TWI411029B - Laser processing device - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種沿著形成於晶圓之分割預定線照射雷射光，並沿著分割預定線分割晶圓之雷射加工裝置。
在半導體裝置製造步驟中，係根據在為大略圓板形狀之半導體晶圓的表面呈格子狀配列之分割預定線區劃成複數之領域，於該區劃之領域上形成IC、LSI等裝置。然後，沿著溝道切斷半導體晶圓，分割形成有裝置之領域，製造各個半導體晶片。又，於藍色基板表面積層有氮化鎵系化合物半導體等之光裝置晶圓也藉由沿著溝道切斷而分割成各個發光二極體、雷射二極體等光裝置，廣泛利用於電器。
此種沿著半導體晶圓或光裝置晶圓等晶圓之溝道的切斷一般係藉由切割裝置來進行。該切割裝置具有：用以保持被加工物之晶圓之夾盤工作台、用以切割保持於該夾盤工作台之切割機構、及使夾盤工作台與切割機構相對地移動之移動機構。切割機構包含可高速旋轉之旋轉軸及安裝於該旋轉軸之切割板。在使用此種切割裝置進行晶圓之切割時，會有傳送速度有限且因為切割屑的產生而污染晶片之問題。
另一方面，近年來分割半導體晶圓等之板狀被加工物之方法，提出一種方法係沿著形成於被加工物之分割預定線照射脈衝雷射光線，藉此施行消熔加工。(參照如專利文獻1)
【專利文獻1】日本專利公開公報特開平10－305420號
可是，使用上述雷射加工方法切斷晶圓時，會有在分割之各個晶片外周面殘存加工偏斜而抗折強度降低之問題。特別是，抗折強度低之砷化鎵(GaAs)晶圓會因為加工偏斜的殘存而對抗折強度之降低有相當大的影響。
另一方面，使用切割裝置沿著分割預定線切割晶圓會導致在分割成各個裝置之外周面殘存加工偏斜。為了除去該加工偏斜，提出一種在將晶圓分割成各個裝置後，實施化學蝕刻之晶圓加工方法。(參照如專利文獻2)
【專利文獻2】日本專利公開公報特開平7－161665號
但是，在使用切削裝置將晶圓分割成各個裝置後，要對分割成各個裝置之晶圓進行蝕刻處理，需要用以將分割成各個裝置之晶圓搬送到蝕刻裝置之搬送裝置進行之搬送步驟，未必能夠滿足生產效率層面。
本發明係有鑒於上述事實而作成者，其主要之技術課題係在於提供一種藉由沿著分割預定線照射雷射光線，將晶圓分割成各個裝置後、不搬送到蝕刻裝置而可直接進行蝕刻處理之雷射加工裝置。
為了解決上述主要之技術課題，本發明之雷射加工裝置包含有：夾盤工作台，係用以保持晶圓者；雷射光線照射機構，係用以將雷射光線照射於被保持在該夾盤工作台之晶圓者；加工傳送機構，係使前述夾盤工作台與前述雷射光線照射機構相對地進行加工傳送者；及分度傳送機構，係使前述夾盤工作台與前述雷射光線照射機構朝與前述加工傳送方向直交之分割傳送方向相對地進行進行分割傳送者；其特徵在於：前述雷射加工裝置具有：蝕刻機構，係對雷射加工後之晶圓進行蝕刻者；及搬送機構，係將被保持在該夾盤工作台之雷射加工後之晶圓搬送到前述蝕刻機構者。
上述蝕刻機構包含有：旋轉工作台，係用以保持並旋轉晶圓者；及蝕刻液供給機構，係將蝕刻液供給到被保持在前述旋轉工作台之雷射加工後之晶圓者。該蝕刻機構宜具有一保護材料供給機構，其係將用以形成保護膜之液狀保護材料供給到被保持在該旋轉工作台之雷射加工前之晶圓的加工面者。又，宜具有一洗淨水供給機構，其係供給用以將被保持在該旋轉工作台之蝕刻處理後之晶圓洗淨之洗淨水者。
由上述雷射加工裝置加工之晶圓為砷化鎵(GaAs)晶圓，且藉由該蝕刻機構進行蝕刻之蝕刻液係由氫氧化銨與過氧化氫構成。
由於本發明之雷射加工裝置具有：對雷射加工後之晶圓進行蝕刻之蝕刻機構、及將被保持在夾盤工作台之雷射加工後之晶圓搬送到蝕刻機構之搬送機構，因此可有效率
地直接對雷射加工後之晶圓進行蝕刻處理。
以下，參照添附圖式詳細說明依據本發明構成之雷射加工裝置之較佳實施形態。
第1圖係顯示依據本發明構成之雷射加工裝置1之透視圖。
第1圖所示之雷射加工裝置1具有大略直方體狀之裝置殼體2。該裝置殼體2內配設有用以保持被加工物之晶圓之夾盤工作台3，且該夾盤工作台可朝箭頭X所示之加工傳送方向及與該加工傳送方向直交之分度傳送方向Y移動。夾盤工作台3具有：吸著夾盤支持台31、及安裝於該吸著夾盤支持台31上之吸著夾盤32，且藉由未圖示之吸引機構而將被加工物之晶圓保持於該吸著夾盤32之表面之載置面上。又，夾盤工作台3構成為可藉由未圖示之旋轉機構旋動。如此構成之夾盤工作台3之吸著夾盤支持台31配設有於後敘述之用以固定環狀框架之夾板34。又，雷射加工裝置1具有：可將上述夾盤工作台3朝加工傳送方向X進行加工傳送之未圖示之加工傳送機構、及朝分度傳送方向Y進行分度傳送之未圖示之分度傳送機構。
圖示之雷射加工裝置1具有雷射光線照射機構4，其係在被保持於上述夾盤工作台3之被加工物之晶圓上施行雷射加工者。雷射光線照射機構4具有：雷射光線發射機構41、及用以集中由該雷射光線發射機構41所發射之雷射光線之集光器42。
又，雷射加工裝置1具有未圖示之移動機構，其係將雷射光線發射機構41朝箭頭Z所示之垂直於夾盤工作台3上面之載置面之方向之集光點位置調整方向移動。
圖示之雷射加工裝置1具有一攝影機構5，其係用以拍攝被保持於上述夾盤工作台3之吸著夾盤32上之被加工物的表面，並藉由上述雷射光線照射機構4之集光器42所照射之雷射光線檢測出應加工之領域。該攝影機構5除了具有使用可視光線攝影之一般攝影元件(CCD)之外，還具有於被加工物照射紅外線之紅外線照明機構、可捕捉由該紅外線照明機構照射之紅外線之光學系、及輸出對應於由該光學系捕捉之紅外線之電氣信號之攝影元件(紅外線CCD)等，並將攝影之影像信號傳送到後述之控制機構。又，圖示之晶圓的分割裝置1具有用以顯示由攝影機構5拍攝之影像之顯示機構6。
圖示之雷射加工裝置1具有一蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構7，其係具備有作為對雷射加工後之晶圓進行蝕刻處理之蝕刻機構之機能、作為洗淨蝕刻處理後之晶圓之洗淨機構之機能、及作為於雷射加工前之晶圓之加工面被覆保護膜之保護膜被覆機構之機能。參照第2~4圖說明該蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構7。
圖示之實施形態之蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構7具有：旋轉工作台機構71、及包圍該旋轉工作台機構71配設之蝕刻液盛接機構72。旋轉工作台機構71具有：旋轉工作台711、用以驅動該旋轉工作台711旋轉之電動馬達712、及用以支持該電動馬達712且可朝上下方向移動之支持機構713。旋轉工作台711具有由多孔質材料形成之吸著夾盤711a，且該吸著夾盤711a與未圖示之吸引機構連通。因此，旋轉工作台711可藉由將被加工物之晶圓載置於吸著夾盤711a上，並且使用未圖示之吸引機構產生負壓作用，而將晶圓保持於吸著夾盤711上。又，旋轉工作台711配設有用以固定後述之環狀框架之夾板機構714。電動馬達712於其驅動軸712之上端連結上述旋轉工作台711。上述支持機構713具有：複數(在圖示之實施形態中為3支)支持腳713a、分別連結該支持腳713a並安裝於電動馬達712之複數(圖示之實施形態中為3支)汽缸713b。如此構成之支持機構713係藉由使汽缸713b作動，而將電動馬達712及旋轉工作台711定位於第3圖所示之上方位置之被加工物搬入搬出位置、及第4圖所示之下方位置之作業位置。
上述蝕刻液盛接機構72具有：蝕刻液盛接容器721、用以支持該蝕刻液盛接容器721之3支(第2圖係顯示2支)支持腳722、安裝於上述電動馬達712之驅動軸712a之覆蓋構件723。蝕刻液盛接容器721係如第3圖及第4圖所示，由圓筒狀之外側壁721a與底壁721b及內側壁721c構成。底壁721b之中央部設有上述電動馬達712之驅動軸712a插通之孔721d，並形成有由該孔721d之周緣朝上方突出之內側壁721c。又，如第2圖所示，於底壁721b設有排液口721e，該排液口721e與排管724連接。上述覆蓋構件723係形成圓盤狀，且具有由其外周緣朝下方突出之蓋部723a。如此構成之覆蓋構件723係當電動馬達712及旋轉工作台711定位於第4圖所示之作業位置時，蓋部723a會帶有間隙疊合定位於構成上述蝕刻液盛接容器721之內側壁721c之外側。
圖示之實施形態中之蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構7具有一保護材料供給機構74，其係將聚乙烯醇(PVA：Poly Vinyl Alcohol)等液狀保護材料供給到保持於上述旋轉工作台711且作為雷射加工前之被加工物之晶圓之加工面。保護材料供給機構74具有：一將液狀保護材料供給於保持在旋轉工作台711之加工前之晶圓加工面之保護材料供給噴嘴741、及使該保護材料供給噴嘴741搖動之可正轉．逆轉之電動馬達742，且保護材料供給噴嘴741與未圖示之保護材料供給源連接。保護材料供給噴嘴741由朝水平延伸之噴嘴部741a、及由該噴嘴部741a朝下方延伸之支持部741b構成，且支持部741b插通配設於設置於構成上述蝕刻液回收容器721之底壁721b之未圖示之插通孔，且與未圖示之保護材料供給源連接。又，保護材料供給噴嘴741之支持部741b插通之未圖示之插通孔周緣，裝設有用於密封其與支持部741b之間之密封構件(未圖示)。
圖示之實施形態之蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構7具有一蝕刻液供給機構75，係用以對保持於上述旋轉工作台711之雷射加工後之被加工物之晶圓進行蝕刻處理。蝕刻液供給機構75具有：朝保持於旋轉工作台711之雷射加工後之晶圓噴出蝕刻液之蝕刻液噴嘴751、及使該蝕刻液噴嘴751搖動之可正轉逆轉之電動馬達752，該蝕刻液噴嘴751與未圖示之蝕刻液供給源連接。蝕刻液噴嘴751具有：朝水平延伸且前端部朝下方彎曲之噴嘴部751a、由該噴嘴部751a之基端朝下方延伸之支持部751b，支持部751b插通配設於設置於構成上述蝕刻液盛接容器721之底壁721b之未圖示之插通孔，且與未圖示之蝕刻液供給源連接。又，蝕刻液噴嘴751之支持部751b插通之未圖示之插通孔周緣，裝設有用於密封其與支持部751b之間之密封構件(未圖示)。
圖示之實施形態之蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構7具有一洗淨水供給機構76，其係用以洗淨被保持於上述旋轉工作台711之蝕刻處理後之被加工物之晶圓。洗淨水供給機構76具有：朝保持於旋轉工作台711之蝕刻處理後之晶圓噴出洗淨水之洗淨水噴嘴761、及可使該洗淨水噴嘴761搖動之可正轉．逆轉之未圖示之電動馬達，且該洗淨水噴嘴761與未圖示之洗淨水供給源連接。洗淨水噴嘴761由與朝水平延伸且前端部朝下方彎曲之噴嘴部761a、及由該噴嘴部761a之基端朝下方延伸之支持部761b構成，且支持部761b插通配設於設置於構成上述蝕刻液盛接容器721之底壁721b之未圖示之插通孔，且連接於未圖示之洗淨水供給源。又，於洗淨水噴嘴751之支持部751b插通之未圖示之插通孔周緣裝設有用以密封其與支持部751b之間之密封構件(未圖示)。
回到第1圖繼續說明，圖示之雷射加工裝置具有一可載置用以收容作為被加工物之晶圓之砷化鎵晶圓10之匣之匣載置部13a。於匣載置部13a配設有可藉未圖示之昇降機構朝上下移動之匣工作台131，該匣工作台131上載置有匣13。砷化鎵晶圓10貼著於裝設在環狀之框架11之保護膠帶12之表面，並可在經由保護膠帶12而受環狀框架11支持之狀態下收容於上述匣13。砷化鎵晶圓10係如第5圖所示，例如於厚度為100 μm之砷化鎵(GaAs)基板100表面100a上形成有複數格子狀之分割預定線101。然後，於砷化鎵(GaAs)基板100之表面100a上，於由形成格子狀之複數分割預定線101區劃而成之複數領域形成有拼合積體IC或高速1C等裝置102。如此構成之砷化鎵晶圓10係如第1圖所示，以表面100a、即形成有分割預定線101及裝置102之面為上側，裏面貼著於安裝於環狀框架11之保護膠帶12。
圖示之雷射加工裝置1具有：晶圓搬出搬入機構15，係將收納於上述匣13之加工前砷化鎵晶圓10搬出到配設於暫置部14a之對位機構14，並且將加工後之砷化鎵晶圓10搬入匣13者；第1晶圓搬送機構16，係將搬出到對位機構14之雷射加工前之砷化鎵晶圓10搬送到蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構7，並且將藉由蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構7於表面被覆保護膜之砷化鎵晶圓10搬送到前述夾盤工作台3上者；及第2晶圓搬送機構17，係將在夾盤工作台3上經雷射加工之砷化鎵晶圓10搬送到蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構7。
圖示之雷射加工裝置1係如上述所構成，以下就使用該雷射裝置1沿著形成於上述砷化鎵晶圓10之基盤100表面100a之分割預定線101切斷之雷射加工方法加以說明。
如第1圖所示，經由保護膠帶12而受環狀框架11支持之加工前砷化鎵晶圓10(以下單稱砷化鎵晶圓10)，係以作為加工面之表面100a為上側而收容於匣13之預定位置。收容於匣13之預定位置之雷射加工前之砷化鎵晶圓10係藉由未圖示之昇降機構使匣工作台131上下移動，藉此定位於搬出位置。其次，晶圓搬出搬入機構15會進退作動，將定位於搬出位置之砷化鎵晶圓10搬出到配置於暫置部14a之對位機構14。搬出到對位機構14之砷化鎵晶圓10藉由對位機構14而位於預定之位置。其次，藉由對位機構14而對位之雷射加工前半導體晶圓10藉由第1晶圓搬送機構16之旋回動作而搬送到構成蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構7之旋轉工作台711之吸著夾盤711a上，並吸引保持於該吸著夾盤711a(晶圓保持步驟)。又，環狀框架11藉由夾板714而固定。此時，旋轉工作台711定位於第3圖所示之被加工物搬入搬出位置，而保護材料供給噴嘴741與洗淨水噴嘴751以及空氣噴嘴761則如第2圖及第3圖所示，置於遠離旋轉工作台711上方之待機位置。
實施將雷射加工前之砷化鎵晶圓10保持於蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構7之旋轉工作台711上之晶圓保持步驟後，則實施於作為保持於旋轉工作台711之半導體晶圓10之加工面之表面100a被覆保護膜之保護膜被覆步驟。即，將旋轉工作台711定位於作業位置，並且驅動保護材料供給機構74之電動馬達742，然後如第6(a)圖所示，將保護材料供給噴嘴741之噴嘴部741a之噴出口定位於保持在旋轉工作台711上之砷化鎵晶圓10之中心部上方。然後，旋轉工作台711朝箭頭所示之方向以預定之旋轉速度(例如200rpm)旋轉，並由保護材料供給機構74之保護材料供給噴嘴741朝貼著於安裝在環狀框架11之保護膠帶12之表面之砷化鎵晶圓10之表面10Oa(加工面)之中央領域滴下預定量(例如半導體晶圓10之直徑為200mm時則為1cc)之液狀保護材料110。又，液狀保護材料宜為聚乙烯醇(PVA：Poly Vjnyl Alcohol)等水溶性光阻劑。
如此，於保持在旋轉工作台711之雷射加工前之砷化鎵晶圓10之表面10Oa(加工面)的中央領域滴下1cc之聚乙烯醇等液狀保護材料110，並使旋轉工作台711以200rpm之旋轉速度旋轉60秒左右，藉此則如第6圖(b)所示，於半導體晶圓10之表面1Oa(加工面)被覆厚度為1 μ左右之保護膜120。
在實施上述保護膜被覆步驟後，則旋轉工作台711如第3圖所示會定位於被加工物搬入搬出位置，並且解除保持於旋轉工作台711之砷化鎵晶圓10的吸引保持。而且，旋轉工作台711上之砷化鎵晶圓10可藉由第1晶圓搬送機構16而搬送到夾盤工作台3之吸著夾盤32上，並由該吸著夾盤32吸引保持。如此，吸引保持砷化鎵晶圓10之夾盤工作台3可藉由位未圖示之加工傳送機構而定位於配設於雷射光線照射機構4之攝影機構5之正下方。
當夾盤工作台3定位於攝影機構5之正下方時，可藉由攝影機構5及未圖示之控制機構，執行於砷化鎵晶圓10形成於預定方向之分割預定線101、及沿著分割預定線101照射雷射光線之雷射光線照射機構4之集光器42之對位之對照圖案等影像處理，完成雷射光線照射位置之調準。又，也同樣對相對形成於砷化鎵晶圓10之上述預定方向朝直角延伸之分割預定線101也完成雷射光線照射位置之調準。此時，砷化鎵晶圓10之形成有分割預定線101之表面100a形成有保護被膜110，但保護膜110非透明時可以紅外線攝影由表面進行調準。
如上述，若檢測形成於保持在夾盤工作台3上之砷化鎵晶圓10之分割預定線101，進行雷射光線照射位置之調準，則實施由保護膜120側沿著分割預定線101照射雷射光線於被覆有保護膜120之雷射加工前之砷化鎵晶圓10，並沿著分割預定線101形成雷射加工溝之雷射加工步驟。即，將夾盤工作台3移動到雷射光線照射機構4之集光器42所在之雷射光線照射領域，並將預定之分割預定線101定位於集光器42正下方。此時，如第7(a)圖所示，半導體晶圓10係定位於分割預定線101之一端(如第7圖(a)中左端)定位於集光器42之正下方。其次，由雷射光線照射機構4之集光器42照射脈衝雷射光線，並以預定之加工傳送速度使夾盤工作台3朝第7(a)圖中箭頭X1所示之方向移動。然後，如第7(b)圖所示，分割預定線101之另一端(第7(b)圖中右端)到達集光器42之正下方位置後，停止脈衝雷射光線之照射並且停止夾盤工作台3之移動。在該雷射加工步驟中，將脈衝雷射光線之集光點P調整到砷化鎵晶圓10之表面100a附近。
藉由實施上述之雷射加工步驟，於砷化鎵晶圓10上沿著分割預定線101施行消熔加工，砷化鎵晶圓10會如第8圖所示沿著分割預定線101形成雷射加工溝140。此時，藉由脈衝雷射光線之照射如第8圖所示產生碎屑150，該碎屑150會被保護膜120阻隔而不會附著於裝置102。
又，上述雷射加工步驟係以如下之加工條件進行。
雷射光線之光源：YVO4雷射或YAG雷射波長：355nm反覆頻率：10kHz輸出：5W集光點：橢圓點：長軸600 μm、短軸100 μm加工傳送速度：200mm/秒
上述加工條件中，砷化鎵晶圓可形成深度為50 μm左右之雷射加工溝。因此，藉由沿著厚度為100 μm之砷化鎵晶圓10之分割預定線101實行2次上述雷射加工步驟，可如第9圖所示形成到達保護膠帶12之雷射加工溝140，並可切斷砷畫鎵晶圓10。
在沿著砷化鎵晶圓10之朝預定方向延伸之分割預定線101實施上述之雷射加工步驟後，夾盤工作台3會旋動90度，並沿著對預定方向成直角延伸之分割預定線101實施上述雷射加工步驟。結果，砷化鎵晶圓10沿著形成格子狀之複數分割預定線101被切斷，分割成各個裝置102。
沿著砷化鎵晶圓10之全部溝道101實施上述雷射加工步驟後，保持有分割成各個裝置102之雷射加工後砷化鎵晶圓10之夾盤工作台3可藉由未圖示之加工傳送機構之作動，回到最初吸引保持砷化鎵晶圓10之位置，並在此解除砷化鎵晶圓10之吸引保持。接著，雷射加工後之砷化鎵晶圓10藉著第2晶圓搬送機構17搬送到構成蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構7之旋轉工作台711之吸著夾盤711a上，並吸引保持於該吸著夾盤711a。此時，樹脂供給噴嘴741與蝕刻液噴嘴751及洗淨水噴嘴761如第3圖及第4圖所示，定位於遠離旋轉工作台711上方之待機位置。
雷射加工後之砷化鎵晶圓10保持於蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構7之旋轉工作台711上後，實施對各個分割之裝置102之外周面進行蝕刻之蝕刻步驟。即，將旋轉工作台711定位於作業位置，並驅動蝕刻液供給機構75之未圖示之電動馬達，將蝕刻液供給噴嘴751之噴嘴部751a的噴出口定位於保持在旋轉工作台711上之雷射加工後之砷化鎵晶圓10之中心部上方。然後，使旋轉工作台711以例如10rpm之旋轉速度旋轉，並由噴嘴部751a之噴出口噴出由氫氧化銨與過氧化氫構成之蝕刻液160。如此，藉由實施2分鐘左右之蝕刻步驟，蝕刻液160浸透於沿著分割預定線101形成於砷化鎵晶圓10之雷射加工溝140，表面被覆有保護膜120之各裝置102的外周面被蝕刻。結果，由於藉由實施上述雷射加工步驟，除去殘存於各裝置102之外周面之加工偏斜，因此可提高裝置之抗折強度。又，該蝕刻步驟中，用以對砷化鎵晶圓進行蝕刻處理之蝕刻液也可使用由硫酸與過氧化氫構成之蝕刻液，但由於使用硫酸會有危險，因此宜使用由氫氧化銨與過氧化氫構成之蝕刻液。
如上所述，圖示之雷射加工裝置1具有用以對雷射加工後之晶圓蝕刻之蝕刻機構，因此可有效率地直接對雷射加工後之晶圓進行蝕刻處理。
如上所述在實施蝕刻步驟後，則實施以水洗淨蝕刻處理後之晶圓之洗淨步驟。即，令蝕刻液噴嘴751定位於如第3圖及第4圖所示之遠離旋轉工作台711之上方之待機位置，並且驅動洗淨水供給機構76之未圖示之電動馬達，令洗淨水供給噴嘴761之噴嘴部761a之噴出口定位於保持在旋轉工作台711上之砷化鎵晶圓10(分割成各個經分割之裝置102)之中心部上方。然後，令旋轉工作台711以例如300rpm的旋轉速度旋轉，並由噴嘴部761a之噴出口噴出由純水與空氣構成之洗淨水。又，噴嘴部761a係由所謂2流體噴嘴所構成，並供給0．2MPa左右之純水，同時供給0.3~0.5MPa左右之空氣，以空氣之壓力噴出純水來洗淨砷化鎵晶圓10。此時，驅動未圖示之電動馬達，使由洗淨水供給噴嘴761之噴嘴部761a之噴出口噴出之洗淨水在由相當於保持在旋轉工作台711之半導體晶圓10之中心之位置到相當於外周部之位置的所需角度範圍內搖動。結果，分割砷化鎵晶圓10並被覆於各個裝置102表面之保護膜120係如上所述，由水溶性之聚乙烯醇形成，因此可容易清洗保護膜120，並且也可除去雷射加工時產生之殘屑150。
在上述之洗淨步驟結束後，執行乾燥步驟。即，令洗淨水供給噴嘴761定位於待機位置，使旋轉工作台711以如3000rpm之旋轉速度旋轉15秒左右。
如上所述，在蝕刻處理後之砷化鎵晶圓10之洗淨及乾燥結束後，停止旋轉工作台711之旋轉。而且，令旋轉工作台711定位於第3圖所示之被加工物搬入搬出位置，並且解除保持於旋轉工作台711之砷化鎵晶圓10之吸引保持。其次，旋轉工作台711上之加工後砷化鎵晶圓10被第1晶圓搬送機構16搬出到配設於暫置部14a之對位機構14。搬出到對位機構14之加工後之砷化鎵晶圓10由晶圓搬出搬入機構15收納於匣13之預定位置。
1．．．雷射加工裝置
711．．．旋轉工作台
2．．．裝置殼體
711a．．．吸著夾盤
3．．．夾盤工作台
712．．．電動馬達
31．．．吸著夾盤支持台
712a．．．驅動軸
32．．．吸著夾盤
713．．．支持機構
34．．．夾板
713a．．．支持腳
4．．．雷射光線照射機構
713b．．．汽缸
41．．．雷射光線發射機構
714．．．夾板機構
42．．．集光器
72．．．蝕刻液盛接機構
5．．．攝影機構
721．．．蝕刻液盛接容器
6．．．顯示機構
721a．．．外側壁
7．．．蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構
721c．．．內側壁
721b．．．底壁
71．．．旋轉工作台機構
721d．．．孔
721e‧‧‧排液口
722‧‧‧支持腳
723‧‧‧覆蓋構件
723a‧‧‧蓋部
724‧‧‧排管
74‧‧‧保護材料供給機構
741‧‧‧保護材料供給噴嘴
741a‧‧‧噴嘴部
741b‧‧‧支持部
742‧‧‧電動馬達
75‧‧‧蝕刻液供給機構
751‧‧‧蝕刻液噴嘴
751a‧‧‧噴嘴部
751b‧‧‧支持部
752‧‧‧可正逆向旋轉之電動馬達
76‧‧‧洗淨水供給機構
761‧‧‧洗淨水噴嘴
761a‧‧‧噴嘴部
761b‧‧‧支持部
10‧‧‧砷化鎵晶圓
101‧‧‧分割預定線
102‧‧‧裝置
110‧‧‧保護材料
120‧‧‧保護膜
11‧‧‧環狀框架
12‧‧‧保護膠帶
13‧‧‧匣
13a‧‧‧匣載置部
131‧‧‧匣工作台
14‧‧‧對位機構
14a‧‧‧暫置部
15‧‧‧晶圓搬入搬出機構
16‧‧‧第1晶圓搬送機構
17‧‧‧第2晶圓搬送機構
100‧‧‧砷化鎵基板
100a‧‧‧表面
140‧‧‧雷射加工溝
150‧‧‧殘屑
160‧‧‧蝕刻液
P‧‧‧集光點
X‧‧‧加工傳送方向
Y‧‧‧分度傳送方向
第1圖係依據本發明構成之雷射加工裝置之立體圖。
第2圖係剖面顯示第1圖所示之雷射加工裝置所配備之蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構之一部份之立體圖。
第3圖係顯示將第2圖所示之蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構之旋轉工作台定位於被加工物搬入搬出位置之狀態之說明圖。
第4圖係顯示將第2圖所示之蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構之旋轉工作台定位於作業位置之狀態之說明圖。
第5圖係作為由第1圖所示之雷射加工裝置加工之被加工物之砷化鎵晶圓之立體圖。
第6(a)~(b)圖係顯示使用第1圖所示之雷射加工裝置實施之保護膜被覆步驟之說明圖。
第7(a)~(b)圖係顯示使用第1圖所示之雷射加工裝置實施之雷射加工步驟之說明圖。
第8圖係藉由第7圖所示之雷射加工步驟形成雷射加工溝之砷化鎵晶圓之要部放大截面圖。
第9圖係顯示藉由第7圖所示之雷射加工步驟形成之雷射加工溝到達保護膠帶之狀態之砷化鎵晶圓之要部放大截面圖。
第10圖係顯示使用第1圖所示之雷射加工裝置實施之蝕刻步驟之說明圖。
1‧‧‧雷射加工裝置
2‧‧‧裝置殼體
3‧‧‧夾盤工作台
31‧‧‧吸著夾盤支持台
32‧‧‧吸著夾盤
34‧‧‧夾板
4‧‧‧雷射光線照射機構
41‧‧‧雷射光線發射機構
42‧‧‧集光器
5‧‧‧攝影機構
6‧‧‧顯示機構
7‧‧‧蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構
10‧‧‧砷化鎵晶圓
11‧‧‧環狀框架
12‧‧‧保護膠帶
13‧‧‧匣
13a‧‧‧匣載置部
131‧‧‧匣工作台
14‧‧‧對位機構
14a‧‧‧暫置部
15‧‧‧晶圓搬入搬出機構
16‧‧‧第1晶圓搬送機構
17‧‧‧第2晶圓搬送機構
X‧‧‧加工傳送方向
Y‧‧‧分度傳送方向
Claims (2)
- 一種雷射加工裝置，包含有：夾盤工作台，係用以保持晶圓；雷射光線照射機構，係用以將雷射光線照射於被保持在該夾盤工作台之晶圓；加工傳送機構，係使前述夾盤工作台與前述雷射光線照射機構相對地進行加工傳送；及分度傳送機構，係使前述夾盤工作台與前述雷射光線照射機構朝與前述加工傳送方向直交之分度傳送方向相對地進行分度傳送，前述雷射加工裝置之特徵在於更具有：蝕刻機構，係對雷射加工後之晶圓進行蝕刻；及搬送機構，係將被保持在該夾盤工作台之雷射加工後之晶圓搬送到前述蝕刻機構，且該蝕刻機構包含有：旋轉工作台，係用以保持並旋轉晶圓；蝕刻液供給機構，係將蝕刻液供給到被保持在前述旋轉工作台之雷射加工後之晶圓；保護材料供給機構，係將用以形成保護膜之液狀保護材料供給到被保持在該旋轉工作台之雷射加工前之晶圓的加工面；洗淨水供給機構，係供給用以將被保持在該旋轉工作台之蝕刻處理後之晶圓洗淨之洗淨水。
- 如申請專利範圍第1項之雷射加工裝置，其中前述晶圓 為砷化鎵(GaAs)晶圓，且藉由該蝕刻機構進行蝕刻之蝕刻液係由氫氧化銨與過氧化氫構成。
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