CN115371568A - 保护膜的厚度测量方法 - Google Patents

保护膜的厚度测量方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115371568A
CN115371568A CN202210517821.7A CN202210517821A CN115371568A CN 115371568 A CN115371568 A CN 115371568A CN 202210517821 A CN202210517821 A CN 202210517821A CN 115371568 A CN115371568 A CN 115371568A
Authority
CN
China
Prior art keywords
protective film
wafer
front surface
light
measuring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210517821.7A
Other languages
English (en)
Inventor
吉田博斗
北原信康
吴国伟
高桥邦充
村泽尚树
约耳·科维尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN115371568A publication Critical patent/CN115371568A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0658—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of emissivity or reradiation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/8422—Investigating thin films, e.g. matrix isolation method
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
    • G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/8422—Investigating thin films, e.g. matrix isolation method
    • G01N2021/8427—Coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

本发明提供保护膜的厚度测量方法，准确地测量形成于具有图案的晶片正面的保护膜的厚度。该方法测量形成于具有图案的晶片的正面的保护膜的厚度，其中，该方法包含如下的步骤：向未形成保护膜的状态的晶片的正面照射光而测量来自正面的反射光的第1反射强度；形成包含吸光材料的保护膜；朝向保护膜照射使吸光材料发出荧光的波长的激发光而测量包含保护膜的荧光和来自正面的反射光的第2反射强度；从所测量的第2反射强度减去所测量的第1反射强度而去除基于形成于正面的图案的反射强度，从而计算保护膜的荧光强度。

Description

保护膜的厚度测量方法
技术领域
本发明涉及正面上具有图案的晶片的正面上形成的保护膜的厚度测量方法。
背景技术
有时在半导体晶片的正面上涂布液态树脂等而形成保护膜，并希望测量所形成的保护膜的膜厚。例如以往如专利文献1所公开的那样，提出了如下的方法：对包含吸光材料的保护膜照射光并由吸光材料吸光，从而测量从保护膜发出的荧光的强度，由此测量保护膜的厚度。并且，提出了如下的方法：预先记录荧光强度与膜厚的关系，根据得到的荧光的强度而测量膜厚。
专利文献1：日本特开2017-112296号公报
但是，在半导体晶片的正面上根据位置而形成有反射率与其他位置不同的器件图案，在形成有该图案的正面上形成有保护膜的情况下，所测量的荧光的强度为保护膜的荧光与在图案面上发生了反射的光的总和，因此存在无法准确地测量膜厚的问题。
发明内容
由此，本发明的目的在于提供保护膜的厚度测量方法，在对正面上具有图案的晶片的该正面上形成的保护膜的厚度进行测量的情况下，能够准确地测量保护膜的厚度。
根据本发明，提供保护膜的厚度测量方法，对正面上具有图案的晶片的该正面上形成的保护膜的厚度进行测量，其中，该保护膜的厚度测量方法具有如下的步骤：保护膜形成前测量步骤，向未形成该保护膜的状态的该晶片的该正面照射光而测量来自该正面的反射光的第1反射强度；保护膜形成步骤，在该正面上形成包含吸光材料的该保护膜；保护膜形成后测量步骤，朝向该保护膜照射使该吸光材料发出荧光的波长的激发光，通过测量单元测量包含该保护膜的荧光和来自该正面的反射光的第2反射强度；保护膜荧光强度计算步骤，通过从在该保护膜形成后测量步骤中测量的该第2反射强度减去在该保护膜形成前测量步骤中测量的该第1反射强度而去除基于形成于该正面的该图案的反射强度，从而计算该保护膜的荧光强度；以及保护膜厚度识别步骤，根据事先获取的保护膜的荧光强度与保护膜的厚度的相关数据以及所计算的该保护膜的荧光强度，识别该保护膜的厚度。
优选所述测量单元能够作为拍摄单元发挥功能，所述保护膜形成前测量步骤通过该拍摄单元对所述晶片的所述正面进行拍摄，所述保护膜形成后测量步骤通过该拍摄单元对形成于该晶片的该正面的所述保护膜的正面进行拍摄，所述第1反射强度和所述第2反射强度根据通过该拍摄单元而获取的各个图像的像素的亮度而分别进行测量。
优选在所述保护膜形成前测量步骤和所述保护膜形成后测量步骤中，向所述晶片的所述正面照射光的光源是白色光源，在该光源与该晶片之间配置有仅使特定的波长的光透过的第1滤波器。
优选在所述保护膜形成前测量步骤和所述保护膜形成后测量步骤中，向所述晶片的所述正面照射光的光源是白色光源，在该晶片与所述测量单元之间配置有仅使特定的波长的光透过的第2滤波器。
根据本发明，能够准确地测量正面上具有图案的晶片的正面上形成的保护膜的厚度。
另外，测量单元能够作为拍摄单元发挥功能，保护膜形成前测量步骤中通过拍摄单元对晶片的正面进行拍摄，保护膜形成后测量步骤中通过拍摄单元对形成于晶片的正面的保护膜的正面进行拍摄，第1反射强度和第2反射强度根据通过拍摄单元获取的各个图像的像素的亮度而分别进行测量，由此与以往的基于传感器的点测量相比，能够缩短测量时间。
另外，在保护膜形成前测量步骤和保护膜形成后测量步骤中，向晶片的正面照射光的光源是白色光源，由此光源能够射出多个波长的光，并且在光源与晶片之间配置有仅使特定的波长的光透过的第1滤波器，由此能够根据保护膜或吸光材料的种类等而从所照射的光(多个波长的光)中仅将期望波长的光照射至保护膜。
另外，在保护膜形成前测量步骤和保护膜形成后测量步骤中，向晶片的正面照射光的光源是白色光源，在晶片与测量单元之间配置有仅使特定的波长的光透过的第2滤波器，由此在保护膜形成后测量步骤中来自光源的照射光不会入射至测量单元。
附图说明
图1是示出能够进行保护膜的厚度测量的激光加工装置的一例的立体图。
图2是示出成为框架单元的晶片的构造的一例的俯视图。
图3是示出在保护膜形成前测量步骤和保护膜形成后测量步骤中使用的光源、第1滤波器、第2滤波器以及测量单元的配置的示意图。
图4是示出事先获取的保护膜的荧光强度与保护膜的厚度的相关关系的曲线图。
图5是在保护膜形成后测量步骤中通过作为拍摄单元发挥功能的测量单元而形成的拍摄图像的说明图，该拍摄图像示出包含保护膜的荧光和因保护膜的荧光入射至形成于晶片的正面的图案而被图案反射的反射光的第2反射强度以及保护膜的各个区域中的薄度/厚度。
图6是对如下的状态进行说明的说明图：在保护膜荧光强度计算步骤中，使用在保护膜形成后测量步骤中通过作为拍摄单元发挥功能的测量单元而形成的拍摄图像，从第2反射强度除去第1反射强度而去除了基于形成于晶片的正面的图案的反射强度。
标号说明
9：框架单元；90：晶片；900：晶片的正面；902：分割预定线；904：器件；909：图案；906：晶片的背面；93：支承带；94：环状框架；92：保护膜；1：激光加工装置；10：装置基座；100：输入部；13：盒载置台；14：盒；15：推挽件；16：定心引导件；17：第1搬送单元；171：保持垫；173：移动机构；174：旋转臂；176：吸附盘；18：第2搬送单元；181：保持垫；183：移动机构；184：旋转臂；186：吸附盘；70：保护膜形成单元；700：涂布工作台；704：保护膜剂涂布喷嘴；702：旋转部；705：夹持夹具；74：清洗单元；740：旋转工作台；742：旋转部；744：清洗喷嘴；745：夹持夹具；30：卡盘工作台；300：保持面；31：夹具；33：工作台旋转机构；39：罩；11：对准单元；113：监视器；12：激光照射单元；120：壳体；122：照射头；60：光源(白色光源)；603：聚光透镜；61：第1滤波器；67：聚光透镜；68：第2滤波器；69：测量单元；19：控制部；193：强度测量部；198：计算部；G：事先获取的示出保护膜的荧光强度与保护膜的厚度的相关数据的曲线图。
具体实施方式
图1所示的加工装置1是通过激光照射单元12对吸引保持在卡盘工作台30上的晶片90进行激光加工的装置，以该激光加工装置1的X轴方向作为长度方向的装置基座10上的+X方向侧的区域是相对于卡盘工作台30进行晶片90的装卸的装卸区域，装置基座10上的-X方向侧的区域是通过激光照射单元12对吸引保持在卡盘工作台30上的晶片90进行激光加工的加工区域。另外，加工装置1不限于激光加工装置，也可以是能够利用切削刀具对晶片90进行切割的切削装置等。
图1、图2所示的晶片90例如是圆形的硅半导体晶片，在晶片90的朝向上侧的状态的正面900上，在由分割预定线902划分的格子状的区域内形成有器件904。并且，在器件904上形成有规定的图案909。另外，在图1、图2中，示意性用形成于器件904的角部的正方形状示出图案909，但形状并不限于此。即，晶片90是在正面900上具有器件图案的晶片。
例如晶片90的背面906粘贴于支承带93的粘贴面(正面)。支承带93的外周部粘贴于环状框架94，由此晶片90借助支承带93而支承于环状框架94，成为能够使用环状框架94进行操作的框架单元9。环状框架94的中心和晶片90的中心成为大致一致的状态。另外，晶片90并不限于上述例，也可以不构成框架单元9而为晶片单体，除了硅以外，也可以由砷化镓、蓝宝石、氮化镓、树脂、陶瓷或碳化硅等形成。
在装置基座10的前表面侧(+Y方向侧)具有用于供操作者对激光加工装置1输入加工条件等的输入部100。如图1所示，在装置基座10上的+Y方向侧的一角设置有盒载置台13，盒载置台13能够通过配设于下方的未图示的升降机在Z轴方向上上下移动。并且，在将内部的搁板上收纳有多个框架单元9的盒14载置于盒载置台13上的状态下，通过升降机使盒载置台13升降，由此调整目标框架单元9相对于盒14出入时的高度位置。
例如在载置于图1所示的盒载置台13的盒14的-Y方向侧的未图示的开口的前方配设有推挽件15，该推挽件15从盒14中拉出加工前的框架单元9，并且将进行了激光加工并进行了清洗的框架单元9插入至盒14中。
例如在能够在Y轴方向上移动的推挽件15的可动范围内配设有定心引导件16，该定心引导件16由一对导轨构成，使通过推挽件15从盒14中拉出的框架单元9对位于一定的位置。
如图1所示，激光加工装置1具有第1搬送单元17，该第1搬送单元17对利用定心引导件16进行了定心的框架单元9进行保持，对保护膜形成单元70的涂布工作台700搬入框架单元9，或从涂布工作台700搬出框架单元9。
第1搬送单元17具有：保持垫171，其从上方保持定心引导件16所保持的框架单元9；以及移动机构173，其使保持垫171在Z轴方向(铅垂方向)上上下移动以及在水平面内(X轴Y轴平面内)旋转移动。
安装于移动机构173的旋转臂174的前端下表面的保持垫171例如为俯视H形状，在保持垫171的下表面上具有对支承晶片90的环状框架94进行吸附的4个吸附盘176。各吸附盘176与产生吸附力的未图示的真空产生装置等吸引源连通。
在装置基座10上的比第1搬送单元17的配设位置靠-X方向侧的区域，配置有在晶片90的正面900上形成保护膜的保护膜形成单元70以及对激光加工后的框架单元9进行清洗的清洗单元74。
另外，在保护膜形成单元70和清洗单元74的附近配设有第2搬送单元18，该第2搬送单元18对利用保护膜形成单元70形成了保护膜的框架单元9进行保持，对于卡盘工作台30搬入框架单元9，或将激光加工后的框架单元9从卡盘工作台30搬出而搬送至清洗单元74。
第2搬送单元18例如具有：保持垫181，其从上方保持卡盘工作台30所吸引保持的框架单元9；以及移动机构183，其使保持垫181在Z轴方向(铅垂方向)上上下移动以及在水平面内(X轴Y轴平面内)旋转移动。
安装于移动机构183的旋转臂184的前端下表面的保持垫181例如为俯视H形状，在保持垫181的下表面上具有对支承晶片90的环状框架94进行吸附的4个吸附盘186。各吸附盘186与产生吸附力的未图示的真空产生装置等吸引源连通。
图1所示的保护膜形成单元70至少具有：涂布工作台700，其收纳于壳体708内，对晶片90进行吸引保持；旋转部702，其由使涂布工作台700旋转的电动机和旋转轴等构成；保护膜剂涂布喷嘴704，其能够在涂布工作台700的上方以规定角度旋转移动；以及夹持夹具705，其在涂布工作台700的周围沿周向隔开等间隔而配设有多个，对环状框架94进行夹持。
例如涂布工作台700可以通过由气缸等构成的未图示的升降单元在上下方向上移动。未图示的升降单元使涂布工作台700上升而将涂布工作台700定位于晶片90的搬入/搬出高度位置，并且使保持着晶片90的状态的涂布工作台700下降而将涂布工作台700定位于壳体708内的进行保护膜形成时的高度位置。
图1所示的清洗单元74至少具有：旋转工作台740，其对晶片90进行吸引保持；旋转部742，其使旋转工作台740旋转；清洗喷嘴744，其能够在旋转工作台740的上方以规定角度旋转移动；以及夹持夹具745，其在旋转工作台740的周围沿周向隔开等间隔而配设有多个，对环状框架94进行夹持。
俯视圆形的卡盘工作台30例如具有由多孔部件等构成的平坦的保持面300，保持面300与真空产生装置或喷射器机构等未图示的吸引源连通。另外，在卡盘工作台30的周围沿周向隔开均等间隔而配设有对环状框架94进行夹持固定的夹具31。
如图1所示，卡盘工作台30通过罩39从周围围绕，并且能够通过与卡盘工作台30的下表面侧连结的工作台旋转机构33而以Z轴为旋转轴进行旋转。另外，卡盘工作台30能够通过配设于下方的电动滑动器等而在作为加工进给方向的X轴方向和作为分度进给方向的Y轴方向上往复移动。
在卡盘工作台30的移动路径的上方配设有对晶片90的要进行激光加工的分割预定线902进行检测的对准单元11。对准单元11具有对晶片90的正面900进行拍摄的未图示的拍摄部，根据通过未图示的拍摄部获取的图像，能够通过图案匹配等图像处理而检测激光加工分割预定线902。通过未图示的拍摄部获取的图像显示在图1所示的监视器113上。
激光照射单元12例如具有圆柱状的壳体120。壳体120在Y轴方向上水平地延伸，在壳体120的前端部配设有照射头122。在壳体120内例如配设有YAG脉冲激光器等未图示的激光振荡器，从未图示的激光振荡器水平地向+Y方向射出的激光束通过未图示的反射镜向-Z方向反射，入射至照射头122的内部的聚光透镜，会聚并照射至卡盘工作台30所吸引保持的晶片90。激光束的聚光点的高度位置可以通过未图示的聚光点位置调整组件在Z轴方向上进行调整。
激光加工装置1具有对晶片90照射光的例如射光式的光源60，光源60例如是能够照射宽波长范围(紫外、可见和近红外)的光的白色光源。如图1、图3所示，为了节省根据测量内容而切换光源的工夫，作为白色光源的光源60配置于保护膜形成单元70的涂布工作台700的上方，构成为从上方倾斜照射涂布工作台700所吸引保持的框架单元9的晶片90的正面900，在从光源60射出且包含被保护膜92所含的吸光材料吸收的波长的光的射出光的光路上配置有对射出光的焦点进行调整的聚光透镜603。另外，作为光源60，也可以使用照射单一波长光的卤素、钨或水银等灯。
另外，在本实施方式中，在光源60与涂布工作台700所吸引保持的晶片90之间配置有仅使特定的波长的光(例如波长435nm的光、或波长365nm的光)透过的第1滤波器61。具体而言，第1滤波器61具有轮旋转方式的滤波器转换器，使在滤波器转换器的滤波器环上呈圆周状排列而安装的多个滤波器部件旋转而进行切换，能够使位于光路的滤波器部件例如为透过波长435nm的光的滤波器部件或为透过波长365nm的光的滤波器。
例如在隔着涂布工作台700的中心与光源60相反的一侧的涂布工作台700上方的位置设置有测量单元69，该测量单元69对晶片90的正面900照射光，接受来自正面900的、由形成于正面900的位于各个X轴Y轴坐标位置的特别需要的图案909(参照图2，在图3中未图示)反射的反射光，测量第1反射强度。另外，在从晶片90的正面900朝向测量单元69的光的光路上例如配置有仅使特定的波长的光(例如后述的保护膜形成后测量步骤中的波长435nm的光)透过的第2滤波器68以及使通过了第2滤波器68的光会聚至测量单元69的受光面的聚光透镜67。另外，第2滤波器68可以为第1滤波器61那样的具有滤波器转换器的结构。
另外，聚光透镜603或聚光透镜67由单透镜或组合透镜构成。另外，聚光透镜603例如构成为能够在光轴方向上驱动，可以调整测量光的聚光点或聚光直径。
本实施方式中的测量单元69例如能够作为拍摄单元发挥功能。即，作为拍摄单元发挥功能的测量单元69例如可以是：具有能够拍摄涂布工作台700所吸引保持的晶片90的整个正面900的拍摄区域的区域传感器相机；或具有能够拍摄晶片90的正面900的大致1/4的拍摄区域的区域传感器相机，但例如测量单元69是线传感器相机，可以具有拍摄部，该拍摄部对从晶片90的正面900通过由第2滤波器68或聚光透镜67等构成的光学系统而朝向测量单元69的反射光成像的被摄体图像进行光电转换，输出图像信息。
测量单元69的该拍摄部按照CCD等多个受光元件例如呈直线状排列的方式构成。拍摄部通过使长度方向的长度为晶片90的半径以上而具有晶片90的半径以上的长度的拍摄区域。并且，测量单元69例如在后述的保护膜形成前测量步骤中将随着吸引保持着晶片90的涂布工作台700的旋转而依次得到的线状的拍摄图像依次发送至图1所示的控制部19。该拍摄图像以能够构成拍到晶片90的整个正面900的拍摄图像的方式依次记录在控制部19的存储介质中。并且，例如当涂布工作台700结束360度旋转时，控制部19将示出晶片90的整个正面900的拍摄图像显示在图1所示的监视器113上。另外，作为拍摄单元发挥功能的测量单元69即使是具有能够拍摄晶片90的正面900的1/4的拍摄区域的区域传感器相机，也能够获取与上述线传感器相机大致同样的拍摄图像。
另外，测量单元69也可以不作为拍摄单元发挥功能而构成为具有上述那样的线传感器作为受光部，通过使吸引保持着晶片90的涂布工作台700旋转360度，例如在保护膜形成前测量步骤中能够测量晶片90的整个正面900(即、各X轴Y轴坐标位置)的第1反射强度。在该情况下，根据晶片90的正面900的X轴Y轴平面内的各区域的各个第1反射强度，线传感器所接受的受光量不同，测量单元69将不同的该受光量例如转换成电压信号，发送至图1所示的控制部19。
如图1所示，激光加工装置1具有进行装置整体的控制的控制部19，控制部19由按照控制程序进行运算处理的CPU和存储器等存储介质等构成。经由未图示的有线或无线的通信路径而与使保护膜形成单元70的涂布工作台700旋转的旋转部702和第1搬送单元17的移动机构173等电连接，在控制部19的控制下，控制吸引保持着晶片90的第1搬送单元17的移动控制、涂布工作台700所吸引保持的晶片90的旋转控制等。另外，在控制部19的存储介质中存储有图4所示的示出事先获取的保护膜的荧光强度与保护膜的厚度的相关数据的相关曲线图G。
具体而言，例如在构成保护膜形成单元70的旋转部702的旋转驱动源即电动机为伺服电动机的情况下，伺服电动机的旋转编码器与还具有作为伺服放大器的功能的控制部19连接，从控制部19的输出接口对伺服电动机提供动作信号之后，将伺服电动机的转速作为编码器信号而输出至控制部19的输入接口。并且，接受了编码器信号的控制部19根据伺服电动机的旋转角度而逐次识别涂布工作台700的旋转角度，由此能够逐次识别涂布工作台700所吸引保持的晶片90的分割预定线902的方向以及晶片90的X轴Y轴平面内的方向等。
以下，对通过图1所示的激光加工装置1对晶片90进行激光加工的情况下的激光加工装置1的各结构的动作、以及在激光加工装置1内进行的对形成于晶片90的正面900的保护膜的厚度进行测量的本发明的保护膜的厚度测量方法的各步骤进行说明。
(从盒中搬出框架单元以及向涂布工作台搬入框架单元)
首先，将收纳有多个图1所示的框架单元9的盒14载置于盒载置台13，然后通过升降机进行盒14的高度调整。接着，推挽件15向+Y方向移动而进入至盒14内部，对载置于目标搁板的框架单元9的环状框架94进行把持。通过推挽件15从盒14中拉出一个框架单元9，将环状框架94载置于定心引导件16上，进行框架单元9的定心(中心位置的检测)。
通过第1搬送单元17的移动机构173将保持垫171定位于定心引导件16上的环状框架94的上方，保持垫171的中心与框架单元9的中心成为大致一致的状态。另外，保持垫171下降，4个吸附盘176与环状框架94的上表面接触而进行吸附。
保持着图1所示的框架单元9的保持垫171进行旋转移动而定位于保护膜形成单元70的涂布工作台700上方，保持垫171下降而将框架单元9载置于涂布工作台700的保持面上。涂布工作台700在平坦的保持面上以使正面900朝向上侧的状态吸引保持晶片90，并且通过夹持夹具705对保持垫171离开的环状框架94进行夹持固定。
(1)保护膜形成前测量步骤
在本发明的保护膜的厚度测量方法中，首先实施如下的保护膜形成前测量步骤：向未形成保护膜的状态的晶片90的正面900照射光，测量来自正面900的第1反射强度(即，来自正面900的各X轴Y轴坐标位置的第1反射强度)。在保护膜形成前测量步骤中，首先，从图3所示的光源60射出的测量光利用聚光透镜603会聚，然后透过第1滤波器61。透过了第1滤波器61的测量光的波长例如为435nm，入射至图1所示的晶片90的正面900。使入射至晶片90的正面900的测量光的波长为单一波长435nm是为了使后述的保护膜形成后测量步骤中的保护膜的荧光例如为435nm而与其一致。
来自图1、图2所示的晶片90的正面900的、即来自形成于正面900的各个X轴Y轴坐标位置的图案909的波长435nm的反射光透过预先设定成仅使波长435nm的光透过的第2滤波器68而被聚光透镜67捕捉，入射至在本实施方式中作为拍摄单元发挥功能的测量单元69的由受光元件构成的拍摄部。当这样一边使波长435nm的测量光入射至晶片90的正面900一边如之前所说明的那样例如通过旋转部702使图1所示的涂布工作台700结束360度旋转时，控制部19能够形成示出晶片90的整个正面900的拍摄图像。另外，在本实施方式中，能够作为拍摄单元发挥功能的测量单元为单色相机，但也可以为彩色相机。
图1所示的控制部19的强度测量部193执行根据所形成的该拍摄图像而测量第1反射强度的程序。拍摄图像例如是亮度值为8位灰度、即由0～255共256级表现的规定尺寸的1个像素的集合体，1个像素的亮度值越接近0则越不具有明亮度即越接近黑色，另外亮度值越接近255越具有明亮度即越接近白色。所形成的拍摄图像的每1个像素的亮度值即入射至测量单元69的拍摄部的CCD的每1个像素的反射光的光量越少，则该1个像素的亮度值越接近0，越接近黑色，第1反射强度越成为小的值。
另外，在呈搁板状收纳于盒14的多个框架单元9的晶片90是相同批次的晶片的情况下，保护膜形成前测量步骤仅对最初进行加工的框架单元9的晶片90(第一张晶片90)进行，强度测量部193制作将拍摄图像中的与晶片90的正面900平行的X轴Y轴平面坐标系中的各个X轴Y轴坐标位置与各个X轴Y轴坐标位置的所测量的第1反射强度对应而得的第1反射强度数据表。并且，在对第二张以后的框架单元9进行加工的情况下，通过使用该第1反射强度数据表，可以不实施本保护膜形成前测量步骤。该第1反射强度数据表在后述的保护膜形成后测量步骤中使用，因此存储于控制部19的存储介质中。
另外，对于上述框架单元9的晶片90的正面900在涂布工作台700上的X轴Y轴坐标位置，原则上在框架单元9利用定心引导件16进行定心之后，通过由控制部19移动控制的第1搬送单元17以使中心与涂布工作台700大致一致的状态对框架单元9进行吸引保持，因此控制部19将能够始终把握的涂布工作台700的保持面的中心定为基准而能够与涂布工作台700的旋转角度一起始终把握上述X轴Y轴坐标位置。另外，当在晶片90上形成有凹口或定向平面的情况下，可以使用它们来识别拍摄图像中的晶片90的正面900的各X轴Y轴坐标位置。
另外，在对具有与第一张相同批次(种类)的晶片90的第二张以后的框架单元9进行加工的情况下，在将第二张以后的框架单元9保持于涂布工作台700时，有时第二张晶片90的朝向相对于形成上述第1反射强度数据表时的第一张晶片90在涂布工作台700上的朝向发生偏移。在该情况下，在保护膜形成前测量步骤中，在通过测量单元69形成拍到第二张晶片90的正面900的拍摄图像之后，使用第一张框架单元9的晶片90的拍摄图像与第二张框架单元9的晶片90的拍摄图像，进行使用形成于晶片90的图案909的图案匹配和/或在凹口或定向平面形成于晶片90的情况下进行使用该凹口或定向平面的匹配，识别偏移量(X轴Y轴坐标系的偏移量或θ偏移量)，求出基于该偏移量的校正值。然后，可以在对第一张框架单元9的保护膜形成前测量步骤中制作的将上述涂布工作台700上的晶片90的各X轴Y轴坐标位置与各第1反射强度相关联的第1反射强度数据表加上对上述偏移的校正值而对偏移进行校正，进行后述的保护膜形成后测量步骤等。
另外，保护膜形成前测量步骤在每改变作为加工对象的晶片90的批次(种类)时进行。这是因为，根据晶片90的种类，材质或图案909的结构不同，因此第1反射强度改变。
(2)保护膜形成步骤
在保护膜形成前测量步骤完成后，接着在图1所示的涂布工作台700所吸引保持的晶片90的正面900上形成包含吸光材料的保护膜。具体而言，与未图示的保护膜剂提供源连通且向下方滴加/喷射液态的保护膜剂的保护膜剂涂布喷嘴704定位于晶片90的中心上方，向正面900的中央滴加规定量的保护膜剂，然后进行使框架单元9与涂布工作台700一起旋转的旋涂。通过涂布工作台700的旋转所带来的离心力，在整个正面900上涂布保护膜剂，当涂布规定量的保护膜剂时，结束保护膜剂的滴加。当在晶片90的正面900上涂布了规定量的保护膜剂之后，使涂布工作台700旋转而使保护膜剂干燥、固化，按照成为期望的厚度的方式形成图3所示的保护膜92。
另外，例如保护膜剂涂布喷嘴704可以通过晶片90的中心上方而按照在晶片90的上方以规定角度往复的方式进行旋转移动，由此保护膜剂扩展而涂布至通过涂布工作台700旋转的框架单元9的晶片90的整个正面900，形成覆盖整个正面900的保护膜92。所形成的保护膜92防止激光加工中的碎屑附着于晶片90的正面900。
液态的保护膜剂例如可例示：聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、乙烯氧基重复单元为5以上的聚乙二醇、聚环氧乙烷、甲基纤维素、乙基纤维素、羟丙基纤维素、聚丙烯酸、聚乙烯醇-聚丙烯酸嵌段共聚物、聚乙烯醇-聚丙烯酸酯嵌段共聚物、聚甘油等，它们可以单独使用一种，也可以组合两种以上使用。本实施方式中的保护膜剂例如是水溶性的株式会社迪思科制的产品名HogoMax。
在液态的保护膜剂中包含吸收规定的波长区域(例如250nm以上且450nm以下的波长区域)的光的吸光材料。吸光材料例如使用二苯甲酮系、苯并三唑系、三嗪系、苯甲酸酯系的塑料添加剂等。另外，吸光材料例如在对晶片90进行激光加工时吸收激光束的波长的光。
(3)保护膜形成后测量步骤
如图3所示，当在晶片90的正面900上形成了保护膜92之后，实施如下的保护膜形成后测量步骤：朝向保护膜92照射使吸光材料发出荧光的波长的激发光，通过测量单元69测量第2反射强度，该第2反射强度包含保护膜92的荧光和保护膜92的荧光入射至形成于晶片90的正面900的图案909(参照图2)而从图案909反射的反射光。
例如，首先按照保护膜形成前测量步骤中的拍摄图像形成时的晶片90的X轴Y轴平面的朝向与保护膜92形成后的晶片90的朝向一致的方式，在图1所示的控制部19对旋转部702的控制下，使涂布工作台700旋转规定角度并停止。
从光源60射出的激发光利用聚光透镜603会聚之后透过第1滤波器61，该第1滤波器61例如通过滤波器转换器将滤波器部件切换成与在保护膜形成前测量步骤中使用的滤波器部件不同的滤波器部件(透过波长365nm的光的滤波器部件)。透过第1滤波器61的激发光例如是单一波长365nm的连续光，入射至形成于晶片90的正面900的保护膜92。另外，虽然根据保护膜92所包含的吸光材料的种类而不同，但为了抑制保护膜92的变形，优选激发光为连续光，并且优选使用保护膜92的荧光强度最大的波长的光。
当所照射的激发光被保护膜92的吸光材料吸收时，处于基态的吸光材料被激发，成为分子能量高的不稳定状态。然后，该吸光材料落入弛豫电动势单重态之后，一边发出波长比从光源60发出的激发光长的光(例如波长435nm的光)一边释放能量而返回基态。返回至该基态时所发出的光为荧光。波长435nm的荧光透过预先设定为仅使波长435nm的光透过的图3所示的第2滤波器68，被聚光透镜67捕捉，入射至在本实施方式中作为拍摄单元发挥功能的测量单元69的由受光元件构成的拍摄部。另外，来自光源60的波长365nm的激发光被第2滤波器68遮断而未入射至测量单元69的拍摄部。
在晶片90的正面900上形成有图案909(参照图2)，因此保护膜92的荧光入射至图案909而被图案909反射的波长435nm的反射光也透过第2滤波器68而被聚光透镜67捕捉，入射至测量单元69的由受光元件构成的拍摄部。
当这样一边使波长365nm的激发光入射至形成于晶片90的正面900的保护膜92一边如之前所说明的那样例如涂布工作台700通过旋转部702结束360度旋转时，测量单元69能够形成示出晶片90的整个保护膜92正面的图5所示的拍摄图像99。
图1所示的控制部19的强度测量部193执行根据在本步骤中形成的拍摄图像99而测量包含保护膜92的荧光和入射至形成于正面900的图案909而被图案909反射的反射光的第2反射强度的程序。首先，在拍摄图像99中，伴随形成于晶片90的正面900的保护膜92(参照图3)的厚度的大小，第2反射强度成正比增加。这是因为，当保护膜92的厚度增大时，保护膜92所包含的吸光材料的量也增加。
图1所示的强度测量部193制作将拍摄图像99中的形成于晶片90的正面900的保护膜92的各X轴Y轴坐标位置与各个X轴Y轴坐标位置的所测量的第2反射强度(像素的亮度)分别对应的第2反射强度数据表。根据该时刻的拍摄图像99制作的第2反射强度数据表是保护膜92的荧光入射至存在于正面900的各个X轴Y轴坐标位置的图案909并被图案909反射的波长435nm的反射光也入射至图3所示的测量单元69的拍摄部而制作的，因此无法准确地测量保护膜92的膜厚。另外，在图5中，将图3所示的保护膜92的晶片90的正面900上的厚的区域923罩上白色滤镜(雾)而示出。
(4)保护膜荧光强度计算步骤
因此，实施如下的保护膜荧光强度计算步骤：通过从在保护膜形成后测量步骤中测量的第2反射强度除去在保护膜形成前测量步骤中测量的第1反射强度而去除基于形成于正面900的图案909的反射强度，从而计算保护膜92的荧光强度。
图1所示的控制部19具有执行保护膜荧光强度计算程序的计算部198，计算部198使用图5所示的拍摄图像99，从在保护膜形成后测量步骤中测量的第2反射强度除去在保护膜形成前测量步骤中测量的第1反射强度。即，形成从拍摄图像99中的各X轴Y轴坐标位置的所测量的各第2反射强度除去了对应的各X轴Y轴坐标位置的各第1反射强度而得的图6所示的去除后拍摄图像997。在去除后拍摄图像997中，仅显示出保护膜92(参照图3)的荧光强度，因此计算部198分别计算/存储整个保护膜92正面的X轴Y轴坐标平面的各坐标位置的保护膜92的荧光强度。
(4)保护膜厚度识别步骤
接着，例如图1所示的计算部198使用预先输入并存储于存储器等存储介质的图4所示的相关曲线图G和在保护膜荧光强度计算步骤中使用图6所示的去除后拍摄图像997计算的保护膜92的荧光强度，识别形成于晶片90的正面900的保护膜92的X轴Y轴坐标位置的各个厚度。
图4所示的相关曲线图G是对事先获取的保护膜(例如在本实施方式中使用的由HogoMax形成的同种保护膜)的荧光强度与该保护膜的厚度的相关数据进行绘制而得的，在相关曲线图G中，横轴示出保护膜的荧光强度(单位：lx)，纵轴示出保护膜的厚度(单位：μm)。如相关曲线图G所示，例如若保护膜的荧光强度为150lx，则保护膜的厚度为1μm。
上述相关曲线图G例如是通过事先进行的实验而获取的。即，在未形成图案的例如多张模拟晶片上以分别不同的厚度形成与本次形成于晶片90的保护膜92(例如由HogoMax构成的保护膜)同样的保护膜。并且，使用聚焦离子束(FIB)测量装置等，分别测量准确的厚度，并且从光源对各个厚度的保护膜照射规定波长(例如波长365nm)的光，测量各保护膜的荧光强度。另外，优选使所使用的光源和实际设置于激光加工装置1的光源60(在本实施方式中为白色光源60)为相同规格。
另外，作为事先获取的保护膜的荧光强度与保护膜的厚度的相关数据，使用曲线图形式的数据，但并不限于该结构。相关数据例如也可以是示出保护膜的厚度与保护膜的荧光强度的对应的表格形式的数据。
例如图6所示的形成于晶片90的正面900的保护膜92(参照图3)的期望厚度为1μm。并且，图6的去除后拍摄图像997的晶片90的正面900的未罩上白色滤镜的X轴Y轴坐标系中的区域在保护膜荧光强度计算步骤中计算的荧光强度例如为150lx，从图4所示的相关曲线图G，识别为期望厚度1μm。与该厚度1μm的区域相比，罩上白色滤镜的区域923在保护膜荧光强度计算步骤中计算的荧光强度例如为300lx，计算部198根据图4所示的相关曲线图G，识别为比期望厚度1μm厚1μm的厚度2μm。
另外，例如对于保护膜92的期望厚度，预先设定有允许的上限阈值和下限阈值，在保护膜92的厚度为下限阈值以上且上限阈值以下的情况下，作为适当的厚度的保护膜，判定为在规定范围内。在保护膜92的厚度小于下限阈值的情况下或大于上限阈值的情况下，作为过厚或过薄的保护膜，判定为在规定范围外。另外，当作为过厚或过薄而识别为在规定范围外的厚度的保护膜92的面积成为允许值以上的情况下，可以判定为在晶片90的正面900上形成有不适当的保护膜92。
另外，在保护膜厚度识别步骤中，在判断为在晶片90的正面900上形成有不适当的厚度的保护膜的情况下，图1所示的框架单元9例如通过第1搬送单元17从涂布工作台700搬送至清洗单元74的旋转工作台740，利用旋转工作台740进行吸引保持，并且通过夹持夹具745对环状框架94进行夹持固定。并且，例如与未图示的清洗水提供源连通且将清洗水向下方喷射的清洗喷嘴744在晶片90的中心上方通过而按照在晶片90的上方以规定角度往复的方式进行旋转移动，由此将通过旋转工作台740进行旋转的框架单元9的不适当的厚度的水溶性的保护膜92清洗去除，然后再次实施之前说明的保护膜形成步骤以后的步骤。
(对于形成有适当的厚度的保护膜的晶片的激光加工)
将在晶片90的正面900上形成有适当的厚度的保护膜92的框架单元9通过第2搬送单元18从图1所示的涂布工作台700搬送至卡盘工作台30。并且，卡盘工作台30在平坦的保持面上以使保护膜92朝向上侧的状态对晶片90进行吸引保持，并且通过夹具31对保持垫181离开的环状框架94进行夹持固定。
接着，将卡盘工作台30向-X方向(往方向)进行进给，通过对准单元11检测作为用于照射激光束的基准的分割预定线902的位置。并且，将卡盘工作台30在Y轴方向上进行分度进给，进行照射激光束的分割预定线902与激光照射单元12的照射头122的Y轴方向的对位。
另外，通过未图示的聚光透镜会聚的激光束的聚光点的高度位置例如对齐在晶片90的正面900的高度位置。并且，激光振荡器振荡出对于晶片90具有吸收性的波长的激光束，将激光束会聚并照射至分割预定线902。
另外，将晶片90向作为往方向的-X方向以规定的加工进给速度进行进给，沿着分割预定线902对晶片90的正面900照射激光束，将晶片90从正面900朝向背面906而进行烧蚀，沿着分割预定线902例如形成将晶片90切断的加工槽。另外，加工槽也可以是半切割槽。这里，在保护膜92中添加有对激光束的波长的光进行吸收的吸光材料，因此在激光加工时也与晶片90的加工一起从分割预定线902上去除保护膜92。因此，保护膜92不会因晶片90的热分解物的蒸汽等压力而剥离，虽然在图1所示的分割预定线902上产生碎屑，但通过保护膜92，碎屑不会附着于器件904的正面上。
当晶片90向-X方向行进至结束沿着分割预定线902照射激光束的规定位置时，停止激光束的照射。另外，卡盘工作台30在Y轴方向上分度进给规定的距离，将照射头122的聚光点正下方定位于下一个目标分割预定线902上。并且，将晶片90向作为返方向的+X方向进行加工进给，与往方向的激光束照射同样地，沿着分割预定线902对晶片90进行激光加工。并且，一边按照相邻的分割预定线902的间隔将卡盘工作台30在Y轴方向上进行分度进给一边依次进行同样的激光加工，由此将晶片90沿着在X轴方向上延伸的所有分割预定线902切断。
另外，使卡盘工作台30旋转90度而进行同样的激光加工，由此将所有的分割预定线902纵横地全部切断，将晶片90分割成器件904。
然后，将晶片90已分割成器件904的框架单元9通过第2搬送单元18从卡盘工作台30搬送至清洗单元74，进行保护膜92的清洗去除。另外，清洗后的框架单元9通过第1搬送单元17和推挽件15收纳于盒14中。
如上所述，对正面900上具有图案909的晶片90的正面900上形成的保护膜92的厚度进行测量的本发明的保护膜的厚度测量方法具有如下的步骤：保护膜形成前测量步骤，向未形成保护膜的状态的晶片90的正面900照射光而测量来自正面900的反射光的第1反射强度；保护膜形成步骤，在正面900上形成包含吸光材料的保护膜92；保护膜形成后测量步骤，朝向保护膜92照射使吸光材料发出荧光的波长的激发光，通过测量单元69测量包含保护膜92的荧光和来自正面900的反射光的第2反射强度；保护膜荧光强度计算步骤，通过从在保护膜形成后测量步骤中测量的第2反射强度除去在保护膜形成前测量步骤中测量的第1反射强度而去除基于形成于正面900的图案909的反射强度，从而计算保护膜92的荧光强度；以及保护膜厚度识别步骤，根据事先获取的保护膜的荧光强度与保护膜的厚度的相关数据以及所计算的保护膜92的荧光强度，识别保护膜92的厚度，由此能够准确地测量正面900上具有图案909的晶片90的正面900上形成的保护膜92的厚度。
在本发明的保护膜的厚度测量方法中，测量单元69能够作为拍摄单元发挥功能，保护膜形成前测量步骤通过拍摄单元69对晶片90的正面900进行拍摄，保护膜形成后测量步骤通过拍摄单元69对形成于晶片90的正面900的保护膜92的正面进行拍摄，第1反射强度和第2反射强度根据通过拍摄单元69而获取的各个图像的像素的亮度而分别进行测量，由此与以往相比能够缩短测量时间。
在本发明的保护膜的厚度测量方法中，在保护膜形成前测量步骤和保护膜形成后测量步骤中，向晶片90的正面900照射光的光源60是白色光源60，由此光源60能够射出多个波长的光，并且在光源60与晶片90之间配置有仅使特定的波长的光透过的第1滤波器61，由此能够根据保护膜或吸光材料的种类等而从所照射的光(多个波长的光)中仅将期望波长的光照射至保护膜92。
在本发明的保护膜的厚度测量方法中，在保护膜形成前测量步骤和保护膜形成后测量步骤中，向晶片90的正面900照射光的光源60是白色光源60，在晶片90与测量单元69之间配置有仅使特定的波长的光透过的第2滤波器68，在保护膜形成后测量步骤中，来自光源60的照射光不会入射至测量单元69。
本发明的保护膜的厚度测量方法不限于上述实施方式，当然可以在其技术思想的范围内利用各种不同的方式实施。另外，对于在实施保护膜的厚度测量方法时使用的激光加工装置1的各结构等，也可以在能够发挥本发明的效果的范围内适当地变更。

Claims (4)

1.一种保护膜的厚度测量方法，对正面上具有图案的晶片的该正面上形成的保护膜的厚度进行测量，其中，
该保护膜的厚度测量方法具有如下的步骤：
保护膜形成前测量步骤，向未形成该保护膜的状态的该晶片的该正面照射光而测量来自该正面的反射光的第1反射强度；
保护膜形成步骤，在该正面上形成包含吸光材料的该保护膜；
保护膜形成后测量步骤，朝向该保护膜照射使该吸光材料发出荧光的波长的激发光，通过测量单元测量包含该保护膜的荧光和来自该正面的反射光的第2反射强度；
保护膜荧光强度计算步骤，通过从在该保护膜形成后测量步骤中测量的该第2反射强度减去在该保护膜形成前测量步骤中测量的该第1反射强度而去除基于形成于该正面的该图案的反射强度，从而计算该保护膜的荧光强度；以及
保护膜厚度识别步骤，根据事先获取的保护膜的荧光强度与保护膜的厚度的相关数据以及所计算的该保护膜的荧光强度，识别该保护膜的厚度。
2.根据权利要求1所述的保护膜的厚度测量方法，其中，
所述测量单元能够作为拍摄单元发挥功能，
所述保护膜形成前测量步骤通过该拍摄单元对所述晶片的所述正面进行拍摄，
所述保护膜形成后测量步骤通过该拍摄单元对形成于该晶片的该正面的所述保护膜的正面进行拍摄，
所述第1反射强度和所述第2反射强度根据通过该拍摄单元而获取的各个图像的像素的亮度而分别进行测量。
3.根据权利要求1或2所述的保护膜的厚度测量方法，其特征在于，
在所述保护膜形成前测量步骤和所述保护膜形成后测量步骤中，向所述晶片的所述正面照射光的光源是白色光源，
在该光源与该晶片之间配置有仅使特定的波长的光透过的第1滤波器。
4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的保护膜的厚度测量方法，其特征在于，
在所述保护膜形成前测量步骤和所述保护膜形成后测量步骤中，向所述晶片的所述正面照射光的光源是白色光源，
在该晶片与所述测量单元之间配置有仅使特定的波长的光透过的第2滤波器。
CN202210517821.7A 2021-05-20 2022-05-13 保护膜的厚度测量方法 Pending CN115371568A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-085221 2021-05-20
JP2021085221A JP2022178427A (ja) 2021-05-20 2021-05-20 保護膜の厚み測定方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115371568A true CN115371568A (zh) 2022-11-22

Family

ID=83899219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210517821.7A Pending CN115371568A (zh) 2021-05-20 2022-05-13 保护膜的厚度测量方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11892282B2 (zh)
JP (1) JP2022178427A (zh)
KR (1) KR20220157304A (zh)
CN (1) CN115371568A (zh)
DE (1) DE102022204693A1 (zh)
TW (1) TW202246731A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022081918A (ja) * 2020-11-20 2022-06-01 株式会社ディスコ 計測装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI59489C (fi) * 1978-11-21 1981-08-10 Enso Gutzeit Oy Foerfarande foer maetning av belaeggningsmaengder
KR100917912B1 (ko) * 2007-11-13 2009-09-16 한국표준과학연구원 단일 편광자 초점 타원계측기
JP6624919B2 (ja) 2015-12-18 2019-12-25 株式会社ディスコ レーザー加工用保護膜検出方法
JP6688695B2 (ja) * 2016-06-24 2020-04-28 株式会社ディスコ 保護膜被覆装置および保護膜被覆方法
CN113405477A (zh) * 2020-03-17 2021-09-17 东京毅力科创株式会社 膜厚测定系统、膜厚测定方法以及存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
US20220373321A1 (en) 2022-11-24
DE102022204693A1 (de) 2022-11-24
JP2022178427A (ja) 2022-12-02
TW202246731A (zh) 2022-12-01
US11892282B2 (en) 2024-02-06
KR20220157304A (ko) 2022-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7519448B2 (en) Method for determining position of semiconductor wafer, and apparatus using the same
KR101584821B1 (ko) 보호막 피복 방법 및 보호막 피복 장치
JP4648056B2 (ja) ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP5443102B2 (ja) レーザー加工装置
KR101844071B1 (ko) 측정 방법 및 측정 장치
TWI411029B (zh) Laser processing device
KR102340012B1 (ko) 보호막 검출 장치 및 보호막 검출 방법
TWI630967B (zh) Laser processing device
KR101835888B1 (ko) 측정 방법 및 측정 장치
TW201618173A (zh) 晶圓的加工方法
KR20130096650A (ko) 척 테이블 및 척 테이블을 이용한 웨이퍼의 레이저 가공 방법
CN115371568A (zh) 保护膜的厚度测量方法
JP4766258B2 (ja) 板状物品のピックアップ装置
KR20090067033A (ko) 보호막 피복 장치 및 레이저 가공기
JP7323323B2 (ja) 分割装置
KR20210020767A (ko) 워크의 확인 방법, 및, 가공 방법
CN113681163B (zh) 薄膜去除装置及薄膜去除方法
KR20190119803A (ko) 웨이퍼의 에지 영역 검사장치 및 검사방법
JP7343293B2 (ja) 分割加工装置
CN114975173A (zh) 加工装置
JP7144964B2 (ja) ウェーハの研削方法
TWI837411B (zh) 工件之確認方法以及加工方法
JP5606757B2 (ja) 形状認識装置
JP2019149450A (ja) ウェーハの加工方法
TW202333290A (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination