DE102021208093A1 - Anzeigevorrichtung, led-substrat und herstellungsverfahren einer anzeigevorrichtung - Google Patents

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Shih-Hsiung Lin
Yang-En Wu
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Abstract

Die Anzeigevorrichtung weist ein Schaltungssubstrat (200) und eine lichtemittierende Diode (L, La, L1, L2, L2', L3) auf. Zwei Elektroden (E1, E2) der lichtemittierenden Diode (L, La, L1, L2, L2', L3) sind mit zwei Pads (P) des Schaltungssubstrates (200) verbunden. Jede Elektrode (E1, E2) der lichtemittierenden Diode (L, La, L1, L2, L2', L3) weist eine erste leitfähige Schicht (C1), eine Barrierenschicht (BL) und eine Metallschicht (SR, SRa, SRb) auf. Die erste leitfähige Schicht (C1) ist mit einer Halbleiterstapelschicht (SM, SMa, SM1, SM2, SM3) der lichtemittierenden Diode (L, La, L1, L2, L2', L3) verbunden. Die Barrierenschicht (BL) ist elektrisch mit der Halbleiterstapelschicht (SM, SMa, SM1, SM2, SM3) der lichtemittierenden Diode (L, La, L1, L2, L2', L3) durch die erste leitfähige Schicht (C1) verbunden. Die Anhaftung des Materials, welches für die erste leitfähige Schicht (C1) ausgewählt wurde, an der Halbleiterstapelschicht (SM, SMa, SM1, SM2, SM3) ist größer als die Anhaftung des Materials, welches für die Barrierenschicht (BL) ausgewählt wurde, an der Halbleiterstapelschicht (SM, SMa, SM1, SM2, SM3). Die Metallschicht (SR, SRa, SRb) verbindet elektrisch die Barrierenschicht (BL) mit dem entsprechenden einen der Pads (P). Der Schmelzpunkt der Metallschicht (SR, SRa, SRb) ist niedriger als 260 Grad Celsius.

Description

  • HINTERGRUND
  • Technisches Gebiet
  • Die Offenbarung bezieht sich auf eine Anzeigevorrichtung, ein LED-Substrat und ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung.
  • Beschreibung des technischen Hintergrundes
  • Eine lichtemittierende Diode (LED) ist ein lichtemittierendes Element, welches die Eigenschaften geringer Leistungsverbrauch, hohe Helligkeit, hohe Auflösung und hohe Farbsättigung hat und somit zur Konstruktion einer Pixelstruktur eines LED-Anzeigepaneels geeignet ist.
  • Die Technik des Transferierens einer lichtemittierenden Diode bzw. LED auf ein Schaltungssubstrat wird als Massentransfer bezeichnet. Allgemein gesagt, kann ein leitendes Adhäsiv bzw. Klebemittel an einer gesamten Oberfläche auf dem Schaltungssubstrat geformt werden, und dann kann die lichtemittierende Diode auf das Schaltungssubstrat durch eine Transfervorrichtung übertragen werden. Die lichtemittierende Diode wird durch das leitfähige Klebemittel fixiert, welches auf dem Schaltungssubstrat geformt wird, und die Transfervorrichtung wird entfernt, nachdem die lichtemittierende Diode an dem leitfähigen Klebemittel fixiert ist. Üblicherweise treten während des Transfers der lichtemittierenden Diode irrtümlicherweise transferierte bzw. angeordnete lichtemittierende Dioden, schlecht befestigte lichtemittierende Dioden oder Ähnliches wahrscheinlich auf, was einen normalen Betrieb von einigen Pixeln in der Anzeigevorrichtung verhindert, und was auch ein Anzeige- bzw. Display-Qualität der Anzeigevorrichtung beeinträchtigt. Allgemein gesagt, werden die fehlerhaft transferierten oder schlecht befestigten lichtemittierenden Dioden entfernt, und eine lichtemittierende Diode zur Reparatur wird auf das Schaltungssubstrat transferiert, um die entfernte lichtemittierende Diode zu ersetzen. Jedoch wird das leitfähige Klebemittel üblicherweise auf dem Schaltungssubstrat an einer großen Fläche ausgebildet, und es ist schwierig zu entfernen. Außerdem ist es während der Reparatur auch schwierig und zeitaufwendig, nur das ursprüngliche leitfähige Klebemittel an einer speziellen kleinen Region auszuformen.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Die Offenbarung sieht eine Anzeigevorrichtung vor, bei welcher eine Verbindung zwischen einer lichtemittierenden Diode bzw. LED und einem Schaltungssubstrat verbessert ist.
  • Die Offenbarung sieht ein LED-Substrat bzw. Substrat für eine lichtemittierende Diode vor, wobei eine Verbindung zwischen der lichtemittierenden Diode und dem Schaltungssubstrat verbessert ist.
  • Die Offenbarung sieht ein Herstellungsverfahren eines LED-Substrates vor, wobei Risse an der Verbindungsstelle zwischen der lichtemittierenden Diode und einem Schaltungssubstrat verringert sind.
  • Zumindest ein Ausführungsbeispiel der Offenbarung sieht eine Anzeigevorrichtung vor. Die Anzeigevorrichtung weist ein Schaltungssubstrat und eine lichtemittierende Diode auf. Zwei Elektroden der lichtemittierenden Diode sind mit zwei Kissen bzw. Pads des Schaltungssubstrates verbunden. Jede der Elektroden der lichtemittierenden Diode weist eine erste leitfähige Schicht, eine Barrierenschicht und eine Metallschicht auf. Die erste leitfähige Schicht ist mit einer Halbleiterstapelschicht der lichtemittierenden Diode verbunden. Die Barrierenschicht ist elektrisch mit der Halbleiterstapelschicht der lichtemittierenden Diode durch die erste leitfähige Schicht verbunden. Eine Anhaftung eines Materials, welches für die erste leitfähige Schicht ausgewählt wurde, an der Halbleiterstapelschicht ist größer als eine Anhaftung eines Materials, welches für die Barrierenschicht ausgewählt wurde, an der Halbleiterstapelschicht. Die Metallschicht verbindet elektrisch die Barrierenschicht mit einem entsprechenden einen der Kissen bzw. Pads. Ein Schmelzpunkt der Metallschicht ist niedriger als 260 Grad Celsius.
  • Zumindest ein Ausführungsbeispiel der Offenbarung sieht ein LED-Substrat bzw. Substrat für eine lichtemittierende Diode vor. Das LED-Substrat weist ein Wachstumssubstrat und eine lichtemittierende Diode auf. Die lichtemittierende Diode weist eine Halbleiterstapelschicht und zwei Elektroden auf. Die Halbleiterstapelschicht ist auf dem Wachstumssubstrat geformt. Die zwei Elektroden sind auf der Halbleiterstapelschicht geformt. Jede Elektrode weist eine erste leitfähige Schicht, eine Barrierenschicht und eine Metallschicht auf. Die erste leitfähige Schicht ist auf der Halbleiterstapelschicht geformt. Die Barrierenschicht ist auf der ersten leitfähigen Schicht geformt. Eine Anhaftung eines Materials, welches für die erste leitfähige Schicht ausgewählt ist, an der Halbleiterstapelschicht ist größer als eine Anhaftung eines Materials, das für die Barrierenschicht ausgewählt ist, an der Halbleiterstapelschicht. Die Metallschicht ist auf der Barrierenschicht geformt. Ein Schmelzpunk der Metallschicht ist niedriger als 260 Grad Celsius.
  • Zumindest ein Ausführungsbeispiel der Offenbarung sieht ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung vor. Das Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung weist Folgendes auf: eine Vielzahl von lichtemittierenden Dioden wird geformt. Eine der lichtemittierenden Dioden wird auf ein Schaltungssubstrat transferiert. Zusätzlich wird eine der lichtemittierenden Dioden aufgeheizt. Jede lichtemittierende Diode weist eine Halbleiterstapelschicht und zwei Elektroden auf. Die zwei Elektroden sind auf der Halbleiterstapelschicht geformt. Jede Elektrode weist eine erste leitfähige Schicht, eine Barrierenschicht und eine Metallschicht auf. Die erste leitfähige Schicht ist auf der Halbleiterstapelschicht geformt. Die Barrierenschicht wird auf der ersten leitfähigen Schicht geformt. Eine Anhaftung bzw. Haftfähigkeit eines Materials, welches für die erste leitfähige Schicht ausgewählt ist an der Halbleiterstapelschicht ist größer als eine Anhaftung bzw. Haftfähigkeit eines Materials, welches für die Barrierenschicht ausgewählt ist, an der Halbleiterstapelschicht. Die Metallschicht wird auf der Barrierenschicht geformt. Ein Schmelzpunkt der Metallschicht ist niedriger als 260 Grad Celsius. Das Schaltungssubstrat weist eine Vielzahl von Kissen bzw. Pads auf. Eine Position von einer der lichtemittierenden Dioden entspricht zwei der Pads des Schaltungssubstrates. Die Metallschichten von einer der lichtemittierenden Dioden werden eutektisch mit zwei der Pads verbunden.
  • Um das Obige besser verständlich zu machen, werden verschiedene Ausführungsbeispiele mit begleitenden Zeichnungen im Folgenden im Detail beschrieben.
  • Figurenliste
  • Die beigefügten Zeichnungen sind vorgesehen, um ein tieferes Verständnis der Offenbarung vorzusehen, und sie sind in dieser Beschreibung eingeschlossen und bilden einen Teil davon. Die Zeichnungen veranschaulichen beispielhafte Ausführungsformen der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung zur Erklärung der Prinzipien der Offenbarung.
    • 1 ist eine schematische Querschnittsansicht eines LED-Substrates gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
    • 2 ist eine schematische Querschnittsansicht eines LED-Substrates gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
    • 3A bis 3G sind schematische Querschnittsansichten eines Herstellungsverfahrens für eine Anzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
    • 4A bis 4D sind schematische Querschnittsansichten eines Herstellungsverfahrens für eine Anzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
    • 5A bis 5E sind schematische Querschnittsansichten eines Herstellungsverfahrens für eine Anzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
    • 6A bis 6C sind schematische Querschnittsansichten eines Herstellungsverfahrens für eine Anzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
    • 7A bis 7F sind schematische Querschnittsansichten eines Herstellungsverfahrens für eine Anzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
    • 8A bis 8B sind schematische Querschnittsansichten eines Reparaturverfahrens für eine Anzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
  • BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • 1 ist eine schematische Querschnittsansicht eines LED-Substrates gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
  • Mit Bezugnahme auf 1 weist ein LED-Substrat 10 ein Wachstumssubstrat 100 und eine lichtemittierende Diode L auf. Die lichtemittierende Diode L weist eine Halbleiterstapelschicht SM und zwei Elektroden E1 und E2 auf.
  • Bei einigen Ausführungsbeispielen ist das Wachstumssubstrat 100 ein Galliumarsenid- bzw. GaAs-Substrat, ein Galliumphosphid- bzw. GaP-Substrat, ein Indiumphosphid- bzw. InP-Substrat, ein Saphirsubstrat, ein Siliciumcarbid- bzw. SiC-Substrat, ein Galliumnitrid- bzw. GaN-Substrat oder ein anderes Wachstumssubstrat, welches für einen Epitaxieprozess geeignet ist. In einigen Ausführungsbeispielen ist die Oberfläche des Wachstumssubstrates 100 durch einen Nanoimprinting- bzw. Nanoprägeprozess mit einem Muster versehen, so dass das Wachstumssubstrat 100 eine Oberfläche mit Konkavität und Konvexität hat. In einigen Ausführungsbeispielen ist eine Pufferschicht 110 auf der Oberfläche des Wachstumssubstrates 100 geformt, und die Pufferschicht 110 ermöglicht eine Zunahme der Ausbeute des nachfolgenden Epitaxieprozesses. In einigen Ausführungsbeispielen ist ein Material der Pufferschicht 110 Aluminiumnitrid oder irgendwelche anderen geeigneten Materialien.
  • Die Halbleiterstapelschicht SM wird auf dem Wachstumssubstrat 100 geformt. In einigen Ausführungsbeispielen wird die Halbleiterstapelschicht SM auf der PufferSchicht 110 durch einen Epitaxieprozess und einen Musterformungsprozess geformt. Die Halbleiterstapelschicht SM weist eine erste Halbleiterschicht 130, eine lichtemittierende Schicht 140 und eine zweite Halbleiterschicht 150 auf. Eine der ersten Halbleiterschichten 130 und der zweiten Halbleiterschicht 150 ist ein N-dotierter Halbleiter, und die andere ist ein P-dotierter Halbleiter. Beispielsweise ist die erste Halbleiterschicht 130 eine Halbleiterschicht des N-Typs, und die zweite Halbleiterschicht 150 ist eine Halbleiterschicht des P-Typs.
  • Ein Material der ersten Halbleiterschicht 130 und ein Material der zweiten Halbleiterschicht 150 weisen beispielsweise Galliumnitrid, Indiumgalliumnitrid (InGaN), Galliumarsenid, Aluminiumgalliumindiumphosphid (AIGalnP) oder andere Materialien auf, die aus IIIA und VA-Elementen oder anderen geeigneten Materialien zusammengesetzt sind, jedoch ist die Offenbarung nicht darauf eingeschränkt.
  • Die lichtemittierende Schicht 140 ist zwischen der ersten Halbleiterschicht 130 und der zweiten Halbleiterschicht 150 angeordnet. Die lichtemittierende Schicht 140 weist beispielsweise einen Quantentopf (QW = Quantum Well) auf, wie beispielsweise einen Single-Quantentopf (SQW = Single Quantum Well), einen Mehrfach-Quantentopf (MQW = Multiple Quantum Well) oder andere Quantentöpfe. Elektrische Löcher bzw. Vertiefungen, die durch die P-dotierte Halbleiterschicht vorgesehen werden und Elektronen, die durch die N-dotierte Halbleiterschicht vorgesehen werden, können in der lichtemittierenden Schicht 140 kombiniert werden und Energie kann in Form von Licht abgegeben werden.
  • In diesem Ausführungsbeispiel weist die Halbleiterstapelschicht SM auch eine niedrig dotierte (oder undotierte) Halbleiterschicht 120 auf. Die Halbleiterschicht 120 ist zwischen der ersten Halbleiterschicht 130 und dem Wachstumssubstrat 100 angeordnet. Ein Material der Halbleiterschicht 120 weist beispielsweise Galliumnitrid, Indiumgalliumnitrid (InGaN), Galliumarsenid, Aluminiumgalliumindiumphosphid (AIGalnP) oder andere Materialien auf, die aus IIIA und VA-Elementen oder anderen geeigneten Materialien zusammengesetzt sind, jedoch ist die Offenbarung nicht darauf eingeschränkt.
  • In diesem Ausführungsbeispiel ist die lichtemittierende Diode L eine blaue lichtemittierende Diode oder eine grüne lichtemittierende Diode. Die Materialien der Halbleiterschicht 120, der ersten Halbleiterschicht 130, der lichtemittierenden Schicht 140 und der zweiten Halbleiterschicht 150 weisen Galliumnitrid auf, und das Wachstumssubstrat 100 ist ein Saphir-Substrat. Trotzdem ist die Offenbarung nicht darauf eingeschränkt. In anderen Ausführungsbeispielen ist die lichtemittierende Diode L eine lichtemittierende Diode mit anderen Farben, und die Materialien der Halbleiterschicht 120, der ersten Halbleiterschicht 130, der lichtemittierenden Schicht 140 und der zweiten Halbleiterschicht 150 weisen andere Materialien auf.
  • Eine isolierende Schicht i ist auf der Halbleiterstapelschicht SM geformt. Die isolierende Schicht i hat mindestens zwei Öffnungen, die jeweils einen Teil der Oberseite der ersten Halbleiterschicht 130 und einen Teil der Oberseite der zweiten Halbleiterschicht 150 freilegen.
  • Die zwei Elektroden E1 und E2 sind auf der Halbleiterstapelschicht SM geformt. In einigen Beispielen sind die Elektroden E1 und E2 jeweils elektrisch mit der ersten Halbleiterschicht 130 und der zweiten Halbleiterschicht 150 durch die Öffnungen der isolierenden Schicht i verbunden.
  • Die Elektroden E1 und E2 weisen jeweils eine erste leitfähige Schicht C1, einn Barrierenschicht BL und eine Metallschicht SR auf.
  • Die erste leitfähige Schicht C1 ist auf der Halbleiterstapelschicht SM geformt und ist jeweils in Kontakt mit der ersten Halbleiterschicht 130 und der zweiten Halbleiterschicht 150. Die Barrierenschicht BL ist auf der ersten leitfähigen Schicht C1 geformt, und die Barrierenschicht BL bedeckt die gesamte Oberseite der ersten leitfähigen Schicht C1. In einigen Ausführungsbeispielen ist eine Anhaftung bzw. Haftfähigkeit eines Materials, welches für die erste leitfähige Schicht C1 ausgewählt ist, an der Halbleiterstapelschicht SM größer als eine Haftfähigkeit eines Materials, welches für die Barrierenschicht BL ausgewählt wurde, an der Halbleiterstapelschicht SM. Anders gesagt, verglichen mit der Barrierenschicht BL kann eine Anhaftung bzw. Befestigung der ersten leitfähigen Schicht C1 an der ersten Halbleiterschicht 130 und der zweiten Halbleiterschicht 150 verbessert werden.
  • In einigen Ausführungsbeispielen ist eine Dicke T1 der ersten leitfähigen Schicht C1 von 0,01 µm bis 0,09 µm. In einigen Ausführungsbeispielen weist das Material, welches für die erste leitfähige Schicht C1 ausgewählt ist, Titan, Chrom oder eine Kombination der obigen Materialien oder anderer Materialien mit guter Anhaftung an einer Epitaxieschicht auf. In einigen Ausführungsbeispielen wird die erste leitfähige Schicht C1 beispielsweise durch Verdampfung, Elektroplattierung oder andere geeignete Prozesse geformt.
  • In einigen Ausführungsbeispielen ist eine Dicke T2 der Barrierenschicht BL von 0,1 µm bis 5 µm. In einigen Ausführungsbeispielen weist das Material, welches für die Barrierenschicht BL ausgewählt ist, Nickel, Kupfer, Palladium oder eine Kombination der obigen Materialien auf. In einigen Ausführungsbeispielen wird die Barrierenschicht BL beispielsweise durch Verdampfung, Elektroplattierung oder andere geeignete Prozesse geformt.
  • Die Metallschicht SR ist auf der Barrierenschicht BL geformt. Der Schmelzpunkt der Metallschicht SR ist niedriger als 260 Grad Celsius.
  • In einigen Ausführungsbeispielen ist eine Dicke T4 der Metallschicht SR von 0,1 µm bis 8 µm. In einigen Ausführungsbeispielen weist ein Material, welches für die Metallschicht SR ausgewählt ist, Zinn, Indium, Wismut, Zinn-Wismut-Mischmetall - bw. Zinn-Wismut-Legierung, Zinn-Indium-Legierung, Zinn-Kupfer-Legierung, Zinn-Silber-Legierung, Zinn-Antimon-Legierung, Zinn-Zink-Legierung, Zinn-Silber-Kupfer-Legierung, Zinn-Silber-Kupfer-Wismut-Legierung oder eine Kombination der obigen Materialien auf. In einigen Ausführungsbeispielen wird die Metallschicht SR beispielsweise durch Verdampfung, Elektroplattierung oder andere geeignete Prozesse geformt.
  • Wenn in einigen Ausführungsbeispielen die Metallschicht SR aufgeheizt wird, um eutektisch die Metallschicht SR mit anderen Komponenten zu verbinden, schirmt die Barrierenschicht BL Metallelemente in der Metallschicht SR dagegen ab, zur ersten leitfähigen Schicht C1 diffundiert zu werden, wodurch verhindert wird, dass intermetallische Verbindungen aus einer Reaktion erzeugt werden bzw. nicht erzeugt werden, und zwar wegen einer nachteilig beeinträchtigten Adhäsion zwischen der Metallschicht SR und der ersten leitfähigen Schicht C1, was Risse zwischen der Metallschicht SR und der ersten leitfähigen Schicht C1 zur Folge hat. Auf diese Weise wird eine Verbindung zwischen der lichtemittierenden Diode L und anderen Komponenten verbessert.
  • In einigen Ausführungsbeispielen weisen die Elektroden E1 und E2 jeweils selektiv eine zweite leitfähige Schicht C2 auf. Die zweite leitfähige Schicht C2 ist auf der Barrierenschicht BL geformt und ist zwischen der Barrierenschicht BL und der Metallschicht SR angeordnet. Die zweite leitfähige Schicht C2 bedeckt die gesamte Oberseite der Barrierenschicht BL. Eine Benetzbarkeit der Metallschicht SR auf einem Metall, welches für die zweite leitfähige Schicht C2 ausgewählt ist, ist größer als eine Benetzbarkeit der Metallschicht SR auf dem Material, welches für die Barrierenschicht BL ausgewählt ist. Anders gesagt, das Abflachen der Metallschicht SR auf der Oberfläche der zweiten leitfähigen Schicht C2 kann verbessert werden. In einigen Ausführungsbeispielen bedeckt die Metallschicht SR die gesamte Oberseite der zweiten leitfähigen Schicht C2.
  • In einigen Ausführungsbeispielen ist eine Dicke T3 der zweiten leitfähigen Schicht C2 kleiner oder gleich der Dicke T2 der Barrierenschicht BL, wodurch die intermetallischen Verbindungen verringert werden, die zwischen der zweiten leitfähigen Schicht C2 und der Metallschicht SR geformt werden. In einigen Ausführungsbeispielen ist die Dicke T3 der zweiten leitfähigen Schicht C2 von 0,01 µm bis 0,1 µm. In einigen Ausführungsbeispielen weist das Material, welches für die zweite leitfähige Schicht C2 ausgewählt ist, Gold, Silber, Kupfer, Palladium, Nickel oder eine Kombination der obigen Materialien auf. In einigen Ausführungsbeispielen wird die zweite leitfähige Schicht C2 beispielsweise durch Verdampfung, Elektroplattierung oder andere geeignete Prozesse geformt.
  • In einigen Ausführungsbeispielen wird die erste leitfähige Schicht C1 konform in der Öffnung der isolierenden Schicht i und auf der Oberfläche der isolierenden Schicht i geformt. Die Barrierenschicht BL wird konform auf der ersten leitfähigen Schicht C1 geformt. Die zweite leitfähige Schicht C2 wird konform auf der Barrierenschicht BL geformt. Die Metallschicht SR wird konform auf der zweiten leitfähigen Schicht C2 geformt. In einigen Ausführungsbeispielen werden die Mitte der ersten leitfähigen Schicht C1, die Barrierenschicht BL; die zweite leitfähige Schicht C2 und die Metallschicht SR entsprechend der Öffnung der isolierenden Schicht i geringfügig nach unten vertieft. Trotzdem ist die Offenbarung nicht darauf eingeschränkt.
  • In einigen Ausführungsbeispielen können die Form der ersten leitfähigen Schicht C1, der Barrierenschicht BL; der zweiten leitfähigen Schicht C2 und der Metallschicht SR durch die gleiche Maske definiert werden. Daher können die Form der senkrechten Projektion der ersten leitfähigen Schicht C1 auf dem Wachstumssubstrat 100, die Form der senkrechten Projektion der Barrierenschicht BL auf dem Wachstumssubstrat 100, die Form der senkrechten Projektion der zweiten leitfähigen Schicht C2 auf dem Wachstumssubstrat 100 und die Form der senkrechten Projektion der Metallschicht SR auf dem Wachstumssubstrat 100 im Wesentlichen gleich zueinander sein. In anderen Ausführungsbeispielen bedeckt die obere Schicht von jeder der Elektroden E1 und E2 selektiv die Seitenfläche der unteren Schicht. Beispielsweise kann die obere Schicht in Kontakt mit der Seitenfläche der unteren Schicht sein, und zwar wegen der Verwendung von optischen Masken von unterschiedlichen Größen beim Herstellungsprozess oder Fehlern während der Verdampfung bzw. Bedampfung. Beispielsweise bedeckt die Metallschicht SR selektiv die Seitenfläche der zweiten leitfähigen Schicht C2, die Seitenfläche der Barrierenschicht BL und die Seitenfläche der ersten leitfähigen Schicht C1. Trotzdem ist die Offenbarung nicht darauf eingeschränkt.
  • 2 ist eine schematische Querschnittsansicht eines LED-Substrates gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung. Es sei hier bemerkt, dass die Bezugszeichen und der Teil der Inhalte des Ausführungsbeispiels der 1 auch zur Verwendung im Ausführungsbeispiel der 2 bleiben, wobei die gleichen oder ähnliche Bezugszeichen verwendet werden, um sich auf die gleichen oder auf ähnliche Elemente zu beziehen, und die Beschreibung des gleichen technischen Inhalts wird weggelassen. Für die Beschreibung des weggelassenen Teils kann auf die obigen Ausführungsbeispiele Bezug genommen werden, wobei dies hier nicht wiederholt wird.
  • Der Hauptunterschied zwischen einem LED-Substrat 20 der 2 und dem LED-Substrat 10 der 1 liegt darin, dass eine Halbleiterstapelschicht SMa des LED-Substrates 20 sich von der Halbleiterstapelschicht SM des LED-Substrates 10 unterscheidet.
  • Mit Bezug auf 2 ist die Halbleiterstapelschicht SMa auf dem Wachstumssubstrat 100 geformt. In einigen Ausführungsbeispielen ist die Halbleiterstapelschicht SMa auf der Pufferschicht 110 durch einen Epitaxieprozess geformt. Die Halbleiterstapelschicht SMa weist die erste Halbleiterschicht 130, die lichtemittierende Schicht 140 und die zweite Halbleiterschicht 150 auf. Eine der ersten Halbleiterschicht 130 und der zweiten Halbleiterschicht 150 ist ein N-dotierter Halbleiter, und die andere ist ein P-dotierter Halbleiter. Beispielsweise ist die erste Halbleiterschicht 130 eine Halbleiterschicht des N-Typs, und die zweite Halbleiterschicht 150 ist eine Halbleiterschicht des P-Typs. Die lichtemittierende Schicht 140 ist zwischen der ersten Halbleiterschicht 130 und der zweiten Halbleiterschicht 150 angeordnet.
  • In diesem Ausführungsbeispiel weist die Halbleiterstapelschicht SMa auch eine dritte Halbleiterschicht 160 auf. Die dritte Halbleiterschicht 160 ist auf der zweiten Halbleiterschicht 150 geformt. Außerdem sind die dritte Halbleiterschicht 160 und die zweite Halbleiterschicht 150 Halbleiterschichten des gleichen Typs (beispielsweise sind beide Halbleiterschichten des P-Typs).
  • In diesem Ausführungsbeispiel ist die lichtemittierende Diode La eine rote lichtemittierende Diode, und die Materialien der Halbleiterschicht 120, der ersten Halbleiterschicht 130, der lichtemittierenden Schicht 140 und der zweiten Halbleiterschicht 150 weisen ein Aluminiumgalliumindiumphosphid auf, ein Material der dritten Halbleiterschicht 160 weist ein Galliumphosphid auf, und das Wachstumssubstrat 100 weist ein Galliumarsenid-Substrat auf. Trotzdem ist die Offenbarung nicht darauf eingeschränkt. In anderen Ausführungsbeispielen ist die lichtemittierende Diode La eine lichtemittierende Diode mit anderen Farben, und die Materialien der ersten Halbleiterschicht 130, der lichtemittierenden Schicht 140, der zweiten Halbleiterschicht 150 und der dritten Halbleiterschicht 160 weisen andere Materialien auf.
  • 3A bis 3G sind schematische Querschnittsansichten eines Herstellungsverfahrens für eine Anzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
  • Mit Bezugnahme auf 3A wird eine Vielzahl von lichtemittierenden Dioden bzw. LEDs L1 auf dem Wachstumssubstrat 100 geformt. Jede lichtemittierende Diode L1 weist eine Halbleiterstapelschicht SM1 und zwei Elektroden E1 und E1 auf. Die zwei Elektroden E1 und E2 werden auf der Halbleiterstapelschicht SM1 geformt. Die Struktur der lichtemittierenden Diode L1 ist ähnlich der lichtemittierenden Diode L der 1 oder der lichtemittierenden Diode La der 2. Für eine damit in Beziehung stehende Beschreibung kann Bezug auf 1 und 2 genommen werden.
  • Mit Bezugnahme auf 3B werden eine oder mehrere lichtemittierende Dioden L1 vom Wachstumssubstrat 100 auf ein erstes Transfersubstrat TS1 übertragen bzw. transferiert. In diesem Ausführungsbeispiel weist das erste Transfersubstrat TS1 ein Substrat SB1 und eine Adhäsiv- bzw. Haftungsschicht AD1 auf. In einigen Ausführungsbeispielen ist das erste Transfersubstrat TS1 ein Band, und das Substrat SB1 weist ein weiches Material auf. In einigen Ausführungsbeispielen ist das erste Transfersubstrat TS1 ein Band und weist nicht das Substrat SB1 auf, und die Haftungsschicht AD1 ist nicht an dem Substrat SB1 befestigt, sondern an irgendwelchen anderen Tragstrukturen (beispielsweise Metallringen). Das Substrat SB1 ist ein transparentes Substrat, und sein Material ist beispielsweise Glas, Saphir-Substrat oder irgendwelche anderen geeigneten Materialien. Die Haftungsschicht AD1 ist ein Adhäsiv- bzw. Klebstoffmaterial, und sein Material ist beispielsweise Band, Polymermaterial oder Materialien mit Viskosität. Die Haftungsschicht AD1 kann in verständlicher Weise an dem transparenten Substrat angeordnet sein oder kann teilweise auf dem transparenten Substrat angeordnet sein (nur auf den Verbindungsstellen der lichtemittierenden Dioden angeordnet).
  • Das LED-Substrat 10 wird mit dem ersten Transfersubstrat TS1 zusammengeklebt, und die lichtemittierende Diode L1 auf dem Wachstumssubstrat 100 lässt man zu dem ersten Transfersubstrat TS1 hin weisen. Dann werden durch Laserabnehmen bzw. Laser-Lift-Off eine oder mehrere lichtemittierende Dioden L1 vom Wachstumssubstrat 100 auf die Haftungsschicht AD1 des ersten Transfersubstrates TS1 transferiert.
  • In diesem Ausführungsbeispiel wird die lichtemittierende Diode L1, die transferiert werden soll, mit einem Laser LS abgeschält, und eine Distanz zwischen den lichtemittierenden Dioden L1 auf dem ersten Transfersubstrat TS1 wird eingestellt. In 3B ist das Unterteil der abgeschälten lichtemittierenden Dioden L1 durch dicke Linien veranschaulicht. In diesem Ausführungsbeispiel ist eine Distanz Ph1 zwischen den lichtemittierenden Dioden L1 auf dem ersten Transfersubstrat TS1 größer als eine Distanz Ph1 zwischen den lichtemittierenden Dioden L1 auf dem Wachstumssubstrat 100 (d.h., die Distanz zwischen den lichtemittierenden Dioden L1 nach dem Transfer ist größer als die Distanz vor dem Transfer).
  • In diesem Ausführungsbeispiel wird ein Teil der lichtemittierenden Dioden L1 auf das erste Transfersubstrat TS1 transferiert und der andere Teil der lichtemittierenden Dioden L1 bleibt auf dem Wachstumssubstrat 100. In diesem Ausführungsbeispiel sind die Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Diode L1 auf einer Seite der lichtemittierenden Diode L1 angeordnet, die zum ersten Transfersubstrat TS1 weist.
  • Mit Bezugnahme auf 3C werden eine oder mehrere der lichtemittierenden Dioden L1 vom ersten Transfersubstrat TS1 zu einem zweiten Transfersubstrat TS2 übertragen. Das zweite Transfersubstrat TS2 weist ein Substrat SB2 und eine Haftungsschicht AD2 auf. In einigen Ausführungsbeispielen weist das Substrat SB2 ein thermisch leitfähiges Material auf, wie beispielsweise Keramik, Metall oder andere geeignete Materialien. In einigen Ausführungsbeispielen weist das Substrat SB2 ein transparentes Material auf, wie beispielsweise Glas, Saphir oder andere geeignete Materialien.
  • Bei diesem Ausführungsbeispiel weist das erste Transfersubstrat TS1 ein Band auf, und eine Viskosität der Haftungsschicht AD2 ist größer als eine Viskosität der Haftungsschicht AD1 (oder des Bandes). Nachdem das zweite Transfersubstrat TS2 auf die lichtemittierende Diode L1 auf dem ersten Transfersubstrat TS1 laminiert bzw. aufgelegt ist (beispielsweise wird das zweite Transfersubstrat TS2 so bewegt, dass es mit der lichtemittierenden Diode L1 ist, und/oder das erste Transfersubstrat TS1 wird so gelegt, dass das zweite Transfersubstrat TS2 in Kontakt mit der lichtemittierenden Diode L1 ist), wird das erste Transfersubstrat TS1 entfernt. Da die Viskosität der Haftungsschicht AD2 größer ist als die Viskosität der Haftungsschicht AD1 bleibt die lichtemittierende Diode L1 auf dem zweiten Transfersubstrat TS2, nachdem das erste Transfersubstrat TS1 entfernt ist.
  • In anderen Ausführungsbeispielen ist das Substrat SB1 des ersten Transfersubstrates TS1 ein transparentes Substrat. Das erste Transfersubstrat TS1 oder das zweite Transfersubstrat TS2 werden so bewegt, dass das erste Transfersubstrat TS1 mit dem zweiten Transfersubstrat TS2 überlappt. Dann wird die lichtemittierende Diode L1 durch einen Laser von einer Seite des Substrates SB1 bestrahlt. Darüber hinaus wird die lichtemittierende Diode L1 durch Laser-Lift-Off vom ersten Transfersubstrat TS1 auf die Haftungsschicht AD2 des zweiten Transfersubstrates TS2 transferiert.
  • In diesem Ausführungsbeispiel ist eine Distanz Ph3 zwischen den lichtemittierenden Dioden L1 auf dem zweiten Transfersubstrat TS2 ungefähr gleich der Distanz Ph2 zwischen den lichtemittierenden Dioden L1 auf dem ersten Transfersubstrat TS1. In diesem Ausführungsbeispiel sind die Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Diode L1 auf einer Seite der lichtemittierenden Diode L1 angeordnet, die von dem zweiten Transfersubstrat TS2 weg weist.
  • Mit Bezugnahme auf 3D werden eine oder mehrere lichtemittierende Dioden L2 auf das zweite Transfersubstrat TS2 in einer ähnlichen Weise bewegt wie bei 3A bis 3C. Die lichtemittierende Diode L2 weist eine Halbleiterstapelschicht SM2 und die Elektroden E1 und E2 auf. Die Struktur der lichtemittierenden Diode L2 ist ähnlich der lichtemittierenden Diode L der 1 oder der lichtemittierenden Diode La der 2. Für eine damit in Beziehung stehende Beschreibung sei auf 1 und auf 2 Bezug genommen.
  • Mit Bezugnahme auf 3E werden eine oder mehrere lichtemittierende Dioden L3 auf das zweite Transfersubstrat TS2 in einer ähnlichen Weise bewegt wie bei 3A bis 3C. Die lichtemittierende Diode L3 weist eine Halbleiterstapelschicht SM3 und die Elektroden E1 und E2 auf. Die Struktur der lichtemittierenden Diode L3 ist ähnlich jener der lichtemittierenden Diode L der 1 oder der lichtemittierenden Diode La der 2. Für eine damit in Beziehung stehende Beschreibung sei auf 1 und auf 2 Bezug genommen.
  • In diesem Ausführungsbeispiel sind die lichtemittierende Diode L1, die lichtemittierende Diode L2 und die lichtemittierende Diode L3 jeweils eine blaue lichtemittierende Diode, eine grüne lichtemittierende Diode und eine rote lichtemittierende Diode. In diesem Ausführungsbeispiel werden die lichtemittierende Diode L1, die lichtemittierende Diode L2 und die lichtemittierende Diode L3 sequentiell auf das zweite Transfersubstrat TS2 transferiert. Trotzdem schränkt diese Offenbarung nicht die Reihenfolge ein, in welcher die lichtemittierende Diode L1, die lichtemittierende Diode L2 und die lichtemittierende Diode L3 auf das zweite Transfersubstrat TS2 transferiert werden. Die Reihenfolge in der die lichtemittierende Diode L1, die lichtemittierende Diode L2 und die lichtemittierende Diode L3 auf das zweite Transfersubstrat TS2 transferiert werden, kann abhängig von tatsächlichen Anforderungen angepasst werden.
  • Mit Bezugnahme auf 3F werden die lichtemittierende Dioden L1, L2 und L3 von dem zweiten Transfersubstrat TS2 auf ein Schaltungssubstrat 200 transferiert. In diesem Ausführungsbeispiel ist die Distanz zwischen den lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 auf dem zweiten Transfersubstrat TS2 ungefähr gleich der Distanz zwischen den lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 auf dem Schaltungssubstrat 200. Das Schaltungssubstrat 200 ist ein starres Substrat oder ein flexibles Substrat. Das Schaltungssubstrat 200 weist beispielsweise Glas, eine gedruckte Leiterplatte, Polyimid, Silikon- bzw. Siliciumsubstrat oder Ähnliches auf. Bei der Offenbarung sind die lichtemittierende Diode L1, die lichtemittierende Diode L2 und die lichtemittierende Diode L3 nicht darauf eingeschränkt, dass sie von dem gleichen zweiten Transfersubstrat TS2 zur gleichen Zeit auf das Schaltungssubstrat 200 transferiert werden. In anderen Ausführungsbeispielen können die lichtemittierende Diode L1, die lichtemittierende Diode L2 und die lichtemittierende Diode L3 auch von den jeweiligen zweiten Transfersubstraten TS2 auf das Schaltungssubstrat 200 transferiert werden.
  • In diesem Ausführungsbeispiel weist das Schaltungssubstrat 200 eine Vielzahl von Kissen bzw. Pads P auf. Die Position von jeder der lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 entspricht zwei Pads P des Schaltungssubstrates 200. In einigen Ausführungsbeispielen sind die Pads P mit (nicht gezeigten) aktiven Elementen oder (nicht gezeigten) Signalleitungen in dem Schaltungssubstrat 200 verbunden. In einigen Ausführungsbeispielen werden andere zusätzliche Antriebs- bzw. Treiberchips (beispielsweise Mikrochips) oder Treiberschaltungsplatinen auf dem Schaltungssubstrat 200 aufgebracht bzw. gebondet. In einigen Ausführungsbeispielen ist das Schaltungssubstrat 200 zur Verwendung in einem Anzeigepaneel oder einem Backlight- bzw. Rückseitenbeleuchtungsmodul ausgebildet.
  • In einigen Ausführungsbeispielen weist ein Material, welches für die Pads P ausgewählt ist, Gold, Nickel, Kupfer, Zinn, Indium, Zinn-Silber-Legierung, Zink-Kupfer-Legierung, Zinn-Silber-Kupfer- Legierung oder eine Kombination oder einen Stapel der obigen Materialien auf. In einigen Ausführungsbeispielen ist eine Dicke T5 der Pads P nicht größer als 8 µm, wodurch die Möglichkeit verringert wird, dass die Pads P für Schäden auf Grund von Spannungen anfällig sind.
  • In einigen Ausführungsbeispielen weist das Substrat SB2 des zweiten Transfersubstrates TS2 ein thermisch leitfähiges Material auf. Das zweite Transfersubstrat TS2 wird auf das Schaltungssubstrat 200 gepresst. Dann wird Wärme durch das zweite Transfersubstrat TS2 auf die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 übertragen, um die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 aufzuheizen. Die Metallschichten SR in den Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 werden jeweils mit den entsprechenden Kissen bzw. Pads P des Schaltungssubstrates 200 verbunden.
  • In einigen Ausführungsbeispielen weist das Substrat SB2 ein transparentes Material auf, wie beispielsweise Glas, Saphir oder andere geeignete Materialien. Das zweite Transfersubstrat TS2 wird auf das Schaltungssubstrat 200 gepresst. Dann werden die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 durch einen Laser durch das Substrat SB2 hindurch bestrahlt, um die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 aufzuheizen. Die Metallschichten SR in den Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 werden jeweils mit den entsprechenden Pads P des Schaltungssubstrates 200 verbunden.
  • In einigen Ausführungsbeispielen weist das Material, welches für die Pads P ausgewählt ist, ein Material mit verbesserter eutektischer Verbindung mit der Metallschicht SR auf. Nachdem die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 aufgeheizt sind, wird die Metallschicht SR eutektisch mit den Pads P verbunden, und die Metallschicht SR stellt eine elektrische Verbindung mit der Barrierenschicht BL und den entsprechenden Kissen bzw. Pads P her.
  • Mit Bezugnahme auf 3G wird das zweite Transfersubstrat TS2 entfernt. In diesem Ausführungsbeispiel weisen die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 lichtemittierende Dioden von unterschiedlichen Farben auf (beispielsweise blau, grün und rot), jedoch ist die Offenbarung nicht darauf eingeschränkt. In einem anderen Ausführungsbeispiel wird nur die lichtemittierende Diode L1 einer einzigen Farbe auf das Schaltungssubstrat 200 transferiert, und Licht, welches von der lichtemittierenden Diode L1 emittiert wird, wird durch anderen Farbumwandlungselemente (beispielsweise ein Quantenpunktmaterial, ein Leuchtstoffmaterial oder Ähnliches) in Licht von anderen Farben umgewandelt. Anders gesagt, in anderen Ausführungsbeispielen können die Schritte des Formens der lichtemittierenden Dioden L2 und L3 und des Transferierens der lichtemittierenden Dioden L2 und L3 weggelassen werden.
  • Basierend auf dem Obigen schirmt die Barrierenschicht BL Metallelemente in der Metallschicht SR dagegen ab, dass sie in die erste leitfähige Schicht C1 diffundiert werden, wodurch verhindert wird, dass intermetallische Verbindungen aus der Reaktion nicht erzeugt werden, und zwar wegen nachteilig beeinflusster Anhaftung zwischen der Metallschicht SR und der ersten leitfähigen Schicht C1, was Risse zwischen der Metallschicht SR und der ersten leitfähigen Schicht C1 zur Folge hat. Auf diese Weise wird eine Verbindung zwischen den lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 und den Pads P verbessert. Da die Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 eine Metallschicht SR aufweisen, können zusätzlich die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 mit dem Schaltungssubstrat 200 verbunden werden, ohne Lotkügelchen oder leitfähigen Klebstoff auf dem Schaltungssubstrat 200 anzuordnen.
  • 4A bis 4D sind schematische Querschnittsansichten eines Herstellungsverfahrens für eine Anzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
  • Mit Bezugnahme auf 4A werden die lichtemittierenden Dioden L1 auf dem Wachstumssubstrat 100 von dem Wachstumssubstrat 100 auf das erste Transfersubstrat TS1 transferiert, nachdem die lichtemittierenden Dioden L1 auf dem Wachstumssubstrat 100 geformt wurden (wie in 3A gezeigt).
  • In diesem Ausführungsbeispiel weist das erste Transfersubstrat TS1 das Substrat SB1 und die Haftungsschicht AD1 auf. In diesem Ausführungsbeispiel ist das Substrat SB1 ein transparentes Substrat, und sein Material ist beispielsweise Glas, Saphir oder andere geeignete Materialien. Das Wachstumssubstrat 100 wird auf das erste Transfersubstrat TS1 bewegt, und die lichtemittierenden Dioden L1 auf dem Wachstumssubstrat 100 lässt man zu dem ersten Transfersubstrat TS1 hinweisen. Dann werden die lichtemittierenden Dioden L1 durch Laser-Lift-Off von dem Wachstumssubstrat 100 auf die Haftungsschicht AD1 des ersten Transfersubstrates TS1 transferiert.
  • In diesem Ausführungsbeispiel ist die Distanz zwischen den lichtemittierenden Dioden L1 auf dem ersten Transfersubstrat TS1 ungefähr gleich der Distanz zwischen den lichtemittierenden Dioden L1 auf dem Wachstumssubstrat 100 (d.h., die Distanz zwischen den lichtemittierenden Dioden L1 nach dem Transfer ist ungefähr gleich der Distanz vor dem Transfer).
  • In diesem Ausführungsbeispiel sind die Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Diode L1 auf einer Seite der lichtemittierenden Diode L1, die zum ersten Transfersubstrat TS1 hin weist, angeordnet.
  • Mit Bezugnahme auf 4B werden eine oder mehrere lichtemittierende Dioden L1 von dem ersten Transfersubstrat TS1 zum zweiten Transfersubstrat TS2 transferiert. Das zweite Transfersubstrat TS2 weist das Substrat SB2 und die Haftungsschicht AD2 auf. In einigen Ausführungsbeispielen weist das Substrat SB2 ein thermisch leitfähiges Material auf, wie beispielsweise Keramik, Metall oder andere geeignete Materialien. In einigen Ausführungsbeispielen weist das Substrat SB2 ein transparentes Material auf, wie beispielsweise Glas, Saphir oder andere geeignete Materialien.
  • In diesem Ausführungsbeispiel ist das Substrat SB1 des ersten Transfersubstrates TS1 ein transparentes Substrat. Das erste Transfersubstrat TS1 oder das zweite Transfersubstrat TS2 werden bewegt, um das erste Transfersubstrat TS1 mit dem zweiten Transfersubstrat TS2 auszurichten. Dann wird die lichtemittierende Diode L1 durch den Laser LS von einer Seite des Substrates SB1 bestrahlt. Zusätzlich wird durch Lasertransfer die lichtemittierende Diode L1 von dem ersten Transfersubstrat TS1 auf die Haftungsschicht AD2 des zweiten Transfersubstrates TS2 transferiert.
  • In diesem Ausführungsbeispiel wird die Vielzahl von lichtemittierenden Dioden L1, die transferiert werden sollen, mit dem Laser LS ausgewählt. Die Distanz Ph3 ist zwischen den transferierten lichtemittierenden Dioden L1 vorhanden. In diesem Ausführungsbeispiel ist die Distanz Ph3 zwischen den lichtemittierenden Dioden L1 auf dem zweiten Transfersubstrat TS2 größer als die Distanz Ph2 zwischen den lichtemittierenden Dioden L1 auf dem ersten Transfersubstrat TS1 (d.h., die Distanz zwischen den lichtemittierenden Dioden L1 nach dem Transfer ist größer als die Distanz vor dem Transfer).
  • In diesem Ausführungsbeispiel sind die Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Diode L1 auf einer Seite der lichtemittierenden Diode L1 angeordnet, welche von dem zweiten Transfersubstrat TS2 weg weist.
  • Mit Bezugnahme auf 4C werden eine oder mehrere lichtemittierende Dioden L2 auf das zweite Transfersubstrat TS2 in ähnlicher Weise bewegt wie bei 4A und 4B. Die lichtemittierende Diode L2 weist die Halbleiterstapelschicht SM2 und die Elektroden E1 und E2 auf. Die Struktur der lichtemittierenden Diode L2 ist ähnlich der lichtemittierenden Diode L der 1 oder der lichtemittierenden Diode La der 2. Für eine damit in Beziehung stehende Beschreibung sei Bezug genommen auf 1 und auf 2.
  • Mit Bezugnahme auf 4D werden eine oder mehrere lichtemittierende Dioden L3 auf das zweite Transfersubstrat TS2 in ähnlicher Weise bewegt wie bei 4A und 4B. Die lichtemittierende Diode L3 weist die Halbleiterstapelschicht SM3 und die Elektroden E1 und E2 auf. Die Struktur der lichtemittierenden Diode L3 ist ähnlich der lichtemittierenden Diode L der 1 oder der lichtemittierenden Diode La der 2. Für eine damit in Beziehung stehende Beschreibung sei Bezug genommen auf 1 und auf 2.
  • In diesem Ausführungsbeispiel sind die lichtemittierende Diode L1, die lichtemittierende Diode L2 und die lichtemittierende Diode L3 eine blaue lichtemittierende Diode bzw. eine grüne lichtemittierende Diode bzw. eine rote lichtemittierende Diode. In diesem Ausführungsbeispiel werden die lichtemittierende Diode L1, die lichtemittierende Diode L2 und die lichtemittierende Diode L3 sequentiell auf das zweite Transfersubstrat TS2 übertragen. Trotzdem schränkt die Offenbarung nicht die Reihenfolge ein, in welcher die lichtemittierende Diode L1, die lichtemittierende Diode L2 und die lichtemittierende Diode L3 auf das zweite Transfersubstrat TS2 übertragen werden. Die Reihenfolge, in welcher die lichtemittierende Diode L1, die lichtemittierende Diode L2 und die lichtemittierende Diode L3 auf das zweite Transfersubstrat TS2 transferiert werden, kann abhängig von tatsächlichen Anforderungen angepasst werden.
  • Nachdem die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 auf das zweite Transfersubstrat TS2 transferiert worden sind, werden die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 mit dem Schaltungssubstrat 200 verbunden, und zwar durch einen Prozess ähnlich jenem von 3F und 3G. Für eine damit in Beziehung stehende Beschreibung sei Bezug genommen auf die Absätze, die für 3F und 3G relevant sind, welche hier nicht wiederholt werden.
  • Basierend auf dem Obigen schirmt die Barrierenschicht BL Metallelemente in der Metallschicht SR dagegen ab, dass diese in die ersten leitfähige Schicht C1 diffundiert werden, wodurch verhindert wird, dass intermetallische Verbindungen nicht aus einer Reaktion erzeugt werden, und zwar wegen nachteilig beeinflusster Adhäsion zwischen der Metallschicht SR und der ersten leitfähigen Schicht C1, was Risse zwischen der Metallschicht SR und der ersten leitfähigen Schicht C1 zur Folge hat. Auf diese Weise wird eine Verbindung zwischen den lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 und den Pads P verbessert.
  • 5A bis 5E sind schematische Querschnittsansichten eines Herstellungsverfahrens für eine Anzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
  • Mit Bezugnahme auf 5A werden mehrere lichtemittierende Dioden L1 auf einem Wachstumssubstrat 100a geformt. In diesem Ausführungsbeispiel weist das Wachstumssubstrat 100a ein Substrat 102 und eine Haltestruktur 104 auf. In einigen Ausführungsbeispielen werden eine Opferschicht (nicht gezeigt) und die Haltestruktur 104 auf dem Substrat 102 geformt. Dann wird die lichtemittierende Diode L1, die mit der Haltestruktur 104 verbunden ist, geformt. Danach wird die Opferschicht entfernt, um einen Spalt zwischen der lichtemittierenden Diode L1 und dem Substrat 102 zu formen. Nachdem die Opferschicht entfernt wurde, wird die lichtemittierende Diode L1 an der Haltestruktur 104 auf dem Wachstumssubstrat 100a fixiert.
  • In diesem Ausführungsbeispiel weist jede der lichtemittierenden Dioden L1 die Halbleiterstapelschicht SM1 und die zwei Elektroden E1 und E2 auf. Die zwei Elektroden E1 und E2 sind auf der Halbleiterstapelschicht SM1 geformt. Die Struktur der lichtemittierenden Dioden L1 ist ähnlich der lichtemittierenden Diode L der 1 oder der lichtemittierenden Diode La der 2. Für eine damit in Beziehung stehende Beschreibung sei auf 1 und auf 2 Bezug genommen.
  • In diesem Ausführungsbeispiel sind die Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Diode L1 auf einer Seite der lichtemittierenden Diode L1 angeordnet, die vom Substrat 102 weg weist.
  • Eine oder mehrere lichtemittierende Dioden L1 werden mit einer Transfervorrichtung TD abgehoben. Wenn die lichtemittierende Diode L1 vom Wachstumssubstrat 100a abgehoben wird, wird die Haltestruktur 104 durch Kraft zerbrochen. In anderen Ausführungsbeispielen bleibt eine teilweise zerbrochene Haltestruktur 104' an den abgehobenen lichtemittierenden Dioden L1, und die andere teilweise abgebrochene Haltestruktur 104" bleibt an dem Substrat 102. Trotzdem ist die Offenbarung nicht darauf eingeschränkt.
  • In diesem Ausführungsbeispiel weist das viskose Material der Transfervorrichtung TD beispielsweise Polydimethylsiloxan (PDMS) auf. Außerdem hebt die Transfervorrichtung TD die lichtemittierende Diode L1 durch die Van-der-Waals-Kraft zwischen der Transfervorrichtung TD und der lichtemittierenden Diode L1 ab. In anderen Ausführungsbeispielen hebt die Transfervorrichtung TD die lichtemittierende Diode L1 durch Vakuumanziehung, statische Elektrizität oder Ähnliches ab.
  • Mit Bezugnahme auf 5B werden eine oder mehrere lichtemittierende Dioden L1 auf das erste Transfersubstrat TS1 durch die Transfervorrichtung TD übertragen. Das erste Transfersubstrat TS1 weist das Substrat SB1 und die Haftungsschicht AD1 auf. In einigen Ausführungsbeispielen weist das Substrat SB1 ein thermisch leitfähiges Material auf, beispielsweise Keramik, Metall oder andere geeignete Materialien. In einigen Ausführungsbeispielen weist das Substrat SB1 ein transparentes Material auf, wie beispielsweise Glas, Saphir oder andere geeignete Materialien.
  • Die lichtemittierende Diode L1 wird auf der Haftungsschicht AD1 des ersten Transfersubstrates TS1 fixiert, und dann wird die Transfervorrichtung TD entfernt.
  • In einigen Ausführungsbeispielen werden mehrere lichtemittierende Dioden L1 auf das erste Transfersubstrat TS1 transferiert. Zusätzlich ist die Distanz zwischen den lichtemittierenden Dioden L1 auf dem ersten Transfersubstrat TS1 größer als die Distanz zwischen den lichtemittierenden Dioden L1 auf dem Wachstumssubstrat 100 (d.h., die Distanz der lichtemittierenden Dioden L1 nach dem Transfer ist größer als die Distanz vor dem Transfer).
  • In diesem Ausführungsbeispiel sind die Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Diode L1 auf einer Seite der lichtemittierenden Diode L1 angeordnet, die von dem ersten Transfersubstrat TS1 weg weist.
  • Mit Bezugnahme auf 5C werden in ähnlicher Weise wie in 5A bis 5B die lichtemittierenden Dioden L2 und L3 geformt, und die lichtemittierenden Dioden L2 und L3 werden auf das erste Transfersubstrat TS1 übertragen.
  • Mit Bezugnahme auf 5D wird das erste Transfersubstrat TS1 umgedreht, und die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 werden von dem ersten Transfersubstrat TS1 zum Schaltungssubstrat 200 übertragen. In diesem Ausführungsbeispiel ist die Distanz zwischen den lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 auf dem ersten Transfersubstrat TS1 ungefähr gleich der Distanz zwischen den lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 auf dem Schaltungssubstrat 200.
  • In diesem Ausführungsbeispiel weist das Schaltungssubstrat 200 mehrere Kissen bzw. Pads P auf. Die Pads P sind elektrisch mit (nicht gezeigten) aktiven Elementen oder (nicht gezeigten) Signalleitungen in dem Schaltungssubstrat 200 verbunden. Die Position von jeder der lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 entspricht zwei Pads P des Schaltungssubstrates 200.
  • In einigen Ausführungsbeispielen weist das Material, welches für die Pads P ausgewählt ist, Gold, Nickel, Kupfer, Zinn, Indium, Zinn-Silber-Legierung, Zinn-Kupfer-Legierung, Zinn-Silber-Kupfer- Legierung oder eine Kombination der obigen Materialien auf. In einigen Ausführungsbeispielen ist die Dicke T5 der Pads P nicht größer als 8 µm, wodurch die Wahrscheinlichkeit verringert wird, dass die Pads P für Schaden auf Grund von Spannungen anfällig sind.
  • In einigen Ausführungsbeispielen weist das Substrat SB1 des ersten Transfersubstrates TS1 ein thermisch leitfähiges Material auf. Das erste Transfersubstrat TS1 wird auf das Schaltungssubstrat 200 gepresst. Dann wird Wärme durch das zweite Transfersubstrat TS2 zu den lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 durchgelassen, um die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 aufzuheizen, Die Metallschichten SR in den Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 sind jeweils mit den entsprechenden Pads P des Schaltungssubstrates 200 verbunden.
  • In einigen Ausführungsbeispielen weist das Substrat SB1 ein transparentes Material auf, wie beispielsweise Glas, Saphir oder andere geeignete Materialien. Das erste Transfersubstrat TS1 wird auf das Schaltungssubstrat 200 gepresst. Dann werden die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 durch einen Laser durch das Substrat SB1 hindurch bestrahlt, um die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 aufzuheizen. Die Metallschichten SR in den Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 werden jeweils mit den entsprechenden Pads P des Schaltungssubstrates 200 verbunden. In diesem Ausführungsbeispiel weist das Verfahren zur Aufheizung der lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 beispielsweise einen Einzel-Punkt-Laser, einen Planarlaser bzw. Flächenlaser oder einen Linearlaser bzw. Linienlaser auf. In anderen Ausführungsbeispielen weist das Verfahren zum Aufheizen der lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 eine konduktive Aufheizung bzw. Leitungsaufheizung auf.
  • In einigen Ausführungsbeispielen weist das Material, welches für die Pads P ausgewählt ist, ein Material mit einer verbesserten eutektischen Verbindung mit der Metallschicht SR auf. Nachdem die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 aufgeheizt sind, wird die Metallschicht SR eutektisch mit den Pads P verbunden und die Metallschicht SR stellt eine elektrische Verbindung zur Barrierenschicht BL und zu den entsprechenden Pads P her.
  • In diesem Ausführungsbeispiel können die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 auf das Schaltungssubstrat 200 in Abwesenheit eines zweiten Transfersubstrates übertragen werden.
  • Mit Bezugnahme auf 5E wird das erste Transfersubstrat TS1 entfernt.
  • Basierend auf dem Obigen schirmt die Barrierenschicht BL Metallelemente in der Metallschicht SR dagegen ab, dass diese zur ersten leitfähigen Schicht diffundiert werden, wodurch verhindert wird, dass aus der Reaktion intermetallische Verbindungen nicht erzeugt werden, und zwar wegen nachteilig beeinflusster Adhäsion zwischen der Metallschicht SR und der ersten leitfähigen Schicht C1, was Risse zwischen der Metallschicht SR und der ersten leitfähigen Schicht C1 zur Folge hat. Auf diese Weise wird die Verbindung zwischen den lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 und den Pads P verbessert. Da die Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 die Metallschicht SR aufweisen, können außerdem die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 mit dem Schaltungssubstrat 200 verbunden werden, ohne Lotkügelchen oder leitenden Klebstoff auf dem Schaltungssubstrat 200 anzuordnen.
  • 6A bis 6C sind schematische Querschnittsansichten eines Herstellungsverfahrens für eine Anzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
  • Mit Bezugnahme auf 6A werden mehrere lichtemittierende Dioden L1 auf dem Wachstumssubstrat 100a geformt. In diesem Ausführungsbeispiel weist das Wachstumssubstrat 100a das Substrat 102 und die Haltestruktur 104 auf. In einigen Ausführungsbeispielen werden eine (nicht gezeigte) Opferschicht und die Haltestruktur 104 auf dem Substrat 102 geformt. Dann wird die lichtemittierende Diode L1, die mit der Haltestruktur 104 verbunden ist, geformt. Danach wird die Opferschicht entfernt, um einen Spalt zwischen der lichtemittierenden Diode L1 und dem Substrat 102 zu formen. Nachdem die Opferschicht entfernt wurde, wird die lichtemittierende Diode L1 an der Haltestruktur 104 auf dem Wachstumssubstrat 100a fixiert.
  • In diesem Ausführungsbeispiel weist jede der lichtemittierenden Dioden L1 die Halbleiterstapelschicht SM1 und die zwei Elektroden E1 und E2 auf. Die zwei Elektroden E1 und E2 sind auf der Halbleiterstapelschicht SM1 geformt. Die Struktur der lichtemittierenden Dioden L1 ist ähnlich der lichtemittierenden Diode L der 1 oder der lichtemittierenden Diode La der 2. Für eine damit in Beziehung stehende Beschreibung sei auf 1 und auf 2 Bezug genommen.
  • In diesem Ausführungsbeispiel sind die Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Diode L1 auf einer Seite der lichtemittierenden Diode L1 angeordnet, die zum Substrat 102 hin weist.
  • Eine oder mehrere lichtemittierende Dioden L1 werden mit der Transfervorrichtung TD abgehoben. Wenn die lichtemittierende Diode L1 vom Wachstumssubstrat 100a abgehoben wird, wird die Haltestruktur 104 durch Kraft zerbrochen. In einigen Ausführungsbeispielen bleibt die teilweise zerbrochene Haltestruktur 104' an den abgehobenen lichtemittierenden Dioden L1, und die andere teilweise abgebrochene Haltestruktur 104" bleibt an dem Substrat 102 zurück. Trotzdem ist die Offenbarung nicht darauf eingeschränkt.
  • In diesem Ausführungsbeispiel weist das viskose Material der Transfervorrichtung TD beispielsweise Polydimethylsiloxan (PDMS) auf. Außerdem hebt die Transfervorrichtung TD die lichtemittierende Diode L1 durch die Van-der-Waals-Kraft zwischen der Transfervorrichtung TD und der lichtemittierenden Diode L1 ab. In anderen Ausführungsbeispielen hebt die Transfervorrichtung TD die lichtemittierende Diode L1 durch Vakuumanziehung, statische Elektrizität oder Ähnliches ab.
  • Mit Bezugnahme auf 6B wird die lichtemittierende Diode L1 mit der Transfervorrichtung TD zum Schaltungssubstrat 200 transferiert.
  • In diesem Ausführungsbeispiel weist das Schaltungssubstrat 200 mehrere Pads P auf. Die Pads P sind elektrisch mit (nicht gezeigten) aktiven Elementen oder (nicht gezeigten) Signalleitungen in dem Schaltungssubstrat 200 verbunden. Die Position von jeder lichtemittierenden Diode L1 entspricht zwei Pads P des Schaltungssubstrates 200.
  • In einigen Ausführungsbeispielen weist das Material, welches für die Pads P ausgewählt ist, Gold, Nickel, Kupfer, Zinn, Indium, Zinn-Silber-Legierung, Zinn-Kupfer-Legierung, Zinn-Silber-Kupfer-Legierung oder eine Kombination der obigen Materialien auf. In einigen Ausführungsbeispielen ist die Dicke T5 der Pads P nicht größer als 8 µm, wodurch die Möglichkeit verringert wird, dass die Pads P für einen Schaden auf Grund von Spannungen anfällig sind.
  • Mit Bezugnahme auf 6C werden die lichtemittierenden Dioden L2 und L3 in ähnlicher Weise geformt, wie bei 6A und 6B, und die lichtemittierenden Dioden L2 und L3 werden auf das Schaltungssubstrat 200 übertragen.
  • Die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 werden aufgeheizt, um eine eutektische Verbindung der Metallschichten SR der lichtemittierenden Dioden L2 und L3 mit den Pads P herzustellen.
  • Basierend auf dem Obigen schirmt die Barrierenschicht BL Metallelemente in der Metallschicht SR dagegen ab, dass diese in die erste leitfähige Schicht C1 diffundiert werden, wodurch verhindert wird, dass intermetallische Verbindungen aus der Reaktion nicht erzeugt werden, und zwar wegen nachteilig beeinflusster Anhaftung zwischen der Metallschicht SR und der ersten leitfähigen Schicht C1, was Risse zwischen der Metallschicht SR und der ersten leitfähigen Schicht C1 zur Folge hat. Auf diese Weise wird die Verbindung zwischen den lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 und den Pads P verbessert. Da die Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 die Metallschicht SR aufweisen, können zusätzlich die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 mit dem Schaltungssubstrat 200 verbunden werden, ohne Lotkügelchen oder leitfähigen Klebstoff auf dem Schaltungssubstrat 200 anzuordnen.
  • 7A bis 7F sind schematische Querschnittsansichten eines Herstellungsverfahrens für eine Anzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
  • Mit Bezugnahme auf 7A werden mehrere lichtemittierende Dioden L1 auf dem Wachstumssubstrat 100a geformt. In diesem Ausführungsbeispiel weist das Wachstumssubstrat 100a das Substrat 102 und die Haltestruktur 104 auf. In einigen Ausführungsbeispielen sind eine Opferschicht (nicht gezeigt) und die Haltestruktur 104 auf dem Substrat 102 geformt. Dann wird die lichtemittierende Diode L1, die mit der Haltestruktur 104 verbunden ist, geformt. Danach wird die Opferschicht entfernt, um einen Spalt zwischen der lichtemittierenden Diode L1 und dem Substrat 102 zu formen. Nachdem die Opferschicht entfernt ist, ist die lichtemittierende Diode L1 an der Haltestruktur 104 auf dem Wachstumssubstrat 100a fixiert.
  • In diesem Ausführungsbeispiel weist jede der lichtemittierenden Dioden L1 die Halbleiterstapelschicht SM1 und die zwei Elektroden E1 und E2 auf. Die zwei Elektroden E1 und E2 sind auf der Halbleiterstapelschicht SM1 geformt. Die Struktur der lichtemittierenden Diode L1 ist ähnlich der lichtemittierenden Diode L der 1 oder der lichtemittierenden Diode La der 2. Für eine damit in Beziehung stehende Beschreibung sei auf 1 und auf 2 Bezug genommen.
  • In diesem Ausführungsbeispiel sind die Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Diode L1 auf einer Seite der lichtemittierenden Diode L1 angeordnet, die zum Substrat 102 hin weist.
  • Eine, mehrere oder alle der lichtemittierenden Dioden L1 werden mit der Transfervorrichtung TD abgehoben. Wenn die lichtemittierende Diode L1 vom Wachstumssubstrat 100a abgehoben wird, wird die Haltestruktur 104 durch Kraft zerbrochen. In einigen Ausführungsbeispielen bleibt die teilweise zerbrochene Haltestruktur 104' an den abgehobenen lichtemittierenden Dioden L1, und die andere teilweise abgebrochene Haltestruktur 104" bleibt an dem Substrat 102 zurück. Trotzdem ist die Offenbarung nicht darauf eingeschränkt.
  • In diesem Ausführungsbeispiel weist das viskose Material der Transfervorrichtung TD beispielsweise Polydimethylsiloxan (PDMS) auf. Außerdem hebt die Transfervorrichtung TD die lichtemittierende Diode L1 durch die Van-der-Waals-Kraft zwischen der Transfervorrichtung TD und der lichtemittierenden Diode L1 ab. In anderen Ausführungsbeispielen hebt die Transfervorrichtung TD die lichtemittierende Diode L1 durch Vakuumanziehung, statische Elektrizität oder Ähnliches ab.
  • Mit Bezugnahme auf 7B wird die lichtemittierende Diode L1 mit der Transfervorrichtung TD auf das erste Transfersubstrat TS1 übertragen.
  • In diesem Ausführungsbeispiel weist das erste Transfersubstrat TS1 das Substrat SB1 und die Haftungsschicht AD1 auf. In einigen Ausführungsbeispielen ist das erste Transfersubstrat ein Band, und das Substrat SB1 weist ein weiches Material auf. In einigen Ausführungsbeispielen ist das erste Transfersubstrat TS1 ein Band und weist nicht das Substrat SB1 auf, und die Haftungsschicht ist nicht auf dem Substrat SB1 fixiert, sondern durch andere Tragstrukturen (beispielsweise Metallringe). In einigen Ausführungsbeispielen ist das Substrat SB1 ein transparentes Substrat, und das Material davon ist beispielsweise Glas, Saphir oder andere geeignete Materialien.
  • In diesem Ausführungsbeispiel wird ein Teil der lichtemittierenden Dioden L1 auf das erste Transfersubstrat TS1 übertragen, und der andere Teil der lichtemittierenden Dioden L1 bleibt auf dem Wachstumssubstrat 100a. In diesem Ausführungsbeispiel sind die Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Diode L1 auf einer Seite der lichtemittierenden Diode L1 angeordnet, die zum ersten Transfersubstrat TS1 weist.
  • Mit Bezugnahme auf 7A und 7B ist in einigen Ausführungsbeispielen die Distanz Ph 2 zwischen den lichtemittierenden Dioden L1 auf dem ersten Transfersubstrat TS1 größer als die oder gleich der ersten Distanz Ph1 zwischen den lichtemittierenden Dioden L1 auf dem Wachstumssubstrat 100 (d.h., die Distanz der lichtemittierenden Dioden L1 nach dem Transfer ist größer oder gleich der Distanz vor dem Transfer).
  • Mit Bezugnahme auf 7C werden eine, mehrere oder alle der lichtemittierenden Dioden L1 von dem ersten Transfersubstrat TS1 auf das zweite Transfersubstrat TS2 übertragen. Das zweite Transfersubstrat TS2 weist das Substrat SB2 und die Haftungsschicht AD2 auf. In einigen Ausführungsbeispielen weist das Substrat SB2 ein thermisch leitfähiges Material auf, wie beispielsweise Keramik, Metall oder irgendwelche anderen geeigneten Materialien. In einigen Ausführungsbeispielen weist das Substrat SB2 ein transparentes Material auf, wie beispielsweise Glas, Saphir oder andere geeignete Materialien.
  • In diesem Ausführungsbeispiel ist das Substrat SB1 des ersten Transfersubstrates TS1 ein transparentes Substrat. Nachdem das erste Transfersubstrat TS1 auf das zweite Transfersubstrat TS2 bewegt wurde, wird die lichtemittierende Diode L1 durch den Laser LS von einer Seite des Substrates SB1 bestrahlt. Zusätzlich wird durch Lasertransfer zumindest ein Teil der lichtemittierenden Dioden L1 von dem ersten Transfersubstrat TS1 auf die Haftungsschicht AD2 des zweiten Transfersubstrates TS2 transferiert.
  • In anderen Ausführungsbeispielen weist das erste Transfersubstrat TS1 ein Band auf, und die Viskosität der Haftungsschicht AD2 ist größer als die Viskosität der Haftungsschicht AD1 (oder des Bandes). Nachdem das zweite Transfersubstrat TS2 auf die lichtemittierende Diode L1 auf dem ersten Transfersubstrat TS1 laminiert ist, wird das erste Transfersubstrat TS1 entfernt. Da die Viskosität der Haftungsschicht AD2 größer ist als die Viskosität der Haftungsschicht AD1 bleibt die lichtemittierende Diode L1 auf dem zweiten Transfersubstrat TS2, nachdem das erste Transfersubstrat TS1 entfernt wurde.
  • In diesem Ausführungsbeispiel wird ein Teil der lichtemittierenden Dioden L1 auf das zweite Transfersubstrat TS2 übertragen, und der andere Teil der lichtemittierenden Dioden L1 bleibt auf dem ersten Transfersubstrat TS1. Trotzdem ist die Offenbarung nicht darauf eingeschränkt. In anderen Ausführungsbeispielen werden die lichtemittierenden Dioden L1 auf dem ersten Transfersubstrat TS1 jeweils auf das zweite Transfersubstrat TS2 übertragen.
  • In diesem Ausführungsbeispiel sind die Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Diode L1 auf einer Seite der lichtemittierenden Diode L1 angeordnet, die von dem zweiten Transfersubstrat TS2 weg weist.
  • Mit Bezugnahme auf 7D werden eine oder mehrere lichtemittierende Dioden L2 und L3 auf das zweite Transfersubstrat TS2 bewegt, und zwar in ähnlicher Weise wie bei 7A bis 7C. Die lichtemittierende Diode L2 weist die Halbleiterstapelschicht SM2 und die Elektroden E1 und E2 auf, und die lichtemittierende Diode L3 weist die Halbleiterstapelschicht SM3 und die Elektroden E1 und E2 auf. Die Struktur der lichtemittierenden Dioden L2 und L3 ist ähnlich der lichtemittierenden Diode L der 1 oder der lichtemittierenden Diode La der 2. Für eine damit in Beziehung stehende Beschreibung sei Bezug genommen auf 1 und auf 2.
  • Mit Bezugnahme auf 7E werden die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 von dem zweiten Transfersubstrat TS2 auf das Schaltungssubstrat 200 übertragen. In diesem Ausführungsbeispiel ist die Distanz zwischen den lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 auf dem zweiten Transfersubstrat TS2 ungefähr gleich der Distanz zwischen den lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 auf dem Schaltungssubstrat 200.
  • In diesem Ausführungsbeispiel weist das Schaltungssubstrat 200 mehrere Pads P auf. Die Pads P sind elektrisch mit (nicht gezeigten) aktiven Elementen oder (nicht gezeigten) Signalleitungen in dem Schaltungssubstrat 200 verbunden. Die Position von jeder der lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 entspricht zwei Pads P des Schaltungssubstrates 200.
  • In einigen Ausführungsbeispielen weist das Material, welches für die Pads P ausgewählt ist, Gold, Nickel, Kupfer, Zinn, Indium, Zinn-Silber-Legierung, Zinn-Kupfer-Legierung, Zinn-Silber-Kupfer- Legierung oder eine Kombination der obigen Materialien auf. In einigen Ausführungsbeispielen ist die Dicke T5 der Pads P nicht größer als 8 µm, wodurch die Möglichkeit verringert wird, dass die Pads P für Schaden auf Grund von Spannungen anfällig sind.
  • In einigen Ausführungsbeispielen weist das Substrat SB2 des zweiten Transfersubstrates TS2 ein thermisch leitfähiges Material auf. Das zweite Transfersubstrat TS2 wird auf das Schaltungssubstrat 200 gepresst. Dann wird Wärme durch das zweite Transfersubstrat TS2 zu den lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 durchgelassen, um die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 aufzuheizen. Die Metallschichten SR in den Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 werden jeweils mit den entsprechenden Pads P des Schaltungssubstrates 200 verbunden.
  • In einigen Ausführungsbeispielen weist das Substrat SB2 ein transparentes Material auf, wie beispielsweise Glas, Saphir oder andere geeignete Materialien. Das zweite Transfersubstrat TS2 wird auf das Schaltungssubstrat 200 gepresst. Dann werden die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 durch einen Laser durch das Substrat SB2 hindurch bestrahlt, um die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 aufzuheizen. Die Metallschichten SR in den Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 werden jeweils mit den entsprechenden Pads P des Schaltungssubstrates 200 verbunden.
  • In einigen Ausführungsbeispielen weist das Material, welches für die Pads P ausgewählt ist, ein Material mit verbesserter eutektischer Verbindung mit der Metallschicht SR auf. Nachdem die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 aufgeheizt sind, wird die Metallschicht SR eutektisch mit den Pads P verbunden, und die Metallschicht SR stellt eine elektrische Verbindung zur Barrierenschicht BL und zu den entsprechenden Pads P her.
  • Mit Bezug auf 7F wird das zweite Transfersubstrat TS2 entfernt.
  • Basierend auf dem Obigen schirmt die Barrierenschicht BL die Metallelemente in der Metallschicht SR dagegen ab, dass sie zu der ersten leitfähigen Schicht C1 hin diffundiert werden, wodurch verhindert wird, dass intermetallische Verbindungen aus der Reaktion nicht erzeugt werden, und zwar wegen nachteilig beeinflusster Anhaftung zwischen der Metallschicht SR und der ersten leitfähigen Schicht C1, was Risse zwischen der Metallschicht SR und der ersten leitfähigen Schicht C1 zur Folge hat. Auf diese Weise wird eine Verbindung zwischen den lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 und den Pads P verbessert. Da die Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 die Metallschicht SR aufweisen, können außerdem die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 mit dem Schaltungssubstrat 200 verbunden werden, ohne Lotkügelchen oder leitfähigen Klebstoff auf dem Schaltungssubstrat 200 anzuordnen.
  • 8A und 8B sind schematische Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Reparieren einer Anzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
  • Mit Bezugnahme auf 8A werden die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 getestet, nachdem die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 in der Art und Weise gemäß einem der vorhergehenden Ausführungsbeispiele auf das Schaltungssubstrat 200 übertragen wurden. In diesem Ausführungsbeispiel emittiert die lichtemittierende Diode L2 Licht in normaler Weise. Beispielsweise ist die lichtemittierende Diode L2 während des Transfers nicht korrekt mit den Pads P ausgerichtet worden und ist während der Aufheizung nicht korrekt mit den Pads P verbunden worden. Als eine Folge emittiert die lichtemittierende Diode L2 Licht nicht in normaler Weise. In einigen Ausführungsbeispielen tritt ein Versagen bei der lichtemittierenden Diode L2 per se auf. Als eine Folge emittiert die lichtemittierende Diode L2 Licht nicht in normaler Weise.
  • In diesem Ausführungsbeispiel kann die lichtemittierende Diode L2 von dem Schaltungssubstrat 200 unter Verwendung des Lasers LS entfernt werden, jedoch ist die Offenbarung nicht darauf eingeschränkt. In anderen Ausführungsbeispielen kann die lichtemittierende Diode L2 durch Aufheizung oder Verwendung eines Aufnahme- und Positionierungsmoduls entfernt werden.
  • In einigen Ausführungsbeispielen bleibt die Metallschicht SR der lichtemittierenden Diode L2 teilweise auf dem Pads P des Schaltungssubstrates 200, nachdem die lichtemittierende Diode L2 von dem Schaltungssubstrat 200 entfernt wurde. Nachdem die lichtemittierende Diode L2 beispielsweise durch einen Laser bestrahlt wurde oder aufgeheizt wurde, um die Metallschichten SR in den Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Diode L2 zu schmelzen, wird die lichtemittierende Diode L2 entfernt. Ein Teil der geschmolzenen Metallschicht SRb bleibt auf den Pads P und ein anderer Teil der geschmolzenen Metallschicht SRa wird zusammen mit der lichtemittierenden Diode L2 abgehoben.
  • Mit Bezugnahme auf 8B wird eine lichtemittierende Diode L2' auf die Pads P des Schaltungssubstrates 200 übertragen. Die Struktur der lichtemittierenden Diode L2' ist ähnlich der lichtemittierenden Diode L der 1 oder der lichtemittierenden Diode La der 2. Für eine damit in Beziehung stehende Beschreibung sei Bezug genommen auf 1 und auf 2. Die lichtemittierende Diode L2' und die lichtemittierende Diode L2 sind lichtemittierende Dioden der gleichen Farbe.
  • Zusätzlich weisen die lichtemittierende Diode L2' und die lichtemittierende Diode L2 jeweils die Halbleiterstapelschicht SM2 auf.
  • In diesem Ausführungsbeispiel wird die lichtemittierende Diode L2' selektiv von einem Substrat PD auf die Pads P des Schaltungssubstrates 200 mit dem Laser LS übertragen. In diesem Ausführungsbeispiel ist das Substrat PD ein Transfersubstrat. Außerdem ist eine Haftungsschicht PDa auf der Oberfläche des Substrates PD vorhanden. In anderen Ausführungsbeispielen ist das Substrat PD ein Wachstumssubstrat. In andern Ausführungsbeispielen kann die lichtemittierende Diode L2' auf die Pads P des Schaltungssubstrates 200 unter Verwendung der Transfervorrichtung TD (wie in 7A gezeigt) oder anderer Aufnahme- und Positionierungsvorrichtungen übertragen werden.
  • Nachdem die lichtemittierende Diode L2, die Licht nicht in normaler Weise emittiert, entfernt wurde, kann die lichtemittierende Diode L2' elektrisch mit dem Substrat 200 direkt mit den Pads P verbunden werden, die ursprünglich der lichtemittierenden Diode L2 entsprachen, da die Verbindungseigenschaft der Pads P des Schaltungssubstrates 200 nicht beeinträchtigt ist. Dann werden die Pads P des Schaltungssubstrates 200 und/oder die Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Diode L2' durch einen Laser bestrahlt oder aufgeheizt, um elektrisch die Metallschicht SR der lichtemittierenden Diode L2' mit den Pads P zu verbinden, die ursprünglich der lichtemittierenden Diode L2 entsprachen. In einigen Ausführungsbeispielen wird die Metallschicht SR der lichtemittierenden Diode L2' mit der Metallschicht SRb der lichtemittierenden Diode L2 verschmolzen, die auf den Pads P zurückbleibt.
  • In diesem Ausführungsbeispiel wird die lichtemittierende Diode L2' auf den Pads P angeordnet, die ursprünglich der lichtemittierenden Diode L2 entsprachen, jedoch ist die Offenbarung nicht darauf eingeschränkt. In einem anderen Ausführungsbeispiel wird die lichtemittierende Diode L2' auf anderen (nicht gezeigten) redundanten Pads angeordnet, die zur Reparatur konfiguriert sind, und um die Pads P herum angeordnet sind, die ursprünglich zu der lichtemittierenden Diode L2 gehören. Zusätzlich wird die lichtemittierende Diode L2' elektrisch mit anderen Komponenten in dem Schaltungssubstrat 200 durch die redundanten Pads bzw. Zusatzpads verbunden.
  • Da die Elektroden E1 und E2 der lichtemittierenden Diode L2' für die Reparatur die Metallschicht SR aufweisen, kann in diesem Ausführungsbeispiel die lichtemittierende Diode L2' mit dem Schaltungssubstrat 200 verbunden werden, ohne zusätzlich Lotkügelchen oder leitfähigen Klebstoff auf dem Schaltungssubstrat 200 auszubilden. Da es nicht erforderlich ist, zusätzlich Lotkügelchen oder leitfähigen Klebstoff auf dem Schaltungssubstrat 200 zu formen, kann zusätzlich ein Versagen auf Grund eines Versatzes der zusätzlich geformten Lotkügelchen oder des zusätzlichen leitfähigen Klebstoffes bei dem Reparaturprozess vermieden werden. Anders gesagt, mit der Metallschicht SR der lichtemittierenden Diode L2' werden die Ausbeute und die Genauigkeit des Reparaturprozesses verbessert.
  • In diesem Ausführungsbeispiel weisen die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 lichtemittierende Dioden mit unterschiedlichen Farben (beispielsweise blau, grün und rot) auf, jedoch ist die Offenbarung nicht darauf eingeschränkt. In anderen Ausführungsbeispielen weisen die lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 und L2' lichtemittierende Dioden der gleichen Farbe auf, und Licht, welches von den lichtemittierenden Dioden L1, L2 und L3 und L2' emittiert wird, wird durch andere Farbumwandlungselemente in Licht von anderen Farben umgewandelt (beispielsweise durch ein Quantenpunktmaterial, ein Leuchtstoffmaterial oder Ähnliches).
  • Als Zusammenfassung des Vorangegangen weisen in dieser Offenbarung die Elektroden der lichtemittierenden Diode jeweils die erste leitfähige Schicht, die Barrierenschicht und die Metallschicht auf. Die Barrierenschicht schirmt Metallelemente in der Metallschicht dagegen ab, dass diese in die erste leitfähige Schicht diffundiert werden, wodurch verhindert wird, dass intermetallische Verbindungen nicht aus der Reaktion erzeugt werden, und zwar wegen nachteilig beeinflusster Anhaftung zwischen der Metallschicht und der ersten leitfähigen Schicht, was Risse zwischen der Metallschicht und der ersten leitfähigen Schicht zur Folge hat. Auf diese Weise wird eine Verbindung zwischen den lichtemittierenden Dioden und den Pads verbessert. Da die Elektroden der lichtemittierenden Dioden die Metallschicht aufweisen, können außerdem die lichtemittierenden Dioden mit dem Schaltungssubstrat verbunden werden ohne Lotkügelchen oder leitfähigen Klebstoff auf dem Schaltungssubstrat anzuordnen. Basierend auf dem Obigen können eine Reparatur und ein erneutes Verbinden der defekten lichtemittierenden Dioden leicht und genau unter Verwendung der lichtemittierenden Dioden ausgeführt werden, bei denen die Elektroden die Metallschicht aufweisen, und zwar nach dem Verbindungsprozess zwischen der lichtemittierenden Diode und den Pads, wenn defekte lichtemittierende Dioden während einer Inspektion detektiert werden.
  • Bezugszeichenliste
    • 10,20
    LED-Substrat
    100, 100a
    Wachstumssubstrat
    102
    Substrat
    104
    Haltestruktur
    104', 104"
    zerbrochene Haltestruktur
    110
    Pufferschicht
    120
    Halbleiterschicht
    130
    erste Halbleiterschicht
    140
    lichtemittierende Schicht
    150
    zweite Halbleiterschicht
    160
    dritte Halbleiterschicht
    200
    Schaltungssubstrat
    E1, E2
    Elektrode
    AD1, AD2, PDa
    Haftungsschicht
    BL
    Barrierenschicht
    C1
    erste leitfähige Schicht
    C2
    zweite leitfähige Schicht
    i
    isolierende Schicht
    L, La, L1, L2, L2', L3
    lichtemittierende Diode bzw. LED
    LS
    Laser
    P
    Kissen bzw. Pad
    PD
    Substrat
    Ph1, Ph2, Ph3
    Distanz
    SM, SMa, SM1, SM2, SM3
    Halbleiterstapelschicht
    SR, SRa, SRb
    Metallschicht
    T1, T2, T3, T4, T5
    Dicke
    TD
    Transfervorrichtung
    TS1
    erstes Transfersubstrat
    TS2
    zweites Transfersubstrat

Claims (21)

  1. Anzeigevorrichtung, die Folgendes aufweist: ein Schaltungssubstrat (200); und eine lichtemittierende Diode (L, La, L1, L2, L2', L3), wobei zwei Elektroden (E1, E2) der lichtemittierenden Diode (L, La, L1, L2, L2', L3) mit zwei Pads (P) des Schaltungssubstrates (200) verbunden sind, wobei jede der Elektroden (E1, E2) der lichtemittierenden Diode (L, La, L1, L2, L2', L3) Folgendes aufweist: eine erste leitfähige Schicht (C1), die mit einer Halbleiterstapelschicht (SM, SMa, SM1, SM2, SM3) der lichtemittierenden Diode (L, La, L1, L2, L2', L3) verbunden ist; eine Barrierenschicht (BL), die elektrisch mit der Halbleiterstapelschicht (SM, SMa, SM1, SM2, SM3) der lichtemittierenden Diode (L, La, L1, L2, L2', L3) durch die erste leitfähige Schicht (C1) verbunden ist, wobei eine Anhaftung eines Materials, welches für die erste leitfähige Schicht (C1) ausgewählt wurde, an der Halbleiterstapelschicht (SM, SMa, SM1, SM2, SM3) größer ist als eine Anhaftung eines Materials, das für die Barrierenschicht (BL) ausgewählt wurde an der Halbleiterstapelschicht (SM, SMa, SM1, SM2, SM3); und eine Metallschicht (SR, SRa, SRb), die elektrisch die Barrierenschicht (BL) mit einem entsprechenden einen der Pads (P) verbindet, wobei ein Schmelzpunkt der Metallschicht (SR, SRa, SRb) niedriger als 260 Grad Celsius ist.
  2. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Material, welches für die erste leitfähige Schicht (C1) ausgewählt ist, Titan, Chrom oder eine Kombination der obigen Materialien aufweist.
  3. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Material, welches für die Barrierenschicht (BL) ausgewählt ist, Nickel, Kupfer, Palladium oder eine Kombination der obigen Materialien aufweist.
  4. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei ein Material, welches für die Metallschicht (SR, SRa, SRb) ausgewählt ist, Zinn, Indium, Wismut, Zinn-Wismut-Mischmet bzw. Zinn-Wismut-Legierung, Zinn-Indium-Legierung, Zinn-Kupfer-Legierung, Zinn-Silber-Legierung, Zinn-Antimon-Legierung, Zinn-Zink-Legierung, Zinn-Silber-Kupfer-Legierung, Zinn-Silber-Kupfer-Wismut-Legierung oder eine Kombination oder einen Stapel der obigen Materialien aufweist.
  5. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei ein Material, das für die zwei Pads (P) ausgewählt ist, Gold, Nickel, Kupfer, Zinn, Indium, Zinn-Silber-Legierung, Zinn-Kupfer-Legierung, Zinn-Silber-Kupfer-Legierung oder eine Kombination oder einen Stapel der obigen Materialien aufweist.
  6. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die zwei Elektroden (E1, E2) weiter Folgendes aufweisen: eine zweite leitfähige Schicht (C2), die zwischen der Barrierenschicht (BL) und der Metallschicht (SR, SRa, SRb) angeordnet ist, wobei eine Benetzbarkeit der Metallschicht (SR, SRa, SRb) auf einem Material, welches für die zweite leitfähige Schicht (C2) ausgewählt ist, größer ist als eine Benetzbarkeit der Metallschicht (SR, SRa, SRb) auf dem Material, welches für die Barrierenschicht (BL) ausgewählt ist.
  7. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6, wobei eine Dicke (T3) der zweiten leitfähigen Schicht (C2) geringer als eine oder gleich einer Dicke (T2) der Barrierenschicht (BL) ist.
  8. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6, wobei das Material, welches für die zweite leitfähige Schicht (C2) ausgewählt ist, Gold, Silber, Kupfer, Palladium, Nickel oder eine Kombination der obigen Materialien aufweist.
  9. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Dicke (T5) der zwei Pads (P) nicht größer als 8 µm ist.
  10. LED-Substrat (10, 20), welches Folgendes aufweist: ein Wachstumssubstrat (100, 100a); und eine lichtemittierende Diode (L, La, L1, L2, L2', L3), die Folgendes aufweist: eine Halbleiterstapelschicht (SM, SMa, SM1, SM2, SM3), die auf dem Wachstumssubstrat (100, 100a) geformt ist; und zwei Elektroden (E1, E2), die auf der Halbleiterstapelschicht (SM, SMa, SM1, SM2, SM3) geformt sind, wobei jede der Elektroden (E1, E2) Folgendes aufweist: eine erste leitfähig Schicht (C1), die auf der Halbleiterstapelschicht (SM, SMa, SM1, SM2, SM3) geformt ist; eine Barrierenschicht (BL), die auf der ersten leitfähigen Schicht (C1) geformt ist, wobei eine Anhaftung eines Materials, welches für die erste leitfähige Schicht (C1) ausgewählt ist, an der Halbleiterstapelschicht (SM, SMa, SM1, SM2, SM3) größer ist als eine Anhaftung eines Materials, welches für die Barrierenschicht (BL) ausgewählt ist, an der Halbleiterstapelschicht (SM, SMa, SM1, SM2, SM3); und eine Metallschicht (SR, SRa, SRb), die auf der Barrierenschicht (BL) geformt ist, wobei ein Schmelzpunkt der Metallschicht (SR, SRa, SRb) niedriger als 260 Grad Celsius ist.
  11. LED-Substrat (10, 20) nach Anspruch 10, wobei die zwei Elektroden (E1, E2) jeweils weiter Folgendes aufweisen: eine zweite leitfähige Schicht (C2), die zwischen der Barrierenschicht (BL) und der Metallschicht (SR, SRa, SRb) angeordnet ist, wobei eine Benetzbarkeit der Metallschicht (SR, SRa, SRb) auf einem Material, welches für die zweite leitfähige Schicht (C2) ausgewählt ist, größer ist als eine Benetzbarkeit der Metallschicht (SR, SRa, SRb) auf dem Material, welches für die Barrierenschicht (BL) ausgewählt ist.
  12. LED-Substrat (10, 20) nach Anspruch 11, wobei eine Dicke (T3) der zweiten leitfähigen Schicht (C2) kleiner als eine oder gleich einer Dicke (T2) der Barrierenschicht (BL) ist.
  13. LED-Substrat (10, 20) nach Anspruch 11, wobei das Material, welches für die erste leitfähige Schicht (C1) ausgewählt ist, Titan, Chrom oder eine Kombination der obigen Materialien aufweist, wobei das Material, welches für die Barrierenschicht (BL) ausgewählt ist, Nickel, Kupfer, Palladium oder eine Kombination der obigen Materialien aufweist, wobei das Material, welches für die zweite leitfähige Schicht (C2) ausgewählt ist, Gold, Silber, Kupfer, Palladium, Nickel oder eine Kombination der obigen Materialien aufweist, und wobei ein Material, welches für die Metallschicht (SR, SRa, SRb) ausgewählt ist, Zinn, Indium, Wismut, Zinn-Wismut-Legierung, Zinn-Indium-Legierung, Zinn-Kupfer-Legierung, Zinn-Silber-Legierung, Zinn-Antimon-Legierung, Zinn-Zink-Legierung, Zinn-Silber-Kupfer-Legierung, Zinn-Silber-Kupfer-Wismut-Legierung oder eine Kombination oder einen Stapel der obigen Materialien aufweist.
  14. Herstellungsverfahren für eine Anzeigevorrichtung, welches Folgendes aufweist: Formen einer Vielzahl von lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3), wobei jede der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) Folgendes aufweist: eine Halbleiterstapelschicht (SM, SMa, SM1, SM2, SM3), die auf dem Wachstumssubstrat (100, 100a) geformt ist; und zwei Elektroden (E1, E2), die auf der Halbleiterstapelschicht (SM, SMa, SM1, SM2, SM3) geformt sind, wobei jede der Elektroden (E1, E2) Folgende aufweist: eine erste leitfähig Schicht (C1), die auf der Halbleiterstapelschicht (SM, SMa, SM1, SM2, SM3) geformt ist; eine Barrierenschicht (BL), die auf der ersten leitfähigen Schicht (C1) geformt ist, wobei eine Anhaftung eines Materials, welches für die erste leitfähige Schicht (C1) ausgewählt ist, an der Halbleiterstapelschicht (SM, SMa, SM1, SM2, SM3) größer ist als eine Anhaftung eines Materials, welches für die Barrierenschicht (BL) ausgewählt ist, an der Halbleiterstapelschicht (SM, SMa, SM1, SM2, SM3); und eine Metallschicht (SR, SRa, SRb), die auf der Barrierenschicht (BL) geformt ist, wobei ein Schmelzpunkt der Metall- schicht (SR, SRa, SRb) niedriger als 260 Grad Celsius ist; Übertragen von einer der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) auf ein Schaltungssubstrat (200), wobei das Schaltungssubstrat (200) eine Vielzahl von Pads (P) aufweist, und wobei eine Position der einen der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) zwei der Pads (P) des Schaltungssubstrates (200) entspricht; und Aufheizen der einen der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3), um eutektisch die Metallschichten (SR, SRa, SRb) der einen der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) mit den zwei der Pads (P) zu verbinden.
  15. Herstellungsverfahren nach Anspruch 14, wobei das Verfahren zur Aufheizung der einen der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) konduktives Aufheizen bzw. Aufheizen durch Leitung, durch einen Einzel-Punkt-Laser, durch einen Planarlaser bzw. Flächenlaser oder einen Linearlaser bzw. Linienlaser aufweist.
  16. Herstellungsverfahren nach Anspruch 14, welches weiter Folgendes aufweist: Übertragen einer anderen der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) auf das Schaltungssubstrat (200), wobei eine Position der weiteren der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) weiteren zwei der Pads (P) des Schaltungssubstrates (200) entspricht; Testen der einen der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) und der anderen der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3), wobei die andere der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) Licht nicht in normaler Weise emittiert; Entfernen der anderen der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) von dem Schaltungssubstrat (200); Übertragen noch einer weiteren der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) auf die anderen zwei der Pads (P) des Schaltungssubstrates (200), und Aufheizen der noch weiteren der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3), um elektrisch die Metallschichten (SR, SRa, SRb) der noch weiteren der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) mit den anderen zwei der Pads (P) zu verbinden.
  17. Herstellungsverfahren nach Anspruch 16, wobei, nachdem die andere der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) von dem Schaltungssubstrat (200) entfernt wurde, die Metallschichten (SR, SRa, SRb) der anderen der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) teilweise auf den anderen zwei der Pads (P) des Schaltungssubstrates (200) zurückbleiben.
  18. Herstellungsverfahren nach Anspruch 14, welches weiter Folgendes aufweist: Formen der einen der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) auf einem Wachstumssubstrat (100, 100a); Übertragen der einen der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) von dem Wachstumssubstrat (100, 100a) auf ein erstes Transfersubstrat (TS1); Übertragen der einen der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) von dem ersten Transfersubstrat (TS1) auf ein zweites Transfersubstrat (TS2); und Übertragen der einen der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) von dem zweiten Transfersubstrat (TS2) auf das Schaltungssubstrat (200).
  19. Herstellungsverfahren nach Anspruch 18, wobei das erste Transfersubstrat (TS1) ein Band oder ein transparentes Substrat aufweist, welches eine Haftungsschicht trägt.
  20. Herstellungsverfahren nach Anspruch 14, welches weiter Folgendes aufweist: Formen der einen der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) auf einem Wachstumssubstrat (100, 100a), wobei das Wachstumssubstrat (100, 100a) ein Substrat (102) und eine Haltestruktur (104) aufweist, die auf dem Substrat (102) angeordnet ist, und wobei die eine der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) an der Haltestruktur (104) fixiert ist, wobei die Elektroden (E1, E2) der einen der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) auf einer Seite der einen der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) angeordnet sind, die von dem Substrat (102) weg weist.
  21. Herstellungsverfahren nach Anspruch 14, welches weiter Folgendes aufweist: Formen dereinen der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) auf einem Wachstumssubstrat (100, 100a), wobei das Wachstumssubstrat (100, 100a) ein Substrat (102) und eine Haltestruktur (104) aufweist, die auf dem Substrat (102) angeordnet ist, und wobei die eine der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) an der Haltestruktur (104) fixiert ist, wobei die Elektroden (E1, E2) der einen der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) auf einer Seite der einen der lichtemittierenden Dioden (L, La, L1, L2, L2', L3) angeordnet sind, die zu dem Substrat (102) hin weist.
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