JP7072993B2 - チップ製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、ウェーハを分割してチップを製造するチップ製造方法に関する。
半導体デバイスチップの製造工程においては、分割予定ライン(ストリート)によって区画された領域にそれぞれIC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等のデバイスが形成された半導体ウェーハが用いられる。この半導体ウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、デバイスをそれぞれ備える複数の半導体デバイスチップが得られる。同様に、LED(Light Emitting Diode)等の光デバイスが形成された光デバイスウェーハを分割することにより、光デバイスチップが製造される。
上記の半導体ウェーハや光デバイスウェーハなどに代表されるウェーハの分割には、例えばウェーハを保持するチャックテーブルと、ウェーハを切削する円環状の切削ブレードが装着されるスピンドルとを備える切削装置が用いられる。チャックテーブルによってウェーハを保持し、切削ブレードを回転させてウェーハに切り込ませることにより、ウェーハが切断される。
ウェーハの分割予定ラインには、デバイスの配線や電極等を構成する金属層の一部が形成される場合がある。このようなウェーハに切削ブレードを切り込ませると、分割予定ラインに形成された金属層が回転する切削ブレードと接触して引き延ばされ、髭状のバリが発生する。このバリは、ウェーハの分割によって得られたチップの配線や電極の短絡や、ボンディング不良などの原因となる。
そこで、切削ブレードでウェーハを切削する前に、分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射することによってウェーハに加工溝を形成する手法が提案されている(例えば、特許文献1)。この手法によれば、レーザービームの照射によって分割予定ラインに形成された金属層が除去されるため、その後に切削ブレードによってウェーハを切削する際、バリの発生が抑制される。
しかしながら、レーザービームの照射によって金属層を除去すると、金属を含むデブリが発生して加工溝の内部に付着することがある。そして、このデブリがCuを含み、ウェーハがSiを含む場合、ウェーハと接触したデブリが時間の経過とともに成長、肥大化することが確認されている。そして、肥大化したデブリが切削された金属層と接触すると、チップの配線や電極の短絡を引き起こすことがある。そのため、デブリは除去されることが望まれる。
例えば特許文献2には、レーザービームの照射によって発生したデブリをドライエッチングによって除去する手法が開示されている。このようにデブリを除去することにより、配線や電極の短絡によるチップの品質低下を防止できる。
特開2006-190779号公報 特開2017-92363号公報
前述の通り、ウェーハにレーザービームを照射することによって発生したデブリはチップの品質低下の原因となるため、除去されることが好ましい。しかしながら、ドライエッチングによってデブリを除去する場合、ドライエッチングを実施するための装置が必要となり、チップの製造コストの増大を招く。
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、チップの製造コストの増大を抑えつつ、チップの品質低下を防止することが可能なチップ製造方法を提供することを課題とする。
本発明の一態様によれば、複数の分割予定ラインによって区画された領域に形成されたデバイスと、該分割予定ラインに形成されたCuを含む金属層と、を表面側に備えるSiを含むウェーハを分割してチップを製造するチップ製造方法であって、該ウェーハの表面側に保護膜を形成する保護膜形成ステップと、該保護膜形成ステップの実施後、該ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザービームを該ウェーハの表面側から該分割予定ラインに沿って照射して、該金属層を除去しつつ該ウェーハに加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、該レーザー加工溝形成ステップの実施後、該加工溝の形成によって発生し該加工溝の内部に付着したデブリの肥大化を促進させる肥大化促進ステップと、該肥大化促進ステップの実施後、該加工溝に沿って該ウェーハを分割する分割ステップと、を含むチップ製造方法が提供される。
また、本発明の一態様において、該チップ製造方法は、該肥大化促進ステップの実施後に、該保護膜を除去する除去ステップを更に含んでいてもよい。また、本発明の一態様において、該分割ステップでは、該加工溝の幅よりも幅が小さい切削ブレードを該加工溝に沿って該ウェーハに切り込ませ、ウェーハを分割してもよい。
また、本発明の一態様において、該肥大化促進ステップでは、温度が50℃以上200℃以下の環境下に該ウェーハを配置することで該デブリの肥大化を促進させてもよい。また、本発明の一態様において、該肥大化促進ステップでは、湿度が75%以上の環境下に該ウェーハを配置することで該デブリの肥大化を促進させてもよい。
本発明の一態様に係るチップ製造方法では、レーザービームの照射によってウェーハに加工溝を形成した後、加工溝の内部に付着したデブリを肥大化させる処理を行う。デブリを肥大化させると、後の工程(切削ブレードによるウェーハの切削など)を実施する際、同時にデブリが除去されやすくなる。そのため、大掛かりな工程を実施することなくデブリを容易に除去でき、チップの製造コストの増大を抑えつつチップの品質低下を防止できる。
ウェーハを示す斜視図である。 ウェーハを示す断面図である。 フレームユニットを示す斜視図である。 保護膜が形成されたウェーハを示す断面図である。 レーザー加工装置を示す斜視図である。 図6(A)は加工溝が形成されたウェーハを示す断面図であり、図6(B)はデブリが肥大化した様子を示す断面図である。 切削装置を示す斜視図である。 分割ステップの様子を示す断面図である。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。まず、本実施形態に係るチップ製造方法に用いることが可能なウェーハの構成例について説明する。図1はウェーハ11を示す斜視図である。ウェーハ11は円盤状に形成されており、表面11a及び裏面11bを備える。
ウェーハ11は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン(ストリート)13によって複数の領域に区画されている。この複数の領域の表面11a側にはそれぞれ、IC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等で構成されるデバイス15が形成されている。
ウェーハ11は、Siを含む材料によって形成されている。例えばウェーハ11は、Si、SiC、SiGe等の材料によって形成できる。なお、ウェーハ11の形状、大きさ等に制限はない。また、デバイス15の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。
図2は、ウェーハ11を示す断面図である。図2に示すように、ウェーハ11の表面11a側には、デバイス15を構成する金属層や絶縁層などを備える積層体17が形成されている。また、隣接するデバイス15の間には、Cuを含む金属層19が分割予定ライン13を覆うように形成されている。
金属層19は、例えばデバイス15を構成する配線層や電極などに相当する。すなわち、図2では便宜上、積層体17と金属層19とをそれぞれ個別に示しているが、金属層19が積層体17を構成する層の一部であり、この金属層19の一部が分割予定ライン13上まで形成されていてもよい。つまり、積層体17と金属層19とは連結された状態で一体として形成されていてもよい。
ただし、金属層19の態様はこれに限られない。例えば金属層19は、デバイス15の動作を評価するためのTEG(Test Element Group)を構成する金属層などであってもよい。
上記のウェーハ11を環状フレームで支持することにより、フレームユニットが構成される。図3はフレームユニット25を示す斜視図である。図3に示すように、ウェーハ11の裏面11b側は、樹脂等の材料でなりウェーハ11よりも径の大きい円形のテープ21の中央部に貼付される。また、テープ21の外周部は、中央部に円形の開口23aを備える環状フレーム23に貼付される。これにより、テープ21を介して環状フレーム23に支持されたウェーハ11を備えるフレームユニット25が構成される。
分割予定ライン13に沿ってウェーハ11を分割することにより、デバイス15をそれぞれ含む複数のチップが得られる。ウェーハ11の分割は、例えば円環状の切削ブレードによってウェーハ11を分割予定ライン13に沿って切削することにより実施される。ただし、図2に示すように分割予定ライン13には金属層19が形成されているため、切削ブレードを分割予定ライン13に沿って切り込ませると、金属層19に含まれる金属が切削ブレードと接触して引き延ばされ、髭状のバリが発生することがある。
そのため本実施形態では、切削ブレードによってウェーハ11を切削する前に、分割予定ライン13に沿ってレーザービームを照射して金属層19を除去する。これにより、ウェーハ11を分割する際の切削ブレードと金属層19との接触を避け、バリの発生を防止できる。以下、本実施形態に係るチップ製造方法の具体例を説明する。
まず、ウェーハ11の表面11a側に、デバイス15を保護する保護膜を形成する(保護膜形成ステップ)。図4は、保護膜27が形成されたウェーハ11を示す断面図である。保護膜27は、ウェーハ11の表面11a側を覆うように形成される。なお、保護膜27は、PVA(ポリビニルアルコール)、PEG(ポリエチレングリコール)などの水溶性の樹脂によって形成することが好ましい。保護膜27に水溶性の樹脂を用いることにより、後の工程で保護膜27を容易に除去することが可能となる。
次に、ウェーハ11の分割予定ライン13に沿ってレーザービームを照射することにより、金属層19を除去しつつウェーハ11に加工溝を形成する(レーザー加工溝形成ステップ)。ウェーハ11へのレーザービームの照射は、レーザー加工装置を用いて実施される。
図5は、レーザー加工装置2を示す斜視図である。レーザー加工装置2は、ウェーハ11を保持するチャックテーブル4と、チャックテーブル4によって保持されたウェーハ11にレーザービームを照射するレーザー加工ユニット6とを備える。
チャックテーブル4は、テープ21を介してウェーハ11を吸引保持する。具体的には、チャックテーブル4の上面がウェーハ11を保持する保持面を構成しており、この保持面はチャックテーブル4の内部に形成された吸引路(不図示)を通じて吸引源(不図示)と接続されている。
チャックテーブル4の周囲には、環状フレーム23を把持して固定する複数のクランプ(不図示)が設けられている。また、チャックテーブル4は、チャックテーブル4の下部側に設けられた移動機構(不図示)及び回転機構(不図示)と連結されている。チャックテーブル4は、移動機構によってX軸方向(加工送り方向)及びY軸方向(割り出し送り方向)に移動し、回転機構によってZ軸方向(鉛直方向)に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
ウェーハ11は、表面11a側が上方に露出するように、テープ21を介してチャックテーブル4の保持面によって支持される。また、チャックテーブル4の周囲に備えられたクランプによって環状フレーム23が固定される。この状態でチャックテーブル4の保持面に吸引源の負圧を作用させると、ウェーハ11がチャックテーブル4によって吸引保持される。
チャックテーブル4の上方には、レーザー加工ユニット6が配置されている。レーザー加工ユニット6は、少なくとも一部がウェーハ11に吸収される波長のレーザービーム(ウェーハ11に対して吸収性を有する波長のレーザービーム)を所定の位置で集光させるように構成されている。例えばレーザー加工ユニット6は、YAGレーザー、YVOレーザーなどのパルスレーザービーム発振器(不図示)と、パルスレーザービーム発振器から発振されたパルスレーザービームを集光する集光器(不図示)とを備える。
また、レーザー加工ユニット6の側方には、チャックテーブル4によって保持されたウェーハ11等を撮像するための撮像ユニット8が配置されている。この撮像ユニット8によって取得される画像に基づいてチャックテーブル4及びレーザー加工ユニット6の位置が制御され、ウェーハ11に対するレーザービームの照射位置が調節される。
ウェーハ11にレーザービームを照射する際は、チャックテーブル4をレーザー加工ユニット6の下に移動させ、レーザー加工ユニット6からウェーハ11に対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射しながらチャックテーブル4を加工送り方向(X軸方向)に移動させる。これにより、レーザービームが分割予定ライン13に沿って照射され、ウェーハ11には線状の加工溝が形成される。
図6(A)は、加工溝11cが形成されたウェーハ11を示す断面図である。ウェーハ11にレーザービームが照射されると、ウェーハ11の表面11a側にアブレーション加工が施される。その結果、図6(A)に示すように、側壁11d,11e及び底部11fによって構成され、その深さが金属層19の厚さを超える加工溝11cが形成され、分割予定ライン13に形成された金属層19が除去される。なお、図6(A)に示すように、金属層19の一部は加工溝11cの両端に残留していてもよい。
Cuを含む金属層19に対してアブレーション加工を施すと、加工溝11cの側壁11d,11eや底部11fにCuを含むデブリ29が付着することがある。そして、加工溝11cの内部にデブリ29が残留した状態で時間が経過すると、デブリ29が成長して肥大化する。この肥大化は、デブリ29に含まれるCuと、ウェーハ11に含まれるSi及び空気中の水分とが反応することによって生じていると考えられる。
具体的には、レーザービームの照射によって発生したデブリ29が加工溝11cの内部で側壁11d,11e又は底部11fに接触すると、デブリ29に含まれるCuとウェーハ11に含まれるSiとが反応して、デブリ29の成長の核となるCuSiが形成される。そして、このCuSiが空気中に含まれる水分と反応すると、CuSiの表面にCuOとCuとを含む層が形成される。
デブリ29の肥大化は、上記のような過程を経て生じていると推察される。そして、加工溝11cの内部に付着したデブリ29の肥大化が進むと、デブリ29が金属層19等と接触して短絡が生じ、ウェーハ11を分割して得たチップの品質低下を招くことがある。そのため、デブリ29は除去されることが好ましい。
本実施形態においては、レーザービームの照射によってウェーハ11に加工溝11cを形成した後、加工溝11cの内部に付着したデブリ29の肥大化を促進させる処理を行う(肥大化促進ステップ)。デブリ29を肥大化させると、後の工程(切削ブレードによるウェーハの切削など)を実施する際、同時にデブリ29が除去されやすくなる。そのため、ドライエッチングなどの大掛かりな工程を追加することなくデブリ29を容易に除去でき、チップの製造コストの増大を抑えつつチップの品質低下を防止できる。
デブリ29の肥大化は、上記のようにデブリ29に含まれるCuと、ウェーハ11に含まれるSi及び水分との反応(以下、肥大化反応)によって生じると推察される。そのため、肥大化反応を促進させると、デブリ29の肥大化も促進されると考えられる。
肥大化反応の促進は、ウェーハ11を高温又は高湿の環境下に配置することによって実施できる。例えば、湿度が75%以上の環境下、又は温度が50℃以上200℃以下の環境下にウェーハ11を配置することにより、肥大化反応が促進される。また、これらの条件を同時に満たす環境下にウェーハ11を配置してもよい。
なお、前述の通り肥大化反応にはCuSiと水分との反応が含まれる。そのため、デブリ29の肥大化を促進するためには、特にウェーハ11を湿度が75%以上の高湿環境下に配置することが好ましい。
なお、肥大化反応を促進させる処理は上記に限られない。例えば、圧力が大気圧よりも高い高圧環境下にウェーハ11を配置してもよい。また、温度が高温と低温とで交互に変化する環境下にウェーハ11を配置してもよい。なお、高温は室温よりも高い温度(例えば150℃程度)に設定でき、低温は室温よりも低い温度(例えば-65℃程度)に設定できる。
また、テープ21(図3参照)は、肥大化促進ステップの実施中にウェーハ11の保持に支障が出ない程度の耐熱性を有する材料でなることが好ましい。この場合、肥大化促進ステップの実施前にウェーハ11からテープ21を剥離する必要がないため、工程の簡略化を図ることができる。
上記の肥大化促進ステップを実施すると、加工溝11cの内部に付着したデブリ29が肥大化する。図6(B)は、デブリ29が肥大化した様子を示す断面図である。デブリ29の発生時にはデブリ29の径は例えば1μm以下程度であるが、肥大化反応を促進させることにより、デブリ29の径は例えば10μm程度まで増大する。
次に、ウェーハ11を加工溝11cに沿って分割する(分割ステップ)。ウェーハ11の分割は、例えば環状の切削ブレードが装着された切削装置を用いてウェーハ11を切削することによって行う。
図7は、切削装置10を示す斜視図である。切削装置10は、ウェーハ11を保持するチャックテーブル12と、チャックテーブル12によって保持されたウェーハ11を切削する切削ブレード18を備えた切削ユニット14とを備える。
チャックテーブル12は、テープ21を介してウェーハ11を吸引保持する。具体的には、チャックテーブル12の上面がウェーハ11を保持する保持面を構成しており、この保持面はチャックテーブル12の内部に形成された吸引路(不図示)を通じて吸引源(不図示)と接続されている。
チャックテーブル12の周囲には、環状フレーム23を把持して固定する複数のクランプ(不図示)が設けられている。また、チャックテーブル12は、チャックテーブル12の下部側に設けられた移動機構(不図示)及び回転機構(不図示)と連結されている。チャックテーブル12は、移動機構によってX軸方向(加工送り方向)及びY軸方向(割り出し送り方向)に移動し、回転機構によってZ軸方向(鉛直方向)に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
ウェーハ11は、表面11a側が上方に露出するように、テープ21を介してチャックテーブル12の保持面によって支持される。また、チャックテーブル12の周囲に備えられたクランプによって環状フレーム23が固定される。この状態でチャックテーブル12の保持面に吸引源の負圧を作用させると、ウェーハ11がチャックテーブル12によって吸引保持される。
チャックテーブル4の上方には、切削ユニット14が配置されている。切削ユニット14は、スピンドルハウジング16を備え、スピンドルハウジング16内にはモータ等の回転駆動源と接続されたスピンドル(不図示)が収容されている。スピンドルの先端部はスピンドルハウジング16の外部に露出しており、この先端部には円環状の切削ブレード18が装着されている。
切削ブレード18は、ダイヤモンド等でなる砥粒をボンド材で結合することにより形成される。ボンド材としては、例えばメタルボンド、レジンボンド、ビトリファイドボンドなどが用いられる。スピンドルを回転させることによって切削ブレード18を回転させ、切削ブレード18をチャックテーブル12によって保持されたウェーハ11に切り込ませることにより、ウェーハ11の切削加工が行われる。
また、切削ユニット14の側方には、チャックテーブル12によって保持されたウェーハ11等を撮像するための撮像ユニット20が配置されている。この撮像ユニット20によって取得される画像に基づいて、チャックテーブル12の位置と切削ユニット14の位置とが制御される。
図8は、分割ステップの様子を示す断面図である。切削ブレード18によってウェーハ11を切削する際は、まず、切削ブレード18の下端18aがウェーハ11の裏面11bよりも下方に配置されるように切削ユニット14を位置付ける。この状態でチャックテーブル12を加工送り方向に移動させる(加工送り)と、切削ブレード18とウェーハ11とが分割予定ライン13に沿って相対的に移動する。その結果、切削ブレード18がウェーハ11に切り込み、ウェーハ11は加工溝11cに沿って切断される。
切削ブレード18の幅は加工溝11cの幅よりも小さく、切削ブレード18は図8に示すように加工溝11cの側壁11d,11eに挟まれた領域を通過するようにウェーハ11を切削する。加工溝11cが形成された領域では金属層19が除去されているため、切削ブレード18と金属層19との接触によるバリの発生が回避される。
また、ウェーハ11の切削時、切削ブレード18は加工溝11cの内部に付着したデブリ29(図6(B)参照)と接触してデブリ29を除去する。デブリ29は肥大化促進ステップを経て肥大化しているため、ウェーハ11の切削時に切削ブレード18と接触しやすく、除去されやすい。
なお、切削ブレード18の具体的な幅や位置は、デブリ29の大きさに応じて適宜設定される。例えば、切削ブレード18を加工溝11cに沿って切り込ませた際、切削ブレード18の側面18bと側壁11dとの間の距離、及び、切削ブレード18の側面18cと側壁11eとの間の距離が、デブリ29の径(例えば、10μm程度)未満となるように、切削ブレード18の寸法や位置を設定する。また、同一の加工溝11cに沿って切削ブレード18を2回ずつ切り込ませ、側壁11d側に付着したデブリ29の除去と、側壁11e側に付着したデブリ29の除去とを別々に行ってもよい。
このように分割ステップでは、ウェーハ11の分割とデブリ29の除去とが同一工程で実施される。これにより、新たな工程を追加することなくデブリ29を除去できる。
また、切削ブレード18でウェーハ11を切削する際には、切削ブレード18及びウェーハ11に純水等の切削液が供給される。この切削液の供給により、切削ブレード18及びウェーハ11が冷却されるとともに、切削によって生じた屑(切削屑)が洗い流される。このとき、切削ブレード18によって除去されたデブリ29も同時に洗い流されるため、デブリ29がウェーハ11に残留することを防止できる。
また、保護膜27が水溶性の樹脂でなる場合、ウェーハ11に切削液が供給されると保護膜27が除去される。すなわち、分割ステップの実施によって保護膜27の除去も行われるため、保護膜27を除去するための処理を別途実施する必要がなく、工程が簡略化される。
ただし、分割ステップの実施後に保護膜27が残留している場合には、ウェーハ11に純水などを供給することにより、保護膜27を除去する工程を別途実施してもよい(除去ステップ)。また、保護膜27は、純水と気体(エアー等)との混合流体をウェーハ11に噴射することによって除去してもよい。
そして、全ての分割予定ライン13に沿ってウェーハ11を切断すると、ウェーハ11はデバイス15をそれぞれ備える複数のチップに分割される。本実施形態においては、分割ステップにおいてデブリ29が除去されるため、デブリ29のチップへの付着を回避でき、チップの品質低下を防止できる。
なお、上記では切削ブレード18を用いてウェーハ11を分割する例について説明したが、ウェーハ11を分割する方法は上記に限定されない。例えば、レーザー加工装置やプラズマエッチング装置などを用いて分割ステップを実施してもよい。
レーザー加工装置を用いる場合は、レーザービームを加工溝11cに沿って照射することにより、ウェーハ11の内部に改質された層(改質層)を分割予定ライン13に沿って形成する。この改質層が形成された領域はウェーハ11の他の領域よりも脆くなるため、改質層が形成されたウェーハ11に外力を付与すると、改質層を起点としてウェーハ11が分割される。ウェーハ11への外力の付与は、例えばテープ21を拡張することによって実施される。
プラズマエッチング装置を用いる場合は、ウェーハ11の加工溝11c以外の領域を覆うマスクを形成した状態で、ウェーハ11をプラズマエッチングによって加工する。これにより、ウェーハ11が加工溝11cに沿ってエッチングされて分割される。
上記のように、切削ブレード18による切削以外の方法によってウェーハ11を分割する場合は、肥大化促進ステップの後、保護膜27を除去する工程を実施する(除去ステップ)。この除去ステップでは、ウェーハ11に純水などの洗浄液を供給して水溶性の樹脂でなる保護膜27を除去する。
除去ステップでは、例えばノズルから純水等の洗浄液をウェーハ11に向かって噴射する。ウェーハ11に洗浄液が噴射されると、保護膜27が除去されるとともに、加工溝11cの内部に付着している肥大化したデブリ29が洗浄液によって洗い流され、除去される。
以上の通り、本実施形態に係るチップ製造方法では、レーザービームの照射によってウェーハ11に加工溝11cを形成した後、加工溝11cの内部に付着したデブリ29を肥大化させる処理を行う。デブリ29を肥大化させると、後の工程(切削ブレード18によるウェーハ11の切削など)を実施する際、同時にデブリ29が除去されやすくなる。そのため、大掛かりな工程を追加することなくデブリ29を容易に除去でき、チップの製造コストの増大を抑えつつチップの品質低下を防止できる。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
11 ウェーハ
11a 表面
11b 裏面
11c 加工溝
11d,11e 側壁
11f 底部
13 分割予定ライン
15 デバイス
17 積層体
19 金属層
21 テープ
23 環状フレーム
23a 開口
25 フレームユニット
27 保護膜
29 デブリ
2 レーザー加工装置
4 チャックテーブル
6 レーザー加工ユニット
8 撮像ユニット
10 切削装置
12 チャックテーブル
14 切削ユニット
16 スピンドルハウジング
18 切削ブレード
18a 下端
18b,18c 側面
20 撮像ユニット

Claims (5)

  1. 複数の分割予定ラインによって区画された領域に形成されたデバイスと、該分割予定ラインに形成されたCuを含む金属層と、を表面側に備えるSiを含むウェーハを分割してチップを製造するチップ製造方法であって、
    該ウェーハの表面側に保護膜を形成する保護膜形成ステップと、
    該保護膜形成ステップの実施後、該ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザービームを該ウェーハの表面側から該分割予定ラインに沿って照射して、該金属層を除去しつつ該ウェーハに加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、
    該レーザー加工溝形成ステップの実施後、該加工溝の形成によって発生し該加工溝の内部に付着したデブリの肥大化を促進させる肥大化促進ステップと、
    該肥大化促進ステップの実施後、該加工溝に沿って該ウェーハを分割する分割ステップと、を含むことを特徴とするチップ製造方法。
  2. 該肥大化促進ステップの実施後に、該保護膜を除去する除去ステップを更に含むことを特徴とする、請求項1に記載のチップ製造方法。
  3. 該分割ステップでは、該加工溝の幅よりも幅が小さい切削ブレードを該加工溝に沿って該ウェーハに切り込ませ、該ウェーハを分割することを特徴とする、請求項1または2に記載のチップ製造方法。
  4. 該肥大化促進ステップでは、温度が50℃以上200℃以下の環境下に該ウェーハを配置することで該デブリの肥大化を促進させることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載のチップ製造方法。
  5. 該肥大化促進ステップでは、湿度が75%以上の環境下に該ウェーハを配置することで該デブリの肥大化を促進させることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載のチップ製造方法。
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