DE102019202876B4 - Bauelementübertragungsverfahren - Google Patents

Bauelementübertragungsverfahren Download PDF

Info

Publication number
DE102019202876B4
DE102019202876B4 DE102019202876.4A DE102019202876A DE102019202876B4 DE 102019202876 B4 DE102019202876 B4 DE 102019202876B4 DE 102019202876 A DE102019202876 A DE 102019202876A DE 102019202876 B4 DE102019202876 B4 DE 102019202876B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
tape
substrate
buffer layer
optical components
components
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102019202876.4A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102019202876A1 (de
Inventor
Tasuku Koyanagi
Akihito Kawai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of DE102019202876A1 publication Critical patent/DE102019202876A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102019202876B4 publication Critical patent/DE102019202876B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/57—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece the laser beam entering a face of the workpiece from which it is transmitted through the workpiece material to work on a different workpiece face, e.g. for effecting removal, fusion splicing, modifying or reforming
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0217—Removal of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6835—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during build up manufacturing of active devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • External Artificial Organs (AREA)
  • Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Bauelementübertragungsverfahren zum Übertragen von mehreren Bauelementen (25) auf ein Anbringsubstrat (35), das mit mehreren Elektroden (37) versehen ist, wobei das Bauelementübertragungsverfahren umfasst:einen Bandanhaftschritt des Anbringens eines aufweitbaren Bandes (31) an den mehreren über eine Pufferschicht (23) an einer Seite einer vorderen Oberfläche eines Substrats (21) ausgebildeten Bauelementen (25);einen Pufferschicht-Brechschritt des Aufbringens eines Laserstrahls einer solchen Wellenlänge, dass er durch das Substrat (21) transmittiert und in der Pufferschicht (23) absorbiert wird, von einer Seite einer hinteren Oberfläche des Substrats (21) auf die Pufferschicht (23), um die Pufferschicht (23) zu brechen, nachdem der Bandanhaftschritt durchgeführt worden ist;einen Übertragungsschritt des Bewegens des Bandes (31) in eine Richtung, sodass es sich vom Substrat (21) entfernt, um das Substrat (21) und die mehreren Bauelemente (25) voneinander zu trennen, und dadurch des Übertragens der mehreren Bauelemente (25), die am Substrat (21) ausgebildet worden sind, auf das Band (31), nachdem der Pufferschicht-Brechschritt durchgeführt worden ist;einen Bandaufweitschritt des Aufweitens des Bandes (31) auf eine solche Weise, dass eine Anordnung der mehreren am Band (31) haftenden Bauelemente (25) einer Anordnung der mehreren Elektroden (37) entspricht, nachdem der Übertragungsschritt durchgeführt worden ist; undeinen Diebonding-Schritt des gleichzeitigen Verbindens der mehreren am aufgeweiteten Band (31) haftenden Bauelemente (25) mit den mehreren Elektroden (37), nachdem der Bandaufweitschritt durchgeführt worden ist.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Bauelementübertragungsverfahren zum Übertragen von mehreren Bauelementen von einem Wafer auf ein Anbringsubstrat.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • Wenn ein mit mehreren Bauelementen ausgebildeter Wafer entlang von Teilungslinien (Straßen) geteilt wird, werden dadurch mehrere Bauelementchips, die jeweils das Bauelement beinhalten, erhalten. Die Teilung des Wafers wird beispielsweise unter Benutzung einer Schneidvorrichtung, einer Laserbearbeitungsvorrichtung oder dergleichen ausgeführt. In der Technik, welche die Laserbearbeitungsvorrichtung benutzt, wird ein Laserstrahl einer solchen Wellenlänge, die im Wafer absorbiert wird, entlang der Teilungslinien aufgebracht, um den Wafer zu verdampfen, und den Wafer dadurch zu teilen. Die japanische Offenlegungsschrift Nr. Hei 10-305420 offenbart eine Technik, in der ein in einer Pulsform oszillierter Laser entlang von Teilungslinien aufgebracht wird, um Nuten im Wafer auszubilden, und der Wafer entlang der Nuten geteilt wird. Dann werden die durch die Teilung des Wafers erhaltenen Bauelementchips an einem Anbringsubstrat angebracht, wodurch ein gewünschtes Packungssubstrat erzeugt wird. Beispiele des am Wafer auszubildenden Bauelements beinhalten ein Optik-Bauelement wie beispielsweise eine lichtemittierende Diode (LED). Beispielsweise kann, wenn eine n-leitende Halbleiterschicht und eine p-leitende Halbleiterschicht, die einen pn-Übergang ausbilden, epitaxial über einem aus Saphir oder SiC ausgebildeten Substrat gezüchtet werden, ein Optik-Bauelement ausgebildet werden.
  • Zusätzlich ist zum Übertragen von Optik-Bauelementen von einem Wafer auf ein Anbringsubstrat eine Technik des Trennens der Optik-Bauelemente vom Wafer bekannt, ohne den Wafer zu teilen. Die japanische Offenlegungsschrift Nr. 2004-72052 offenbart eine Technik, in der, nachdem eine Halbleiterschicht zum Bilden von Optik-Bauelementen an einer vorderen Oberfläche des Wafers ausgebildet worden ist, ein Laserstrahl von der Seite der hinteren Oberfläche des Wafers aufgebracht wird, um in der Nähe der Grenze zwischen dem Wafer und der Halbleiterschicht eine modifizierte Schicht auszubilden, und der Wafer und die Halbleiterschicht werden voneinander an der modifizierten Schicht getrennt.
  • Weiterer für das Verständnis der vorliegenden Erfindung hilfreicher Stand der Technik kann in den folgenden Dokumenten gefunden werden:
    • US 2002 / 0 064 032 A1 betrifft ein Bauelementanbringverfahren zum effizienten und genauen Anordnen von Mikro-Bauelementen an einer Leiterplatte. US 2017 / 0 025 399 A1 betrifft eine Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen derselben.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Zum Zeitpunkt des Anbringens der Bauelemente am Anbringsubstrat wie oben erwähnt, ist es notwendig, die am Wafer ausgebildeten Bauelemente auf das Anbringsubstrat zu übertragen. Die Übertragung der Bauelemente wird beispielsweise durch ein Wiederholen einer Bedienung des Aufnehmens des Bauelements vom Wafer, des Übertragens des Bauelements auf das Anbringsubstrat und des Diebondens des Bauelements an einer vorgegebenen Position am Anbringsubstrat für jedes der Bauelemente ausgeführt. In diesem Fall ist eine langwierige Übertragungsbedienung zum Anbringen aller Bauelemente am Anbringsubstrat erforderlich, sodass eine Produktivität verringert wird.
  • Die vorliegende Erfindung erfolgt in Anbetracht eines solchen Problems. Es ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Bauelementübertragungsverfahren bereitzustellen, durch das Bauelemente effizient von einem Wafer auf ein Anbringsubstrat übertragen werden können.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Bauelementübertragungsverfahren zum Übertragen von mehreren Bauelementen auf ein mit mehreren Elektroden versehenes Anbringsubstrat bereitgestellt, wobei das Bauelementübertragungsverfahren beinhaltet: einen Bandanhaftschritt des Anhaftens eines aufweitbaren Bandes an den mehreren an einer vorderen Oberflächenseite eines Substrats über eine Pufferschicht ausgebildeten Bauelementen; einen Pufferschicht-Brechschritt des Aufbringens eines Laserstrahls einer solchen Wellenlänge, die durch das Substrat transmittiert und in der Pufferschicht absorbiert wird, von einer Seite der hinteren Oberfläche des Substrats auf die Pufferschicht, um die Pufferschicht zu brechen, nachdem der Bandanhaftschritt durchgeführt worden ist; einen Übertragungsschritt des Bewegens des Bandes in eine Richtung, sodass es sich vom Substrat entfernt, um das Substrat und die mehreren Bauelemente voneinander zu trennen, und dadurch die mehreren am Substrat ausgebildeten Bauelemente zum Band zu übertragen, nachdem der Pufferschicht-Brechschritt durchgeführt worden ist; einen Bandaufweitschritt des Aufweitens des Bandes auf eine solche Weise, dass eine Anordnung der mehreren am Band haftenden Bauelemente einer Anordnung der mehreren Elektroden entspricht, nachdem der Übertragungsschritt durchgeführt worden ist; und einen Diebonding-Schritt des gleichzeitigen Verbindens der mehreren am aufgeweiteten Band haftenden Bauelemente an den mehreren Elektroden, nachdem der Bandaufweitschritt durchgeführt worden ist.
  • Bevorzugt ist das Bauelement eine LED. Zusätzlich beinhaltet das Bauelementübertragungsverfahren ferner einen Schritt des Freilegens derjenigen Oberflächen der Bauelemente, die Kontakt mit dem Band aufnehmen, bevor oder nachdem der Bandaufweitschritt durchgeführt worden ist. Daneben beinhaltet das Band bevorzugt einen Haftklebstoff, mit einem Ultraviolett (UV)-härtenden Kunststoff, und das Bauelementübertragungsverfahren beinhaltet ferner einen Schritt des Aufbringens von UV-Strahlen auf das Band, um den Haftklebstoff zu härten, nachdem der Bandaufweitschritt durchgeführt worden ist.
  • Im Bauelementübertragungsverfahren gemäß dem beschriebenen Aspekt der vorliegenden Erfindung werden als erstes die mehreren am Wafer ausgebildeten Bauelemente auf das aufweitbare Band übertragen. Dann wird das aufweitbare Band aufgeweitet, wodurch die Anordnung der mehreren Bauelemente dazu gebracht wird, der Anordnung der Anbringpositionen der Bauelemente am Anbringsubstrat zu entsprechen, wonach die mehreren Bauelemente gleichzeitig auf das Anbringsubstrat übertragen werden. Dadurch können die Bauelemente effizient vom Wafer zum Anbringsubstrat übertragen werden.
  • Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art, diese zu realisieren, werden ersichtlicher und die Erfindung selbst wird am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und der angehängten Ansprüche unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, verstanden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Perspektivansicht, die ein Ausgestaltungsbeispiel eines Wafers darstellt;
    • 2 ist eine Schnittansicht, die ein Ausgestaltungsbeispiel eines Optik-Bauelementwafers darstellt;
    • 3 ist ein Flussdiagramm, das ein Beispiel eines Bauelementübertragungsverfahrens darstellt;
    • 4 ist eine Perspektivansicht, die eine Weise, auf die der Optik-Bauelementwafer an einem Band angehaftet wird, darstellt;
    • 5 ist eine Perspektivansicht, die schematisch einen Zustand darstellt, in dem der Optik-Bauelementwafer von einer Laserbearbeitungsvorrichtung getragen wird;
    • 6 ist eine Schnittansicht, die eine Weise, auf die ein Laserstrahl auf eine Pufferschicht aufgebracht wird, darstellt;
    • 7A ist eine Draufsicht, die eine Weise, auf die das Band aufgeweitet wird, darstellt;
    • 7B ist eine Draufsicht, die das Band darstellt, nachdem es aufgeweitet worden ist;
    • 8 ist eine Perspektivansicht, die eine Ausführungsform zeigt, die nicht unter den Schutzbereich des Anspruchs 1 fällt, und die eine Weise, auf die mehrere Optik-Bauelemente von einer Übertragungseinheit gehalten werden, darstellt;
    • 9 ist eine Perspektivansicht, die eine Ausführungsform zeigt, die nicht unter den Schutzbereich des Anspruchs 1 fällt, und die eine Weise, auf welche die mehreren Optik-Bauelemente von der Übertragungseinheit an einem Anbringsubstrat angeordnet werden, darstellt;
    • 10 ist eine Perspektivansicht, die das Anbringsubstrat, mit dem mehreren Optik-Bauelemente verbunden werden, darstellt; und
    • 11 ist eine Perspektivansicht, die eine Weise, auf die die mehreren Optik-Bauelemente unter Benutzung einer Rolle an einem Anbringsubstrat angebracht werden, darstellt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unten unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben. 1 ist eine Perspektivansicht, die ein Ausgestaltungsbeispiel eines Wafers 11 gemäß der vorliegenden Ausführungsform darstellt.
  • Der Wafer 11 ist mit einem scheibenförmigen Substrat 13 versehen, das eine vordere Oberfläche 13a und eine hintere Oberfläche 13b aufweist. Das Substrat 13 ist durch mehrere in einem Gittermuster angeordnete Teilungslinien (Straßen) 15 in mehrere Bereiche geteilt und Bauelemente 17 mit integrierten Schaltkreisen (ICs), LEDs oder dergleichen sind jeweils an der Seite der vorderen Oberfläche 13a der mehreren Bereiche ausgebildet. Das Material, die Form, die Struktur, die Größe und dergleichen des Substrats 13 sind nicht besonders beschränkt. Beispielsweise können Halbleitersubstrate (Siliziumsubstrat, SiC-Substrat, GaAs-Substrat, InP-Substrat, GaN-Substrat etc.), Saphirsubstrate, Keramiksubstrate, Kunststoffsubstrate, metallische Substrate und dergleichen als das Substrat 13 benutzt werden. Zusätzlich sind die Art, die Anzahl, die Form, die Struktur, die Größe, die Anordnung und dergleichen der Bauelemente 17 ebenfalls nicht besonders beschränkt.
  • Ein Beispiel einer besonderen Ausgestaltung des Wafers ist in 2 dargestellt. 2 ist eine Schnittansicht, die ein Ausgestaltungsbeispiel eines Optik-Bauelementwafers 19 darstellt, an dem Optik-Bauelemente 25 über eine Pufferschicht 23 über einem Substrat 21 ausgebildet sind. Mehrere Optik-Bauelemente 25 sind über mehrere Puffer 23 über dem Substrat 21 ausgebildet. Jedes der Optik-Bauelemente 25 weist eine p-leitende Halbleiterschicht 27, die aus einem p-leitenden Halbleiter ausgebildet ist, in dem Löcher Majoritätsladungsträger sind, und eine n-leitende Halbleiterschicht 29 auf, die aus einem n-leitenden Halbleiter ausgebildet ist, in dem Elektronen die Majoritätsladungsträger sind. Die p-leitende Halbleiterschicht 27 und die n-leitende Halbleiterschicht 29 bilden einen pn-Übergang aus, wodurch das Optik-Bauelement 25, das in der Lage ist, Licht durch Rekombination von Löchern und Elektronen zu emittieren, erhalten wird.
  • Die Pufferschicht 23 ist beispielsweise als eine Schicht ausgestaltet, die eine Funktion aufweist, um die Erzeugung von Defekten auf Grund einer Gitterfehlanpassung, zwischen dem Substrat 21 und der p-leitenden Halbleiterschicht 27, zu unterdrücken. Das Material der Pufferschicht 23 wird gemäß den Gitterkonstanten des Substrats 21 und den Gitterkonstanten der p-leitenden Halbleiterschicht 27 geeignet ausgewählt. Zusätzlich ist die Schicht 23 eine in einem Pufferschichtbrechschritt, der später beschrieben wird, durch eine Aufbringung eines Lasers zu brechende Schicht und sie wirkt auch als eine Trennschicht zur Trennung zwischen dem Substrat 21 und den Optik-Bauelementen 25.
  • Die Materialien der Pufferschicht 23, der p-leitenden Halbleiterschicht 27 und der n-leitenden Halbleiterschicht 29 sind nicht beschränkt und jedes Material kann frei gewählt werden, insofern die Optik-Bauelemente 25 auf dem Substrat 21 ausgebildet werden können. Beispielsweise können durch ein Benutzen eines Saphirsubstrats, eines SiC-Substrats oder dergleichen als das Substrat 21 die GaN enthaltende Pufferschicht 23, die p-leitendes GaN enthaltende p-leitende Halbleiterschicht 27 und die n-leitendes GaN enthaltende n-leitende Halbleiterschicht 29 nacheinander durch ein epitaktisches Wachstum über dem Substrat 21 ausgebildet werden. Zum Ausbilden jeder Schicht können beispielsweise ein metallorganisches chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren (MOCVD), ein Molekularstrahlepitaxieverfahren (MBE) und dergleichen benutzt werden. Beachte, dass, während in 2 das Optik-Bauelement 25, das die p-leitende Halbleiterschicht 27 und die n-leitende Halbleiterschicht 29 aufweist, dargestellt worden ist, die Ausgestaltung des Optik-Bauelements 25 nicht darauf beschränkt ist. Beispielsweise kann auch ein Optik-Bauelement 25, das eine lichtemittierende Schicht zwischen einer p-leitenden Halbleiterschicht 27 und einer n-leitenden Halbleiterschicht 29 beinhaltet, und in dem Licht von der lichtemittierenden Schicht emittiert wird, benutzt werden.
  • Im Fall des Herstellens eines Packungssubstrats unter Benutzung der Bauelemente 17 (siehe 1), die durch die oben erwähnten Optik-Bauelemente 25 repräsentiert werden, ist es notwendig, die Bauelemente 17 vom Wafer 11 auf ein Anbringsubstrat zu übertragen. Während diese Übertragung beispielsweise ausgeführt werden kann, indem die am Substrat 13 ausgebildeten Bauelemente 17 nacheinander aufgenommen werden und diese an vorgegebenen Positionen des Anbringsubstrats einem Diebonding unterzogen werden, erfordert diese Technik eine enorme Arbeitszeit zum Übertragen der Bauelemente 17. Im Bauelementübertragungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform werden die mehreren am Substrat 13 ausgebildeten Bauelemente 17 zunächst auf ein Band übertragen, dessen Form durch eine externe Kraft aufgeweitet werden kann (ein aufweitbares Band). Dann wird das aufweitbare Band aufgeweitet, sodass bewirkt wird, dass die Anordnung der mehreren Bauelemente 17 der Anordnung der Anbringpositionen der Bauelemente am Anbringsubstrat entspricht, wonach die mehreren Bauelemente 17 gleichzeitig auf das Anbringsubstrat übertragen werden. Dadurch können die Bauelemente 17 effizient vom Wafer 11 zum Anbringsubstrat übertragen werden.
  • 3 ist ein Flussdiagramm, das ein Beispiel des Bauelementübertragungsverfahrens gemäß der vorliegenden Ausführungsform darstellt. Das Bauelementübertragungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird unten unter Bezugnahme auf 3 beschrieben. Beachte, dass insbesondere ein Fall, in dem die Optik-Bauelemente 25 vom Optik-Bauelementwafer 19 (siehe 2) getrennt werden und auf ein Anbringsubstrat übertragen werden, als ein Beispiel beschrieben wird.
  • Als erstes wird ein Bandanhaftschritt S1 des Anhaftens eines aufweitbaren Bandes an mehreren an einem Substrat 21 ausgebildeten Optik-Bauelementen 25 durchgeführt. 4 ist eine Perspektivansicht, die eine Weise, auf die der Optik-Bauelementwafer 19 an einem Band 31 angehaftet wird, darstellt. Die mehreren Optik-Bauelemente 25 (siehe 2) sind an einer Seite einer vorderen Oberfläche 21a des scheibenförmigen Substrats 21 ausgebildet. Zusätzlich ist das Band 31 ein Band, das in der Lage ist, durch eine externe Kraft aufgeweitet (ausgedehnt) zu werden (ein aufweitbares Band). Ein ringförmiger Rahmen 33 ist an einem äußeren Umfangsabschnitt des Bandes 31 angehaftet und die mehreren an der Seite der vorderen Oberfläche 21a des Substrats 21 ausgebildeten Optik-Bauelemente 25 sind am Band 31 angehaftet. Dadurch wird der Optik-Bauelementwafer 19 vom Rahmen 33 in dem Zustand getragen, in dem eine Seite der hinteren Oberfläche 21b des Substrats 21 zur oberen Seite freiliegt. Das Material des Bandes 31 ist nicht beschränkt, sofern es aufweitbar ist und an den mehreren Optik-Bauelementen 25 angehaftet werden kann. Ein Haftklebstoff des Bandes 31 ist bevorzugt ein Material, das eine solche Eigenschaft aufweist, dass dessen Haftklebkraft durch einen äußeren Impuls, wie beispielsweise Licht oder Wärme, verringert wird. Beispielsweise kann ein UV-härtender Kunststoff als der Haftklebstoff des Bandes 31 benutzt werden.
  • Als nächstes wird ein Pufferschicht-Brechschritt S2 des Aufbringens eines Laserstrahls von der Seite der hinteren Oberfläche 21b des Substrats 21 auf die Pufferschicht 23 durchgeführt, um die Pufferschicht 23 zu brechen. Im Pufferschicht-Brechschritt S2 wird der Optik-Bauelementwafer 19 zunächst von einer Laserbearbeitungsvorrichtung getragen.
  • 5 ist eine Perspektivansicht, die schematisch einen Zustand darstellt, in dem der Optik-Bauelementwafer 19 von einer Laserbearbeitungsvorrichtung 2 getragen wird. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 beinhaltet einen Einspanntisch 4 zum Halten des Optik-Bauelementwafers 19 und eine Laserbearbeitungseinheit 6, die in der Lage ist, einen Laserstrahl einer solchen Wellenlänge, das er durch das Substrat 21 des Optik-Bauelementwafers 19 transmittiert wird und in der Pufferschicht 23 absorbiert wird, aufzubringen.
  • Der Einspanntisch 4 hält den Optik-Bauelementwafer 19 über das Band 31 unter Ansaugung. Insbesondere sind eine obere Oberfläche des Einspanntischs 4, eine Halteoberfläche zum Halten des Optik-Bauelementwafers 19 und die Halteoberfläche durch einen (nicht dargestellten) innerhalb des Einspanntischs 4 ausgebildeten Ansaugdurchgang mit einer (nicht dargestellten) Ansaugquelle verbunden. In einem Zustand, in dem der Rahmen 33 durch in der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 vorgesehene Klemmen 14 fixiert ist (siehe 6) und der Optik-Bauelementwafer 19 von der Halteoberfläche des Einspanntischs 4 getragen wird, wird bewirkt, dass ein negativer Druck der Ansaugquelle an der Halteoberfläche wirkt, wodurch der Optik-Bauelementwafer 19 vom Einspanntisch 4 unter Ansaugung gehalten wird. Zusätzlich wird der Einspanntisch 4 von einem Bewegungsmechanismus (nicht dargestellt)in einer Bearbeitungszufuhrrichtung (X-Achsen-Richtung) und einer Index-Zufuhrrichtung (Y-AchsenRichtung) bewegt. Der Optik-Bauelementwafer 19 wird vom Einspanntisch 4 auf eine solche Weise unter Ansaugung gehalten, dass die hintere Oberfläche 21b des Substrats 21 zur oberen Seite freiliegt. In diesem Zustand wird ein Laserstrahl von der Laserbearbeitungseinheit 6 in Richtung des Optik-Bauelementwafers 19 aufgebracht.
  • Die Laserbearbeitungseinheit 6 weist ein zylindrisches Gehäuse 8 auf. Eine Fokussiereinheit 10 zum Fokussieren eines von einem Pulslaserstrahloszillator (nicht dargestellt) wie einem Yttrium-Aluminium-Garnet (YAG)-Laseroszillator oder einem Yttrium-Orthovanadat (YVO4)-Laseroszillator, der in der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 vorgesehen ist, oszillierten Pulslaserstrahls ist an einem spitzen Abschnitt des Gehäuses 8 angebracht. Ferner ist ein Aufnahmemittel 12 zum Aufnehmen eines Aufbringbereichs des Laserstrahls am Gehäuse 8 angebracht. Eine vom Aufnahmemittel 12 aufgenommene Aufnahme wird zum Bildbearbeiten wie beispielsweise einem zur Ausrichtung zwischen der Fokussiereinheit 10 und dem Optik-Bauelementwafer 19 durchgeführten Musterabgleich benutzt. Dadurch kann die Aufbringposition des Laserstrahls gesteuert werden.
  • Zum Zeitpunkt des Aufbringens des Laserstrahls auf die an der Seite der vorderen Oberfläche 21a des Substrats 21 ausgebildeten Pufferschicht 23 (siehe 2) wird der Einspanntisch 4 zu einer Position unterhalb der Fokussiereinheit bewegt und der Laserstrahl einer solchen Wellenlänge, das er durch das Substrat 21 transmittiert wird und in der Pufferschicht 23 absorbiert wird, wird von der Fokussiereinheit 10 fokussiert und auf die Pufferschicht 23 aufgebracht. Beachte, dass die Intensität des Laserstrahls auf solche Weise festgelegt wird, dass es ermöglicht wird, die Pufferschicht 23 zu brechen.
  • 6 ist eine Schnittansicht, die eine Weise, auf die der Laserstrahl auf die Pufferschicht 23 aufgebracht wird, darstellt. Die mehreren an der Seite der vorderen Oberfläche 21a des Substrats 21 ausgebildeten Optik-Bauelemente 25 sind am Band 31 angehaftet. Zusätzlich wird der Rahmen 33 durch die Klemmen 14 fixiert und der Optik-Bauelementwafer 19 wird vom Einspanntisch 4 auf solche Weise unter Ansaugung gehalten, dass die Seite der hinteren Oberfläche 21b des Substrats 21 zur oberen Seite freiliegt. Wenn der Laserstrahl auf den Optik-Bauelementwafer 19 aufgebracht wird, wird der Laserstrahl durch das Substrat 21 transmittiert und in der Pufferschicht 23 absorbiert, wodurch die Pufferschicht 23 gebrochen wird. Beachte, dass es nicht notwendig ist, das Substrat 21 und die Pufferschicht 23 durch das Aufbringen des Laserstrahls komplett zu trennen; insbesondere ist es ausreichend, dass die Pufferschicht 23 in einem solchen Ausmaß gebrochen wird, dass das Substrat 21 und die Pufferschicht 23 voneinander getrennt werden können, wenn das Band 31 vom Optik-Bauelementwafer 19 in einem späteren Schritt abgezogen wird.
  • Danach wird ein Übertragungsschritt S3 des Trennens des Substrats 21 und der Optik-Bauelemente 25 voneinander durchgeführt, um dadurch die mehreren an der Seite der vorderen Oberfläche 21a des Substrats 21 ausgebildeten Optik-Bauelemente 25 auf das Band 31 zu übertragen. Im Übertragungsschritt S3 wird das am Optik-Bauelementwafer 19 haftende Band 31 abgezogen. Insbesondere wird das Band 31 in einer Richtung bewegt, sodass es vom Substrat 21 weg bewegt wird. In diesem Fall ist die zwischen dem Substrat 21 und den Optik-Bauelementen 25 vorgesehene Pufferschicht 23 im Pufferschicht-Brechschritt S2 gebrochen worden und die Verbindung zwischen dem Substrat 21 und den Optik-Bauelementen 25 ist geschwächt worden. Deswegen werden die Optik-Bauelemente 25 vom Substrat 21 getrennt, indem sie dem Band 31 folgen, wenn das Band 31 bewegt wird. Beachte, dass zum Zeitpunkt des Abziehens des Bandes 31 vom Optik-Bauelementwafer 19 ein Abziehelement wie beispielsweise ein Schneidwerkzeug zwischen das Substrat 21 und das Optik-Bauelement 25 eingeführt werden kann, um die Trennung des Substrats 21 und des Optik-Bauelements 25 voneinander zu unterstützen. Dadurch können die Optik-Bauelemente 25 vom Substrat 21 getrennt werden, selbst wenn der Bruch der Pufferschicht 23 im Pufferschicht-Brechschritt S2 unzureichend ist.
  • Als nächstes wird ein Bandaufweitungsschritt S4 des Aufweitens des Bandes 31, auf das die mehreren Optik-Bauelemente 25 übertragen worden sind, durchgeführt, um den Abstand der Optik-Bauelemente 25 zu verändern. 7A ist eine Draufsicht, die eine Weise, auf die das Band 31 mit den daran haftenden mehreren Optik-Bauelementen 25 aufgeweitet wird, darstellt. Da das Band 31 aufweitbar ist, kann es durch ein Aufbringen einer externen Kraft darauf aufgeweitet werden. Wenn das Band 31 aufgeweitet wird, wird der Abstand zwischen den benachbarten Optik-Bauelementen 25 vergrößert, wodurch die Anordnung der mehreren Optik-Bauelemente 25 geändert wird. 7B ist eine Draufsicht, die das Band 31 darstellt, nachdem es aufgeweitet worden ist. Wie in 7B dargestellt, wird der Abstand des Optik-Bauelements 25 gemäß dem Aufweitbetrag des Bandes 31 geweitet.
  • Die mehreren am Band 31 haftenden Optik-Bauelemente 25 werden in einem späteren Schritt in einer vorgegebenen Anordnung am Anbringsubstrat angebracht. In Anbetracht dessen wird das Band 31 im Bandaufweitschritt S4 auf eine solche Weise aufgeweitet, dass die Anordnung der am Band 31 haftenden Optik-Bauelemente 25 der Anordnung der Optik-Bauelemente 25 am Anbringsubstrat entspricht. Beispielsweise wird das Band 31 im Fall, in dem die mehreren am Band 31 haftenden Optik-Bauelemente 25 mit mehreren in einer vorgegebenen Anordnung am Anbringsubstrat vorgesehenen Elektroden zu verbinden sind, auf eine solche Weise aufgeweitet, dass die Anordnung der am Band 31 haftenden Optik-Bauelemente 25 der Anordnung der mehreren Elektroden entspricht. Beachte, dass sich der Ausdruck „die Anordnung der mehreren Optik-Bauelemente 25 entspricht der Anordnung der mehreren Elektroden“, auf einen Zustand bezieht, in dem die mehreren Optik-Bauelemente 25 in einem solchen Abstand angeordnet sind, dass sie jeweils mit den gewünschten Elektroden verbunden werden können. Beispielsweise ist es ausreichend, das Band 31 auf solche Weise aufzuweiten, dass der Abstand der mehreren am Band 31 haftenden Optik-Bauelemente 25 im Wesentlichen der gleiche ist wie der Abstand der mehreren am Anbringsubstrat ausgebildeten Elektroden.
  • Das Verfahren zum Aufweiten des Bandes 31 ist nicht beschränkt und die Aufweitung kann unter Benutzung einer Aufweitvorrichtung zur ausschließlichen Benutzung oder dergleichen ausgeführt werden. Beispielsweise kann die Aufweitung unter Benutzung einer Aufweitvorrichtung ausgeführt werden, die eine Trageinheit zum Tragen eines äußeren Umfangsabschnitts des Bandes 31 und einen Kontaktabschnitt beinhaltet, der in Kontakt mit der Seite der hinteren Oberfläche (die Oberfläche, an der die Optik-Bauelemente 25 nicht ausgebildet sind) des Bandes 31 zu bringen ist. In diesem Fall wird ein zentraler Abschnitt an der Seite der hinteren Oberfläche des Bandes 31 in einem Zustand, in dem der äußere Umfangsabschnitt des Bandes 31 von der Trageinheit getragen wird, in Kontakt mit dem Kontaktabschnitt gebracht und der Kontaktabschnitt wird von der Seite der hinteren Oberfläche relativ zur Seite der vorderen Oberfläche des Bandes 31 bewegt, wodurch das Band 31 aufgeweitet werden kann. Beachte, dass eine Weise, auf die das Band 31 aufgeweitet wird, wobei der Rahmen 33 (siehe 4 etc.) von dem Band 31 entfernt ist, in 7A und 7B dargestellt ist, die Aufweitung des Bandes 31 aber mit dem am Band 31 abgebrachten Rahmen 33 ausgeführt werden kann. Beispielsweise kann die Aufweitung des Bandes 31 in einem Zustand ausgeführt werden, in dem der am Band 31 haftende Rahmen 33 von der Trageinheit der oben erwähnten Aufweitvorrichtung getragen wird.
  • Nach dem Bandaufweitschritt S4 wird bevorzugt eine Behandlung zum Absenken der Haftklebkraft des Bandes 31 durchgeführt, um dadurch das Abziehen der Optik-Bauelemente 25 vom Band 31 in einem späteren Schritt zu erleichtern. Beispielsweise kann die Haftklebkraft des Bandes 31 im Fall, in dem der Haftklebstoff des Bandes 31 ein UV-härtender Kunststoff ist, durch Durchführen eines Schritts des Aufbringens von UV-Strahlen auf das Band 31, um dadurch den Haftklebstoff des Bandes 31 zu härten, abgesenkt werden.
  • Anschließend wird ein Diebonding-Schritt S5 des gleichzeitigen Übertragens und Verbindens der mehreren am aufgeweiteten Band 31 haftenden Optik-Bauelemente 25 auf das Anbringsubstrat durchgeführt. Im Diebonding-Schritt S5 werden die mehreren am Band 31 haftenden Optikbauelemente 25 auf das Anbringsubstrat übertragen und daran angebracht, während die Anordnung der mehreren Optik-Bauelemente 25 aufrechterhalten wird. Deswegen ist es nicht notwendig, die Ausrichtung zwischen den mehreren Optik-Bauelementen 25 und dem Anbringsubstrat auf der Basis jedes Optik-Bauelements 25 durchzuführen und die Bauelemente können vom Band 31 effizient auf das Anbringsubstrat übertragen werden. Das Verfahren zum Übertragen der mehreren Optik-Bauelemente 25 auf das Anbringsubstrat ist nicht besonders beschränkt. Beispielsweise kann eine Übertragungseinheit, von der die mehreren Optik-Bauelemente 25 vom Band 31 aufgenommen werden und gleichzeitig auf das Anbringsubstrat übertragen werden, benutzt werden, oder die mehreren Optik-Bauelemente 25 können durch ein direktes Anhaften des Bandes 31 am Anbringsubstrat zum Anbringsubstrat übertragen werden.
  • Das Verfahren des Übertragens der mehreren Optik-Bauelemente 25 auf das Anbringsubstrat durch eine Übertragungseinheit wird unter Bezugnahme auf 8 und 9 beschrieben werden. 8 ist eine Perspektivansicht, die eine Ausführungsform zeigt, die nicht unter den Schutzbereich des Anspruchs 1 fällt, und die eine Weise, auf die mehrere Optik-Bauelemente 25 von einer Übertragungseinheit 20 gehalten werden, darstellt. Die Übertragungseinheit 20 beinhaltet eine plattenförmige Basis 22 und mehrere Ansaugpads 24, die an einer unteren Oberflächenseite der Basis 22 vorgesehen sind und die die Optik-Bauelemente 25 unter Ansaugung halten.
  • Als erstes wird das Band 31 horizontal so gehalten, dass die mehreren Optik-Bauelemente 25 zur oberen Seite freiliegen und die Übertragungseinheit 20 ist an einer oberen Seite des Bandes 31 angeordnet. Dann wird die Übertragungseinheit 20 in einer vertikalen Richtung nach unten bewegt, um die mehreren Ansaugpads 24 jeweils in Kontakt mit den Optik-Bauelementen 25 zu bringen. In diesem Zustand werden die mehreren Optik-Bauelemente 25 durch die mehreren Ansaugpads 24 unter Ansaugung gehalten, wodurch die mehreren Optik-Bauelemente 25 von der Übertragungseinheit 20 gehalten werden. Danach wird die Übertragungseinheit 20, während das Band 31 an seiner Position gehalten wird, vertikal nach oben bewegt, wodurch die mehreren Optik-Bauelemente 25 vom Band 31 abgezogen werden und von der Übertragungseinheit 20 aufgegriffen werden. Als ein Ergebnis werden diejenigen Oberflächen der Optik-Bauelemente 25, die in Kontakt mit dem Band 31 gestanden haben, freigelegt. Die mehreren Ansaugpads 24 werden so angeordnet, dass sie der Anordnung der mehreren am Band 31 haftenden Optik-Bauelemente entsprechen. Insbesondere entspricht der Abstand der mehreren Ansaugpads 24 im Wesentlichen dem Abstand der mehreren am Band 31 haftenden Optik-Bauelemente 25. Unter Benutzung der Übertragungseinheit 20 können somit die mehreren Optik-Bauelemente 25 gleichzeitig aufgegriffen werden.
  • Danach wird die Übertragungseinheit 20 zum Anbringsubstrat bewegt, welches das Ziel für die zu übertragenden mehreren Optik-Bauelemente 25 ist. 9 ist eine Perspektivansicht, die eine Ausführungsform zeigt, die nicht unter den Schutzbereich des Anspruchs 1 fällt, und die eine Weise, auf die die mehreren Optik-Bauelemente 25 von der Übertragungseinheit 20 an einer Anbringoberfläche 35 angeordnet werden, darstellt. Das Anbringsubstrat 35 ist mit mehreren Elektroden ausgebildet, mit denen die Optik-Bauelemente 25 jeweils zu verbinden sind. Hier ist ein Beispiel dargestellt, in dem die Optik-Bauelemente 25 rote LEDs sind, wohingegen das Anbringsubstrat 35 mit mehreren mit den roten LEDs zu verbindenden Elektroden 37R, mehreren mit grünen LEDs zu verbindenden Elektroden 37G und mehreren mit blauen LEDs zu verbindenden Elektroden 37B ausgebildet ist.
  • Als erstes wird das Anbringsubstrat 35 an einer vorgegebenen Position angeordnet und ein Kleber wie beispielsweise eine Silberpaste wird auf die mehreren Elektroden 37R aufgebracht. Dann wird die Übertragungseinheit 20 auf eine solche Weise positioniert, dass die Ansaugpads 24 jeweils an der oberen Seite der mehreren Elektroden 37R angeordnet sind. Danach wird die Übertragungseinheit 20 vertikal nach unten bewegt, wodurch diejenigen Oberflächen der mehreren Optik-Bauelemente 25, die in Kontakt mit dem Band 31 standen, jeweils über den Kleber mit den Elektroden 37R verbunden werden. Auf diese Weise werden die mehreren Optik-Bauelemente 25 mit dem Anbringsubstrat 35 verbunden. Beachte, dass die mehreren Ansaugpads 24 auf eine solche Weise vorgesehen sind, dass ihre Anordnung der Anordnung der mehreren Elektroden 37R entspricht. Unter Benutzung der Übertragungseinheit 20 können daher die mehreren Optik-Bauelemente 25 gleichzeitig mit dem Anbringsubstrat 35 verbunden werden.
  • 10 ist eine Perspektivansicht, die das Anbringsubstrat 35, mit dem mehrere Optik-Bauelemente 25 verbunden sind, darstellt. Die Optik-Bauelemente 25, welche die roten LEDs sind, sind jeweils mit den mehreren am Anbringsubstrat 35 vorgesehenen Elektroden 37R (siehe 9) verbunden. Dann wird ein Schritt des gleichzeitigen Verbindens von grünen LEDs jeweils mit den mehreren Elektroden 37G und ein Schritt des gleichzeitigen Verbindens von blauen LEDs jeweils mit den mehreren Elektroden 37B durchgeführt, wodurch eine LED-Packung, in der die LEDs für drei Farben angebracht sind, erzeugt werden kann.
  • Beachte, dass im Fall des Übertragens der Optik-Bauelemente unter Benutzung der Übertragungseinheit 20 die Seite derjenigen Oberflächen (hintere Oberflächen) des Optik-Bauelements 25, die in Kontakt mit dem Band 31 gestanden haben, mit den Elektroden verbunden wird, aber die Seite derjenigen Oberflächen (vordere Oberflächen) der Optik-Bauelemente 25, die nicht in Kontakt mit dem Band 31 gestanden haben, können auch mit den Elektroden verbunden werden. Ein Beispiel des Verfahrens des Verbindens der Seite der vorderen Oberfläche der Optik-Bauelemente 25 mit den am Anbringsubstrat 35 ausgebildeten Elektroden ist in 11 dargestellt.
  • 11 ist eine Perspektivansicht, die eine Weise, auf die mehrere Optik-Bauelemente 25 unter Benutzung einer Rolle 26 an einem Anbringsubstrat 35 angebracht werden, darstellt. Zum Zeitpunkt des Anbringens der mehreren Optik-Bauelemente 25 am ersten Anbringsubstrat 35 unter Benutzung der Rolle 26 wird zunächst das Anbringsubstrat 35 an einer vorgegebenen Position angeordnet, ein Kleber wie beispielsweise eine Silberpaste wird auf die am Anbringsubstrat 35 ausgebildeten Elektroden aufgebracht, und eine vordere Oberfläche 31a (eine Oberfläche, an der die mehreren Optik-Bauelemente 25 ausgebildet sind) des aufgeweiteten Bandes 31 und die mit den Elektroden des Anbringsubstrats 35 ausgebildete Oberflächen werden dazu gebracht, einander zugewandt zu sein. In diesem Fall werden das Band 31 und das Anbringsubstrat 35 auf eine solche Weise positioniert, dass die mehreren Optik-Bauelemente 25 jeweils an der oberen Seite der mehreren Elektroden angeordnet sind (Elektroden 37R in 11). Danach wird die Rolle 26 in einer durch einen Pfeil A angezeigten Richtung gedreht und eine hintere Oberfläche 31b (eine Oberfläche, an der die Optik-Bauelemente 25 nicht ausgebildet sind) des Bandes 31 wird durch die Rolle 26 an das Anbringsubstrat 35 gedrückt. Dadurch werden die mehreren Optik-Bauelemente 25 jeweils über den Kleber mit den Elektroden 37R verbunden und mit dem Anbringsubstrat 35 verbunden.
  • Beachte, dass als der Klebstoff zum Anhaften der Elektroden 37R und der Optik-Bauelemente 25 aneinander ein Kleber, der eine größere Anbringkraft als die Anbringkraft des Bandes 31 aufweist, benutzt wird. Die oben erwähnte Behandlung zum Absenken der Anbringkraft des Bandes 31 (Aufbringen von UV-Strahlen oder dergleichen) stellt sicher, dass die vom auf die Elektroden 37R aufgebrachten Kleber geforderte Anbringkraft verringert wird, wodurch ermöglicht wird, den Freiheitsgrad beim Auswählen des Materials des Klebers zu verbessern. Danach wird das Band 31 vom Anbringsubstrat 35 abgezogen, wodurch die mehreren Optik-Bauelemente 25 und das Band 31 voneinander getrennt werden und ein Anbringsubstrat 35 mit den mehreren damit verbundenen Optik-Bauelementen 25 wird erhalten (siehe 10).
  • Wie oben erwähnt, wird im Bauelementübertragungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform, nachdem die mehreren Optik-Bauelemente 25 am aufweitbaren Band 31 angehaftet wurden, das Band 31 aufgeweitet, wodurch die Anordnung der mehreren Optik-Bauelemente 25 auf eine solche Weise gesteuert werden kann, dass die Anordnung der mehreren am Band 31 haftenden Optik-Bauelemente 25 der Anordnung der Anbringpositionen der Optik-Bauelemente 25 am Anbringsubstrat 35 entspricht. Dadurch können die mehreren Optik-Bauelemente 25 gleichzeitig auf das Anbringsubstrat 35 übertragen werden und die Übertragung der Bauelemente kann effizient durchgeführt werden. Insbesondere wird zum Zeitpunkt des Herstellens von beispielsweise LED-Packungen, in denen eine Vielzahl von LEDs in vorgegebenen Intervallen an einem Anbringsubstrat angeordnet sind, die Effizienz der Bauelementübertragungsarbeit stark verbessert, wenn die mehreren am gleichen Wafer ausgebildeten Bauelemente in einem vorgegebenen Abstand und gleichzeitig an einem Anbringsubstrat angeordnet werden können. Aus diesem Grund ist das Bauelementübertragungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform beispielsweise besonders im Fall eines Übertragens von mehreren LEDs auf ein Anbringsubstrat nützlich, um LED-Packungen zu produzieren. Zusätzlich wird im Bauelementübertragungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform das aufweitbare Band 31 aufgeweitet, um den Abstand der mehreren Optik-Bauelemente 25 aufzuweiten, bevor die Bauelemente aufgenommen werden. Deswegen kann ein Bruch der Optik-Bauelemente 25 aufgrund eines Kontaktes zwischen den Optik-Bauelementen 25 zum Zeitpunkt des Aufnehmens gehemmt werden und eine verbesserte Ausbeute kann realisiert werden.
  • Beachte, dass, während in der obigen Ausführungsform ein Beispiel, in dem alle am Band 31 haftenden Optik-Bauelemente 25 gleichzeitig auf das Anbringsubstrat 35 übertragen werden, dargestellt worden ist, alle Optik-Bauelemente 25 durch mehrmaliges Wiederholen des Diebonding-Schritts S5 übertragen werden können. Mit anderen Worten kann eine Bedienung eines Übertragungsteils der mehreren am Band 31 haftenden Optik-Bauelemente 25 auf das Anbringsubstrat 35 mehrmals wiederholt werden, um dadurch alle Optik-Bauelemente 25 zu übertragen. Daneben kann im Fall des mehrmaligen Wiederholens des Diebonding-Schritts S5 der Bandaufweitschritt S4 nochmals ausgeführt werden, nachdem der Diebonding-Schritt S5 durchgeführt worden ist. Mit anderen Worten kann, nachdem ein Teil der mehreren am Band 31 haftenden Optik-Bauelemente 25 gleichzeitig auf das Anbringsubstrat 35 übertragen worden ist, das Band 31 aufgeweitet werden, um die Anordnung der verbleibenden Optik-Bauelemente 25 nochmal einzustellen, bevor die nächste Übertragungsbedienung durchgeführt wird. Insbesondere ist es im Fall, in dem es schwierig ist, alle Optik-Bauelemente 25 durch eine einmalige Aufweitung des Bandes 31 an gewünschten Positionen anzuordnen, beispielsweise durch eine Variation des Aufweitbetrags des Bandes 31, wünschenswert, die Übertragung der Optik-Bauelemente 25 in mehreren Schritten durchzuführen, während der Bandaufweitschritt S4 jedes Mal durchgeführt wird, um die Anordnung der Optik-Bauelemente 25 einzustellen. Dadurch kann der Abstand der Optik-Bauelemente 25 präzise gesteuert werden und die Optik-Bauelemente 25 können einfach an gewünschten Positionen am Anbringsubstrat 35 angeordnet werden.
  • Zusätzlich können zum Zeitpunkt des Anhaftens der Optik-Bauelemente 25 am Anbringsubstrat 35 die Anbringoberflächen der Optik-Bauelemente 25 wie benötigt geändert werden. Insbesondere kann sowohl die Seite der Oberflächen, die Kontakt mit dem Band 31 aufnehmen (hintere Oberflächen), als auch die Seite der Oberflächen, die keinen Kontakt mit dem Band 31 aufnehmen (vordere Oberflächen), des in 7B dargestellten Optik-Bauelements 25 am Anbringsubstrat 35 angehaftet werden. Im Fall des Änderns der Anbringoberflächen der Optik-Bauelemente 25 wird ein Schritt des Änderns der freiliegenden Oberflächen der Optik-Bauelemente 25 vor dem Diebonding-Schritt S5 durchgeführt. Beispielsweise kann unter Benutzung des in 8 und 9 dargestellten Verfahrens nach dem Bandaufweitschritt S4 die Seite der hinteren Oberfläche der Optik-Bauelemente 25 freigelegt werden und die Seite der hinteren Oberfläche der Optik-Bauelemente 25 kann am Anbringsubstrat angehaftet werden. In 9 wird die Seite der vorderen Oberfläche der Optik-Bauelemente 25 von den Ansaugpads 24 unter Ansaugung gehalten, während die Seite der hinteren Oberfläche freigelegt ist.
  • Darüber hinaus kann die Seite der hinteren Oberfläche der Optik-Bauelemente 25 durch ein Neuanhaften des Bandes vor dem Bandaufweitschritt S4 freigelegt werden. Insbesondere wird, bevor das Band 31 mit den daran haftenden mehreren Optik-Bauelementen 25 aufgeweitet wird (siehe 7A) ein neu anhaftendes Band an der vorderen Oberflächenseite der mehreren Optik-Bauelemente 25 angehaftet. Danach wird das Band 31 abgezogen, um die mehreren Optik-Bauelemente 25 und das Band 31 voneinander zu trennen, wodurch die mehreren Optik-Bauelemente 25 in dem Zustand, in dem ihre hintere Oberflächenseite freiliegt, auf das neu anhaftende Band übertragen werden. In diesem Fall wird die Anordnung der Optik-Bauelemente 25 durch ein Aufweiten des neu anhaftenden Bandes im später auszuführenden Bandaufweitschritt S4 geändert, und deswegen wird ein aufweitbares Band als neu anhaftendes Band benutzt. Zusätzlich kann es sein, dass im Fall des neu anhaftenden Bandes das Band 31 nicht notwendigerweise aufweitbar ist.
  • Daneben ist, während der Fall, in dem die über die Pufferschicht 23 über dem Substrat 21 ausgebildeten Optik-Bauelemente übertragen werden, wie oben hauptsächlich beschrieben worden ist, die Art der vom Bauelementübertragungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform zu übertragenden Bauelemente nicht beschränkt. Zusätzlich kann das Material der Pufferschicht 23 auch gemäß den Erfordernissen ausgewählt werden, sofern die Pufferschicht 23 durch das Aufbringen des Laserstrahls im Pufferschicht-Brechschritt S2 gebrochen werden kann.
  • Anders als oben erwähnt, können die Strukturen und die Verfahren und dergleichen gemäß der vorliegenden Ausführungsform beim Ausführen der vorliegenden Erfindung geeignet modifiziert werden, ohne vom Umfang des Ziels der Erfindung abzuweichen.

Claims (4)

  1. Bauelementübertragungsverfahren zum Übertragen von mehreren Bauelementen (25) auf ein Anbringsubstrat (35), das mit mehreren Elektroden (37) versehen ist, wobei das Bauelementübertragungsverfahren umfasst: einen Bandanhaftschritt des Anbringens eines aufweitbaren Bandes (31) an den mehreren über eine Pufferschicht (23) an einer Seite einer vorderen Oberfläche eines Substrats (21) ausgebildeten Bauelementen (25); einen Pufferschicht-Brechschritt des Aufbringens eines Laserstrahls einer solchen Wellenlänge, dass er durch das Substrat (21) transmittiert und in der Pufferschicht (23) absorbiert wird, von einer Seite einer hinteren Oberfläche des Substrats (21) auf die Pufferschicht (23), um die Pufferschicht (23) zu brechen, nachdem der Bandanhaftschritt durchgeführt worden ist; einen Übertragungsschritt des Bewegens des Bandes (31) in eine Richtung, sodass es sich vom Substrat (21) entfernt, um das Substrat (21) und die mehreren Bauelemente (25) voneinander zu trennen, und dadurch des Übertragens der mehreren Bauelemente (25), die am Substrat (21) ausgebildet worden sind, auf das Band (31), nachdem der Pufferschicht-Brechschritt durchgeführt worden ist; einen Bandaufweitschritt des Aufweitens des Bandes (31) auf eine solche Weise, dass eine Anordnung der mehreren am Band (31) haftenden Bauelemente (25) einer Anordnung der mehreren Elektroden (37) entspricht, nachdem der Übertragungsschritt durchgeführt worden ist; und einen Diebonding-Schritt des gleichzeitigen Verbindens der mehreren am aufgeweiteten Band (31) haftenden Bauelemente (25) mit den mehreren Elektroden (37), nachdem der Bandaufweitschritt durchgeführt worden ist.
  2. Bauelementübertragungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Bauelement (25) eine lichtemittierende Diode ist.
  3. Bauelementübertragungsverfahren gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei das Band (31) einen Haftklebstoff, mit einen ultraviolett-härtenden Kunststoff, aufweist, wobei das Bauelementübertragungsverfahren ferner umfasst: einen Schritt des Aufbringens von Ultraviolett-Strahlen auf das Band (31), um den Haftklebstoff zu härten, nachdem der Bandaufweitschritt durchgeführt worden ist.
  4. Bauelementübertragungsverfahren zum Übertragen von mehreren Bauelementen (25) auf ein Anbringsubstrat (35), das mit mehreren Elektroden (37) versehen ist, wobei das Bauelementübertragungsverfahren umfasst: einen Bandanhaftschritt des Anbringens eines aufweitbaren Bandes (31) an den mehreren über eine Pufferschicht (23) an einer Seite einer vorderen Oberfläche eines Substrats (21) ausgebildeten Bauelementen (25); einen Pufferschicht-Brechschritt des Aufbringens eines Laserstrahls einer solchen Wellenlänge, dass er durch das Substrat (21) transmittiert und in der Pufferschicht (23) absorbiert wird, von einer Seite einer hinteren Oberfläche des Substrats (21) auf die Pufferschicht (23), um die Pufferschicht (23) zu brechen, nachdem der Bandanhaftschritt durchgeführt worden ist; einen Übertragungsschritt des Bewegens des Bandes (31) in eine Richtung, sodass es sich vom Substrat (21) entfernt, um das Substrat (21) und die mehreren Bauelemente (25) voneinander zu trennen, und dadurch des Übertragens der mehreren Bauelemente (25), die am Substrat (21) ausgebildet worden sind, auf das Band (31), nachdem der Pufferschicht-Brechschritt durchgeführt worden ist; einen Bandaufweitschritt des Aufweitens des Bandes (31) auf eine solche Weise, dass eine Anordnung der mehreren am Band (31) haftenden Bauelemente (25) einer Anordnung der mehreren Elektroden (37) entspricht, nachdem der Übertragungsschritt durchgeführt worden ist; und einen Diebonding-Schritt eines gleichzeitigen Aufnehmens der mehreren an dem Band (31) angehafteten Bauelemente (25) durch mehrere Ansaugpads (24), die so angeordnet sind, dass sie der Anordnung der mehreren Bauelemente (25) entsprechen, und dann des gleichzeitigen Verbindens der mehreren Bauelemente (25) mit den mehreren Elektroden (37), nachdem der Bandaufweitschritt durchgeführt worden ist.
DE102019202876.4A 2018-03-05 2019-03-04 Bauelementübertragungsverfahren Active DE102019202876B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018038844A JP7072977B2 (ja) 2018-03-05 2018-03-05 デバイスの移設方法
JP2018-038844 2018-03-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102019202876A1 DE102019202876A1 (de) 2019-09-05
DE102019202876B4 true DE102019202876B4 (de) 2023-06-15

Family

ID=67622722

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102019202876.4A Active DE102019202876B4 (de) 2018-03-05 2019-03-04 Bauelementübertragungsverfahren

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10658220B2 (de)
JP (1) JP7072977B2 (de)
KR (1) KR20190105504A (de)
CN (1) CN110233129B (de)
DE (1) DE102019202876B4 (de)
TW (1) TWI790353B (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7195700B2 (ja) * 2018-11-12 2022-12-26 株式会社ディスコ リフトオフ方法
TWI757648B (zh) 2019-10-21 2022-03-11 隆達電子股份有限公司 取料裝置
KR102351045B1 (ko) * 2019-12-19 2022-01-14 한국기계연구원 마이크로 소자의 간격 조절 전사방법
KR102600183B1 (ko) * 2020-11-27 2023-11-08 주식회사 아큐레이저 반도체 소자의 전사 방법
WO2022230952A1 (ja) * 2021-04-27 2022-11-03 昭和電工マテリアルズ株式会社 Ｌｅｄ移設部材及びｌｅｄ装置の製造方法
TW202249159A (zh) * 2021-04-27 2022-12-16 日商昭和電工材料股份有限公司 Led轉移構件及led裝置的製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
US20020064032A1 (en) 2000-10-06 2002-05-30 Toyoharu Oohata Device mounting method
JP2004072052A (ja) 2002-08-09 2004-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US20170025399A1 (en) 2015-07-23 2017-01-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3608615B2 (ja) * 2001-04-19 2005-01-12 ソニー株式会社 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2006173190A (ja) * 2004-12-13 2006-06-29 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法及びｉｃチップ配列用支持材
JP5518502B2 (ja) * 2009-01-27 2014-06-11 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP6116827B2 (ja) * 2012-08-07 2017-04-19 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JP6013859B2 (ja) * 2012-10-01 2016-10-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR101903312B1 (ko) * 2012-12-26 2018-10-01 히타치가세이가부시끼가이샤 익스팬드 방법, 반도체 장치의 제조방법, 및 반도체 장치
TWI546934B (zh) * 2014-10-20 2016-08-21 Playnitride Inc Led陣列擴張方法及led陣列單元
CN107112256A (zh) * 2014-12-29 2017-08-29 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 在处理半导体尺寸晶片中使用的保护片及半导体尺寸晶片处理方法
JP2017050444A (ja) * 2015-09-03 2017-03-09 株式会社ディスコ 光デバイス層の剥離方法
JP2017103405A (ja) * 2015-12-04 2017-06-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
KR101754528B1 (ko) * 2016-03-23 2017-07-06 한국광기술원 건식 접착구조를 갖는 ｌｅｄ 구조체 어레이의 전사체와 이를 이용한 ｌｅｄ 구조체 어레이의 이송방법 및 ｌｅｄ 구조체
CN110491987A (zh) * 2018-05-14 2019-11-22 晶元光电股份有限公司 一种发光装置及其制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
US20020064032A1 (en) 2000-10-06 2002-05-30 Toyoharu Oohata Device mounting method
JP2004072052A (ja) 2002-08-09 2004-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US20170025399A1 (en) 2015-07-23 2017-01-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
CN110233129B (zh) 2024-03-12
JP7072977B2 (ja) 2022-05-23
JP2019153718A (ja) 2019-09-12
TWI790353B (zh) 2023-01-21
DE102019202876A1 (de) 2019-09-05
KR20190105504A (ko) 2019-09-17
US20190273009A1 (en) 2019-09-05
CN110233129A (zh) 2019-09-13
US10658220B2 (en) 2020-05-19
TW201939665A (zh) 2019-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102019202876B4 (de) Bauelementübertragungsverfahren
EP1770795B1 (de) Epitaxiesubstrat, Verfahren zu seiner Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
DE102010046665B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102019212840B4 (de) SiC-SUBSTRATBEARBEITUNGSVERFAHREN
DE112020003652T5 (de) Verfahren zur herstellung von (led -) dies mittels laser - lift - off von einemsubstrat zu einer aufnahmeplatte
DE102020201866B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102015100863B4 (de) Verfahren zur Handhabung eines Produktsubstrats und ein verklebtes Substratsystem
DE102020200724B4 (de) Trägerplattenentfernungsverfahren
WO2020089101A1 (de) Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen
DE102016224035A1 (de) Bearbeitungsverfahren für einen Wafer
DE102021208093A1 (de) Anzeigevorrichtung, led-substrat und herstellungsverfahren einer anzeigevorrichtung
DE102018205548A1 (de) Teilungsverfahren für ein werkstück
DE102020200439A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102012211984A1 (de) Trennverfahren für ein Substrat einer optischen Einrichtung
DE102019215999A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
WO2024153616A1 (de) Transferverfahren zum transferieren von elektronischen bauelementen und elektronische anordnung
DE102019217093A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102014227005B4 (de) Verfahren zum Aufteilen eines Wafers in Chips
EP4360132A1 (de) Verfahren und system zur herstellung mikrostrukturierter komponenten
DE4410179C1 (de) Verfahren zum Aufnehmen eines elektrischen Bauelements
DE102020212953B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102020208555B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
WO2017060223A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils und optoelektronisches halbleiterbauteil
DE102019205697B4 (de) Verfahren zum bearbeiten eines wafers
DE102017220759B4 (de) LED-Zusammenbauverfahren zum Zusammenbau von Modulchips

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final