TW202204987A - 顯示裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種顯示裝置的製造方法，包括下列步驟。提供發光二極體顯示裝置，發光二極體顯示裝置包括：電路基板、多個第一發光二極體以及第二發光二極體；檢測發光二極體顯示裝置，其中第二發光二極體不能正常發光；將第二發光二極體自電路基板移除。提供發光二極體基板；將發光二極體基板之第三發光二極體轉置於第一轉置基板；將第一轉置基板上之第三發光二極體轉置於第二轉置基板；以及將第二轉置基板上之第三發光二極體電性連接至電路基板。

Description

顯示裝置的製造方法
本發明是有關於一種顯示裝置的製造方法，且特別是有關於一種包含發光二極體的顯示裝置的製造方法。
發光二極體（Light Emitting Diode；LED）為一種發光元件，其具低功耗、高亮度、高解析度及高色彩飽和度等特性，因而適用於構建發光二極體顯示面板之畫素結構。
將發光二極體轉置到電路基板上的技術稱為巨量轉移（Mass Transfer）。現有技術在轉移發光二極體時，容易產生發光二極體轉置錯誤、失敗或者發光二極體不良等的問題，導致顯示裝置中部分的畫素不能正常運作，嚴重地影響顯示裝置的顯示品質。一般而言，會將轉置錯誤、失敗或者發光二極體不良等的發光二極體移除，並將修復用的發光二極體轉置於電路基板上以代替移除的發光二極體。然而，在現有技術的修復製程中，一次僅能轉置一顆修復用的發光二極體，且修復用的發光二極體在轉置過程容易出現位置偏移，導致修復失敗。
本發明提供一種顯示裝置的製造方法，能快速且準確的修復不能正常發光的發光二極體。
本發明的至少一實施例提供一種顯示裝置的製造方法，包括下列步驟。提供發光二極體顯示裝置。發光二極體顯示裝置包括電路基板、多個第一發光二極體以及第二發光二極體。第一發光二極體分別對應於電路基板的多個第一放置區設置。第一發光二極體電性連接至電路基板。第二發光二極體對應於電路基板的第二放置區設置。檢測發光二極體顯示裝置，其中第二發光二極體不能正常發光。將第二發光二極體自電路基板移除。提供發光二極體基板，發光二極體基板包括第三發光二極體。提供第一轉置基板。基於第二放置區的位置，將發光二極體基板之第三發光二極體轉置於第一轉置基板。將第一轉置基板上之第三發光二極體轉置於第二轉置基板。將第二轉置基板重疊於電路基板。第三發光二極體位於第二轉置基板朝向電路基板的一側。第三發光二極體的位置重疊於第二放置區。將第二轉置基板上之第三發光二極體電性連接至電路基板。
圖1是依照本發明的一實施例的一種發光二極體基板的剖面示意圖。
請參考圖1，發光二極體基板10包括生長基板100以及發光二極體L。發光二極體L包括半導體堆疊層SM以及兩個電極E1、E2。
在一些實施例中，生長基板100為砷化鎵（GaAs）基板、磷化鎵（GaP）基板、磷化銦（InP）基板、藍寶石基板、碳化矽（SiC）基板、氮化鎵（GaN）基板或其他適用於磊晶製程的生長基板。在一些實施例中，生長基板100的表面經由蝕刻製程（例如濕式蝕刻）而圖案化，以使生長基板100具有凹凸起伏的表面。在一些實施例中，緩衝層110形成於生長基板100的表面，緩衝層110有助於提升後續磊晶製程的良率。在一些實施例中，緩衝層110的材料為氮化鋁或其他合適的材料。
半導體堆疊層SM形成於生長基板100上。在一些實施例中，半導體堆疊層SM藉由磊晶製程以及圖案化製程形成於緩衝層110上。半導體堆疊層SM包括第一半導體層130、發光層140以及第二半導體層150。第一半導體層130與第二半導體層150中的一者為N型摻雜半導體，且另一者為P型摻雜半導體。舉例來說，第一半導體層130為N型半導體層，且第二半導體層150為P型半導體層。
第一半導體層130與第二半導體層150的材料例如包括氮化鎵、氮化銦鎵（InGaN）、砷化鎵、鋁鎵銦磷化物（AlGaInP）或其他IIIA族和VA族元素組成的材料或其他合適的材料，但本發明不以此為限。
發光層140位於第一半導體層130與第二半導體層150之間。發光層140例如具有量子井（Quantum Well, QW），例如：單量子井（SQW）、多量子井（MQW）或其他的量子井，P型摻雜的半導體層提供的電洞與N型摻雜的半導體層提供的電子可以在發光層140結合，並以光的模式釋放出能量。
在本實施例中，半導體堆疊層SM還包括低摻雜（或未摻雜）的半導體層120。半導體層120位於第一半導體層130與生長基板100之間。半導體層120的材料例如包括氮化鎵、氮化銦鎵（InGaN）、砷化鎵、鋁鎵銦磷化物（AlGaInP）或其他IIIA族和VA族元素組成的材料或其他合適的材料，但本發明不以此為限。
在本實施例中，發光二極體L為藍色發光二極體或綠色發光二極體，半導體層120、第一半導體層130、發光層140以及第二半導體層150的材料包括氮化鎵，且生長基板100為藍寶石基板，但本發明不以此為限。在其他實施例中，發光二極體L為其他顏色的發光二極體，且半導體層120、第一半導體層130、發光層140以及第二半導體層150的材料包括其他材料。
絕緣層i形成於半導體堆疊層SM上。絕緣層i具有至少兩個開口，分別暴露出第一半導體層130的部分頂面與第二半導體層150的部分頂面。
兩個電極E1、E2形成於半導體堆疊層SM上。在一些實施例中，電極E1、E2透過絕緣層i的開口而分別電性連接至第一半導體層130與第二半導體層150。
電極E1、E2為單層或多層結構。在本實施例中，電極E1、E2各自包括導電層C1以及金屬層SR。
導電層C1形成於半導體堆疊層SM上，且分別接觸第一半導體層130及第二半導體層150。在一些實施例中，導電層C1所選用之材料包括金屬、合金或其他導電材料。在一些實施例中，導電層C1為單層或多層結構。
金屬層SR形成於導電層C1上。金屬層SR的熔點低於攝氏260度。在一些實施例中，金屬層SR的厚度T2為0.1微米至5微米。在一些實施例中，金屬層SR所選用之材料包括錫、銦、鉍、錫鉍混合金屬、錫銦混合金屬、錫銅混合金屬、錫銀混合金屬、錫銻混合金屬、錫鋅混合金屬、錫銀銅混合金屬、錫銀銅鉍混合金屬或前述材料的組合。在一些實施例中，形成金屬層SR的方法包括蒸鍍、電鍍或其他合適的製程。
在一些實施例中，導電層C1共形地形成於絕緣層i的開口中以及絕緣層i的表面。金屬層SR共形地形成於導電層C1上。在一些實施例中，導電層C1以及金屬層SR的中央對應絕緣層i的開口的位置略微朝下凹陷，但本發明不以此為限。
在一些實施例中，導電層C1以及金屬層SR的形狀是藉由相同的罩幕所定義，因此導電層C1垂直投影於生長基板100上的形狀以及金屬層SR垂直投影於生長基板100上的形狀實質上彼此相同。在其他實施例中，電極E1、E2中的上層選擇性地包覆下層的側面，例如可能在製程中使用不同尺寸的光罩或是在蒸鍍過程中因為誤差而使上層接觸到下層的側面。舉例來說，金屬層SR選擇性地包覆第二導電層C2的側面、阻障層BL的側面以及第一導電層C1的側面，但本發明不以此為限。
雖然在本實施例中，電極E1、E2各自包括導電層C1以及金屬層SR，但本發明不以此為限。在其他實施例中，電極E1、E2各自不包括低熔點金屬（例如不包括金屬層SR）。
圖2是依照本發明的一實施例的一種發光二極體基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖2的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖2的發光二極體基板20與圖1的發光二極體基板10的主要差異在於：發光二極體基板20的半導體堆疊層SMa不同於發光二極體基板10的半導體堆疊層SM。
請參考圖2，半導體堆疊層SMa形成於生長基板100上。在一些實施例中，半導體堆疊層SMa藉由磊晶製程形成於緩衝層110上。半導體堆疊層SMa包括第一半導體層130、發光層140以及第二半導體層150。第一半導體層130與第二半導體層150中的一者為N型摻雜半導體，且另一者為P型摻雜半導體。舉例來說，第一半導體層130為N型半導體層，且第二半導體層150為P型半導體層。發光層140位於第一半導體層130與第二半導體層150之間。
在本實施例中，半導體堆疊層SMa還包括第三半導體層160。第三半導體層160形成於第二半導體層150上，且第三半導體層160與第二半導體層150為相同型的半導體層（例如皆為P型半導體層）。
在本實施例中，發光二極體La為紅色發光二極體，且半導體層120、第一半導體層130、發光層140以及第二半導體層150的材料包括鋁鎵銦磷化物，第三半導體層160的材料包括磷化鎵，且生長基板100包括砷化鎵基板，但本發明不以此為限。在其他實施例中，發光二極體La為其他顏色的發光二極體，且第一半導體層130、發光層140、第二半導體層150以及第三半導體層160的材料包括其他材料。
圖3A至圖3E是依照本發明的一實施例的一種發光二極體顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。
請參考圖3A與圖3B，形成多個發光二極體Lb於生長基板100上。各發光二極體Lb包括半導體堆疊層SM1以及兩個電極E1、E2。兩個電極E1、E2形成於半導體堆疊層SM1上。發光二極體Lb的結構類似於圖1的發光二極體L或圖2的發光二極體La。相關說明請參考圖1以及圖2。
將發光二極體Lb自生長基板100轉置於第一轉置基底TS1。在本實施例中，第一轉置基底TS1包括基底SB1以及黏著層AD1。在一些實施例中，第一轉置基底TS1為膠帶，且基底SB1包括軟性材料。在一些實施例中，基底SB1為透明基底，且材料例如為玻璃、藍寶石或其他適合的材料。
將生長基板100移動至第一轉置基底TS1上，並使生長基板100上的發光二極體Lb朝向第一轉置基底TS1，接著以雷射剝離（Laser lift off）的方式將一個或多個發光二極體Lb自生長基板100轉置於第一轉置基底TS1的黏著層AD1上。
在本實施例中，以雷射LS選擇要轉置的發光二極體Lb。在本實施例中，將所有的發光二極體Lb轉置於第一轉置基底TS1，但本發明不以此為限。在其他實施例中，將部分發光二極體Lb轉置於第一轉置基底TS1上，另一部分發光二極體Lb留在生長基板100上。在本實施例中，發光二極體Lb的電極E1、E2位於發光二極體Lb朝向第一轉置基底TS1的一側。
請參考圖3B與圖3C，將發光二極體Lb自第一轉置基底TS1轉置於第二轉置基底TS2。第二轉置基底TS2包括基底SB2以及黏著層AD2。在一些實施例中，基底SB2包括導熱材料，例如陶瓷、金屬或其他適合的材料。在一些實施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、藍寶石或其他適合的材料。
在本實施例中，第一轉置基底TS1的基底SB1為透明基底。移動第一轉置基底TS1或第二轉置基底TS2以使第一轉置基底TS1與第二轉置基底TS2對準，接著從基底SB1的一側以雷射照射發光二極體Lb，並藉由雷射轉移（Laser Transfer)）的方式將選定的發光二極體Lb自第一轉置基底TS1轉置於第二轉置基底TS2的黏著層AD2上。
在其他實施例中，第一轉置基底TS1為膠帶，且僅將部分發光二極體Lb自生長基板100轉移至第一轉置基底TS1。將第二轉置基底TS2貼合至第一轉置基底TS1上的發光二極體Lb（例如移動第二轉置基底TS2以使第二轉置基底TS2接觸發光二極體Lb及/或移動第一轉置基底TS1以使第二轉置基底TS2接觸發光二極體Lb），接著移除第一轉置基底TS1。在將第一轉置基板TS1上之發光二極體Lb轉置於第二轉置基板TS1時，黏著層AD2的黏性大於黏著層AD1（或前述膠帶）的黏性。在一些實施例中，藉由照射紫外光（UV light）或其他製程降低黏著層AD1的黏性，使黏著層AD2的黏性大於黏著層AD1的黏性。在一些實施例中，不須而外的製程，黏著層AD1本身的黏性就小於黏著層AD2的黏性。由於黏著層AD2的黏性大於黏著層AD1的黏性，因此將第一轉置基底TS1移除後，發光二極體Lb留在第二轉置基底TS2上。
在本實施例中，發光二極體Lb的電極E1、E2位於發光二極體Lb背對第二轉置基底TS2的一側。
請參考圖3D，以類似圖3A至圖3C的方式將一個或多個發光二極體Lg移至第二轉置基底TS2上。發光二極體Lg包括半導體堆疊層SM2以及電極E1、E2。發光二極體Lg的結構類似於圖1的發光二極體L或圖2的發光二極體La。相關說明請參考圖1以及圖2。
以類似圖3A至圖3C的方式將一個或多個發光二極體Lr移至第二轉置基底TS2上。發光二極體Lr包括半導體堆疊層SM3以及電極E1、E2。發光二極體Lr的結構類似於圖1的發光二極體L或圖2的發光二極體La。相關說明請參考圖1以及圖2。
在本實施例中，發光二極體Lb、發光二極體Lg以及發光二極體Lr分別為藍色發光二極體、綠色發光二極體以及紅色發光二極體。在本實施例中，發光二極體Lb、發光二極體Lg以及發光二極體Lr依序轉置於第二轉置基底TS2上，但本發明並未限制發光二極體Lb、發光二極體Lg以及發光二極體Lr轉置於第二轉置基底TS2上的順序。發光二極體Lb、發光二極體Lg以及發光二極體Lr轉置於第二轉置基底TS2上的順序可以依照實際需求而進行調整。
請參考圖3E，將發光二極體Lb、Lg、Lr自第二轉置基底TS2轉置於電路基板200。在本實施例中，在第二轉置基底TS2上之發光二極體Lb、Lg、Lr之間的間距約等於在電路基板200上之發光二極體Lb、Lg、Lr之間的間距。電路基板200為硬性基板或軟性基板。
在本實施例中，電路基板200包括多個接墊P。電路基板每個發光二極體Lb、Lg、Lr的位置對應於電路基板200的兩個接墊P。接墊P電性連接至電路基板200中的主動元件（未繪出）或訊號線（未繪出）。在一些實施例中，其他額外的驅動晶片（如微晶片（micro chips））或驅動電路板（包含以覆晶薄膜封裝技術製作的驅動晶片）接合至電路基板200上。在一些實施例中，電路基板200適用於顯示面板內或背光模組內。
在一些實施例中，接墊P所選用之材料包括金、鎳、銅、錫、銦、錫銀混合金屬、錫銅混合金屬、錫銀銅混合金屬或前述材料的組合或堆疊。
在一些實施例中，第二轉置基底TS2的基底SB2包括導熱材料。將第二轉置基底TS2壓於電路基板200上，接著藉由第二轉置基底TS2將熱傳至發光二極體Lb、Lg、Lr，以對發光二極體Lb、Lg、Lr加熱。發光二極體Lb、Lg、Lr的電極E1、E2中的金屬層SR分別連接至電路基板200的對應的接墊P。
在一些實施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、藍寶石或其他適合的材料。將第二轉置基底TS2壓於電路基板200上，接著以雷射透過基底SB2照射至發光二極體Lb、Lg、Lr，以對發光二極體Lb、Lg、Lr加熱。發光二極體Lb、Lg、Lr的電極E1、E2中的金屬層SR分別連接至電路基板200的對應的接墊P。
請繼續參考圖3E，在使發光二極體Lb、Lg、Lr電性連接至電路基板200後，移除第二轉置基底TS2。在本實施例中，發光二極體Lb、Lg、Lr包括不同顏色的發光二極體（例如藍色、綠色以及紅色），但本發明不以此為限。在其他實施例中，僅將單一顏色的發光二極體轉置於電路基板200，並藉由其他色彩轉換元件（例如量子點（Quantum dot）材料或者磷光體（Phosphor））的材料等)將單一顏色的發光二極體發出的光線轉換成其他顏色的光線。換句話說，在其他實施例中，可以省略形成另外兩種顏色的發光二極體以及轉移另外兩種顏色的發光二極體的步驟。
圖4A至圖4C是依照本發明的一實施例的一種發光二極體顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。
請參考圖4A，以類似圖3A至圖3D的方式將發光二極體Lb、Lg、Lr轉置於第二轉置基底TS2上，然而，與圖3A至圖3D之實施例的差別在於：在圖4A的實施例中，發光二極體Lb、Lg、Lr各自的電極E1、E2不包含低熔點金屬（例如不包含金屬層SR）。
請參考圖4B，於電路基板200的接墊P上形成銲料SR1或導電膠（未繪出）。在一些實施例中，形成銲料SR1的方式包括印刷、蒸鍍、電鍍或其他合適的方法。在一些實施例中，導電膠例如是整面形成於電路基板200上的異方性導電膠。
請參考圖4C，將發光二極體Lb、Lg、Lr自第二轉置基底TS2轉置於電路基板200。在本實施例中，在第二轉置基底TS2上之發光二極體Lb、Lg、Lr之間的間距約等於在電路基板200上之發光二極體Lb、Lg、Lr之間的間距。電路基板200為硬性基板或軟性基板。
在一些實施例中，第二轉置基底TS2的基底SB2包括導熱材料。將第二轉置基底TS2壓於電路基板200上，接著藉由第二轉置基底TS2將熱傳至銲料SR1，以對銲料SR1加熱。發光二極體Lb、Lg、Lr的電極E1、E2透過銲料SR1而分別電性連接至電路基板200的對應的接墊P。
在一些實施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、藍寶石或其他適合的材料。將第二轉置基底TS2壓於電路基板200上，接著以雷射透過基底SB2照射至銲料SR1，以對銲料SR1加熱。發光二極體Lb、Lg、Lr的電極E1、E2透過銲料SR1而分別電性連接至電路基板200的對應的接墊P。
請繼續參考圖4C，在使發光二極體Lb、Lg、Lr電性連接至電路基板200後，移除第二轉置基底TS2。在本實施例中，發光二極體Lb、Lg、Lr包括不同顏色的發光二極體（例如藍色、綠色以及紅色），但本發明不以此為限。在其他實施例中，僅將單一顏色的發光二極體轉置於電路基板200，並藉由其他色彩轉換元件將單一顏色的發光二極體發出的光線轉換成其他顏色的光線。換句話說，在其他實施例中，可以省略形成其他兩種發光二極體以及轉移其他兩種發光二極體的步驟。
在本實施例中，銲料SR1形成於電路基板200的接墊P上，但本發明不以此為限。在其他實施例中，形成焊料SR1於發光二極體Lb、Lg、Lr的電極E1、E2上。
圖5A至圖5D是依照本發明的一實施例的一種發光二極體顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。
請參考圖5A，形成多個發光二極體Lb於生長基板100a上。在本實施例中，生長基板100a包括基底102以及繫連結構104。在一些實施例中，形成犧牲層（未繪出）以及繫連結構104於基底102上，接著形成連接繫連結構104的發光二極體Lb，然後移除犧牲層以使發光二極體Lb與基底102之間具有間隙。在移除犧牲層之後，發光二極體Lb固定於生長基板100a上的繫連結構104上。
在本實施例中，各發光二極體Lb包括半導體堆疊層SM1以及兩個電極E1、E2。兩個電極E1、E2形成於半導體堆疊層SM1上。發光二極體Lb的結構類似於圖1的發光二極體L或圖2的發光二極體La。相關說明請參考圖1以及圖2。
在本實施例中，發光二極體Lb的電極E1、E2位於發光二極體Lb背對基底102的一側。
以轉移裝置TD提取一個或多個發光二極體Lb。在將發光二極體Lb自生長基板100a上提起時，繫連結構104會因為受力而斷裂。在一些實施例中，部分斷裂的繫連結構104’殘留於被提起的發光二極體Lb上，另一部分斷裂的繫連結構104’’則殘留於基底102上，但本發明不以此為限。
在本實施例中，轉移裝置TD的黏性材料例如包括聚二甲基矽氧烷（Polydimethylsiloxane，PDMS）等，且轉移裝置TD藉由轉移裝置TD與發光二極體Lb之間的凡德瓦力將發光二極體Lb提起。在其他實施例中，轉移裝置TD例如是以真空吸引力或靜電等其他方式將發光二極體Lb提起。
請參考圖5B，藉由轉移裝置TD將一個或多個發光二極體Lb轉置於第一轉置基底TS1上。第一轉置基底TS1包括基底SB1以及黏著層AD1。在一些實施例中，基底SB1包括導熱材料，例如陶瓷、金屬或其他適合的材料。在一些實施例中，基底SB1包括透明材料，例如玻璃、藍寶石或其他適合的材料。
使發光二極體Lb固定於第一轉置基底TS1的黏著層AD1上，接著移除轉移裝置TD。
在本實施例中，發光二極體Lb的電極E1、E2位於發光二極體Lb背對第一轉置基底TS1的一側。
請參考圖5C，藉由類似圖5A至圖5B的方法形成發光二極體Lg、Lr，並將發光二極體Lg、Lr轉置於第一轉置基底TS1上。
請參考圖5D，翻轉第一轉置基底TS1，並將發光二極體Lb、Lg、Lr自第一轉置基底TS1轉置於電路基板200。在本實施例中，在第一轉置基底TS1上之發光二極體Lb、Lg、Lr之間的間距約等於在電路基板200上之發光二極體Lb、Lg、Lr之間的間距。
在本實施例中，電路基板200包括多個接墊P。接墊P電性連接至電路基板200中的主動元件（未繪出）或訊號線（未繪出）。每個發光二極體Lb、Lg、Lr的位置對應於電路基板200的兩個接墊P。
在一些實施例中，第一轉置基底TS1的基底SB1包括導熱材料。將第一轉置基底TS1壓於電路基板200上，接著藉由第一轉置基底TS1將熱傳至發光二極體Lb、Lg、Lr，以對發光二極體Lb、Lg、Lr加熱。發光二極體Lb、Lg、Lr的電極E1、E2中的金屬層SR分別連接至電路基板200的對應的接墊P。
在一些實施例中，基底SB1包括透明材料，例如玻璃、藍寶石或其他適合的材料。將第一轉置基底TS1壓於電路基板200上，接著以雷射透過基底SB1照射至發光二極體Lb、Lg、Lr，以對發光二極體Lb、Lg、Lr加熱。發光二極體Lb、Lg、Lr的電極E1、E2中的金屬層SR分別連接至電路基板200的對應的接墊P。
請繼續參考圖5D，在將發光二極體Lb、Lg、Lr電性連接至電路基板200之後，移除第一轉置基底TS1。
圖6A至圖6E是依照本發明的一實施例的一種發光二極體顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。
請參考圖6A，形成多個發光二極體Lb於生長基板100a上。在本實施例中，生長基板100a包括基底102以及繫連結構104。在一些實施例中，形成犧牲層（未繪出）以及繫連結構104於基底102上，接著形成連接繫連結構104的發光二極體Lb，然後在移除犧牲層以使發光二極體Lb與基底102之間具有間隙。在移除犧牲層之後，發光二極體Lb固定於生長基板100a上的繫連結構104上。
在本實施例中，各發光二極體Lb包括半導體堆疊層SM1以及兩個電極E1、E2。兩個電極E1、E2形成於半導體堆疊層SM1上。發光二極體Lb的結構類似於圖1的發光二極體L或圖2的發光二極體La。相關說明請參考圖1以及圖2。
在本實施例中，發光二極體Lb的電極E1、E2位於發光二極體Lb面對基底102的一側。
以轉移裝置TD提取一個或多個發光二極體Lb。在將發光二極體Lb自生長基板100a上提起時，繫連結構104會因為受力而斷裂。在一些實施例中，部分斷裂的繫連結構104’殘留於被提起的發光二極體Lb上，另一部分斷裂的繫連結構104’’殘留於基底102上，但本發明不以此為限。
在本實施例中，轉移裝置TD的黏性材料(例如包括聚二甲基矽氧烷)等，且轉移裝置TD藉由轉移裝置TD與發光二極體Lb之間的凡德瓦力將發光二極體Lb提起。在其他實施例中，轉移裝置TD例如是以真空吸引力或靜電等其他方式將發光二極體Lb提起。
請參考圖6A與圖6B，藉由轉移裝置TD將發光二極體Lb轉置於第一轉置基底TS1上。
在本實施例中，第一轉置基底TS1包括基底SB1以及黏著層AD1。在一些實施例中，第一轉置基底TS1為膠帶，且基底SB1包括軟性材料。在一些實施例中，基底SB1為透明基底，且材料例如為玻璃、藍寶石或其他適合的材料。
在本實施例中，將部分的發光二極體Lb轉置於第一轉置基底TS1上，另一部分的發光二極體Lb留在生長基板100上。在其他實施例中，將全部的發光二極體Lb轉置於第一轉置基底TS1上。在本實施例中，發光二極體Lb的電極E1、E2位於發光二極體Lb朝向第一轉置基底TS1的一側。
請參考圖6C，將其中一個或多個發光二極體Lb自第一轉置基底TS1轉置於第二轉置基底TS2。第二轉置基底TS2包括基底SB2以及黏著層AD2。在一些實施例中，基底SB2包括導熱材料，例如陶瓷、金屬或其他適合的材料。在一些實施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、藍寶石或其他適合的材料。
在本實施例中，第一轉置基底TS1的基底SB1為透明基底。在將第一轉置基底TS1移至第二轉置基底TS2上之後，從基底SB1的一側以雷射LS照射發光二極體Lb，並藉由雷射轉移的方式將至少部分的發光二極體Lb自第一轉置基底TS1轉置於第二轉置基底TS2的黏著層AD2上。
在其他實施例中，第一轉置基底TS1包括膠帶，且黏著層AD2的黏性大於黏著層AD1的黏性。將第二轉置基底TS2貼合至第一轉置基底TS1上的發光二極體Lb之後，移除第一轉置基底TS1。由於黏著層AD2的黏性大於黏著層AD1的黏性，因此將第一轉置基底TS1移除後，發光二極體Lb留在第二轉置基底TS2上。
在本實施例中，部分的發光二極體Lb轉移至第二轉置基底TS2上，另一部分的發光二極體Lb留在第一轉置基底TS1上，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一轉置基底TS1上的發光二極體Lb全部轉移至第二轉置基底TS2上。
在本實施例中，發光二極體Lb的電極E1、E2位於發光二極體Lb背對第二轉置基底TS2的一側。
請參考圖6D，以類似圖6A至圖6C的方式將一個或多個發光二極體Lg、Lr移至第二轉置基底TS2上。發光二極體Lg包括半導體堆疊層SM2以及電極E1、E2，且發光二極體Lr包括半導體堆疊層SM3以及電極E1、E2。發光二極體Lg、Lr的結構類似於圖1的發光二極體L或圖2的發光二極體La。相關說明請參考圖1以及圖2。
請參考圖6E，將發光二極體Lb、Lg、Lr自第二轉置基底TS2轉置於電路基板200。在本實施例中，在第二轉置基底TS2上之發光二極體Lb、Lg、Lr之間的間距約等於在電路基板200上之發光二極體Lb、Lg、Lr之間的間距。
在本實施例中，電路基板200包括多個接墊P。接墊P電性連接至電路基板200中的主動元件（未繪出）或訊號線（未繪出）。每個發光二極體Lb、Lg、Lr的位置對應於電路基板200的兩個接墊P。
在一些實施例中，第二轉置基底TS2的基底SB2包括導熱材料。將第二轉置基底TS2壓於電路基板200上，接著藉由第二轉置基底TS2將熱傳至發光二極體Lb、Lg、Lr，以對發光二極體Lb、Lg、Lr加熱。發光二極體Lb、Lg、Lr的電極E1、E2中的金屬層SR分別連接至電路基板200的對應的接墊P。
在一些實施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、藍寶石或其他適合的材料。將第二轉置基底TS2壓於電路基板200上，接著以雷射透過基底SB2照射至發光二極體Lb、Lg、Lr，以對發光二極體Lb、Lg、Lr加熱。發光二極體Lb、Lg、Lr的電極E1、E2中的金屬層SR分別連接至電路基板200的對應的接墊P。
請繼續參考圖6E，在將發光二極體Lb、Lg、Lr電性連接至電路基板200之後，移除第二轉置基底TS2。
圖7A至圖7J是依照本發明的一實施例的一種修復發光二極體顯示裝置的方法的示意圖。
圖7B是圖7A線A-A’的剖面示意圖。請參考圖7A與圖7B，提供發光二極體顯示裝置D1。發光二極體顯示裝置D1包括電路基板200、多個第一發光二極體L1以及一個或多個第二發光二極體L2。檢測發光二極體顯示裝置D1，其中第二發光二極體L2不能正常發光。
在本實施例中，將第一發光二極體L1與第二發光二極體L2轉置於電路基板200上的方法可以參照前述任一實施例，於此不再贅述。在本實施例中，第一發光二極體L1與第二發光二極體L2各自包括半導體堆疊層SM以及電性連接至半導體堆疊層SM的兩個電極E1、E2。在本實施例中，第一發光二極體L1與第二發光二極體L2為相同顏色的發光二極體（例如藍色發光二極體、紅色發光二極體或綠色發光二極體），第一發光二極體L1與第二發光二極體L2例如可以形成於同一個生長基板上，接著再將第一發光二極體L1與第二發光二極體L2轉置於電路基板200上，但本發明不限於此。
在本實施例中，第一發光二極體L1分別對應於電路基板200的多個第一放置區設置R1。在一些實施例中，第一發光二極體L1電性連接至第一放置區R1中的第一接墊P1。第二發光二極體L2對應於電路基板200的第二放置區R2設置。在一些實施例中，第二發光二極體L2本身故障，因此即使第二發光二極體L2連接至第二放置區R2中的第一接墊P2，第二發光二極體L2仍不能正常發光。在一些實施例中，第二發光二極體L2在轉置過程中發生偏移、失敗或者發光二極體不良等的問題，導致第二發光二極體L2沒有準確地與第二接墊P2接合或者不能正常發光。
在本實施例中，發光二極體顯示裝置D1中的多個發光二極體故障L2，換句話說，發光二極體顯示裝置D1包括多個第二發光二極體L2，多個第二發光二極體L2分別對應於電路基板200的多個第二放置區R2設置。在其他實施例中，發光二極體顯示裝置D1中的一個發光二極體故障，換句話說，發光二極體顯示裝置D1包括一個第二發光二極體L2，一個第二發光二極體L2對應於電路基板200的一個第二放置區R2設置。
圖7D是圖7C線A-A’的剖面示意圖。請參考圖7C與圖7D，將第二發光二極體L2自電路基板200移除。舉例來說，藉由發光二極體移除模組PD將第二發光二極體L2自電路基板200上移除。移除模組PD為黏性吸頭、真空吸嘴、雷射模組或者任何種類的移除機器(remove machine)。
在一些實施例中，在將第二發光二極體L2自電路基板200上移除之後，第二發光二極體L2的金屬層SR部分殘留於電路基板200的第二接墊P2上。舉例來說，藉由移除模組PD對發光二極體L2加熱或者雷射等方式使發光二極體L2的電極E1、E2中的金屬層SR熔化，而將第二發光二極體L2移除。部分熔化的金屬層SRb殘留於第二接墊P2上，另一部分的金屬層SRa隨著第二發光二極體L2被移除而一起被提起。
圖7F是圖7E線A-A’的剖面示意圖。請參考圖7E與圖7F，提供一個發光二極體基板30。發光二極體基板30的結構類似於圖1的發光二極體基板10或圖2的發光二極體基板20。在本實施例中，發光二極體基板30包括生長基板300以及位於生長基板上的多個第三發光二極體L3以及多個第四發光二極體L4。發光二極體基板30之第三發光二極體L3包括半導體堆疊層SM以及電性連接至半導體堆疊層SM的兩個電極E1、E2。在本實施例中，第一發光二極體L1、第二發光二極體L2、第三發光二極體L3以及第四發光二極體L4具有類似的結構，且所述結構類似於圖1的發光二極體L或圖2的發光二極體La。在本實施例中，第一發光二極體L1、第二發光二極體L2、第三發光二極體L3與第四發光二極體L4皆為相同顏色的發光二極體。
提供一個第一轉置基板TS3。第一轉置基底TS3包括基底SB3以及位於基底SB3上的黏著層AD3。
基於第二放置區R2的位置，將發光二極體基板30之一個或多個第三發光二極體L3轉置於第一轉置基板TS3的黏著層AD3上。舉例來說，在將多個第三發光二極體L3轉置於第一轉置基板TS3之後，第一轉置基板TS3上之多個第三發光二極體L3的排列方式等於電路基板200上之多個第二放置區R2的排列方式。因此，不需要再調整相鄰之第三發光二極體L3之間的間距就可以在後續的製程中將第三發光二極體L3轉置於電路基板200的第二放置區R2上。
在一些實施例中，將發光二極體基板30之一個或多個第三發光二極體L3轉置於第一轉置基板TS3的方法包括雷射剝離(Laser Lift-off)等。在一些實施例中，在將第三發光二極體L3轉置於第一轉置基板TS3之後，第四發光二極體L4留在生長基板300上。換句話說，藉由雷射將所需的第三發光二極體L3轉置於第一轉置基板TS3。
圖7H是圖7G線A-A’的剖面示意圖。請參考圖7G與圖7H，提供一個第二轉置基板TS4。第二轉置基底TS4包括基底SB4以及位於基底SB4上的黏著層AD4。
將第一轉置基板TS3上之第三發光二極體L3轉置於第二轉置基板TS4。在本實施例中，多個第三發光二極體L3在第一轉置基板TS3上的排列方式對稱於多個第三發光二極體L3在第二轉置基板TS4上的排列方式。舉例來說，在將第一轉置基板TS3反轉並將第三發光二極體L3轉置於第二轉置基板TS4之後，第三發光二極體L3的排列方式會鏡像對稱於其未轉置於第二轉置基板TS4之前的排列方式。
在本實施例中，第一轉置基底TS3包括膠帶，且基底SB3包括軟性材料。黏著層AD4的黏性大於黏著層AD3的黏性。將第二轉置基底TS4貼合至第一轉置基底TS3上的第三發光二極體L3之後（例如移動第二轉置基底TS4以使第二轉置基底TS4接觸第三發光二極體L3及/或移動第一轉置基底TS3以使第二轉置基底TS4接觸第三發光二極體L3），移除第一轉置基底TS3。由於黏著層AD4的黏性大於黏著層AD3的黏性，因此將第一轉置基底TS3移除後，第三發光二極體L3留在第二轉置基底TS4上。
在其他實施例中，第一轉置基底TS3的基底SB3為透明基底。移動第一轉置基底TS3或第二轉置基底TS4以使第一轉置基底TS3與第二轉置基底TS4重疊，接著從基底SB3的一側以雷射照射第三發光二極體L3，並藉由雷射轉移的方式將第三發光二極體L3自第一轉置基底TS3轉置於第二轉置基底TS4的黏著層AD4上。
圖7J是圖7I線A-A’的剖面示意圖。請參考圖7I與圖7J，將第二轉置基板TS4重疊於電路基板200。第三發光二極體L3位於第二轉置基板TS4朝向電路基板200的一側。第三發光二極體L3的位置重疊於第二放置區R2。
在一些實施例中，在將第二轉置基板TS4重疊於電路基板200時，第三發光二極體L3接觸電路基板200的第二接墊P2，且第一發光二極體L1接觸第二轉置基板TS4。
在一些實施例中，在將第二轉置基板TS4重疊於電路基板200時，在垂直於第二轉置基板TS4的方向DR1上，第三發光二極體L3不重疊於第一發光二極體L1。
將第二轉置基板TS4上之第三發光二極體L3電性連接至電路基板200。舉例來說，加熱第三發光二極體L3，以使第三發光二極體L3的金屬層SR電性連接至原本對應至第二發光二極體L2的第二接墊P2。在一些實施例中，第三發光二極體L3的金屬層SR會與第二發光二極體L2殘留於第二接墊P2上的金屬層SRb（繪於圖7D）彼此融合。在一些實施例中，對第二轉置基板TS4加熱並使熱量傳導至第三發光二極體L3或於第二轉置基板TS4的一側以雷射加熱第三發光二極體L3。在一些實施例中，對第三發光二極體L3加熱，使金屬層SR共晶接合至電路基板200的多個第二接墊P2。
在本實施例中，將第三發光二極體L3放置於原本對應至第二發光二極體L2的第二接墊P2上，但本發明不以此為限。在其他實施例中，每個第一放置區R1以及每個第二放置區R2中都設置有用於修復的冗餘接墊（redundancy pad，未繪出），將第三發光二極體L3放置於第二放置區R2中的冗餘接墊上，並使第三發光二極體L3藉由冗餘接墊而電性連接至電路基板200中的其他元件。
在本實施例中，由於第三發光二極體L3的電極E1、E2包括金屬層SR，因此，不需要於電路基板200上額外形成錫球或導電膠就能將第三發光二極體L3接合至電路基板200，此外，還不會因為額外形成的錫球或導電膠偏移而導致修復失敗。換句話說，第三發光二極體L3的金屬層SR提升了修復製程的良率與精度。
在使第三發光二極體L3電性連接至電路基板200之後，移除第二轉置基板TS4。
在本實施例中，第一發光二極體L1以及第三發光二極體L3包括相同顏色的發光二極體，並藉由其他色彩轉換元件（例如量子點（Quantum dot）或者磷光體(Phosphor)）的材料等）將第一發光二極體L1以及第三發光二極體L3發出的光線轉換成其他顏色的光線。
基於上述，在一些實施例中，將第三發光二極體L3轉置於電路基板200的方法至少部分相同於將第一發光二極體L1以及第二發光二極體L2轉置於電路基板200（例如都有透過雷射舉離將發光二極體自生長基板上轉置於第一轉置基板上），因此，將第三發光二極體L3轉置於電路基板200所需要的設備至少部分相同於將第一發光二極體L1以及第二發光二極體L2轉置於電路基板200所需要的設備，藉此節省設備成本。在一些實施例中，可以同時將多個第三發光二極體L3轉置於電路基板200上，因此，能減少修復製程所需要的時間。
圖8A至圖8D是依照本發明的一實施例的一種修復發光二極體顯示裝置的方法的剖面示意圖。
請參考圖8A，提供發光二極體顯示裝置D2。發光二極體顯示裝置D2包括電路基板200、多個第一發光二極體L1以及一個或多個第二發光二極體L2。在本實施例中，低熔點金屬（例如金屬層SR）沒有形成於第一發光二極體L1以及第二發光二極體L2各自的電極E1、E2上。在本實施例中，於電路基板200的第一接墊P1以及第二接墊P2上形成銲料SR1，接著才將第一發光二極體L1以及第二發光二極體L2放置於電路基板200上。
在本實施例中，將第一發光二極體L1與第二發光二極體L2轉置於電路基板200上的方法可以參照前述任一實施例，於此不再贅述。在本實施例中，第一發光二極體L1與第二發光二極體L2為相同顏色的發光二極體（例如藍色發光二極體、紅色發光二極體或綠色發光二極體），第一發光二極體L1與第二發光二極體L2例如可以形成於同一個生長基板上，接著再將第一發光二極體L1與第二發光二極體L2轉置於電路基板200上。
在本實施例中，檢測發光二極體顯示裝置D2，其中第二發光二極體L2不能正常發光。在一些實施例中，發光二極體顯示裝置中的一個或多個發光二極體L2故障。
請參考圖8B，將第二發光二極體L2自電路基板200移除。舉例來說，藉由移除模組PD將第二發光二極體L2自電路基板200上移除。移除模組PD為黏性吸頭、真空吸嘴、雷射模組或者任何種類的移除機器。
在本實施例中，部分熔化的銲料SR1b殘留於第二接墊P2上，另一部分的銲料SR1a隨著第二發光二極體L2一起被提起。
請參考圖8C，於電路基板200的第二接墊P2上形成銲料SR1’或導電膠（未繪出）。在一些實施例中，形成銲料SR1’的方式包括印刷、蒸鍍、電鍍或其他合適的方法。
在本實施例中，銲料SR1’或導電膠形成於銲料SR1b上，但本發明不以此為限。在其他實施例中，每個第一放置區R1以及每個第二放置區R2中都設置有用於修復的冗餘接墊（redundancy pad，未繪出），SR1’形成於冗餘接墊上。
請參考圖8D，將第三發光二極體L3轉置於電路基板200。在本實施例中，將第三發光二極體L3轉置於電路基板200的方法類似於圖7C至圖7E所述，但差異在於本實施例中的第三發光二極體L3未包含金屬層SR。
將第二轉置基板TS4上之第三發光二極體L3電性連接至電路基板200。舉例來說，加熱第三發光二極體L3，以使銲料SR1’電性連接第三發光二極體L3至原本對應至第二發光二極體L2的第二接墊P2。在一些實施例中，銲料SR1’會與第二發光二極體L2殘留於第二接墊P2上的金屬層SR1b彼此融合。在一些實施例中，對第二轉置基板TS4加熱並使熱量傳導至第三發光二極體L3或於第二轉置基板TS4的一側以雷射加熱第三發光二極體L3。在一些實施例中，對第三發光二極體L3加熱，使銲料SR1’共晶接合至第三發光二極體L3的電極E1、E2。
在本實施例中，將第三發光二極體L3放置於原本對應至第二發光二極體L2的第二接墊P2上，但本發明不以此為限。在其他實施例中，將第三發光二極體L3放置於第二放置區R2中的冗餘接墊上，並使第三發光二極體L3藉由冗餘接墊而電性連接至電路基板200中的其他元件。
在本實施例中，銲料SR1’或導電膠形成於電路基板200上，但本發明不以此為限。
在將第三發光二極體L3電性連接至電路基板200之後，移除第二轉置基板TS4。
圖9A至圖9Q是依照本發明的一實施例的一種修復發光二極體顯示裝置的方法的剖面示意圖。
圖9B是圖9A線B-B’的剖面示意圖。請參考圖9A與圖9B，提供發光二極體顯示裝置D3。發光二極體顯示裝置D3包括電路基板200、多個第一發光二極體L1以及一個或多個第二發光二極體L2。檢測發光二極體顯示裝置D3，其中第二發光二極體L2不能正常發光。
在本實施例中，第一發光二極體L1包括第一紅色發光二極體L1r、第一綠色發光二極體L1g以及第一藍色發光二極體L1b，且第一放置區R1包括第一紅色放置區R1r、第一綠色放置區R1g以及第一藍色放置區R1b。第一紅色發光二極體L1r、第一綠色發光二極體L1g以及第一藍色發光二極體L1b分別對應於第一紅色放置區R1r、第一綠色放置區R1g以及第一藍色放置區R1b設置。在一些實施例中，第一紅色發光二極體L1r、第一綠色發光二極體L1g以及第一藍色發光二極體L1b分別電性連接至第一紅色放置區R1r、第一綠色放置區R1g以及第一藍色放置區R1b中的第一接墊P1。
在本實施例中，第二發光二極體L2包括第二紅色發光二極體L2r、第二綠色發光二極體L2g以及第二藍色發光二極體L2b，且第二放置區R2包括第二紅色放置區R2r、第二綠色放置區R2g以及第二藍色放置區R2b。第二紅色發光二極體L2r、第二綠色發光二極體L2g以及第二藍色發光二極體L2b分別對應於第二紅色放置區R2r、第二綠色放置區R2g以及第二藍色放置區R2b設置。
在本實施例中，將第一發光二極體L1與第二發光二極體L2轉置於電路基板200上的方法可以參照前述任一實施例，於此不再贅述。在本實施例中，不同顏色的發光二極體形成於不同的生長基板上，接著再分別轉置於電路基板200上。
請參考圖9C，將第二紅色發光二極體L2r、第二綠色發光二極體L2g以及第二藍色發光二極體L2b自電路基板200移除。舉例來說，藉由移除模組PD將第二紅色發光二極體L2r、第二綠色發光二極體L2g以及第二藍色發光二極體L2b自電路基板200上移除。移除模組PD為黏性吸頭、真空吸嘴、雷射模組或者任何種類的移除機器。
在一些實施例中，在將第二發光二極體L2自電路基板200上移除之後，第二發光二極體L2的金屬層部分殘留於電路基板200的第二接墊P2上。
請參考圖9D到圖9O，提供多個發光二極體基板，各發光二極體基板包括至少一個第三發光二極體。在本實施例中，多個發光二極體基板包括紅色發光二極體基板30r、綠色發光二極體基板30g以及藍色發光二極體基板30b。紅色發光二極體基板30r包括第三紅色發光二極體L3r。綠色發光二極體基板30g包括第三綠色發光二極體L3g。藍色發光二極體基板30b包括第三藍色發光二極體L3b。
提供多個第一轉置基板，基於第二放置區R2的位置，將各發光二極體基板之第三發光二極體分別轉置於第一轉置基板中對應的一者。將各第一轉置基板上之第三發光二極體轉置於第二轉置基板TS4。在本實施例中，多個第一轉置基板包括一紅色轉置基板TS3r、綠色轉置基板TS3g以及藍色轉置基板TS3b。
圖9E是圖9D線B-B’的剖面示意圖。請參考圖9E與圖9D，紅色發光二極體基板30r包括生長基板300r以及位於生長基板300r上的第三紅色發光二極體L3r。基於第二紅色放置區R2r的位置，將紅色發光二極體基板30r之第三紅色發光二極體L3r轉置於紅色轉置基板TS3r。在一些實施例中，紅色轉置基板TS3r包括基底SB3以及位於基底SB3上的黏著層AD3。
在一些實施例中，將紅色發光二極體基板30r之第三紅色發光二極體L3r轉置於紅色轉置基板TS3r的方法包括雷射剝離。在一些實施例中，紅色發光二極體基板30r還包括位於生長基板300r上多個第四紅色發光二極體L4r。在將第三紅色發光二極體L3r轉置於紅色轉置基板TS3r之後，第四紅色發光二極體L4r留在生長基板300r上。換句話說，藉由雷射將所需的第三紅色發光二極體L3r轉置於紅色轉置基板TS3r。在本實施例中，第三紅色發光二極體L3r以及第四紅色發光二極體L4r皆包括半導體堆疊層SM3以及位於半導體堆疊層SM3上的電極E1、E2。
圖9G是圖9F線B-B’的剖面示意圖。請參考圖9F與圖9G，將紅色轉置基板TS3r上之第三紅色發光二極體L3r轉置於第二轉置基板TS4。
圖9I是圖9H線B-B’的剖面示意圖。請參考圖9H與圖9I，綠色發光二極體基板30g包括生長基板300g以及位於生長基板300g上的第三綠色發光二極體L3g。基於第二綠色放置區R2g的位置，將綠色發光二極體基板30g之第三綠色發光二極體L3g轉置於綠色轉置基板TS3g。
在一些實施例中，將綠色發光二極體基板30g之第三綠色發光二極體L3g轉置於綠色轉置基板TS3g的方法包括雷射剝離。在一些實施例中，綠色發光二極體基板30g還包括位於生長基板300g上多個第四綠色發光二極體L4g。在將第三綠色發光二極體L3g轉置於紅色轉置基板TS3g之後，第四綠色發光二極體L4g留在生長基板300g上。換句話說，藉由雷射將所需的第三綠色發光二極體L3g轉置於綠色轉置基板TS3g。在本實施例中，第三綠色發光二極體L3g以及第四綠色發光二極體L4g皆包括半導體堆疊層SM2以及位於半導體堆疊層SM2上的電極E1、E2。
圖9K是圖9J線B-B’的剖面示意圖。請參考圖9J與圖9K，將綠色轉置基板TS3g上之第三綠紅色發光二極體L3g轉置於第二轉置基板TS4。
圖9M是圖9L線B-B’的剖面示意圖。請參考圖9L與圖9M，藍色發光二極體基板30b包括生長基板300b以及位於生長基板300b上的第三藍色發光二極體L3b。基於第二藍色放置區R2b的位置，將藍色發光二極體基板30b之第三藍色發光二極體L3b轉置於藍色轉置基板TS3b。
在一些實施例中，將藍色發光二極體基板30b之第三藍色發光二極體L3b轉置於藍色轉置基板TS3b的方法包括雷射剝離。在一些實施例中，藍色發光二極體基板30b還包括位於生長基板300b上多個第四藍色發光二極體L4b。在將第三藍色發光二極體L3b轉置於藍色轉置基板TS3b之後，第四藍色發光二極體L4b留在生長基板300b上。換句話說，藉由雷射將所需的第三藍色發光二極體L3b轉置於藍色轉置基板TS3b。在本實施例中第三藍色發光二極體L3b以及第四藍色發光二極體L4b皆包括半導體堆疊層SM1以及位於半導體堆疊層SM1上的電極E1、E2。
圖9O是圖9N線B-B’的剖面示意圖。請參考圖9N與圖9O，將藍色轉置基板TS3b上之第三藍色發光二極體L3b轉置於第二轉置基板TS4。
圖9Q是圖9P線B-B’的剖面示意圖。請參考圖9P與圖9Q，將第二轉置基板TS4重疊於電路基板200。第三紅色發光二極體L3r、第三綠色發光二極體L3g以及第三藍色發光二極體L3b位於第二轉置基板TS4朝向電路基板200的一側。第三紅色發光二極體L3r、第三綠色發光二極體L3g以及第三藍色發光二極體L3b的位置分別重疊於第二紅色放置區R2r、第二綠色放置區R2g以及第二藍色放置區R2b。
將第二轉置基板TS4上之第三紅色發光二極體L3r、第三綠色發光二極體L3g以及第三藍色發光二極體L3b電性連接至電路基板200。舉例來說，加熱第三紅色發光二極體L3r、第三綠色發光二極體L3g以及第三藍色發光二極體L3b，以使第三紅色發光二極體L3r、第三綠色發光二極體L3g以及第三藍色發光二極體L3b的金屬層SR電性連接至原本對應至第二發光二極體L2的第二接墊P2。
在其他實施例中，第三紅色發光二極體L3r、第三綠色發光二極體L3g以及第三藍色發光二極體L3b不包括金屬層SR。因此，在將第三紅色發光二極體L3r、第三綠色發光二極體L3g以及第三藍色發光二極體L3b電性連接至電路基板200之前，於第三紅色發光二極體L3r、第三綠色發光二極體L3g以及第三藍色發光二極體L3b上或電路基板200上形成銲料或導電膠，接著才將第三紅色發光二極體L3r、第三綠色發光二極體L3g以及第三藍色發光二極體L3b電性連接至電路基板200。
在本實施例中，將第三紅色發光二極體L3r、第三綠色發光二極體L3g以及第三藍色發光二極體L3b分別放置於原本對應至第二紅色發光二極體L2r、第二綠色發光二極體L2g以及第二藍色發光二極體L2b的第二接墊P2上，但本發明不以此為限。在其他實施例中，每個第一放置區R1以及每個第二放置區R2中都設置有用於修復的冗餘接墊（redundancy pad，未繪出），將第三紅色發光二極體L3r、第三綠色發光二極體L3g以及第三藍色發光二極體L3b放置於冗餘接墊上，並使第三紅色發光二極體L3r、第三綠色發光二極體L3g以及第三藍色發光二極體L3b藉由冗餘接墊而電性連接至電路基板200中的其他元件。
在將第三紅色發光二極體L3r、第三綠色發光二極體L3g以及第三藍色發光二極體L3b電性連接至電路基板200之後，移除第二轉置基板TS4。
在本實施例中，利用第二轉置基板TS4同時轉置不同顏色的發光二極體於電路基板200上，藉此同時修復不同顏色的發光二極體以降低修復製程所需要的時間與成本。
圖10A至圖10G是依照本發明的一實施例的一種轉置發光二極體的方法的上視示意圖。圖11A至圖11G分別是圖10A至圖10G中線a-a’的剖面上視示意圖。舉例來說，圖10A至圖10G以及圖11A至圖11G可適用於前述任一實施例中，將發光二極體自生長基板轉置於第一轉置基板的方法。
請參考圖10A與圖11A，提供第一轉置基板TS3以及支撐結構SP。支撐結構SP用於固定第一轉置基板TS3。在本實施例中，第一轉置基板TS3包括單層或多層軟性材料。在本實施例中，第一轉置基板TS3至少朝上的表面具有黏性。在一些實施例中，第一轉置基板TS3黏在支撐結構SP上。在一些實施例中，支撐結構SP為能夠固定第一轉置基板TS3的外框。
請參考圖10B與圖11B將發光二極體基板40之發光二極體L5轉置於第一轉置基板TS3上。支撐結構SP位於發光二極體基板40周圍。
在本實施例中，發光二極體基板40包括生長基板400以及形成於生長基板400上的發光二極體L5。將發光二極體基板40重疊於第一轉置基板TS3，其中發光二極體L5位於生長基板400以及第一轉置基板TS3之間。接著以雷射LS將選定的發光二極體L5自生長基板400上移除，並使選定的發光二極體L5固定於第一轉置基板TS3。在本實施例中，發光二極體L5包括半導體堆疊層以及形成於半導體堆疊層上的電極。電極位於半導體堆疊層朝向第一轉置基板TS3的一面。
在本實施例中，基於預定之轉置於電路基板後之發光二極體L5的間距，以雷射LS將發光二極體L5自生長基板400上移除。換句話說，在第一轉置基板TS3上即調整好將發光二極體L5的間距，因此在後續的轉置製程中不需要再改變發光二極體L5的間距。
在本實施例中，軟質的第一轉置基板TS3與硬質的發光二極體基板40貼合，能避免發光二極體基板40因為翹曲太大而影響雷射剝離製程的良率。
請參考圖10C與圖11C，移除生長基板400以及未從生長基板400上取下的發光二極體L5。
請參考圖10D與圖11D，選擇性地將保護膜PF覆蓋於第一轉置基板TS3上的發光二極體L5上。自第一轉置基板TS3上移除支撐結構SP。
請參考圖10E與圖11E，對轉置基板TS3照射紫外光，以減少轉置基板TS3的黏性。接著，移除支撐結構SP。在一些實施例中，保護膜PF適用於在移除支撐結構SP的製程中固定發光二極體L5，使發光二極體L5不會在移除支撐結構SP的製程中出現受損或難轉移等問題。在移除支撐結構SP後，自發光二極體L5上移除保護膜PF。在一些實施例中，保護膜PF包括黏性小於轉置基板TS3的材料或不具黏性的材料。
在一些實施例中，不需要額外設置保護膜PF就直接移除支撐結構SP。請參考圖10F與圖11F，將第一轉置基板TS3上之發光二極體L5轉置於第二轉置基板TS4。在本實施例中，第二轉置基板TS4包括基底SB4以及位於基底SB4上的黏著層AD4。黏著層AD2的黏性大於第一轉置基板TS3的黏性（第一轉置基板TS3照射紫外光之後的黏性）。
在將發光二極體L5轉置於第二轉置基板TS4之後，移除第一轉置基板TS3。
在一些實施例中，未設置保護膜PF於第一轉置基板TS3上，且在移除支撐結構SP之前，先將第二轉置基板TS4貼附於第一轉置基板TS3，藉此固定第一轉置基板TS3上的發光二極體L5，接著才移除支撐結構SP。
綜上所述，在修復發光二極體顯示裝置的過程中，藉由轉置基板將發光二極體轉置於電路基板上，藉此能節省修復發光二極體顯示裝置所需要的時間以及成本。
10、20、30、40:發光二極體基板 30r:紅色發光二極體基板 30g:綠色發光二極體基板 30b:藍色發光二極體基板 100、100a、300r、300g、300b、400:生長基板 102:基底 104:繫連結構 104’、104’’:斷裂的繫連結構 110:緩衝層 120:半導體層 130:第一半導體層 140:發光層 150:第二半導體層 160:第三半導體層 200:電路基板 E1、E2:電極 AD1、AD2、AD3、AD4:黏著層 C1:第一導電層 DR1:方向 i:絕緣層 L、La、L5:發光二極體 L1:第一發光二極體 L1r:第一紅色發光二極體 L1g:第一綠色發光二極體 L1b:第一藍色發光二極體 L2:第二發光二極體 L2r:第二紅色發光二極體 L2g:第二綠色發光二極體 L2b:第二藍色發光二極體 L3:第三發光二極體 L3r:第三紅色發光二極體 L3g:第三綠色發光二極體 L3b:第三藍色發光二極體 L4:第四發光二極體 L4r:第四紅色發光二極體 L4g:第四綠色發光二極體 L4b:第四藍色發光二極體 LS:雷射 P:接墊 P1:第一接墊 P2:第二接墊 PD:移除模組 PF:保護膜 R1:第一放置區 R1r:第一紅色放置區 R1g:第一綠色放置區 R1b:第一藍色放置區 R2:第二放置區 R2r:第二紅色放置區 R2g:第二綠色放置區 R2b:第二藍色放置區 SP:支撐結構 SM、SMa、SM1、SM2、SM3:半導體堆疊層 SR、SRa、SRb:金屬層 SR1、SR1’、SR1a、SR1b:銲料 T1、T2:厚度 TD:轉移裝置 TS1、TS3:第一轉置基底 TS3r:紅色轉置基板 TS3g:綠色轉置基板 TS3b:藍色轉置基板 TS2、TS4:第二轉置基底
圖1是依照本發明的一實施例的一種發光二極體基板的剖面示意圖。 圖2是依照本發明的一實施例的一種發光二極體基板的剖面示意圖。 圖3A至圖3E是依照本發明的一實施例的一種發光二極體顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。 圖4A至圖4C是依照本發明的一實施例的一種發光二極體顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。 圖5A至圖5D是依照本發明的一實施例的一種發光二極體顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。 圖6A至圖6E是依照本發明的一實施例的一種發光二極體顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。 圖7A至圖7J是依照本發明的一實施例的一種修復發光二極體顯示裝置的方法的示意圖。 圖8A至圖8D是依照本發明的一實施例的一種修復發光二極體顯示裝置的方法的剖面示意圖。 圖9A至圖9Q是依照本發明的一實施例的一種修復發光二極體顯示裝置的方法的剖面示意圖。 圖10A至圖10F是依照本發明的一實施例的一種轉置發光二極體的方法的上視示意圖。 圖11A至圖11F分別是圖10A至圖10F中線a-a’的剖面上視示意圖。
200:電路基板
DR1:方向
L1:第一發光二極體
L1r:第一紅色發光二極體
L1g:第一綠色發光二極體
L1b:第一藍色發光二極體
L3:第三發光二極體
L3r:第三紅色發光二極體
L3g:第三綠色發光二極體
L3b:第三藍色發光二極體
R1:第一放置區
R1r:第一紅色放置區
R1g:第一綠色放置區
R1b:第一藍色放置區
R2:第二放置區
R2r:第二紅色放置區
R2g:第二綠色放置區
R2b:第二藍色放置區
TS4:第二轉置基底

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置的製造方法，包括： 提供一發光二極體顯示裝置，該發光二極體顯示裝置包括： 一電路基板；以及 多個第一發光二極體，分別對應於該電路基板的多個第一放置區設置，且該些第一發光二極體電性連接至該電路基板； 一第二發光二極體，對應於該電路基板的一第二放置區設置； 檢測該發光二極體顯示裝置，其中該第二發光二極體不能正常發光； 將該第二發光二極體自該電路基板移除； 提供一發光二極體基板，該發光二極體基板包括一第三發光二極體； 提供一第一轉置基板； 基於該第二放置區的位置，將該發光二極體基板之一第三發光二極體轉置於一第一轉置基板； 將該第一轉置基板上之該第三發光二極體轉置於一第二轉置基板； 將該第二轉置基板重疊於該電路基板，其中該第三發光二極體位於該第二轉置基板朝向該電路基板的一側，其中該第三發光二極體的位置重疊於該第二放置區；以及 將第二轉置基板上之該第三發光二極體電性連接至該電路基板。
  2. 如請求項1所述的顯示裝置的製造方法，其中： 該發光二極體顯示裝置包括多個該第二發光二極體，多個該第二發光二極體分別對應於該電路基板的多個該第二放置區設置； 提供一個該發光二極體基板，該發光二極體基板包括多個該第三發光二極體；以及 提供一個該第一轉置基板，基於多個該第二放置區的位置，將該發光二極體基板之多個該第三發光二極體轉置於該第一轉置基板，其中多個該第三發光二極體在該第一轉置基板上的排列方式等於該電路基板之多個該第二放置區的排列方式； 將該第一轉置基板上之多個該第三發光二極體轉置於該第二轉置基板； 將該第二轉置基板重疊於該電路基板，其中多個該第三發光二極體的位置重疊於多個該第二放置區；以及 將該第二轉置基板上之多個該第三發光二極體電性連接至該電路基板。
  3. 如請求項2所述的顯示裝置的製造方法，其中多個該第三發光二極體在該第一轉置基板上的排列方式對稱於多個該第三發光二極體在該第二轉置基板上的排列方式。
  4. 如請求項1所述的顯示裝置的製造方法，其中： 該發光二極體顯示裝置包括多個該第二發光二極體，多個該第二發光二極體分別對應於該電路基板的多個該第二放置區設置； 提供多個該發光二極體基板，各該發光二極體基板包括至少一個該第三發光二極體；以及 提供多個該第一轉置基板，基於該些第二放置區的位置，將各該發光二極體基板之至少一個該第三發光二極體分別轉置於多個該第一轉置基板中對應的一者； 將各該第一轉置基板上之至少一個該第三發光二極體轉置於該第二轉置基板； 將該第二轉置基板重疊於該電路基板，其中多個該第三發光二極體的位置重疊於多個該第二放置區；以及 將該第二轉置基板上之多個該第三發光二極體電性連接至該電路基板。
  5. 如請求項4所述的顯示裝置的製造方法，其中多個該第一發光二極體包括一第一紅色發光二極體、一第一綠色發光二極體以及一第一藍色發光二極體，且多個該第一放置區包括一第一紅色放置區、一第一綠色放置區以及一第一藍色放置區，該第一紅色發光二極體、該第一綠色發光二極體以及該第一藍色發光二極體分別對應於該第一紅色放置區、該第一綠色放置區以及該第一藍色放置區設置。
  6. 如請求項5所述的顯示裝置的製造方法，其中： 多個該第二發光二極體包括一第二紅色發光二極體、一第二綠色發光二極體以及一第二藍色發光二極體，且多個該第二放置區包括一第二紅色放置區、一第二綠色放置區以及一第二藍色放置區，該第二紅色發光二極體、該第二綠色發光二極體以及該第二藍色發光二極體分別對應於該第二紅色放置區、該第二綠色放置區以及該第二藍色放置區設置； 多個該發光二極體基板包括一紅色發光二極體基板、一綠色發光二極體基板以及一藍色發光二極體基板，其中該紅色發光二極體基板之至少一個該第三發光二極體包括一第三紅色發光二極體，該綠色發光二極體基板之至少一個該第三發光二極體包括一第三綠色發光二極體，且該藍色發光二極體基板之至少一個該第三發光二極體包括一第三藍色發光二極體； 多個該第一轉置基板包括一紅色轉置基板、一綠色轉置基板以及一藍色轉置基板；以及 基於該第二紅色放置區的位置，將該紅色發光二極體基板之該第三紅色發光二極體轉置於該紅色轉置基板； 將該紅色轉置基板上之該第三紅色發光二極體轉置於該第二轉置基板； 基於該第二綠色放置區的位置，將該綠色發光二極體基板之該第三綠色發光二極體轉置於該綠色轉置基板； 將該綠色轉置基板上之該第三綠色發光二極體轉置於該第二轉置基板； 基於該第二藍色放置區的位置，將該藍色發光二極體基板之該第三藍色發光二極體轉置於該藍色轉置基板； 將該藍色轉置基板上之該第三藍色發光二極體轉置於該第二轉置基板；以及 將該第二轉置基板重疊於該電路基板，其中該第三紅色發光二極體、該第三綠色發光二極體以及該第三藍色發光二極體的位置分別重疊於該第二紅色放置區、該第二綠色放置區以及該第二藍色放置區；以及 將該第二轉置基板上之該第三紅色發光二極體、該第三綠色發光二極體以及該第三藍色發光二極體電性連接至該電路基板。
  7. 如請求項1所述的顯示裝置的製造方法，其中該第一轉置基板包括一基底以及位於該基底上的一黏著層，其中該基底的材質包括玻璃或藍寶石。
  8. 如請求項1所述的顯示裝置的製造方法，其中該第一轉置基板包括膠帶。
  9. 如請求項8所述的顯示裝置的製造方法，其中該第二轉置基板包括一基底以及位於該基底上的一黏著層，其中在將該第一轉置基板上之該第三發光二極體轉置於該第二轉置基板時，該黏著層的黏性大於該膠帶的黏性。
  10. 如請求項1所述的顯示裝置的製造方法，更包括： 提供一支撐結構，用於固定該第一轉置基板，其中在將該發光二極體基板之該第三發光二極體轉置於該第一轉置基板上時，該支撐結構位於該發光二極體基板周圍。
  11. 如請求項10所述的顯示裝置的製造方法，其中將該發光二極體基板之該第三發光二極體轉置於該第一轉置基板之後，更包括： 對該第一轉置基板照射紫外光，以減少該第一轉置基板的黏性； 將該第二轉置基板貼附於該第一轉置基板； 自該第一轉置基板上移除該支撐結構；以及 移除該第一轉置基板。
  12. 如請求項11所述的顯示裝置的製造方法，更包括： 將一保護膜覆蓋於該第一轉置基板上的該第三發光二極體上，接著自該第一轉置基板上移除該支撐結構；以及 將該第二轉置基板貼附於該第一轉置基板之前，自該第三發光二極體上移除該保護膜。
  13. 如請求項1所述的顯示裝置的製造方法，其中將該第一轉置基板上之該第三發光二極體轉置於該第二轉置基板的方法包括雷射剝離。
  14. 如請求項1所述的顯示裝置的製造方法，其中將該發光二極體基板之該第三發光二極體轉置於該第一轉置基板的方法包括雷射剝離。
  15. 如請求項1所述的顯示裝置的製造方法，其中該發光二極體基板包括一生長基板以及位於該生長基板上的該第三發光二極體與多個第四發光二極體，其中將該發光二極體基板之該第三發光二極體轉置於該第一轉置基板之後，該些第四發光二極體留在該生長基板上。
  16. 如請求項1所述的顯示裝置的製造方法，更包括： 於該電路基板上形成銲料或導電膠。
  17. 如請求項1所述的顯示裝置的製造方法，其中該發光二極體基板之該第三發光二極體包括半導體堆疊層、電性連接至該半導體堆疊層的兩個電極，且各該電極包括一導電層以及形成於該導電層上的一金屬層，其中該金屬層的熔點低於攝氏260度。
  18. 如請求項17所述的顯示裝置的製造方法，其中將該第二轉置基板上之該第三發光二極體電性連接至該電路基板的方法包括： 對該第三發光二極體加熱，使該金屬層共晶接合至該電路基板的多個接墊。
  19. 如請求項1所述的顯示裝置的製造方法，其中在將該第二轉置基板重疊於該電路基板時，該第三發光二極體接觸該電路基板的多個接墊，且該些第一發光二極體接觸該第二轉置基板。
  20. 如請求項1所述的顯示裝置的製造方法，其中在將該第二轉置基板重疊於該電路基板時，在垂直於該第二轉置基板的方向上，該第三發光二極體不重疊於該些第一發光二極體。
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