TWI766654B - 顯示裝置、發光二極體基板以及顯示裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種顯示裝置，包括電路基板以及發光二極體。發光二極體的兩個電極連接至電路基板的兩個接墊。發光二極體的各電極包括第一導電層、阻障層以及金屬層。第一導電層連接至發光二極體的半導體堆疊層。阻障層透過第一導電層而電性連接至發光二極體的半導體堆疊層。第一導電層所選用之材料對半導體堆疊層的附著力大於阻障層所選用之材料對半導體堆疊層的附著力。金屬層電性連接阻障層至接墊中對應的一者。金屬層的熔點低於攝氏260度。

Description

顯示裝置、發光二極體基板以及顯示裝置的製造方法
本發明是有關於一種顯示裝置、發光二極體基板以及顯示裝置的製造方法。
發光二極體（Light Emitting Diode；LED）為一種發光元件，其具低功耗、高亮度、高解析度及高色彩飽和度等特性，因而適用於構建發光二極體顯示面板之畫素結構。
將發光二極體轉置到電路基板上的技術稱為巨量轉移（Mass Transfer）。一般而言，會於電路基板上形成一整面的導電膠材，接著以轉移裝置將發光二極體轉置到電路基板上。藉由形成於電路基板上的導電膠材固定發光二極體，在將發光二極體固定於導墊膠材後，移除轉移裝置。現有技術在轉移發光二極體時，容易產生發光二極體轉置錯誤或者發光二極體不良等問題，導致顯示裝置中部分的畫素不能正常運作，嚴重地影響顯示裝置的顯示品質。一般而言，會將轉置錯誤或者不良的發光二極體移除，並將修復用的發光二極體轉置於電路基板上以代替移除的發光二極體。然而，現有技術的導電膠材都是大面積的形成於電路基板上，很難清除乾淨且修復時只將原本導電膠材形成於特定小區域也相當困難與費時。
本發明提供一種顯示裝置，其發光二極體能更好的與電路基板接合。
本發明提供一種發光二極體基板，其發光二極體能更好的與電路基板接合。
本發明提供一種發光二極體基板的製造方法，能減少發光二極體與電路基板的接合處出現裂痕的問題。
本發明的至少一實施例提供一種顯示裝置。顯示裝置包括電路基板以及發光二極體。發光二極體的兩個電極連接至電路基板的兩個接墊。發光二極體的各電極包括第一導電層、阻障層以及金屬層。第一導電層連接至發光二極體的半導體堆疊層。阻障層透過第一導電層而電性連接至發光二極體的半導體堆疊層。第一導電層所選用之材料對半導體堆疊層的附著力大於阻障層所選用之材料對半導體堆疊層的附著力。金屬層電性連接阻障層至接墊中對應的一者。金屬層的熔點低於攝氏260度。
本發明的至少一實施例提供一種發光二極體基板。發光二極體基板包括生長基板以及發光二極體。發光二極體包括半導體堆疊層以及兩個電極。半導體堆疊層形成於生長基板上。兩個電極形成於半導體堆疊層上。各電極包括第一導電層、阻障層以及金屬層。第一導電層形成於半導體堆疊層上。阻障層形成於第一導電層上。第一導電層所選用之材料對半導體堆疊層的附著力大於阻障層所選用之材料對半導體堆疊層的附著力。金屬層形成於阻障層上。金屬層的熔點低於攝氏260度。
本發明的至少一實施例提供一種顯示裝置的製造方法。顯示裝置的製造方法包括：形成多個發光二極體、將其中一個發光二極體轉置於電路基板上以及加熱該其中一個發光二極體。各發光二極體包括半導體堆疊層以及兩個電極。兩個電極形成於半導體堆疊層上。各電極包括第一導電層、阻障層以及金屬層。第一導電層形成於半導體堆疊層上。阻障層形成於第一導電層上，且第一導電層所選用之材料對半導體堆疊層的附著力大於阻障層所選用之材料對半導體堆疊層的附著力。金屬層形成於阻障層上。金屬層的熔點低於攝氏260度。電路基板包括多個接墊。其中一個發光二極體位置對應於電路基板的其中兩個接墊。其中一個發光二極體的金屬層共晶接合至其中兩個接墊。
圖1是依照本發明的一實施例的一種發光二極體基板的剖面示意圖。
請參考圖1，發光二極體基板10包括生長基板100以及發光二極體L。發光二極體L包括半導體堆疊層SM以及兩個電極E1、E2。
在一些實施例中，生長基板100為砷化鎵（GaAs）基板、磷化鎵（GaP）基板、磷化銦（InP）基板、藍寶石基板、碳化矽（SiC）基板、氮化鎵（GaN）基板或其他適用於磊晶製程的生長基板。在一些實施例中，生長基板100的表面經由奈米壓印製程而圖案化，以使生長基板100具有凹凸起伏的表面。在一些實施例中，緩衝層110形成於生長基板100的表面，緩衝層110有助於提升後續磊晶製程的良率。在一些實施例中，緩衝層110的材料為氮化鋁或其他合適的材料。
半導體堆疊層SM形成於生長基板100上。在一些實施例中，半導體堆疊層SM藉由磊晶製程以及圖案化製程形成於緩衝層110上。半導體堆疊層SM包括第一半導體層130、發光層140以及第二半導體層150。第一半導體層130與第二半導體層150中的一者為N型摻雜半導體，且另一者為P型摻雜半導體。舉例來說，第一半導體層130為N型半導體層，且第二半導體層150為P型半導體層。
第一半導體層130與第二半導體層150的材料例如包括氮化鎵、氮化銦鎵（InGaN）、砷化鎵、鋁鎵銦磷化物（AlGaInP）或其他IIIA族和VA族元素組成的材料或其他合適的材料，但本發明不以此為限。
發光層140位於第一半導體層130與第二半導體層150之間。發光層140例如具有量子井（Quantum Well, QW），例如：單量子井（SQW）、多量子井（MQW）或其他的量子井，P型摻雜的半導體層提供的電洞與N型摻雜的半導體層提供的電子可以在發光層140結合，並以光的模式釋放出能量。
在本實施例中，半導體堆疊層SM還包括低摻雜（或未摻雜）的半導體層120。半導體層120位於第一半導體層130與生長基板100之間。半導體層120的材料例如包括氮化鎵、氮化銦鎵（InGaN）、砷化鎵、鋁鎵銦磷化物（AlGaInP）或其他IIIA族和VA族元素組成的材料或其他合適的材料，但本發明不以此為限。
在本實施例中，發光二極體L為藍色發光二極體或綠色發光二極體，半導體層120、第一半導體層130、發光層140以及第二半導體層150的材料包括氮化鎵，且生長基板100為藍寶石基板，但本發明不以此為限。在其他實施例中，發光二極體L為其他顏色的發光二極體，且半導體層120、第一半導體層130、發光層140以及第二半導體層150的材料包括其他材料。
絕緣層i形成於半導體堆疊層SM上。絕緣層i具有至少兩個開口，分別暴露出第一半導體層130的部分頂面與第二半導體層150的部分頂面。
兩個電極E1、E2形成於半導體堆疊層SM上。在一些實施例中，電極E1、E2透過絕緣層i的開口而分別電性連接至第一半導體層130與第二半導體層150。
電極E1、E2各自包括第一導電層C1、阻障層BL以及金屬層SR。
第一導電層C1形成於半導體堆疊層SM上，且分別接觸第一半導體層130及第二半導體層150。阻障層BL形成於第一導電層C1上。阻障層BL覆蓋第一導電層C1的整個上表面。在一些實施例中，第一導電層C1所選用之材料對半導體堆疊層SM的附著力大於阻障層BL所選用之材料對半導體堆疊層SM的附著力。換句話說，相較於阻障層BL，第一導電層C1可以更佳的附著於第一半導體層130及第二半導體層150上。
在一些實施例中，第一導電層C1的厚度T1為0.01微米至0.09微米。在一些實施例中，第一導電層C1所選用之材料包括鈦、鉻或前述材料的組合或其他與磊晶層附著力良好的材料。在一些實施例中，形成第一導電層C1的方法包括蒸鍍、電鍍或其他合適的製程。
在一些實施例中，阻障層BL的厚度T2為0.1微米至5微米。在一些實施例中，阻障層BL所選用之材料包括鎳、銅、鈀或前述材料的組合。在一些實施例中，形成阻障層BL的方法包括蒸鍍、電鍍或其他合適的製程。
金屬層SR形成於阻障層BL上。金屬層SR的熔點低於攝氏260度。
在一些實施例中，金屬層SR的厚度T4為0.1微米至8微米。在一些實施例中，金屬層SR所選用之材料包括錫、銦、鉍、錫鉍混合金屬、錫銦混合金屬、錫銅混合金屬、錫銀混合金屬、錫銻混合金屬、錫鋅混合金屬、錫銀銅混合金屬、錫銀銅鉍混合金屬或前述材料的組合。在一些實施例中，形成金屬層SR的方法包括蒸鍍、電鍍或其他合適的製程。
在一些實施例中，當對金屬層SR加熱以使金屬層SR共晶接合至其他元件時，阻障層BL能阻擋金屬層SR中的金屬元素擴散至第一導電層C1，藉此避免金屬層SR與第一導電層C1接著性不佳無法反應生成介金屬化合物（intermetallic compound），導致金屬層SR與第一導電層C1之間出現裂痕。藉此，使發光二極體L能更好的與其他元件接合。
在一些實施例中，電極E1、E2選擇性地各自包括第二導電層C2。第二導電層C2形成於阻障層BL上，且位於阻障層BL與金屬層SR之間。第二導電層C2覆蓋阻障層BL的整個上表面。金屬層SR對第二導電層C2所選用之材料的潤濕性大於金屬層SR對阻障層BL所選用之材料的潤濕性。換句話說，金屬層SR能較佳的攤平於第二導電層C2的表面上。在一些實施例中，金屬層SR覆蓋第二導電層C2的整個上表面。
在一些實施例中，第二導電層C2的厚度T3小於或等於阻障層BL的厚度T2，藉此減少第二導電層C2與金屬層SR之間所形成的介金屬化合物。在一些實施例中，第二導電層C2的厚度T3為0.01微米至0.1微米。在一些實施例中，第二導電層C2所選用之材料包括金、銀、銅、鈀、鎳或前述材料的組合。在一些實施例中，形成第二導電層C2的方法包括蒸鍍、電鍍或其他合適的製程。
在一些實施例中，第一導電層C1共形地形成於絕緣層i的開口中以及絕緣層i的表面。阻障層BL共形地形成於第一導電層C1上。第二導電層C2共形地形成於阻障層BL上。金屬層SR共形地形成於第二導電層C2上。在一些實施例中，第一導電層C1、阻障層BL、第二導電層C2以及金屬層SR的中央對應絕緣層i的開口的位置略微朝下凹陷，但本發明不以此為限。
在一些實施例中，第一導電層C1、阻障層BL、第二導電層C2以及金屬層SR的形狀可藉由相同的罩幕所定義，因此第一導電層C1垂直投影於生長基板100上的形狀、阻障層BL垂直投影於生長基板100上的形狀、第二導電層C2垂直投影於生長基板100上的形狀以及金屬層SR垂直投影於生長基板100上的形狀可實質上彼此相同。在其他實施例中，電極E1、E2中的上層選擇性地包覆下層的側面，例如可能在製程中使用不同尺寸的光罩或是在蒸鍍過程中因為誤差而使上層接觸到下層的側面。舉例來說，金屬層SR選擇性地包覆第二導電層C2的側面、阻障層BL的側面以及第一導電層C1的側面，但本發明不以此為限。
圖2是依照本發明的一實施例的一種發光二極體基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖2的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖2的發光二極體基板20與圖1的發光二極體基板10的主要差異在於：發光二極體基板20的半導體堆疊層SMa不同於發光二極體基板10的半導體堆疊層SM。
請參考圖2，半導體堆疊層SMa形成於生長基板100上。在一些實施例中，半導體堆疊層SMa藉由磊晶製程形成於緩衝層110上。半導體堆疊層SMa包括第一半導體層130、發光層140以及第二半導體層150。第一半導體層130與第二半導體層150中的一者為N型摻雜半導體，且另一者為P型摻雜半導體。舉例來說，第一半導體層130為N型半導體層，且第二半導體層150為P型半導體層。發光層140位於第一半導體層130與第二半導體層150之間。
在本實施例中，半導體堆疊層SMa還包括第三半導體層160。第三半導體層160形成於第二半導體層150上，且第三半導體層160與第二半導體層150為相同型的半導體層（例如皆為P型半導體層）。
在本實施例中，發光二極體La為紅色發光二極體，且半導體層120、第一半導體層130、發光層140以及第二半導體層150的材料包括鋁鎵銦磷化物，第三半導體層160的材料包括磷化鎵，且生長基板100包括砷化鎵基板，但本發明不以此為限。在其他實施例中，發光二極體La為其他顏色的發光二極體，且第一半導體層130、發光層140、第二半導體層150以及第三半導體層160的材料包括其他材料。
圖3A至圖3G是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。
請參考圖3A，形成多個發光二極體L1於生長基板100上。各發光二極體L1包括半導體堆疊層SM1以及兩個電極E1、E2。兩個電極E1、E2形成於半導體堆疊層SM1上。發光二極體L1的結構類似於圖1的發光二極體L或圖2的發光二極體La。相關說明請參考圖1以及圖2。
請參考圖3B，將其中一個或多個發光二極體L1自生長基板100轉置於第一轉置基底TS1。在本實施例中，第一轉置基底TS1包括基底SB1以及黏著層AD1。在一些實施例中，第一轉置基底TS1為膠帶，且基底SB1包括軟性材料。在一些實施例中，第一轉置基底TS1為膠帶，且不包括基底SB1，黏著層AD1不是固定於基底SB1上，而是以其他支撐結構（例如金屬環）固定。基底SB1為透明基底，且材料例如為玻璃或藍寶石基材或其他適合的材料，黏著層AD1為黏著材，且材料例如為膠帶、高分子材料或者具黏性之材料，黏著層AD1可以是全面性地位在透明基板上或者局部地位在透明基板上（只位在發光二極體接著處）。
將發光二極體基板10與第一轉置基底TS1黏貼在一起，並使生長基板100上的發光二極體L1朝向第一轉置基底TS1，接著以雷射剝離（Laser lift off）的方式將一個或多個發光二極體L1自生長基板100轉置於第一轉置基底TS1的黏著層AD1上。
在本實施例中，以雷射LS剝離要轉置的發光二極體L1，並調整第一轉置基底TS1上之發光二極體L1之間的間距。在圖3B中，被剝離的發光二極體L1的底部以粗線表示。在本實施例中，在第一轉置基底TS1上之發光二極體L1之間的間距Ph2大於在生長基板100上之發光二極體L1之間的間距Ph1（即發光二極體L1轉置後的間距大於轉置前的間距）。
在本實施例中，將部分發光二極體L1轉置於第一轉置基底TS1上，另一部分發光二極體L1留在生長基板100上。在本實施例中，發光二極體L1的電極E1、E2位於發光二極體L1朝向第一轉置基底TS1的一側。
請參考圖3C，將其中一個或多個發光二極體L1自第一轉置基底TS1轉置於第二轉置基底TS2。第二轉置基底TS2包括基底SB2以及黏著層AD2。在一些實施例中，基底SB2包括導熱材料，例如陶瓷、金屬或其他適合的材料。在一些實施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、藍寶石或其他適合的材料。
在本實施例中，第一轉置基底TS1包括膠帶，且黏著層AD2的黏性大於黏著層AD1（或前述膠帶）的黏性。將第二轉置基底TS2貼合至第一轉置基底TS1上的發光二極體L1之後（例如移動第二轉置基底TS2以使第二轉置基底TS2接觸發光二極體L1及/或移動第一轉置基底TS1以使第二轉置基底TS2接觸發光二極體L1），移除第一轉置基底TS1。由於黏著層AD2的黏性大於黏著層AD1的黏性，因此將第一轉置基底TS1移除後，發光二極體L1留在第二轉置基底TS2上。
在其他實施例中，第一轉置基底TS1的基底SB1為透明基底。移動第一轉置基底TS1或第二轉置基底TS2以使第一轉置基底TS1與第二轉置基底TS2重疊，接著從基底SB1的一側以雷射照射發光二極體L1，並藉由雷射剝離的方式將發光二極體L1自第一轉置基底TS1轉置於第二轉置基底TS2的黏著層AD2上。
在本實施例中，在第二轉置基底TS2上之發光二極體L1之間的間距Ph3約等於在第一轉置基底TS1上之發光二極體L1之間的間距Ph2。在本實施例中，發光二極體L1的電極E1、E2位於發光二極體L1背對第二轉置基底TS2的一側。
請參考圖3D，以類似圖3A至圖3C的方式將一個或多個發光二極體L2移至第二轉置基底TS2上。發光二極體L2包括半導體堆疊層SM2以及電極E1、E2。發光二極體L2的結構類似於圖1的發光二極體L或圖2的發光二極體La。相關說明請參考圖1以及圖2。
請參考圖3E，以類似圖3A至圖3C的方式將一個或多個發光二極體L3移至第二轉置基底TS2上。發光二極體L3包括半導體堆疊層SM3以及電極E1、E2。發光二極體L3的結構類似於圖1的發光二極體L或圖2的發光二極體La。相關說明請參考圖1以及圖2。
在本實施例中，發光二極體L1、發光二極體L2以及發光二極體L3分別為藍色發光二極體、綠色發光二極體以及紅色發光二極體。在本實施例中，發光二極體L1、發光二極體L2以及發光二極體L3依序轉置於第二轉置基底TS2上，但本發明並未限制發光二極體L1、發光二極體L2以及發光二極體L3轉置於第二轉置基底TS2上的順序。發光二極體L1、發光二極體L2以及發光二極體L3轉置於第二轉置基底TS2上的順序可以依照實際需求而進行調整。
請參考圖3F，將發光二極體L1、L2、L3自第二轉置基底TS2轉置於電路基板200。在本實施例中，在第二轉置基底TS2上之發光二極體L1、L2、L3之間的間距約等於在電路基板200上之發光二極體L1、L2、L3之間的間距。電路基板200為硬性基板或軟性基板。電路基板200例如包含玻璃、印刷電路板、聚醯亞胺（Polyimide）、矽基板等。本發明並未限制發光二極體L1、發光二極體L2以及發光二極體L3自同一個第二轉置基底TS2同時轉置於電路基板200上。在其他實施例中，發光二極體L1、發光二極體L2以及發光二極體L3亦可分別從各自的第二轉置基底TS2轉置於電路基板200上。
在本實施例中，電路基板200包括多個接墊P。每個發光二極體L1、L2、L3的位置對應於電路基板200的兩個接墊P。在一些實施例中，接墊P電性連接至電路基板200中的主動元件（未繪出）或訊號線（未繪出）。在一些實施例中，其他額外的驅動晶片（如微晶片（micro chips））或驅動電路板接合至電路基板200上。在一些實施例中，電路基板200適用於顯示面板內或背光模組內。
在一些實施例中，接墊P所選用之材料包括金、鎳、銅、錫、銦、錫銀混合金屬、錫銅混合金屬、錫銀銅混合金屬或前述材料的組合或堆疊。在一些實施例中，接墊P的厚度T5不大於8微米，藉此改善接墊P容易因為應力而損壞的問題。
在一些實施例中，第二轉置基底TS2的基底SB2包括導熱材料。將第二轉置基底TS2壓於電路基板200上，接著藉由第二轉置基底TS2將熱傳至發光二極體L1、L2、L3，以對發光二極體L1、L2、L3加熱。發光二極體L1、L2、L3的電極E1、E2中的金屬層SR分別連接至電路基板200的對應的接墊P。
在一些實施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、藍寶石或其他適合的材料。將第二轉置基底TS2壓於電路基板200上，接著以雷射透過基底SB2照射至發光二極體L1、L2、L3，以對發光二極體L1、L2、L3加熱。發光二極體L1、L2、L3的電極E1、E2中的金屬層SR分別連接至電路基板200的對應的接墊P。
在一些實施例中，接墊P選用能較好的與金屬層SR共晶接合的材料，在對發光二極體L1、L2、L3加熱之後，金屬層SR共晶接合至接墊P，且金屬層SR電性連接阻障層BL至對應的接墊P。
請參考圖3G，移除第二轉置基底TS2。在本實施例中，發光二極體L1、L2、L3包括不同顏色的發光二極體（例如藍色、綠色以及紅色），但本發明不以此為限。在其他實施例中，僅將單一顏色的發光二極體L1轉置於電路基板200，並藉由其他色彩轉換元件（例如量子點（Quantum dot）材料或者磷光體（Phosphor）的材料等）將發光二極體L1發出的光線轉換成其他顏色的光線。換句話說，在其他實施例中，可以省略形成發光二極體L2、L3以及轉移發光二極體L2、L3的步驟。
基於上述，阻障層BL能阻擋金屬層SR中的金屬元素擴散至第一導電層C1，藉此避免金屬層SR與第一導電層C1接著性不佳無法反應生成介金屬化合物，導致金屬層SR與第一導電層C1之間出現裂痕。藉此，使發光二極體L1、L2、L3能更好的與接墊P接合。此外，由於發光二極體L1、L2、L3的電極E1、E2包含金屬層SR，因此不需要於電路基板200上設置錫球或導電膠就能將發光二極體L1、L2、L3接合至電路基板200。
圖4A至圖4D是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。
請參考圖4A，形成發光二極體L1於生長基板100上（如圖3A所示）之後，將生長基板100上的多個發光二極體L1自生長基板100轉置於第一轉置基底TS1。
在本實施例中，第一轉置基底TS1包括基底SB1以及黏著層AD1。在本實施例中，基底SB1為透明基底，且材料例如為玻璃、藍寶石或其他適合的材料。將生長基板100移動至第一轉置基底TS1上，並使生長基板100上的發光二極體L1朝向第一轉置基底TS1，接著以雷射剝離（Laser lift off）的方式將多個發光二極體L1自生長基板100轉置於第一轉置基底TS1的黏著層AD1上。
在本實施例中，在第一轉置基底TS1上之發光二極體L1之間的間距約等於在生長基板100上之發光二極體L1之間的間距（即發光二極體L1轉置後的間距約等於轉置前的間距）。
在本實施例中，發光二極體L1的電極E1、E2位於發光二極體L1朝向第一轉置基底TS1的一側。
請參考圖4B，將一個或多個發光二極體L1自第一轉置基底TS1轉置於第二轉置基底TS2。第二轉置基底TS2包括基底SB2以及黏著層AD2。在一些實施例中，基底SB2包括導熱材料，例如陶瓷、金屬或其他適合的材料。在一些實施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、藍寶石或其他適合的材料。
在本實施例中，第一轉置基底TS1的基底SB1為透明基底。移動第一轉置基底TS1或第二轉置基底TS2使第一轉置基底TS1與第二轉置基底TS2對準，接著從基底SB1的一側以雷射LS照射發光二極體L1，並藉由雷射轉移（Laser Transfer）的方式將發光二極體L1自第一轉置基底TS1轉置於第二轉置基底TS2的黏著層AD2上。
在本實施例中，以雷射LS選擇要轉置的多個發光二極體L1，轉置後之發光二極體L1之間有間距Ph3。在本實施例中，在第二轉置基底TS2上之發光二極體L1之間的間距Ph3大於在第一轉置基底TS1上之發光二極體L1之間的間距Ph2（即發光二極體L1轉置後的間距大於轉置前的間距）。
在本實施例中，發光二極體L1的電極E1、E2位於發光二極體L1背對第二轉置基底TS2的一側。
請參考圖4C，以類似圖4A與圖4B的方式將一個或多個發光二極體L2移至第二轉置基底TS2上。發光二極體L2包括半導體堆疊層SM2以及電極E1、E2。發光二極體L2的結構類似於圖1的發光二極體L或圖2的發光二極體La。相關說明請參考圖1以及圖2。
請參考圖4D，以類似圖4A與圖4B的方式將一個或多個發光二極體L3移至第二轉置基底TS2上。發光二極體L3包括半導體堆疊層SM3以及電極E1、E2。發光二極體L3的結構類似於圖1的發光二極體L或圖2的發光二極體La。相關說明請參考圖1以及圖2。
在本實施例中，發光二極體L1、發光二極體L2以及發光二極體L3分別為藍色發光二極體、綠色發光二極體以及紅色發光二極體。在本實施例中，發光二極體L1、發光二極體L2以及發光二極體L3依序轉置於第二轉置基底TS2上，但本發明並未限制發光二極體L1、發光二極體L2以及發光二極體L3轉置於第二轉置基底TS2上的順序。發光二極體L1、發光二極體L2以及發光二極體L3轉置於第二轉置基底TS2上的順序可以依照實際需求而進行調整。
在將發光二極體L1、L2、L3轉移至第二轉置基底TS2上之後，以類似圖3F與圖3G的製程將發光二極體L1、L2、L3接合至電路基板200。相關說明請參考圖3F與圖3G的相關段落，於此不再贅述。
基於上述，阻障層BL能阻擋金屬層SR中的金屬元素擴散至第一導電層C1，藉此避免金屬層SR與第一導電層C1接著性不佳無法反應生成介金屬化合物，導致金屬層SR與第一導電層C1之間出現裂痕。藉此，使發光二極體L1、L2、L3能更好的與接墊P接合。
圖5A至圖5E是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。
請參考圖5A，形成多個發光二極體L1於生長基板100a上。在本實施例中，生長基板100a包括基底102以及繫連結構104。在一些實施例中，形成犧牲層（未繪出）以及繫連結構104於基底102上，接著形成連接繫連結構104的發光二極體L1，然後在移除犧牲層以使發光二極體L1與基底102之間具有間隙。在移除犧牲層之後，發光二極體L1固定於生長基板100a上的繫連結構104上。
在本實施例中，各發光二極體L1包括半導體堆疊層SM1以及兩個電極E1、E2。兩個電極E1、E2形成於半導體堆疊層SM1上。發光二極體L1的結構類似於圖1的發光二極體L或圖2的發光二極體La。相關說明請參考圖1以及圖2。
在本實施例中，發光二極體L1的電極E1、E2位於發光二極體L1背對基底102的一側。
以轉移裝置TD提取一個或多個發光二極體L1。在將發光二極體L1自生長基板100a上提起時，繫連結構104會因為受力而斷裂。在一些實施例中，部分斷裂的繫連結構104’殘留於被提起的發光二極體L1上，另一部分斷裂的繫連結構104’’則殘留於基底102上，但本發明不以此為限。
在本實施例中，轉移裝置TD的黏性材料例如包括聚二甲基矽氧烷（Polydimethylsiloxane，PDMS）等，且轉移裝置TD藉由轉移裝置TD與發光二極體L1之間的凡德瓦力將發光二極體L1提起。在其他實施例中，轉移裝置TD例如是以真空吸引力或靜電等其他方式將發光二極體L1提起。
請參考圖5B，藉由轉移裝置TD將一個或多個發光二極體L1轉置於第一轉置基底TS1上。第一轉置基底TS1包括基底SB1以及黏著層AD1。在一些實施例中，基底SB1包括導熱材料，例如陶瓷、金屬或其他適合的材料。在一些實施例中，基底SB1包括透明材料，例如玻璃、藍寶石或其他適合的材料。
使發光二極體L1固定於第一轉置基底TS1的黏著層AD1上，接著移除轉移裝置TD。
在一些實施例中，將多個發光二極體L1轉置於第一轉置基底TS1上，且在第一轉置基底TS1上之發光二極體L1之間的間距大於在生長基板100上之發光二極體L1之間的間距（即發光二極體L1轉置後的間距大於轉置前的間距）。
在本實施例中，發光二極體L1的電極E1、E2位於發光二極體L1背對第一轉置基底TS1的一側。
請參考圖5C，藉由類似圖5A至圖5B的方法形成發光二極體L2、L3，並將發光二極體L2、L3轉置於第一轉置基底TS1上。
請參考圖5D，翻轉第一轉置基底TS1，並將發光二極體L1、L2、L3自第一轉置基底TS1轉置於電路基板200。在本實施例中，在第一轉置基底TS1上之發光二極體L1、L2、L3之間的間距約等於在電路基板200上之發光二極體L1、L2、L3之間的間距。
在本實施例中，電路基板200包括多個接墊P。接墊P電性連接至電路基板200中的主動元件（未繪出）或訊號線（未繪出）。每個發光二極體L1、L2、L3的位置對應於電路基板200的兩個接墊P。
在一些實施例中，接墊P所選用之材料包括金、鎳、銅、錫、銦、錫銀混合金屬、錫銅混合金屬、錫銀銅混合金屬或前述材料的組合。在一些實施例中，接墊P的厚度T5不大於8微米，藉此改善接墊P容易因為應力而損壞的問題。
在一些實施例中，第一轉置基底TS1的基底SB1包括導熱材料。將第一轉置基底TS1壓於電路基板200上，接著藉由第一轉置基底TS1將熱傳至發光二極體L1、L2、L3，以對發光二極體L1、L2、L3加熱。發光二極體L1、L2、L3的電極E1、E2中的金屬層SR分別連接至電路基板200的對應的接墊P。
在一些實施例中，基底SB1包括透明材料，例如玻璃、藍寶石或其他適合的材料。將第一轉置基底TS1壓於電路基板200上，接著以雷射透過基底SB1照射至發光二極體L1、L2、L3，以對發光二極體L1、L2、L3加熱。發光二極體L1、L2、L3的電極E1、E2中的金屬層SR分別連接至電路基板200的對應的接墊P。在本實施例中，加熱發光二極體L1、L2、L3的方法包含單點雷射、面雷射或線雷射。在其他實施例中，加熱發光二極體L1、L2、L3的方法包含傳導式加熱。
在一些實施例中，接墊P選用能較好的與金屬層SR共晶接合的材料，在對發光二極體L1、L2、L3加熱之後，金屬層SR共晶接合至接墊P，且金屬層SR電性連接阻障層BL至對應的接墊P。
在本實施例中，不需要使用第二轉置基底就可以將發光二極體L1、L2、L3轉置於電路基板200。
請參考圖5E，移除第一轉置基底TS1。
基於上述，阻障層BL能阻擋金屬層SR中的金屬元素擴散至第一導電層C1，藉此避免金屬層SR與第一導電層C1接著性不佳，無法反應生成介金屬化合物導致金屬層SR與第一導電層C1之間出現裂痕。藉此，使發光二極體L1、L2、L3能更好的與接墊P接合。此外，由於發光二極體L1、L2、L3的電極E1、E2包含金屬層SR，因此不需要於電路基板200上設置錫球或導電膠就能將發光二極體L1、L2、L3接合至電路基板200。
圖6A至圖6C是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。
請參考圖6A，形成多個發光二極體L1於生長基板100a上。在本實施例中，生長基板100a包括基底102以及繫連結構104。在一些實施例中，形成犧牲層（未繪出）以及繫連結構104於基底102上，接著形成連接繫連結構104的發光二極體L1，然後在移除犧牲層以使發光二極體L1與基底102之間具有間隙。在移除犧牲層之後，發光二極體L1固定於生長基板100a上的繫連結構104上。
在本實施例中，各發光二極體L1包括半導體堆疊層SM1以及兩個電極E1、E2。兩個電極E1、E2形成於半導體堆疊層SM1上。發光二極體L1的結構類似於圖1的發光二極體L或圖2的發光二極體La。相關說明請參考圖1以及圖2。
在本實施例中，發光二極體L1的電極E1、E2位於發光二極體L1面對基底102的一側。
以轉移裝置TD提取一個或多個發光二極體L1。在將發光二極體L1自生長基板100a上提起時，繫連結構104會因為受力而斷裂。在一些實施例中，部分斷裂的繫連結構104’殘留於被提起的發光二極體L1上，另一部分斷裂的繫連結構104’’則殘留於基底102上，但本發明不以此為限。
在本實施例中，轉移裝置TD的黏性材料例如包括聚二甲基矽氧烷，且轉移裝置TD藉由轉移裝置TD與發光二極體L1之間的凡德瓦力將發光二極體L1提起。在其他實施例中，轉移裝置TD例如是以真空吸引力或靜電等其他方式將發光二極體L1提起。
請參考圖6B，藉由轉移裝置TD將發光二極體L1轉置於電路基板200。
在本實施例中，電路基板200包括多個接墊P。接墊P電性連接至電路基板200中的主動元件（未繪出）或訊號線（未繪出）。每個發光二極體L1的位置對應於電路基板200的兩個接墊P。
在一些實施例中，接墊P所選用之材料包括金、鎳、銅、錫、銦、錫銀混合金屬、錫銅混合金屬、錫銀銅混合金屬或前述材料的組合。在一些實施例中，接墊P的厚度T5不大於8微米，藉此改善接墊P容易因為應力而損壞的問題。
請參考圖6C，藉由類似圖6A與圖6B的方法形成發光二極體L2、L3，並將發光二極體L2、L3轉置於電路基板200上。
加熱發光二極體L1、L2、L3，使發光二極體L1、L2、L3的金屬層SR共晶接合至接墊P。
基於上述，阻障層BL能阻擋金屬層SR中的金屬元素擴散至第一導電層C1，藉此避免金屬層SR與第一導電層C1接著性不佳，無法反應生成介金屬化合物導致金屬層SR與第一導電層C1之間出現裂痕。藉此，使發光二極體L1、L2、L3能更好的與接墊P接合。此外，由於發光二極體L1、L2、L3的電極E1、E2包含金屬層SR，因此不需要於電路基板200上設置錫球或導電膠就能將發光二極體L1、L2、L3接合至電路基板200。
圖7A至圖7F是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。
請參考圖7A，形成多個發光二極體L1於生長基板100a上。在本實施例中，生長基板100a包括基底102以及繫連結構104。在一些實施例中，形成犧牲層（未繪出）以及繫連結構104於基底102上，接著形成連接繫連結構104的發光二極體L1，然後在移除犧牲層以使發光二極體L1與基底102之間具有間隙。在移除犧牲層之後，發光二極體L1固定於生長基板100a上的繫連結構104上。
在本實施例中，各發光二極體L1包括半導體堆疊層SM1以及兩個電極E1、E2。兩個電極E1、E2形成於半導體堆疊層SM1上。發光二極體L1的結構類似於圖1的發光二極體L或圖2的發光二極體La。相關說明請參考圖1以及圖2。
在本實施例中，發光二極體L1的電極E1、E2位於發光二極體L1面對基底102的一側。
以轉移裝置TD提取一個、多個或全部發光二極體L1。在將發光二極體L1自生長基板100a上提起時，繫連結構104會因為受力而斷裂。在一些實施例中，部分斷裂的繫連結構104’殘留於被提起的發光二極體L1上，另一部分斷裂的繫連結構104’’殘留於基底102上，但本發明不以此為限。
在本實施例中，轉移裝置TD的黏性材料例如包括聚二甲基矽氧烷，且轉移裝置TD藉由轉移裝置TD與發光二極體L1之間的凡德瓦力將發光二極體L1提起。在其他實施例中，轉移裝置TD例如是以真空吸引力或靜電等其他方式將發光二極體L1提起。
請參考圖7B，藉由轉移裝置TD將發光二極體L1轉置於第一轉置基底TS1上。
在本實施例中，第一轉置基底TS1包括基底SB1以及黏著層AD1。在一些實施例中，第一轉置基底TS1為膠帶，且基底SB1包括軟性材料。在一些實施例中，第一轉置基底TS1為膠帶，且不包括基底SB1，黏著層AD1不是固定於基底SB1上，而是以其他支撐結構（例如金屬環）固定。在一些實施例中，基底SB1為透明基底，且材料例如為玻璃、藍寶石或其他適合的材料。
在本實施例中，將部分的發光二極體L1轉置於第一轉置基底TS1上，另一部分的發光二極體L1留在生長基板100a上。在本實施例中，發光二極體L1的電極E1、E2位於發光二極體L1朝向第一轉置基底TS1的一側。
請參考圖7A與圖7B，在一些實施例中，在第一轉置基底TS1上之發光二極體L1之間的間距Ph2大於或等於在生長基板100上之發光二極體L1之間的間距Ph1（即發光二極體L1轉置後的間距大於或等於轉置前的間距）。
請參考圖7C，將其中一個、多個或全部發光二極體L1自第一轉置基底TS1轉置於第二轉置基底TS2。第二轉置基底TS2包括基底SB2以及黏著層AD2。在一些實施例中，基底SB2包括導熱材料，例如陶瓷、金屬或其他適合的材料。在一些實施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、藍寶石或其他適合的材料。
在本實施例中，第一轉置基底TS1的基底SB1為透明基底。在將第一轉置基底TS1移至第二轉置基底TS2上之後，從基底SB1的一側以雷射LS照射發光二極體L1，並藉由雷射轉移的方式將至少部分的發光二極體L1自第一轉置基底TS1轉置於第二轉置基底TS2的黏著層AD2上。
在其他實施例中，第一轉置基底TS1包括膠帶，且黏著層AD2的黏性大於黏著層AD1（或前述膠帶）的黏性。將第二轉置基底TS2貼合至第一轉置基底TS1上的發光二極體L1之後，移除第一轉置基底TS1。由於黏著層AD2的黏性大於黏著層AD1的黏性，因此將第一轉置基底TS1移除後，發光二極體L1留在第二轉置基底TS2上。
在本實施例中，部分的發光二極體L1轉移至第二轉置基底TS2上，另一部分的發光二極體L1留在第一轉置基底TS1上，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一轉置基底TS1上的發光二極體L1全部轉移至第二轉置基底TS2上。
在本實施例中，發光二極體L1的電極E1、E2位於發光二極體L1背對第二轉置基底TS2的一側。
請參考圖7D，以類似圖7A至圖7C的方式將一個或多個發光二極體L2、L3移至第二轉置基底TS2上。發光二極體L2包括半導體堆疊層SM2以及電極E1、E2，且發光二極體L3包括半導體堆疊層SM3以及電極E1、E2。發光二極體L2、L3的結構類似於圖1的發光二極體L或圖2的發光二極體La。相關說明請參考圖1以及圖2。
請參考圖7E，將發光二極體L1、L2、L3自第二轉置基底TS2轉置於電路基板200。在本實施例中，在第二轉置基底TS2上之發光二極體L1、L2、L3之間的間距約等於在電路基板200上之發光二極體L1、L2、L3之間的間距。
在本實施例中，電路基板200包括多個接墊P。接墊P電性連接至電路基板200中的主動元件（未繪出）或訊號線（未繪出）。每個發光二極體L1、L2、L3的位置對應於電路基板200的兩個接墊P。
在一些實施例中，接墊P所選用之材料包括金、鎳、銅、錫、銦、錫銀混合金屬、錫銅混合金屬、錫銀銅混合金屬或前述材料的組合。在一些實施例中，接墊P的厚度T5不大於8微米，藉此改善接墊P容易因為應力而損壞的問題。
在一些實施例中，第二轉置基底TS2的基底SB2包括導熱材料。將第二轉置基底TS2壓於電路基板200上，接著藉由第二轉置基底TS2將熱傳至發光二極體L1、L2、L3，以對發光二極體L1、L2、L3加熱。發光二極體L1、L2、L3的電極E1、E2中的金屬層SR分別連接至電路基板200的對應的接墊P。
在一些實施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、藍寶石或其他適合的材料。將第二轉置基底TS2壓於電路基板200上，接著以雷射透過基底SB2照射至發光二極體L1、L2、L3，以對發光二極體L1、L2、L3加熱。發光二極體L1、L2、L3的電極E1、E2中的金屬層SR分別連接至電路基板200的對應的接墊P。
在一些實施例中，接墊P選用能較好的與金屬層SR共晶接合的材料，在對發光二極體L1、L2、L3加熱之後，金屬層SR共晶接合至接墊P，且金屬層SR電性連接阻障層BL至對應的接墊P。
請參考圖7F，移除第二轉置基底TS2。
基於上述，阻障層BL能阻擋金屬層SR中的金屬元素擴散至第一導電層C1，藉此避免金屬層SR與第一導電層C1接著性不佳，無法反應生成介金屬化合物導致金屬層SR與第一導電層C1之間出現裂痕。藉此，使發光二極體L1、L2、L3能更好的與接墊P接合。此外，由於發光二極體L1、L2、L3的電極E1、E2包含金屬層SR，因此不需要於電路基板200上設置錫球或導電膠就能將發光二極體L1、L2、L3接合至電路基板200。
圖8A與圖8B是依照本發明的一實施例的一種修復顯示裝置的方法的剖面示意圖。
請參考圖8A，在以前述任一實施例的方式將發光二極體L1、L2、L3轉置於電路基板200之後，測試發光二極體L1、L2、L3。在本實施例中，發光二極體L2未能正常發光。舉例來說，發光二極體L2在轉移過程中未正確對準接墊P或在加熱過程中未能正確接合至接墊P，導致發光二極體L2未能正常發光。在一些實施例中，發光二極體L2本身發生故障導致發光二極體L2未能正常發光。
在本實施例中，可以利用雷射LS將發光二極體L2自電路基板200上移除。但本發明不在此限，於其他實施例中，發光二極體L2可使用加熱或使用取放模組等方式移除。
在一些實施例中，在將發光二極體L2自電路基板200上移除之後，發光二極體L2的金屬層SR部分殘留於電路基板200的接墊P上。舉例來說，對發光二極體L2照射雷射或加熱使發光二極體L2的電極E1、E2中的金屬層SR熔化後將發光二極體L2移除。部分熔化的金屬層SRb殘留於接墊P上，另一部分的金屬層SRa隨著發光二極體L2一起被提起。
請參考圖8B，將發光二極體L2’轉置於電路基板200的接墊P上。發光二極體L2’的結構類似於圖1的發光二極體L或圖2的發光二極體La。相關說明請參考圖1以及圖2。發光二極體L2’與發光二極體L2為相同顏色的發光二極體，且發光二極體L2’與發光二極體L2皆包含半導體堆疊層SM2。
在本實施例中，以雷射LS選擇性地自基底PD轉置一個發光二極體L2’至電路基板200的接墊P上。在本實施例中，基底PD為轉置基底，且基底PD表面具有黏著層PDa。在其他實施例中，基底PD為生長基板。在其他實施例中，可以使用轉移裝置TD（如圖7A）或其他取放裝置將發光二極體L2’轉置至電路基板200的接墊P上。
由於移除未能正常發光的發光二極體L2後，電路基板200的接墊P可被接合的特性未被影響，發光二極體L2’可以直接利用原本對應至發光二極體L2的接墊P而電性連接至電路基板200。接著，以雷射照射或加熱電路基板200的接墊P及/或發光二極體L2’的電極E1、E2，以使發光二極體L2’的金屬層SR電性連接至原本對應至發光二極體L2的接墊P。在一些實施例中，發光二極體L2’的金屬層SR會與發光二極體L2殘留於接墊P上的金屬層SRb彼此融合。
在本實施例中，將發光二極體L2’放置於原本對應至發光二極體L2的接墊P上，但本發明不以此為限。在其他實施例中，將發光二極體L2’放置於原本對應至發光二極體L2的接墊P周圍的其他用於修復的冗餘接墊（redundancy pad，未繪出）上，並使發光二極體L2’藉由冗餘接墊而電性連接至電路基板200中的其他元件。
在本實施例中，由於用於修復的發光二極體L2’的電極E1、E2包括金屬層SR，因此，不需要於電路基板200上額外形成錫球或導電膠就能將發光二極體L2’接合至電路基板200。此外，由於不需要於電路基板200上額外形成錫球或導電膠，因此修復製程不會因為額外形成的錫球或導電膠偏移而失敗。換句話說，發光二極體L2’的金屬層SR提升了修復製程的良率與精度。
在本實施例中，發光二極體L1、L2、L3包括不同顏色的發光二極體（例如藍色、綠色以及紅色），但本發明不以此為限。在其他實施例中，發光二極體L1、L2、L3、L2’包括相同顏色的發光二極體，並藉由其他色彩轉換元件（例如量子點（Quantum dot）材料或者磷光體（Phosphor）的材料等）將發光二極體L1、L2、L3、L2’發出的光線轉換成其他顏色的光線。
綜上所述，本發明的發光二極體的電極包括第一導電層、阻障層以及金屬層。阻障層能阻擋金屬層中的金屬元素擴散至第一導電層，藉此避免金屬層與第一導電層接著性不佳，無法反應生成介金屬化合物導致金屬層與第一導電層之間出現裂痕。藉此，使發光二極體能更好的與接墊接合。此外，由於發光二極體的電極包含金屬層，因此不需要於電路基板上設置錫球或導電膠就能將發光二極體接合至電路基板。基於上述，在發光二極體與接墊的接合製程後，經檢測發現有不良情況之發光二極體，針對有不良情況之發光二極體的維修與重新接合，使用電極包含金屬層的發光二極體可以很輕易、準確的進行維修。
10、20:發光二極體基板 100、100a:生長基板 102:基底 104:繫連結構 104’、104’’:斷裂的繫連結構 110:緩衝層 120:半導體層 130:第一半導體層 140:發光層 150:第二半導體層 160:第三半導體層 200:電路基板 E1、E2:電極 AD1、AD2、PDa:黏著層 BL:阻障層 C1:第一導電層 C2:第二導電層 i:絕緣層 L、La、L1、L2、L2’、L3:發光二極體 LS:雷射 P:接墊 PD:基底 Ph1、Ph2、Ph3:間距 SM、SMa、SM1、SM2、SM3:半導體堆疊層 SR、SRa、SRb:金屬層 T1、T2、T3、T4、T5:厚度 TD:轉移裝置 TS1:第一轉置基底 TS2:第二轉置基底
圖1是依照本發明的一實施例的一種發光二極體基板的剖面示意圖。 圖2是依照本發明的一實施例的一種發光二極體基板的剖面示意圖。 圖3A至圖3G是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。 圖4A至圖4D是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。 圖5A至圖5E是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。 圖6A至圖6C是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。 圖7A至圖7F是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。 圖8A與圖8B是依照本發明的一實施例的一種修復顯示裝置的方法的剖面示意圖。
10:發光二極體基板
100:生長基板
110:緩衝層
120:半導體層
130:第一半導體層
140:發光層
150:第二半導體層
E1、E2:電極
BL:阻障層
C1:第一導電層
C2:第二導電層
i:絕緣層
L:發光二極體
SM:半導體堆疊層
SR:金屬層
T1、T2、T3、T4:厚度

Claims (21)

  1. 一種顯示裝置，包括： 一電路基板；以及 一發光二極體，其中該發光二極體的兩個電極連接至該電路基板的兩個接墊，其中該發光二極體的各該電極包括： 一第一導電層，連接至該發光二極體的半導體堆疊層； 一阻障層，透過該第一導電層而電性連接至該發光二極體的該半導體堆疊層，且該第一導電層所選用之材料對該半導體堆疊層的附著力大於該阻障層所選用之材料對該半導體堆疊層的附著力；以及 一金屬層，電性連接該阻障層至該些接墊中對應的一者，其中該金屬層的熔點低於攝氏260度。
  2. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該第一導電層所選用之材料包括鈦、鉻或前述材料的組合。
  3. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該阻障層所選用之材料包括鎳、銅、鈀或前述材料的組合。
  4. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該金屬層所選用之材料包括錫、銦、鉍、錫鉍混合金屬、錫銦混合金屬、錫銅混合金屬、錫銀混合金屬、錫銻混合金屬、錫鋅混合金屬、錫銀銅混合金屬、錫銀銅鉍混合金屬或前述材料的組合或堆疊。
  5. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該兩個接墊所選用之材料包括金、鎳、銅、錫、銦、錫銀混合金屬、錫銅混合金屬、錫銀銅混合金屬或前述材料的組合或堆疊。
  6. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該兩個電極各自更包括： 一第二導電層，位於該阻障層與該金屬層之間，其中該金屬層對該第二導電層所選用之材料的潤濕性大於該金屬層對該阻障層所選用之材料的潤濕性。
  7. 如請求項6所述的顯示裝置，其中該第二導電層的厚度小於或等於該阻障層的厚度。
  8. 如請求項6所述的顯示裝置，其中該第二導電層所選用之材料包括金、銀、銅、鈀、鎳或前述材料的組合。
  9. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該兩個接墊的厚度不大於8微米。
  10. 一種發光二極體基板，包括： 一生長基板；以及 一發光二極體，包括： 一半導體堆疊層，形成於該生長基板上；以及 兩個電極，形成於該半導體堆疊層上，且各該電極包括： 一第一導電層，形成於該半導體堆疊層上； 一阻障層，形成於該第一導電層上，且該第一導電層所選用之材料對該半導體堆疊層的附著力大於該阻障層所選用之材料對該半導體堆疊層的附著力；以及 一金屬層，形成於該阻障層上，其中該金屬層的熔點低於攝氏260度。
  11. 如請求項10所述的發光二極體基板，其中該兩個電極各自更包括： 一第二導電層，位於該阻障層與該金屬層之間，其中該金屬層對該第二導電層所選用之材料的潤濕性大於該金屬層對該阻障層所選用之材料的潤濕性。
  12. 如請求項11所述的發光二極體基板，其中該第二導電層的厚度小於或等於該阻障層的厚度。
  13. 如請求項11所述的發光二極體基板，其中該第一導電層所選用之材料包括鈦、鉻或前述材料的組合，該阻障層所選用之材料包括鎳、銅、鈀或前述材料的組合，該第二導電層所選用之材料包括金、銀、銅、鈀、鎳或前述材料的組合，且該金屬層所選用之材料包括錫、銦、鉍、錫鉍混合金屬、錫銦混合金屬、錫銅混合金屬、錫銀混合金屬、錫銻混合金屬、錫鋅混合金屬、錫銀銅混合金屬、錫銀銅鉍混合金屬或前述材料的組合或堆疊。
  14. 一種顯示裝置的製造方法，包括： 形成多個發光二極體，其中各該發光二極體包括： 一半導體堆疊層；以及 兩個電極，形成於該半導體堆疊層上，且各該電極包括： 一第一導電層，形成於該半導體堆疊層上； 一阻障層，形成於該第一導電層上，且該第一導電層所選用之材料對該半導體堆疊層的附著力大於該阻障層所選用之材料對該半導體堆疊層的附著力；以及 一金屬層，形成於該阻障層上，其中該金屬層的熔點低於攝氏260度； 將其中一個發光二極體轉置於一電路基板上，其中該電路基板包括多個接墊，且該其中一個發光二極體位置對應於該電路基板的其中兩個接墊；以及 加熱該其中一個發光二極體，使該其中一個發光二極體的該些金屬層共晶接合至該其中兩個接墊。
  15. 如請求項14所述的顯示裝置的製造方法，其中加熱該其中一個發光二極體的方法包含傳導式加熱、單點雷射、面雷射或線雷射。
  16. 如請求項14所述的顯示裝置的製造方法，更包括： 將其中另一個發光二極體轉置於該電路基板上，且該其中另一個發光二極體位置對應於該電路基板的其中另兩個接墊； 測試該其中一個發光二極體以及該其中另一個發光二極體，且該其中另一個發光二極體未能正常發光； 將該其中另一個發光二極體自該電路基板上移除； 將其中再另一個發光二極體轉置於該電路基板的該其中另兩個接墊上；以及 加熱該其中再另一個發光二極體，使該其中再另一個發光二極體的該些金屬層電性連接至該其中另兩個接墊。
  17. 如請求項14所述的顯示裝置的製造方法，其中在將該其中另一個發光二極體自該電路基板上移除之後，該其中另一個發光二極體的該些金屬層部分殘留於該電路基板的該其中兩個接墊上。
  18. 如請求項14所述的顯示裝置的製造方法，更包括： 該其中一個發光二極體形成於一生長基板上； 將該其中一個發光二極體自該生長基板轉置於一第一轉置基底； 將該其中一個發光二極體自該第一轉置基底轉置於一第二轉置基底；以及 將該其中一個發光二極體自該第二轉置基底轉置於該電路基板。
  19. 如請求項18所述的顯示裝置的製造方法，其中該第一轉置基底包括膠帶或帶有黏著層的透明基板。
  20. 如請求項14所述的顯示裝置的製造方法，更包括： 該其中一個發光二極體形成於一生長基板上，其中該生長基板包括一基底以及位於該基底上的一繫連結構，且該其中一個發光二極體固定於該繫連結構上，其中該其中一個發光二極體的該些電極位於該其中一個發光二極體背對該基底的一側。
  21. 如請求項14所述的顯示裝置的製造方法，更包括： 該其中一個發光二極體形成於一生長基板上，其中該生長基板包括一基底以及位於該基底上的一繫連結構，且該其中一個發光二極體固定於該繫連結構上，其中該其中一個發光二極體的該些電極位於該其中一個發光二極體面對該基底的一側。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI792460B (zh) * 2021-07-28 2023-02-11 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法
EP4385066A1 (en) * 2021-08-09 2024-06-19 X-Celeprint Limited Integrated-circuit module collection and deposition
TWI804122B (zh) * 2021-12-21 2023-06-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置
WO2023153476A1 (ja) * 2022-02-10 2023-08-17 京セラ株式会社 発光デバイスの製造方法および製造装置並びにレーザ素子基板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200601586A (en) * 2004-06-28 2006-01-01 United Epitaxy Co Ltd Flip-chip light emitting diode and fabricating method thereof
JP2006024750A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子
CN103238225A (zh) * 2010-11-05 2013-08-07 首尔Opto仪器股份有限公司 发光二极管组件及其制造方法
US20140213003A1 (en) * 2007-09-27 2014-07-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Gan type light emitting diode device and method of manufacturing the same
CN105518887A (zh) * 2013-09-05 2016-04-20 松下知识产权经营株式会社 发光装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303542A (ja) * 1998-12-28 2006-11-02 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子およびその製造方法
EP2287930B1 (en) * 2002-07-22 2019-06-05 Cree, Inc. Light emitting diode including barrier layers and manufacturing method therefor
JP2007200920A (ja) * 2006-01-23 2007-08-09 Mitsubishi Electric Corp 挿入実装部品のはんだ接合構造及びその製造方法並びに光モジュール
CN101064352A (zh) * 2006-04-27 2007-10-31 曜富科技股份有限公司 发光二极管多层金属一次电极的制造方法及其制造装置
KR100856230B1 (ko) * 2007-03-21 2008-09-03 삼성전기주식회사 발광장치, 발광장치의 제조방법 및 모놀리식 발광다이오드어레이
CN101159307A (zh) * 2007-11-16 2008-04-09 北京工业大学 一种纳米结构出光面半导体发光二极管及其制备方法
JP5326957B2 (ja) * 2009-09-15 2013-10-30 豊田合成株式会社 発光素子の製造方法及び発光素子
JP2012169368A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体発光素子
JP6107680B2 (ja) * 2014-01-22 2017-04-05 豊田合成株式会社 発光装置およびその製造方法
US9698134B2 (en) 2014-11-27 2017-07-04 Sct Technology, Ltd. Method for manufacturing a light emitted diode display
WO2017094461A1 (ja) 2015-12-01 2017-06-08 シャープ株式会社 画像形成素子
WO2017205132A1 (en) * 2016-05-24 2017-11-30 Danesh Fariba Selective die repair on a light emitting device assembly
US10121710B2 (en) * 2016-06-14 2018-11-06 Innolux Corporation Methods for manufacturing a display device
CN109314126A (zh) 2016-08-11 2019-02-05 株式会社流明斯 Led模块及其制造方法
CN114464713A (zh) * 2017-07-13 2022-05-10 晶元光电股份有限公司 发光元件
TWI648871B (zh) 2017-09-22 2019-01-21 台灣愛司帝科技股份有限公司 發光模組的製作方法
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
WO2019188063A1 (ja) * 2018-03-27 2019-10-03 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 素子組立体及び素子・実装用基板組立体
CN110707016B (zh) * 2018-04-15 2022-04-12 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 微型器件的转移装置及微型器件的转移方法
CN108878602B (zh) * 2018-06-29 2020-05-19 武汉大学 一种三基色垂直结构微型led芯片制造与转印方法
CN108807265B (zh) * 2018-07-09 2020-01-31 厦门乾照光电股份有限公司 Micro-LED巨量转移方法、显示装置及制作方法
TWI688121B (zh) * 2018-08-24 2020-03-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體結構
JP2020064118A (ja) * 2018-10-15 2020-04-23 株式会社ブイ・テクノロジー キャリアフィルム、ｌｅｄ表示パネルのリペア方法及びｌｅｄ表示パネルのリペア装置
CN109661122B (zh) * 2018-11-09 2020-01-21 华中科技大学 一种适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法
CN109473532B (zh) * 2018-11-20 2020-11-06 合肥京东方光电科技有限公司 一种Micro LED显示基板的制作方法
US11127720B2 (en) * 2019-01-21 2021-09-21 Nanosys, Inc. Pixel repair method for a direct view display device
TWI686895B (zh) 2019-04-19 2020-03-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 晶片移轉機台

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200601586A (en) * 2004-06-28 2006-01-01 United Epitaxy Co Ltd Flip-chip light emitting diode and fabricating method thereof
JP2006024750A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子
US20140213003A1 (en) * 2007-09-27 2014-07-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Gan type light emitting diode device and method of manufacturing the same
CN103238225A (zh) * 2010-11-05 2013-08-07 首尔Opto仪器股份有限公司 发光二极管组件及其制造方法
CN105518887A (zh) * 2013-09-05 2016-04-20 松下知识产权经营株式会社 发光装置

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