CN114256399A - 一种红光led组件、显示面板及制备方法 - Google Patents

一种红光led组件、显示面板及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114256399A
CN114256399A CN202011013915.8A CN202011013915A CN114256399A CN 114256399 A CN114256399 A CN 114256399A CN 202011013915 A CN202011013915 A CN 202011013915A CN 114256399 A CN114256399 A CN 114256399A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
led chip
red
insulating substrate
red light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011013915.8A
Other languages
English (en)
Inventor
翟峰
萧俊龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd
Original Assignee
Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd filed Critical Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd
Priority to CN202011013915.8A priority Critical patent/CN114256399A/zh
Priority to US17/770,117 priority patent/US20220392874A1/en
Priority to PCT/CN2021/082077 priority patent/WO2022062338A1/zh
Priority to TW110135444A priority patent/TW202218215A/zh
Publication of CN114256399A publication Critical patent/CN114256399A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/318—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for the production of liquid crystal displays
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/50—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
    • C09J2301/502—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features process for debonding adherents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明涉及一种红光LED芯片、显示面板及制备方法。红光LED芯片组件包括绝缘基板以及设置在该绝缘基板上的多颗红光LED芯片。红光LED芯片与绝缘基板之间通过热释放胶层粘接。在剥离绝缘基板时，只要让热释放胶层吸收热量失效即可，不需要再采用激光分解BCB胶层，电流扩展层自然也就不会因为激光能量而受损。在此基础上，不需要增大电流扩展层的厚度，有利于保证电极与电流扩展层间连接的可靠性，进而提升红光LED芯片的品质。而且，避免了激光分解BCB胶层不彻底，从而导致的红光LED芯片上遗留残胶的问题，提升了红光LED芯片的显示效果，进一步增强了红光LED芯片的品质。

Description

一种红光LED组件、显示面板及制备方法
技术领域
本发明涉及LED(Light Emitting Diode，发光二极管)技术领域，尤其涉及一种红光LED芯片组件、显示面板及制备方法。
背景技术
目前，LED高清显示方案中都离不开红光、绿光、蓝光LED芯片。这三种颜色的LED芯片最终的制备过程都是在蓝宝石衬底上进行的，制备完成后，需要采用激光分离LED芯片与蓝宝石衬底。该工艺过程对于蓝光或绿光LED芯片而言，成熟简单。但对于红光LED芯片而言，因为其制备过程中在生长基板上形成红光外延层以及ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)层后，实际上是通过BCB(Benzocyclobutene，苯并环丁烯)胶粘接转移至蓝宝石衬底上的，因此剥离蓝宝石衬底实际上就是分解BCB胶层。不过BCB胶对激光的吸收较差，所以该过程往往需要较高的激光能量，但激光能量会损伤ITO层。为了防止红光LED芯片损坏，就需要增加ITO层的厚度，而ITO层的厚度增加也会导致其内应力增大，进而使得设置在ITO层上的电极容易脱落，影响红光LED芯片的可靠性，降低红光LED芯片的品质。
因此，如何提升红光LED芯片的品质目前亟待解决的问题。
发明内容
鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种红光LED芯片、显示面板及制备方法，旨在解决相关技术中红光LED芯片可靠性不高的问题。
本申请提供一种红光LED芯片组件，包括：
绝缘基板；
设置在绝缘基板上的多颗红光LED芯片；以及
用于粘接绝缘基板与红光LED芯片的热释放胶层；
红光LED芯片包括与热释放胶层接触的电流扩展层，位于电流扩展层上的红光外延层以及分别与红光外延层中两个半导体层电连接的电极；热释放胶层用于在将红光外延层自生长基板转移至绝缘基板的过程中实现电流扩展层与绝缘基板的结合。
上述红光LED芯片组件中包括绝缘基板以及设置在该绝缘基板上的多颗红光LED芯片。这些红光LED芯片在制备过程中，通过电流扩展层与热释放胶层的结合将红光外延层与电流扩展层转移至绝缘基板上，所以，在剥离绝缘基板时，只要让热释放胶层吸收热量失效即可，不需要再用到激光剥离，电流扩展层自然也就不会因为激光能量而受损。在此基础上，可以不必增加电流扩展层的厚度，有利于保证电极与电流扩展层间连接的可靠性，提升了红光LED芯片的品质。而且，本申请通过让热释放胶层失效从而达到剥离绝缘基板的目的，避免了激光分解BCB胶层不彻底而导致的红光LED芯片上遗留残胶的问题，提升了红光LED芯片的显示效果，进一步增强了红光LED芯片的品质。
可选地，红光LED芯片组件还包括包覆红光LED芯片的绝缘保护层，红光LED芯片的电极的部分区域外露于绝缘保护层。
上述红光LED芯片组件中，红光LED芯片被绝缘保护层包覆，但保证电极的部分区域外露以便和外部电路形成电连接。绝缘保护层不仅能隔绝外接电气结构对红光LED芯片红光外延层、电流扩展层的电气影响，对红光LED芯片进行电气保护；同时，也能对红光LED芯片形成物理保护，避免红光LED芯片因外界冲击而受损的情况发生，有利于提升红光LED芯片的可靠性。
可选地，绝缘保护层包覆热释放胶层的侧面，并与绝缘基板接触。
上述红光LED芯片组件中，绝缘保护层包覆了热释放胶层的侧面，且与绝缘基板接触，但因为热释放胶层的占位，使得绝缘保护层在热释放胶层所在的平面上并不会形成结实的层结构，而只能在热释放胶层侧面形成“弱化结构”，当热释放胶层失效后，通过对绝缘基板向着红光LED芯片一侧进行简单的按压，就能使得热释放胶层侧面的绝缘保护层断裂，从而使得绝缘基板脱离红光LED芯片。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种红光LED芯片组件制备方法，包括：
提供一生长基板，以及形成于生长基板表面上的红光外延层；
在红光外延层上设置一电流扩展层；
透过一热释放胶层将电流扩展层与一绝缘基板粘合；
去除生长基板，以实现红光外延层从生长基板转移至绝缘基板；
在红光外延层上设置电极，以形成包括红光LED芯片的红光LED芯片组件。
上述红光LED芯片组件制备方法，在置于生长基板表面的红光外延层上设置一电流扩展层，然后采用热释放胶层将电流扩展层与绝缘基板结合在一起，并去除生长基板，以将红光外延层从生长基板转移至绝缘基板，并在绝缘基板上的红光外延层上设置电极。在红光LED芯片在制备过程中，通过电流扩展层与热释放胶层的结合被粘接转移至绝缘基板上，所以，红光LED芯片与绝缘基板之间通过热释放胶层粘接。在剥离绝缘基板时，只要让热释放胶层吸收热量失效即可，不需要再进行激光剥离，电流扩展层自然也就不会因为激光能量而受损。在此基础上，不需要增大电流扩展层的厚度，有利于保证电极与电流扩展层间连接的可靠性，进而提升了红光LED芯片的品质。而且，本申请通过让热释放胶层失效从而达到剥离绝缘基板的目的，避免了分离激光分解BCB胶层不彻底，从而在红光LED芯片上遗留残胶的问题，提升了红光LED芯片的显示效果，进一步增强了红光LED芯片的品质。
可选地，在红光外延层上设置电极之前还包括：
在红光外延层上分别设置包覆红光外延层的绝缘保护层，绝缘保护层与热释放胶层一起对红光外延层与电流扩展层形成包裹；
图案化绝缘保护层以外露出电极设置区；
或，
在红光外延层上设置电极之后还包括：
形成包覆红光LED芯片的绝缘保护层，红光LED芯片的电极的部分区域外露于绝缘保护层。
可选地，透过一热释放胶层将电流扩展层与绝缘基板粘合的步骤包括以下几种中的任意一种：
方式一：
在电流扩展层上设置热释放胶层；
透过热释放胶层将绝缘基板粘接在电流扩展层上；
方式二：
在绝缘基板上设置热释放胶层；
采用热释放胶层远离绝缘基板的一面粘接电流扩展层；
方式三：
在电流扩展层上设置第一热释放胶层，并在绝缘基板上设置第二热释放胶层；
粘接第一热释放胶层与第二热释放胶层。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种红光LED芯片制备方法，包括：
采用上述任一项的红光LED芯片组件制备方法制备红光LED芯片组件；
升温至热释放胶层受热失效后分离绝缘基板与红光LED芯片。
上述红光LED芯片制备方法，在由于红光LED芯片的红光外延层通过电流扩展层与热释放胶层的结合被粘接转移至绝缘基板上，所以，红光LED芯片与绝缘基板之间通过热释放胶层粘接。在红光LED芯片组件制备完成后，剥离绝缘基板时，只要让热释放胶层吸收热量失效即可，不需要再采用激光分解BCB胶层，电流扩展层自然也就不会因为激光能量而受损。在此基础上，不需要增大电流扩展层的厚度，有利于保证电极与电流扩展层间连接的可靠性，进而提升了红光LED芯片的品质。而且，本申请通过让热释放胶层失效从而达到剥离绝缘基板的目的，避免了分离激光分解BCB胶层不彻底，从而在红光LED芯片上遗留残胶的问题，提升了红光LED芯片的显示效果，进一步增强了红光LED芯片的品质。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示面板制备方法，包括：
采用上述任一项的红光LED芯片组件制备方法制备红光LED芯片组件；其中，红光LED芯片组件中各红光LED芯片的排布满足驱动背板上红光LED芯片的部署要求；
将红光LED芯片组件中各红光LED芯片的电极与驱动背板上的焊点进行焊接；
在热释放胶层受热失效后，去除绝缘基板与失效的热释放胶层。
上述显示面板制备方法中，先采用前述红光LED芯片制备方法制得红光LED芯片组件，而且红光LED芯片组件上红光LED芯片的排布满足驱动背板上红光LED芯片的部署要求，因此，在制备显示面板时，可以直接将红光LED芯片组件整体绑定到驱动背板上，然后在使热释放胶层失效后去除绝缘基板即可。该显示面板制备方法中，红光LED芯片与绝缘基板之间通过热释放胶层粘接，因此剥离绝缘基板时，只要让热释放胶层吸收热量失效即可，不需要再采用激光分解BCB胶层，电流扩展层自然也就不会因为激光能量而受损。在此基础上，不需要增大电流扩展层的厚度，有利于保证电极与电流扩展层间连接的可靠性，进而提升了红光LED芯片的品质。而且，本申请通过让热释放胶层失效从而达到剥离绝缘基板的目的，避免了分离激光分解BCB胶层不彻底，从而在红光LED芯片上遗留残胶的问题，提升了红光LED芯片的显示效果，进一步增强了红光LED芯片的品质。另一方面，由于该显示面板的制备过程中，绝缘基板上的多颗红光LED芯片可以直接被转移到驱动背板上，不需要再采用临时基板进行转移，简化了红光LED芯片的转移流程，提升了显示面板的制备效率，有利于节约成本。
可选地，将红光LED芯片组件中各红光LED芯片的电极与驱动背板上的焊点进行焊接包括：
采用高于热释放胶层失效温度的焊接温度焊接电极与焊点。
上述显示面板制备方法中，不需要专门升温来使热释放胶失效，而是可以直接利用焊接红光LED芯片的焊接温度来让热释放胶失效，进一步简化了显示面板的制备流程，提升了制备效率。
可选地，若红光LED芯片中包括绝缘保护层，且绝缘保护层包覆热释放胶层的侧面，并与绝缘基板接触，则在热释放胶层受热失效后，去除绝缘基板与失效的热释放胶层包括：
向绝缘基板施加朝向驱动背板的压力直至包覆热释放胶层侧面的绝缘保护层断裂。
上述显示面板制备方法中，绝缘保护层包覆了热释放胶层的侧面，且与绝缘基板接触，但因为热释放胶层的占位，使得绝缘保护层在热释放胶层所在的平面上并不会形成结实的层结构，而只能在热释放胶层侧面形成“弱化结构”，当热释放胶层失效后，通过对绝缘基板施加向着红光LED芯片一侧的压力，就能使得热释放胶层侧面的绝缘保护层断裂，从而使得绝缘基板脱离红光LED芯片。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示面板，该显示面板采用前述任一项的显示面板制备方法制备得到。
上述显示面板，在制备过程中先采用前述红光LED芯片制备方法制得红光LED芯片组件，而且红光LED芯片组件上红光LED芯片的排布满足驱动背板上红光LED芯片的部署要求，因此，在制备显示面板时，可以直接将红光LED芯片组件整体绑定到驱动背板上，然后在使热释放胶层失效后去除绝缘基板即可。该显示面板制备方法中，红光LED芯片与绝缘基板之间通过热释放胶层粘接，因此剥离绝缘基板时，只要让热释放胶层吸收热量失效即可，不需要再采用激光分解BCB胶层，电流扩展层自然也就不会因为激光能量而受损。在此基础上，不需要增大电流扩展层的厚度，有利于保证电极与电流扩展层间连接的可靠性，进而提升了红光LED芯片的品质。而且，本申请通过让热释放胶层失效从而达到剥离绝缘基板的目的，避免了分离激光分解BCB胶层不彻底，从而在红光LED芯片上遗留残胶的问题，提升了红光LED芯片的显示效果，进一步增强了红光LED芯片的品质。另一方面，由于该显示面板的制备过程中，绝缘基板上的多颗红光LED芯片可以直接被转移到驱动背板上，不需要再采用临时基板进行转移，简化了红光LED芯片的转移流程，提升了显示面板的制备效率，有利于节约成本。
附图说明
图1为本发明中示出的相关技术制备红光LED过程中的一种状态变化示意图；
图2为本发明一可选实施例中提供的红光LED芯片组件制备方法的流程图；
图3为本发明一可选实施例中提供的红光LED芯片组件制备流程中各制程的状态变化示意图；
图4为本发明一可选实施例中提供的转移红光外延层与电流扩展层至绝缘基板的一种流程图；
图5为本发明一可选实施例中提供的转移红光外延层与电流扩展层至绝缘基板的另一种流程图；
图6为图5中的转移红光外延层与电流扩展层至绝缘基板过程中的一种状态变化示意图；
图7为本发明一可选实施例中提供的绝缘基板上红光LED芯片的一种结构示意图；
图8为本发明一可选实施例中提供的绝缘基板上红光LED芯片的另一种结构示意图；
图9为本发明另一可选实施例中提供的红光LED芯片制备方法的流程图；
图10为本发明另一可选实施例中提供的显示面板制备方法的流程图；
图11为本发明另一可选实施例中示出的剥离绝缘基板的一种原理示意图；
图12为本发明又一可选实施例中提供的红光LED芯片组件制备方法的流程图；
图13为本发明又一可选实施例中提供的红光LED芯片组件制备流程中各制程的状态变化示意图。
附图标记说明：
110-GaAs衬底；111-N型半导体层；112-有源层；113-P型半导体层；114-ITO层；115-BCB胶层；120-蓝宝石衬底；30-红光LED芯片组件；300-红光LED芯片；301-生长基板；302-绝缘基板；31-红光外延层；32-电流扩展层；33-热释放胶层；34-绝缘保护层；113-失效的热释放胶层；1141-热释放胶层侧面部分的绝缘保护层；1142-热释放胶层上面部分的绝缘保护层；131-砷化镓基板；132-红光外延层；133-ITO层；134-热释放胶层；135-蓝宝石基板；136-氧化硅层；137-驱动背板。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
目前，LED高清显示屏的制备方案中是将红光、绿光、蓝光LED芯片焊接到驱动基板上，每个像素点由红光、绿光、蓝光三颗LED芯片组成，像素点排列成点阵结构，每个像素点中的LED芯片可以被单独驱动并可以支持分别调节红光、绿光、蓝光LED芯片的亮度。
在制备红光、绿光、蓝光LED芯片时，蓝光、绿光LED芯片可直接在蓝宝石衬底上生长GaN(氮化镓)基结构，由于蓝宝石衬底材料不导电，因此生长出GaN基结构后可直接在该蓝宝石衬底上制备出蓝光或绿光LED芯片。但红光LED芯片一般在GaAs(砷化镓)衬底上生长AlGaInP(铝镓铟磷)基结构，请结合图1中的(a)，由于GaAs衬底110的能隙相较于其上所生长的红光外延层的能隙更小，容易吸收有源层发出的光，进一步降低红光LED芯片的发光亮度，所以，逐步生长出N型半导体层111、有源层112、P型半导体层113，沉积ITO层114后，需要将红光外延层转移至蓝宝石衬底120后才能继续完成红光LED芯片的制备：相关技术中通常是采用在ITO层114上旋涂BCB胶形成BCB胶层115，请结合图1中的(b)，然后利用BCB胶层115的粘合性将红光外延层转移至蓝宝石衬底120，如图1中的(c)与(d)所示。
红光外延层转移至蓝宝石衬底120后，将会设置分别与两个半导体层连接的电极(其中一个电极直接设置在第一半导体层上，另一个电极则设置在ITO层上，通过ITO层与第二半导体层电连接)，如图1中的(e)所示。LED芯片制备完成后，需要将LED芯片从蓝宝石衬底上剥离下来。目前最常见的剥离方式是激光剥离(Laser Lift Off，LLO)。激光剥离的实质是因为材料对特殊波段激光的吸收：材料吸收光子能量，从而电子跃迁至激态，利用GaN→Ga+N2的原理使得蓝宝石衬底与LED芯片分离。GaN材料对激光的吸收率高，因此可以使得蓝光、绿光LED芯片能够较为彻底地从蓝宝石基板上脱离。但红光LED芯片中，剥离蓝宝石衬底与红光LED芯片实质就是分解BCB胶层，如图1中的(f)，不过，激光分解BCB胶层至少存在以下两方面的问题：
第一，激光会损伤ITO层，为了避免ITO层受损而影响红光LED芯片的电气性能，就需要增加ITO层的厚度。但ITO层的厚度增加，必然导致其内应力增加，而内应力的增加就会导致设置在ITO层上的电极容易脱落，从而影响红光LED芯片的可靠性。
第二，BCB对激光的吸收较差，该过程纯粹是靠物理冲击作用使BCB胶发生碳化而分解，此种情况下，容易出现残胶或者去胶不完全的问题，导致残胶遗留在红光LED芯片上，影响红光LED芯片的显示效果。
基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
本实施例首先提供一种红光LED芯片组件制备方法以及基于该方法所制得的红光LED芯片组件。请参见图2示出的红光LED芯片组件制备方法的流程图，及图3示出的红光LED芯片组件制备过程中各制程的状态变化示意图：
S202：提供一生长基板，以及形成于该生长基板表面的红光外延层。
本实施例中，红光LED芯片的红光外延层中包括第一半导体层、第二半导体层以及介于二者间的有源层。可以理解的是，在第一半导体层、第二半导体层中，有一个是N型半导体层，另一个是P型半导体层。
可以理解的是，提供生长基板及形成于该生长基板表面上的红光外延层时，可以利用预先已经在生长基板上生长完成的红光外延层，不用专门生长形成红光外延层。或者，也可以在制备红光LED芯片组件的过程中临时提供一生长基板，并在该生长基板上生长出红光外延层。
S204：在红光外延层上设置一电流扩展层。
考虑到红光LED芯片中半导体层对空穴的分散能力差，容易导致电子直接从一个电极处以最短路径穿过有源层到达另一半导体层上的电极处，进而引起红光LED芯片出光不均的问题，所以，在本实施例的一些示例中，红光外延层31上还设置有电流扩展层32，用于将空穴均匀分散到半导体层的整面上，提升红光LED芯片出光的均匀程度。在本实施例中，当红光外延层31位于生长基板301上时，第一半导体层位于第二半导体层下方，如图3(a)所示。所以在红光外延层31上设置电流扩展层32，实际上就是在红光外延层31的第二半导体层上设置电流扩展层32，电流扩展层32可以贴合设置在第二半导体层上。
在本实施例的一些示例当中，电流扩展层32可以为ITO层，当然，本领域技术人员可以理解的是，ITO层并不是唯一可行的电流扩展层32，例如，在本实施例的其他一些示例中，电流扩展层32可以是分散有纳米银线的丙烯酸树脂层，只要电流扩展层32具有较好的导电性能，能实现空穴传输功能即可。
S206：透过一热释放胶层将电流扩展层与一绝缘基板粘合。
红光外延层通常是在砷化镓材质的生长基板上生长出来的，由于砷化镓材质的生长基板301具有导电性，因此不适合继续在该生长基板301上进行红光LED芯片制备的后续流程，故，本实施例中生长出红光外延层31之后，会将红光外延层31转移至绝缘基板上。为了实现红光外延层31的转移，相关技术中是通过在红光外延层31上设置BCB胶层，利用BCB胶层的粘接性完成红光外延层31与绝缘基板的结合，但本实施例中为了避免BCB胶层在激光剥离过程中出现的去胶不完全的问题，也为了避免剥离BCB胶层的激光损伤电流扩展层32的问题，不再设置BCB胶层，而是采用热释放胶层33来结合红光外延层31与绝缘基板。
S208：去除生长基板，以实现红光外延层从生长基板转移至绝缘基板。
为了将红光外延层31自生长基板302转移至绝缘基板，除了要形成红光外延层31与绝缘基板302之间的结合，还需要去除生长基板301。
在本实施例的一些示例中，可以采用如图4所示的流程设置热释放胶层33并实现红光外延层31与电流扩展层32的转移：
S402：在电流扩展层上设置热释放胶层。
请结合图3(b)所示，在电流扩展层32上设置了热释放胶层33。热释放胶，也称热释胶，通常是丙烯酸类体系的胶材。顾名思义，热释放胶受热会解粘，温度越高，材料的粘性越低。应当理解的是，热释放胶层32在红光LED芯片组件的制备过程中，应该是具有粘性的，所以，热释放胶层32的失效温度应该高于红光LED芯片组件制备环境的温度。
S404：利用热释放胶层将绝缘基板粘接在电流扩展层上。
热释放胶层33具有粘性，其一个表面粘附在电流扩展层21上。另一个表面可以用于粘附绝缘基板302，如图3(c)。在本实施例中，绝缘基板302可以包括但不限于蓝宝石基板。
S406：去除生长基板。
通过热释放胶层33可以实现红光LED芯片电流扩展层32与绝缘基板302的结合。另一方面，还需要将红光外延层31与其生长基板301分离，如图3(d)。根据前述介绍可知，红光LED芯片的生长基板是砷化镓材质的，因此，在本实施例的一些示例当中，可以采用湿法腐蚀等方式去除生长基板301。
在本实施例的另外一些示例中，可以参照图5所示的流程设置热释放胶层33并实现红光外延层31与电流扩展层32的转移：
S502：在绝缘基板上设置热释放胶层。
图5与图4中流程的主要区别在于设置热释放胶层33的过程不一样，在图5的示例中，热释放胶层33是先设置在绝缘基板302上的。请结合图6(a)与6(b)示出的制程状态变化示意图。
S504：采用热释放胶层远离绝缘基板的一面粘接电流扩展层。
热释放胶层33设置在绝缘基板302上以后，可以将热释放胶层33与绝缘基板302一起转移到电流扩展层32上，可以让绝缘基板302采用设置有热释放胶层33的一面接近电流扩展层32，直至热释放胶层33粘接在电流扩展层32上为止，如图6(c)。
S506：去除生长基板。
去除生长基板301时，同样可以湿法腐蚀等方式，这里不再赘述。
在本实施例的一些示例中，还可以同时在绝缘基板与电流扩展层上设置热释放胶层，然后让两个热释放胶层粘合，如，在电流扩展层上设置第一热释放胶层，在绝缘基板上设置第二热释放胶层，然后让第一热释放胶层与第二热释放胶层粘合，随后去除生长基板。
S210：在红光外延层上设置电极，以形成包括红光LED芯片的红光LED芯片组件。
将电流扩展层32与红光外延层31转移至绝缘基板302后，可以设置分别与红光外延层31中第一半导体层、第二半导体层电连接的电极。相较于正装、垂直结构芯片的而言，倒装结构的LED芯片的电极无需打线，可有效减少封装面积、减少芯片尺寸、提高显示像素，有利于高清显示屏的制备，所以，本实施例中的红光LED芯片可以为倒装结构的LED芯片。可以理解的是，倒装的红光LED芯片中，两个电极处于红光外延层同一侧的表面上，即红光外延层31的电极部署面上。对于倒装结构的红光LED芯片而言，其电极部署面就是红光外延层31远离绝缘基板302的一个表面。当然，本领域技术人员可以理解的是，在本实施例的其他一些示例中，红光LED芯片也可以为正装结构的芯片。
红光LED芯片的两个电极中，第一电极应当与第一半导体层电连接，而第二电极应当与第二半导体层形成电连接。考虑到直接将第二电极设置在第二半导体层上，电子将直接从电极设置区以最短路径穿过有源层与第一半导体层到达第一电极处，不会在第二半导体层上进行横向扩散，从而导致红光LED芯片出光不均的问题。所以，在本实施例中，第二电极将被设置在电流扩展层32上，也即第二电极的电极设置区位于电流扩展层32上，第二电极通过电流扩展层32与第二半导体层电连接。不过当红光外延层31被转移到绝缘基板302上以后，电流扩展层32就被红光外延层31覆盖遮挡，故，为了设置电极，需要对红光外延层31进行图案化处理，以便露出第二电极的电极设置区。
当两个电极的电极设置区均外露后，可以设置电极。在本实施例的一些示例当中，可以采用蒸镀或者PVD(Physical Vapour Deposition，物理气相沉积)等工艺在电极设置区上形成电极金属层，然后通过对电极金属层进行图案化处理从而形成第一电极与第二电极。图3(e)中示出的是将第二电极设置在电流扩展层32上的一种示意图。
设置好电极以后，红光LED芯片组件30基本制备完成，可以理解的是，生长基板301上生长的红光外延层通常可以用于形成多颗红光LED芯片，因此，电极设置完成以后，在绝缘基板302上通常可以有多颗红光LED芯片300。所以，在本实施例中，红光LED芯片组件30中包括绝缘基板302、热释放胶层33以及通过热释放胶层33粘接在绝缘基板302上的多颗红光LED芯片300。
在本实施例的一些示例中，请参见图7与图8，红光LED芯片300中还包括绝缘保护层34，绝缘保护层34可以包覆红光外延层31。在本实施例的一些示例中，绝缘保护层34与热释放胶层33一起对红光LED芯片形成包裹，仅保证红光LED芯片300电极的部分区域外露，以便与外部电气结构实现电连接。可以理解的是，绝缘保护层34与热释放胶层33对红光LED芯片300形成包裹之后，可以仅有红光LED芯片300的电极的部分区域外露，或者，在本实施例的其他一些示例中，除了电极以外，红光LED芯片300也还可以存在其他外露的区域。毫无疑义的是，绝缘保护层34是绝缘材质的，其可以隔绝外界电气结构对红光外延层31与电流扩展层32的电气影响。当然，绝缘保护层34也可以对红光LED芯片300形成物理保护，其将红光外延层31与电流扩展层32罩在其内部，降低了外界冲击损伤红光LED芯片的可能性。在本实施例的一些示例中，为了避免绝缘保护层34对红光LED芯片300的出光造成影响，所以，在本实施例中，绝缘保护层34还可以是透明材质的。一些示例中，绝缘保护层34的材质包括但不限于SiO2(氧化硅)。
在本实施例的一些示例中，绝缘保护层34仅包覆红光LED芯片300，不会对热释放胶层33形成包裹，也即绝缘保护层34仅位于热释放胶层33的一侧，如图7所示。不过，在实际生产过程中，绝缘保护层34也会包覆热释放胶层33的侧面，与绝缘基板302接触，例如图8所示。可以理解的是，即便是绝缘保护层34包覆热释放胶层33的侧面，但在实际生产中，包覆热释放胶层33的绝缘保护层34的量不会太厚，也即包裹在热释放胶层33侧面的绝缘保护层34不会太厚。因此，因为热释放胶层33的占位，使得绝缘保护层34在热释放胶层33所在的平面上并不会形成结实的层结构，而只能在热释放胶层33侧面形成“弱化结构”，当热释放胶层33失效后，通过对绝缘基板302施加向着红光LED芯片300一侧的压力，就能使得热释放胶层33侧面的绝缘保护层34与热释放胶层33上面的绝缘保护层34分离，从而使得绝缘基板302脱离红光LED芯片300。
本实施例的一些示例中，绝缘保护层34远离绝缘基板302的一面上的任意两点均处于同一水平面上，也即绝缘保护层34远离绝缘基板302的一面平坦，故，绝缘保护层34实际上也就是红光LED芯片300的平坦层，可以让红光LED芯片的表面更规整。
可选地，设置绝缘保护层34可以是在设置电极之前：例如，将红光外延层31自生长基板301转移到绝缘基板302后，绝缘基板302上同时排布有多个红光外延层，这些红光外延层可以用于形成多颗红光LED芯片。本示例中，在各绝缘基板表面各红光外延层31上设置电极之前，可以在多个红光外延层31上分别设置绝缘保护层34，绝缘保护层34与热释放胶层33一起对红光外延层31与电流扩展层32形成包裹。在本实施例的一些示例中，绝缘保护层34与热释放胶层33可以对红光外延层31与电流扩展层32形成全包裹。在设置电极的过程中，可以通过绝缘保护层34进行图案化处理从而使得电极设置外露，进而实现电极设置。在本实施例的另外一些示例中，绝缘保护层34与热释放胶层33对红光外延层31与电流扩展层32形成包裹也可以是非完全包裹，例如红光外延层31与电流扩展层32中的至少一个可以有部分区域外露。可选地，在本实施例的一些示例中，可以在形成绝缘保护层34的时候，就保证不让绝缘保护层34覆盖在电极设置区上，这样，在后续设置电极的过程中，也可以免除对绝缘保护层34的蚀刻过程。
可以理解的是，生长基板301在生长红光外延层的时候，可以生长面积较大的红光外延层，随后可以通过对该大面积红光外延层进行切割蚀刻等处理得到多个独立的红光外延层。毫无疑义的是，将大面积红光外延层分为多个独立红光外延层的过程可以在生长基板301上完成，也可以转移到绝缘基板302上以后完成。
在本实施例的另外一些示例中，可以在设置电极之后再设置绝缘保护层34，这样只要保证红光LED芯片的电极能够有部分区域外露于绝缘保护层34即可，不需要再专门对绝缘保护层34进行蚀刻处理。
本实施例提供的红光LED芯片组件，通过热释放胶层代替BCB胶层实现对红光外延层与电流扩展层的转移，所以，在后续剥离绝缘基板的过程，不需要使用激光，避免了激光对电流扩展层的损伤，自然也就不用增加电流扩展层的厚度，有利于保证设置在电流扩展层上的电极的可靠性，提升红光LED芯片的品质。而且只要温度达到热释放胶层的失效温度，就可以让热释放胶层失去粘性，不会有残胶粘附在红光LED芯片上，保障了红光LED芯片的显示效果，增强了红光LED芯片的品质。
另一可选实施例：
基于前述红光LED芯片组件制备方法，本实施例提供一种红光LED芯片制备方法，请参见图9示出的一种红光LED芯片制备方法的流程图：
S902：采用红光LED芯片组件制备方法制备红光LED芯片组件。
制备红光LED芯片组件的方法请参见前述实施例的介绍，这里不再赘述。
S904：升温至热释放胶层受热失效后分离绝缘基板与红光LED芯片。
制得红光LED芯片组件之后可以通过升温使得热释放胶层失效，从而解除绝缘基板与红光LED芯片之间的结合，从而达到分离绝缘基板与红光LED芯片的目的。
本实施例中还提供一种显示面板制备方法，请参见图10示出的流程图：
S1002：采用红光LED芯片组件制备方法制备红光LED芯片组件。
制备红光LED芯片组件的方法请参见前述实施例的介绍，这里不再赘述。
需要说明的是，在本实施例中，红光LED芯片组件中各红光LED芯片的排布满足的驱动背板上红光LED芯片的部署要求，因此，在制备红光LED芯片组件的过程中，需要根据驱动背板上对红光LED芯片的部署需求专门涉及红光外延层的数目与间距。例如，在驱动背板上，红光LED芯片a的设置区与红光LED芯片c的设置区之间的距离为D，那么红光LED芯片组件中红光LED芯片a与红光LED芯片c间的间距也应当是D。
S1004：将红光LED芯片组件中各红光LED芯片的电极与驱动背板上的焊点进行焊接。
制得红光LED芯片组件之后，可以将红光LED芯片组件中的红光LED芯片通过绝缘基板统一转移到驱动背板上，同时实现各红光LED芯片电极与驱动背板的电连接，也即将各红光LED芯片的电极与驱动背板上对应的焊点进行焊接。
S1006：在热释放胶层受热失效后，去除绝缘基板与失效的热释放胶层。
当将红光LED芯片组件中各红光LED芯片焊接到驱动背板上以后，可以去除绝缘基板。由于红光LED芯片与绝缘基板之间采用热释放胶层结合，因此，可以通过升温从而使得热释放胶层失效，进而剥离绝缘基板。
在本实施例的一些示例当中，通过对绝缘基板远离红光LED芯片一侧进行升温，从而使得热量通过绝缘基板传递到热释放胶层上。不过，考虑到焊接红光LED芯片电极的过程中产生较高的温度，较多的热量，因此，在本实施例的一些示例中，可以直接利用焊接过程中产生的高温使得热释放胶层失效：在本实施例的一些示例中，可以保证焊接温度高于热释放胶层的失效温度，这样就可以使得热释放胶层在焊接过程中失效。例如，焊料可以为铟或铋类的金属，采用金属铟的作为焊料时，焊接温度在158℃左右；而采用金属铋作为焊料时，焊接温度在98℃左右。
还有一些示例当中，红光LED芯片中还包括绝缘保护层，并且绝缘保护层同时还包覆了热释放胶层的侧面，与绝缘基板接触。可以理解的是，绝缘保护层与绝缘基板的接触实际上也形成了绝缘基板与绝缘保护层的结合，因此，仅仅使得热释放胶层失效，并不能使得绝缘基板脱离红光LED芯片。所以，在一些示例中，热释放胶层失效之后，还需要进一步破坏绝缘基板与绝缘保护层之间的结合。
请参见图11，由于失效的热释放胶层113有一定的弹性，因此，绝缘基板在热释放胶层所在的区域有一定的形变空间。同时，因为包裹在热释放胶层侧面的绝缘保护层并不厚，因此，相较于热释放胶层上面部分的绝缘保护层而言，热释放胶层侧面部分的绝缘保护层是一个并不结实可靠的层结构，而是一个“弱化结构”。故，通过向绝缘基板施加朝向红光LED芯片一侧的压力，可以使得包覆在热释放胶层侧面的绝缘保护层1141断裂，与包覆在热释放胶层上面的绝缘保护层1142分离。
本实施例还提供一种显示面板，该显示面板采用前述显示面板制备方法制得，其中包括驱动背板，以及与驱动背板电连接的多颗红光LED芯片。应当理解的是，显示面板中除了红光LED芯片以外，还可以包括蓝光LED芯片与绿光LED芯片。
本实施例提供的显示面板及其制备方法，通过先制得红光LED芯片的排布满足驱动背板上红光LED芯片的部署要求的红光LED芯片组件，然后可以直接将红光LED芯片组件整体绑定到驱动背板上，并使热释放胶层失效后去除绝缘基板，避免了采用临时基板进行转移，简化了红光LED芯片的转移流程，提升了显示面板的制备效率，有利于节约成本。
同时热释放胶层决定了剥离绝缘基板的过程中并不会有激光损伤电流扩展层，因此，制备红光LED芯片的过程不需要增大电流扩展层的厚度，有利于保证电极与电流扩展层间连接的可靠性，进而提升了红光LED芯片的品质。而且，剥离绝缘基板的过程中，不会有残胶遗留在红光LED芯片上，提升了红光LED芯片的出光效果，有利于增强显示面板的显示品质。
又一可选实施例：
为了使本领域技术人员对前述红光LED芯片组件、显示面板及其制备方法的优点与细节更清楚，本实施例将结合示例继续对前述方案进行阐述：
考虑到显示面板制备过程中，包含了红光LED芯片组件的制备流程，因此，本实施例以显示面板制备流程进行阐述，请参见图12示出的流程图，以及图13示出的显示面板制备流程中各制程的状态变化示意图：
S1202：在砷化镓基板上生长出红光外延层。
在本实施例中采用砷化镓基板131作为红光LED芯片的生长基板。
生长红光外延层132的时候，依次生长第一半导体层、有源层与第二半导体层，请参见图13(a)。
S1204：在红光外延层上设置ITO层。
如图13(b)，红光外延层132生长完成后，可以在红光外延层132上设置ITO层133，应当理解的是，ITO层133在本实施例中作为电流扩展层，但在本实施例的其他一些示例中，也可以采用其他方式实施电流扩展层。
S1206：在ITO层上设置热释放胶层。
本实施例中，热释放胶层134先与ITO层133结合，如图13(c)，不过，在本实施例的其他一些示例中，热释放胶层134也可以与蓝宝石基板135结合。
S1208：采用热释放胶层的另一表面粘接蓝宝石基板。
热释放胶层134的一个表面粘接在ITO层133上，另一表面可以用于粘接蓝宝石基板135，请结合图13(d)。可以理解的是，绝缘基板除了蓝宝石基板以外，也还可以为其他类型的基板。
S1210：去除砷化镓基板。
ITO层133与蓝宝石基板135通过热释放胶层结合以后，只要剥离了砷化镓基板131，就完成了红光外延层132从生长基板到蓝宝石基板135的转移。在本实施例的一些示例当中，可以采用湿法腐蚀的方式去除砷化镓基板131，请结合图13(e)。
S1212：对红光外延层进行蚀刻，形成多个独立的红光外延层，并外露出各红光外延层上的电极设置区。
将红光外延层132转移到蓝宝石基板135以后，可以对红光外延层132进行蚀刻。本实施例中针对红光外延层132的蚀刻需要达到两方面的目的：一方面是为了使得生长基板原本生长出的大面积的红光外延层变成多个独立的小面积的红光外延层；另一方面是为了让各小面积的红光外延层的电极设置区外露，如图13(f)。
应当理解的是，当将红光外延层132转移到蓝宝石基板135以后，红光外延层132中的第一半导体层将位于最顶层，而ITO层133将位于最底层。所以第一电极的电极设置区本来就是外露的，但第二电极的电极设置区则还隐藏在第一半导体层、有源层、第二半导体层之下，因此，在设置电极之前，需要对第二电极的电极设置区中的第一半导体层、有源层以及第二半导体层进行蚀刻，从而使得ITO层133得以外露，形成第二电极的电极设置区。
S1214：形成包覆红光外延层、ITO层及热释放胶层的氧化硅层。
本实施例中，红光外延层的电极设置区外露以后，可以形成红光外延层132、ITO层133及热释放胶层134的氧化硅层136，请参见图13(g)，氧化硅层136与蓝宝石基板135一起对红光外延层132、ITO层133及热释放胶层134三者形成全包裹。
S1216：蚀刻氧化硅层外露出电极设置区。
由于氧化硅层136的包裹，遮挡了电极设置区，所以，还需要蚀刻掉氧化硅层136与电极设置区对应的区域，如图13(h)。
S1218：设置电极。
电极设置区外露之后，可以在两个电极的电极设置区中设置电极。例如，在本实施例的一些示例当中，可以采用PVD工艺在电极设置区上形成电极金属层，然后对电极金属层进行图案化处理形成第一电极与第二电极。其中第一电极设置在在第一半导体层上，而第二电极设置在ITO层133上，如图13(i)。
至此，红光LED芯片组件就制备完成了，而且在后续过程中，只要使热释放胶层134失效，剥离蓝宝石基板135，就可以得到制备完成且脱离蓝宝石基板135的红光LED芯片。
S1220：将红光LED芯片组件转移至驱动背板，焊接各红光LED芯片的电极与驱动背板上的焊点。
通过蓝宝石基板135，可以将红光LED芯片组件中各红光LED芯片统一转移到驱动背板137上，如图13(j)，在焊接电极与对应焊点时所采用焊料可以为铟或铋类的金属，这样可以使得热释放胶层在焊接过程中失效，如图13(k)。
在本实施例的一些示例中，驱动背板137中的驱动电路可以为TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)驱动电路，这样可以实现对每一个红光LED芯片的单独驱动控制。
S1222：向蓝宝石基板施加朝向驱动背板的压力直至包覆热释放胶层侧面的氧化硅层断裂。
本实施例中，由于氧化硅层136包覆了热释放胶层134的侧面，与蓝宝石基板135接触，因此氧化硅层136与蓝宝石基板135间也有结合，所以，热释放胶层134的失效，并不能使得蓝宝石基板135脱离红光LED芯片。在本实施例中，热释放胶层134失效之后，还需要向着驱动背板137一侧按压蓝宝石基板135，直至热释放胶层侧面部分的氧化硅层136所形成的“弱化结构”断裂为止，如图13(l)与13(m)。
本实施例中的红光LED芯片可以包括但不限于mini-LED(迷你LED)、Micro-LED(微LED)或者是OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)等。其中，Micro-LED是新一代的显示技术，与现有的液晶显示相比具有更高的光电效率，更高的亮度，更高的对比度，以及更低的功耗，且还能结合柔性面板实现柔性显示，与传统的LED相比，它具有相同的发光原理，都是靠RGB颜色的LED芯片进行发光构成三原色，从而实现彩色画面。
本实施例中，通过使用热释放胶层代替BCB胶层，实现基于热效应使蓝宝石基板与红光LED芯片分离的效果，提升了红光LED芯片的可靠性，增强了红光LED芯片的品质。而且，可以实现红光LED芯片与驱动背板的直接键合，不必再采用临时基板转移红光LED芯片，简化了显示面板的制备流程。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种红光LED芯片组件，其特征在于，包括：
绝缘基板；
设置在所述绝缘基板上的多颗红光LED芯片；以及
用于粘接所述绝缘基板与所述红光LED芯片的热释放胶层；
所述红光LED芯片包括与所述热释放胶层接触的电流扩展层，位于所述电流扩展层上的红光外延层以及分别与所述红光外延层中两个半导体层电连接的电极；
所述热释放胶层用于在将所述红光外延层自生长基板转移至所述绝缘基板的过程中实现所述电流扩展层与所述绝缘基板的结合。
2.如权利要求1所述的红光LED芯片组件，其特征在于，所述红光LED芯片组件还包括包覆所述红光LED芯片的绝缘保护层，所述红光LED芯片的电极的部分区域外露于所述绝缘保护层。
3.如权利要求2所述的红光LED芯片组件，其特征在于，所述绝缘保护层包覆所述热释放胶层的侧面，并与所述绝缘基板接触。
4.一种红光LED芯片组件制备方法，其特征在于，包括：
提供一生长基板，以及形成于所述生长基板表面的红光外延层；
在所述红光外延层上设置一电流扩展层；
透过一热释放胶层将所述电流扩展层与一绝缘基板粘合；
去除所述生长基板，以实现所述红光外延层从所述生长基板转移至所述绝缘基板；
在所述红光外延层上设置电极，以形成包括红光LED芯片的红光LED芯片组件。
5.如权利要求4所述的红光LED芯片组件制备方法，其特征在于，
所述在所述红光外延层上设置电极之前还包括：
在所述红光外延层上设置包覆所述红光外延层的绝缘保护层，所述绝缘保护层与所述热释放胶层一起对所述红光外延层与所述电流扩展层形成包裹；
图案化所述绝缘保护层以外露出电极设置区；
或，
所述在所述红光外延层上设置电极之后还包括：
形成包覆所述红光LED芯片的绝缘保护层，所述红光LED芯片的电极的部分区域外露于所述绝缘保护层。
6.如权利要求4或5所述的红光LED芯片组件制备方法，其特征在于，所述透过一热释放胶层将所述电流扩展层与绝缘基板粘合的步骤包括以下几种中的任意一种：
方式一：
在所述电流扩展层上设置热释放胶层；
透过所述热释放胶层将所述绝缘基板粘接在所述电流扩展层上；
方式二：
在所述绝缘基板上设置热释放胶层；
采用热释放胶层远离所述绝缘基板的一面粘接所述电流扩展层；
方式三：
在所述电流扩展层上设置第一热释放胶层，并在所述绝缘基板上设置第二热释放胶层；
粘接所述第一热释放胶层与所述第二热释放胶层。
7.一种显示面板制备方法，其特征在于，包括：
采用如权利要求4-6任一项所述的红光LED芯片组件制备方法制备红光LED芯片组件；其中，所述红光LED芯片组件中各红光LED芯片的排布满足驱动背板上红光LED芯片的部署要求；
将所述红光LED芯片组件中各红光LED芯片的电极与驱动背板上的焊点进行焊接；
在所述热释放胶层受热失效后，去除所述绝缘基板与失效的所述热释放胶层。
8.如权利要求7所述的显示面板制备方法，其特征在于，所述将所述红光LED芯片组件中各红光LED芯片的电极与驱动背板上的焊点进行焊接包括：
采用高于所述热释放胶层失效温度的焊接温度焊接所述电极与所述焊点。
9.如权利要求7或8所述的显示面板制备方法，其特征在于，若所述红光LED芯片中包括绝缘保护层，且所述绝缘保护层包覆所述热释放胶层的侧面，并与所述绝缘基板接触，则在所述热释放胶层受热失效后，去除所述绝缘基板与失效的所述热释放胶层包括：
向所述绝缘基板施加朝向所述驱动背板的压力直至包覆所述热释放胶层侧面的所述绝缘保护层断裂。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板采用如权利要求7-9任一项所述的显示面板制备方法制备得到。
CN202011013915.8A 2020-09-24 2020-09-24 一种红光led组件、显示面板及制备方法 Pending CN114256399A (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011013915.8A CN114256399A (zh) 2020-09-24 2020-09-24 一种红光led组件、显示面板及制备方法
US17/770,117 US20220392874A1 (en) 2020-09-24 2021-03-22 Red led chip component, red led chip, display panel and manufacturing method
PCT/CN2021/082077 WO2022062338A1 (zh) 2020-09-24 2021-03-22 红光led芯片组件、红光led芯片、显示面板及制备方法
TW110135444A TW202218215A (zh) 2020-09-24 2021-09-24 紅光led組件、顯示面板及製備方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011013915.8A CN114256399A (zh) 2020-09-24 2020-09-24 一种红光led组件、显示面板及制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114256399A true CN114256399A (zh) 2022-03-29

Family

ID=80789891

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011013915.8A Pending CN114256399A (zh) 2020-09-24 2020-09-24 一种红光led组件、显示面板及制备方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220392874A1 (zh)
CN (1) CN114256399A (zh)
TW (1) TW202218215A (zh)
WO (1) WO2022062338A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114864784A (zh) * 2022-05-26 2022-08-05 厦门市三安光电科技有限公司 一种发光二极管及发光装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101471334A (zh) * 2007-12-28 2009-07-01 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
CN202415432U (zh) * 2012-01-08 2012-09-05 荆门市维益电子包装材料有限公司 感温剥离膜片
CN109244205A (zh) * 2018-09-12 2019-01-18 肖和平 一种倒装结构AlGaInP红光Micro-LED及其制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9978724B2 (en) * 2014-06-27 2018-05-22 Bridgelux, Inc. Red flip chip light emitting diode, package, and method of making the same
CN109661122B (zh) * 2018-11-09 2020-01-21 华中科技大学 一种适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101471334A (zh) * 2007-12-28 2009-07-01 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
CN202415432U (zh) * 2012-01-08 2012-09-05 荆门市维益电子包装材料有限公司 感温剥离膜片
CN109244205A (zh) * 2018-09-12 2019-01-18 肖和平 一种倒装结构AlGaInP红光Micro-LED及其制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114864784A (zh) * 2022-05-26 2022-08-05 厦门市三安光电科技有限公司 一种发光二极管及发光装置
CN114864784B (zh) * 2022-05-26 2024-04-23 泉州三安半导体科技有限公司 一种发光二极管及发光装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202218215A (zh) 2022-05-01
WO2022062338A1 (zh) 2022-03-31
US20220392874A1 (en) 2022-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10833220B2 (en) Micro light emitting diode device
US8193541B2 (en) Light emitting diode structure having a conductive thin film for connecting a light emitting stack to an electrode and LED packaging structure using the same
CN103339749B (zh) 晶片级发光二极管封装件及制造此的方法
US8791548B2 (en) Optoelectronic semiconductor chip, optoelectronic component and a method for producing an optoelectronic component
US20060261292A1 (en) Light emitting device package and method for manufacturing the same
CN102354723B (zh) 一种倒装半导体发光器件及其制造方法
WO2002007132A1 (fr) Unite d'affichage d'images et procede de fabrication correspondant
CN112768484B (zh) 发光二极管及其制作方法
KR102570676B1 (ko) 반도체 발광소자를 제조하는 방법
JP4403434B2 (ja) 画像表示装置
JP4393306B2 (ja) 半導体発光素子およびその製造方法並びに半導体装置
JP4403422B2 (ja) 画像表示装置の製造方法
JP2004080050A (ja) フリップチップ型光半導体素子
CN114256399A (zh) 一种红光led组件、显示面板及制备方法
KR20070067819A (ko) 발광 다이오드, 발광 다이오드 패키지 및 발광 다이오드제조 방법
US8232119B2 (en) Method for manufacturing heat dissipation bulk of semiconductor device
KR102437637B1 (ko) 반도체 발광소자를 제조하는 방법
KR20010014905A (ko) 발광장치 및 그 제조방법
JP2004146652A (ja) 半導体発光素子の製法
CN211088274U (zh) 显示装置
TWI824880B (zh) 顯示裝置
KR102403425B1 (ko) 마이크로 엘이디 디스플레이를 제조하는 방법
KR20190061227A (ko) 마이크로 led 장치 및 그 제조 방법
EP4024481A1 (en) Light-emitting element for display, and display apparatus having same
CN111864037B (zh) 微元件阵列基板、显示面板及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination