DE112018006943T5 - Eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendende Displayvorrichtung - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Displayvorrichtung und insbesondere eine Displayvorrichtung, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet. Die Displayvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist auf: ein Substrat mit einer Leitungselektrode und eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung, die Licht zu ihrer oberen Fläche emittiert, auf ihrer unteren Fläche eine leitende Elektrode aufweist, die mit der Leitungselektrode elektrisch verbunden ist, und an ihren Seitenflächen von einer Passivierungsschicht umgeben ist, wobei die leitende Elektrode einen isolierenden Bereich, der von einer Passivierungsschicht bedeckt ist, und einen konkav-konvexen Bereich aufweist, der in einem Durchgangsloch der Passivierungsschicht so angeordnet ist, dass er mit der Leitungselektrode elektrisch verbunden ist und eine konkav-konvexe Fläche hat.

Description

  • HINTERGRUND
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Display- bzw. Anzeigevorrichtung und insbesondere eine Display- bzw. Anzeigevorrichtung, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • In den letzten Jahren wurden auf dem technischen Gebiet der Displays bzw. Anzeigen Displayvorrichtungen mit exzellenten Eigenschaften wie niedrigem Profil, Flexibilität und dergleichen entwickelt. Im Gegensatz dazu sind heutzutage im Handel erhältliche Hauptdisplays Flüssigkristalldisplays (LCDs) und organische Aktivmatrix-Leuchtdioden (AMOLEDs).
  • Es bestehen jedoch Probleme wie beispielsweise eine nicht so schnelle Reaktionszeit und Schwierigkeiten bei der Umsetzung der Flexibilität bei LCDs, und es bestehen Nachteile wie eine kurze Lebensdauer, nicht so gute Resultate sowie eine geringe Flexibilität bei AMOLEDs.
  • Hingegen sind lichtemittierende Dioden (LEDs) bekannte lichtemittierende Vorrichtungen zum Umwandeln von elektrischem Strom in Licht, und sie werden als eine Lichtquelle zum Anzeigen eines Bildes in einer elektronischen Vorrichtung einschließlich Informations- und Kommunikationsvorrichtungen verwendet, seit 1962 rote LEDs im Handel erhältlich wurden, die GaAsP-Verbindungshalbleiter verwenden, zusammen mit GaP:N-basierten grünen LEDs. Daher können die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen verwendet werden, um ein flexibles Display zu implementieren, wodurch ein Schema zur Lösung der Probleme bereitgestellt wird.
  • In einem die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen verwendenden Display können die auf einem Wachstumssubstrat gewachsenen lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen auf ein Leitungssubstrat übertragen werden. Bei der Übertragung kann es jedoch aufgrund einer schwachen Scherkraft zwischen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung und dem Bindungsmaterial zu einem Defekt kommen, wodurch sich die Herstellungskosten erhöhen.
  • Die vorliegende Offenbarung schlägt daher eine lichtemittierende Halbleitervorrichtungsstruktur vor, die durch eine starke Scherkraft auf eine leitende Elektrode in einer Displayvorrichtung strukturstabil ist.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Ein durch die vorliegende Offenbarung zu lösendes Problem ist das Bereitstellen einer Struktur einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung mit verbesserter Stabilität und Zuverlässigkeit beim Übertragen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung auf ein Leitungssubstrat in einer Displayvorrichtung.
  • Ein weiteres durch die vorliegende Offenbarung zu lösendes Problem ist das Bereitstellen einer Displayvorrichtung, in der eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung durch eine starke Scherkraft mit einem Leitungssubstrat verbunden ist.
  • In einer Displayvorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung kann eine Grenzfläche einer leitenden Elektrode der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung als eine Strukturierungsfläche gebildet werden, wodurch eine starke Scherkraft und Strukturstabilität sichergestellt werden.
  • Insbesondere kann eine Displayvorrichtung ein Substrat mit einer Leitungselektrode und eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung aufweisen, die Licht zu einer oberen Fläche davon emittiert und die eine leitende Elektrode aufweist, die mit der Leitungselektrode an einer unteren Fläche davon elektrisch verbunden ist, wobei eine Seitenfläche davon von einer Passivierungsschicht bedeckt ist, wobei die leitende Elektrode einen isolierenden Bereich, der von der Passivierungsschicht bedeckt ist, und einen konkav-konvexen Bereich aufweist, der auf einem Durchgangsloch der Passivierungsschicht angeordnet und mit der Leitungselektrode elektrisch verbunden ist, wobei eine Fläche davon Konkavität und Konvexität aufweist.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann der konkav-konvexe Bereich in einem Abschnitt gebildet sein, in dem die Leitungselektrode und die leitende Elektrode einander überlagern. Die leitende Elektrode kann eine Elektrode vom p-Typ sein, und eine Elektrode vom n-Typ kann auf einer oberen Fläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung angeordnet sein. Die leitende Elektrode kann eine Elektrode vom p-Typ und eine Elektrode vom n-Typ aufweisen und der konkav-konvexe Bereich kann jeweils auf der Elektrode vom p-Typ und auf der Elektrode vom n-Typ gebildet sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die leitende Elektrode eine oder mehrere Metallschichten aufweisen, und die Metallschichten können eine Antioxidationsmittelschicht aus mindestens einem Element ausgewählt aus Gold (Au), Silber (Ag) und Platin (Pt) aufweisen. Der konkav-konvexe Bereich kann auf einer Fläche der Antioxidationsmittelschicht gebildet sein.
  • Eine Fläche des isolierenden Bereichs kann als eine flache Fläche ausgebildet sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Displayvorrichtung ferner eine klebende Elektrode aufweisen, die zwischen der leitenden Elektrode und der Passivierungsschicht im isolierenden Bereich angeordnet ist.
  • Die Passivierungsschicht kann einen ersten isolierenden Abschnitt, der auf einer unteren Fläche der leitenden Elektrode gebildet ist, und einen zweiten isolierenden Abschnitt aufweisen, der sich von einer Seitenfläche der leitenden Elektrode zu einer Seitenfläche einer ersten leitenden Halbleiterschicht und einer Seitenfläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung erstreckt. Eine isolierende Grenzfläche kann zwischen der ersten leitenden Elektrode und dem ersten isolierenden Abschnitt gebildet sein, und die klebende Elektrode kann auf der isolierenden Grenzfläche angeordnet sein. Die klebende Elektrode kann mindestens ein Element ausgewählt aus Titan (Ti), Chrom (Cr) und Nickel (Ni) aufweisen.
  • Gemäß einer Ausführungsform können die Leitungselektrode und die leitende Elektrode mit einem Lötmittel elektrisch verbunden sein, und mehrere Nuten entsprechend zu einem vorstehenden Abschnitt des konkav-konvexen Bereichs können auf dem Lötmittel gebildet sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform können mehrere Nuten auf einer oberen Fläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gebildet sein. Eine reflektierende Schicht kann unter der Leitungselektrode gebildet sein. Das Substrat kann Nuten aufweisen, die zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen gebildet und aufeinanderfolgend in einer Richtung angeordnet sind.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine konzeptionelle Ansicht, die eine Displayvorrichtung zeigt, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verwendet.
    • 2 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht eines Abschnitts „A“ in 1, und 3A und 3B sind Querschnittsansichten entlang den Linien B-B und C-C in 2.
    • 4 ist eine konzeptionelle Ansicht, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung vom Flip-Chip-Typ von 3 zeigt.
    • 5A bis 5C sind konzeptionelle Ansichten, die verschiedene Formen zum Implementieren von Farben im Zusammenhang mit einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung vom Flip-Chip-Typ zeigen.
    • 6 ist eine Querschnittsansicht, die ein Herstellungsverfahren für eine Displayvorrichtung zeigt, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung verwendet.
    • 7 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Displayvorrichtung zeigt, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verwendet.
    • 8 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie D-D in 7.
    • 9 ist eine konzeptionelle Ansicht, die eine vertikale lichtemittierende Halbleitervorrichtung von 8 zeigt.
    • 10 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts „A“ in 1 zur Erklärung einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, bei der lichtemittierende Halbleitervorrichtungen mit neuer Struktur Anwendung finden.
    • 11 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie E-E in 10 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 12 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie F-F in 10 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 13 ist eine konzeptionelle Ansicht, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 14 ist eine Querschnittsansicht, die eine Displayvorrichtung zeigt, bei der eine horizontale lichtemittierende Halbleitervorrichtung Anwendung findet.
    • 15 ist eine konzeptionelle Ansicht, die eine in 14 gezeigte horizontale lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit neuer Struktur zeigt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Es folgt nun eine detaillierte Beschreibung der hierin offenbarten Ausführungsformen mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen, und für die gleichen oder ähnliche Bauteile werden die gleichen Bezugszeichen verwendet, ungeachtet der Bezugszeichen in den Zeichnungen, und wo deren Beschreibung nicht notwendig ist, wird auf sie verzichtet. Ein Ausdruck wie „Modul“ und „Einheit“ für Elemente oder Bauteile, die in der folgenden Beschreibung offenbart sind, dient lediglich dem besseren Verständnis der Beschreibung und der Begriff selbst soll keine spezielle Bedeutung oder Funktion haben. Bei der Beschreibung einer hierin offenbarten Ausführungsform wird ferner auf eine detaillierte Beschreibung verzichtet, wenn angenommen wird, dass die bestimmte Beschreibung für bekannte Technologien, auf die sich die Erfindung bezieht, den Gedanken der vorliegenden Offenbarung unverständlich machen würde. Außerdem dienen die beiliegenden Zeichnungen lediglich einer einfacheren Erklärung des Erfindungsgedankens und es soll nicht angenommen werden, dass der hierin offenbarte technologische Gedanke durch die beiliegenden Zeichnungen eingeschränkt wird.
  • Wenn ein Element wie beispielsweise eine Schicht, ein Bereich oder ein Substrat als „auf‟ einem anderen Element beschrieben wird, kann es selbstverständlich direkt auf dem Element sein, oder es können auch ein oder mehrere Zwischenelemente vorhanden sein.
  • Eine hierin offenbarte Displayvorrichtung kann ein Mobiltelefon, ein Smartphon, einen Laptopcomputer, ein digitales Übertragungsgerät, einen Minicomputer bzw. Organizer (personal digital assistant - PDA), einen tragbaren Mutlimediaplayer (portable multimedia player - PMP), ein Navigationsgerät, einen Slate PC, einen Tablet PC, ein Ultrabook, ein digitales TV-Gerät, einen Tischcomputer und dergleichen umfassen. Dem Fachmann ist jedoch klar, dass eine hierin offenbarte Konfiguration auf jede Displayvorrichtung angewendet werden kann, selbst wenn sie ein neuer Produkttyp ist, der später noch entwickelt wird.
  • 1 ist eine konzeptionelle Ansicht, die eine Displayvorrichtung zeigt, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verwendet.
  • Gemäß der Zeichnung können in der Steuerung der Displayvorrichtung 100 verarbeitete Informationen unter Verwendung eines flexiblen Displays dargestellt werden.
  • Das flexible Display kann ein flexibles, biegbares, drehbares, faltbares oder rollbares Display umfassen. Zum Beispiel kann das flexible Display ein Display sein, das auf einem dünnen und flexiblen Substrat hergestellt wurde, das wie ein Blatt Papier gekrümmt, gebogen, gefaltet oder gerollt werden kann, aber dennoch die Displayeigenschaften eines im Stand der Technik bekannten flachen Displays hat.
  • Ein Displaybereich des flexiblen Displays wird in einer Ausführungsform, in der das flexible Display nicht gekrümmt ist (beispielsweise eine Konfiguration mit einem unendlichen Krümmungsradius, im Folgenden eine „erste Konfiguration“ genannt), eine Ebene. Der Displaybereich wird in einer Ausführungsform, in der das flexible Display durch eine Kraft von außen in der ersten Konfiguration gekrümmt wird (beispielsweise eine Konfiguration mit einem endlichen Krümmungsradius, im Folgenden eine „zweite Konfiguration“ genannt), eine gekrümmte Fläche. Wie in der Zeichnung dargestellt, können in der zweiten Konfiguration angezeigte Informationen visuelle Informationen sein, die auf einer gekrümmten Fläche angezeigt werden. Die visuellen Informationen können implementiert werden, indem die Lichtemission von in Matrixform angeordneten Unterpixeln individuell gesteuert wird. Das Unterpixel stellt eine Mindesteinheit zum Implementieren einer Farbe dar.
  • Das Unterpixel des flexiblen Displays kann durch eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung implementiert werden. Gemäß der vorliegenden Offenbarung wird eine lichtemittierende Diode (LED) als eine Art von lichtemittierender Halbleitervorrichtung gezeigt. Die lichtemittierende Diode kann von geringer Größe sein, um selbst in der zweiten Konfiguration die Rolle eines Unterpixels zu übernehmen.
  • Im Folgenden wird ein flexibles Display, das eine lichtemittierende Diode verwendet, mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen näher beschrieben.
  • 2 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht eines Abschnitts „A“ in 1, und 3A und 3B sind Querschnittsansichten entlang der Linien B-B und C-C in 2. 4 ist eine konzeptionelle Ansicht, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung vom Flip-Chip-Typ von 3A zeigt, und 5A bis 5C sind konzeptionelle Ansichten, die verschiedene Formen zum Implementieren von Farben im Zusammenhang mit einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung vom Flip-Chip-Typ zeigen.
  • In den Zeichnungen in 2, 3A und 3B wird eine Displayvorrichtung 100, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung vom Passiv-Matrix-Typ (PM-Typ) verwendet, als eine eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendende Displayvorrichtung 100 gezeigt. Ein unten beschriebenes Beispiel kann jedoch auch auf eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung vom Aktiv-Matrix-Typ (AM-Typ) angewendet werden.
  • Die Displayvorrichtung 100 kann ein erstes Substrat 110, eine erste Elektrode 120, eine leitende Klebeschicht 130, eine zweite Elektrode 140 und mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen 150 aufweisen.
  • Das erste Substrat 110 kann ein flexibles Substrat sein. Das erste Substrat 110 kann Glas oder Polyimid (PI) enthalten, um die flexible Displayvorrichtung zu implementieren. Außerdem kann, wenn es ein isolierendes und flexibles Material ist, jedes Material wie Polyethylennaphthalat (PEN), Polyethylenterephthalat (PET) oder dergleichen verwendet werden. Ferner kann das erste Substrat 110 aus transparenten oder nicht-transparenten Materialien bestehen.
  • Das erste Substrat 110 kann ein mit der ersten Elektrode 120 angeordnetes Leitungssubstrat sein, daher kann die erste Elektrode 120 auf dem ersten Substrat 110 angeordnet sein.
  • Gemäß der Zeichnung kann eine Isolierschicht 160 auf dem ersten Substrat 110 angeordnet sein, auf dem die erste Elektrode 120 platziert ist, und eine Hilfselektrode 170 kann auf der Isolierschicht 160 angeordnet sein. In diesem Fall kann eine Konfiguration, in der die Isolierschicht 160 auf dem ersten Substrat 110 aufgebracht ist, ein einzelnes Leitungssubstrat sein. Insbesondere kann die Isolierschicht 160 in das erste Substrat 110 mit einem isolierenden und flexiblen Material wie Polyimid (PI), PET, PEN und dergleichen eingebracht werden, um ein einzelnes Leitungssubstrat zu bilden.
  • Die Hilfselektrode 170 ist als eine Elektrode zum elektrischen Verbinden der ersten Elektrode 120 mit der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 auf der Isolierschicht 160 platziert und so angeordnet, dass sie der Stelle der ersten Elektrode 120 entspricht. Beispielsweise hat die Hilfselektrode 170 eine Punktform und kann mit der ersten Elektrode 120 mit Hilfe eines Elektrodenlochs 171, das sich durch die Isolierschicht 160 erstreckt, elektrisch verbunden werden. Das Elektrodenloch 171 kann gebildet werden, indem ein leitendes Material in ein Durchgangsloch gefüllt wird.
  • Wie aus den Zeichnungen ersichtlich, kann die leitende Klebeschicht 130 auf einer Fläche der Isolierschicht 160 gebildet werden, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht notwendigerweise darauf beschränkt. Beispielsweise kann es möglich sein, eine Struktur bereitzustellen, in der die leitende Klebeschicht 130 auf dem ersten Substrat 110 ohne Isolierschicht 160 angeordnet ist. In der Struktur, in der die leitende Klebeschicht 130 auf dem ersten Substrat 110 angeordnet ist, kann die leitende Klebeschicht 130 die Rolle einer Isolierschicht übernehmen.
  • Die leitende Klebeschicht 130 kann eine Schicht mit Haftkraft und Leitfähigkeit sein, und dazu können ein leitendes Material und ein klebendes Material auf der leitenden Klebeschicht 130 gemischt werden. Ferner kann die leitende Klebeschicht 130 flexibel sein, um in der Displayvorrichtung eine Flexibilitätsfunktion bereitzustellen.
  • Für ein derartiges Beispiel kann die leitende Klebeschicht 130 eine anisotrope leitende Folie (ACF), eine anisotrope leitende Paste, eine Lösung mit leitenden Partikeln und dergleichen sein. Die leitende Klebeschicht 130 kann in der sich durch ihre Dicke erstreckenden z-Richtung eine elektrische Zwischenverbindung erlauben, sie kann aber auch als eine Schicht ausgebildet sein, die in ihrer horizontalen x-y-Richtung elektrisch isolierend ist. Daher kann die leitende Klebeschicht 130 als eine in der z-Achse leitende Schicht bezeichnet werden (sie wird jedoch im Folgenden als „leitende Klebeschicht“ bezeichnet).
  • Die anisotrope leitende Folie ist eine Folie, in der ein anisotropes leitendes Medium mit einem isolierenden Basiselement gemischt ist. Wenn Wärme und Druck aufgebracht werden, ist nur ein bestimmter Abschnitt aufgrund des anisotropen leitenden Mediums leitfähig. Im Folgenden werden Wärme und Druck auf die anisotrope leitende Folie aufgebracht; es können jedoch auch andere Verfahren verwendet werden, um die anisotrope leitende Folie teilweise leitfähig zu machen, zum Beispiel Aufbringen von entweder Wärme oder Druck, UV-Aushärten und dergleichen.
  • Außerdem kann das anisotrope leitende Medium beispielsweise leitende Kugeln oder Partikel sein. Gemäß der Zeichnung ist im vorliegenden Beispiel die anisotrope leitende Folie eine Folie, in der ein anisotropes leitendes Medium mit einem isolierenden Basiselement gemischt ist. Wenn Wärme und Druck aufgebracht werden, wird nur ein bestimmter Abschnitt der anisotropen leitenden Folie durch die leitenden Kugeln leitfähig. Die anisotrope leitende Folie kann in einem Zustand sein, in dem ein Kern mit einem leitenden Material mehrere Partikel aufweist, die mit einer isolierenden Schicht mit einem Polymermaterial umgeben sind. In diesem Fall kann es durch den Kern leitend sein, während eine Isolierschicht an einem Abschnitt bricht, auf den Wärme und Druck aufgebracht werden. Hier kann ein Kern so verformt werden, dass eine Schicht entsteht, bei der beide Flächen in der Dickenrichtung der Folie mit Objekten in Kontakt sind. Genauer gesagt werden beispielsweise Wärme und Druck auf die gesamte anisotrope leitende Folie aufgebracht und eine elektrische Verbindung in der z-Achsenrichtung wird teilweise durch eine Höhendifferenz eines passenden Objekts gebildet, das durch die anisotrope leitende Folie anhaftet.
  • Gemäß einem weiteren Beispiel kann eine anisotrope leitende Folie in einem Zustand sein, in dem sie mehrere Partikel aufweist, bei denen isolierende Kerne mit einem leitenden Material umgeben sind. In diesem Fall kann ein Abschnitt, auf den Wärme und Druck aufgebracht werden, in ein leitendes Material verwandelt (gedrückt und verklebt) werden, das in der Dickenrichtung der Folie leitfähig ist. Gemäß einem anderen Beispiel kann es so verformt werden, dass es in der Dickenrichtung der Folie leitfähig ist, in der sich ein leitendes Material durch ein isolierendes Basiselement in der z-Richtung erstreckt. In diesem Fall kann das leitende Material einen spitzen Endabschnitt haben.
  • Gemäß der Zeichnung kann die anisotrope leitende Folie eine anisotrope leitende Folie (ACF) mit festem Gefüge sein, in der leitende Kugeln in eine Fläche des isolierenden Basiselements eingebracht werden. Insbesondere besteht das isolierende Basiselement aus einem klebenden Material und die leitenden Kugeln konzentrieren sich auf einem Bodenabschnitt des isolierenden Basiselements. Wenn Wärme und Druck auf das Basiselement aufgebracht werden, wird das Basiselement zusammen mit den leitenden Kugeln verformt, um so in vertikaler Richtung leitend zu sein.
  • Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht notwendigerweise darauf beschränkt, und die anisotrope leitende Folie kann auch so ausgebildet sein, dass leitende Kugeln wahllos mit einem isolierenden Basiselement gemischt sind, oder sie kann so ausgebildet sein, dass sie mehrere Schichten hat, bei denen leitende Kugeln in jeder Schicht vorgesehen sind (Doppel-ACF) und dergleichen.
  • Die anisotrope leitende Paste ist eine Kombination aus einer Paste und leitenden Kugeln, d.h. sie kann eine Paste sein, in der leitende Kugeln mit einem isolierenden und klebenden Basismaterial gemischt sind. Ferner kann eine Lösung mit leitenden Partikeln eine Lösung sein, die leitende Partikel oder Nanopartikel enthält.
  • In den Zeichnungen ist die zweite Elektrode 140 so an der Isolierschicht 160 angeordnet, dass sie von der Hilfselektrode 170 getrennt ist. Mit anderen Worten ist die leitende Klebeschicht 130 auf der Isolierschicht 160 angeordnet, auf der die Hilfselektrode 170 und die zweite Elektrode 140 angeordnet sind.
  • Wenn die leitende Klebeschicht 130 in einem Zustand gebildet ist, in dem die Hilfselektrode 170 und die zweite Elektrode 140 angeordnet sind und dann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 durch Anwendung von Wärme und Druck damit zu einer Flip-Chip-Form verbunden wird, ist die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 mit der ersten Elektrode 120 und der zweiten Elektrode 140 elektrisch verbunden.
  • In 4 kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung vom Flip-Chip-Typ sein.
  • Beispielsweise kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung aufweisen: eine Elektrode 156 vom p-Typ, eine auf der Elektrode 156 vom p-Typ gebildete Halbleiterschicht 155 vom p-Typ, eine auf der Halbleiterschicht 155 vom p-Typ gebildete aktive Schicht 154, eine auf der aktiven Schicht 154 gebildete Halbleiterschicht 153 vom n-Typ und eine Elektrode 152 vom n-Typ, die so auf der Halbleiterschicht 153 vom n-Typ angeordnet ist, dass sie von der Elektrode 156 vom p-Typ in horizontaler Richtung getrennt ist. In diesem Fall kann die Elektrode 156 vom p-Typ mit dem Schweißabschnitt 179 durch die leitende Klebeschicht 130 elektrisch verbunden sein und die Elektrode 152 vom n-Typ kann mit der zweiten Elektrode 140 elektrisch verbunden sein.
  • In 2, 3A und 3B kann die Hilfselektrode 170 eine längliche Form in eine Richtung haben, um mit mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 elektrisch verbunden zu sein. Beispielsweise können die linken und rechten Elektroden vom p-Typ der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen um die Hilfselektrode mit einer Hilfselektrode elektrisch verbunden sein.
  • Insbesondere wird die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 in die leitende Klebeschicht 130 gedrückt und dadurch sind nur ein Abschnitt zwischen der Elektrode 156 vom p-Typ und der Hilfselektrode 170 der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 und ein Abschnitt zwischen der Elektrode 152 vom n-Typ und der zweiten Elektrode 140 der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 leitend und der restliche Abschnitt ist nicht leitend, da dort keine lichtemittierende Vorrichtung hineingedrückt wird. Wie oben beschrieben, kann die leitende Klebeschicht 130 eine elektrische Verbindung bilden und eine gegenseitige Verbindung zwischen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 und der Hilfselektrode 170 und zwischen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 und der zweiten Elektrode 140 gestatten.
  • Außerdem bilden mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen 150 eine lichtemittierende Anordnung und eine Phosphorschicht 180 ist auf der lichtemittierenden Anordnung gebildet.
  • Die lichtemittierende Vorrichtungsanordnung kann mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen mit verschiedenen Selbstleuchtwerten aufweisen. Jede der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 stellt ein Unterpixel dar und ist mit der ersten Elektrode 120 elektrisch verbunden. Beispielsweise kann es mehrere erste Elektroden 120 geben und die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen sind beispielsweise in mehreren Reihen angeordnet, und jede Reihe der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen kann mit jeder der mehreren ersten Elektroden elektrisch verbunden sein.
  • Außerdem können die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen zu einer Flip-Chip-Form verbunden sein und damit auf einem transparenten dielektrischen Substrat gewachsene lichtemittierende Halbleitervorrichtungen sein. Außerdem können die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen beispielsweise lichtemittierende Nitrid-Halbleitervorrichtungen sein. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 kann ausgezeichnete Beleuchtungseigenschaften haben und daher kann es möglich sein, einzelne Unterpixel zu konfigurieren, selbst wenn sie eine geringe Größe hat.
  • Gemäß der Zeichnung kann eine Trennwand 190 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 gebildet sein. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 kann ausgezeichnete Beleuchtungseigenschaften haben und daher kann es möglich sein, einzelne Unterpixel zu konfigurieren, selbst wenn sie eine geringe Größe hat. Zum Beispiel kann ein Basiselement der anisotropen leitenden Folie die Trennwand bilden, wenn die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 in die anisotrope leitende Folie eingesetzt ist.
  • Wenn das Basiselement der anisotropen leitenden Folie schwarz ist, kann außerdem die Trennwand 190 Reflexionseigenschaften aufweisen, während gleichzeitig der Kontrast ohne zusätzlichen schwarzen Isolator erhöht wird.
  • Bei einem weiteren Beispiel kann eine reflektierende Trennwand getrennt von der Trennwand 190 bereitgestellt werden. In diesem Fall kann die Trennwand 190 einen schwarzen oder weißen Isolator aufweisen, je nach dem Zweck der Displayvorrichtung. Wenn eine Trennwand mit weißem Isolator verwendet wird, kann das Reflexionsvermögen erhöht werden. Wenn eine Trennwand mit schwarzem Isolator verwendet wird, können ein Kontrastverhältnis erhöht und gleichzeitig Reflexionseigenschaften bereitgestellt werden.
  • Die Phosphorschicht 180 kann an einer äußeren Fläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 angeordnet sein. Beispielsweise ist die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 eine blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung, die blaues (B) Licht emittiert, und die Phosphorschicht 180 wandelt das blaue Licht (B) in die Farbe eines Unterpixels um. Die Phosphorschicht 180 kann eine rote Phosphorschicht 181 oder eine grüne Phosphorschicht 182 sein, die einzelne Pixel darstellt.
  • Mit anderen Worten kann ein roter Phosphor 181, der blaues Licht in rotes (R) Licht umwandeln kann, auf der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 151 an einer Stelle aufgebracht sein, die ein rotes Unterpixel implementiert, und ein grüner Phosphor 182, der blaues Licht in grünes (G) Licht umwandeln kann, kann auf der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 151 an einer Stelle aufgebracht sein, die ein grünes Unterpixel implementiert. Außerdem kann nur die blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 151 alleine an einer Stelle verwendet werden, die ein blaues Unterpixel implementiert. In diesem Fall können das rote (R), das grüne (G) und das blaue (B) Unterpixel ein Pixel implementieren. Insbesondere kann ein farbiger Phosphor entlang jeder Leitung der ersten Elektrode 120 angeordnet sein. Daher kann eine Leitung der ersten Elektrode 120 eine Elektrode sein, die eine Farbe steuert. Mit anderen Worten können Rot (R), Grün (G) und Blau (B) aufeinanderfolgend entlang der zweiten Elektrode 140 angeordnet werden, wodurch Unterpixel implementiert werden.
  • Die vorliegende Offenbarung ist aber nicht notwendigerweise darauf beschränkt und die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 kann anstatt mit Phosphor mit einem Quantenpunkt (QD) kombiniert werden, um Unterpixel wie Rot (R), Grün (G) und Blau (B) zu implementieren.
  • Ferner kann eine schwarze Matrix 191 zwischen jeder Phosphorschicht angeordnet werden, um den Kontrast zu verbessern. Mit anderen Worten kann die schwarze Matrix 191 den Beleuchtungskontrast verbessern.
  • Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht notwendigerweise darauf beschränkt und es kann auch eine andere Struktur zum Implementieren von Blau, Rot und Grün angewendet werden.
  • In 5A kann jede der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 mit einer lichtemittierenden Hochleistungsvorrichtung implementiert werden, die verschiedene Lichtarten emittiert, darunter auch Blau, wozu meist Galliumnitrid (GaN) verwendet wird und Indium (In) und/oder Aluminium (Al) zugegeben werden.
  • In diesem Fall kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 eine rote, grüne bzw. blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung sein, um jedes Unterpixel zu implementieren. Zum Beispiel werden rote, grüne und blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtungen (R, G, B) abwechselnd angeordnet, und rote, grüne und blaue Unterpixel implementieren ein Pixel mit Hilfe der roten, grünen und blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen, wodurch ein vollfarbiges Display implementiert wird.
  • In 5B kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung eine weißes (W) Licht emittierende Vorrichtung aufweisen, wobei für jedes Element eine gelbe Phosphorschicht vorgesehen ist. In diesem Fall können eine rote Phosphorschicht 181, eine grüne Phosphorschicht 182 und eine blaue Phosphorschicht 183 auf der weißes (W) Licht emittierenden Vorrichtung vorgesehen sein, um ein Unterpixel zu implementieren. Ferner kann ein Farbfilter, bei dem sich Rot, Grün und Blau auf der weißes (W) Licht emittierenden Vorrichtung wiederholen, verwendet werden, um ein Unterpixel zu implementieren.
  • Gemäß 5C kann auch eine Struktur erhalten werden, in der eine rote Phosphorschicht 181, eine grüne Phosphorschicht 182 und eine blaue Phosphorschicht 183 auf einer ultraviolettes (UV) Licht emittierenden Vorrichtung vorgesehen sind. Damit kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung über das gesamte Spektrum bis zu ultraviolettem (UV) und sichtbarem Licht verwendet werden und kann auch zu einer Form einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung erweitert werden, in der ultraviolettes (UV) Licht als Anregungsquelle benutzt werden kann.
  • Beim vorliegenden Beispiel wird die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 auf der leitenden Klebeschicht 130 angeordnet, um ein Unterpixel in der Displayvorrichtung zu bilden. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 kann ausgezeichnete Beleuchtungseigenschaften haben, und daher kann es möglich sein, einzelne Unterpixel zu konfigurieren, selbst wenn sie eine geringe Größe hat. Eine einzelne lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 kann eine Größe von weniger als 80 µm in der Länge einer ihrer Seiten haben und als rechteckiges oder quadratisches Element ausgebildet sein. Bei einem rechteckigen Element kann die Größe weniger als 20 x 80 µm betragen.
  • Selbst wenn eine quadratische lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 mit einer Seitenlänge von 10 µm für ein Unterpixel verwendet wird, wird sie eine für die Implementierung einer Displayvorrichtung ausreichende Helligkeit bereitstellen. Zum Beispiel bei einem rechteckigen Pixel, bei dem eine Seite eines Unterpixels eine Größe von 600 µm und die andere Seite eine Größe von 300 µm hat, wird ein relativer Abstand zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen ausreichend groß. In diesem Fall kann es daher möglich sein, eine flexible Displayvorrichtung mit HD-Bildqualität zu implementieren.
  • Eine die oben genannte lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendende Displayvorrichtung wird durch ein neues Fertigungsverfahren hergestellt. Im Folgenden wird das Herstellungsverfahren mit Bezug auf 6 beschrieben.
  • 6 ist eine Querschnittsansicht, die ein Herstellungsverfahren für eine Displayvorrichtung zeigt, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung verwendet.
  • Gemäß der Zeichnung wird zuerst die leitende Klebeschicht 130 auf der Isolierschicht 160 gebildet, auf der die Hilfselektrode 170 und die zweite Elektrode 140 angeordnet sind. Die Isolierschicht 160 wird auf das erste Substrat 110 aufgebracht, um ein Substrat (oder Leitungssubstrat) zu bilden, und die erste Elektrode 120, die Hilfselektrode 170 und die zweite Elektrode 140 werden auf dem Leitungssubstrat angeordnet. In diesem Fall können die erste Elektrode 120 und die zweite Elektrode 140 senkrecht zueinander angeordnet werden. Ferner können das erste Substrat 110 und die Isolierschicht 160 Glas bzw. Polyimid (PI) enthalten, um eine flexible Displayvorrichtung zu implementieren.
  • Die leitende Klebeschicht 130 kann beispielsweise von einer anisotropen leitenden Folie gebildet werden und dazu kann ein die Isolierschicht 160 aufweisendes Substrat mit der anisotropen leitenden Folie beschichtet werden.
  • Dann wird ein zweites Substrat 112 mit mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150, die der Stelle der Hilfselektroden 170 und der zweiten Elektroden 140 entsprechen und einzelne Pixel darstellen, so aufgebracht, dass die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 zur Hilfselektrode 170 und zur zweiten Elektrode 140 weist.
  • In diesem Fall kann das zweite Substrat 112, als ein Wachstumssubstrat zum Wachsen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150, ein Saphirsubstrat oder ein Siliziumsubstrat sein.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung kann einen Spalt und eine Größe haben, durch die eine Displayvorrichtung implementiert werden kann, wenn sie in einer Wafereinheit gebildet ist, so dass sie effektiv für eine Displayvorrichtung verwendet werden kann.
  • Dann wird das Leitungssubstrat thermisch auf das zweite Substrat 112 gepresst. Zum Beispiel können das Leitungssubstrat und das zweite Substrat 112 mit Hilfe eines ACF-Presskopfes thermisch zusammengepresst werden. Das Leitungssubstrat und das zweite Substrat 112 werden durch thermisches Zusammenpressen miteinander verbunden. Nur ein Abschnitt zwischen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 und der Hilfselektrode 170 und der zweiten Elektrode 140 kann aufgrund der Eigenschaften einer anisotropen leitenden Folie, die durch thermisches Pressen leitfähig wird, leitfähig sein, wodurch die Elektroden und die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 miteinander elektrisch verbunden sind. Zu diesem Zeitpunkt kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 in die anisotrope leitende Folie eingesetzt werden, wodurch eine Trennwand zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 gebildet wird.
  • Dann wird das zweite Substrat 112 entfernt. Zum Beispiel wird das zweite Substrat 112 mit Hilfe eines Laser-Lift-Off-Verfahrens (LLO-Verfahrens) oder eines chemischen Lift-Off-Verfahrens (CLO-Verfahrens) entfernt.
  • Zum Schluss wird das zweite Substrat 112 entfernt, um die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 nach außen freizulegen. Siliziumoxid (SiOx) oder dergleichen kann auf das Leitungssubstrat aufgebracht werden, das mit der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 verbunden ist, um eine transparente Isolierschicht (nicht gezeigt) zu bilden.
  • Ferner kann der Prozess des Bildens einer Phosphorschicht auf einer Fläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 vorgesehen sein. Beispielsweise kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 eine blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung zum Emittieren von blauem (B) Licht sein und roter oder grüner Phosphor zum Umwandeln des blauen (B) Lichts in die Farbe des Unterpixels kann eine Schicht auf einer Fläche der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung bilden.
  • Das Herstellungsverfahren oder die Struktur einer Displayvorrichtung, die die oben genannte lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet, kann vielfach abgewandelt werden. Für ein derartiges Beispiel kann die oben genannte Displayvorrichtung für eine vertikale lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet werden. Im Folgenden wird die vertikale Struktur mit Bezug auf 5 und 6 beschrieben.
  • Gemäß dem folgenden abgewandelten Beispiel oder Ausführungsform werden die gleichen oder ähnliche Bezugszeichen für die gleichen oder für ähnliche Konfigurationen des vorstehenden Beispiels verwendet, und die Beschreibung wird durch die frühere Beschreibung ersetzt.
  • 7 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Displayvorrichtung zeigt, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt. 8 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie D-D in 7, und 9 ist eine konzeptionelle Ansicht, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung vom vertikalen Typ von 8 zeigt.
  • Wie aus den Zeichnungen ersichtlich, kann die Displayvorrichtung eine Displayvorrichtung sein, die eine vertikale lichtemittierende Halbleitervorrichtung vom Passiv-Matrix-Typ (PM-Typ) verwendet.
  • Die Displayvorrichtung kann ein Substrat 210, eine erste Elektrode 220, eine leitende Klebeschicht 230, eine zweite Elektrode 240 und mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen 250 aufweisen.
  • Das Substrat 210, als Leitungssubstrat, auf dem die erste Elektrode 220 angeordnet ist, kann Polyimid (PI) aufweisen, um eine flexible Displayvorrichtung zu implementieren. Zusätzlich kann jedes Material verwendet werden, falls es sich um ein isolierendes und flexibles Material handelt.
  • Die erste Elektrode 220 kann auf dem Substrat 210 angeordnet und als stabförmige Elektrode ausgebildet sein, die in eine Richtung länglich ist. Die erste Elektrode 220 kann so ausgebildet sein, dass sie die Rolle einer Datenelektrode übernimmt.
  • Die leitende Klebeschicht 230 ist auf einem Substrat 210 gebildet, auf dem die erste Elektrode 220 angeordnet ist. Ähnlich einer Displayvorrichtung, auf die eine lichtemittierende Vorrichtung vom Flip-Chip-Typ aufgebracht ist, kann die leitende Klebeschicht 230 eine anisotrope leitende Folie (ACF), eine anisotrope leitende Paste, eine Lösung mit leitenden Partikeln und dergleichen sein. Die vorliegende Ausführungsform zeigt jedoch einen Fall, in dem die leitende Klebeschicht 230 von einer anisotropen leitenden Folie gebildet wird.
  • Wenn eine anisotrope leitende Folie in einem Zustand vorliegt, in dem die erste Elektrode 220 sich auf dem Substrat 210 befindet, und dann Wärme und Druck aufgebracht werden, um die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 damit zu verbinden, wird die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 mit der ersten Elektrode 220 elektrisch verbunden. Zu diesem Zeitpunkt kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 vorzugsweise auf der ersten Elektrode 220 angeordnet sein.
  • Die elektrische Verbindung wird bereitgestellt, da eine anisotrope leitende Folie in der Dickenrichtung teilweise leitend ist, wenn, wie oben beschrieben, Wärme und Druck aufgebracht werden. Daher ist die anisotrope leitende Folie in einen leitenden Bereich 231 und in einen Bereich 232, der in seiner Dickenrichtung nichtleitend ist, aufgeteilt.
  • Ferner weist die anisotrope leitende Folie eine klebende Komponente auf, und daher implementiert die leitende Klebeschicht 230 eine mechanische Verbindung sowie eine elektrische Verbindung zwischen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 und der ersten Elektrode 220.
  • Auf diese Weise wird die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 auf der leitenden Klebeschicht 230 platziert und stellt dadurch ein separates Unterpixel in der Displayvorrichtung dar. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 kann ausgezeichnete Lumineszenzeigenschaften haben, und daher kann es möglich sein, einzelne Unterpixel zu konfigurieren, selbst wenn sie eine geringe Größe hat. Eine einzelne lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 kann eine Größe von weniger als 80 µm in der Länge einer ihrer Seiten haben und als rechteckiges oder quadratisches Element ausgebildet sein. Bei einem rechteckigen Element kann die Größe weniger als 20 x 80 µm betragen.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 kann eine vertikale Struktur haben.
  • Mehrere zweite Elektroden 240, die in einer Richtung angeordnet sind, die die Längenrichtung der ersten Elektrode 220 kreuzt, und die mit der vertikalen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 elektrisch verbunden sind, können zwischen vertikalen lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen angeordnet sein.
  • Wie in 9 gezeigt, kann die vertikale lichtemittierende Halbleitervorrichtung aufweisen: eine Elektrode 256 vom p-Typ, eine auf der Elektrode 256 vom p-Typ gebildete Halbleiterschicht 255 vom p-Typ, eine auf der Halbleiterschicht 255 vom p-Typ gebildete aktive Schicht 254, eine auf der aktiven Schicht 254 gebildete Halbleiterschicht 253 vom n-Typ und eine auf der Halbleiterschicht 253 vom n-Typ gebildete Elektrode 252 vom n-Typ. In diesem Fall kann die Elektrode 256 vom p-Typ, die am Boden davon angeordnet ist, mit der ersten Elektrode 220 durch die leitende Klebeschicht 230 elektrisch verbunden sein und die Elektrode 252 vom n-Typ, die oben angeordnet ist, kann mit der zweiten Elektrode 240 elektrisch verbunden sein, was später beschrieben wird. Die Elektroden können in der vertikalen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 in der Richtung von oben nach unten angeordnet sein, wodurch der große Vorteil entsteht, dass die Chipgröße reduziert werden kann.
  • In 8 kann eine Phosphorschicht 280 auf einer Fläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 gebildet sein. Beispielsweise ist die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 eine blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 251, die blaues (B) Licht emittiert, und die Phosphorschicht 280 zum Umwandeln des blauen (B) Lichts in die Farbe des Unterpixels kann darauf vorgesehen sein. In diesem Fall kann die Phosphorschicht 280 ein roter Phosphor 281 und ein grüner Phosphor 282 sein, die einzelne Pixel darstellen.
  • Mit anderen Worten kann ein roter Phosphor 281, der blaues Licht in rotes (R) Licht umwandeln kann, auf die blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 251 an einer Stelle aufgebracht werden, die ein rotes Pixel implementiert, und ein grüner Phosphor 282, der blaues Licht in grünes (G) Licht umwandeln kann, kann auf der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 251 an einer Stelle aufgebracht werden, die ein grünes Unterpixel implementiert. Ferner kann nur die blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 251 alleine an einer Stelle verwendet werden, die ein blaues Unterpixel implementiert. In diesem Fall können das rote (R), das grüne (G) und das blaue (B) Unterpixel ein Pixel implementieren.
  • Die vorliegende Offenbarung ist nicht notwendigerweise darauf beschränkt und andere Strukturen zum Implementieren von Blau, Rot und Grün können auch, wie oben beschrieben, in einer Displayvorrichtung angewendet werden, in der eine lichtemittierende Vorrichtung vom Flip-Chip-Typ verwendet wird.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die zweite Elektrode 240 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet und mit den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 elektrisch verbunden. Zum Beispiel können die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 in mehreren Reihen angeordnet werden und die zweite Elektrode 240 kann zwischen den Reihen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet sein.
  • Da ein Abstand zwischen den einzelne Pixel darstellenden lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 ausreichend groß ist, kann die zweite Elektrode 240 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet sein.
  • Die zweite Elektrode 240 kann als stabförmige Elektrode ausgebildet sein, die in eine Richtung länglich ist, und kann in eine Richtung angeordnet sein, die zur ersten Elektrode senkrecht ist.
  • Ferner kann die zweite Elektrode 240 mit der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 durch eine Verbindungselektrode elektrisch verbunden sein, die von der zweiten Elektrode 240 vorsteht. Insbesondere kann die Verbindungselektrode eine Elektrode vom n-Typ der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 sein. Beispielsweise weist die Elektrode vom n-Typ eine ohmsche Elektrode für einen ohmschen Kontakt auf, und die zweite Elektrode bedeckt zumindest einen Teil der ohmschen Elektrode durch Drucken oder Abscheidung. Dadurch kann die zweite Elektrode 240 mit der Elektrode vom n-Typ der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 elektrisch verbunden sein.
  • Gemäß der Zeichnung kann die zweite Elektrode 240 auf der leitenden Klebeschicht 230 angeordnet sein. Falls erforderlich, kann eine transparente Isolierschicht (nicht gezeigt), die Siliziumoxid (SiOx) enthält, auf dem Substrat 210 gebildet sein, auf dem die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 gebildet ist. Wenn die transparente Isolierschicht gebildet wird und dann die zweite Elektrode 240 darauf platziert wird, kann sich die zweite Elektrode 240 auf der transparenten Isolierschicht befinden. Ferner kann die zweite Elektrode 240 so gebildet werden, dass sie von der leitenden Klebeschicht 230 oder der transparenten Isolierschicht beabstandet ist.
  • Wenn eine transparente Elektrode wie Indiumzinnoxid (ITO) verwendet wird, um die zweite Elektrode 240 auf der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 anzuordnen, weist das ITO-Material das Problem auf, dass es schlecht an einem Halbleiter vom n-Typ haftet. Daher kann die zweite Elektrode 240 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet werden, was zu dem Vorteil führt, dass die transparente Elektrode nicht notwendig ist. Somit können eine Halbleiterschicht vom n-Typ und ein leitendes Material mit guter Haftkraft als eine horizontale Elektrode verwendet werden, ohne durch die Auswahl eines transparenten Materials eingeschränkt zu sein, wodurch die Lichtextraktionseffizienz erhöht wird.
  • Wie in der Zeichnung gezeigt, kann eine Trennwand 290 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 gebildet sein. Mit anderen Worten kann die Trennwand 290 zwischen den vertikalen lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet werden, um die einzelne Pixel darstellende lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 zu isolieren. In diesem Fall kann die Trennwand 290 einzelne Unterpixel voneinander trennen und kann einstückig mit der leitenden Klebeschicht 230 ausgebildet sein. Beispielsweise kann ein Basiselement der anisotropen leitenden Folie die Trennwand bilden, wenn die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 in die anisotrope leitende Folie eingesetzt ist.
  • Wenn ferner das Basiselement der anisotropen leitenden Folie schwarz ist, kann die Trennwand 290 Reflexionseigenschaften aufweisen und gleichzeitig ohne zusätzlichen schwarzen Isolator den Kontrast erhöhen.
  • Bei einem weiteren Beispiel kann eine reflektierende Trennwand getrennt von der Trennwand 290 bereitgestellt werden. Die Trennwand 290 kann einen schwarzen oder weißen Isolator aufweisen, je nach dem Zweck der Displayvorrichtung.
  • Wenn die zweite Elektrode 240 präzise auf der leitenden Klebeschicht 230 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet ist, kann sich die Trennwand 290 zwischen der vertikalen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 und der zweiten Elektrode 240 befinden. Somit können bei Verwendung der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 selbst bei geringer Größe einzelne Unterpixel konfiguriert werden, und ein Abstand zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 kann ausreichend groß sein, um die zweite Elektrode 240 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 anzuordnen, wodurch der Effekt entsteht, dass eine flexible Displayvorrichtung mit HD-Bildqualität implementiert werden kann.
  • Ferner kann gemäß der Zeichnung eine schwarze Matrix 291 zwischen jeder Phosphorschicht angeordnet werden, um den Kontrast zu verbessern. Mit anderen Worten kann die schwarze Matrix 291 den Beleuchtungskontrast verbessern.
  • Wie oben beschrieben, ist die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 auf der leitenden Klebeschicht 230 angeordnet, wodurch sie einzelne Pixel auf der Displayvorrichtung darstellt. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 kann ausgezeichnete Beleuchtungseigenschaften haben, und daher kann es möglich sein, einzelne Unterpixel zu konfigurieren, selbst wenn sie eine geringe Größe hat. Folglich kann es möglich sein, mit der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung ein vollfarbiges Display zu implementieren, in dem die Unterpixel von Rot (R), Grün (G) und Blau (B) ein Pixel implementieren.
  • Bei der oben beschriebenen Displayvorrichtung der vorliegenden Offenbarung muss die lichtemittierende Halbleitervorrichtung des Wachstumssubstrats, auf dem die lichtemittierende Halbleitervorrichtung gewachsen ist, auf ein Leitungssubstrat übertragen werden. Bei dieser Übertragung kann es jedoch aufgrund einer schwachen Scherkraft zwischen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung und den Bindungsmaterialien zu einem Defekt kommen, wodurch sich die Herstellungskosten erhöhen.
  • Durch die vorliegende Offenbarung wird eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit einer neuen Struktur bereitgestellt, die ein derartiges Problem lösen kann. Im Folgenden wird eine Displayvorrichtung, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit einer neuen Struktur verwendet, mit Bezug auf die Zeichnungen näher beschrieben.
  • 10 ist eine vergrößerte Ansicht eines Abschnitts „A“ in 1 zur Erklärung einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, bei der eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit neuer Struktur Anwendung findet, 11 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie E-E in 10, 12 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie F-F in 10 und 13 ist eine konzeptionelle Ansicht, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit neuer Struktur zeigt.
  • In den Zeichnungen von 10, 11 und 12 wird eine Displayvorrichtung 1000, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung vom Passiv-Matrix-Typ (PM-Typ) verwendet, als eine eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendende Displayvorrichtung 1000 gezeigt.
    Ein unten beschriebenes Beispiel kann jedoch auch auf eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung vom Aktiv-Matrix-Typ (AM-Typ) angewendet werden.
  • Die Displayvorrichtung 1000 kann ein erstes Substrat 1010, eine erste Elektrode 1020, eine leitende Klebeschicht 1030, eine zweite Elektrode 1040 und mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen 1050 aufweisen. Hier können die erste Elektrode 1020 und die zweite Elektrode 1040 jeweils mehrere Elektrodenleitungen aufweisen.
  • Das Substrat 1010, als Leitungssubstrat, auf dem die erste Elektrode 1020 angeordnet ist, kann Polyimid (PI) aufweisen, um eine flexible Displayvorrichtung zu implementieren. Zusätzlich kann jedes Material verwendet werden, wenn es ein isolierendes und klebendes Material ist.
  • Das Substrat kann zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen gebildet werden und kann Nuten 1092 aufweisen, die aufeinanderfolgend in einer Richtung angeordnet sind. Die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen können aufeinanderfolgend in einer Richtung angeordnet sein, wobei die Nuten 1092 dazwischen angeordnet sind.
  • Wie gezeigt, kann sich die erste Elektrode 1020 auf dem Substrat 1010 befinden und als eine stabförmige Elektrode ausgebildet sein, die in eine Richtung länglich ist. Die erste Elektrode 1020 kann so ausgebildet sein, dass sie die Rolle einer Datenelektrode übernimmt.
  • Ferner kann die Klebeschicht 1030 zwischen dem Substrat 1010, auf dem die erste Elektrode 1020 angeordnet ist, und der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 angeordnet sein. Die Klebeschicht 1030 kann so gebildet sein, dass die erste Elektrode 1020 und die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 in physikalischem Kontakt zueinander sind. Somit können die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 und die erste Elektrode 1020 für eine elektrische Leitung miteinander verbunden sein. Zusätzlich kann die Klebeschicht 1030 aus einer Silberpaste, Zinnpaste und Lötpaste bestehen. Die vorliegende Ausführungsform zeigt jedoch einen Fall, bei dem die Klebeschicht 1030 ein Lötmaterial ist. Dies ist jedoch lediglich eine beispielhafte Ausführungsform und die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt.
  • Ferner kann in einer Struktur, auf der die Klebeschicht 1030 angeordnet ist, ein Material, durch das kein Strom fließt, in einen Spalt gefüllt werden, der zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 gebildet ist. Bei einem derartigen Beispiel kann der Spalt mit Polyimid 1070 gefüllt sein.
  • Die erste Elektrode 1020 und die zweite Elektrode 1040 können so angeordnet sein, dass die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen dazwischen angeordnet sind. Mehrere zweite Elektrode 1040 können in einer Richtung angeordnet sein, die eine Längenrichtung der ersten Elektroden 1020 schneidet. Die erste Elektrode 1020 und die zweite Elektrode 1040 sind durch Kontakt mit der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 elektrisch verbunden und können Leitungselektroden sein.
  • Wie gezeigt, kann die zweite Elektrode 1040 auf dem Polyimid 1070 angeordnet sein. Mit anderen Worten kann das Polyimid 1070 zwischen dem Substrat 1010 und der zweiten Elektrode 1040 angeordnet sein. In der oben beschriebenen Struktur sind die mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 durch die Klebeschicht 1030 verbunden und mit der ersten Elektrode 1020 und der zweiten Elektrode 1040 elektrisch verbunden.
  • Bei einer anderen Ausführungsform kann die Klebeschicht 1030 durch die oben genannte anisotrope leitende Folie ersetzt werden. Wenn die Klebeschicht durch die anisotrope leitende Folie gebildet ist, kann die zweite Elektrode 1040 auf der anisotropen leitenden Folie angeordnet sein. Mit anderen Worten ist die anisotrope leitende Folie zwischen dem Substrat 1010 und der zweiten Elektrode 1040 angeordnet. Zusätzlich sind die mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 durch die anisotrope leitende Folie verbunden und mit der ersten Elektrode 1020 und der zweiten Elektrode 1040 elektrisch verbunden.
  • Gleichzeitig kann eine reflektierende Schicht 1093 unter der ersten Elektrode, d.h. der Leitungselektrode, gebildet werden. Ferner kann, falls notwendig, eine transparente Isolierschicht (nicht gezeigt), die Siliziumoxid (SiOx) enthält, auf dem Substrat 1010 gebildet werden, auf dem die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 gebildet ist. Wenn die transparente Isolierschicht gebildet ist und dann die zweite Elektrode 1040 darauf platziert wird, kann die zweite Elektrode 1040 auf der transparenten Isolierschicht angeordnet sein. Ferner kann die zweite Elektrode 1040 so gebildet werden, dass sie von dem Polyimid 1070 oder der transparenten Isolierschicht beabstandet ist.
  • Wie in der Zeichnung gezeigt, können die mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 mehrere Reihen in einer Richtung bilden, die parallel zu den in der ersten Elektrode 1020 vorgesehenen mehreren Elektrodenleitungen ist. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht notwendigerweise darauf beschränkt. Beispielsweise können die mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 mehrere Reihen entlang der zweiten Elektrode 1040 bilden.
  • Die Displayvorrichtung 1000 kann ferner eine Phosphorschicht 1080 aufweisen, die auf den mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 gebildet ist. Beispielsweise ist die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 eine blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung, die blaues (B) Licht emittiert, und die Phosphorschicht 1080 wandelt das blaue (B) Licht in die Farbe eines Unterpixels um. Die Phosphorschicht 1080 kann eine rote Phosphorschicht 1081 oder eine grüne Phosphorschicht 1082 sein, die einzelne Pixel darstellt. Mit anderen Worten kann ein roter Phosphor 1081, der blaues Licht in rotes (R) Licht umwandeln kann, auf der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1051 a an einer Stelle aufgebracht sein, die ein rotes Unterpixel implementiert, und ein grüner Phosphor 1082, der blaues Licht in grünes (G) Licht umwandeln kann, kann auf der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1051b an einer Stelle aufgebracht sein, die ein grünes Unterpixel implementiert. Außerdem kann nur die blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1051c alleine an einer Stelle verwendet werden, die ein blaues Unterpixel implementiert. In diesem Fall können das rote (R), das grüne (G) und das blaue (B) Unterpixel ein Pixel implementieren. Insbesondere kann ein farbiger Phosphor entlang jeder Leitung der ersten Elektrode 1020 angeordnet sein. Daher kann eine Leitung der ersten Elektrode 1020 eine Elektrode sein, die eine Farbe steuert. Mit anderen Worten kann Rot (R), Grün (G) und Blau (B) aufeinanderfolgend entlang der zweiten Elektrode 1040 angeordnet werden, wodurch Unterpixel implementiert werden. Die vorliegende Offenbarung ist aber nicht notwendigerweise darauf beschränkt, und die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 kann anstatt mit Phosphor mit einem Quantenpunkt (QD) kombiniert werden, um Unterpixel zu implementieren, die Rot (R), Grün (G) und Blau (B) emittieren.
  • Um den Kontrast der Phosphorschicht 1080 zu verbessern, kann die Displayvorrichtung ferner eine schwarze Matrix 1091 aufweisen, die zwischen jedem Phosphor angeordnet ist.
    Die schwarze Matrix 1091 kann so gebildet sein, dass ein Spalt zwischen den Phosphorpunkten gebildet ist und ein schwarzes Material den Spalt füllt. Dadurch kann die schwarze Matrix 1091 den Kontrast zwischen hell und dunkel verbessern und gleichzeitig externe Lichtreflexionen absorbieren. Die schwarze Matrix 1091 ist zwischen entsprechenden Phosphorschichten entlang der ersten Elektrode 1020 in einer Richtung angeordnet, in der die Phosphorschichten 1080 aufgebracht sind. In diesem Fall kann eine Phosphorschicht nicht an einer Stelle gebildet werden, die der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1051 entspricht, aber die schwarze Matrix 1091 kann jeweils an beiden Seiten davon gebildet werden, wobei ein Spalt besteht, in den nicht die Phosphorschicht 1080 eingebracht ist (oder die blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1051c eingebracht ist). Die schwarze Matrix 1091 kann als Trennwand dienen, die ein Mischen der Farben zwischen den Phosphormaterialien verhindert.
  • Im vorliegenden Beispiel hat die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 eine Struktur, in der Licht zu einer oberen Fläche davon emittiert wird, und weist eine leitende Elektrode auf, die mit der Leitungselektrode an einer unteren Fläche davon elektrisch verbunden ist, und eine Seitenfläche davon ist von einer Passivierungsschicht bedeckt.
  • Die leitende Elektrode kann eine Strukturierungsfläche aufweisen, die für eine elektrische Verbindung mit der Leitungselektrode auf einem nach außen freiliegenden Abschnitt gebildet ist. Die Strukturierungsfläche ist auf einer unteren Fläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung angeordnet, wodurch eine Kontaktfläche mit der Leitungselektrode vergrößert wird und beim Übertragen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung die Anhaftung an einer temporären Klebeschicht weiter vereinfacht wird. Im Folgenden wird die lichtemittierende Halbleitervorrichtung näher beschrieben.
  • 13 ist eine konzeptionelle Ansicht, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung von 13 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
  • Bei der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 des vorliegenden Beispiels kann die Elektrode der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 darüber und darunter angeordnet sein. Daher hat sie den großen Vorteil, dass die Chipgröße reduziert wird.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 emittiert Licht auf die obere Fläche und eine leitende Elektrode ist mit der Leitungselektrode auf der unteren Fläche elektrisch verbunden, und die Seitenfläche ist von der Passivierungsschicht 1157 umgeben. In diesem Fall sind die durch die Strukturierung hervorgerufene Konkavität und Konvexität auf der leitenden Elektrode auf einer unteren Fläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 gebildet und eine Scherkraft zwischen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung und einem Bindungsmaterial ist bei der Übertragung erhöht.
  • Insbesondere weist in 13 die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung auf: eine erste leitende Elektrode 1156, eine auf der ersten leitenden Elektrode 1156 gebildete erste leitende Halbleiterschicht 1155, eine auf der ersten leitenden Halbleiterschicht 1155 gebildete aktive Schicht 1154, eine auf der aktiven Schicht 1154 gebildete zweite leitende Halbleiterschicht 1153, eine auf der zweiten leitenden Halbleiterschicht 1153 gebildete zweite leitende Elektrode 1152 und eine Passivierungsschicht 1157.
  • Die erste leitende Elektrode 1156 und die erste leitende Halbleiterschicht 1155 können eine Elektrode vom p-Typ bzw. eine Halbleiterschicht vom p-Typ sein und die zweite leitende Elektrode 1152 und die zweite leitende Halbleiterschicht 1153 können eine Elektrode vom n-Typ bzw. eine Halbleiterschicht vom n-Typ sein. Mit anderen Worten ist eine unter der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung angeordnete Elektrode eine Elektrode vom p-Typ, und eine Elektrode vom n-Typ ist auf einer oberen Fläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung angeordnet. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf beschränkt und der erste Leitungstyp kann der n-Typ sein und der zweite Leitungstyp kann der p-Typ sein.
  • Die erste leitende Elektrode 1156 ist auf einer Fläche der ersten leitenden Halbleiterschicht 1155 gebildet und die aktive Schicht 1154 ist auf der anderen Fläche der ersten leitenden Halbleiterschicht 1155 und einer Fläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht 1153 gebildet, und die zweite leitende Elektrode 1152 ist auf einer Fläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht 1153 gebildet. Außerdem ist die aktive Schicht 1154 zwischen der ersten leitenden Halbleiterschicht 1155 und der zweiten leitenden Halbleiterschicht 1153 gebildet, um durch Strom, der zwischen der ersten leitenden Elektrode 1156 und der zweiten Elektrode 1040 fließt, Licht zu emittieren.
  • Ferner kann die Passivierungsschicht 1157 an der äußersten Seite der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 vorgesehen sein, um die Halbleiterschicht und die aktive Schicht zu bedecken, wodurch die Stabilisierungseigenschaften der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 erhöht werden. Die Isolierschicht 1157 kann die erste leitende Halbleiterschicht 1155, die aktive Schicht 1154, die zweite leitende Halbleiterschicht 1153 und die erste leitende Elektrode 1156 der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 bedecken.
  • Die Passivierungsschicht 1157 kann einen ersten isolierenden Abschnitt 1157a und einen zweiten isolierenden Abschnitt 1157b aufweisen. Der erste isolierende Abschnitt 1157a kann eine Form haben, die einen Teil einer Fläche der ersten leitenden Elektrode 1156 überlagert. Insbesondere kann der erste isolierende Abschnitt 1157a so geformt sein, dass er eine Kante der ersten leitenden Elektrode 1156 bedeckt und kann auch eine Ringform haben. Außerdem kann der erste isolierende Abschnitt 1157a so geformt sein, dass er eine untere Fläche der ersten leitenden Elektrode 1156 komplett überlagert.
  • Der zweite isolierende Abschnitt 1157b kann eine Form haben, die eine Seitenfläche der ersten leitenden Elektrode 1156, eine Seitenfläche der ersten leitenden Halbleiterschicht 1155 und eine Seitenfläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht 1153 umgibt. Mit anderen Worten erstreckt sich der zweite isolierende Abschnitt 1157b von einer Seitenfläche der leitenden Elektrode zu einer Seitenfläche der ersten leitenden Halbleiterschicht der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung und einer Seitenfläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht. Der zweite isolierende Abschnitt 1157b kann eine isolierende Schutzschicht bilden, indem er die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 bedeckt, um die Stabilität der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 weiter zu sichern. Ferner können der erste isolierende Abschnitt 1157a und der zweite isolierende Abschnitt 1157b durchgehende Schichten sein.
  • Eine isolierende Grenzfläche 1161 kann zwischen der ersten leitenden Elektrode und dem ersten isolierenden Abschnitt gebildet sein und eine klebende Elektrode 1156c kann auf der isolierenden Grenzfläche angeordnet sein. Die klebende Elektrode 1156c kann so gebildet sein, dass sie einen Bereich hat, der gleich oder größer als der der isolierenden Grenzfläche 1161 ist, um die isolierende Grenzfläche 1161 zu bedecken. Die klebende Elektrode 1156c kann auf der isolierenden Grenzfläche 1161 angeordnet sein, wodurch eine Bindungskraft zwischen der ersten leitenden Elektrode 1156 und der Isolierschicht 1157 verbessert wird. Die klebende Elektrode 1156c als Puffermaterial kann eine Metallschicht sein, die eine Bindungskraft zwischen dem Passivierungsmaterial und dem Metallelektrodenmaterial verbessert. Um die Bindungskraft zu verbessern, kann die klebende Elektrode 1156c mindestens ein Element ausgewählt aus Titan (Ti), Chrom (Cr) und Nickel (Ni) aufweisen. Außerdem kann die klebende Elektrode 1156c so ausgebildet sein, dass sie eine Dicke von 1 nm bis 10 nm hat. Die Nennung der klebenden Elektrode ist nur beispielhaft und die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt.
  • Wie gezeigt, ist die leitende Elektrode 1156 in einem isolierenden Bereich 1156a angeordnet, der von der Passivierungsschicht 1157 und Durchgangslöchern der Passivierungsschicht 1157 bedeckt ist, um mit der Leitungselektrode elektrisch verbunden zu werden, und kann einen konkav-konvexen Bereich 1156b haben, dessen Fläche eine Konkavität und Konvexität aufweist.
  • Der isolierende Bereich 1156a kann ein Bereich sein, der vom ersten isolierenden Abschnitt 1157a der Passivierungsschicht 1157 bedeckt ist. Daher kann die klebende Elektrode zwischen der leitenden Elektrode und der Passivierungsschicht im isolierenden Bereich angeordnet sein. Jedoch ist der konkave und konvexe Bereich 1156b ein Bereich, der nicht vom ersten isolierenden Abschnitt bedeckt ist und kann ein Abschnitt sein, der nach außen freiliegt. Die Fläche des isolierenden Bereichs 1156a kann als eine flache Fläche ausgebildet sein.
  • Der konkave und konvexe Bereich 1156b kann mehrere, durch ein Ätzen verwendendes Strukturierungsverfahren gebildete feine Nuten aufweisen, und die feinen Nuten können in einem Abschnitt gebildet sein, in dem die Leitungselektrode die erste leitende Elektrode 1156 bedeckt. Dazu kann die erste leitende Elektrode 1156 aus einem ätzbaren Material bestehen.
  • Der konkave und konvexe Bereich 1156b ist in einem Abschnitt gebildet, in dem die Leitungselektrode und die leitende Elektrode einander überlagern. In diesem Fall kann das Ätzen ein ICP und RIE verwendendes trockenes Verfahren oder ein ein chemisches Ätzmittel verwendendes nasses Verfahren sein.
  • Die leitende Elektrode kann eine oder mehrere Metallschichten aufweisen, und die Metallschichten können eine Antioxidationsmittelschicht 1156d aus mindestens einem Element ausgewählt aus Gold (Au), Silber (Ag) und Platin (Pt) aufweisen. Ferner können die Metallschichten eine ohmsche Kontaktschicht 1156e aufweisen, die einen ohmschen Kontakt mit der ersten leitenden Halbleiterschicht 1155 bildet. Beispielsweise kann mindestens ein Element aus ITO, Chrom (Cr), Titan (Ti) und Nickel-Silber (Ni-Ag) die ohmsche Kontaktschicht 1156e der ersten leitenden Elektrode 1156b bilden.
  • In diesem Fall kann der konkave und konvexe Bereich 1156b in einem Verfahren gebildet werden, in dem die klebende Elektrode 1156c entfernt wird. Durch Oberflächenstrukturierung kann nur ein Teil der klebenden Elektrode 1156c entfernt werden, und gleichzeitig können auch Fremdstoffe entfernt werden. Insbesondere kann die klebende Elektrode 1156c in einem Bereich, der dem isolierenden Bereich 1156a entspricht, nicht geätzt werden, kann jedoch nur in einem Bereich geätzt werden, der dem konkaven und konvexen Bereich 1156b entspricht. Noch genauer gesagt kann beispielsweise eine Fläche der Antioxidationsmittelschicht 1156d mit einer Oberflächenstrukturierung von einigen zehn Nanometern nach dem Trockenätzen auf einer flachen Fläche von mehreren Nanometern gebildet werden. Anders ausgedrückt kann der konkave und konvexe Bereich 1156b auf der Fläche der Antioxidationsmittelschicht 1156d gebildet sein, und die Rauigkeit kann abhängig von der Ätzzeit erhöht werden.
  • Wenn die einen konkav-konvexen Bereich 1156b aufweisende lichtemittierende Halbleitervorrichtung auf ein Übertragungssubstrat übertragen wird, kann eine Scherkraft auf temporäre Bindungsmaterialien auf dem Übertragungssubstrat verbessert werden. Zusätzlich kann, wenn er auf ein Leitungssubstrat gebondet ist, ein Kontaktbereich mit der Leitungselektrode vergrößert werden, mit dem Effekt, dass eine Bindungskraft an Bindungsmaterialien wie ein Lötmittel und dergleichen erhöht wird.
  • Gleichzeitig können die Leitungselektrode und die leitende Elektrode durch ein Lötmittel elektrisch verbunden sein, und mehrere Nuten entsprechend zu einem vorstehenden Abschnitt des konkav-konvexen Bereichs können auf dem Lötmittel gebildet sein.
  • Im vorliegenden Beispiel können auch mehrere Nuten auf einer oberen Fläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gebildet sein. Insbesondere können auch feine Nuten durch Strukturieren auf einer oberen Fläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht gebildet sein. Beispielsweise wird N-GaN durch Entfernen von Ga-Metall oder u-GaN freigelegt und mit Ar-, C12- und BC13-Gasphasen trockengeätzt, wodurch eine Strukturierung mit einer Stufendifferenz von ungefähr 100 Nanometern entsteht.
  • Die feinen Nuten auf der oberen Fläche können nicht nur die Lichtextraktionseffizienz von Licht verbessern, das von innen emittiert wird, sondern auch aufgrund eines großen Flächenbereichs beim Bilden der zweiten leitenden Elektrode eine starke Scherkraft sicherstellen.
  • Wie oben beschrieben, kann in einer Displayvorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung nicht nur eine Bindungskraft auf eine untere Fläche einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung durch einen konkav-konvexen Bereich verbessert werden, sondern auch Licht, das von einer leitenden Elektrode auf die lichtemittierende Halbleitervorrichtung reflektiert wird, kann einfacher extrahiert werden.
  • Die Struktur der vorliegenden Offenbarung kann nicht nur auf die oben beschriebene vertikale lichtemittierende Halbleitervorrichtung angewendet werden, sondern auch auf eine horizontale lichtemittierende Halbleitervorrichtung. Im Folgenden wird diese Struktur mit Bezug auf 14 und 15 näher beschrieben.
  • 14 ist eine Querschnittsansicht, die eine Displayvorrichtung zeigt, bei der eine horizontale lichtemittierende Halbleitervorrichtung Anwendung findet, und 15 ist eine konzeptionelle Ansicht, die eine in 14 gezeigte horizontale lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit neuer Struktur zeigt.
  • In den Zeichnungen der 14 und 15 wird eine Displayvorrichtung 2000, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung vom Passiv-Matrix-Typ (PM-Typ) verwendet, als eine eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendende Displayvorrichtung 2000 gezeigt. Ein unten beschriebenes Beispiel kann jedoch auch auf eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung vom Aktiv-Matrix-Typ (AM-Typ) angewendet werden.
  • Die Displayvorrichtung 2000 kann ein Substrat 2010, eine erste Elektrode 2020, eine Klebeschicht 2030, eine zweite Elektrode 2040, eine Hilfselektrode 2070 und mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen 2050 aufweisen.
  • Das Substrat 2010, als Leitungssubstrat, auf dem auf einer Seite die erste Elektrode 2020 und die Hilfselektrode 2070 angeordnet sind, kann Polyimid (PI) aufweisen. Außerdem kann, wenn es sich um ein isolierendes Material handelt, jedes Material wie Polyethylennaphthalat (PEN), Polyethylenterephthalat (PET) oder dergleichen verwendet werden.
  • Die zweite Elektrode 2040 kann auf der anderen Seite des Substrats 2010 angeordnet und mit der Hilfselektrode 2070 durch ein Durchgangsloch elektrisch verbunden sein. Hier können die erste Elektrode 2020 und die zweite Elektrode 2040 jeweils mehrere Elektrodenleitungen aufweisen, und die erste Elektrode 2020 kann als Datenelektrode und die zweite Elektrode 2040 als Scanelektrode dienen.
  • Die Klebeschicht 2030 kann zwischen der ersten Elektrode 2020 und der Hilfselektrode 2070 und der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 2050 angeordnet sein. Die Klebeschicht 2030 kann so gebildet sein, dass die erste Elektrode 2020 und die zweite Elektrode 2040 in physikalischem Kontakt mit der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 2050 sind, und die entsprechende Beschreibung wird durch die Beschreibung der oben mit Bezug auf 10 bis 13 beschriebenen Klebeschicht ersetzt.
  • Die Displayvorrichtung 2000 kann ferner eine Phosphorschicht 2080 und eine schwarze Matrix 2091 aufweisen, die auf den mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 2050 gebildet sind. Die Strukturen der Phosphorschicht 2080 und der schwarzen Matrix (nicht gezeigt) sind gleich wie die der Phosphorschicht und der schwarzen Matrix, die oben mit Bezug auf 10 bis 13 beschreiben wurden, und deren Beschreibung wird durch den oben beschriebenen Inhalt ersetzt.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 2050 des vorliegenden Beispiels hat jedoch eine Struktur, die Licht zu einer oberen Fläche davon emittiert, und hat eine erste leitende Elektrode 2156 und eine zweite leitende Elektrode 2152, die mit der Leitungselektrode an einer unteren Seite davon elektrisch verbunden sind, und eine Seitenfläche davon ist von einer Passivierungsschicht 2157 bedeckt.
  • In diesem Fall sind die durch die Strukturierung hervorgerufene Konkavität und Konvexität auf der leitenden Elektrode auf einer unteren Fläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 2050 gebildet, und eine Scherkraft zwischen der lichtemittierenden Halbeitervorrichtung und dem Bindungsmaterial ist beim Durchführen der Übertragung erhöht.
  • Insbesondere weist in 15 die lichtemittierende Halbeitervorrichtung 2050 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung auf: eine erste leitende Elektrode 2156, eine erste leitende Halbleiterschicht 2155, die auf der ersten leitenden Elektrode 2156 gebildet ist, eine aktive Schicht 2154, die auf der ersten leitenden Halbleiterschicht 2155 gebildet ist, eine zweite leitende Halbleiterschicht 2153, die auf der aktiven Schicht 2154 gebildet ist, eine zweite leitende Elektrode 2152, die auf der zweiten leitenden Halbeiterschicht 2153 gebildet ist, und eine Passivierungsschicht 2157. Hier ist die zweite leitende Elektrode 2152 horizontal von der ersten leitenden Elektrode 2156 auf der zweiten leitenden Halbleiterschicht 2153 beabstandet, um eine Flip-Chip-Struktur zu bilden.
  • In diesem Fall kann die erste leitende Elektrode 2156 eine Elektrode vom p-Typ sein und die zweite leitende Elektrode 2152 kann eine Elektrode vom n-Typ sein, und im vorliegenden Beispiel kann jeweils ein konkav-konvexer Bereich auf der Elektrode vom p-Typ und auf der Elektrode vom n-Typ gebildet sein.
  • Die Passivierungsschicht 2157 kann einen ersten isolierenden Abschnitt 2157a und einen zweiten isolierenden Abschnitt 2157b aufweisen. Der erste isolierende Abschnitt 2157a kann eine Form haben, die einen Teil der ersten leitenden Elektrode 2156 und der zweiten leitenden Elektrode 2152 überlagert. Genauer gesagt kann der erste isolierende Abschnitt 2157a so geformt sein, dass er eine Kante der ersten leitenden Elektrode 2156 und der zweiten leitenden Elektrode 2152 bedeckt und kann auch eine Ringform haben. Ferner kann der erste isolierende Abschnitt 2157a so geformt sein, dass er eine untere Fläche der ersten leitenden Elektrode 2156 und der zweiten leitenden Elektrode 2152 vollständig überlagert.
  • Der zweite isolierende Abschnitt 2157b kann eine Form haben, die eine Seitenfläche der ersten leitenden Elektrode 2156 und der zweiten leitenden Elektrode 2152, eine Seitenfläche der ersten leitenden Halbleiterschicht 2155 und eine Seitenfläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht 2153 umgibt. Mit anderen Worten erstreckt sich der zweite isolierende Abschnitt 2157b von einer Seitenfläche der leitenden Elektrode zu einer Seitenfläche der ersten leitenden Halbleiterschicht der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung und einer Seitenfläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht. Der zweite isolierende Abschnitt 2157b kann eine isolierende Schutzschicht derart bilden, dass er die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 2050 bedeckt, um die Stabilität der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 2050 weiter zu sichern. Ferner können der erste isolierende Abschnitt 2157a und der zweite isolierende Abschnitt 2157b durchgehende Schichten sein.
  • Eine isolierende Grenzfläche 2161 kann zwischen der ersten leitenden Elektrode 2156 und der zweiten leitenden Elektrode 2152 und dem ersten isolierenden Abschnitt gebildet sein, und eine klebende Elektrode 2156c kann auf der isolierenden Grenzfläche angeordnet sein. Die klebende Elektrode 2156c kann so gebildet sein, dass sie eine Fläche hat, die gleich oder größer als die der isolierenden Grenzfläche 2161 ist, um die isolierende Grenzfläche 2161 zu bedecken. Die klebende Elektrode 2156c kann auf der isolierenden Grenzfläche 2161 angeordnet sein und dadurch eine Bindungskraft zwischen der ersten leitenden Elektrode 2156 und der zweiten leitenden Elektrode 2152 und der Passivierungsschicht 2157 verbessern. Die detaillierte Beschreibung der klebenden Elektrode 2156c wird durch die vorstehende Beschreibung der klebenden Elektrode 1156c in 10 bis 13 ersetzt.
  • Wie gezeigt, sind die erste leitende Elektrode 2156 und die zweite leitende Elektrode 2152 in einem isolierenden Bereich 2156a angeordnet, der von der Passivierungsschicht 2157 und Durchgangslöchern der Passivierungsschicht 2157 bedeckt ist, um mit der Leitungselektrode elektrisch verbunden zu werden, und können einen konkav-konvexen Bereich 2156b haben, dessen Fläche Konkavität und Konvexität aufweist.
  • Der isolierende Bereich 2156a kann ein Bereich sein, der vom ersten isolierenden Abschnitt 2157a der Passivierungsschicht 2157 bedeckt ist. Daher kann die klebende Elektrode 2156c zwischen den leitenden Elektroden 2152, 2156 und der Passivierungsschicht 2157 im isolierenden Bereich 2156a angeordnet sein. Jedoch ist der konkave und konvexe Bereich 2156b ein Bereich, der nicht vom ersten isolierenden Abschnitt 2157a bedeckt ist und kann ein Abschnitt sein, der nach außen freiliegt. Die Fläche des isolierenden Bereichs 2156a kann als flache Fläche ausgebildet sein.
  • Der konkav-konvexe Bereich 2156b kann durch ein Ätzen verwendendes Strukturierungsverfahren mehrere feine Nuten in jeder der ersten leitenden Elektrode 2156 und der zweiten leitenden Elektrode 2152 aufweisen, und dazu können die erste leitende Elektrode 2156 und die zweite leitende Elektrode 2152 aus einem ätzbaren Material gebildet sein.
  • Die leitende Elektrode kann eine oder mehrere Metallschichten aufweisen, und die Metallschichten können eine Antioxidationsmittelschicht 2156d aus mindestens einem Element ausgewählt aus Gold (Au), Silber (Ag) und Platin (Pt) aufweisen. Ferner können die Metallschichten eine ohmsche Kontaktschicht 2156e aufweisen, die einen ohmschen Kontakt mit einer leitenden Halbleiterschicht bildet. Beispielsweise kann mindestens ein Element aus ITO, Chrom (Cr), Titan (Ti) und Nickel-Silber (Ni-Ag) die ohmsche Kontaktschicht 2156e der leitenden Elektrode bilden.
  • In diesem Fall kann der konkave und konvexe Bereich 2156b in einem Verfahren gebildet werden, in dem die klebende Elektrode 2156c entfernt wird. Durch Oberflächenstrukturierung wird nur ein Teil der klebenden Elektrode 1156c entfernt, und die entsprechende detaillierte Beschreibung wird durch den oben mit Bezug auf 10 bis 13 beschriebenen Inhalt ersetzt.
  • Wenn die einen konkav-konvexen Bereich 2156b aufweisende lichtemittierende Halbleitervorrichtung auf ein Übertragungssubstrat übertragen wird, kann eine Scherkraft auf temporäre Bindungsmaterialien auf dem Übertragungssubstrat verbessert werden. Zusätzlich kann, wenn er auf ein Leitungssubstrat gebondet ist, ein Kontaktbereich mit der Leitungselektrode vergrößert werden, mit dem Effekt, dass eine Bindungskraft an Bindungsmaterialien wie ein Lötmittel und dergleichen erhöht wird.
  • Gleichzeitig können die Leitungselektrode und die leitende Elektrode durch ein Lötmittel elektrisch verbunden sein, und mehrere Nuten entsprechend zu einem vorstehenden Abschnitt des konkav-konvexen Bereichs können auf dem Lötmittel gebildet sein.
  • Im vorliegenden Beispiel können auch mehrere Nuten auf einer oberen Fläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gebildet sein. Die mehreren Nuten auf der oberen Fläche können die Lichtextraktionseffizienz des von innen emittierten Lichts erhöhen. Gemäß der Struktur der Displayvorrichtung des vorliegenden Beispiels kann jeweils ein konkaver und konvexer Bereich auf der Elektrode vom p-Typ und der Elektrode vom n-Typ der horizontalen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gebildet werden, wodurch eine Bindungskraft auf Bindungsmaterialien beim Übertagungsverfahren erhöht wird und eine Scherkraft auf die Leitungselektrode beim Verbinden mit bzw. Bonden an die Leitungsplatte erhöht wird.
  • In einer Displayvorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung kann durch einen konkav-konvexen Bereich nicht nur eine Bindungskraft auf eine untere Fläche einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung erhöht werden, sondern auch Licht, das von einer leitenden Elektrode auf eine lichtemittierende Halbeitervorrichtung reflektiert wird, kann leichter extrahiert werden.
  • Außerdem kann bei der vorliegenden Offenbarung eine klebende Elektrode auf einem Teil der leitenden Elektrode der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gebildet werden, die auf einem großflächigen Wafer gewachsen ist, wodurch eine Bindungskraft zwischen der leitenden Elektrode und einer Passivierungsschicht in der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung verbessert wird.
  • Ferner kann bei der vorliegenden Offenbarung ein größerer Kontaktbereich zwischen der leitenden Elektrode, die ein Bauteil mit großem Widerstand aufweist, und Leitungsbahnen gebildet werden, wodurch Strom effizient in die lichtemittierende Halbleitervorrichtung eingeleitet wird. Dadurch kann eine Betriebsspannung der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung reduziert werden.
  • Außerdem kann bei der vorliegenden Ausführungsform eine Strukturierungsfläche (eine Struktur mit einer Größe von mehreren zehn nm bis 100 nm oder mehr) auf einer Grenzfläche einer lichtemittierenden Fläche (LES) durch ein Trockenätzverfahren gebildet werden, um das gesamte interne Reflexionsvermögen bezüglich der Lichtextraktion auf der LES-Grenzfläche zu reduzieren, wodurch die Lichtextraktionseffizienz verbessert wird.
  • Die Konfigurationen und Verfahren gemäß der oben beschriebenen Ausführungsformen können nicht nur auf die oben genannte, eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendende Displayvorrichtung angewendet werden, sondern alle oder Teile jeder Ausführungsform können selektiv kombiniert und konfiguriert werden, so dass verschiedene Abwandlungen vorgenommen werden können.

Claims (15)

  1. Displayvorrichtung, die aufweist: ein Substrat mit einer Leitungselektrode; und eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung, die Licht zu einer oberen Fläche davon emittiert, und die eine leitende Elektrode aufweist, die mit der Leitungselektrode an einer unteren Fläche davon elektrisch verbunden ist, wobei eine Seitenfläche davon mit einer Passivierungsschicht bedeckt ist, wobei die leitende Elektrode aufweist: einen isolierenden Bereich, der von der Passivierungsschicht bedeckt ist, und einen konkav-konvexen Bereich, der auf einem Durchgangsloch der Passivierungsschicht angeordnet und mit der Leitungselektrode elektrisch verbunden ist, wobei eine Fläche davon Konkavität und Konvexität aufweist.
  2. Displayvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der konkav-konvexe Bereich in einem Abschnitt gebildet ist, in dem die Leitungselektrode und die leitende Elektrode einander überlagern.
  3. Displayvorrichtung nach Anspruch 2, wobei die leitende Elektrode eine Elektrode vom p-Typ ist und eine Elektrode vom n-Typ auf einer oberen Fläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung angeordnet ist.
  4. Displayvorrichtung nach Anspruch 2, wobei die leitende Elektrode eine Elektrode vom p-Typ und eine Elektrode vom n-Typ aufweist und der konkav-konvexe Bereich jeweils auf der Elektrode vom p-Typ und auf der Elektrode vom n-Typ gebildet ist.
  5. Displayvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die leitende Elektrode eine oder mehrere Metallschichten aufweist und die Metallschichten eine Antioxidationsmittelschicht aus mindestens einem Element ausgewählt aus Gold (Au), Silber (Ag) und Platin (Pt) aufweisen.
  6. Displayvorrichtung nach Anspruch 5, wobei der konkav-konvexe Bereich auf einer Fläche der Antioxidationsmittelschicht gebildet ist.
  7. Displayvorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Fläche des isolierenden Bereichs als eine flache Fläche ausgebildet ist.
  8. Displayvorrichtung nach Anspruch 1, die ferner aufweist: eine klebende Elektrode, die zwischen der leitenden Elektrode und der Passivierungsschicht im isolierenden Bereich angeordnet ist.
  9. Displayvorrichtung nach Anspruch 8, wobei die Passivierungsschicht einen ersten isolierenden Abschnitt, der auf einer unteren Fläche der leitenden Elektrode gebildet ist, und einen zweiten isolierenden Abschnitt aufweist, der sich von einer Seitenfläche der leitenden Elektrode zu einer Seitenfläche einer ersten leitenden Halbleiterschicht und einer Seitenfläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung erstreckt.
  10. Displayvorrichtung nach Anspruch 9, wobei eine isolierende Grenzfläche zwischen der ersten leitenden Elektrode und dem ersten isolierenden Abschnitt gebildet ist und die klebende Elektrode auf der isolierenden Grenzfläche angeordnet ist.
  11. Displayvorrichtung nach Anspruch 8, wobei die klebende Elektrode mindesten ein Element ausgewählt aus Titan (Ti), Chrom (Cr) und Nickel (Ni) aufweist.
  12. Displayvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Leitungselektrode und die leitende Elektrode mit einem Lötmittel elektrisch verbunden sind und mehrere Nuten entsprechend zu einem vorstehenden Abschnitt des konkav-konvexen Bereichs auf dem Lötmittel gebildet sind.
  13. Displayvorrichtung nach Anspruch 1, wobei mehrere Nuten auf einer oberen Fläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gebildet sind.
  14. Displayvorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine reflektierende Schicht unter der Leitungselektrode gebildet ist.
  15. Displayvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Substrat Nuten aufweist, die zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen gebildet und aufeinanderfolgend in einer Richtung angeordnet sind.
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