JP2013021114A - 光デバイス基板の分割方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光デバイス基板の分割方法であって、ダイシングテープTの表面に貼着された光デバイス基板の中央を通る第1および第2の分割予定ライン301、302に沿ってレーザー光線を照射し、該基板を少なくとも4個のブロック基板30a〜30dに分割する工程と、各ブロック基板に形成されている第1の分割予定ライン231に沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝303を形成する工程と、第2の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成する工程とを含み、この第1の溝形成工程と第2の溝形成工程とを交互に実施して、各ブロック基板を全ての第1および第2の分割予定ラインに沿って切断し個々の光デバイスに分割する。
【選択図】図8
Description
上述した光デバイス基板を構成する移設基板の厚みは120μm程度あり、レーザー光線を照射して切断するには、レーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程を1本の分割予定ラインに対して4〜5回実施する必要がある。
しかるに、1回目のレーザー加工溝形成工程において全ての分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成した後、2回目以降のレーザー加工溝形成工程をレーザー加工溝に沿って繰り返し実施するが、光デバイス基板はレーザー光線が照射されて溶融した後に冷却されることにより収縮する。このため、分割予定ラインの間隔が縮小してレーザー光線の照射位置がレーザー加工溝から外れることから、時々位置を補正しながらレーザー加工溝形成工程を実施しなければならず、生産性が悪いという問題がある。
光デバイス基板を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着する光デバイス基板貼着工程と、
ダイシングテープの表面に貼着された光デバイス基板の中央を通る第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、光デバイス基板を少なくとも4個のブロック基板に分割するブロック形成工程と、
各ブロック基板に形成されている第1の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成する第1のレーザー加工溝形成工程と、
各ブロック基板に形成されている第2の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成する第2のレーザー加工溝形成工程と、を含み、
該第1のレーザー加工溝形成工程と該第2のレーザー加工溝形成工程とを交互に実施することにより、各ブロック基板を全ての第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿って切断し個々の光デバイスに分割する、
ことを特徴とする光デバイス基板の分割方法が提供される。
図1に示す光デバイスウエーハ2は、略円板形状であるサファイア基板や炭化珪素等のエピタキシー基板20の表面20aにn型窒化ガリウム半導体層211およびp型窒化ガリウム半導体層212からなる光デバイス層21がエピタキシャル成長法によって形成されている。なお、エピタキシー基板20の表面にエピタキシャル成長法によってn型窒化ガリウム半導体層211およびp型窒化ガリウム半導体層212からなる光デバイス層21を積層する際に、エピタキシー基板20の表面20aと光デバイス層21を形成するn型窒化ガリウム半導体層211との間にはAlGaN層等からなるバファー層22が形成される。このように構成された光デバイスウエーハ2は、図示の実施形態においてはエピタキシー基板20の直径が50mmで厚みが例えば430μm、バファー層22を含む光デバイス層21の厚みが例えば5μmに形成されている。なお、光デバイス層21は、図1の(a)に示すように所定の方向に形成された複数の第1の分割予定ライン231と該第1の分割予定ライン231と交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ライン232によって区画された複数の領域に光デバイス24が形成されている。なお、図示の実施形態においては、光デバイス24のサイズが1.2mm×1.2mm、第1の分割予定ライン231および第2の分割予定ライン232の幅が50μm、第1の分割予定ライン231および第2の分割予定ライン232の数がそれぞれ41本に設定されている。
ブロック形成工程は、先ず上述した図5に示すレーザー加工装置のチャックテーブル51上に光デバイス基板30が貼着されたダイシングテープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル51上にダイシングテープTを介して光デバイス基板30を吸引保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル51に保持された光デバイス基板30は、光デバイス層21が上側となる。なお、図5においては、ダイシングテープTが装着された環状のフレームFを省いて示しているが、環状のフレームFはチャックテーブル51に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。
波長 :355nm
繰り返し周波数:10kHz
平均出力 :7W
集光スポット径:φ10μm)
加工送り速度 :100mm/秒
上記第1のレーザー加工溝形成工程および第2のレーザー加工溝形成工程における加工条件と同一の条件で光デバイス基板30の全ての第1の分割予定ライン231および第2の分割予定ライン232に沿って1回目のレーザー加工溝形成工程を実施し、第1の分割予定ライン231および第2の分割予定ライン232に沿ってレーザー加工溝を形成した。そして、光デバイス基板30における最初の分割予定ラインから最後の分割予定ラインまでの長さを測定したところ、48000μmから47995μmに収縮した。
次に、第1の分割予定ライン231および第2の分割予定ライン232に沿って形成された全てのレーザー加工溝に沿って2回目のレーザー加工溝形成工程を実施し、最初の分割予定ラインから最後の分割予定ラインまでの長さを測定したところ、48000μmから47990μmに収縮した。
更に、2回目のレーザー加工溝形成工程を実施することによって形成された全てのレーザー加工溝に沿って3回目のレーザー加工溝形成工程を実施し、最初の分割予定ラインから最後の分割予定ラインまでの長さを測定したところ、48000μmから47980μmに収縮した。
そして、3回目のレーザー加工溝形成工程を実施することによって形成された全てのレーザー加工溝に沿って4回目のレーザー加工溝形成工程を実施することにより、光デバイス基板30を個々の光デバイスに分割した。
上述したように従来の分割方法においては、3回目のレーザー加工溝形成工程を実施することによって収縮の累積が20μmとなり、許容値である10μmを超えた。
上述したようにブロック形成工程を実施し、光デバイス基板30を4個のブロック基板30a,30b,30c,30dに分割した。
4個に分割されたブロック基板30a,30b,30c,30dの全ての第1の分割予定ライン231および第2の分割予定ライン232に沿って上記第1のレーザー加工溝形成工程および第2のレーザー加工溝形成工程を実施した。そして、各ブロック基板30a,30b,30c,30dにおける最初の分割予定ラインから最後の分割予定ラインまでの長さを測定したところ、24000μmから23997μmに収縮した。
次に、第1の分割予定ライン231および第2の分割予定ライン232に沿って形成された全てのレーザー加工溝に沿って2回目のレーザー加工溝形成工程を実施し、各ブロック基板30a,30b,30c,30dにおける最初の分割予定ラインから最後の分割予定ラインまでの長さを測定したところ、24000μmから23995μmに収縮した。
更に、2回目のレーザー加工溝形成工程を実施することによって形成された全てのレーザー加工溝に沿って3回目のレーザー加工溝形成工程を実施し、各ブロック基板30a,30b,30c,30dにおける最初の分割予定ラインから最後の分割予定ラインまでの長さを測定したところ、24000μmから23993μmに収縮した。
そして、3回目のレーザー加工溝形成工程を実施することによって形成された全てのレーザー加工溝に沿って4回目のレーザー加工溝形成工程を実施することにより、各ブロック基板30a,30b,30c,30dを個々の光デバイスに分割した。
上述したように本発明における上述した分割方法においては、3回目のレーザー加工溝形成工程を実施することによって収縮の累積が7μmとなり、許容値である10μm以下であった。
20:エピタキシー基板
21:光デバイス層
22:バファー層
3:移設基板
4:接合金属層
5:レーザー加工装置
51:レーザー加工装置のチャックテーブル
52:レーザー光線照射手段
522:集光器
53:撮像手段
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
Claims (1)
- 基板と該基板の表面に光デバイス層が装着され所定の方向に形成された複数の第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成されている光デバイス基板の分割方法であって、
光デバイス基板を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着する光デバイス基板貼着工程と、
ダイシングテープの表面に貼着された光デバイス基板の中央を通る第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、光デバイス基板を少なくとも4個のブロック基板に分割するブロック形成工程と、
各ブロック基板に形成されている第1の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成する第1のレーザー加工溝形成工程と、
各ブロック基板に形成されている第2の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成する第2のレーザー加工溝形成工程と、を含み、
該第1のレーザー加工溝形成工程と該第2のレーザー加工溝形成工程とを交互に実施することにより、各ブロック基板を全ての第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿って切断し個々の光デバイスに分割する、
ことを特徴とする光デバイス基板の分割方法。
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