JP2009135342A - 加工対象物切断方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】加工対象物1に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、加工対象物1の外縁Eから所定の距離内側に外縁に沿って設定された改質領域形成ライン15に沿って、加工対象物1に改質領域を形成し、切断予定ライン5に沿って加工対象物1に切断用改質領域を形成し、切断用改質領域を起点として、切断予定ライン5に沿って加工対象物1を切断する。このように、加工対象物1の外縁Eから所定の距離内側に設定された改質領域形成ライン15に沿って、加工対象物1に改質領域を形成することで、加工対象物1を切断するに際して加工対象物1に切断応力が加えられても、形成された改質領域又は改質領域から延びる亀裂によって、加工対象物1の外縁部25で生じた亀裂が内側に伸展するのを抑制することができる。
【選択図】図10
Description
加工対象物(例えばシリコンのような半導体材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光Lを照射する。これにより、集光点近傍にてレーザ光Lが吸収されて加工対象物の内部が局所的に加熱され、この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。
加工対象物(例えばガラスやLiTaO3からなる圧電材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光Lを照射する。このパルス幅の大きさは、加工対象物の内部にレーザ光Lが吸収されてクラック領域が形成される条件である。これにより、加工対象物の内部には光学的損傷という現象が発生する。この光学的損傷により加工対象物の内部に熱ひずみが誘起され、これにより加工対象物の内部に、1つ又は複数のクラックを含むクラック領域が形成される。クラック領域は絶縁破壊領域とも言える。
加工対象物(例えばガラス)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1ns以下の条件でレーザ光Lを照射する。このように、パルス幅が極めて短い状態で加工対象物の内部にレーザ光Lが吸収されると、そのエネルギーが熱エネルギーに転化せず、加工対象物の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起され、屈折率変化領域が形成される。
Claims (7)
- 板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って切断するための加工対象物切断方法であって、
前記加工対象物に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の外縁から所定の距離内側に前記外縁に沿って設定された改質領域形成ラインに沿って、前記加工対象物に改質領域を形成する工程と、
前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物に切断起点領域を形成する工程と、
前記切断起点領域を起点として、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断する工程と、を含むことを特徴とする加工対象物切断方法。 - 前記切断起点領域の端部は、前記加工対象物において前記改質領域の外側に位置していることを特徴とする請求項1記載の加工対象物切断方法。
- 前記切断起点領域の端部は、前記加工対象物において前記改質領域上又は前記改質領域の内側に位置していることを特徴とする請求項1記載の加工対象物切断方法。
- 前記加工対象物は、外縁部と該外縁部の内側の有効領域とを有しており、
前記改質領域は、前記加工対象物において前記外縁部と前記有効領域との境界の外側に形成されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項記載の加工対象物切断方法。 - 前記加工対象物は、外縁部と該外縁部の内側の有効領域とを有しており、
前記改質領域は、前記加工対象物において前記外縁部と前記有効領域との境界上又は該境界の内側に形成されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項記載の加工対象物切断方法。 - 前記切断起点領域は、前記加工対象物に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより形成された切断用改質領域であることを特徴とする請求項1〜5の何れか一項記載の加工対象物切断方法。
- 前記切断用改質領域は、前記加工対象物の表面及び裏面に露出していないことを特徴とする請求項6の何れか一項記載の加工対象物切断方法。
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