JP4427308B2 - 半導体ウェーハの分割方法 - Google Patents
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Description
研削装置10は、ターンテーブル11と、該ターンテーブル11に等間隔をもって設けた複数(4個)のチャックテーブル12a〜12dと、これらチャックテーブルの内2つのチャックテーブルと対峙する状態に配設された第1および第2の研削砥石13、14と、これら研削砥石13、14を駆動する第1および第2の駆動部15、16と、これら駆動部15、16を支持し上下方向の移動をガイドする第1および第2のガイド部17、18と、該ガイド部17、18に沿って前記両駆動部15、16を上下方向に精密に移動させる第1および第2の移動用駆動部19、20を備えている。
その後に、切削溝が形成された半導体ウェーハの表面側に経時的に固化する液状樹脂を介してハードプレートを貼着し、該液状樹脂は毛細管現象により切削溝に僅かに浸透して各半導体チップを浸透した液状樹脂によって囲繞させることによって、ウェーハの剛性を向上させると共に切削溝を埋めて各半導体チップの表面側を覆って、その後に行われるエッチング処理の薬品に対して半導体チップの表面を保護している。
半導体ウェーハを貼着したハードプレート側を研削装置のチャックテーブルに載置して前記切削溝が半導体ウェーハの裏面に表出するまで、または表出する直前まで半導体ウェーハの裏面を研削し、更に、前記ハードプレートに貼着された半導体ウェーハの裏面をエッチングして半導体チップの裏面と半導体チップ裏面の外周辺から、ダイシング工程または研削工程による機械的加工によって残留している加工歪みを除去することによって抗折強度を向上させている。
その後に液状樹脂に紫外線を照射する等の外的刺激を付与して粘着力を低下させて、ハードプレートから半導体チップを容易に取り外すことができるようにしたものであり、抗折強度を向上させた薄型の半導体チップを効率よく分割できるのであり、小型・薄型化の半導体チップの製造に広く利用することができるのである。
5 切削溝; 6 ブレード; 7 液状樹脂; 8 ハードプレート:
9 加工歪み; 10 研削装置; 11 ターンテーブル;
12a〜12d チャックテーブル; 13、14 研削砥石;
15、16 駆動部; 17、18 ガイド部; 19、20 移動用駆動部;
21 キーボード; 22 出し入れ用アーム; 23 供給用アーム;
23a、24a、29a 吸着パッド; 24 ピックアップ用アーム;
25 移動用駆動部; 26 洗浄・乾燥領域; 26a スピンナーテーブル;
27 キャリングケース; 27a 空のキャリングケース; 28 搬送手段;
29 移送アーム; 30 エッチング装置; 31 処理ブース;
31a 処理領域; 32 処理剤供給ブース; 33 処理剤供給パイプ;
34 開口部; 35 蓋部材; 36 開閉機構; a 処理薬品。
Claims (4)
- 表面に複数の半導体チップがストリートによって区画されて形成された半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する半導体ウェーハの分割方法であって、
前記半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝をストリートに沿って形成する切削溝形成工程と、
該切削溝が形成された半導体ウェーハの表面とハードプレートとを対面させ経時的に固化する液状樹脂を介して貼着し毛細管現象により該液状樹脂を該切削溝に僅かに浸透させ各半導体チップを該液状樹脂によって囲繞するハードプレート貼着工程と、
該液状樹脂が固化した後、該ハードプレート側を研削装置のチャックテーブルに載置し前記切削溝が半導体ウェーハの裏面に表出するまで、または表出する直前まで半導体ウェーハの裏面を研削する裏面研削工程と、
前記ハードプレートに貼着された半導体ウェーハの裏面をプラズマエッチングし裏面に表出した切削溝によって囲繞された半導体チップの裏面と裏面の外周辺から加工歪みを除去する加工歪み除去工程と、
から構成される半導体ウェーハの分割方法。 - 前記ハードプレートは、ガラスプレートである請求項1に記載の半導体ウェーハの分割方法。
- 前記液状樹脂は、外的刺激によって粘着力が低下する請求項1または2に記載の半導体ウェーハの分割方法。
- 前記加工歪み除去工程の後、液状樹脂に外的刺激を付与してハードプレートから半導体チップを取り外す工程が含まれる請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体ウェーハの分割方法。
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