CN106847747B - 晶片的分割方法 - Google Patents

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Abstract

提供晶片的分割方法，不使含有Cu的碎屑在加工槽内成长并使碎屑不与器件的配线层接触。对晶片(W)进行分割，该晶片在上表面(W2a)具有含有Cu的配线层(W2)，并且在由分割预定线(S)划分出的区域内形成有器件(D)，该晶片的分割方法具有如下工序：激光加工槽形成工序，从配线层侧(W2)照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线而沿着分割预定线将配线层去除并形成加工槽(M)；切削工序，在实施了激光加工槽形成工序之后，使宽度比加工槽(M)的最外侧宽度Mw(Max)窄的切削刀具(60)沿着加工槽切入晶片并将晶片完全切断；以及干蚀刻工序，在实施了激光加工槽形成工序之后，至少对加工槽(M)进行干蚀刻。

Description

晶片的分割方法
技术领域
本发明涉及晶片的分割方法，将晶片分割成各个器件芯片。
背景技术
关于在正面上由分割预定线划分并形成有IC、LSI等多个器件的晶片，例如通过具有能够旋转的切削刀具的切削装置被分割成各个器件芯片，器件芯片被应用在移动电话或个人计算机等各种电子设备等。并且，在晶片的分割时，存在如下的分割方法：首先，对晶片照射激光光线并在晶片的上表面形成加工槽，之后，使切削刀具切入而将晶片完全切断。
作为利用上述分割方法来进行分割的对象，例如具有如下的晶片：在硅等半导体基板的上表面上形成有含有Cu的配线层。并且，该配线层不仅层叠在器件正面上还层叠在晶片的分割预定线上，当利用切削刀具进行切削时，存在Cu附着于切削刀具上的问题。
因此，存在如下的分割方法(例如，参照专利文献1)：首先，从晶片的正面侧沿着分割预定线照射激光光线，并通过烧蚀加工将含有Cu的配线层的局部切断/去除而形成深度达到硅基板的加工槽，接着，使切削刀具沿着该加工槽切入而将晶片完全切断。在这样的分割方法中，例如，形成具有宽度为切削刀具的宽度(刃厚)以上且为分割预定线的宽度以下的加工槽。并且，通过使切削刀具切入该加工槽，能够防止Cu附着在切削刀具上。
然而，在加工槽的形成时，配线层中所含的Cu因激光光线的照射而溶解，其局部成为附着在加工槽的侧壁、底面上的碎屑。为了去除含有该Cu的碎屑，例如存在具有能够一边进行加工一边将碎屑去除的加工喷嘴的激光加工装置(例如，参照专利文献2)。
专利文献1：日本特开2006-190779号公报
专利文献2：日本特开2007-069249号公报
即使使用在专利文献2中记载的激光加工装置，也很难将附着在加工槽上的粉状的含有Cu的碎屑完全地去除。然而，考虑到含有Cu的碎屑只要仅存在于加工槽内的话，就不会对器件造成影响，所以不需要完全去除。
然而，得知该含有Cu的碎屑会与硅和空气中的水分发生反应。即，含有Cu的碎屑与在切槽(grooving)加工中露出的硅基板接触，在加工槽的壁和底面形成作为核体的Cu3Si。该Cu3Si与空气中的水分发生反应，在Cu3Si的表面上形成由Cu2O和Cu构成的层。进而，在由Cu2O和Cu构成的层的表面上形成SiO2的层，由此，碎屑会肥厚化。其结果是，尤其对于在加工槽的壁(由露出的硅基板部分构成的壁)部分上肥厚化的碎屑而言，其表面有时会与配线层接触，由该肥厚化的碎屑与配线层发生了接触的晶片制作出的器件存在因配线短路而使器件破损的可能性。
并且，附着在硅基板上的Cu自身不能通过清洗水的清洗、干蚀刻等来去除，需要通过药液清洗或湿蚀刻来去除，所以很难去除。尤其是，关于成为问题的在由加工槽露出的硅基板部分构成的壁部分上肥厚化的碎屑，由于加工槽的宽度为切削刀具的刃厚以上，所以即使是在切削加工之后，在该状态下残存而成长的可能性也较高。
因此，在通过激光光线的照射而形成加工槽的晶片的分割方法中，存在如下的课题：不使含有Cu的碎屑在加工槽内成长，使碎屑不会与对晶片进行分割而制作出的器件的配线层接触。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶片的分割方法，不使含有Cu的碎屑在加工槽内成长，使碎屑不会与对晶片进行分割而制作出的器件的配线层接触。
用于解决上述课题的本发明是对晶片进行分割的晶片的分割方法，该晶片在上表面具有含有Cu的配线层，并且在由交叉的多条分割预定线划分出的各区域内分别形成有器件，其中，该晶片的分割方法具有如下的工序：激光加工槽形成工序，从该配线层侧照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线，从而沿着分割预定线将该配线层去除并形成加工槽；切削工序，在实施了该激光加工槽形成工序之后，使宽度比该加工槽的最外侧宽度窄的切削刀具沿着该加工槽切入晶片并将晶片完全切断；以及干蚀刻工序，在实施了该激光加工槽形成工序之后，至少对该加工槽进行干蚀刻。
在本发明的晶片分割方法中，优选还具有如下的保护膜形成工序：在实施所述干蚀刻工序之前，形成对所述器件的上表面进行保护的保护膜。
由于本发明的晶片分割方法包含在实施了激光加工槽形成工序之后至少对加工槽进行干蚀刻的干蚀刻工序，所以通过对附着有含有Cu的碎屑的部分的硅基板进行干蚀刻，能够使含有Cu的碎屑从硅基板脱离，不使含有Cu的碎屑在加工槽内成长，能够使碎屑不与对晶片进行分割而制作出的器件芯片的配线层接触。
并且，通过在干蚀刻工序的实施之前进行保护膜形成工序，形成对所述器件的上表面进行保护的保护膜，能够进一步降低干蚀刻工序中对器件的上表面的不利影响。
附图说明
图1是示出通过本发明的分割方法来分割的晶片的一例的立体图。
图2是示出晶片的层构造的局部的放大剖视图。
图3是示出在保护膜形成工序中，晶片被搬送到旋涂器上的状态的立体图。
图4是示出形成有保护膜的晶片的层构造的局部的放大剖视图。
图5是隔着粘合带被支承于环状框架的晶片的立体图。
图6是示出在激光加工槽形成工序中，从晶片的配线层侧沿着分割预定线照射激光光线的状态的立体图。
图7是示出在晶片上形成有两条加工槽的状态的局部的放大剖视图。
图8是示出在激光加工槽形成工序中所形成的晶片的加工槽上附着有含有Cu的碎屑的状态的局部的放大剖视图。
图9是示出在干蚀刻工序中使用的等离子蚀刻装置的一例的剖视图。
图10是示出干蚀刻工序结束后的晶片的局部的放大剖视图。
图11是示出在切削工序中利用切削装置对晶片进行切削的状态的立体图。
图12是示出切削工序中的、切削刀具与晶片的加工槽的位置关系的剖视图。
标号说明
40：旋涂器；400：旋转工作台；41：保护膜剂提供喷嘴；W：晶片；W1：硅基板；W2：含有Cu的配线层；W3：保护膜；S：分割预定线；D：器件；T：粘合带；F：环状框架；1：激光加工装置；11：卡盘工作台；110：吸附部；110a：保持面；111：框体；112：旋转单元；12：激光加工单元；120：外壳；120a：激光振荡器；121：聚光器；121a：镜；121b：聚光透镜；13：对准单元；130：拍摄单元；M：加工槽；G：含有Cu的碎屑；9：等离子蚀刻装置；90：静电卡盘(ESC)；900：保持工作台；901：电极；91：气体喷出头；910：气体扩散空间；911：气体导入口；912：气体喷出口；913：气体配管；92：腔；920：搬入搬出口；921：闸阀；93：气体提供部；94、94a：匹配器；95、95a：高频电源；96：排气管；97：排气装置；98：控制部；2：切削装置；30：卡盘工作台；30a：保持面；30b：旋转单元；6：切削单元；60：切削刀具；61：对准单元；610：拍摄单元；62：主轴外壳；63：主轴。
具体实施方式
以下，参照附图来说明通过本发明的分割方法对图1所示的晶片W进行分割的情况下的各工序。
图1所示的晶片W例如其外形为大致圆板形状，示出结晶方位的定向平面OF是通过将外周的局部切成平直而形成的。晶片W的正面W2a被呈格子状排列的分割预定线S划分出多个区域，在各区域内分别形成有IC等器件D。
如图2所示，晶片W的层构造构成为在由Si构成的基板W1(硅基板W1)的上表面W1a上层叠至少含有Cu的配线层W2。该配线层W2的正面W2a成为晶片W的正面W2a。分割预定线S例如具有宽度Sw，按照从晶片W的正面W2a到达配线层W2的厚度方向(Z轴方向)的中间部的深度形成。
(1)保护膜形成工序
在本发明的晶片的分割方法中，首先，实施保护膜形成工序，形成对保护器件D的上表面(晶片W的正面W2a)进行保护的保护膜W3(在图4中图示)。
在保护膜形成工序中，将晶片W载置在图3所示的旋涂器40所具有的能够旋转的旋转工作台400上，并通过使与旋涂器40连接的未图示的吸引单元进行动作而将晶片W吸引保持在旋转工作台400上。接着，从保护膜剂提供喷嘴41向被吸引保持于旋转工作台400上的晶片W的正面W2a的中心部滴下规定的量的保护膜剂，并使旋转工作台400以规定的速度旋转，由此，所滴下的保护膜剂通过离心力流动到晶片W的外周部并被校平。如图4所示，通过使该液状的保护膜剂干燥而在晶片W的正面W2a上形成厚度大致均匀的保护膜W3。另外，当在后述的激光加工槽形成工序中形成加工槽M时，形成加工槽M的部分的保护膜W3被去除。
(2)激光加工槽形成工序
在实施了保护膜形成工序之后，进行激光加工槽形成工序，例如，从配线层W2侧照射对于晶片W具有吸收性的波长的激光光线而沿着分割预定线S将配线层W2去除并形成加工槽M(在图8中图示)。
在实施激光加工槽形成工序之前，首先，如图5所示，使晶片W成为粘接在粘合带T上并被环状框架F支承的状态。
接着，经由粘合带T被环状框架F支承的状态下的晶片W被搬送并保持在图6所示的激光加工装置1的卡盘工作台11上。
在激光加工槽形成工序中使用的图6所示的激光加工装置1至少具有：卡盘工作台11，其对晶片W进行保持；激光光线照射单元12，其照射对于保持在卡盘工作台11上的晶片W具有吸收性的波长的激光光线；以及对准单元13，其对保持在卡盘工作台11上的晶片W的待形成加工槽M(在图8中图示)的分割预定线S进行检测。
卡盘工作台11例如其外形为圆形，具有对晶片W进行吸附的吸附部110和对吸附部110进行支承的框体111。吸附部110与未图示的吸引源连通，利用作为吸附部110的露出面的保持面110a来吸引保持晶片W。卡盘工作台11能够在X轴方向上往复移动，并且被配设在卡盘工作台11的底面侧的旋转单元112支承为能够旋转。
激光光线照射单元12能够在Y轴方向和Z轴方向上往复移动，例如，具有相对于卡盘工作台11水平配置的圆柱状的外壳120。并且，在外壳120内配设有激光振荡器120a，在外壳120的前端部安装有用于对从激光振荡器振荡出的激光光线进行会聚的聚光器121。聚光器121使从激光振荡器120a振荡出的激光光线在聚光器121的内部所具有的镜121a上反射，并入射到聚光透镜121b中，由此，能够使激光光线在沿着晶片W的正面W2a的面方向的任意的方向上扫描。
对准单元13具有对晶片W的正面W2a进行拍摄的拍摄单元130，该对准单元13能够根据由拍摄单元130获取的图像对晶片W的待形成加工槽M的分割预定线S进行检测。对准单元13与激光光线照射单元12构成为一体，两者连动地沿Y轴方向和Z轴方向移动。
在进行卡盘工作台11对晶片W的吸引保持时，首先，以使图6所示的卡盘工作台11的保持面110a与晶片W的背面W1b相对的方式进行对位，并将经由粘合带T被环状框架F支承的晶片W载置在卡盘工作台11上。并且，与卡盘工作台11连接的未图示的吸引源进行动作而产生的吸引力被传递到卡盘工作台11的保持面110a，由此，在以配线层W2作为上侧的状态下将晶片W吸引保持在卡盘工作台11上。另外，在图6中省略了环状框架F。
接着，在-X方向(往方向)上对保持在卡盘工作台11上的晶片W进行进给，并且通过对准单元13来检测分割预定线S。即，通过拍摄单元130对分割预定线S进行拍摄，根据拍摄得到的分割预定线S的图像，对准单元13执行图形匹配等图像处理，并对分割预定线S的位置进行检测。
随着对分割预定线S进行检测，激光光线照射单元12在Y轴方向上移动，并进行照射激光光线的分割预定线S与聚光器121的Y轴方向上的对位。该对位例如以如下的方式进行：聚光器121所具有的聚光透镜121b的光轴位于相对于分割预定线S的中心线在宽度方向上偏移的位置。
在激光光线照射单元12中，从激光振荡器120a振荡出激光光线，该激光光线的波长被设定为对于晶片W具有吸收性。并且，从激光振荡器120a振荡出的激光光线经镜121a反射并入射到聚光透镜121b。利用聚光透镜121b，使聚光点从图4所示的硅基板W1的上表面W1a朝向厚度方向(Z轴方向)对位到稍微位于下方的位置，并按照图7所示的规定的聚光光斑直径M1w(所形成的加工槽M1的宽度)从配线层W2侧对晶片W进行照射。
一边沿着分割预定线S照射激光光线，一边以规定的速度在-X方向上对晶片W进行加工进给，由此，使晶片W沿着分割预定线S烧蚀，如图7所示，形成加工槽M1并能够将该部分的配线层W2连带保护膜W3一起去除。例如，当晶片W在-X方向上行进到对一条分割预定线S照射完激光光线的X轴方向的规定的位置时，使晶片W的-X方向(往方向)上的加工进给暂时停止。如图7所示，在晶片W的分割预定线S上形成有深度比配线层W2的厚度深且宽度为M1w的加工槽M1。
接着，使聚光器121朝向+Y方向移动，将聚光器121所具有的聚光透镜121b的光轴对位在相对于分割预定线S的中心线向与加工槽M1相反的方向偏移的位置。并且，一边从配线层W2侧对晶片W照射具有规定的聚光光斑直径M2w(所形成的加工槽M2的宽度)的激光光线，一边以规定的速度在+X方向(复方向)上对晶片W进行加工进给，由此，使晶片W沿着分割预定线S烧蚀，如图7所示，形成加工槽M2并将该部分的配线层W2连带保护膜W3一起去除。那样的话，在分割预定线S的中心线的两侧形成有两条加工槽M1、M2。两条加工槽M1、M2两者都形成在分割预定线S的宽度Sw的范围内。
接着，使图6所示的聚光器121朝向+Y方向移动，并进行相对于分割预定线S上的中心线偏移的位置与聚光器121的Y轴方向上的位置对位，其中，该分割预定线S位于形成有两条加工槽M1、M2的分割预定线S的相邻位置。并且，与上述同样，一边进行往方向和返方向的加工进给一边照射激光光线，由此，在分割预定线S上形成两条加工槽M1、M2。并且，依次进行同样的激光光线的照射，由此，在同方向的全部的分割预定线S上形成两条加工槽M1、M2。进而，当使卡盘工作台11旋转90度之后进行同样的激光光线的照射时，沿着纵横全部的分割预定线S形成加工槽M1、M2。这里，将加工槽M1的-Y方向侧的侧壁与加工槽M2的+Y方向侧的侧壁的距离设为Mw。
接着，以使聚光器121所具有的聚光透镜121b的光轴位于分割预定线S的中心线的方式进行对位，在该状态下，一边在-X方向(往方向)上对晶片W进行加工进给，一边将激光光线变更为宽光束，并沿着分割预定线S照射具有规定的聚光光斑直径(可以是所形成的加工槽M的宽度Mw以下)的宽光束。那样的话，配线层W2中的残留在两条加工槽M1、M2之间的部分与其上方的保护膜W3一起被烧蚀加工，如图8所示，形成有具有最外侧宽度Mw的加工槽M。其结果是，配线层W2被加工槽M隔断。并且，如图8所示，因激光光线的照射而溶解的配线层W2的一部分附着在加工槽M的侧壁上而成为含有Cu的碎屑G。
接着，使图6所示的聚光器121朝向+Y方向移动，并进行没有形成加工槽M的分割预定线S与聚光器121的Y轴方向上的对位，其中，该分割预定线S位于形成有加工槽M的分割预定线S的相邻位置。并且，朝向+X方向(复方向)对晶片W进行加工进给，并与往方向上的激光光线的照射同样地沿着分割预定线S照射激光光线。依次进行同样的激光光线的照射，由此，对同方向的全部的分割预定线S照射激光光线。进而，当使卡盘工作台11旋转90度之后进行同样的激光光线的照射时，沿着纵横全部的分割预定线S照射激光光线，并沿着纵横全部的分割预定线S将配线层W2去除并形成加工槽M。
(3)干蚀刻工序
在激光加工槽形成工序的实施之后，例如，进行干蚀刻工序，对图8所示的加工槽M进行干蚀刻。在本工序中，虽然对加工槽M中的露出的硅基板W1的部分进行蚀刻，但对加工槽M中由硅基板W1形成的侧壁部分的蚀刻是特别重要的。
在本干蚀刻工序中，例如使用图9所示的等离子蚀刻装置9。等离子蚀刻装置9具有：静电卡盘(ESC)90，其对晶片W进行保持；气体喷出头91，其喷出气体；以及腔92，其将静电卡盘(ESC)90和气体喷出头91收纳在其内部。
静电卡盘(ESC)90被支承部件900从下方支承。在静电卡盘(ESC)90的内部配设有电极901，该电极901与匹配器94a和偏压高频电源95a连接。高频电源95a对电极901施加直流电压，由此，在静电卡盘(ESC)90的保持面上产生静电吸附力而能够对晶片W进行保持。
气体喷出头91借助轴承919自由升降地配设于腔92的上部，在该气体喷出头91的内部设置有气体扩散空间910，气体导入口911与气体扩散空间910的上部连通，气体喷出口912与气体扩散空间910的下部连通。气体喷出口912的下端朝向静电卡盘(ESC)90侧开口。
气体提供部93经由气体配管913与气体导入口911连接。在气体提供部93中分别储存有蚀刻气体和稀有气体。
高频电源95经由匹配器94与气体喷出头91连接。从高频电源95经由匹配器94向气体喷出头91提供高频电力，由此，能够使从气体喷出口912喷出的气体等离子化。
排气管96与腔92的下部连接，排气装置97与该排气管96连接。通过使该排气装置97进行动作，能够将腔92的内部减压至规定的真空度。
在腔92的侧部设置有用于进行晶片W的搬入搬出的搬入搬出口920和对该搬入搬出口920进行开闭的闸阀921。
等离子蚀刻装置9具有控制部98，在由控制部98进行的控制下，对各气体的喷出量和时间、高频电力等条件进行控制。
在干蚀刻工序中，首先，打开闸阀921并将晶片W从搬入搬出口920搬入，使粘接了粘合带T侧朝下而将晶片W载置在静电卡盘(ESC)90上。从高频电源95a对电极901施加直流电压而在静电卡盘(ESC)90的保持面上产生静电吸附力。并且，通过排气装置97对腔92内进行排气，使腔92内的压力例如成为0.10～0.15Pa，并且使储存在气体提供部93中的蚀刻气体经由气体配管913和气体导入口911从气体喷出部912喷出。另外，在图9中，省略了环状框架F。
将蚀刻气体导入腔92内，并且使静电卡盘(ESC)90的温度例如成为不从粘合带T产生气体的温度即70℃以下，并从高频电源95对气体喷出头91施加高频电力，由此，在气体喷出头91与静电卡盘(ESC)90之间产生高频电场，并使蚀刻气体等离子化。
作为蚀刻气体，例如可以使用SF6、CF4、C2F6、C2F4等氟类气体。并且，作为等离子辅助气体，也可以使用Ar、He等稀有气体。例如，在晶片W的直径为300mm的情况下，高频电力的输出为3kW、高频电力的频率为13.56MHz以及Ar等稀有气体会有助于蚀刻气体的等离子化。另外，在导入蚀刻气体之前进行向腔92的稀有气体的导入。
作为本工序中的具体的实施条件，在晶片W的直径为300mm的情况下，能够利用以下的条件A来进行蚀刻。即，在本工序中，以去除碎屑G为目的，该碎屑G是在激光加工槽形成工序中产生的图8所示的含有Cu的碎屑G中的、尤其是附着于在加工槽M中露出的硅基板W1的侧壁部分的碎屑G。其原因是。附着于硅基板W1的侧壁部分的碎屑G是在成长后的情况下与含有Cu的配线层W2接触的可能性最高的碎屑。并且，虽然附着于硅基板W1的侧壁部分的碎屑G自身不被蚀刻，但由于该碎屑G仅以微小的接触面积附着在硅基板W1的侧壁表面上，所以仅在宽度方向(图中的Y轴方向)上对硅基板W1的侧壁部分进行轻微地蚀刻，就能够使碎屑G从硅基板W1的侧壁部分脱离。即，能够一边保持由干蚀刻实现的各向同性的形状(即，Y轴方向与Z轴方向为均等的蚀刻速率)，一边至少通过在各向同性蚀刻中沿横方向(Y轴方向)的蚀刻来使附着于硅基板W1的侧壁部分的碎屑G脱离。或者，蚀刻成残留有接合部的程度，该碎屑G以能够脱离的方式仅与该接合部接合。也就是说，即使在碎屑G因接合部而没有脱离的情况下，硅基板W1与碎屑G也不会发生反应。
(条件A)
蚀刻气体：SF6气体
等离子辅助气体Ar气体
蚀刻气体提供量：1500cc/分钟
等离子辅助气体提供量：1000cc/分钟
高频电力的输出：3kW
对器件D的配线层W2进行保护的保护膜W3几乎不被蚀刻气体蚀刻，仅对形成于晶片W的正面W2a的与加工槽M对应的部分进行各向同性蚀刻。另外，在加工槽M中，露出的含有Cu的配线层W2的侧壁部分(配线层W2的端面)也被蚀刻。并且，加工槽M中的露出的硅基板W1的侧壁部分也在横方向上被蚀刻，硅基板W1的底面部分也向下方被蚀刻。其结果是，如图10所示，至少从加工槽M的硅基板W1的侧壁部分起成为碎屑G容易被去除的状态。
在适当地进行了干蚀刻之后，停止高频电力的施加，将晶片W从图9所示的搬入搬出口920搬出。另外，如本实施方式那样，在首先实施了(1)保护膜形成工序的情况下，也可以在完成干蚀刻工序之后将晶片W的保护膜W3去除。由于能够简单地进行保护膜的形成和去除，所以能够使用水溶性树脂来形成保护膜W3，并在完成干蚀刻工序之后当对晶片W进行水洗时容易地将保护膜W3去除。
(4)切削工序
在本实施方式中，在实施了干蚀刻工序之后，实施切削工序，使宽度比加工槽M的最外侧宽度Mw窄的图11所示的切削刀具60切入晶片W并将晶片W完全切断。由于使用水溶性树脂来形成保护膜W3，所以在切削工序中通过切削水来溶解保护膜W3而将其从晶片W去除。
在切削工序中使用的图11所示的切削装置2至少具有：卡盘工作台30，其对晶片W进行保持；切削单元6，其具有对保持在卡盘工作台30上的晶片W进行切削的切削刀具60；以及对准单元61，其对保持在卡盘工作台30上的晶片W的待使切削刀具60切入的加工槽M进行检测。对准单元61具有对晶片W的正面W2a进行拍摄的拍摄单元610，该对准单元61能够根据由拍摄单元610获取的图像对加工槽M进行检测。对准单元61与切削单元6构成为一体，两者连动地沿Y轴方向和Z轴方向移动。卡盘工作台30构成为利用保持面30a对晶片进行吸引保持，并被配设在底面侧的旋转单元30b支承为能够旋转。并且，能够通过未图示的切削进给单元来进行X轴方向上的移动。
主轴63以能够旋转的方式收纳在切削单元6的主轴外壳62中，主轴63的轴向成为在水平方向上与X轴方向垂直的方向(Y轴方向)。主轴63的前端部从主轴外壳62向-Y方向突出，切削刀具60以能够与主轴63同轴旋转的方式安装在该前端部。并且，通过未图示的电动机来旋转驱动主轴63，切削刀具60也随之高速旋转。如图12所示，切削刀具60的宽度(刃厚)60w被设定为比加工槽M的最外侧宽度Mw窄。
在切削工序中，首先，以使卡盘工作台30的保持面30a与粘接在晶片W的背面W1b的粘合带T侧相对的方式进行对位，接着，将经由粘合带T被环状框架F(在图中未图示)支承的晶片W载置在卡盘工作台30上。并且，使与卡盘工作台30连接的未图示的吸引单元动作而将晶片W吸引保持在卡盘工作台30上。另外，虽然未进行图示，但例如在卡盘工作台30的周围配设有多个夹具部，将环状框架F固定在夹具部上。
进而，通过未图示的切削进给单元在-X方向上对保持在卡盘工作台30上的晶片W进行进给，并且通过拍摄单元610来拍摄晶片W的正面W2a而对待切削的加工槽M的位置进行检测。随着对加工槽M进行检测，通过未图示的分度进给单元在Y轴方向上对切削单元6进行驱动，并进行待切削的加工槽M与切削刀具60的Y轴方向上的定位。该定位是以切削刀具60的宽度60w的中点位置与加工槽M的最大宽度Mw的中点位置重合的方式来进行的。
未图示的切削进给单元进一步在-X方向上对保持晶片W的卡盘工作台30进行进给，并且未图示的切入进给单元使切削单元6在-Z方向上下降。并且，未图示的电动机使主轴63高速旋转，固定在主轴63上的切削刀具60一边随着主轴63的旋转而高速旋转，一边切入晶片W中，对加工槽M进行切削并将晶片W完全切断。
当晶片W被进给到切削刀具60将分割预定线S切削完毕的X轴方向的规定的位置时，暂时停止由未图示的切削进给单元进行的晶片W的切削进给，未图示的切入进给单元使切削刀具60从晶片W离开，接着，未图示的切削进给单元使晶片W返回到原来的位置。并且，一边按照相邻的加工槽M的间隔在Y轴方向上对切削刀具60进行分度进给，一边依次进行同样的切削，由此，使切削刀具60切入晶片W的正面W2a的同方向的全部的加工槽M并将晶片W完全切断。进而，在通过旋转单元30b使晶片W旋转90度之后进行同样的切削，由此，使切削刀具60切入晶片W的正面W2a的全部的加工槽M并将晶片W完全切断，从而制作出器件D。
在本发明的晶片的分割方法中，晶片W在上表面W2a具有含有Cu的配线层W2，并且在由分割预定线S划分出的区域内形成有器件D，在该晶片W的分割中通过实施如下的工序来对附着有含有Cu的碎屑G的部分的硅基板W1进行干蚀刻，由此，使含有Cu的碎屑G从硅基板W1脱离，并使含有Cu的碎屑G不在加工槽M内成长，能够使碎屑G不与对晶片进行分割而制作出的器件D的配线层W2接触，其中，这些工序为：激光加工槽形成工序，从配线层W2侧照射对于晶片W具有吸收性的波长的激光光线，沿着分割预定线S将配线层W2去除而形成加工槽M；切削工序，在实施了激光加工槽形成工序之后，使宽度比加工槽M的最外侧宽度Mw窄的切削刀具60沿着加工槽M切入晶片W并将晶片W完全切断；以及干蚀刻工序(本实施方式中，在切削工序之前实施)，在实施了激光加工槽形成工序之后，至少对加工槽M进行干蚀刻。
另外，本发明的晶片的分割方法并不仅限定于本实施方式。并且，对于在附图中图示的旋涂器40、激光加工装置1、等离子蚀刻装置9和切削装置2的各结构的大小或形状等也并不仅限于此，能够在发挥本发明的效果的范围内进行适当变更。

Claims (2)

1.一种晶片的分割方法，沿着分割预定线对晶片进行分割，该晶片在基板的上表面具有含有Cu的配线层，并且在由包含该配线层的分割预定线划分出的区域内形成有器件，其中，该晶片的分割方法具有如下的工序：
激光加工槽形成工序，从该配线层侧照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线，从而沿着分割预定线将该配线层切断并形成到达该基板的加工槽；
切削工序，在实施了该激光加工槽形成工序之后，使宽度比该加工槽的最外侧宽度窄的切削刀具沿着该加工槽切入晶片并将晶片完全切断；以及
干蚀刻工序，在实施了该激光加工槽形成工序之后，至少对该加工槽内的该配线层被切断的部分进行干蚀刻，从而将在该激光加工槽形成工序中产生的含有该Cu的碎屑去除，防止该碎屑在该加工槽内成长。
2.根据权利要求1所述的晶片的分割方法，其中，
该晶片的分割方法还具有如下的保护膜形成工序：在实施所述干蚀刻工序之前，形成对所述器件的上表面进行保护的保护膜。
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