JP2009146949A - ウエーハの分割方法 - Google Patents

ウエーハの分割方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009146949A
JP2009146949A JP2007319945A JP2007319945A JP2009146949A JP 2009146949 A JP2009146949 A JP 2009146949A JP 2007319945 A JP2007319945 A JP 2007319945A JP 2007319945 A JP2007319945 A JP 2007319945A JP 2009146949 A JP2009146949 A JP 2009146949A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
along
wafers
street
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007319945A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazunao Arai
一尚 荒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2007319945A priority Critical patent/JP2009146949A/ja
Priority to TW097140314A priority patent/TWI440081B/zh
Priority to KR1020080117425A priority patent/KR20090061578A/ko
Priority to CNA2008101869324A priority patent/CN101456222A/zh
Publication of JP2009146949A publication Critical patent/JP2009146949A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】複数のウエーハを格子状に形成されたストリートに沿って効率的に分割することができるウエーハの分割方法を提供する。
【解決手段】表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域に複数のデバイスが形成されているウエーハを、ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に複数個の光デバイスウエーハを貼着した状態で、複数のウエーハのそれぞれに対してウエーハにストリートに沿ってレーザー光線を照射しストリートに沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程と、レーザー加工溝が形成されたストリートに沿って個々のデバイスに分割する分割工程と、個々に分割されたデバイスをダイシングテープから剥離してピックアップするピックアップ工程とを実施する。
【選択図】図10

Description

本発明は、表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域に複数のデバイスが形成されているウエーハを、ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法に関する。
サファイヤ基板等の表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域に窒化ガリウム系化合物半導体等光デバイスが積層された光デバイスウエーハは、ストリートに沿って個々の発光ダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
このような光デバイスウエーハのストリートに沿った切断は、通常、切削ブレードを高速回転して切削する切削装置によって行われている。しかしながら、サファイヤ基板はモース硬度が高く難削材であるため、加工速度を遅くする必要があり、生産性が悪いという問題がある。
近年、光デバイスウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに対して吸収性を有するパルスレーザー光線をストリートに沿って照射することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿って外力を付与することにより割断する方法が提案されている。(例えば、特許文献1参照。)
特開平10−305420号公報
しかるに、上述した光デバイスウエーハを形成するサファイヤ基板は、その直径が50mm程度で比較的小さい。一方、レーザー加工装置のウエーハを保持するチャックテーブルは、直径が200〜300mmの半導体ウエーハに対応する大きさに構成されている。従って、チャックテーブルの保持面を有効に活用するため、環状のフレームに装着された粘着テープに複数個の光デバイスウエーハを貼着し、この粘着テープに貼着された複数個の光デバイスウエーハをチャックテーブルに保持してレーザー加工を実施することにより生産性の向上を図っている。
而して、環状のフレームに装着された粘着テープに複数個の光デバイスウエーハを貼着し、この粘着テープに貼着された複数個の光デバイスウエーハをチャックテーブルに保持してストリートに沿ってレーザー光線を照射することにより、光デバイスウエーハにストリートに沿ってレーザー加工溝を形成した後、ストリートに沿ってレーザー加工溝が形成された光デバイスウエーハを1個ずつダイシングテープに張り替え、光デバイスウエーハをストリートに沿って分割する分割工程を実施している。従って、ストリートに沿ってレーザー加工溝が形成されたウエーハをダイシングテープに張り替える工程を実施しなければならず、生産性の点で必ずしも満足し得るものではない。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、複数のウエーハを格子状に形成されたストリートに沿って効率的に分割することができるウエーハの分割方法を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域に複数のデバイスが形成されているウエーハを、該ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、
環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に複数のウエーハを貼着するウエーハ支持工程と、
該環状のフレームに装着された該ダイシングテープの表面に貼着された複数のウエーハにストリートに沿ってレーザー光線を照射し、複数のウエーハにストリートに沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程と、
ストリートに沿ってレーザー加工溝が形成されたウエーハを該ダイシングテープの表面に貼着された状態でレーザー加工溝が形成されたストリートに沿って個々のデバイスに分割する分割工程と、
該分割工程を実施した後、個々に分割されたデバイスを該ダイシングテープから剥離してピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
上記レーザー加工溝形成工程は、被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、チャックテーブルに保持された被加工物を撮像する撮像手段とを具備するレーザー加工装置を用いて実施し、チャックテーブルにダイシングテープを介して保持された複数のウエーハをそれぞれ撮像手段によって撮像し複数のウエーハのそれぞれに対してウエーハに形成されたストリートとレーザー光線照射手段によるレーザー光線照射位置との位置合わせを行うアライメント工程を実施した後に、複数のウエーハのそれぞれにストリートに沿ってレーザー光線を照射する。
また、上記ピックアップ工程を実施する際には、ダイシングテープを拡張して個々に分割されたデバイス間に隙間を形成することが望ましい。
本発明によるウエーハの分割方法においては、環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に複数個の光デバイスウエーハを貼着した状態で、複数のウエーハのそれぞれに対してウエーハにストリートに沿ってレーザー光線を照射しストリートに沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程と、レーザー加工溝が形成されたストリートに沿って個々のデバイスに分割する分割工程と、個々に分割されたデバイスをダイシングテープから剥離してピックアップするピックアップ工程とを実施するので、複数個のウエーハを効率的に分割することができる。
以下、本発明によるウエーハの分割方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。
図1には、本発明によるウエーハの分割方法によって分割される光デバイスウエーハ10が示されている。図1に示す光デバイスウエーハ10は、例えば直径が50mmのサファイヤ基板の表面10aに格子状に形成されたストリート101によって複数の領域が区画され、この区画された領域に複数の発光ダイオード等の光デバイス102が形成されている。
上記のように構成された光デバイスウエーハ10をストリート101に沿って個々の光デバイス102に分割するには、先ず光デバイスウエーハ10を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着する。しかるに、光デバイスウエーハ10は上述したように直径が50mmと比較的小さいため、1個ずつ分割するのは生産性が悪いので、図2に示すように複数個(図示の実施形態においては7個)の光デバイスウエーハ10−1、10−2、10−3、10−4、10−5、10−6、10−7のそれぞれ裏面10bを環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着する(ウエーハ支持工程)。従って、複数個の光デバイスウエーハ10−1、10−2、10−3、10−4、10−5、10−6、10−7は、それぞれ表面10aが上側となる。なお、環状のフレームFはステンレス鋼等の金属材によって形成されており、ダイシングテープTはポリオレフィン等の合成樹脂シートからなり表面に厚さが5μm程度の粘着層が形成されている。このように、複数の光デバイスウエーハ10を環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着するウエーハ支持工程は、例えば特開2006−324502号公報に開示されたテープ貼り機を用いて実施することができる。
上述したウエーハ支持工程を実施したならば、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着された複数の光デバイスウエーハ10をレーザー加工装置のチャックテーブルに保持し、複数の光デバイスウエーハ10のそれぞれに対して光デバイスウエーハ10に形成されたストリート101とレーザー加工装置のレーザー光線照射手段によるレーザー光線照射位置との位置合わせを行うアライメント工程と、複数の光デバイスウエーハ10にストリート101に沿ってレーザー光線を照射し、複数の光デバイスウエーハ10にストリート101に沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程を実施する。このアライメント工程およびレーザー加工溝形成工程は、図3に示すレーザー加工装置を用いて実施する。
図3に示すレーザー加工装置1は、静止基台2と、該静止基台2に矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構3と、静止基台2に上記矢印Xで示す方向(X軸方向)と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構4と、該レーザー光線ユニット支持機構4に矢印Zで示す方向(Z軸方向)に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット5とを具備している。
上記チャックテーブル機構3は、静止基台2上に矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に沿って平行に配設された一対の案内レール31、31と、該案内レール31、31上に矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に移動可能に配設された第一の滑動ブロック32と、該第1の滑動ブロック32上に矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動可能に配設された第2の滑動ブロック33と、該第2の滑動ブロック33上に円筒部材34によって支持されたカバーテーブル35と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル36を具備している。このチャックテーブル36は多孔性材料から形成された吸着チャック361を具備しており、吸着チャック361上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル36は、円筒部材34内に配設されたパルスモータ360によって回転せしめられる。なお、チャックテーブル36には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ362が配設されている。
上記第1の滑動ブロック32は、その下面に上記一対の案内レール31、31と嵌合する一対の被案内溝321、321が設けられているとともに、その上面に矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に沿って平行に形成された一対の案内レール322、322が設けられている。このように構成された第1の滑動ブロック32は、被案内溝321、321が一対の案内レール31、31に嵌合することにより、一対の案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第1の滑動ブロック32を一対の案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に移動させるための加工送り手段37を具備している。加工送り手段37は、上記一対の案内レール31と31の間に平行に配設された雄ネジロッド371と、該雄ネジロッド371を回転駆動するためのパルスモータ372等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド371は、その一端が上記静止基台2に固定された軸受ブロック373に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ372の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド371は、第1の滑動ブロック32の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ372によって雄ネジロッド371を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック32は案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に移動せしめられる。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置1は、上記チャックテーブル36の加工送り量即ちX軸方向位置を検出するためのX軸方向位置検出手段374を備えている。X軸方向位置検出手段374は、案内レール31に沿って配設されたリニアスケール374aと、第1の滑動ブロック32に配設され第1の滑動ブロック32とともにリニアスケール374aに沿って移動する読み取りヘッド374bとからなっている。このX軸方向位置検出手段374の読み取りヘッド374bは、図示に実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36の加工送り量即ちX軸方向位置を検出する。なお、上記加工送り手段37の駆動源としてパルスモータ372を用いた場合には、パルスモータ372に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル36の加工送り量即ちX軸方向位置を検出することもできる。また、上記加工送り手段37の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36の加工送り量即ちX軸方向位置を検出することもできる。
上記第2の滑動ブロック33は、その下面に上記第1の滑動ブロック32の上面に設けられた一対の案内レール322、322と嵌合する一対の被案内溝331、331が設けられており、この被案内溝331、331を一対の案内レール322、322に嵌合することにより、矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第2の滑動ブロック33を第1の滑動ブロック32に設けられた一対の案内レール322、322に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動させるための第1の割り出し送り手段38を具備している。この第1の割り出し送り手段38は、上記一対の案内レール322と322の間に平行に配設された雄ネジロッド381と、該雄ネジロッド381を回転駆動するためのパルスモータ382等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド381は、その一端が上記第1の滑動ブロック32の上面に固定された軸受ブロック383に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ382の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド381は、第2の滑動ブロック33の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ382によって雄ネジロッド381を正転および逆転駆動することにより、第2の滑動ブロック33は案内レール322、322に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動せしめられる。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置1は、上記第2の滑動ブロック33の割り出し加工送り量即ちY軸方向位置を検出するためのY軸方向位置検出手段384を備えている。Y軸方向位置検出手段384は、案内レール322に沿って配設されたリニアスケール384aと、第2の滑動ブロック33に配設され第2の滑動ブロック33とともにリニアスケール384aに沿って移動する読み取りヘッド384bとからなっている。このY軸方向位置検出手段384の読み取りヘッド384bは、図示に実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36の割り出し送り量即ちY軸方向位置を検出する。なお、上記割り出し送り手段38の駆動源としてパルスモータ382を用いた場合には、パルスモータ382に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル36の割り出し送り量即ちY軸方向位置を検出することもできる。また、上記第1の割り出し送り手段38の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36の割り出し送り量即ちY軸方向位置を検出することもできる。
上記レーザー光線照射ユニット支持機構4は、静止基台2上に矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に沿って平行に配設された一対の案内レール41、41と、該案内レール41、41上に矢印Yで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台42を具備している。この可動支持基台42は、案内レール41、41上に移動可能に配設された移動支持部421と、該移動支持部421に取り付けられた装着部422とからなっている。装着部422は、一側面に矢印Zで示す方向(Z軸方向)に延びる一対の案内レール423、423が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構4は、上記可動支持基台42を一対の案内レール41、41に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動させるための第2の割り出し送り手段43を具備している。第2の割り出し送り手段43は、上記一対の案内レール41、41の間に平行に配設された雄ネジロッド431と、該雄ねじロッド431を回転駆動するためのパルスモータ432等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド431は、その一端が上記静止基台2に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ432の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド431は、可動支持基台42を構成する移動支持部421の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ432によって雄ネジロッド431を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台42は案内レール41、41に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動せしめられる。
図示の実施形態のおけるレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51と、該ユニットホルダ51に取り付けられたレーザー光線照射手段52を具備している。ユニットホルダ51は、上記装着部422に設けられた一対の案内レール423、423に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝511、511が設けられており、この被案内溝511、511を上記案内レール423、423に嵌合することにより、矢印Zで示す方向(Z軸方向)に移動可能に支持される。
図示の実施形態のおけるレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51と、該ユニットホルダ51に取り付けられたレーザー光線照射手段52を具備している。ユニットホルダ51は、上記装着部422に設けられた一対の案内レール423、423に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝511、511が設けられており、この被案内溝511、511を上記案内レール423、423に嵌合することにより、矢印Zで示す方向に移動可能に支持される。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51を一対の案内レール423、423に沿って矢印Zで示す方向(Z軸方向)に移動させるための移動手段53を具備している。移動手段53は、一対の案内レール423、423の間に配設された雄ネジロッド(図示せず)と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ532等の駆動源を含んでおり、パルスモータ532によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ51およびレーザビーム照射手段52を案内レール423、423に沿って矢印Zで示す方向(Z軸方向)に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ532を正転駆動することによりレーザー光線照射手段52を上方に移動し、パルスモータ532を逆転駆動することによりレーザー光線照射手段52を下方に移動するようになっている。
上記レーザー光線照射手段52は、ユニットホルダ51に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング521を含んでいる。ケーシング521内にはYAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されており、このパルスレーザー光線発振手段は図示の実施形態においてはサファイヤ基板に対して吸収性を有する波長(例えば355nm)のパルスレーザー光線を発振する。上記ケーシング521の先端部には、集光レンズ(図示せず)を収容した集光器522が装着されている。上記パルスレーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線は、図示しない伝送光学系を介して集光器522に至り、集光器522から上記チャックテーブル36に保持される被加工物に所定の集光スポット径で照射される。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、ケーシング521の前端部に配設され上記レーザー光線照射手段52によってレーザー加工すべき加工領域を撮像する撮像手段55を備えている。この撮像手段55は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子(CCD)等を備え、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置1は、制御手段6を具備している。制御手段6はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置(CPU)61と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ(ROM)62と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)63と、カウンター64と、入力インターフェース65および出力インターフェース66とを備えている。制御手段6の入力インターフェース65には、上記X軸方向位置検出手段374、Y軸方向位置検出手段384および撮像手段55等からの検出信号が入力される。そして、制御手段6の出力インターフェース66からは、上記パルスモータ360、パルスモータ372、パルスモータ382、パルスモータ432、パルスモータ532、パルスレーザー光線照射手段52、表示手段60等に制御信号を出力する。
上述したレーザー加工装置1を用い、上記アライメント工程およびレーザー加工溝形成工程を実施するには、図2に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着されている複数個の光デバイスウエーハ10−1、10−2、10−3、10−4、10−5、10−6、10−7を図1に示すレーザー加工装置1のチャックテーブル36上にダイシングテープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより複数個の光デバイスウエーハ10−1、10−2、10−3、10−4、10−5、10−6、10−7は、ダイシングテープTを介してチャックテーブル36上に吸引保持される。また、環状のフレームFは、クランプ362によって固定される。
上述したようにチャックテーブル36に保持された複数個の光デバイスウエーハ10−1、10−2、10−3、10−4、10−5、10−6、10−7は、図4の(a)に示す座標位置に位置付けられた状態となる。なお、図4の(b)はチャックテーブル36を図4の(a)に示す状態から90度回転した状態を示している。このようにしてチャックテーブル36上に複数個の光デバイスウエーハ10−1、10−2、10−3、10−4、10−5、10−6、10−7を吸引保持したならば、それぞれの光デバイスウエーハ10対してストリート101とレーザー光線照射手段52の集光器522(レーザー光線照射位置)との位置合わせを行うアライメント工程を実施する。アライメント工程を実施するには、先ず加工送り手段37を作動して複数個の光デバイスウエーハ10−1、10−2、10−3、10−4、10−5、10−6、10−7を保持したチャックテーブル36を撮像手段55の直下に位置付ける。
チャックテーブル36を撮像手段55の直下に位置付けたならば、撮像手段55はチャックテーブル36上に保持された上記図4の(a)の状態における複数個の光デバイスウエーハ10−1、10−2、10−3、10−4、10−5、10−6、10−7を撮像し、その画像データを制御手段6に送る。制御手段6は、撮像手段55から送られた画像データに基づいて複数個の光デバイスウエーハ10−1、10−2、10−3、10−4、10−5、10−6、10−7の座標を求め、その座標値をランダムアクセスメモリ(RAM)63に格納する。次に、加工送り手段37および第1の割り出し送り手段38を作動してチャックテーブル36を移動し、光デバイスウエーハ10−1を撮像手段55の直下に位置付ける。そして、撮像手段55によって光デバイスウエーハ10−1に形成された所定方向(図4の(a)状態でX軸方向)に延びるストリート101を撮像し、その画像データを制御手段6に送る。制御手段6は、撮像手段55から送られた画像データに基づいてストリート101がX軸と平行であるか否かを判定する。そして、ストリート101がX軸と平行でない場合には、パルスモータ360を作動してチャックテーブル36を回動し、ストリート101がX軸と平行になるように調整する(θ補正工程)。このときの回動位置をランダムアクセスメモリ(RAM)63に格納する。
次に、加工送り手段37および第1の割り出し送り手段38を作動してチャックテーブル36を移動し、図4の(a)に示す状態の光デバイスウエーハ10−1に形成された各ストリート101をそれぞれ撮像手段55の直下に位置付け、撮像手段55によって各ストリート101の図4の(a)において左端(始点)と右端(終点)をそれぞれ撮像し、その画像データを制御手段6に送る。制御手段6は、撮像手段55から送られた画像データに基づいて各ストリートにおけるレーザー光線を照射する始点座標値および終点座標値としてランダムアクセスメモリ(RAM)63に格納する(始点および終点座標検出工程)。このようにして、光デバイスウエーハ10−1の所定方向に延びる各ストリート101におけるレーザー光線を照射する始点座標値および終点座標値を求めたならば、パルスモータ360を作動してチャックテーブル36を90度回動し、光デバイスウエーハ10−1、10−2、10−3、10−4、10−5、10−6、10−7を図4の(b)の状態に位置付ける。そして、図4の(b)の状態に位置付けられた光デバイスウエーハ10−1の上記所定方向と直交する方向に形成された各ストリート101に対して上記始点および終点座標検出工程を実行する。
上述したように、光デバイスウエーハ10−1に対してθ補正工程と始点および終点座標検出工程を実施したならば、チャックテーブル36に保持されている他の光デバイスウエーハ10−2、10−3、10−4、10−5、10−6、10−7に対して、順次上記θ補正工程と始点および終点座標検出工程を実施する。
以上のようにして、チャックテーブル36上に保持された複数個の光デバイスウエーハ10−1、10−2、10−3、10−4、10−5、10−6、10−7に対して、それぞれ上記θ補正工程と始点および終点座標検出工程からなるアライメント工程を実施したならば、各光デバイスウエーハ10にストリート101に沿ってレーザー光線を照射し、各光デバイスウエーハ10にストリート101に沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程を実施する。即ち、加工送り手段37および第1の割り出し送り手段38を作動して図5で示すようにチャックテーブル36を集光器522が位置するレーザー光線照射領域に移動し、光デバイスウエーハ10−1に形成された所定のストリート101を集光器522の直下に位置付ける。このとき、チャックテーブル36は上記θ補正工程によってθ補正されランダムアクセスメモリ(RAM)63に格納されている回動位置に位置付けられている。そして、ランダムアクセスメモリ(RAM)63に格納された始点座標値に基づいて図5で示すように所定のストリート101の始点座標値(図5において左端)を集光器522の直下に位置付ける。この所定のストリート101の始点座標値を集光器522の直下に位置付ける制御は、X軸方向位置検出手段374およびY軸方向位置検出手段384からの検出信号に基づいて実施される。次に、レーザー光線照射手段52を作動し、集光器522からパルスレーザー光線を照射しつつ加工送り手段37を作動してチャックテーブル36を図5において矢印X1で示す加工送り方向に所定の加工送り速度で移動せしめる(レーザー光線照射工程)。このとき、集光器522から照射されるパルスレーザー光線の集光点Pを光デバイスウエーハ10−1の表面10a付近に合わせる。そして、ランダムアクセスメモリ(RAM)63に格納された始点座標値に基づいて所定のストリート101の終点座標値(図5において右端)が集光器522の直下に達したらチャックテーブル36の移動を停止するとともにパルスレーザー光線の照射を停止する。なお、チャックテーブル36の移動を停止する制御は、X軸方向位置検出手段374からの検出信号に基づいて実施される。この結果、図6に示すように光デバイスウエーハ10−1には、ストリート101に沿ってレーザー加工溝110が形成される。
なお、上記レーザー加工溝形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4レーザー
波長 :355nm
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :1.0W
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :100mm/秒
このようにして、光デバイスウエーハ10−1の所定方向に延在する全てのストリート101に沿って上述したレーザー加工溝形成工程を実施したならば、チャックテーブル36を90度回動せしめて、上記所定方向に対して直交する方向に延びる各ストリート101に沿って上述したレーザー加工溝形成工程を実施する。
以上のように光デバイスウエーハ10−1に形成された全てのストリート101に沿って上述したレーザー加工溝形成工程を実施したならば、光デバイスウエーハ10−2、10−3、10−4、10−5、10−6、10−7に対して、順次上述したレーザー加工溝形成工程を実施する。この結果、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着された複数個の光デバイスウエーハ10−1、10−2、10−3、10−4、10−5、10−6、10−7には、それぞれ全てのストリート101に沿ってレーザー加工溝110が形成される。
上述したレーザー加工溝形成工程を実施したならば、複数個の光デバイスウエーハ10をダイシングテープTの表面に貼着された状態で、レーザー加工溝110が形成されたストリート101に沿って個々のデバイス102に分割する分割工程と、個々に分割されたデバイス102をダイシングテープTから剥離してピックアップするピックアップ工程を実施する。この分割工程およびピックアップ工程は、図7乃至図9に示す分割装置を用いて実施する。図7には分割装置の斜視図が示されており、図8には図7に示す分割装置の要部を分解して示す斜視図が示されている。図7乃至図9に示す分割装置7は、基台70と、該基台70上に矢印Yで示す方向に移動可能に配設された第1のテーブル71と、該第1のテーブル71上に矢印Yと直交する矢印Xで示す方向に移動可能に配設された第2のテーブル72を具備している。基台70は矩形状に形成され、その両側部上面には矢印Yで示す方向に2本の案内レール701、702が互いに平行に配設されている。なお、2本の案内レールのうち一方の案内レール701には、その上面に断面がV字状の案内溝701aが形成されている。
上記第1のテーブル71は、図8に示すように中央部に矩形状の開口711を備えた窓枠状に形成されている。この第1のテーブル71の一方の側部下面には、上記基台70に設けられた一方の案内レール701に形成されている案内溝701aに摺動可能に嵌合する被案内レール712が設けられている。また第1のテーブル71の両側部上面には上記被案内レール712と直交する方向に2本の案内レール713、714が互いに平行に配設されている。なお、2本の案内レールのうち一方の案内レール713には、その上面に断面がV字状の案内溝713aが形成されている。このように構成された第1のテーブル71は、図7に示すように被案内レール712を基台70に設けられた一方の案内レール701に形成された案内溝701aに嵌合するとともに、他方の側部下面を基台70に設けられた他方の案内レール702上に載置される。図示の実施形態におけるウエーハの分割装置7は、第1のテーブル71を基台70に設けられた案内レール701、702に沿って矢印Yで示す方向に移動する第1の移動手段73を具備している。この第1の移動手段73は、図8に示すように基台70に設けられた他方の案内レール702に平行に配設された雄ネジロッド731と、基台70に配設され雄ネジロッド731の一端部を回転可能に支持する軸受732と、雄ネジロッド731の他端に連結され雄ネジロッド731を回転駆動するためのパルスモータ733と、上記第1のテーブル71の下面に設けられ雄ネジロッド731に螺合する雌ネジブロック734とからなっている。このように構成された第1の移動手段73は、パルスモータ733を駆動して雄ネジロッド731を回動することにより、第1のテーブル71を矢印Yで示す方向に移動せしめる。
上記第2のテーブル72は、図8に示すように矩形状に形成され、中央部に円形の穴721を備えている。この第2のテーブル72の一方の側部下面には、上記第1のテーブル71に設けられた一方の案内レール713に形成されている案内溝713aに摺動可能に嵌合する被案内レール722が設けられている。このように構成された第2のテーブル72は、図7に示すように被案内レール722を第1のテーブル71に設けられた一方の案内レール713に形成されている案内溝713aに嵌合するとともに、他方の側部下面を第1のテーブル71に設けられた他方の案内レール714上に載置される。図示の実施形態における分割装置7は、第2のテーブル72を第1のテーブル71に設けられた案内レール713、714に沿って矢印Xで示す方向に移動する第2の移動手段74を具備している。この第2の移動手段74は、図8に示すように第1のテーブル71に設けられた他方の案内レール714に平行に配設された雄ネジロッド741と、第1のテーブル71に配設され雄ネジロッド741の一端部を回転可能に支持する軸受742と、雄ネジロッド741の他端に連結され雄ネジロッド741を回転駆動するためのパルスモータ743と、上記第2のテーブル72の下面に設けられ雄ネジロッド741に螺合する雌ネジブロック744とからなっている。このように構成された第2の移動手段74は、パルスモータ743を駆動して雄ネジロッド741を回動することにより、第2のテーブル72を矢印Xで示す方向に移動せしめる。
図示の実施形態における分割装置7は、上記環状の環状のフレームFを保持するフレーム保持手段75と、該フレーム保持手段75に保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段76を具備している。フレーム保持手段75は、図7および図9に示すように上記第2のテーブル72に設けられた穴721の径より大きい内径を有する環状のフレーム保持部材751と、該フレーム保持部材751の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ752とからなっている。フレーム保持部材751の上面は環状のフレームFを載置する載置面751aを形成しており、この載置面751a上に環状のフレームFが載置される。そして、載置面751a上に載置された環状のフレームFは、クランプ752によってフレーム保持部材751に固定される。このように構成されたフレーム保持手段75は、第2のテーブル72の穴721の上方に配設され、後述するテープ拡張手段76を構成する支持手段763によって上下方向に進退可能に支持されている。
テープ拡張手段763は、図7および図9に示すように上記環状のフレーム保持部材751の内側に配設される拡張ドラム760を具備している。この拡張ドラム760は、上記環状のフレームFの内径より小さく該環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着される複数個の光デバイスウエーハ10の貼着領域より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム760は、下端部に上記第2のテーブル72に設けられた穴721の内周面に回動可能に嵌合する装着部761を備えているとともに、該装着部761の上側外周面には径方向に突出して形成された支持フランジ762を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段76は、上記環状のフレーム保持部材751を上下方向に進退可能な支持手段763を具備している。この支持手段763は、上記支持フランジ762上に配設された複数のエアシリンダ763aからなっており、ピストンロッド763bが上記環状のフレーム保持部材751の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ763aからなる支持手段763は、環状のフレーム保持部材751を載置面751aが拡張ドラム760の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム760の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。従って、複数のエアシリンダ763aからなる支持手段763は、拡張ドラム760とフレーム保持部材751とを上下方向に相対移動する拡張移動手段として機能する。
図示の実施形態における分割装置7は、図7に示すように上記拡張ドラム760およびフレーム保持部材751を回動せしめる回動手段77を具備している。この回動手段77は、上記第2のテーブル72に配設されたパルスモータ771と、該パルスモータ771の回転軸に装着されたプーリ772と、該プーリ772と拡張ドラム760の支持フランジ762とに捲回された無端ベルト773とからなっている。このように構成された回動手段77は、パルスモータ771を駆動することにより、プーリ772および無端ベルト773を介して拡張ドラム760およびフレーム保持部材751を回動せしめる。
図示の実施形態における分割装置7は、上記環状のフレーム保持部材751に保持された環状のフレームFにダイシングテープTを介して支持されている複数個の光デバイスウエーハ10に外力を作用せしめる外力付与手段としての超音波振動付与手段78を具備している。超音波振動付与手段78は、上記基台70上に配設され拡張ドラム760内に配置されている。この超音波振動付与手段78は、図8に示すように基台70上に配設されたエアシリンダ781と、該エアシリンダ781のピストンロッド782の上端に配設された超音波振動素子783と、該超音波振動素子783の上面に装着された振動伝達部材784とからなっており、超音波振動素子783に図示しない電力供給手段によって所定周波数(例えば100kHz)の交流電力が印加されるようになっている。なお、の超音波振動付与手段78を構成する振動伝達部材784は、光デバイスウエーハ10の直径と略同じ直径の円盤状に形成されている。
図7に戻って説明を続けると、図示の実施形態における分割装置7は、上記環状のフレーム保持部材751に保持された環状のフレームFにダイシングテープTを介して支持されている光デバイスウエーハ10および後述する個々に分割されたデバイスを検出するための検出手段8を具備している。検出手段8は、基台70に配設されたL字状の支持柱81に取り付けられている。この検出手段8は、光学系および撮像素子(CCD)等で構成されており、上記超音波振動付与手段78の上方位置に配置されている。このように構成された検出手段8は、上記環状のフレーム保持部材751に保持された環状のフレームFにダイシングテープTを介して支持されている光デバイスウエーハ10および後述する個々に分割されたデバイスを撮像し、これを電気信号に変換して図示しない制御手段に送る。
また、図示の実施形態における分割装置7は、図7に示すように後述する個々に分割されたデバイスをダイシングテープTからピックアップするピックアップ手段9を具備している。このピックアップ手段9は、基台70に配設された旋回アーム91と、該先端に装着されたピックアップコレット92とからなっており、旋回アーム91が図示しない駆動手段によって旋回せしめられる。なお、旋回アーム91は上下動可能に構成されており、先端に装着されたピックアップコレット92は、ダイシングテープTに貼着されているデバイスをピックアップすることができる。
以上のように構成された分割装置7を用いて、上記レーザー加工溝形成工程を実施することによってレーザー加工溝110が形成された複数個の光デバイスウエーハ10を個々のデバイス102に分割する分割工程について、主に図7および図10を参照して説明する。
上記レーザー加工溝形成工程を実施された複数個の光デバイスウエーハ10をダイシングテープTを介して支持した環状のフレームFを、図10の(a)に示すようにフレーム保持手段75を構成するフレーム保持部材751の載置面751a上に載置し、クランプ752によってフレーム保持部材751に固定する。このとき、フレーム保持部材751は図10の(a)に示す基準位置に位置付けられている。
複数個の光デバイスウエーハ10をダイシングテープTを介して支持した環状のフレームFをフレーム保持部材751に保持したならば、第1の移動手段73および第2の移動手段74を作動して、第1のテーブル71を矢印Yで示す方向(図7参照)に移動するとともに、第2のテーブル72を矢印Xで示す方向(図7参照)に移動し、図10の(a)に示すように例えば光デバイスウエーハ10−1を超音波振動素子783の直上に位置付ける。次に、超音波振動付与手段78を構成するエアシリンダ781を作動して振動伝達部材784を上昇し、図10の(b)に示すようにダイシングテープTにおける光デバイスウエーハ10−1が貼着されている領域に接触せしめる。そして、超音波振動素子783に図示しない電力供給手段によって所定周波数(例えば100kHz)の交流電力を印加する。従って、光デバイスウエーハ10−1には振動伝達部材784およびダイシングテープTを介して超音波振動が付与される。この結果、光デバイスウエーハ10−1はストリート101に沿ってレーザー加工溝110が形成されることにより強度が低下せしめられているので、ストリート101に沿って個々のデバイス102に分割される(分割工程)。なお、上記分割工程においてはウエーハに外力を付与する方法として、ウエーハに超音波振動を付与する例を示したが、ウエーハに形成されたストリートを挟んでダイシングテープTを吸引保持しストリートと垂直な方向に離反させることにより、ウエーハをレーザー加工溝が形成されることにより強度が低下せしめられているストリートに沿って分割する等、他の分割方法を用いてもよい。
上述したように光デバイスウエーハ10−1に対して分割工程を実施したならば、第1の移動手段73および第2の移動手段74を作動して例えば光デバイスウエーハ10−2を超音波振動素子783の直上に位置付け、光デバイスウエーハ10−2に対して上記分割工程を実施する。以後順次光デバイスウエーハ10−3、10−4、10−5、10−6、10−7に対しても上記分割工程を実施する。
上述したように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着されている全ての光デバイスウエーハ10に分割工程を実施することにより、全ての光デバイスウエーハ10をレーザー加工溝110が形成されたストリート101に沿って個々のデバイス102に分割したならば、個々に分割されたデバイス101をダイシングテープTから剥離してピックアップするピックアップ工程を実施する。
このピックアップ工程は、図11の(a)に示すように超音波振動付与手段78を構成するエアシリンダ781を作動して振動伝達部材784を下降せしめる。次に、テープ拡張手段76を構成する支持手段763としての複数のエアシリンダ763aを作動して、環状のフレーム保持部材751を図11の(b)に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材751の載置面751a上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図11の(b)に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム760の上端縁に当接して拡張せしめられる。この結果、ダイシングテープTに貼着されている個々に分割されたデバイス102間には隙間Sが形成される。この後に、図11の(b)に示すようにピックアップ手段9を作動しピックアップコレット92によって個々に分割されたデバイス102をピックアップし、図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。このピックアップ工程においては、個々に分割されたデバイス102間には隙間Sが形成されているので、デバイス102をダイシングテープTから剥離する際に隣接するデバイス102と擦れることはなく、デバイス102が擦れることによるデバイスの損傷を防止することができる。
以上のように、本発明によるウエーハの分割方法においては、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に複数個の光デバイスウエーハ10を貼着した状態で、上記レーザー加工溝形成工程、分割工程およびピックアップ工程を実施するので、複数個の光デバイスウエーハ10を効率的に分割することができる。
本発明によるウエーハの分割方法よって分割されるウエーハとしての光デバイスウエーハの斜視図。 本発明によるウエーハの分割方法におけるウエーハ支持工程を実施し、環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に図1に示す光デバイスウエーハを複数個貼着した状態を示す斜視図。 本発明によるウエーハの分割方法におけるレーザー加工溝形成工程を実施するためのレーザー加工装置の斜視図。 図2に示す環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着された複数個の光デバイスウエーハが図3に示すレーザー加工装置のチャックテーブルの所定位置に保持された状態における座標との関係を示す説明図。 本発明によるウエーハの分割方法におけるレーザー加工溝形成工程の説明図。 本発明によるウエーハの分割方法におけるレーザー加工溝形成工程が実施された光デバイスウエーハの要部拡大断面図。 本発明によるウエーハの分割方法における分割工程およびピックアップ工程を実施するための分割装置の斜視図。 図7に示す分割装置の要部を分解して示す斜視図。 図7に示す分割装置を構成する第2のテーブルとフレーム保持手段およびテープ拡張手段を示す断面図。 本発明によるウエーハの分割方法における分割工程を示す説明図。 本発明によるウエーハの分割方法におけるピックアップ工程を示す説明図。
符号の説明
1:レーザー加工装置
2:静止基台
3:チャックテーブル機構
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
374:X軸方向位置検出手段
38:第1の割り出し送り手段
384:Y軸方向位置検出手段
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
42:可動支持基台
43:第2の割り出し送り手段
5:レーザー光線照射ユニット
52:レーザー光線照射手段
522:集光器
55:撮像手段
6:制御手段
7:分割装置
70:基台
71:第1のテーブル
72:第2のテーブル
75:フレーム保持手段
76:テープ拡張手段
760:拡張ドラム
77:回動手段
78:超音波振動付与手段
8:検出手段
9:ピックアップ手段
10:光デバイスウエーハ
101:ストリート
102:デバイス
110:レーザー加工溝
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ

Claims (3)

  1. 表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域に複数のデバイスが形成されているウエーハを、該ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、
    環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に複数のウエーハを貼着するウエーハ支持工程と、
    該環状のフレームに装着された該ダイシングテープの表面に貼着された複数のウエーハにストリートに沿ってレーザー光線を照射し、複数のウエーハにストリートに沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程と、
    ストリートに沿ってレーザー加工溝が形成されたウエーハを該ダイシングテープの表面に貼着された状態でレーザー加工溝が形成されたストリートに沿って個々のデバイスに分割する分割工程と、
    該分割工程を実施した後、個々に分割されたデバイスを該ダイシングテープから剥離してピックアップするピックアップ工程と、を含む、
    ことを特徴とするウエーハの分割方法。
  2. 該レーザー加工溝形成工程は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルに保持された被加工物を撮像する撮像手段とを具備するレーザー加工装置を用いて実施し、該チャックテーブルに該ダイシングテープを介して保持された複数のウエーハをそれぞれ該撮像手段によって撮像し複数のウエーハのそれぞれに対してウエーハに形成されたストリートと該レーザー光線照射手段によるレーザー光線照射位置との位置合わせを行うアライメント工程を実施した後に、複数のウエーハのそれぞれにストリートに沿ってレーザー光線を照射する、請求項1記載のウエーハの分割方法。
  3. 該ピックアップ工程を実施する際には、該ダイシングテープを拡張して個々に分割されたデバイス間に隙間を形成する、請求項1又は2記載のウエーハの分割方法。
JP2007319945A 2007-12-11 2007-12-11 ウエーハの分割方法 Pending JP2009146949A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007319945A JP2009146949A (ja) 2007-12-11 2007-12-11 ウエーハの分割方法
TW097140314A TWI440081B (zh) 2007-12-11 2008-10-21 Wafer segmentation method
KR1020080117425A KR20090061578A (ko) 2007-12-11 2008-11-25 웨이퍼 분할 방법
CNA2008101869324A CN101456222A (zh) 2007-12-11 2008-12-10 晶片的分割方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007319945A JP2009146949A (ja) 2007-12-11 2007-12-11 ウエーハの分割方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009146949A true JP2009146949A (ja) 2009-07-02

Family

ID=40767485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007319945A Pending JP2009146949A (ja) 2007-12-11 2007-12-11 ウエーハの分割方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2009146949A (ja)
KR (1) KR20090061578A (ja)
CN (1) CN101456222A (ja)
TW (1) TWI440081B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015188027A (ja) * 2014-03-27 2015-10-29 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP2017059585A (ja) * 2015-09-14 2017-03-23 株式会社ディスコ 分割方法
CN115122513A (zh) * 2022-05-27 2022-09-30 深圳市青虹激光科技有限公司 晶圆加工方法、设备及存储介质

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5758116B2 (ja) * 2010-12-16 2015-08-05 株式会社ディスコ 分割方法
KR101217398B1 (ko) * 2011-02-25 2013-01-02 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 웨이퍼 다이싱 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 다이싱 방법
JP5860219B2 (ja) * 2011-03-10 2016-02-16 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5823749B2 (ja) * 2011-07-11 2015-11-25 株式会社ディスコ 光デバイス基板の分割方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000012661A (ja) * 1998-06-19 2000-01-14 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワークの取付治具及びワークの取付方法及びワークの切削方法及び装置
JP2000353816A (ja) * 1999-06-14 2000-12-19 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 薄膜太陽電池モジュールの製造方法
JP2003282482A (ja) * 2002-03-20 2003-10-03 Nec Kansai Ltd 半導体装置の製造方法
JP2004111601A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイボンダ
JP2005228794A (ja) * 2004-02-10 2005-08-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd チップ製造方法
JP2005251552A (ja) * 2004-03-04 2005-09-15 Japan Aviation Electronics Industry Ltd コネクタおよびプリント基板
JP2006134971A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
JP2006286763A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2007142158A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Disco Abrasive Syst Ltd テープ貼り機

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000012661A (ja) * 1998-06-19 2000-01-14 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワークの取付治具及びワークの取付方法及びワークの切削方法及び装置
JP2000353816A (ja) * 1999-06-14 2000-12-19 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 薄膜太陽電池モジュールの製造方法
JP2003282482A (ja) * 2002-03-20 2003-10-03 Nec Kansai Ltd 半導体装置の製造方法
JP2004111601A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイボンダ
JP2005228794A (ja) * 2004-02-10 2005-08-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd チップ製造方法
JP2005251552A (ja) * 2004-03-04 2005-09-15 Japan Aviation Electronics Industry Ltd コネクタおよびプリント基板
JP2006134971A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
JP2006286763A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2007142158A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Disco Abrasive Syst Ltd テープ貼り機

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015188027A (ja) * 2014-03-27 2015-10-29 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP2017059585A (ja) * 2015-09-14 2017-03-23 株式会社ディスコ 分割方法
TWI693981B (zh) * 2015-09-14 2020-05-21 日商迪思科股份有限公司 板狀物的分割方法
CN115122513A (zh) * 2022-05-27 2022-09-30 深圳市青虹激光科技有限公司 晶圆加工方法、设备及存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
TW200926283A (en) 2009-06-16
TWI440081B (zh) 2014-06-01
KR20090061578A (ko) 2009-06-16
CN101456222A (zh) 2009-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5203744B2 (ja) ウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法
JP5166899B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP5495876B2 (ja) 光デバイスウエーハの加工方法
JP6110136B2 (ja) ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2009272421A (ja) デバイスの製造方法
US7544590B2 (en) Wafer laser processing method
JP2009146949A (ja) ウエーハの分割方法
JP6034219B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2010123723A (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP2006140341A (ja) ウエーハの分割方法
JP5722071B2 (ja) 半導体デバイスの製造方法およびレーザー加工装置
JP2014093445A (ja) 光デバイスウエーハの加工方法
JP2008235398A (ja) デバイスの製造方法
JP2008131008A (ja) ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP5495869B2 (ja) レーザー加工溝の確認方法
JP2010064125A (ja) レーザー加工装置
JP5331417B2 (ja) レーザー加工装置
JP6482184B2 (ja) レーザー加工装置
JP5144197B2 (ja) レーザー加工装置および接着フィルム切断方法
JP2008264805A (ja) レーザー加工装置およびウエーハの裏面に装着された接着フィルムのレーザー加工方法
JP5940783B2 (ja) 板状物の加工方法
JP2007149820A (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP2007149743A (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP6215666B2 (ja) 加工装置
JP2017050377A (ja) ウエーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101119

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120831

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120904

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121101

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130528

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130724

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20131126