JP2017050444A - 光デバイス層の剥離方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】エピタキシー基板上に光デバイス層が均等に成長しなかった場合でも、エピタキシー基板を廃棄することなく再利用できるようにする。【解決手段】本発明にかかる光デバイス層の剥離方法は、エピタキシャル層4にテープ5を貼着するテープ貼着工程と、エピタキシー基板2の裏面2b側からエピタキシャル層4にエピタキシー基板2に対しては透過性を有しエピタキシャル層4に対しては吸収性を有する波長のレーザー光線8を照射し、エピタキシャル層4を破壊するエピタキシャル層破壊工程と、テープ5の剥離とともにエピタキシャル層4をエピタキシー基板2から除去する剥離工程と、からなるため、エピタキシー基板2を廃棄することなく再利用することができる。また、エピタキシャル層4が除去された後のエピタキシー基板2は、研削等が施されておらず薄化していないため、再利用することが可能である。【選択図】図5
Description
本発明は、サファイア基板や炭化珪素基板などのエピタキシー基板から光デバイス層を剥離する方法に関する。
光デバイス製造工程においては、例えば円板形状のサファイア基板や炭化珪素基板などの結晶成長用基板(エピタキシー基板)の表面に、バッファー層を介してGaN(窒化ガリウム)、InGaP(インジウム・ガリウム・リン)またはALGaN(アルミニウム・窒化ガリウム)で構成されるn型半導体層及びp型半導体層からなる光デバイス層を積層した後、エピタキシー基板の表面における格子状の複数のストリートによって区画される各領域に発光ダイオードやレーザーダイオード等の光デバイスを形成して光デバイスウエーハを構成する。そして、光デバイスウエーハをストリートに沿って分割することにより、個々の光デバイスを製造することができる(例えば、下記の特許文献1を参照)。
また、光デバイスの輝度を向上させる技術として、光デバイスウエーハの光デバイス層をモリブデン(Mo)、銅(Cu)、シリコン(Si)等の移設基板に移し替えるリフトオフと呼ばれる製造方法がある。リフトオフは、例えばエピタキシー基板の表面においてバッファー層を介して積層された光デバイス層を、AuSn(金錫)等の接合材を介して移設基板に接合した後、エピタキシー基板の裏面側からエピタキシー基板を透過しバッファー層で吸収される波長のレーザー光線を照射してバッファー層を破壊し、エピタキシー基板を光デバイス層から剥離することにより、光デバイス層を移設基板に移設する方法である(例えば、下記の特許文献2を参照)。
ここで、例えばエピタキシャル成長法によってエピタキシー基板の表面に光デバイス層を成長させる際に、光デバイス層がエピタキシー基板の表面の全面に成長せず、光デバイス層の厚みにムラが生じることがある。この場合、従来においては、光デバイス層が積層されたエピタキシー基板を廃棄していた。
また、光デバイス層側から研削して光デバイス層を除去し、エピタキシー基板を再利用するなどの対策が講じられているが、この場合は、エピタキシー基板の厚みが元々のサファイア等の厚みよりも薄くなってしまい、エピタキシー基板を再利用するにも不都合が生じていた。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、エピタキシー基板上に光デバイス層が均等に成長しなかった場合でも、エピタキシー基板を廃棄することなく再利用できるようにすることを目的とする。
本発明は、エピタキシー基板の表面に成長したエピタキシャル層を、該エピタキシー基板から剥離する光デバイス層の剥離方法であって、該エピタキシャル層にテープを貼着するテープ貼着工程と、該エピタキシー基板の裏面側からエピタキシャル層にエピタキシー基板に対しては透過性を有しエピタキシャル層に対しては吸収性を有する波長のレーザー光線を照射し、該エピタキシャル層を破壊するエピタキシャル層破壊工程と、該テープの剥離とともに該エピタキシャル層をエピタキシー基板から除去する剥離工程と、からなる。
本発明にかかる光デバイス層の剥離方法は、エピタキシー基板の表面に成長しエピタキシャル層にテープを貼着した後、エピタキシャル層破壊工程を実施することによりエピタキシャル層を破壊し、その後、該テープとともに該エピタキシャル層をエピタキシー基板から除去する剥離工程を実施するため、たとえエピタキシー基板の表面に該エピタキシャル層が均等に成長せず、その厚みにムラが生じていたとしても、該エピタキシャル層をエピタキシー基板から取り除くことができることから、エピタキシー基板を廃棄することなく再利用することができる。
また、エピタキシャル層が除去された後のエピタキシー基板は、研削等が施されておらず薄化してないため、再利用することが可能である。仮に、剥離工程後のエピタキシー基板にエピタキシャル層がわずかに残っていると、例えば1mm程度エピタキシー基板を研磨する場合もあるが、この場合であっても、エピタシャル層を研削して取り除く従来の研削方法よりも、エピタキシー基板の取り除かれる量が少なくて済むため、エピタキシー基板を再利用することに不都合は生じない。
また、エピタキシャル層が除去された後のエピタキシー基板は、研削等が施されておらず薄化してないため、再利用することが可能である。仮に、剥離工程後のエピタキシー基板にエピタキシャル層がわずかに残っていると、例えば1mm程度エピタキシー基板を研磨する場合もあるが、この場合であっても、エピタシャル層を研削して取り除く従来の研削方法よりも、エピタキシー基板の取り除かれる量が少なくて済むため、エピタキシー基板を再利用することに不都合は生じない。
図1に示す光デバイスウエーハ1は、被加工物の一例であって、エピタキシー基板2の表面2aに、光デバイス層であるエピタキシャル層4が例えばエピタキシャル成長法により形成されている。エピタキシー基板2は、結晶成長用の基板であり、例えば、サファイア基板や炭化珪素基板などである。エピタキシー基板2の厚み及び大きさは、特に限定されない。
エピタキシャル層4は、n型窒化ガリウム半導体層40とp型窒化ガリウム半導体層41とにより構成される。エピタキシー基板2の表面2aにエピタキシャル層4を積層する際には、エピタキシー基板2の表面2aとn型窒化ガリウム半導体層40との間にバッファー層3が形成される。バッファー層3の厚みは、例えば1μmである。エピタキシー基板2の裏面2bは、特に何も形成されておらず、後記のエピタキシャル層破壊工程でレーザー光線が入射される面となっている。以下では、エピタキシー基板2の表面2aにおいて成長したエピタキシャル層4をエピタキシー基板2から剥離する方法について説明する。
(1)テープ貼着工程
図2に示すように、光デバイスウエーハ1の表面側に、粘着性を有するテープ5を貼着する。テープ5のサイズは、特に限定されないが、少なくとも図1に示したエピタキシャル層4の全面を覆う面積を有している。このテープ5を、図3に示すように、光デバイスウエーハ1の表面2aに形成されたエピタキシャル層4の全面を覆うように貼着する。その結果、エピタキシャル層4の全面がテープ5によって保護される。テープ5は、レーザー光線の熱に耐えられる程度の耐熱性を有することが望ましい。
図2に示すように、光デバイスウエーハ1の表面側に、粘着性を有するテープ5を貼着する。テープ5のサイズは、特に限定されないが、少なくとも図1に示したエピタキシャル層4の全面を覆う面積を有している。このテープ5を、図3に示すように、光デバイスウエーハ1の表面2aに形成されたエピタキシャル層4の全面を覆うように貼着する。その結果、エピタキシャル層4の全面がテープ5によって保護される。テープ5は、レーザー光線の熱に耐えられる程度の耐熱性を有することが望ましい。
(2)エピタキシャル層破壊工程
テープ貼着工程を実施した後、図4に示すように、エピタキシー基板2の裏面2b側が上向きに露出するように回転可能な保持テーブル6に光デバイスウエーハ1を搬送し、保持テーブル6の上方側に配設されたレーザー照射手段7を用いて光デバイスウエーハ1のエピタキシャル層4を破壊する。保持テーブル6には、図示していないが、吸引源が接続されている。
テープ貼着工程を実施した後、図4に示すように、エピタキシー基板2の裏面2b側が上向きに露出するように回転可能な保持テーブル6に光デバイスウエーハ1を搬送し、保持テーブル6の上方側に配設されたレーザー照射手段7を用いて光デバイスウエーハ1のエピタキシャル層4を破壊する。保持テーブル6には、図示していないが、吸引源が接続されている。
レーザー照射手段7は、レーザー光線発振器(不図示)と、該レーザー発振器から発振されるレーザー光線を被加工物の内部に集光するための集光レンズ70とを少なくとも備えている。実施形態では、エピタキシャル層4の全面に効率よくレーザー光線を照射できるように、集光レンズ70の開口数(NA)が小さいものを使用する。本工程における加工条件としては、例えば下記の条件に設定する。
[加工条件]
光源 :YAGレーザー
波長 :257nm
繰り返し周波数:50kHz
平均出力 :0.12W
パルス幅 :5〜100ps
スポット径 :70μm
加工送り速度 :600mm/秒
光源 :YAGレーザー
波長 :257nm
繰り返し周波数:50kHz
平均出力 :0.12W
パルス幅 :5〜100ps
スポット径 :70μm
加工送り速度 :600mm/秒
図4に示すように、保持テーブル6で光デバイスウエーハ1を保持したら、レーザー照射手段7の下方に保持テーブル6を移動させる。レーザー照射手段7は、レーザー光線の集光位置をエピタキシー基板2から1〜2mm上の空間中に位置づける。これにより、バッファー層3に照射されるレーザー光線のスポット径が最適なサイズになる。
次いで、保持テーブル6を所定の加工送り速度(600mm/秒)で例えばX1方向に移動させながら、レーザー照射手段7は、エピタキシー基板2に対しては透過性を有するとともにエピタキシャル層4に対しては吸収性を有する波長(257nm)のレーザー光線8を、エピタキシー基板2の裏面2b側から入射させ、バッファー層3を破壊する。このようにして、レーザー照射手段7によってバッファー層3の全面にレーザー光線8を照射してバッファー層3を破壊することにより、エピタキシー基板2とエピタキシャル層4との結合力を低下させる。
エピタキシャル層破壊工程の他の例としては、レーザー照射手段7をエピタキシー基板2の最外周に位置づけ、保持テーブル6を回転させつつ、レーザー照射手段7をエピタキシー基板2の最外周から中心に向けて移動させながらレーザー光線8をエピタキシー基板2の裏面2b側から入射させて、バッファー層3の全面にレーザー光線8を照射するようにしてもよい。
光デバイスウエーハ1のエピタキシャル層4を破壊した後、保持テーブル6から光デバイスウエーハ1を搬出する際に、保持テーブル6の吸引保持を停止したとしても、エピタキシャル層4にはテープ5が貼着されていることから、破壊されたエピタキシャル層4が舞い上がって集光レンズ70に付着することはない。
(3)剥離工程
エピタキシャル層破壊工程を実施した後、図5に示すように、エピタキシー基板2からエピタキシャル層4を除去する。具体的には、テープ5をエピタキシー基板2から剥離することにより、テープ5とともにエピタキシャル層4をエピタキシー基板2の表面2aから剥離することができる。このようにしてテープ5の全てをエピタキシー基板2の全面から剥がしてエピタキシャル層4を表面2aから除去すると、エピタキシー基板2が残存する。
エピタキシャル層破壊工程を実施した後、図5に示すように、エピタキシー基板2からエピタキシャル層4を除去する。具体的には、テープ5をエピタキシー基板2から剥離することにより、テープ5とともにエピタキシャル層4をエピタキシー基板2の表面2aから剥離することができる。このようにしてテープ5の全てをエピタキシー基板2の全面から剥がしてエピタキシャル層4を表面2aから除去すると、エピタキシー基板2が残存する。
以上のとおり、本発明にかかる光デバイス層の剥離方法では、エピタキシャル層破壊工程を実施してエピタキシャル層4を破壊した後、粘着性を有するテープ5とともにエピタキシャル層4をエピタキシー基板2から剥離して除去する剥離工程を実施するため、たとえエピタキシー基板2の表面2aにエピタキシャル層4が均等に成長しなかった場合でも、エピタキシー基板2を廃棄することなく再利用することができる。
また、エピタキシャル層4が除去された後のエピタキシー基板2は、研削等が施されておらず薄化していないため、再利用することが可能である。仮に、剥離工程を実施した後のエピタキシー基板2にエピタキシャル層4がわずかに残っていると、例えば1mm程度エピタキシー基板2を研磨する場合もあるが、エピタシャル層を研削してエピタキシー基板から取り除く従来の研削方法を用いる場合よりも、エピタキシー基板2の取り除かれる量が少なくて済むため、エピタキシー基板2を再利用することに不都合は生じない。
また、エピタキシャル層4が除去された後のエピタキシー基板2は、研削等が施されておらず薄化していないため、再利用することが可能である。仮に、剥離工程を実施した後のエピタキシー基板2にエピタキシャル層4がわずかに残っていると、例えば1mm程度エピタキシー基板2を研磨する場合もあるが、エピタシャル層を研削してエピタキシー基板から取り除く従来の研削方法を用いる場合よりも、エピタキシー基板2の取り除かれる量が少なくて済むため、エピタキシー基板2を再利用することに不都合は生じない。
実施形態に示したテープ5は、耐熱性を有するタイプのものであるが、保持テーブル6が冷却機能を有していれば、耐熱性を有さないテープを使用してもよい。
1:光デバイスウエーハ 2:エピタキシー基板 2a:表面 2b:裏面
3:バッファー層 4:エピタキシャル層 40:n型窒化ガリウム半導体層
41:p型窒化ガリウム半導体層
5:テープ 6:保持テーブル 7:レーザー照射手段 70:集光レンズ
8:レーザー光線
3:バッファー層 4:エピタキシャル層 40:n型窒化ガリウム半導体層
41:p型窒化ガリウム半導体層
5:テープ 6:保持テーブル 7:レーザー照射手段 70:集光レンズ
8:レーザー光線
Claims (1)
- エピタキシー基板の表面に成長したエピタキシャル層を、該エピタキシー基板から剥離する光デバイス層の剥離方法であって、
該エピタキシャル層にテープを貼着するテープ貼着工程と、
該エピタキシー基板の裏面側からエピタキシャル層にエピタキシー基板に対しては透過性を有しエピタキシャル層に対しては吸収性を有する波長のレーザー光線を照射し、該エピタキシャル層を破壊するエピタキシャル層破壊工程と、
該テープの剥離とともに該エピタキシャル層をエピタキシー基板から除去する剥離工程と、からなることを特徴とする光デバイス層の剥離方法。
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