JP2008010557A - 半導体ウエーハの研磨加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】裏面側の凹部を研削加工によって形成した断面凹状の半導体ウエーハに対して、凹部を形成する環状凸部の内周側の角部に残るチッピング等の物理的ダメージを除去し、環状凸部の破損を防止する。
【解決手段】凹部１Ａが形成された裏面を上に向けてウエーハ１をチャックテーブル１５上に保持し、ウエーハ１をチャックテーブル１５ごと回転させ、ウエーハ１の上方に配した研磨工具５０の研磨パッド５２を高速回転させながら、凹部１Ａの底面４ａおよび凹部１Ａの周囲の環状凸部５Ａの内周面５ａに押し付けて、凹部１Ａを研磨する。研磨パッド５２は凹部１Ａの深さよりも厚いものを用い、環状凸部５Ａの内周面５ａと端面５ｂがなす角部５ｃを同時に研磨して、角部５ｃのチッピングを除去する。
【選択図】図７

Description

本発明は、シリコンウエーハ等の半導体ウエーハのデバイスが形成されていない裏面を研磨加工する方法に係り、特に、裏面側が断面凹状に研削加工された半導体ウエーハの裏面を研磨加工する方法に関する。

各種電子機器等に用いられる半導体チップは、一般に、円盤状の半導体ウエーハの表面に分割予定ラインで格子状の矩形領域を区画し、これら領域の表面にＩＣやＬＳＩ等の電子回路を形成してから、裏面を研削して薄化し、分割予定ラインに沿って分割するといった方法で製造される。裏面研削による薄化加工は、通常、真空チャック式のチャックテーブル上に、研削する裏面を露出させて半導体ウエーハを吸着、保持し、研削用の砥石を回転させながら半導体ウエーハの裏面に押し付けるといった方法で行われている。

ところで、近年の電子機器の小型化・薄型化は顕著であり、これに伴って半導体チップもより薄いものが求められ、これは半導体ウエーハを従来よりも薄くする必要が生じるということになる。ところが、半導体ウエーハを薄くすると剛性が低下するため、その薄化後の工程でのハンドリングが困難になったり割れやすくなったりする問題が生じる。

そこで、半導体チップが形成された円形のデバイス領域のみを裏面側から研削して薄化し、その周囲の環状の外周余剰領域は元の厚さを残して裏面側に突出する環状凸部を形成して、ウエーハ全体を裏面側がへこんだ断面凹状に加工することが行われている（特許文献１，２等参照）。このような半導体ウエーハは、環状凸部が補強部となって剛性が確保されるので、ハンドリングしやすくなり、また、割れにくいものとなる。

特開２００４−２８１５５１号公報 特開２００５−１２３４２５号公報

ところで、半導体ウエーハの裏面側の凹部は、砥石を用いた研削加工によって形成すると、研磨やサンドブラストなどの方法よりも短時間、かつ高精度に形成される。研削加工の後は、割れ等の不具合の起点となる研削痕を除去する目的で凹部の内面が研磨されるが、環状凸部の内周側の角部、すなわち環状凸部の内周面と環状凸部における該半導体ウエーハの裏面と略平行な端面とがなす角部には、研削加工によってチッピング等の物理的なダメージが残ったままの場合が多く、このダメージが起点となって環状凸部が破損しウエーハが破損するおそれがあった。

よって本発明は、裏面側の凹部を研削加工によって形成した断面凹状の半導体ウエーハに対して、環状凸部の内周側の角部に残るチッピング等の物理的ダメージを効果的に除去し、その環状凸部の破損を防止してハンドリングなどによって受ける応力に十分耐えることのできる半導体ウエーハを得るための研磨加工方法を提供することを目的としている。

本発明は、複数のデバイスが表面に形成されたデバイス領域の周囲に、該デバイス領域よりも厚く裏面側に突出する環状凸部を有する外周余剰領域が形成されることにより断面凹状とされ、その裏面側の円形の凹部が研削加工によって形成されたものである半導体ウエーハの該凹部を、研磨加工する方法であって、半導体ウエーハを、回転可能な保持手段に、裏面が露出する状態に保持し、凹部底面の直径と同等以下の直径を有し、かつ保持手段の回転軸と平行な回転軸を中心にして回転する研磨部材によって、凹部の底面と、環状凸部の内周面と、該環状凸部の内周面と環状凸部における該半導体ウエーハの前記裏面と略平行な端面とがなす角部とを、同時に研磨することを特徴としている。その角部を確実に研磨するには、研磨部材の回転軸方向の厚さが、少なくとも半導体ウエーハの凹部の深さを超える厚さを有していることが必要とされる。

本発明によれば、研削加工で形成された半導体ウエーハの裏面側の凹部を研磨加工する際に、研削加工によってチッピング等の物理的ダメージが残っている環状凸部の内周面と上記端面とがなす角部を同時に研磨加工するので、残っているダメージを効果的に除去することができる。このため、環状凸部の破損が防止されて半導体ウエーハの剛性が保持され、次工程以降のハンドリングに支障をきたすことがなく、また、ウエーハ全体の割れ等の破損防止効果が確保される。

本発明によれば、研削加工で形成された半導体ウエーハの裏面側の凹部を研磨加工するにあたって、その凹部を形成している凹部の底面と環状凸部の内周面とを研磨すると同時に、環状凸部の内周面と環状凸部における該半導体ウエーハの裏面と略平行な端面とがなす角部を研磨加工するものであり、その研削加工によってその角部に残っていたチッピング等の物理的ダメージが、研磨加工によって効果的に除去される。その結果、研削加工によって裏面側に凹部を形成したにもかかわらず、次工程以降においてハンドリングなどによって受ける応力に十分耐えることのできる半導体ウエーハを得ることができるといった効果を奏する。

以下、図面を参照して本発明に係る研磨加工方法の一実施形態を説明する。
［１］半導体ウエーハ
図１の符号１は、一実施形態の方法で研磨加工が施される円盤状の半導体ウエーハ（以下ウエーハと略称）を示している。このウエーハ１はシリコンウエーハ等であって、厚さは例えば６００μｍ程度のものである。ウエーハ１の表面には、格子状の分割予定ライン２によって複数の矩形状の半導体チップ（デバイス）３が区画されている。これら半導体チップ３の表面には、ＩＣやＬＳＩ等の図示せぬ電子回路が形成されている。複数の半導体チップ３は、ウエーハ１と同心の概ね円形状のデバイス領域４に形成されており、このデバイス領域４の周囲に、半導体チップ３が形成されない環状の外周余剰領域５が存在している。また、ウエーハ１の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すＶ字状の切欠き（ノッチ）６が形成されている。このノッチ６は、外周余剰領域５内に形成されている。

［２］ウエーハの薄化処理
図１に示したウエーハ１は、この場合、裏面のデバイス領域４に対応する部分のみが研削されて薄化され、断面凹状に加工される。この研削加工を行うにあたっては、図１に示すように、ウエーハ１の表面に、電子回路を保護する目的で予め保護テープ７が貼着される。保護テープ７としては、例えば、厚さ７０〜２００μｍ程度のポリオレフィン等の基材の片面に厚さ５〜２０μｍ程度のアクリル系等の粘着剤を塗布したテープなどが好適に用いられる。

ウエーハ１を断面凹状に薄化加工する研削加工は、図２に示す加工装置１０が用いられる。また、研削加工後の研磨加工も、この加工装置１０が流用される。以下、この加工装置１０を説明する。

（ａ）加工装置
加工装置１０は、直方体状の基台１１を備えている。この基台１１の長手方向一端部には、基台１１の水平な上面に対して垂直に立設された壁部１２が一体に形成されている。図２では、基台１１の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれＹ方向、Ｘ方向およびＺ方向で示している。基台１１上は、長手方向のほぼ中間部分から壁部１２側がウエーハ１を加工する加工エリア１１Ａとされ、この反対側が、加工エリア１１Ａに加工前のウエーハ１を供給し、かつ、加工後のウエーハ１を回収する着脱エリア１１Ｂとされている。
以下、加工エリア１１Ａと着脱エリア１１Ｂについて説明する。

（ｉ）加工エリアの機構
図２に示すように、加工エリア１１Ａには矩形状のピット１３が形成されている。このピット１３内には、テーブルベース１４を介して真空チャック式の円盤状のチャックテーブル（保持手段）１５がＹ方向に移動自在に設けられている。テーブルベース１４は、ピット１３内に配されたＹ方向に延びるガイドレールに摺動自在に設けられており、適宜な駆動機構（いずれも図示略）によって同方向を往復動させられる。

テーブルベース１４の移動方向両端部には蛇腹状のカバー１６，１７の一端がそれぞれ取り付けられており、これらカバー１６，１７の他端は、壁部１２の内面と、壁部１２に対向するピット１３の内壁面に、それぞれ取り付けられている。これら、カバー１６，１７は、テーブルベース１４の移動路を覆い、その移動路に研削屑や研磨屑等が落下することを防ぐもので、テーブルベース１４の移動に伴って伸縮する。チャックテーブル１５は、テーブルベース１４上に、ウエーハ１の保持面である上面が水平な状態とされ、かつ、Ｚ方向（鉛直方向）に沿った図示せぬ回転軸を中心にして回転自在に支持されている。チャックテーブル１５は、図示せぬ回転駆動機構によって時計方向または反時計方向に回転可能となっている。

チャックテーブル１５は、図２に示すようにテーブルベース１４ごと壁部１２側に移動して所定の加工位置に位置付けられる。その加工位置の上方には、スピンドルユニット２０が配されている。このスピンドルユニット２０は、基台１１の壁部１２に、移動板３２およびガイドレール３１を介して昇降自在に取り付けられ、モータ３０によって駆動する送り機構３３によって昇降させられる。

スピンドルユニット２０は、図３に示すように、軸方向がＺ方向に延びる円筒状のスピンドルハウジング２１と、このスピンドルハウジング２１内に同軸的、かつ回転自在に支持されたスピンドル２２と、スピンドルハウジング２１の上端部に固定されてスピンドル２２を回転駆動するモータ２３と、スピンドル２２の下端に同軸的に固定された円盤状のフランジ２４とを具備している。図２に示すように、スピンドルユニット２０は、スピンドルハウジング２１がブロック３４を介して移動板３２に固定されている。このスピンドルユニット２０においては、ウエーハ１を研削加工する場合には、フランジ２４に、研削工具４０がねじ止め等の手段によって着脱自在に取り付けられる。図２は、フランジ２４に研削工具４０が取り付けられた状態の加工装置１０を示している。

研削工具４０は、図３に示すように、円盤状で下部が円錐状に形成されたフレーム４１の下端面に、該下端面の外周部全周にわたって多数の砥石４２が環状に配列されて固着されたものである。砥石４２は、例えばビトリファイドと呼ばれるガラス質の焼結材料にダイヤモンド砥粒を混ぜて焼成したものなどが用いられ、シリコンウエーハの研削用としては♯２８０〜♯８０００程度の粒度の砥粒が混入されたものが好適に用いられる。図３（ｂ）に示すように、多数の砥石４２よりなる円形の研削軌跡の外径は、ウエーハ１のデバイス領域４の半径にほぼ等しくなるように設定されている。図示はしないが、加工エリア１１Ａには、研削工具４０の砥石４２がウエーハ１を研削する加工点に対して研削水を供給する研削水供給ノズルが配設されている。また、加工エリア１１Ａには、研磨時に研磨加工点に対して研磨スラリー（適宜な砥粒を混入した研磨用液体）を供給する研磨スラリー供給ノズルも配設されている。

（ii）着脱エリアの機構
図２に示すように、着脱エリア１１Ｂの中央には矩形状のピット１８が形成されており、このピット１８の底部には、上下移動する２節リンク式の移送ロボット６０が設置されている。そしてこの移送ロボット６０の周囲には、上から見た状態で反時計回りに、供給カセット６１、位置合わせ台６２、旋回アーム式の供給アーム６３、供給アーム６３と同じ構造の回収アーム６４、スピンナ式の洗浄装置６５、回収カセット６６が、それぞれ配置されている。

供給カセット６１、位置合わせ台６２および供給アーム６３はウエーハ１をチャックテーブル１５に供給する手段であり、回収アーム６４、洗浄装置６５および回収カセット６６は、裏面の研削または研磨が終了したウエーハ１をチャックテーブル１５から回収する手段である。各カセット６１，６６は複数のウエーハ１を積層状態で収容するもので、基台１１上の所定位置にセットされる。

移送ロボット６０によって供給カセット６１内から１枚のウエーハ１が取り出されると、そのウエーハ１は裏面側を上に向けた状態で位置合わせ台６２上に載置され、ここで一定の位置に決められる。次いでウエーハ１は、供給アーム６３によって位置合わせ台６２から吸着されて取り上げられ、着脱位置で待機しているチャックテーブル１５上に載置される。一方、スピンドルユニット２０によって裏面が研削または研磨され、着脱位置に位置付けられたチャックテーブル１５上のウエーハ１は回収アーム６４によって吸着されて取り上げられ、洗浄装置６５に移されて水洗、乾燥される。そして、洗浄装置６５で洗浄処理されたウエーハ１は、移送ロボット６０によって回収カセット６６内に移送、収容される。

供給アーム６３と回収アーム６４の間には、チャックテーブル１５に洗浄水および高圧エアーを噴射してチャックテーブル１５を洗浄するノズル６７が配されている。スピンドルユニット２０によるウエーハ１の加工位置は、着脱位置よりも壁部１２側に所定距離移動した範囲とされ、チャックテーブル１５は、テーブルベース１４の移動によって、これら加工位置と着脱位置との間を行き来させられる。ノズル６７によるチャックテーブル１５の洗浄、および水の供給は、着脱位置において行われる。

（ｂ）加工装置によるウエーハの研削
次に、上記加工装置１０によってウエーハ１の裏面のデバイス領域４に対応する部分のみを研削加工して薄化し、ウエーハ１を断面凹状に加工する方法を説明する。この研削加工を行うにあたっては、図１に示すように、ウエーハ１の表面に、電子回路を保護する目的で予め保護テープ７を貼着する。

まず、供給カセット６１内に、表面に保護テープ７が貼られた多数のウエーハ１を収容する。そのうちの１枚のウエーハ１が、移送ロボット６０によって位置合わせ台６２に移され、位置決めされる。続いて供給アーム６３によって、着脱位置で待機し、かつ真空運転されているチャックテーブル１５上に、裏面を上に向けて露出させられたウエーハ１が同心状となるように載置され、保護テープ７が密着させられる。

次に、テーブルベース１４が壁部１２方向に移動し、ウエーハ１が切削ユニット２０の下方の研削加工位置に送り込まれる。そして、チャックテーブル１５が回転してウエーハ１が回転させられ、このウエーハ１に、送り機構３３によって下降させたスピンドルユニット２０を近付け、スピンドル２２を高速回転させて研削工具４０の砥石４２をウエーハ１の裏面に押圧して、回転する砥石４２によってデバイス領域４に対応する部分を研削加工し、所定厚さ（例えば２００〜１００μｍ程度、あるいは５０μｍ程度）に薄化する。この研削加工の際には、適当量の研削水をウエーハ１の研削面に供給しながら行う。

ウエーハ１の研削加工位置（スピンドルユニット２０に対する水平方向の相対位置）は、図３に示すように、スピンドル２２と同心状ではなく、環状に配列された多数の砥石４２のうちの最もチャックテーブル１５の内側に位置する砥石４２の刃先の刃厚（径方向長さ）のほぼ中央部分が、チャックテーブル１５の中心を通る鉛直線上に位置するように、着脱エリア１１Ｂ方向（図３（ｂ）で右方向）にオフセットされた位置とされる。この位置でウエーハ１が回転し、裏面に回転する砥石４２が押し付けられることにより、裏面のデバイス領域４に対応する部分が研削される。なお、ウエーハ１すなわちチャックテーブル１５の回転数や回転方向、研削工具４０の回転数や回転方向、ならびにウエーハ１に対する砥石４２の荷重等は、ウエーハ１の厚さや、必要とする加工除去レートに応じて適宜な値に設定される。なお、図３（ａ）の矢印はウエーハ１と研削工具４０の回転方向を示しており、この場合には、双方とも反時計方向であるが、これに限られることはない。

ウエーハ１の裏面のデバイス領域４に対応する部分が研削加工されて所定の厚さまで薄化されたら、スピンドルユニット２０を上昇させて砥石４２をウエーハ１から離すとともに、チャックテーブル１５の回転を停止させる。ウエーハ１の裏面には、この研削によって図４に示すようにデバイス領域４に対応する領域に凹部１Ａが形成されると同時に、外周余剰領域５に対応する部分に、元の厚さが残って裏面側に突出する環状凸部５Ａが形成され、ウエーハ１全体が断面凹状に加工される。図４（ａ）に示すように、凹部１Ａの底面４ａには、中心から放射状に多数の弧を描いた形状の、砥石４２による研削条痕９が残留する。この研削条痕９は砥石４２中の砥粒による破砕加工の軌跡であり、物理的なダメージが残存している。同様のダメージは、環状凸部５Ａの内周面５ａや、環状凸部５Ａの内周面５ａと環状凸部５Ａにおける上記底面４ａと平行な端面５ｂとがなす角部５ｃにも形成されている。特にその角部５ｃには、チッピング等の物理的なダメージが残留している場合が多い。

さて、以上のようにして研削加工が終了したら、テーブルベース１４を着脱位置に移動させるとともに、チャックテーブル１５の真空運転を停止させる。次に、ウエーハ１は、回収アーム６４によって洗浄装置６５内に移送されて水洗されてから水分が除去され、次いで、移送ロボット６０によって回収カセット６６内に移送、収容される。また、ノズル６７から、供給・回収位置で停止しているチャックテーブル１５に向けて洗浄水と高圧エアーが噴射され、チャックテーブル１５が洗浄される。

［３］加工装置による凹部の研磨処理
次に、加工装置１０に取り付けていた研削工具４０を図５に示す研磨工具５０に付け替え、この研磨工具５０によって凹部１Ａの内面を研磨する。研磨工具５０は、上記フレーム４１と同様のフレーム５１の下端面に、環状の研磨パッド（研磨部材）５２が固着されたものである。研磨パッド５２は不織布等からなる一般的な研磨用布でできており、砥粒等は混入されておらず、上記研磨スラリーを被加工物に押圧することによって研磨するものである。研磨パッド５２の外径は、ウエーハ１に形成された凹部１Ａの径よりも小径でさえあれば特に求められる条件はないが、加工効率の観点からはできるだけ大径が好ましい。

また、他の条件としては、図７（ｂ）に示すように、凹部１Ａの底面４ａと角部５ｃとを同時に研磨可能とする上で、厚さｔ２は凹部１Ａの深さｔ１を十分に超える厚さに設定されていることが必須条件である。さらに、付加されれば好適な仕様としては、圧縮率が２〜１５％、アスカー硬度が５５〜９０、圧縮弾性率が６０〜９０％程度が好ましい。これらの条件は、研磨パッド５２が環状凸部５Ａの内周面５ａに強く押し付けられた際に、その外周面が圧縮変形させられ、それによって角部５ｃおよび環状凸部５Ａの端面５ｂを研磨パッド５２が覆って研磨可能になる程度に柔らかいといった特性を示す。

この研磨工具５０は、上記スピンドルユニット２０のフランジ２４に、フレーム５１が取り付けられることによってセットされ、ウエーハ１は、上記研削工程と同様のプロセス、すなわち、供給カセット６１から位置合わせ台６２を経て、凹部１Ａが形成された裏面を上に向けてチャックテーブル１５上に同心状に載置され、テーブルベース１４がスピンドルユニット２０の下方の研磨加工位置に移動し、ここでウエーハ１の凹部１Ａの内面が研磨加工され、研磨加工が終了したら、洗浄装置６５による洗浄後、回収カセット６６内に収容されるといったプロセスを経る。

研削加工と異なる点はもちろん研磨加工を行う点にあり、その研磨加工は、図６および図７に示すように、チャックテーブル１５を回転させることによってウエーハ１を回転させながらスピンドルユニット２０を下降させて、研磨工具５０の研磨パッド５２をウエーハ１の凹部１Ａの底面４ａと環状凸部５Ａの内周面５ａに押し付けて行う。なお、ここでもウエーハ１すなわちチャックテーブル１５の回転数や回転方向、研磨工具５０の回転数や回転方向、ならびにウエーハ１に対する研磨パッド５２の荷重等は、ウエーハ１の厚さや、必要とする加工除去レートに応じて適宜な値に設定される。なお、図６（ａ）および図７の矢印は研磨工具５０とウエーハ１の回転方向を示しており、この場合には、双方とも反時計方向であるが、これに限られることはない。

図７は、研磨パッド５２によってチャックテーブル１５上のウエーハ１の凹部１Ａを研磨している状態を抽出して図示している。同図に示すように、研磨工具５０の研磨パッド５２の下面を凹部１Ａの底面４ａに押し付けるとともに、外周面を環状凸部５Ａの内周面５ａに押し付け、これによって、凹部１Ａを形成しているそれら底面４ａおよび内周面５ａが研磨される。この方法によると、図７（ｂ）に示すように、研磨パッド５２の厚さｔ２が凹部１Ａの深さｔ１よりも十分に厚いため、図８（ａ）に示すように、研磨パッド５２の外周面が環状凸部５Ａの内周面５ａに強く押し付けられる。そのため、研磨パッド５２の外周面に角部５ｃが食い込み、その外周面は圧縮変形させられ、これによって図８（ｂ）に示すように角部５ｃも同時に研磨される。また、凹部１Ａの底面４ａと環状凸部５Ａの内周面５ａとがなす内面側の角部５ｄも、研磨パッド５２によって同時に研磨される。

図９は、凹部１Ａが研磨加工されたウエーハ１を示しており、凹部１Ａの底面４ａは、図４（ａ）に示した研削条痕９が消され、鏡面に仕上げられる。また、環状凸部５Ａの内周面５ａも同様に仕上げられ、さらに、環状凸部５Ａの内周面５ａと端面５ｂとがなす角部５ｃと、内面側の角部５ｄは断面Ｒ状に仕上げられる。特に、研削加工によってチッピング等の物理的ダメージが残っている角部５ｃが研磨加工されることにより、そのダメージが効果的に除去される。チッピング等のダメージは割れ等の破損の起点となるものであるが、そのダメージが除去されたので、環状凸部５Ａの破損が防止される。その結果、環状凸部５Ａの目的であるウエーハ１の剛性の保持といった機能が保持され、次工程以降のハンドリングに支障をきたすことなく、また、ウエーハ１全体の破損防止効果が確保される。

本発明の一実施形態で研磨加工が施されるウエーハの（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。 ウエーハ裏面の研削加工および研磨加工に用いる加工装置の斜視図である。 加工装置が具備するスピンドルユニットに研削工具が取り付けられ、その研削工具でウエーハ裏面を研削する状態を示す（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。 裏面のデバイス領域に対応する部分が研削加工されて断面凹状とされたウエーハの（ａ）斜視図、（ｂ）断面図である。 研磨工具の斜視図である。 加工装置が具備するスピンドルユニットに研磨工具が取り付けられ、その研磨工具でウエーハ裏面の凹部を研磨する状態を示す（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。 研磨工具がウエーハ裏面の凹部を研磨する状態を示す（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。 研磨工具でウエーハ裏面の凹部を研磨する状態を示す断面図で、（ａ）は研磨初期段階、（ｂ）は研磨最終段階を示す。 裏面の凹部が研磨加工されたウエーハの（ａ）斜視図、（ｂ）断面図である。

符号の説明

１…半導体ウエーハ
１Ａ…凹部
３…半導体チップ（デバイス）
４…デバイス領域
４ａ…凹部の底面
５…外周余剰領域
５Ａ…環状凸部
５ａ…環状凸部の内周面
５ｂ…環状凸部の端面
５ｃ…角部
１０…加工装置
１５…チャックテーブル（保持手段）
２２…スピンドル（研磨パッドの回転軸）
５２…研磨パッド（研磨部材）
ｔ２…研磨パッドの厚さ
ｔ１…凹部の深さ

Claims (2)

1. 複数のデバイスが表面に形成されたデバイス領域の周囲に、該デバイス領域よりも厚く裏面側に突出する環状凸部を有する外周余剰領域が形成されることにより断面凹状とされ、その裏面側の円形の凹部が研削加工によって形成されたものである半導体ウエーハの該凹部を、研磨加工する方法であって、
   前記半導体ウエーハを、回転可能な保持手段に、前記裏面が露出する状態に保持し、
   前記凹部底面の直径と同等以下の直径を有し、かつ前記保持手段の回転軸と平行な回転軸を中心にして回転する研磨部材によって、前記凹部の底面と、前記環状凸部の内周面と、該環状凸部の内周面と環状凸部における該半導体ウエーハの前記裏面と略平行な端面とがなす角部とを、同時に研磨することを特徴とする半導体ウエーハの研磨加工方法。
2. 前記研磨部材の回転軸方向の厚さが、少なくとも前記凹部の深さを超える厚さを有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエーハの研磨加工方法。

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