邻两个发光单元3之间的阻挡保护层4上。

本实施例中的反射层5为金属反射层，金属反射层的材质包括：Al、Ag、Cu中的一种或多种。具体的，本实施例中，金属反射层的材质为Cu。

其中，遮光层6设置于反射层5远离发光单元3的一侧，且与反射层5对应设置。由于本实施例中的反射层5的材质为金属，金属容易对环境光进行反射，容易影响发光单元3的显示效果，所以本实施例在反射层5上覆盖一层遮光层6，利用遮光层6降低反射层5对环境光的反射。

本实施例的反射层5为金属反射层，金属的反射光谱更宽，具有更好的普适性，可以应用在多色或全彩化LED；但由于金属对环境光的反射也很强烈，还需要增加一道工艺制备遮光层6以保证出光效果良好，工艺更为复杂。

本实施例还提供了本实施例的显示面板的制备方法，具体步骤如下所示。

如图3所示，S1，在一衬底7上制备外延层8。外延层8包括第二半导体材料层81、发光材料层82以及第一半导体材料层83。其中，衬底7包括但不限于蓝宝石衬底、硅衬底、GaN衬底等。

如图4所示，S2，在外延层8上设置第一子键合层21。第一子键合层21的材质包括Ti、Sn、Au、Cu等金属及合金。

如图5所示，S3，提供一具有第二子键合层22的驱动基板1。

如图6所示，S4，将外延层8上的第一子键合层21和驱动基板1上的第二子键合层22进行键合，然后剥离外延层8上的衬底7。其中，第一子键合层21和第二子键合层22可以通过加温或者加压的方式使金属熔融形成共晶结构完成键合，第一子键合层21和第二子键合层22键合后形成键合层2。

如图7所示，S5，对外延层8进行刻蚀形成间隔设置于驱动基板1上的发光单元3。

如图8所示，S6，在驱动基板1和多个发光单元3上覆盖阻挡保护层4，阻挡保护层4覆盖侧壁303的部分具有与侧壁303相背离的侧保护面401。指的注意的是，阻挡保护层4覆盖于每一发光单元3的出光面301和侧壁303以及任意两个相邻的发光单元3之间的驱动基板1上。

如图9所示，S7，在侧保护面401上制备反射层5。具体的，可以是整面溅射或蒸镀金属，然后通过刻蚀工艺完成图案化处理；也可以是先在不需要设置反射层5的地方形成光阻，再通过溅射或蒸镀等方法形成反射层5。

如图1所示，S8，在反射层5远离发光单元3的一侧对应于反射层5设置遮光层6。遮光层6的材料可以是高遮光性的光刻胶等，将反射层5外侧(远离发光单元3的一侧)完全覆盖，降低反射层5对环境光的反射。

实施例2

如图10所示，本实施例包括了实施例1的大部分技术特征，本实施例与实施例1的区别在于：本实施例中的反射层5为分布式布拉格反射层(英文全称：distributed Braggreflector，简称DBR)。

其中，分布式布拉格反射层包括至少一个反射膜组。本实施例中，反射层5包括一个反射膜组，其他实施例中，反射层5可以包括两个、四个、五个反射膜组等。每一反射膜组包括第一反射膜501以及第二反射膜502。

其中，第二反射膜502设置于第一反射膜501远离发光单元3的一侧；第二反射膜502的折射率小于第一反射膜501的折射率。

其中，第一反射膜501的折射率的范围为1.9-2.1。本实施例中，第一反射膜501的折射率为2。第一反射膜501的材质包括非晶硅、氧化钛、氧化锆中的一种或多种。本实施例中，第一反射膜501的材质为非晶硅，由此第一反射膜501具有良好的阻水氧性能，可以提升反射层5的封装性能。

其中，第二反射膜502的折射率的范围为1.4-1.6。本实施例中，第二反射膜502的折射率为1.5。第二反射膜502的材质包括非晶硅、氧化钛、氧化锆中的一种或多种。本实施例中，第二反射膜502的材质为非晶硅，由此第二反射膜502具有良好的阻水氧性能，可以提升反射层5的封装性能。

其中，第一反射膜和第二反射膜的厚度要满足布拉格反射公式，才会有针对性地对某个波长进行反射：其中，di为厚度、ni为折射率、λ为波长，即光学厚度等于中心波长的四分之一。因此，其中，每一发光单元3上的第一反射膜501的厚度和第二反射膜502的厚度均为相应发光单元3的出射光线的波长的1/4。可以通过改变分布式布拉格反射层的材料的折射率、结构周期数等可以实现对反射层5的反射率的调控。

如图11所示，本实用新型直接在发光单元3的侧壁上设置反射层5，利用反射层5对照射至其上的光线进行发射，防止发光单元3发出的光线从其侧壁漏出，提高出光效率，提升发光单元3的发光亮度，防止相邻发光单元3之间产生光串扰现象。

本实施例的反射层5为分布式布拉格反射层，对环境光的反射较低，可以不用制备遮光层6，相较于金属的反射层可以节省一道工艺，而且本实施例可以通过改变分布式布拉格反射层的材料的折射率、结构周期数等实现对反射层5的反射率的调控，可以实现较高的反射率，但是通常只能反射特定波长的光，更适用于单色R或单色G或单色B的反射。综上，本实施例的分布式布拉格反射层和实施例1的金属反射层各有优缺点，可根据实际应用场景综合考量。

如图12所示，本实施例的显示面板的制备方法与实施例1的显示面板的制备方法的区别在于：本实施例中，在一衬底7上制备外延层8。外延层8包括第一半导体材料层83、发光材料层82以及第二半导体材料层81。其中，衬底7包括但不限于蓝宝石衬底、硅衬底、GaN衬底等。

如图13所示，本实施例的显示面板的制备方法与实施例1的显示面板的制备方法的区别在于：本实施例中，直接对衬底7上的外延层8进行刻蚀形成相互间隔的发光单元3，然后将发光单元3与驱动基板1进行键合再进行S6以及后续步骤。

进一步的，以上对本申请所提供的一种显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板(100)，其特征在于，包括：

驱动基板(1)；

多个发光单元(3)，相互间隔设置于所述驱动基板(1)上，每一所述发光单元(3)均包括背离所述驱动基板(1)的一侧的出光面(301)、靠近所述驱动基板(1)的一侧的底面(302)以及连接所述出光面(301)和所述底面(302)的侧壁(303)；

阻挡保护层(4)，覆盖于所述驱动基板(1)及多个所述发光单元(3)上，所述阻挡保护层(4)覆盖所述侧壁(303)的部分具有与所述侧壁(303)相背离的侧保护面(401)；

反射层(5)，设置于至少一个所述侧保护面(401)上。

2.根据权利要求1所述的显示面板(100)，其特征在于，所述反射层(5)在所述驱动基板(1)上的正投影与所述发光单元(3)的出光面(301)在所述驱动基板(1)上的正投影不重叠。

3.根据权利要求1所述的显示面板(100)，其特征在于，相邻两个所述发光单元(3)上的反射层(5)相互间隔设置。

4.根据权利要求1所述的显示面板(100)，其特征在于，所述阻挡保护层(4)的材质为无机材料或有机材料；所述反射层(5)为金属反射层。

5.根据权利要求4所述的显示面板(100)，其特征在于，

所述无机材料为二氧化硅及氮化硅中的一种；

所述有机材料为热塑性聚酯及聚酰亚胺中的一种；所述金属反射层(5)的材质为Al、Ag、Cu中的一种。

6.根据权利要求1所述的显示面板(100)，其特征在于，还包括：

遮光层(6)，设置于所述反射层(5)远离所述发光单元(3)的一侧，且与所述反射层(5)对应设置。

7.根据权利要求1所述的显示面板(100)，其特征在于，所述反射层(5)为分布式布拉格反射层(5)，所述分布式布拉格反射层(5)包括至少一个反射膜组；

每一所述反射膜组包括：

第一反射膜(501)；

第二反射膜(502)，设置于所述第一反射膜(501)远离所述发光单元(3)的一侧；

所述第二反射膜(502)的折射率小于所述第一反射膜(501)的折射率。

8.根据权利要求7所述的显示面板(100)，其特征在于，每一所述发光单元(3)上的第一反射膜(501)的厚度和第二反射膜(502)的厚度均为相应所述发光单元(3)的出射光线的波长的1/4。

9.根据权利要求7所述的显示面板(100)，其特征在于，所述第一反射膜(501)的折射率的范围为1.9-2.1；所述第二反射膜(502)的折射率的范围为1.4-1.6。

10.根据权利要求7所述的显示面板(100)，其特征在于，所述第一反射膜(501)与所述第二反射膜(502)的材质均为非晶硅、氧化钛、氧化锆中的一种。