CN112885822A - 显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示装置的制造方法，包括下列步骤。提供发光二极管显示装置，发光二极管显示装置包括：电路基板、多个第一发光二极管以及第二发光二极管；检测发光二极管显示装置，其中第二发光二极管不能正常发光；将第二发光二极管自电路基板移除。提供发光二极管基板；将发光二极管基板的第三发光二极管转置于第一转置基板；将第一转置基板上的第三发光二极管转置于第二转置基板；以及将第二转置基板上的第三发光二极管电性连接至电路基板。

Description

显示装置的制造方法
技术领域
本发明是有关于一种显示装置的制造方法，且特别是有关于一种包含发光 二极管的显示装置的制造方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode；LED)为一种发光元件，其具低功耗、 高亮度、高解析度及高色彩饱和度等特性，因而适用于构建发光二极管显示面 板的像素结构。
将发光二极管转置到电路基板上的技术称为巨量转移(Mass Transfer)。 现有技术在转移发光二极管时，容易产生发光二极管转置错误、失败或者发光 二极管不良等的问题，导致显示装置中部分的像素不能正常运作，严重地影响 显示装置的显示品质。一般而言，会将转置错误、失败或者发光二极管不良等 的发光二极管移除，并将修复用的发光二极管转置于电路基板上以代替移除的 发光二极管。然而，在现有技术的修复制程中，一次仅能转置一颗修复用的发 光二极管，且修复用的发光二极管在转置过程容易出现位置偏移，导致修复失 败。
发明内容
本发明提供一种显示装置的制造方法，能快速且准确的修复不能正常发光 的发光二极管。
本发明的至少一实施例提供一种显示装置的制造方法，包括下列步骤。提 供发光二极管显示装置。发光二极管显示装置包括电路基板、多个第一发光二 极管以及第二发光二极管。第一发光二极管分别对应于电路基板的多个第一放 置区设置。第一发光二极管电性连接至电路基板。第二发光二极管对应于电路 基板的第二放置区设置。检测发光二极管显示装置，其中第二发光二极管不能 正常发光。将第二发光二极管自电路基板移除。提供发光二极管基板，发光二 极管基板包括第三发光二极管。提供第一转置基板。基于第二放置区的位置， 将发光二极管基板的第三发光二极管转置于第一转置基板。将第一转置基板上 的第三发光二极管转置于第二转置基板。将第二转置基板重叠于电路基板。第 三发光二极管位于第二转置基板朝向电路基板的一侧。第三发光二极管的位置 重叠于第二放置区。将第二转置基板上的第三发光二极管电性连接至电路基板。
附图说明
图1是依照本发明的一实施例的一种发光二极管基板的剖面示意图。
图2是依照本发明的一实施例的一种发光二极管基板的剖面示意图。
图3A至图3E是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制 造方法的剖面示意图。
图4A至图4C是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制 造方法的剖面示意图。
图5A至图5D是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制 造方法的剖面示意图。
图6A至图6E是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制 造方法的剖面示意图。
图7A至图7J是依照本发明的一实施例的一种修复发光二极管显示装置 的方法的示意图。
图8A至图8D是依照本发明的一实施例的一种修复发光二极管显示装置 的方法的剖面示意图。
图9A至图9Q是依照本发明的一实施例的一种修复发光二极管显示装置 的方法的剖面示意图。
图10A至图10F是依照本发明的一实施例的一种转置发光二极管的方法 的上视示意图。
图11A至图11F分别是图10A至图10F中线a-a’的剖面上视示意图。
其中，附图标记：
10、20、30、40:发光二极管基板
30r:红色发光二极管基板
30g:绿色发光二极管基板
30b:蓝色发光二极管基板
100、100a、300r、300g、300b、400:生长基板
102:基底
104:系连结构
104’、104”:断裂的系连结构
110:缓冲层
120:半导体层
130:第一半导体层
140:发光层
150:第二半导体层
160:第三半导体层
200:电路基板
E1、E2:电极
AD1、AD2、AD3、AD4:黏着层
C1:第一导电层
DR1:方向
i:绝缘层
L、La、L5:发光二极管
L1:第一发光二极管
L1r:第一红色发光二极管
L1g:第一绿色发光二极管
L1b:第一蓝色发光二极管
L2:第二发光二极管
L2r:第二红色发光二极管
L2g:第二绿色发光二极管
L2b:第二蓝色发光二极管
L3:第三发光二极管
L3r:第三红色发光二极管
L3g:第三绿色发光二极管
L3b:第三蓝色发光二极管
L4:第四发光二极管
L4r:第四红色发光二极管
L4g:第四绿色发光二极管
L4b:第四蓝色发光二极管
LS:激光
P:接垫
P1:第一接垫
P2:第二接垫
PD:移除模块
PF:保护膜
R1:第一放置区
R1r:第一红色放置区
R1g:第一绿色放置区
R1b:第一蓝色放置区
R2:第二放置区
R2r:第二红色放置区
R2g:第二绿色放置区
R2b:第二蓝色放置区
SP:支撑结构
SM、SMa、SM1、SM2、SM3:半导体堆叠层
SR、SRa、SRb:金属层
SR1、SR1’、SR1a、SR1b:焊料
T1、T2:厚度
TD:转移装置
TS1、TS3:第一转置基底
TS3r:红色转置基板
TS3g:绿色转置基板
TS3b:蓝色转置基板
TS2、TS4:第二转置基底
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的 限定。
图1是依照本发明的一实施例的一种发光二极管基板的剖面示意图。
请参考图1，发光二极管基板10包括生长基板100以及发光二极管L。 发光二极管L包括半导体堆叠层SM以及两个电极E1、E2。
在一些实施例中，生长基板100为砷化镓(GaAs)基板、磷化镓(GaP) 基板、磷化铟(InP)基板、蓝宝石基板、碳化硅(SiC)基板、氮化镓(GaN) 基板或其他适用于磊晶制程的生长基板。在一些实施例中，生长基板100的表 面经由蚀刻制程(例如湿式蚀刻)而图案化，以使生长基板100具有凹凸起伏 的表面。在一些实施例中，缓冲层110形成于生长基板100的表面，缓冲层 110有助于提升后续磊晶制程的良率。在一些实施例中，缓冲层110的材料为氮化铝或其他合适的材料。
半导体堆叠层SM形成于生长基板100上。在一些实施例中，半导体堆叠 层SM藉由磊晶制程以及图案化制程形成于缓冲层110上。半导体堆叠层SM 包括第一半导体层130、发光层140以及第二半导体层150。第一半导体层130 与第二半导体层150中的一者为N型掺杂半导体，且另一者为P型掺杂半导 体。举例来说，第一半导体层130为N型半导体层，且第二半导体层150为P 型半导体层。
第一半导体层130与第二半导体层150的材料例如包括氮化镓、氮化铟镓(InGaN)、砷化镓、铝镓铟磷化物(AlGaInP)或其他IIIA族和VA族元素 组成的材料或其他合适的材料，但本发明不以此为限。
发光层140位于第一半导体层130与第二半导体层150之间。发光层140 例如具有量子井(Quantum Well,QW)，例如：单量子井(SQW)、多量子 井(MQW)或其他的量子井，P型掺杂的半导体层提供的电洞与N型掺杂的 半导体层提供的电子可以在发光层140结合，并以光的模式释放出能量。
在本实施例中，半导体堆叠层SM还包括低掺杂(或未掺杂)的半导体层 120。半导体层120位于第一半导体层130与生长基板100之间。半导体层120 的材料例如包括氮化镓、氮化铟镓(InGaN)、砷化镓、铝镓铟磷化物(AlGaInP) 或其他IIIA族和VA族元素组成的材料或其他合适的材料，但本发明不以此 为限。
在本实施例中，发光二极管L为蓝色发光二极管或绿色发光二极管，半 导体层120、第一半导体层130、发光层140以及第二半导体层150的材料包 括氮化镓，且生长基板100为蓝宝石基板，但本发明不以此为限。在其他实施 例中，发光二极管L为其他颜色的发光二极管，且半导体层120、第一半导体 层130、发光层140以及第二半导体层150的材料包括其他材料。
绝缘层i形成于半导体堆叠层SM上。绝缘层i具有至少两个开口，分别 暴露出第一半导体层130的部分顶面与第二半导体层150的部分顶面。
两个电极E1、E2形成于半导体堆叠层SM上。在一些实施例中，电极E1、 E2通过绝缘层i的开口而分别电性连接至第一半导体层130与第二半导体层 150。
电极E1、E2为单层或多层结构。在本实施例中，电极E1、E2各自包括 导电层C1以及金属层SR。
导电层C1形成于半导体堆叠层SM上，且分别接触第一半导体层130及 第二半导体层150。在一些实施例中，导电层C1所选用的材料包括金属、合 金或其他导电材料。在一些实施例中，导电层C1为单层或多层结构。
金属层SR形成于导电层C1上。金属层SR的熔点低于摄氏260度。在 一些实施例中，金属层SR的厚度T2为0.1微米至5微米。在一些实施例中， 金属层SR所选用的材料包括锡、铟、铋、锡铋混合金属、锡铟混合金属、锡 铜混合金属、锡银混合金属、锡锑混合金属、锡锌混合金属、锡银铜混合金属、 锡银铜铋混合金属或前述材料的组合。在一些实施例中，形成金属层SR的方 法包括蒸镀、电镀或其他合适的制程。
在一些实施例中，导电层C1共形地形成于绝缘层i的开口中以及绝缘层 i的表面。金属层SR共形地形成于导电层C1上。在一些实施例中，导电层 C1以及金属层SR的中央对应绝缘层i的开口的位置略微朝下凹陷，但本发明 不以此为限。
在一些实施例中，导电层C1以及金属层SR的形状是藉由相同的罩幕所 定义，因此导电层C1垂直投影于生长基板100上的形状以及金属层SR垂直 投影于生长基板100上的形状实质上彼此相同。在其他实施例中，电极E1、 E2中的上层选择性地包覆下层的侧面，例如可能在制程中使用不同尺寸的光 罩或是在蒸镀过程中因为误差而使上层接触到下层的侧面。举例来说，金属层 SR选择性地包覆第二导电层C2的侧面、阻障层BL的侧面以及第一导电层 C1的侧面，但本发明不以此为限。
虽然在本实施例中，电极E1、E2各自包括导电层C1以及金属层SR，但 本发明不以此为限。在其他实施例中，电极E1、E2各自不包括低熔点金属(例 如不包括金属层SR)。
图2是依照本发明的一实施例的一种发光二极管基板的剖面示意图。在此 必须说明的是，图2的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中 采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的 说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图2的发光二极管基板20与图1的发光二极管基板10的主要差异在于： 发光二极管基板20的半导体堆叠层SMa不同于发光二极管基板10的半导体 堆叠层SM。
请参考图2，半导体堆叠层SMa形成于生长基板100上。在一些实施例 中，半导体堆叠层SMa藉由磊晶制程形成于缓冲层110上。半导体堆叠层SMa 包括第一半导体层130、发光层140以及第二半导体层150。第一半导体层130 与第二半导体层150中的一者为N型掺杂半导体，且另一者为P型掺杂半导 体。举例来说，第一半导体层130为N型半导体层，且第二半导体层150为P 型半导体层。发光层140位于第一半导体层130与第二半导体层150之间。
在本实施例中，半导体堆叠层SMa还包括第三半导体层160。第三半导 体层160形成于第二半导体层150上，且第三半导体层160与第二半导体层 150为相同型的半导体层(例如皆为P型半导体层)。
在本实施例中，发光二极管La为红色发光二极管，且半导体层120、第 一半导体层130、发光层140以及第二半导体层150的材料包括铝镓铟磷化物， 第三半导体层160的材料包括磷化镓，且生长基板100包括砷化镓基板，但本 发明不以此为限。在其他实施例中，发光二极管La为其他颜色的发光二极管， 且第一半导体层130、发光层140、第二半导体层150以及第三半导体层160 的材料包括其他材料。
图3A至图3E是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制 造方法的剖面示意图。
请参考图3A与图3B，形成多个发光二极管Lb于生长基板100上。各发 光二极管Lb包括半导体堆叠层SM1以及两个电极E1、E2。两个电极E1、E2 形成于半导体堆叠层SM1上。发光二极管Lb的结构类似于图1的发光二极管 L或图2的发光二极管La。相关说明请参考图1以及图2。
将发光二极管Lb自生长基板100转置于第一转置基底TS1。在本实施例 中，第一转置基底TS1包括基底SB1以及黏着层AD1。在一些实施例中，第 一转置基底TS1为胶带，且基底SB1包括软性材料。在一些实施例中，基底 SB1为透明基底，且材料例如为玻璃、蓝宝石或其他适合的材料。
将生长基板100移动至第一转置基底TS1上，并使生长基板100上的发 光二极管Lb朝向第一转置基底TS1，接着以激光剥离(Laser lift off)的方式 将一个或多个发光二极管Lb自生长基板100转置于第一转置基底TS1的黏着 层AD1上。
在本实施例中，以激光LS选择要转置的发光二极管Lb。在本实施例中， 将所有的发光二极管Lb转置于第一转置基底TS1，但本发明不以此为限。在 其他实施例中，将部分发光二极管Lb转置于第一转置基底TS1上，另一部分 发光二极管Lb留在生长基板100上。在本实施例中，发光二极管Lb的电极 E1、E2位于发光二极管Lb朝向第一转置基底TS1的一侧。
请参考图3B与图3C，将发光二极管Lb自第一转置基底TS1转置于第二 转置基底TS2。第二转置基底TS2包括基底SB2以及黏着层AD2。在一些实 施例中，基底SB2包括导热材料，例如陶瓷、金属或其他适合的材料。在一 些实施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、蓝宝石或其他适合的材料。
在本实施例中，第一转置基底TS1的基底SB1为透明基底。移动第一转 置基底TS1或第二转置基底TS2以使第一转置基底TS1与第二转置基底TS2 对准，接着从基底SB1的一侧以激光照射发光二极管Lb，并藉由激光转移 (Laser Transfer))的方式将选定的发光二极管Lb自第一转置基底TS1转置于 第二转置基底TS2的黏着层AD2上。
在其他实施例中，第一转置基底TS1为胶带，且仅将部分发光二极管Lb 自生长基板100转移至第一转置基底TS1。将第二转置基底TS2贴合至第一转 置基底TS1上的发光二极管Lb(例如移动第二转置基底TS2以使第二转置基 底TS2接触发光二极管Lb及/或移动第一转置基底TS1以使第二转置基底TS2 接触发光二极管Lb)，接着移除第一转置基底TS1。在将第一转置基板TS1 上的发光二极管Lb转置于第二转置基板TS1时，黏着层AD2的黏性大于黏 着层AD1(或前述胶带)的黏性。在一些实施例中，藉由照射紫外光(UV light) 或其他制程降低黏着层AD1的黏性，使黏着层AD2的黏性大于黏着层AD1 的黏性。在一些实施例中，不须而外的制程，黏着层AD1本身的黏性就小于 黏着层AD2的黏性。由于黏着层AD2的黏性大于黏着层AD1的黏性，因此 将第一转置基底TS1移除后，发光二极管Lb留在第二转置基底TS2上。
在本实施例中，发光二极管Lb的电极E1、E2位于发光二极管Lb背对第 二转置基底TS2的一侧。
请参考图3D，以类似图3A至图3C的方式将一个或多个发光二极管Lg 移至第二转置基底TS2上。发光二极管Lg包括半导体堆叠层SM2以及电极 E1、E2。发光二极管Lg的结构类似于图1的发光二极管L或图2的发光二极 管La。相关说明请参考图1以及图2。
以类似图3A至图3C的方式将一个或多个发光二极管Lr移至第二转置基 底TS2上。发光二极管Lr包括半导体堆叠层SM3以及电极E1、E2。发光二 极管Lr的结构类似于图1的发光二极管L或图2的发光二极管La。相关说明 请参考图1以及图2。
在本实施例中，发光二极管Lb、发光二极管Lg以及发光二极管Lr分别 为蓝色发光二极管、绿色发光二极管以及红色发光二极管。在本实施例中，发 光二极管Lb、发光二极管Lg以及发光二极管Lr依序转置于第二转置基底TS2 上，但本发明并未限制发光二极管Lb、发光二极管Lg以及发光二极管Lr转 置于第二转置基底TS2上的顺序。发光二极管Lb、发光二极管Lg以及发光 二极管Lr转置于第二转置基底TS2上的顺序可以依照实际需求而进行调整。
请参考图3E，将发光二极管Lb、Lg、Lr自第二转置基底TS2转置于电 路基板200。在本实施例中，在第二转置基底TS2上的发光二极管Lb、Lg、 Lr之间的间距约等于在电路基板200上的发光二极管Lb、Lg、Lr之间的间距。 电路基板200为硬性基板或软性基板。
在本实施例中，电路基板200包括多个接垫P。每个发光二极管Lb、Lg、 Lr的位置对应于电路基板200的两个接垫P。接垫P电性连接至电路基板200 中的主动元件(未绘出)或信号线(未绘出)。在一些实施例中，其他额外的 驱动晶片(如微晶片(micro chips))或驱动电路板(包含以覆晶薄膜封装技 术制作的驱动晶片)接合至电路基板200上。在一些实施例中，电路基板200 适用于显示面板内或背光模块内。
在一些实施例中，接垫P所选用的材料包括金、镍、铜、锡、铟、锡银混 合金属、锡铜混合金属、锡银铜混合金属或前述材料的组合或堆叠。
在一些实施例中，第二转置基底TS2的基底SB2包括导热材料。将第二 转置基底TS2压于电路基板200上，接着藉由第二转置基底TS2将热传至发 光二极管Lb、Lg、Lr，以对发光二极管Lb、Lg、Lr加热。发光二极管Lb、 Lg、Lr的电极E1、E2中的金属层SR分别连接至电路基板200的对应的接垫 P。
在一些实施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、蓝宝石或其他适 合的材料。将第二转置基底TS2压于电路基板200上，接着以激光通过基底 SB2照射至发光二极管Lb、Lg、Lr，以对发光二极管Lb、Lg、Lr加热。发光 二极管Lb、Lg、Lr的电极E1、E2中的金属层SR分别连接至电路基板200 的对应的接垫P。
请继续参考图3E，在使发光二极管Lb、Lg、Lr电性连接至电路基板200 后，移除第二转置基底TS2。在本实施例中，发光二极管Lb、Lg、Lr包括不 同颜色的发光二极管(例如蓝色、绿色以及红色)，但本发明不以此为限。在 其他实施例中，仅将单一颜色的发光二极管转置于电路基板200，并藉由其他 色彩转换元件(例如量子点(Quantum dot)材料或者磷光体(Phosphor))的 材料等)将单一颜色的发光二极管发出的光线转换成其他颜色的光线。换句话 说，在其他实施例中，可以省略形成另外两种颜色的发光二极管以及转移另外 两种颜色的发光二极管的步骤。
图4A至图4C是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制 造方法的剖面示意图。
请参考图4A，以类似图3A至图3D的方式将发光二极管Lb、Lg、Lr转 置于第二转置基底TS2上，然而，与图3A至图3D的实施例的差别在于：在 图4A的实施例中，发光二极管Lb、Lg、Lr各自的电极E1、E2不包含低熔点 金属(例如不包含金属层SR)。
请参考图4B，于电路基板200的接垫P上形成焊料SR1或导电胶(未绘 出)。在一些实施例中，形成焊料SR1的方式包括印刷、蒸镀、电镀或其他 合适的方法。在一些实施例中，导电胶例如是整面形成于电路基板200上的异 方性导电胶。
请参考图4C，将发光二极管Lb、Lg、Lr自第二转置基底TS2转置于电 路基板200。在本实施例中，在第二转置基底TS2上的发光二极管Lb、Lg、 Lr之间的间距约等于在电路基板200上的发光二极管Lb、Lg、Lr之间的间距。 电路基板200为硬性基板或软性基板。
在一些实施例中，第二转置基底TS2的基底SB2包括导热材料。将第二 转置基底TS2压于电路基板200上，接着藉由第二转置基底TS2将热传至焊 料SR1，以对焊料SR1加热。发光二极管Lb、Lg、Lr的电极E1、E2通过焊 料SR1而分别电性连接至电路基板200的对应的接垫P。
在一些实施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、蓝宝石或其他适 合的材料。将第二转置基底TS2压于电路基板200上，接着以激光通过基底 SB2照射至焊料SR1，以对焊料SR1加热。发光二极管Lb、Lg、Lr的电极 E1、E2通过焊料SR1而分别电性连接至电路基板200的对应的接垫P。
请继续参考图4C，在使发光二极管Lb、Lg、Lr电性连接至电路基板200 后，移除第二转置基底TS2。在本实施例中，发光二极管Lb、Lg、Lr包括不 同颜色的发光二极管(例如蓝色、绿色以及红色)，但本发明不以此为限。在 其他实施例中，仅将单一颜色的发光二极管转置于电路基板200，并藉由其他 色彩转换元件将单一颜色的发光二极管发出的光线转换成其他颜色的光线。换 句话说，在其他实施例中，可以省略形成其他两种发光二极管以及转移其他两 种发光二极管的步骤。
在本实施例中，焊料SR1形成于电路基板200的接垫P上，但本发明不 以此为限。在其他实施例中，形成焊料SR1于发光二极管Lb、Lg、Lr的电极 E1、E2上。
图5A至图5D是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制 造方法的剖面示意图。
请参考图5A，形成多个发光二极管Lb于生长基板100a上。在本实施例 中，生长基板100a包括基底102以及系连结构104。在一些实施例中，形成 牺牲层(未绘出)以及系连结构104于基底102上，接着形成连接系连结构104的发光二极管Lb，然后移除牺牲层以使发光二极管Lb与基底102之间具 有间隙。在移除牺牲层之后，发光二极管Lb固定于生长基板100a上的系连结 构104上。
在本实施例中，各发光二极管Lb包括半导体堆叠层SM1以及两个电极 E1、E2。两个电极E1、E2形成于半导体堆叠层SM1上。发光二极管Lb的结 构类似于图1的发光二极管L或图2的发光二极管La。相关说明请参考图1 以及图2。
在本实施例中，发光二极管Lb的电极E1、E2位于发光二极管Lb背对基 底102的一侧。
以转移装置TD提取一个或多个发光二极管Lb。在将发光二极管Lb自生 长基板100a上提起时，系连结构104会因为受力而断裂。在一些实施例中， 部分断裂的系连结构104’残留于被提起的发光二极管Lb上，另一部分断裂的 系连结构104”则残留于基底102上，但本发明不以此为限。
在本实施例中，转移装置TD的黏性材料例如包括聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)等，且转移装置TD藉由转移装置TD与发 光二极管Lb之间的凡德瓦力将发光二极管Lb提起。在其他实施例中，转移 装置TD例如是以真空吸引力或静电等其他方式将发光二极管Lb提起。
请参考图5B，藉由转移装置TD将一个或多个发光二极管Lb转置于第一 转置基底TS1上。第一转置基底TS1包括基底SB1以及黏着层AD1。在一些 实施例中，基底SB1包括导热材料，例如陶瓷、金属或其他适合的材料。在 一些实施例中，基底SB1包括透明材料，例如玻璃、蓝宝石或其他适合的材 料。
使发光二极管Lb固定于第一转置基底TS1的黏着层AD1上，接着移除 转移装置TD。
在本实施例中，发光二极管Lb的电极E1、E2位于发光二极管Lb背对第 一转置基底TS1的一侧。
请参考图5C，藉由类似图5A至图5B的方法形成发光二极管Lg、Lr， 并将发光二极管Lg、Lr转置于第一转置基底TS1上。
请参考图5D，翻转第一转置基底TS1，并将发光二极管Lb、Lg、Lr自第 一转置基底TS1转置于电路基板200。在本实施例中，在第一转置基底TS1 上的发光二极管Lb、Lg、Lr之间的间距约等于在电路基板200上的发光二极 管Lb、Lg、Lr之间的间距。
在本实施例中，电路基板200包括多个接垫P。接垫P电性连接至电路基 板200中的主动元件(未绘出)或信号线(未绘出)。每个发光二极管Lb、 Lg、Lr的位置对应于电路基板200的两个接垫P。
在一些实施例中，第一转置基底TS1的基底SB1包括导热材料。将第一 转置基底TS1压于电路基板200上，接着藉由第一转置基底TS1将热传至发 光二极管Lb、Lg、Lr，以对发光二极管Lb、Lg、Lr加热。发光二极管Lb、 Lg、Lr的电极E1、E2中的金属层SR分别连接至电路基板200的对应的接垫 P。
在一些实施例中，基底SB1包括透明材料，例如玻璃、蓝宝石或其他适 合的材料。将第一转置基底TS1压于电路基板200上，接着以激光通过基底 SB1照射至发光二极管Lb、Lg、Lr，以对发光二极管Lb、Lg、Lr加热。发光 二极管Lb、Lg、Lr的电极E1、E2中的金属层SR分别连接至电路基板200 的对应的接垫P。
请继续参考图5D，在将发光二极管Lb、Lg、Lr电性连接至电路基板200 之后，移除第一转置基底TS1。
图6A至图6E是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制 造方法的剖面示意图。
请参考图6A，形成多个发光二极管Lb于生长基板100a上。在本实施例 中，生长基板100a包括基底102以及系连结构104。在一些实施例中，形成 牺牲层(未绘出)以及系连结构104于基底102上，接着形成连接系连结构 104的发光二极管Lb，然后在移除牺牲层以使发光二极管Lb与基底102之间 具有间隙。在移除牺牲层之后，发光二极管Lb固定于生长基板100a上的系连 结构104上。
在本实施例中，各发光二极管Lb包括半导体堆叠层SM1以及两个电极 E1、E2。两个电极E1、E2形成于半导体堆叠层SM1上。发光二极管Lb的结 构类似于图1的发光二极管L或图2的发光二极管La。相关说明请参考图1 以及图2。
在本实施例中，发光二极管Lb的电极E1、E2位于发光二极管Lb面对基 底102的一侧。
以转移装置TD提取一个或多个发光二极管Lb。在将发光二极管Lb自生 长基板100a上提起时，系连结构104会因为受力而断裂。在一些实施例中， 部分断裂的系连结构104’残留于被提起的发光二极管Lb上，另一部分断裂的 系连结构104”残留于基底102上，但本发明不以此为限。
在本实施例中，转移装置TD的黏性材料(例如包括聚二甲基硅氧烷)等， 且转移装置TD藉由转移装置TD与发光二极管Lb之间的凡德瓦力将发光二 极管Lb提起。在其他实施例中，转移装置TD例如是以真空吸引力或静电等 其他方式将发光二极管Lb提起。
请参考图6A与图6B，藉由转移装置TD将发光二极管Lb转置于第一转 置基底TS1上。
在本实施例中，第一转置基底TS1包括基底SB1以及黏着层AD1。在一 些实施例中，第一转置基底TS1为胶带，且基底SB1包括软性材料。在一些 实施例中，基底SB1为透明基底，且材料例如为玻璃、蓝宝石或其他适合的 材料。
在本实施例中，将部分的发光二极管Lb转置于第一转置基底TS1上，另 一部分的发光二极管Lb留在生长基板100上。在其他实施例中，将全部的发 光二极管Lb转置于第一转置基底TS1上。在本实施例中，发光二极管Lb的 电极E1、E2位于发光二极管Lb朝向第一转置基底TS1的一侧。
请参考图6C，将其中一个或多个发光二极管Lb自第一转置基底TS1转 置于第二转置基底TS2。第二转置基底TS2包括基底SB2以及黏着层AD2。 在一些实施例中，基底SB2包括导热材料，例如陶瓷、金属或其他适合的材 料。在一些实施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、蓝宝石或其他适 合的材料。
在本实施例中，第一转置基底TS1的基底SB1为透明基底。在将第一转 置基底TS1移至第二转置基底TS2上之后，从基底SB1的一侧以激光LS照 射发光二极管Lb，并藉由激光转移的方式将至少部分的发光二极管Lb自第一 转置基底TS1转置于第二转置基底TS2的黏着层AD2上。
在其他实施例中，第一转置基底TS1包括胶带，且黏着层AD2的黏性大 于黏着层AD1的黏性。将第二转置基底TS2贴合至第一转置基底TS1上的发 光二极管Lb之后，移除第一转置基底TS1。由于黏着层AD2的黏性大于黏着 层AD1的黏性，因此将第一转置基底TS1移除后，发光二极管Lb留在第二 转置基底TS2上。
在本实施例中，部分的发光二极管Lb转移至第二转置基底TS2上，另一 部分的发光二极管Lb留在第一转置基底TS1上，但本发明不以此为限。在其 他实施例中，第一转置基底TS1上的发光二极管Lb全部转移至第二转置基底 TS2上。
在本实施例中，发光二极管Lb的电极E1、E2位于发光二极管Lb背对第 二转置基底TS2的一侧。
请参考图6D，以类似图6A至图6C的方式将一个或多个发光二极管Lg、 Lr移至第二转置基底TS2上。发光二极管Lg包括半导体堆叠层SM2以及电 极E1、E2，且发光二极管Lr包括半导体堆叠层SM3以及电极E1、E2。发光 二极管Lg、Lr的结构类似于图1的发光二极管L或图2的发光二极管La。相 关说明请参考图1以及图2。
请参考图6E，将发光二极管Lb、Lg、Lr自第二转置基底TS2转置于电 路基板200。在本实施例中，在第二转置基底TS2上的发光二极管Lb、Lg、 Lr之间的间距约等于在电路基板200上的发光二极管Lb、Lg、Lr之间的间距。
在本实施例中，电路基板200包括多个接垫P。接垫P电性连接至电路基 板200中的主动元件(未绘出)或信号线(未绘出)。每个发光二极管Lb、 Lg、Lr的位置对应于电路基板200的两个接垫P。
在一些实施例中，第二转置基底TS2的基底SB2包括导热材料。将第二 转置基底TS2压于电路基板200上，接着藉由第二转置基底TS2将热传至发 光二极管Lb、Lg、Lr，以对发光二极管Lb、Lg、Lr加热。发光二极管Lb、 Lg、Lr的电极E1、E2中的金属层SR分别连接至电路基板200的对应的接垫 P。
在一些实施例中，基底SB2包括透明材料，例如玻璃、蓝宝石或其他适 合的材料。将第二转置基底TS2压于电路基板200上，接着以激光通过基底 SB2照射至发光二极管Lb、Lg、Lr，以对发光二极管Lb、Lg、Lr加热。发光 二极管Lb、Lg、Lr的电极E1、E2中的金属层SR分别连接至电路基板200 的对应的接垫P。
请继续参考图6E，在将发光二极管Lb、Lg、Lr电性连接至电路基板200 之后，移除第二转置基底TS2。
图7A至图7J是依照本发明的一实施例的一种修复发光二极管显示装置 的方法的示意图。
图7B是图7A线A-A’的剖面示意图。请参考图7A与图7B，提供发光二 极管显示装置D1。发光二极管显示装置D1包括电路基板200、多个第一发光 二极管L1以及一个或多个第二发光二极管L2。检测发光二极管显示装置D1， 其中第二发光二极管L2不能正常发光。
在本实施例中，将第一发光二极管L1与第二发光二极管L2转置于电路 基板200上的方法可以参照前述任一实施例，于此不再赘述。在本实施例中， 第一发光二极管L1与第二发光二极管L2各自包括半导体堆叠层SM以及电 性连接至半导体堆叠层SM的两个电极E1、E2。在本实施例中，第一发光二 极管L1与第二发光二极管L2为相同颜色的发光二极管(例如蓝色发光二极 管、红色发光二极管或绿色发光二极管)，第一发光二极管L1与第二发光二 极管L2例如可以形成于同一个生长基板上，接着再将第一发光二极管L1与 第二发光二极管L2转置于电路基板200上，但本发明不限于此。
在本实施例中，第一发光二极管L1分别对应于电路基板200的多个第一 放置区R1设置。在一些实施例中，第一发光二极管L1电性连接至第一放置 区R1中的第一接垫P1。第二发光二极管L2对应于电路基板200的第二放置 区R2设置。在一些实施例中，第二发光二极管L2本身故障，因此即使第二 发光二极管L2连接至第二放置区R2中的第一接垫P2，第二发光二极管L2 仍不能正常发光。在一些实施例中，第二发光二极管L2在转置过程中发生偏移、失败或者发光二极管不良等的问题，导致第二发光二极管L2没有准确地 与第二接垫P2接合或者不能正常发光。
在本实施例中，发光二极管显示装置D1中的多个第二发光二极管L2故 障，换句话说，发光二极管显示装置D1包括多个第二发光二极管L2，多个第 二发光二极管L2分别对应于电路基板200的多个第二放置区R2设置。在其 他实施例中，发光二极管显示装置D1中的一个发光二极管故障，换句话说， 发光二极管显示装置D1包括一个第二发光二极管L2，一个第二发光二极管 L2对应于电路基板200的一个第二放置区R2设置。
图7D是图7C线A-A’的剖面示意图。请参考图7C与图7D，将第二发光 二极管L2自电路基板200移除。举例来说，藉由发光二极管移除模块PD将 第二发光二极管L2自电路基板200上移除。移除模块PD为黏性吸头、真空 吸嘴、激光模块或者任何种类的移除机器(remove machine)。
在一些实施例中，在将第二发光二极管L2自电路基板200上移除之后， 第二发光二极管L2的金属层SR部分残留于电路基板200的第二接垫P2上。 举例来说，藉由移除模块PD对第二发光二极管L2加热或者激光等方式使第 二发光二极管L2的电极E1、E2中的金属层SR熔化，而将第二发光二极管 L2移除。部分熔化的金属层SRb残留于第二接垫P2上，另一部分的金属层 SRa随着第二发光二极管L2被移除而一起被提起。
图7F是图7E线A-A’的剖面示意图。请参考图7E与图7F，提供一个发 光二极管基板30。发光二极管基板30的结构类似于图1的发光二极管基板10 或图2的发光二极管基板20。在本实施例中，发光二极管基板30包括生长基 板300以及位于生长基板300上的多个第三发光二极管L3以及多个第四发光 二极管L4。发光二极管基板30的第三发光二极管L3包括半导体堆叠层SM 以及电性连接至半导体堆叠层SM的两个电极E1、E2。在本实施例中，第一发光二极管L1、第二发光二极管L2、第三发光二极管L3以及第四发光二极 管L4具有类似的结构，且所述结构类似于图1的发光二极管L或图2的发光 二极管La。在本实施例中，第一发光二极管L1、第二发光二极管L2、第三发 光二极管L3与第四发光二极管L4皆为相同颜色的发光二极管。
提供一个第一转置基板TS3。第一转置基底TS3包括基底SB3以及位于 基底SB3上的黏着层AD3。
基于第二放置区R2的位置，将发光二极管基板30的一个或多个第三发 光二极管L3转置于第一转置基板TS3的黏着层AD3上。举例来说，在将多 个第三发光二极管L3转置于第一转置基板TS3之后，第一转置基板TS3上的 多个第三发光二极管L3的排列方式等于电路基板200上的多个第二放置区R2 的排列方式。因此，不需要再调整相邻的第三发光二极管L3之间的间距就可 以在后续的制程中将第三发光二极管L3转置于电路基板200的第二放置区R2 上。
在一些实施例中，将发光二极管基板30的一个或多个第三发光二极管L3 转置于第一转置基板TS3的方法包括激光剥离(Laser Lift-off)等。在一些实施 例中，在将第三发光二极管L3转置于第一转置基板TS3之后，第四发光二极 管L4留在生长基板300上。换句话说，藉由激光将所需的第三发光二极管L3 转置于第一转置基板TS3。
图7H是图7G线A-A’的剖面示意图。请参考图7G与图7H，提供一个第 二转置基板TS4。第二转置基底TS4包括基底SB4以及位于基底SB4上的黏 着层AD4。
将第一转置基板TS3上的第三发光二极管L3转置于第二转置基板TS4。 在本实施例中，多个第三发光二极管L3在第一转置基板TS3上的排列方式对 称于多个第三发光二极管L3在第二转置基板TS4上的排列方式。举例来说， 在将第一转置基板TS3反转并将第三发光二极管L3转置于第二转置基板TS4 之后，第三发光二极管L3的排列方式会镜像对称于其未转置于第二转置基板 TS4之前的排列方式。
在本实施例中，第一转置基底TS3包括胶带，且基底SB3包括软性材料。 黏着层AD4的黏性大于黏着层AD3的黏性。将第二转置基底TS4贴合至第一 转置基底TS3上的第三发光二极管L3之后(例如移动第二转置基底TS4以使 第二转置基底TS4接触第三发光二极管L3及/或移动第一转置基底TS3以使 第二转置基底TS4接触第三发光二极管L3)，移除第一转置基底TS3。由于 黏着层AD4的黏性大于黏着层AD3的黏性，因此将第一转置基底TS3移除后， 第三发光二极管L3留在第二转置基底TS4上。
在其他实施例中，第一转置基底TS3的基底SB3为透明基底。移动第一 转置基底TS3或第二转置基底TS4以使第一转置基底TS3与第二转置基底TS4 重叠，接着从基底SB3的一侧以激光照射第三发光二极管L3，并藉由激光转 移的方式将第三发光二极管L3自第一转置基底TS3转置于第二转置基底TS4 的黏着层AD4上。
图7J是图7I线A-A’的剖面示意图。请参考图7I与图7J，将第二转置基 板TS4重叠于电路基板200。第三发光二极管L3位于第二转置基板TS4朝向 电路基板200的一侧。第三发光二极管L3的位置重叠于第二放置区R2。
在一些实施例中，在将第二转置基板TS4重叠于电路基板200时，第三 发光二极管L3接触电路基板200的第二接垫P2，且第一发光二极管L1接触 第二转置基板TS4。
在一些实施例中，在将第二转置基板TS4重叠于电路基板200时，在垂 直于第二转置基板TS4的方向DR1上，第三发光二极管L3不重叠于第一发 光二极管L1。
将第二转置基板TS4上的第三发光二极管L3电性连接至电路基板200。 举例来说，加热第三发光二极管L3，以使第三发光二极管L3的金属层SR电 性连接至原本对应至第二发光二极管L2的第二接垫P2。在一些实施例中，第 三发光二极管L3的金属层SR会与第二发光二极管L2残留于第二接垫P2上 的金属层SRb(绘于图7D)彼此融合。在一些实施例中，对第二转置基板TS4 加热并使热量传导至第三发光二极管L3或于第二转置基板TS4的一侧以激光 加热第三发光二极管L3。在一些实施例中，对第三发光二极管L3加热，使金 属层SR共晶接合至电路基板200的多个第二接垫P2。
在本实施例中，将第三发光二极管L3放置于原本对应至第二发光二极管 L2的第二接垫P2上，但本发明不以此为限。在其他实施例中，每个第一放置 区R1以及每个第二放置区R2中都设置有用于修复的冗余接垫(redundancy pad，未绘出)，将第三发光二极管L3放置于第二放置区R2中的冗余接垫上， 并使第三发光二极管L3藉由冗余接垫而电性连接至电路基板200中的其他元 件。
在本实施例中，由于第三发光二极管L3的电极E1、E2包括金属层SR， 因此，不需要于电路基板200上额外形成锡球或导电胶就能将第三发光二极管 L3接合至电路基板200，此外，还不会因为额外形成的锡球或导电胶偏移而 导致修复失败。换句话说，第三发光二极管L3的金属层SR提升了修复制程 的良率与精度。
在使第三发光二极管L3电性连接至电路基板200之后，移除第二转置基 板TS4。
在本实施例中，第一发光二极管L1以及第三发光二极管L3包括相同颜 色的发光二极管，并藉由其他色彩转换元件(例如量子点(Quantum dot)或 者磷光体(Phosphor))的材料等)将第一发光二极管L1以及第三发光二极管 L3发出的光线转换成其他颜色的光线。
基于上述，在一些实施例中，将第三发光二极管L3转置于电路基板200 的方法至少部分相同于将第一发光二极管L1以及第二发光二极管L2转置于 电路基板200(例如都有通过激光剥离将发光二极管自生长基板上转置于第一 转置基板上)，因此，将第三发光二极管L3转置于电路基板200所需要的设 备至少部分相同于将第一发光二极管L1以及第二发光二极管L2转置于电路 基板200所需要的设备，藉此节省设备成本。在一些实施例中，可以同时将多 个第三发光二极管L3转置于电路基板200上，因此，能减少修复制程所需要 的时间。
图8A至图8D是依照本发明的一实施例的一种修复发光二极管显示装置 的方法的剖面示意图。
请参考图8A，提供发光二极管显示装置D2。发光二极管显示装置D2包 括电路基板200、多个第一发光二极管L1以及一个或多个第二发光二极管L2。 在本实施例中，低熔点金属(例如金属层SR)没有形成于第一发光二极管L1 以及第二发光二极管L2各自的电极E1、E2上。在本实施例中，于电路基板 200的第一接垫P1以及第二接垫P2上形成焊料SR1，接着才将第一发光二极 管L1以及第二发光二极管L2放置于电路基板200上。
在本实施例中，将第一发光二极管L1与第二发光二极管L2转置于电路 基板200上的方法可以参照前述任一实施例，于此不再赘述。在本实施例中， 第一发光二极管L1与第二发光二极管L2为相同颜色的发光二极管(例如蓝 色发光二极管、红色发光二极管或绿色发光二极管)，第一发光二极管L1与 第二发光二极管L2例如可以形成于同一个生长基板上，接着再将第一发光二 极管L1与第二发光二极管L2转置于电路基板200上。
在本实施例中，检测发光二极管显示装置D2，其中第二发光二极管L2 不能正常发光。在一些实施例中，发光二极管显示装置中的一个或多个第二发 光二极管L2故障。
请参考图8B，将第二发光二极管L2自电路基板200移除。举例来说，藉 由移除模块PD将第二发光二极管L2自电路基板200上移除。移除模块PD 为黏性吸头、真空吸嘴、激光模块或者任何种类的移除机器。
在本实施例中，部分熔化的焊料SR1b残留于第二接垫P2上，另一部分 的焊料SR1a随着第二发光二极管L2一起被提起。
请参考图8C，于电路基板200的第二接垫P2上形成焊料SR1’或导电胶(未绘出)。在一些实施例中，形成焊料SR1’的方式包括印刷、蒸镀、电镀 或其他合适的方法。
在本实施例中，焊料SR1’或导电胶形成于焊料SR1b上，但本发明不以此 为限。在其他实施例中，每个第一放置区R1以及每个第二放置区R2中都设 置有用于修复的冗余接垫(redundancy pad，未绘出)，SR1’形成于冗余接垫 上。
请参考图8D，将第三发光二极管L3转置于电路基板200。在本实施例中， 将第三发光二极管L3转置于电路基板200的方法类似于图7C至图7E所述， 但差异在于本实施例中的第三发光二极管L3未包含金属层SR。
将第二转置基板TS4上的第三发光二极管L3电性连接至电路基板200。 举例来说，加热第三发光二极管L3，以使焊料SR1’电性连接第三发光二极管 L3至原本对应至第二发光二极管L2的第二接垫P2。在一些实施例中，焊料 SR1’会与第二发光二极管L2残留于第二接垫P2上的金属层SR1b彼此融合。 在一些实施例中，对第二转置基板TS4加热并使热量传导至第三发光二极管 L3或于第二转置基板TS4的一侧以激光加热第三发光二极管L3。在一些实施 例中，对第三发光二极管L3加热，使焊料SR1’共晶接合至第三发光二极管 L3的电极E1、E2。
在本实施例中，将第三发光二极管L3放置于原本对应至第二发光二极管 L2的第二接垫P2上，但本发明不以此为限。在其他实施例中，将第三发光二 极管L3放置于第二放置区R2中的冗余接垫上，并使第三发光二极管L3藉由 冗余接垫而电性连接至电路基板200中的其他元件。
在本实施例中，焊料SR1’或导电胶形成于电路基板200上，但本发明不 以此为限。
在将第三发光二极管L3电性连接至电路基板200之后，移除第二转置基 板TS4。
图9A至图9Q是依照本发明的一实施例的一种修复发光二极管显示装置 的方法的剖面示意图。
图9B是图9A线B-B’的剖面示意图。请参考图9A与图9B，提供发光二 极管显示装置D3。发光二极管显示装置D3包括电路基板200、多个第一发光 二极管L1以及一个或多个第二发光二极管L2。检测发光二极管显示装置D3， 其中第二发光二极管L2不能正常发光。
在本实施例中，第一发光二极管L1包括第一红色发光二极管L1r、第一 绿色发光二极管L1g以及第一蓝色发光二极管L1b，且第一放置区R1包括第 一红色放置区R1r、第一绿色放置区R1g以及第一蓝色放置区R1b。第一红色 发光二极管L1r、第一绿色发光二极管L1g以及第一蓝色发光二极管L1b分别 对应于第一红色放置区R1r、第一绿色放置区R1g以及第一蓝色放置区R1b 设置。在一些实施例中，第一红色发光二极管L1r、第一绿色发光二极管L1g 以及第一蓝色发光二极管L1b分别电性连接至第一红色放置区R1r、第一绿色 放置区R1g以及第一蓝色放置区R1b中的第一接垫P1。
在本实施例中，第二发光二极管L2包括第二红色发光二极管L2r、第二 绿色发光二极管L2g以及第二蓝色发光二极管L2b，且第二放置区R2包括第 二红色放置区R2r、第二绿色放置区R2g以及第二蓝色放置区R2b。第二红色 发光二极管L2r、第二绿色发光二极管L2g以及第二蓝色发光二极管L2b分别 对应于第二红色放置区R2r、第二绿色放置区R2g以及第二蓝色放置区R2b 设置。
在本实施例中，将第一发光二极管L1与第二发光二极管L2转置于电路 基板200上的方法可以参照前述任一实施例，于此不再赘述。在本实施例中， 不同颜色的发光二极管形成于不同的生长基板上，接着再分别转置于电路基板 200上。
请参考图9C，将第二红色发光二极管L2r、第二绿色发光二极管L2g以 及第二蓝色发光二极管L2b自电路基板200移除。举例来说，藉由移除模块 PD将第二红色发光二极管L2r、第二绿色发光二极管L2g以及第二蓝色发光 二极管L2b自电路基板200上移除。移除模块PD为黏性吸头、真空吸嘴、激 光模块或者任何种类的移除机器。
在一些实施例中，在将第二发光二极管L2自电路基板200上移除之后， 第二发光二极管L2的金属层部分残留于电路基板200的第二接垫P2上。
请参考图9D到图9O，提供多个发光二极管基板，各发光二极管基板包 括至少一个第三发光二极管。在本实施例中，多个发光二极管基板包括红色发 光二极管基板30r、绿色发光二极管基板30g以及蓝色发光二极管基板30b。 红色发光二极管基板30r包括第三红色发光二极管L3r。绿色发光二极管基板30g包括第三绿色发光二极管L3g。蓝色发光二极管基板30b包括第三蓝色发 光二极管L3b。
提供多个第一转置基板，基于第二放置区R2的位置，将各发光二极管基 板的第三发光二极管分别转置于第一转置基板中对应的一者。将各第一转置基 板上的第三发光二极管转置于第二转置基板TS4。在本实施例中，多个第一转 置基板包括红色转置基板TS3r、绿色转置基板TS3g以及蓝色转置基板TS3b。
图9E是图9D线B-B’的剖面示意图。请参考图9E与图9D，红色发光二 极管基板30r包括生长基板300r以及位于生长基板300r上的第三红色发光二 极管L3r。基于第二红色放置区R2r的位置，将红色发光二极管基板30r的第 三红色发光二极管L3r转置于红色转置基板TS3r。在一些实施例中，红色转 置基板TS3r包括基底SB3以及位于基底SB3上的黏着层AD3。
在一些实施例中，将红色发光二极管基板30r的第三红色发光二极管L3r 转置于红色转置基板TS3r的方法包括激光剥离。在一些实施例中，红色发光 二极管基板30r还包括位于生长基板300r上的多个第四红色发光二极管L4r。 在将第三红色发光二极管L3r转置于红色转置基板TS3r之后，第四红色发光 二极管L4r留在生长基板300r上。换句话说，藉由激光将所需的第三红色发 光二极管L3r转置于红色转置基板TS3r。在本实施例中，第三红色发光二极 管L3r以及第四红色发光二极管L4r皆包括半导体堆叠层SM3以及位于半导体堆叠层SM3上的电极E1、E2。
图9G是图9F线B-B’的剖面示意图。请参考图9F与图9G，将红色转置 基板TS3r上的第三红色发光二极管L3r转置于第二转置基板TS4。
图9I是图9H线B-B’的剖面示意图。请参考图9H与图9I，绿色发光二极 管基板30g包括生长基板300g以及位于生长基板300g上的第三绿色发光二极 管L3g。基于第二绿色放置区R2g的位置，将绿色发光二极管基板30g的第三 绿色发光二极管L3g转置于绿色转置基板TS3g。
在一些实施例中，将绿色发光二极管基板30g的第三绿色发光二极管L3g 转置于绿色转置基板TS3g的方法包括激光剥离。在一些实施例中，绿色发光 二极管基板30g还包括位于生长基板300g上的多个第四绿色发光二极管L4g。 在将第三绿色发光二极管L3g转置于红色转置基板TS3g之后，第四绿色发光 二极管L4g留在生长基板300g上。换句话说，藉由激光将所需的第三绿色发 光二极管L3g转置于绿色转置基板TS3g。在本实施例中，第三绿色发光二极 管L3g以及第四绿色发光二极管L4g皆包括半导体堆叠层SM2以及位于半导体堆叠层SM2上的电极E1、E2。
图9K是图9J线B-B’的剖面示意图。请参考图9J与图9K，将绿色转置 基板TS3g上的第三绿红色发光二极管L3g转置于第二转置基板TS4。
图9M是图9L线B-B’的剖面示意图。请参考图9L与图9M，蓝色发光二 极管基板30b包括生长基板300b以及位于生长基板300b上的第三蓝色发光二 极管L3b。基于第二蓝色放置区R2b的位置，将蓝色发光二极管基板30b的第 三蓝色发光二极管L3b转置于蓝色转置基板TS3b。
在一些实施例中，将蓝色发光二极管基板30b的第三蓝色发光二极管L3b 转置于蓝色转置基板TS3b的方法包括激光剥离。在一些实施例中，蓝色发光 二极管基板30b还包括位于生长基板300b上的多个第四蓝色发光二极管L4b。 在将第三蓝色发光二极管L3b转置于蓝色转置基板TS3b之后，第四蓝色发光 二极管L4b留在生长基板300b上。换句话说，藉由激光将所需的第三蓝色发 光二极管L3b转置于蓝色转置基板TS3b。在本实施例中，第三蓝色发光二极 管L3b以及第四蓝色发光二极管L4b皆包括半导体堆叠层SM1以及位于半导体堆叠层SM1上的电极E1、E2。
图9O是图9N线B-B’的剖面示意图。请参考图9N与图9O，将蓝色转置 基板TS3b上的第三蓝色发光二极管L3b转置于第二转置基板TS4。
图9Q是图9P线B-B’的剖面示意图。请参考图9P与图9Q，将第二转置 基板TS4重叠于电路基板200。第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极 管L3g以及第三蓝色发光二极管L3b位于第二转置基板TS4朝向电路基板200 的一侧。第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色发 光二极管L3b的位置分别重叠于第二红色放置区R2r、第二绿色放置区R2g 以及第二蓝色放置区R2b。
将第二转置基板TS4上的第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管 L3g以及第三蓝色发光二极管L3b电性连接至电路基板200。举例来说，加热 第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色发光二极管 L3b，以使第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色 发光二极管L3b的金属层SR电性连接至原本对应至第二发光二极管L2的第 二接垫P2。
在其他实施例中，第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以 及第三蓝色发光二极管L3b不包括金属层SR。因此，在将第三红色发光二极 管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色发光二极管L3b电性连接至电 路基板200之前，于第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及 第三蓝色发光二极管L3b上或电路基板200上形成焊料或导电胶，接着才将 第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色发光二极管 L3b电性连接至电路基板200。
在本实施例中，将第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以 及第三蓝色发光二极管L3b分别放置于原本对应至第二红色发光二极管L2r、 第二绿色发光二极管L2g以及第二蓝色发光二极管L2b的第二接垫P2上，但 本发明不以此为限。在其他实施例中，每个第一放置区R1以及每个第二放置 区R2中都设置有用于修复的冗余接垫(redundancy pad，未绘出)，将第三红 色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色发光二极管L3b放 置于冗余接垫上，并使第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以 及第三蓝色发光二极管L3b藉由冗余接垫而电性连接至电路基板200中的其 他元件。
在将第三红色发光二极管L3r、第三绿色发光二极管L3g以及第三蓝色发 光二极管L3b电性连接至电路基板200之后，移除第二转置基板TS4。
在本实施例中，利用第二转置基板TS4同时转置不同颜色的发光二极管 于电路基板200上，藉此同时修复不同颜色的发光二极管以降低修复制程所需 要的时间与成本。
图10A至图10F是依照本发明的一实施例的一种转置发光二极管的方法 的上视示意图。图11A至图11F分别是图10A至图10F中线a-a’的剖面上视 示意图。举例来说，图10A至图10F以及图11A至图11F可适用于前述任一 实施例中，将发光二极管自生长基板转置于第一转置基板的方法。
请参考图10A与图11A，提供第一转置基板TS3以及支撑结构SP。支撑 结构SP用于固定第一转置基板TS3。在本实施例中，第一转置基板TS3包括 单层或多层软性材料。在本实施例中，第一转置基板TS3至少朝上的表面具 有黏性。在一些实施例中，第一转置基板TS3黏在支撑结构SP上。在一些实 施例中，支撑结构SP为能够固定第一转置基板TS3的外框。
请参考图10B与图11B将发光二极管基板40的发光二极管L5转置于第 一转置基板TS3上。支撑结构SP位于发光二极管基板40周围。
在本实施例中，发光二极管基板40包括生长基板400以及形成于生长基 板400上的发光二极管L5。将发光二极管基板40重叠于第一转置基板TS3， 其中发光二极管L5位于生长基板400以及第一转置基板TS3之间。接着以激 光LS将选定的发光二极管L5自生长基板400上移除，并使选定的发光二极 管L5固定于第一转置基板TS3。在本实施例中，发光二极管L5包括半导体 堆叠层以及形成于半导体堆叠层上的电极。电极位于半导体堆叠层朝向第一转 置基板TS3的一面。
在本实施例中，基于预定的转置于电路基板后的发光二极管L5的间距， 以激光LS将发光二极管L5自生长基板400上移除。换句话说，在第一转置 基板TS3上即调整好发光二极管L5的间距，因此在后续的转置制程中不需要 再改变发光二极管L5的间距。
在本实施例中，软质的第一转置基板TS3与硬质的发光二极管基板40贴 合，能避免发光二极管基板40因为翘曲太大而影响激光剥离制程的良率。
请参考图10C与图11C，移除生长基板400以及未从生长基板400上取下 的发光二极管L5。
请参考图10D与图11D，选择性地将保护膜PF覆盖于第一转置基板TS3 上的发光二极管L5上。自第一转置基板TS3上移除支撑结构SP。
请参考图10E与图11E，对转置基板TS3照射紫外光，以减少转置基板 TS3的黏性。接着，移除支撑结构SP。在一些实施例中，保护膜PF适用于在 移除支撑结构SP的制程中固定发光二极管L5，使发光二极管L5不会在移除 支撑结构SP的制程中出现受损或难转移等问题。在移除支撑结构SP后，自 发光二极管L5上移除保护膜PF。在一些实施例中，保护膜PF包括黏性小于 转置基板TS3的材料或不具黏性的材料。
在一些实施例中，不需要额外设置保护膜PF就直接移除支撑结构SP。请 参考图10F与图11F，将第一转置基板TS3上的发光二极管L5转置于第二转 置基板TS4。在本实施例中，第二转置基板TS4包括基底SB4以及位于基底 SB4上的黏着层AD4。黏着层AD2的黏性大于第一转置基板TS3的黏性(第 一转置基板TS3照射紫外光之后的黏性)。
在将发光二极管L5转置于第二转置基板TS4之后，移除第一转置基板 TS3。
在一些实施例中，未设置保护膜PF于第一转置基板TS3上，且在移除支 撑结构SP之前，先将第二转置基板TS4贴附于第一转置基板TS3，藉此固定 第一转置基板TS3上的发光二极管L5，接着才移除支撑结构SP。
综上所述，在修复发光二极管显示装置的过程中，藉由转置基板将发光二 极管转置于电路基板上，藉此能节省修复发光二极管显示装置所需要的时间以 及成本。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情 况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明做出各种相应的改变和变形，但 这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (20)

1.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供一发光二极管显示装置，该发光二极管显示装置包括：
一电路基板；
多个第一发光二极管，分别对应于该电路基板的多个第一放置区设置，且该些第一发光二极管电性连接至该电路基板；以及
一第二发光二极管，对应于该电路基板的一第二放置区设置；
检测该发光二极管显示装置，其中该第二发光二极管不能正常发光；
将该第二发光二极管自该电路基板移除；
提供一发光二极管基板，该发光二极管基板包括一第三发光二极管；
提供一第一转置基板；
基于该第二放置区的位置，将该发光二极管基板的一第三发光二极管转置于一第一转置基板；
将该第一转置基板上的该第三发光二极管转置于一第二转置基板；
将该第二转置基板重叠于该电路基板，其中该第三发光二极管位于该第二转置基板朝向该电路基板的一侧，其中该第三发光二极管的位置重叠于该第二放置区；以及
将第二转置基板上的该第三发光二极管电性连接至该电路基板。
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
该发光二极管显示装置包括多个该第二发光二极管，多个该第二发光二极管分别对应于该电路基板的多个该第二放置区设置；
提供一个该发光二极管基板，该发光二极管基板包括多个该第三发光二极管；
提供一个该第一转置基板，基于多个该第二放置区的位置，将该发光二极管基板的多个该第三发光二极管转置于该第一转置基板，其中多个该第三发光二极管在该第一转置基板上的排列方式等于该电路基板的多个该第二放置区的排列方式；
将该第一转置基板上的多个该第三发光二极管转置于该第二转置基板；
将该第二转置基板重叠于该电路基板，其中多个该第三发光二极管的位置重叠于多个该第二放置区；以及
将该第二转置基板上的多个该第三发光二极管电性连接至该电路基板。
3.如权利要求2所述的显示装置的制造方法，其特征在于，多个该第三发光二极管在该第一转置基板上的排列方式对称于多个该第三发光二极管在该第二转置基板上的排列方式。
4.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
该发光二极管显示装置包括多个该第二发光二极管，多个该第二发光二极管分别对应于该电路基板的多个该第二放置区设置；
提供多个该发光二极管基板，各该发光二极管基板包括至少一个该第三发光二极管；
提供多个该第一转置基板，基于该些第二放置区的位置，将各该发光二极管基板的至少一个该第三发光二极管分别转置于多个该第一转置基板中对应的一者；
将各该第一转置基板上的至少一个该第三发光二极管转置于该第二转置基板；
将该第二转置基板重叠于该电路基板，其中多个该第三发光二极管的位置重叠于多个该第二放置区；以及
将该第二转置基板上的多个该第三发光二极管电性连接至该电路基板。
5.如权利要求4所述的显示装置的制造方法，其特征在于，多个该第一发光二极管包括一第一红色发光二极管、一第一绿色发光二极管以及一第一蓝色发光二极管，且多个该第一放置区包括一第一红色放置区、一第一绿色放置区以及一第一蓝色放置区，该第一红色发光二极管、该第一绿色发光二极管以及该第一蓝色发光二极管分别对应于该第一红色放置区、该第一绿色放置区以及该第一蓝色放置区设置。
6.如权利要求5所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
多个该第二发光二极管包括一第二红色发光二极管、一第二绿色发光二极管以及一第二蓝色发光二极管，且多个该第二放置区包括一第二红色放置区、一第二绿色放置区以及一第二蓝色放置区，该第二红色发光二极管、该第二绿色发光二极管以及该第二蓝色发光二极管分别对应于该第二红色放置区、该第二绿色放置区以及该第二蓝色放置区设置；
多个该发光二极管基板包括一红色发光二极管基板、一绿色发光二极管基板以及一蓝色发光二极管基板，其中该红色发光二极管基板的至少一个该第三发光二极管包括一第三红色发光二极管，该绿色发光二极管基板的至少一个该第三发光二极管包括一第三绿色发光二极管，且该蓝色发光二极管基板的至少一个该第三发光二极管包括一第三蓝色发光二极管；
多个该第一转置基板包括一红色转置基板、一绿色转置基板以及一蓝色转置基板；
基于该第二红色放置区的位置，将该红色发光二极管基板的该第三红色发光二极管转置于该红色转置基板；
将该红色转置基板上的该第三红色发光二极管转置于该第二转置基板；
基于该第二绿色放置区的位置，将该绿色发光二极管基板的该第三绿色发光二极管转置于该绿色转置基板；
将该绿色转置基板上的该第三绿色发光二极管转置于该第二转置基板；
基于该第二蓝色放置区的位置，将该蓝色发光二极管基板的该第三蓝色发光二极管转置于该蓝色转置基板；
将该蓝色转置基板上的该第三蓝色发光二极管转置于该第二转置基板；
将该第二转置基板重叠于该电路基板，其中该第三红色发光二极管、该第三绿色发光二极管以及该第三蓝色发光二极管的位置分别重叠于该第二红色放置区、该第二绿色放置区以及该第二蓝色放置区；以及
将该第二转置基板上的该第三红色发光二极管、该第三绿色发光二极管以及该第三蓝色发光二极管电性连接至该电路基板。
7.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，该第一转置基板包括一基底以及位于该基底上的一黏着层，其中该基底的材质包括玻璃或蓝宝石。
8.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，该第一转置基板包括胶带。
9.如权利要求8所述的显示装置的制造方法，其特征在于，该第二转置基板包括一基底以及位于该基底上的一黏着层，其中在将该第一转置基板上的该第三发光二极管转置于该第二转置基板时，该黏着层的黏性大于该胶带的黏性。
10.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，更包括：
提供一支撑结构，用于固定该第一转置基板，其中在将该发光二极管基板的该第三发光二极管转置于该第一转置基板上时，该支撑结构位于该发光二极管基板周围。
11.如权利要求10所述的显示装置的制造方法，其特征在于，将该发光二极管基板的该第三发光二极管转置于该第一转置基板之后，更包括：
对该第一转置基板照射紫外光，以减少该第一转置基板的黏性；
将该第二转置基板贴附于该第一转置基板；
自该第一转置基板上移除该支撑结构；以及
移除该第一转置基板。
12.如权利要求11所述的显示装置的制造方法，其特征在于，更包括：
将一保护膜覆盖于该第一转置基板上的该第三发光二极管上，接着自该第一转置基板上移除该支撑结构；以及
将该第二转置基板贴附于该第一转置基板之前，自该第三发光二极管上移除该保护膜。
13.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，将该第一转置基板上的该第三发光二极管转置于该第二转置基板的方法包括激光剥离。
14.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，将该发光二极管基板的该第三发光二极管转置于该第一转置基板的方法包括激光剥离。
15.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，该发光二极管基板包括一生长基板以及位于该生长基板上的该第三发光二极管与多个第四发光二极管，其中将该发光二极管基板的该第三发光二极管转置于该第一转置基板之后，该些第四发光二极管留在该生长基板上。
16.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，更包括：
于该电路基板上形成焊料或导电胶。
17.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，该发光二极管基板的该第三发光二极管包括半导体堆叠层、电性连接至该半导体堆叠层的两个电极，且各该电极包括一导电层以及形成于该导电层上的一金属层，其中该金属层的熔点低于摄氏260度。
18.如权利要求17所述的显示装置的制造方法，其特征在于，将该第二转置基板上的该第三发光二极管电性连接至该电路基板的方法包括：
对该第三发光二极管加热，使该金属层共晶接合至该电路基板的多个接垫。
19.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，在将该第二转置基板重叠于该电路基板时，该第三发光二极管接触该电路基板的多个接垫，且该些第一发光二极管接触该第二转置基板。
20.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，在将该第二转置基板重叠于该电路基板时，在垂直于该第二转置基板的方向上，该第三发光二极管不重叠于该些第一发光二极管。
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