CN113681163A - 薄膜去除装置及薄膜去除方法 - Google Patents

Abstract

本发明的实施例提供薄膜去除装置及薄膜去除方法。本发明一个实施例的薄膜去除装置包括：膜附着装置，所述膜附着装置在配置于被加工物的薄膜上附着保护膜；激光加工单元，所述激光加工单元照射激光束，将所述薄膜与所述保护膜从所述被加工物一体分离；及膜去除单元，所述膜去除单元使所述薄膜从所述被加工物脱离。

Description

薄膜去除装置及薄膜去除方法

技术领域

本发明的实施例涉及薄膜去除装置及薄膜去除方法。

背景技术

为了保护被加工物不受外部冲击或者氧气或水分流入的影响，可以在被加工物上配置有保护膜。保护膜作为配置于被加工物外部的薄膜形态的构件，可以切断被加工物与外部的接触，提高被加工物的耐久性。

可是，当在配置于被加工物上的薄膜沾有异物或在制造过程中薄膜发生不良时，相应薄膜对其他被加工物或完成的制品造成不良影响，制品的收率会低下。因此，需要去除不良的薄膜或被污染的薄膜。

作为以往方法，有利用胶带直接去除薄膜上沾有的异物的方法。但是，该方法以手工操作进行，因而无法完美地去除异物，去除需要的时间长，生产量会低下。另外，需投入大量人力，因而为了提高收率，导致人工费用增加。

另外，作为用于去除被污染薄膜或不良薄膜的以往方法，有利用激光的方式。但是，在利用激光加工薄膜的过程中，发生烟气(fume)等微细异物，因而会在其他被加工物及/或薄膜发生二次污染。另外，为了去除在激光加工时发生的烟气等微细异物，需持续启动吸入装置，因而费用成为问题。

前述的背景技术作为发明人为了导出本发明而已经保有或在本发明的导出过程中学到的技术信息，不能说是必须在本发明申请之前向普通公众公开的公知技术。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种能够在无被加工物的二次污染的情况下去除在被加工物上面配置的薄膜的薄膜去除装置及薄膜去除方法。不过，前述课题作为本发明的实施例，本发明的目的及要解决的技术课题不限于此。

本发明一个实施例的薄膜去除装置包括：膜附着装置，所述膜附着装置在配置于被加工物的薄膜上附着保护膜；激光加工单元，所述激光加工单元照射激光束，将所述薄膜与所述保护膜从所述被加工物一体分离；及膜去除单元，所述膜去除单元使所述薄膜从所述被加工物脱离。

在本发明一个实施例的薄膜去除装置中，所述保护膜可以具有与所述薄膜对应的形状，在附着于所述薄膜上面的状态下，端部可以凸出到所述薄膜的外侧。

在本发明一个实施例的薄膜去除装置中，所述激光束的波长可以为440nm至1500nm，透过所述保护膜，去除所述薄膜的一部分。

在本发明一个实施例的薄膜去除装置中，所述激光加工单元可以将所述激光束照射于所述薄膜的内侧区域，使所述薄膜从所述被加工物的上面翘起(或消融)，将所述激光束照射于所述薄膜的边缘，使所述薄膜的边缘从所述被加工物的上面分离。

在本发明一个实施例的薄膜去除装置中，所述膜去除单元可以在把持所述保护膜的端部的状态下，向预先设置的方向移动，使所述薄膜与所述保护膜从所述被加工物一体脱离。

本发明另一实施例的薄膜去除方法包括：在配置于被加工物的薄膜上附着保护膜的步骤；照射激光束，使所述薄膜与所述保护膜从所述被加工物一体分离的步骤；及使所述薄膜从所述被加工物脱离的步骤。

在本发明另一实施例的薄膜去除方法中，所述激光束的波长可以为440nm至1500nm，透过所述保护膜，去除所述薄膜的一部分。

在本发明另一实施例的薄膜去除方法中，将所述薄膜与所述保护膜一体分离的步骤包括：将所述激光束照射于所述薄膜的内侧区域而使所述薄膜从所述被加工物的上面翘起的步骤；及将所述激光束照射于所述薄膜的边缘而使所述薄膜的边缘从所述被加工物的上面分离的步骤。

在本发明另一实施例的薄膜去除方法中，使所述薄膜脱离的步骤可以在把持所述保护膜的端部的状态下向预先设置的方向移动，使所述薄膜与所述保护膜从所述被加工物一体脱离。

通过以下具体实施方式、权利要求书及附图，除前述内容之外的其他侧面、特征、优点将更加明确。

本发明一个实施例的薄膜去除装置及薄膜去除方法在配置于被加工物上面的薄膜上附着保护膜，照射激光束，将被加工物的上面和薄膜分离，从而可以防止薄膜去除工序中发生的烟气等异物飞散及扩散，可以防止异物导致其他被加工物被二次污染。

本发明一个实施例的薄膜去除装置及薄膜去除方法在薄膜和保护膜附着的状态下进行工序，从而可以切实防止其他被加工物被二次污染。另外，本发明一个实施例的薄膜去除装置及薄膜去除方法不需要配备另外的吸入装置或排气装置，可以飞跃性地节省费用。

附图说明

图1是显示本发明一个实施例的薄膜去除装置的图。

图2是显示图1的膜附着单元的运转状态的图。

图3是显示图2的保护膜的多样形态的图。

图4是显示图1的激光加工单元的一个示例的图。

图5及图6是显示图4的激光加工单元的运转状态的图。

图7是显示膜去除单元的运转状态的图。

图8是显示比较例与发明例的薄膜去除工序前后的图。

图9是显示本发明另一实施例的薄膜去除方法的图。

附图标记

10：薄膜去除装置

100：平台

200：膜附着单元

300：激光加工单元

400：膜去除单元

500：检查单元

S：基板

W：被加工物

具体实施方式

本发明可以施加多样的变换，可以具有多种实施例，将在附图中示例性图示特定实施例并在发明的说明中详细说明。但是，这并非要将本发明限定于特定实施例，应理解为包括本发明的思想及技术范围内包含的所有变换、均等物以及替代物。在说明本发明方面，即使在不同实施例中图示，对于相同的构成要素，使用相同的附图标记。

第一、第二等术语可以用于说明多样的构成要素，但构成要素不得由术语所限定。术语只用于把一种构成要素区别于另一构成要素的目的。

在本申请中使用的术语只是为了说明特定实施例而使用，并非要限定本发明之意。在本申请中，“包括”或“具有”等术语应理解为是要指定说明书上记载的特征、数字、步骤、动作、构成要素、部件或它们的组合的存在，不预先排除一个或其以上的其它特征或数字、步骤、动作、构成要素、部件或它们的组合的存在或附加可能性。

图1是显示本发明一个实施例的薄膜去除装置10的图，图2是显示图1的膜附着单元200的运转状态的图，图3是显示图2的保护膜PF的多样形态的图。

如果参照图1至图3，本发明一个实施例的薄膜去除装置10可以用于去除薄膜TF。更具体而言，薄膜去除装置10可以用于在基板S包括的多个被加工物W上面配置的薄膜TF中，去除附着有异物的薄膜TF或不良薄膜TF。

不过，薄膜TF并非必须限定于附着有异物的薄膜TF或不良薄膜TF，可以是需要去除的多样状态的薄膜TF。在本说明书中，为了发明的便利，以附着有异物的薄膜TF或不良薄膜TF为中心进行说明。

本发明一个实施例的薄膜去除装置10可以包括平台100、膜附着单元200、激光加工单元300、膜去除单元400。

基板S安放于平台100的上面。作为一个实施例，为了防止加工中基板S晃动或振动，平台100可以包括固定构件(图上未示出)。例如，平台100可以包括对基板S上面进行加压固定的握爪(图上未示出)或吸附基板S下面的吸入孔(图上未示出)。

平台100可以在加工中保持固定状态，或借助于控制器(图上未示出)的操作而向至少某一方向并进或旋转运动。

膜附着单元200在安放于平台100上的被加工物W上附着保护膜PF。作为一个实施例，膜附着单元200可以在配置于被加工物W上面的薄膜TF上附着保护膜PF。

保护膜PF的材质不特别限定。作为一个实施例，保护膜PF作为用于加工的激光透过的材质，可以由PET构成。更具体而言，保护膜PF作为激光加工单元300照射的波长440nm至1500nm激光束L透过的材质，可以为透明或不透明的材质。

作为一个实施例，保护膜PF可以包括光学用粘合剂，光学用粘合剂可以为OCA(optical clear adhesive：光学透明胶)或OCR(optical clear resin：光学透明树脂)。

本发明一个实施例的膜附着单元200可以包括吸附垫210、第一辊220。

吸附垫210吸附保护膜PF并使之附着于薄膜TF上。作为一个实施例，吸附垫210可以吸附载入单元(图上未示出)载入的保护膜PF并提起。而且，吸附垫210移动到附着了异物的薄膜TF或不良薄膜TF后，向下移动，可以将保护膜PF附着于附着了异物的薄膜TF或不良薄膜TF上(参照图2的(a))。

第一辊220可以对附着于薄膜TF上的保护膜PF加压。作为一个实施例，第一辊220可以在向膜附着单元200的移动方向移动的同时，将保护膜PF从上向下加压。因此，薄膜TF和保护膜PF可以更紧密地附着，特别是可以去除薄膜TF与保护膜PF之间的气泡，提高薄膜TF与保护膜PF间的附着力。

作为一个实施例，保护膜PF可以具有与薄膜TF形状对应的形状。更具体而言，如图3所示，保护膜PF可以具有与具有多样形状的薄膜TF相同的形状。

保护膜PF的大小不特别限定。作为一个实施例，保护膜PF优选比薄膜TF大预先设置的比率。即，保护膜PF具有与薄膜TF形状对应的形状，且其大小可以大于薄膜TF。因此，在保护膜PF附着于薄膜TF上的状态下，保护膜PF的端部凸出到薄膜TF的外侧，然后可以利用膜去除单元400，容易地去除薄膜TF。

图4是显示图1的激光加工单元300的一个示例的图，图5及图6是显示图4的激光加工单元300的运转状态的图。

本发明一个实施例的薄膜去除装置10可以利用激光加工单元300，分离被加工物W上配置的薄膜TF。激光加工单元300可以照射具有既定波长及能量的激光束，将薄膜TF与保护膜PF从被加工物W一体分离。

如果参照图4，作为一个实施例，激光加工单元300可以包括激光振荡器310、光学仪320、激光控制器330。

激光振荡器310可以激发(excitation)特定介质而生成激光束L。激光振荡器310使用的介质不特别限定，可以使用液体、气体、固体或半导体。

激光振荡器310激发的激光束L的波长不特别限定。优选地，激光束L作为蓝色激光(blue laser)至近红外线激光(near infrared laser)，可以具有440nm至1500nm的波长。

作为一个实施例，激光振荡器310可以生成脉冲激光(pulse laser)。激光振荡器310可以具备Q-开关(Q-switching)装置，因而可以生成具有ps至fs的超短脉冲宽度的激光束L。

光学仪320可以控制激光振荡器310生成的激光束L的光路径，或生成照射于被加工物W上的激光束L的点等。

本发明一个实施例的光学仪320可以包括两个振镜321a、321b、平场聚焦(F-theta)透镜322。

振镜321a、321b可以借助于伺服马达(图上未示出)及对其进行控制的激光控制器330，控制入射的激光束L的光路径。振镜321a、321b可以以至少某一轴，例如以X轴或Y轴为中心进行旋转。因此，激光振荡器310激发的激光束L可以沿着借助于振镜321a、321b而预先设置的路径移动。

透过振镜321a、321b的激光束L可以入射到F-theta透镜322。F-theta透镜322可以对激光束L进行聚光，照射于平台100上安放的被加工物W的预先设置的位置。

激光控制器330可以控制激光振荡器310、光学仪320及平台100。作为一个实施例，激光控制器330可以考虑平台100上安放的被加工物W位置及激光束L的移动速度、照射位置等，控制激光振荡器310激发的激光束L的照射时间安排。或者，激光控制器330可以控制激光振荡器310照射的激光束L的输出或波长等。

另外，激光控制器330可以控制光学仪320，即，控制振镜321a、321b和F-theta透镜322的位置，控制激光束L的光路径及照射位置等。

另外，激光控制器330可以在激光加工中，使激光加工单元300本身向加工方向移动，或使平台100向加工方向移动，进行激光加工。

作为另一实施例，激光加工单元300可以包括将激光振荡器310激发的激光束L分割成两个激光束的分束器。此时，所述分束器作为偏光分束器(polarizing beamsplitter：PBS)，将激光束用作具有互不相同偏光状态的激光束。

由此，本发明的激光加工单元300可以只利用具有特定偏光状态的激光束，提高激光加工品质。或者，可以全部利用分割成两个的激光束，提高激光加工速度。

如果参照图5，激光加工单元300照射的激光束L可以照射于薄膜TF。作为一个实施例，激光束L可以具有440nm至1500nm波长，保护膜PF可以由使相应波长激光束L透过的材质构成。因此，如图5的(a)所示，激光束L可以透过保护膜PF而照射于薄膜TF的下面。而且，借助于激光束L，在薄膜TF的一部分被去除的同时，被加工物W的上面与薄膜TF的至少一部分可以彼此分离。此时，薄膜TF和保护膜PF可以为相互附着的状态，因而薄膜TF与保护膜PF可以从被加工物W的上面一体分离。

如果参照图6，激光加工单元300照射的激光束L从平面观察时，例如从XY平面观察时，照射于薄膜TF的内部区域，使薄膜TF从被加工物W的上面翘起。另外，激光束L从XY平面观察时，沿着薄膜TF的边缘照射，可以使薄膜TF的边缘从被加工物W的上面分离。

即，在激光加工中，由于是在薄膜TF上面附着有保护膜PF的状态，因而本发明一个实施例的薄膜去除装置10可以使在照射激光束L的工序中发生的烟气等异物飞散实现最小化。因此，可以防止其他薄膜TF被异物二次污染的问题。

图7是显示膜去除单元400的运转状态的图。

如果参照图7，膜去除单元400可以去除借助于激光加工单元300而从被加工物W上面分离的薄膜TF。

本发明一个实施例的膜去除单元400可以包括第二辊410、握爪420。

如果被加工物W的上面与薄膜TF借助于激光加工单元300而彼此分离，则膜去除单元400可以移动到平台100上。膜去除单元400利用第二辊410而粘着于保护膜PF后上升，可以使薄膜TF的一部分从被加工物W的上面离开。

作为一个实施例，在第二辊410的外周面，可以配置有既定的粘着构件。其中，被加工物W的上面与薄膜TF为借助于激光加工单元300而分离的状态，相反，薄膜TF为与保护膜PF附着的状态。因此，第二辊410在与保护膜PF上面接触的状态下，如果沿上下方向或左右方向移动，则保护膜PF也在附着于第二辊410的状态下向相同方向移动。

膜去除单元400可以使第二辊410向预先设置的方向移动，使薄膜TF的端部从被加工物W的上面隔开(参照图7的(a))。

握爪420可以使薄膜TF从被加工物W的上面完全脱离。

作为一个实施例，握爪420可以在薄膜TF借助于第二辊410而从被加工物W上面隔开的状态下，把持保护膜PF的端部。

膜去除单元400可以在握爪420把持保护膜PF端部的状态下，向预先设置的方向移动，使薄膜TF与保护膜PF从被加工物W一体脱离(参照图7的(b))。

图8是显示比较例与发明例的薄膜去除工序前后的图。

在图8中，工序前显示出薄膜TF附着于被加工物W上面的状态，比较例1显示出利用激光照射装置及吸入装置去除了薄膜TF的状态，比较例2显示出利用超声波清洗机去除了薄膜TF的状态，发明例显示出利用本发明一个实施例的薄膜去除装置10去除了薄膜TF的状态。

如图8所示，利用以往的激光照射装置去除薄膜TF时，会发生烟气等异物，这种异物未被吸入装置吸入而残留，会使被加工物W二次污染。另外，由于在去除工序期间需持续启动吸入装置，因而不经济。

同样地，即使利用以往的超声波清洗机去除薄膜TF，也存在在该过程中发生的异物使被加工物W二次污染的忧虑。

相反，本发明的薄膜去除装置10在将保护膜PF附着于要去除的薄膜TF上面的状态下照射激光束L，因而使在该过程中发生的烟气等异物飞散实现最小化，从而可以防止其他被加工物W被异物二次污染。

特别是本发明一个实施例的薄膜去除装置10，在保护膜PF附着于薄膜TF上后，直至利用膜去除单元400去除薄膜TF时为止，可以保持保护膜PF附着于薄膜TF上面的状态，因而可以更切实地防止其他薄膜TF和被加工物W被二次污染。

如果再参照图1，本发明一个实施例的薄膜去除装置10可以还包括检查单元500。

检查单元500可以检测被加工物W的位置，将检测的位置相关信息传递给膜附着单元200、激光加工单元300、膜去除单元400中至少某一个。

作为一个实施例，检查单元500可以包括视觉摄像头(图上未示出)。检查单元500可以利用所述视觉摄像头，拍摄平台100上安放的被加工物W而获得影像。而且，检查单元500可以基于拍摄的影像，判别被污染的被加工物W或不良被加工物W(更具体而言，薄膜TF被污染或不良的被加工物W)。

另外，检查单元500可以基于拍摄的影像，检测被污染或不良的被加工物W的位置，将位置信息传递给膜附着单元200、激光加工单元300、膜去除单元400。

膜附着单元200可以基于接受传递的被加工物W的位置信息，将保护膜PF附着于相应被加工物W的上面。

激光加工单元300可以基于接受传递的被加工物W的位置信息，向相应被加工物W的上面照射激光束L。另外，激光控制器330可以基于接受传递的被加工物W的位置信息，控制光学仪320，控制激光束L的光路径和照射位置等。

膜去除单元400可以基于接受传递的被加工物W的位置信息，使薄膜TF从相应被加工物W的上面脱离。

作为一个实施例，检查单元500可以再次检查薄膜TF已脱离的被加工物W上面，检查薄膜TF是否正常脱离。

另一方面，虽然显示了在被加工物W安放于平台100上面的状态下，膜附着单元200、激光加工单元300、膜去除单元400、检查单元500接近平台100进行运转的情形，但并非限定于此。

例如，膜附着单元200、激光加工单元300、膜去除单元400、检查单元500配置于一条线上，可以在平台100沿着所述线向一个方向移动的同时，实现对被加工物W的加工。

图9是显示本发明另一实施例的薄膜去除方法的图。

如果参照图9，本发明的薄膜去除方法可以包括：在配置于被加工物W的薄膜TF上附着保护膜PF的步骤S100；照射激光束L而使薄膜TF与保护膜PF从被加工物W一体分离的步骤S200；使薄膜TF从被加工物W脱离的步骤S300。

首先，如果参照图1至图9，在被加工物W借助于移送单元(图上未示出)等而安放于平台100上的状态下，利用膜附着单元200而将保护膜PF附着于被加工物W上面配置的薄膜TF上。

更具体而言，利用膜附着单元200的吸附垫210，对加载于载入单元(图上未示出)上的保护膜PF进行吸附、支撑。然后，在使膜附着单元200位于被加工物W的薄膜上的状态下下降，将保护膜PF附着于薄膜TF上。在保护膜PF的下面，可以包括诸如OCR或OCA的粘合剂。

将保护膜PF附着于薄膜TF上后，利用膜附着单元200的第一辊220对保护膜PF加压。因此，保护膜PF与薄膜TF更紧密地附着，可以去除在保护膜PF与薄膜TF之间存在的气泡。

然后，利用激光加工单元300来加工附着有保护膜PF的薄膜TF。作为一个实施例，激光加工单元300的激光振荡器310生成激光束L，控制光学仪320，控制激光束L的照射位置和光路径，照射于被加工物W的上面。

此时，激光束L的波长可以为440nm至1500nm，具有相应波长的激光束L透过保护膜PF，照射于在被加工物W上面附着的薄膜TF的下部。因此，在薄膜TF的一部分被去除的同时，可以将薄膜TF与保护膜PF从被加工物W的上面一体分离。

作为一个实施例，分离薄膜TF的步骤S200可以包括：划影线(hatching)步骤，即，将激光束L照射于薄膜TF内侧区域的步骤；修边(trimming)步骤，即，沿着薄膜TF的边缘照射激光束L的步骤。

在划影线步骤中，从图6的XY平面观察时，将激光束L照射于薄膜TF的内侧区域，薄膜TF可以从被加工物W的上面整体翘起。作为一个实施例，在划影线步骤中，控制光学仪320的振镜321a、321b，快速控制激光束L的照射位置，从而可以迅速实施。

在修边步骤中，从图6的XY平面观察时，可以沿着薄膜TF的边缘照射激光束L，使得薄膜TF的边缘从被加工物W的上面分离。

作为一个实施例，可以在实施划影线步骤后，实施修边步骤。即，在划影线步骤中，薄膜TF的边缘可以是附着于被加工物W的上面的状态。因此，在划影线步骤中，可以防止薄膜TF的边缘翘起，更精密地分离薄膜TF。

然后，利用膜去除单元400，使分离的薄膜TF从被加工物W的上面脱离。作为一个实施例，使膜去除单元400的第二辊410接触保护膜PF的上面。第二辊410在辊的外周面配置有既定的粘着构件，使第二辊410向预先设置的方向移动，从而可以使保护膜PF向相同方向移动。

其中，薄膜TF为从被加工物W的上面分离的状态或与保护膜PF附着的状态。因此，可以在使第二辊410附着于保护膜PF边缘的状态下向上升高，将保护膜PF和薄膜TF一体升高。

然后，利用膜去除单元400的握爪420，使薄膜TF从被加工物W的上面脱离。握爪420可以把持借助于第二辊410而升高的保护膜PF端部，使握爪420向预先设置的方向移动，从而可以使保护膜PF与薄膜TF从被加工物W的上面一体脱离。

作为一个实施例，可以还包括利用检查单元500来检测被加工物W的位置的步骤。更具体而言，在将保护膜PF附着于在被加工物W上面配置的薄膜TF上之前，可以利用检查单元500的所述视觉摄像头，拍摄被加工物W的影像。

然后，检查单元500可以基于拍摄的影像，算出被加工物W的位置相关信息。

另外，可以还包括检查单元500将被加工物W的位置信息传递给膜附着单元200、激光加工单元300、膜去除单元400中至少某一个的步骤。

因此，在附着保护膜PF的步骤中，膜附着单元200可以基于接受传递的被加工物W的位置信息，使保护膜PF位于薄膜TF上。

另外，在分离薄膜TF的步骤中，激光加工单元300基于接受传递的被加工物W的位置信息，控制激光振荡器310、光学仪320，从而可以实施激光加工。

另外，在使薄膜TF脱离的步骤中，膜去除单元400可以基于接受传递的被加工物W的位置信息，使薄膜TF从被加工物W的上面脱离。

作为一个实施例，可以还包括利用检查单元500来检查被加工区域的步骤。更具体而言，利用膜去除单元400去除薄膜TF后，可以利用检查单元500，拍摄去除了薄膜TF的被加工物W的上面。检查单元500可以基于拍摄的影像，判断被加工物W上面的污染状态或薄膜TF是否去除等。

本发明一个实施例的薄膜去除装置10及薄膜去除方法可以将保护膜PF附着于在被污染或不良的被加工物W上面配置的薄膜TF上，照射透过保护膜PF的激光束L，使薄膜TF与保护膜PF从被加工物W的上面一体脱离，可以防止被加工物W因激光照射中发生的异物而被二次污染。

本发明一个实施例的薄膜去除装置10及薄膜去除方法在附着有薄膜TF和保护膜PF的状态下进行工序，从而可以切实防止其他被加工物W被二次污染。

在本说明书中，虽然以限定本发明的实施例为中心进行了说明，但在本发明的范围内，可以有多样的实施例。另外，虽然未说明，但均等的手段也可以直接结合于本发明。因此，本发明真正的保护范围应根据以下权利要求书确定。

Claims (9)

1.一种薄膜去除装置，包括：

膜附着装置，所述膜附着装置在配置于被加工物的薄膜上附着保护膜；

激光加工单元，所述激光加工单元照射激光束，将所述薄膜与所述保护膜从所述被加工物一体分离；及

膜去除单元，所述膜去除单元使所述薄膜从所述被加工物脱离。

2.根据权利要求1所述的薄膜去除装置，其中，

所述保护膜具有与所述薄膜对应的形状，在附着于所述薄膜上面的状态下，端部凸出到所述薄膜的外侧。

3.根据权利要求1所述的薄膜去除装置，其中，

所述激光束的波长为440nm至1500nm，透过所述保护膜，去除所述薄膜的一部分。

4.根据权利要求1所述的薄膜去除装置，其中，

所述激光加工单元将所述激光束照射于所述薄膜的内侧区域，使所述薄膜从所述被加工物的上面翘起，

将所述激光束照射于所述薄膜的边缘，使所述薄膜的边缘从所述被加工物的上面分离。

5.根据权利要求1所述的薄膜去除装置，其中，

所述膜去除单元在把持所述保护膜的端部的状态下，向预先设置的方向移动，使所述薄膜与所述保护膜从所述被加工物一体脱离。

6.一种薄膜去除方法，包括：

在配置于被加工物的薄膜上附着保护膜的步骤；

照射激光束，使所述薄膜与所述保护膜从所述被加工物一体分离的步骤；及

使所述薄膜从所述被加工物脱离的步骤。

7.根据权利要求6所述的薄膜去除方法，其中，

所述激光束的波长为440nm至1500nm，透过所述保护膜，去除所述薄膜的一部分。

8.根据权利要求6所述的薄膜去除方法，其中，

将所述薄膜与所述保护膜一体分离的步骤包括：将所述激光束照射于所述薄膜的内侧区域而使所述薄膜从所述被加工物的上面翘起的步骤；及

将所述激光束照射于所述薄膜的边缘而使所述薄膜的边缘从所述被加工物的上面分离的步骤。

9.根据权利要求6所述的薄膜去除方法，其中，

使所述薄膜脱离的步骤在把持所述保护膜的端部的状态下向预先设置的方向移动，使所述薄膜与所述保护膜从所述被加工物一体脱离。

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