KR20180057545A - 웨이퍼의 가공 방법 - Google Patents

웨이퍼의 가공 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20180057545A
KR20180057545A KR1020170154619A KR20170154619A KR20180057545A KR 20180057545 A KR20180057545 A KR 20180057545A KR 1020170154619 A KR1020170154619 A KR 1020170154619A KR 20170154619 A KR20170154619 A KR 20170154619A KR 20180057545 A KR20180057545 A KR 20180057545A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
polishing
grinding
chuck table
gettering layer
Prior art date
Application number
KR1020170154619A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102282258B1 (ko
Inventor
스스무 하야카와
유 이이지마
유스케 미야기
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20180057545A publication Critical patent/KR20180057545A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102282258B1 publication Critical patent/KR102282258B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/0023—Other grinding machines or devices grinding machines with a plurality of working posts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/0076—Other grinding machines or devices grinding machines comprising two or more grinding tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B24B37/105—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
    • B24B37/107—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement in a rotary movement only, about an axis being stationary during lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
    • H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Abstract

(과제) 가공성이 좋고 또한 효율적으로 게터링층의 형성을 실시할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것.
(해결 수단) 웨이퍼의 가공 방법은, 연마용 지립과 게터링용 지립의 쌍방을 포함하는 연마 패드를 사용한 웨이퍼의 가공 방법이다. 웨이퍼의 가공 방법은, 제 1 회전 속도로 회전하는 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 알칼리성 연마액을 공급하면서 소정 속도로 회전하는 연마 패드를 맞닿게 하여 연마하는 연마 공정 (ST4) 과, 연마 공정 (ST4) 중의 회전하는 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 소정 속도로 회전하는 연마 패드를 맞닿게 한 상태를 유지하여, 연마 공정 (ST4) 후에 연속하여, 척 테이블을 제 1 회전 속도보다 작은 제 2 회전 속도로 회전시키고, 그 웨이퍼와 반응하지 않는 액체를 공급하면서 그 웨이퍼에 게터링층을 형성하는 게터링층 형성 공정 (ST5) 을 포함한다.

Description

웨이퍼의 가공 방법{PROCESSING METHOD OF A WAFER}
본 발명은, 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
웨이퍼를 척 테이블로 유지하여 회전시키면서, 연마 패드를 회전시키고 웨이퍼에 가압하여 연마액을 공급하면서 연마한 후, 척 테이블과 연마 패드를 회전시키고 린스액을 공급하면서, 웨이퍼에 게터링층을 형성하는 것이 실시된다 (예를 들어, 특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조).
일본 공개특허공보 2013-247132호 일본 공개특허공보 2013-244537호
특허문헌 1 및 2 의 발명은, 연마 패드를 사용하여, 연마와 그 후의 게터링층 형성을 연속하여 실시하고 있다. 그러나, 특허문헌 1 및 2 의 발명은, 각각의 처리에 있어서, 웨이퍼에 효율적으로 게터링층을 형성하기 위한 척 테이블의 바람직한 회전수에는 주목하고 있지 않다. 웨이퍼의 가공에서는, 게터링층을 효율적으로 형성하는 것이 요망되고 있다.
본 발명은, 효율적으로 게터링층의 형성을 실시할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 서술한 과제를 해결하고, 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법은, 연마용 지립과 게터링용 지립의 쌍방을 포함하는 연마 패드를 사용한 웨이퍼의 가공 방법으로서, 제 1 회전 속도로 회전하는 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 알칼리성 연마액을 공급하면서 소정 속도로 회전하는 그 연마 패드를 맞닿게 하여 연마하는 연마 공정과, 그 연마 공정 중의 회전하는 그 척 테이블에 유지된 그 웨이퍼에 그 소정 속도로 회전하는 그 연마 패드를 맞닿게 한 상태를 유지하여, 그 연마 공정 후에 연속하여, 그 척 테이블을 그 제 1 회전 속도보다 작은 제 2 회전 속도로 회전시키고, 그 웨이퍼와 반응하지 않는 액체를 공급하면서 그 웨이퍼에 게터링층을 형성하는 게터링층 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그 제 2 회전 속도는, 서서히 작아져도 된다.
본 발명에 의하면, 연마 공정시보다 게터링층 형성 공정의 척 테이블의 회전 속도가 작기 때문에, 연마 공정보다 게터링층 형성 공정의 연마 패드와 웨이퍼의 상대 속도를 크게 할 수 있고, 효율적으로 게터링층의 형성을 실시할 수 있다.
도 1 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 가공 대상의 디바이스 웨이퍼를 나타내는 사시도이다.
도 2 는, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에 사용되는 연삭 연마 장치의 구성예의 사시도이다.
도 3 은, 도 2 에 나타낸 연삭 연마 장치의 연마 수단의 구성예를 나타내는 사시도이다.
도 4 는, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 흐름을 나타내는 플로 차트이다.
도 5 는, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정을 나타내는 도면이다.
도 6 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 게터링층 형성 공정을 나타내는 도면이다.
도 7 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정 및 게터링층 형성 공정의 회전 속도와 하중을 나타내는 도면이다.
도 8 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 개편화 (個片化) 공정을 나타내는 도면이다.
도 9 는, 실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정을 나타내는 도면이다.
도 10 은, 실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 게터링층 형성 공정을 나타내는 도면이다.
도 11 은, 실시형태 3 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정 및 게터링층 형성 공정의 회전 속도를 나타내는 도면이다.
도 12 는, 실시형태 4 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정 및 게터링층 형성 공정의 회전 속도 및 하중을 나타내는 도면이다.
본 발명을 실시하기 위한 형태 (실시형태) 에 대해, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 여러 가지의 생략, 치환 또는 변경을 실시할 수 있다.
[실시형태 1]
본 발명의 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 1 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 가공 대상의 디바이스 웨이퍼를 나타내는 사시도이다. 도 2 는, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에 사용되는 연삭 연마 장치의 구성예의 사시도이다. 도 3 은, 도 2 에 나타낸 연삭 연마 장치의 연마 수단의 구성예를 나타내는 사시도이다.
실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법은, 도 1 에 나타내는 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 게터링층 (G) 을 형성함과 함께, 웨이퍼 (W) 를 디바이스 칩 (DT) (도 1 중에 점선으로 나타낸다) 으로 분할하는 방법이다. 웨이퍼 (W) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 실리콘을 모재로 하는 원판상의 반도체 웨이퍼나 광 디바이스 웨이퍼이다. 웨이퍼 (W) 는, 표면 (WS) 에 격자상으로 형성되는 복수의 분할 예정 라인 (S) 에 의해 구획된 영역에 디바이스 (DV) 가 형성되어 있다. 즉, 웨이퍼 (W) 는, 표면 (WS) 에 복수의 디바이스 (DV) 가 형성되어 있다. 웨이퍼 (W) 는, 표면 (WS) 의 이면측의 이면 (WR) 에 연삭 가공 등이 실시되어, 소정의 두께까지 박화 (薄化) 된 후에, 이면 (WR) 측에 게터링층 (G) 이 형성된다. 게터링층 (G) 은, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 즉 각 디바이스 (DV) 의 이면 (WR) 에 결정 결함, 변형 등 (게터링 사이트라고 한다) 이 형성된 층이며, 이 게터링 사이트에 금속 오염을 일으키는 불순물을 포획, 고착하는 층이다. 실시형태 1 에 있어서, 웨이퍼 (W) 는, 이면 (WR) 측에 게터링층 (G) 이 형성된 후, 디바이스 (DV) 를 포함하는 디바이스 칩 (DT) 으로 분할된다. 실시형태 1 에 있어서, 웨이퍼 (W) 의 외경은, 300 ㎜ 이다.
실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법은, 적어도 도 2 에 나타내는 가공 장치로서의 연삭 연마 장치 (1) 를 사용한다. 연삭 연마 장치 (1) 는, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 을 박형화를 위해서 연삭 가공함과 함께, 연삭 가공된 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 을 고정밀도로 평탄화하고 또한 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 측에 게터링층 (G) 을 형성하기 위해서 연마 가공하는 것이다. 연삭 연마 장치 (1) 는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 장치 본체 (2) 와, 제 1 연삭 수단 (3) 과, 제 2 연삭 수단 (4) 과, 연마 수단 (5) 과, 턴테이블 (6) 상에 설치된 예를 들어 4 개의 척 테이블 (7) 과, 카세트 (8, 9) 와, 위치 맞춤 수단 (10) 과, 반입 수단 (11) 과, 세정 수단 (13) 과, 반출입 수단 (14) 과, 제어 수단 (100) 을 주로 구비하고 있다.
제 1 연삭 수단 (3) 은, 스핀들의 하단에 장착된 연삭 지석을 갖는 연삭 휠 (31) 이 회전되면서 조(粗)연삭 위치 (B) 의 척 테이블 (7) 에 유지된 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 연직 방향과 평행한 Z 축 방향을 따라 가압됨으로써, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 을 조연삭 가공하기 위한 것이다. 동일하게, 제 2 연삭 수단 (4) 은, 스핀들의 하단에 장착된 연삭 지석을 갖는 연삭 휠 (41) 이 회전되면서 마무리 연삭 위치 (C) 에 위치하는 척 테이블 (7) 에 유지된 조연삭이 끝난 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 Z 축 방향을 따라 가압됨으로써, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 을 마무리 연삭 가공하기 위한 것이다.
실시형태 1 에 있어서, 연마 수단 (5) 은, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 스핀들의 하단에 장착된 연마 패드 (51) 를 척 테이블 (7) 의 유지면에 대향하여 배치시킨다. 연마 수단 (5) 은, 연마 패드 (51) 가 회전되면서, 연마 위치 (D) 에 위치하는 척 테이블 (7) 의 유지면에 유지된 마무리 연삭이 끝난 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 Z 축 방향을 따라 가압된다. 연마 수단 (5) 은, 연마 패드 (51) 가 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 Z 축 방향을 따라 가압됨으로써, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 을 연마 가공하기 위한 것이다. 연마 수단 (5) 의 연마 패드 (51) 는, 연마용 지립과 게터링용 지립의 쌍방을 포함한다. 연마용 지립은, 연마 가공에 적합한 지립이고, 예를 들어, 실리카 (SiO2), 지르코니아 (ZrO2) 및 세리아 (CeO2) 중 적어도 1 이상에 의해 구성된 지립이다. 게터링용 지립은, 게터링층 (G) 을 형성하는 데에 적합한 지립이고, 예를 들어, GC (녹색 탄화규소), WA (화이트 알런덤), 다이아몬드 중 적어도 1 이상에 의해 구성된 지립이다.
연마 수단 (5) 은, 전환 밸브 (12) 를 통하여 연마액 공급원 (15) 으로부터 알칼리성 연마액을 연마 패드 (51) 와는 별체의 노즐 (16) 로부터 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 공급하면서, 연마 패드 (51) 를 사용하여 소위 CMP (Chemical Mechanical Polishing) 가공을 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 실시한 후, 전환 밸브 (12) 를 통하여 린스액 공급원 (17) 으로부터 웨이퍼 (W) 와 반응하지 않는 액체 (실시형태 1 에 있어서는, 순수) 를 노즐 (16) 로부터 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 공급하면서, 연마 패드 (51) 를 사용하여 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 측에 게터링층 (G) 을 형성한다. 또, 연마 수단 (5) 은, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 연마 패드 (51) 를 스핀들과 함께, Z 축 방향과 직교하고 또한 장치 본체 (2) 의 폭 방향과 평행한 X 축 방향으로 이동시키는 X 축 이동 수단 (52) 을 구비한다. 실시형태 1 에 있어서, 연마 패드 (51) 의 외경은 450 ㎜ 이다.
턴테이블 (6) 은, 장치 본체 (2) 의 상면에 형성된 원반상의 테이블이고, 수평면 내에서 회전 가능하게 형성되고, 소정의 타이밍으로 회전 구동된다. 이 턴테이블 (6) 상에는, 예를 들어 4 개의 척 테이블 (7) 이, 예를 들어 90 도의 위상각으로 등간격으로 배치 형성되어 있다. 이들 4 개의 척 테이블 (7) 은, 상면에 진공 척을 구비한 척 테이블 구조의 것이고, 재치 (載置) 된 웨이퍼 (W) 를 진공 흡착하여 유지한다. 이들 척 테이블 (7) 은, 연삭 가공시 및 연마 가공시에는, 연직 방향과 평행한 축을 회전축으로 하여, 회전 구동 기구에 의해 수평면 내에서 회전 구동된다. 이와 같이, 척 테이블 (7) 은, 피가공물로서의 웨이퍼 (W) 를 회전 가능하게 유지하는 유지면을 갖고 있다. 이와 같은 척 테이블 (7) 은, 턴테이블 (6) 의 회전에 의해, 반입 반출 위치 (A), 조연삭 위치 (B), 마무리 연삭 위치 (C), 연마 위치 (D), 반입 반출 위치 (A) 로 순차 이동된다.
카세트 (8, 9) 는, 복수의 슬롯을 갖는 웨이퍼 (W) 를 수용하기 위한 수용기이다. 일방의 카세트 (8) 는, 연삭 연마 가공 전의 표면 (WS) 에 보호 부재 (P) (도 5 에 나타낸다) 가 첩착 (貼着) 된 웨이퍼 (W) 를 수용하고, 타방의 카세트 (9) 는, 연삭 연마 가공 후의 웨이퍼 (W) 를 수용한다. 또, 위치 맞춤 수단 (10) 은, 카세트 (8) 로부터 꺼내진 웨이퍼 (W) 가 임시 재치되어, 그 중심 위치 맞춤을 실시하기 위한 테이블이다.
반입 수단 (11) 은, 흡착 패드를 가지며, 위치 맞춤 수단 (10) 으로 위치 맞춰진 연삭 연마 가공 전의 웨이퍼 (W) 를 흡착 유지하여 반입 반출 위치 (A) 에 위치하는 척 테이블 (7) 상에 반입한다. 반입 수단 (11) 은, 반입 반출 위치 (A) 에 위치하는 척 테이블 (7) 상에 유지된 연삭 연마 가공 후의 웨이퍼 (W) 를 흡착 유지하여 세정 수단 (13) 에 반출한다.
반출입 수단 (14) 은, 예를 들어 U 자형 핸드 (14a) 를 구비하는 로봇 픽이고, U 자형 핸드 (14a) 에 의해 웨이퍼 (W) 를 흡착 유지하여 반송한다. 구체적으로는, 반출입 수단 (14) 은, 연삭 연마 가공 전의 웨이퍼 (W) 를 카세트 (8) 로부터 위치 맞춤 수단 (10) 에 반출함과 함께, 연삭 연마 가공 후의 웨이퍼 (W) 를 세정 수단 (13) 으로부터 카세트 (9) 에 반입한다. 세정 수단 (13) 은, 연삭 연마 가공 후의 웨이퍼 (W) 를 세정하고, 연삭 및 연마된 가공면에 부착되어 있는 연삭 찌꺼기 및 연마 찌꺼기 등의 콘타미네이션을 제거한다.
제어 수단 (100) 은, 연삭 연마 장치 (1) 를 구성하는 상기 서술한 구성 요소를 각각 제어하는 것이다. 즉, 제어 수단 (100) 은, 웨이퍼 (W) 에 대한 가공 동작을 연삭 연마 장치 (1) 에 실행시키는 것이다. 제어 수단 (100) 은, 컴퓨터 프로그램을 실행 가능한 컴퓨터이다. 제어 수단 (100) 은, CPU (central processing unit) 와 같은 마이크로 프로세서를 갖는 연산 처리 장치와, ROM (read only memory) 또는 RAM (random access memory) 과 같은 메모리를 갖는 기억 장치와, 입출력 인터페이스 장치를 갖는다. 제어 수단 (100) 의 CPU 는, ROM 에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램을 RAM 상에서 실행하여, 연삭 연마 장치 (1) 를 제어하기 위한 제어 신호를 생성한다. 제어 수단 (100) 의 CPU 는, 생성된 제어 신호를 입출력 인터페이스 장치를 통하여 연삭 연마 장치 (1) 의 각 구성 요소에 출력한다. 또, 제어 수단 (100) 은, 가공 동작 상태나 화상 등을 표시하는 액정 표시 장치 등에 의해 구성되는 도시되지 않은 표시 수단이나, 오퍼레이터가 가공 내용 정보 등을 등록할 때에 사용하는 입력 수단과 접속되어 있다. 입력 수단은, 표시 수단에 형성된 터치 패널과, 키보드 등 중 적어도 하나에 의해 구성된다.
다음으로, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에 대해 설명한다. 도 4 는, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 흐름을 나타내는 플로 차트이다. 도 5 는, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정을 나타내는 도면이다. 도 6 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 게터링층 형성 공정을 나타내는 도면이다. 도 7 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정 및 게터링층 형성 공정의 회전 속도와 하중을 나타내는 도면이다. 도 8 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 개편화 공정을 나타내는 도면이다. 도 7 의 가로축은, 연마 공정 (ST4) 개시부터의 시간을 나타내고, 도 7 의 세로축은, 척 테이블 (7) 및 연마 패드 (51) 의 회전수, 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중의 값을 나타내고 있다. 도 7 에 있어서, 척 테이블 (7) 의 회전수를 가는 실선으로 나타내고, 연마 패드 (51) 의 회전수 및 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중을 굵은 파선으로 나타내고 있다.
웨이퍼의 가공 방법 (이하, 단순히 가공 방법이라고 기재한다) 은, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 유지 공정 (ST1) 과, 조연삭 공정 (ST2) 과, 마무리 연삭 공정 (ST3) 과, 연마 공정 (ST4) 과, 게터링층 형성 공정 (ST5) 과, 개편화 공정 (ST6) 을 포함한다. 유지 공정 (ST1) 에서는, 먼저, 오퍼레이터는, 연삭 연마 가공 전의 보호 부재 (P) 가 표면 (WS) 에 첩착된 웨이퍼 (W) 를 수용한 카세트 (8) 와, 웨이퍼 (W) 를 수용하고 있지 않는 카세트 (9) 를 장치 본체 (2) 에 장착하고, 가공 정보를 제어 수단 (100) 에 등록한다. 오퍼레이터는, 연삭 연마 장치 (1) 에 가공 동작의 개시 지시를 입력하고, 제어 수단 (100) 이, 연삭 연마 장치 (1) 의 가공 동작을 개시한다.
유지 공정 (ST1) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 반출입 수단 (14) 이 카세트 (8) 로부터 웨이퍼 (W) 를 꺼내고, 위치 맞춤 수단 (10) 에 반출하고, 위치 맞춤 수단 (10) 이, 웨이퍼 (W) 의 중심 위치 맞춤을 실시하고, 반입 수단 (11) 이 위치 맞춰진 웨이퍼 (W) 의 표면 (WS) 측을 반입 반출 위치 (A) 에 위치하는 척 테이블 (7) 상에 반입한다. 유지 공정 (ST1) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 웨이퍼 (W) 의 표면 (WS) 측을 보호 부재 (P) 를 개재하여 척 테이블 (7) 에서 유지하고, 이면 (WR) 을 노출시켜, 턴테이블 (6) 에서 웨이퍼 (W) 를 조연삭 위치 (B), 마무리 연삭 위치 (C), 연마 위치 (D) 및 반입 반출 위치 (A) 에 순서대로 반송한다. 또한, 연삭 연마 장치 (1) 는, 턴테이블 (6) 이 90 도 회전도로, 연삭 연마 가공 전의 웨이퍼 (W) 가 반입 반출 위치 (A) 의 척 테이블 (7) 에 반입된다.
조연삭 공정 (ST2) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 조연삭 위치 (B) 에서 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 제 1 연삭 수단 (3) 을 사용하여 조연삭 가공하고, 마무리 연삭 공정 (ST3) 에서는, 마무리 연삭 위치 (C) 에서 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 제 2 연삭 수단 (4) 을 사용하여 마무리 연삭 가공한다.
연마 공정 (ST4) 은, 척 테이블 (7) 에 웨이퍼 (W) 를 유지하고, 척 테이블 (7) 을 제 1 회전 속도 (R1) (도 7 에 나타낸다) 로 회전시키고, 척 테이블 (7) 에 유지된 웨이퍼 (W) 에 알칼리성 연마액을 공급하면서 소정 속도 (R0) 로 회전하는 연마 패드 (51) 를 맞닿게 하여 연마하는 공정이다. 연마 공정 (ST4) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 유지 공정 (ST1) 에 있어서 척 테이블 (7) 에 웨이퍼 (W) 를 유지하고 있다. 연마 공정 (ST4) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 연마 위치 (D) 의 척 테이블 (7) 을 제 1 회전 속도 (R1) 로 회전시키고, 연마 패드 (51) 를 소정 속도 (R0) 로 회전시킴과 함께, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 전환 밸브 (12) 를 통하여 연마액 공급원 (15) 으로부터 연마액을 공급하면서 연마 패드 (51) 를 제 1 하중 (F1) 으로 척 테이블 (7) 에 유지된 웨이퍼 (W) 에 가압하여, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 을 CMP 연마 가공한다. 여기서 말하는 연마액으로는, 연마를 위한 입자를 포함하지 않는 액이어도 되고, 웨이퍼 (W) 를 구성하는 실리콘에 대한 연마성을 향상시키는 실리카 등의 고상 반응 미립자를 포함하는 연마액이어도 된다.
또한, 실시형태 1 에 있어서, 연마 공정 (ST4) 의 연마 패드 (51) 의 소정 속도 (R0) 는 500 rpm 이고, 척 테이블 (7) 의 제 1 회전 속도 (R1) 는 505 rpm 이며, 연마 패드 (51) 의 제 1 하중 (F1) 의 값은 25 kPa 이고, 연마액의 공급량은 1 리터/min 이다.
게터링층 형성 공정 (ST5) 은, 연마 공정 (ST4) 중의 회전하는 척 테이블 (7) 에 유지된 웨이퍼 (W) 에 소정 속도 (R0) 로 회전하는 연마 패드 (51) 를 맞닿게 한 상태를 유지하여, 연마 공정 (ST4) 후에 연속하여, 척 테이블 (7) 을 제 1 회전 속도 (R1) 보다 작은 제 2 회전 속도 (R2) 로 회전시키고, 웨이퍼 (W) 와 반응하지 않는 액체인 순수를 공급하면서 소정 속도 (R0) 로 회전하는 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 맞닿게 하여 게터링층 (G) 을 형성하는 공정이다. 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T0) 경과하면, 전환 밸브 (12) 를 전환하여, 린스액 공급원 (17) 으로부터 웨이퍼 (W) 와 반응하지 않는 액체인 순수를 공급시키고, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T0) 보다 긴 시간 (T1) 경과하면, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T1) 보다 긴 시간 (T2) 경과할 때까지, 연마 패드 (51) 를 소정 속도 (R0) 로 회전시킨 채, 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 제 1 회전 속도 (R1) 로부터 제 1 회전 속도 (R1) 보다 작은 제 2 회전 속도 (R2) 까지 감소시킨다.
또, 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 T1 경과하면, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T2) 경과할 때까지, 연마 패드 (51) 의 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중을 제 1 하중 (F1) 보다 작은 제 2 하중 (F2) 까지 감소시킨다. 이렇게 하여, 게터링층 형성 공정 (ST5) 은, 연마 공정 (ST4) 중의 웨이퍼 (W) 에 연마 패드 (51) 를 맞닿게 한 상태를 유지하여, 연마 공정 (ST4) 후에 연속하여 실시된다. 또, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 연마 패드 (51) 의 회전 속도를 연마 공정 (ST4) 의 연마 패드 (51) 의 회전 속도로 유지한 채, 게터링층 형성 공정 (ST5) 을 실시한다. 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 연마 위치 (D) 의 척 테이블 (7) 을 제 2 회전 속도 (R2) 로 회전시키고, 연마 패드 (51) 를 소정 속도 (R0) 로 회전시킴과 함께, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 전환 밸브 (12) 를 통하여 린스액 공급원 (17) 으로부터 웨이퍼 (W) 와 반응하지 않는 액체인 순수를 공급하면서, 연마 패드 (51) 를 제 2 하중 (F2) 으로 척 테이블 (7) 에 유지된 웨이퍼 (W) 에 가압하여, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 측에 게터링층 (G) 을 형성한다.
또한, 실시형태 1 에 있어서, 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 연마 패드 (51) 의 소정 속도 (R0) 는 500 rpm 이고, 척 테이블 (7) 의 제 2 회전 속도 (R2) 는 60 rpm 이며, 연마 패드 (51) 의 제 2 하중 (F2) 의 값은 5 kPa 이고, 웨이퍼 (W) 와 반응하지 않는 액체인 순수의 공급량은 1 리터/min 이다.
또, 실시형태 1 에 있어서, 가공 방법은, 연마 공정 (ST4) 및 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연마 패드 (51) 의 외주가 웨이퍼 (W) 의 중심을 덮고, 또한 웨이퍼 (W) 의 외연으로부터 비어져 나오도록 연마 패드 (51) 를 위치 부여한다. 가공 방법은, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T2) 보다 긴 시간 (T3) 경과하면, 게터링층 형성 공정 (ST5) 을 종료한다.
연삭 연마 장치 (1) 는, 게터링층 형성 공정 (ST5) 후에, 게터링층 형성 공정 (ST5) 이 실시된 웨이퍼 (W) 를 반입 반출 위치 (A) 에 위치 부여하고, 반입 수단 (11) 에 의해 세정 수단 (13) 에 반입하고, 세정 수단 (13) 으로 세정하고, 세정 후의 웨이퍼 (W) 를 반출입 수단 (14) 으로 카세트 (9) 에 반입한다.
개편화 공정 (ST6) 에서는, 카세트 (9) 내로부터 웨이퍼 (W) 를 꺼내고, 표면 (WS) 으로부터 보호 부재 (P) 를 벗긴 후, 웨이퍼 (W) 의 표면 (WS) 에 폴리비닐알코올 (polyvinyl alcohol : PVA) 또는 폴리비닐피롤리돈 (polyvinyl pyrrolidone : PVP) 등을 포함하는 수용성 수지에 의해 구성되는 도시되지 않은 보호막을 형성하고, 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 측을 도 8 에 나타내는 레이저 가공기 (20) 의 척 테이블 (21) 에 흡인 유지한다. 개편화 공정 (ST6) 은, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공기 (20) 의 레이저광 조사 유닛 (22) 을 분할 예정 라인 (S) 을 따라 상대적으로 이동시키면서 레이저광 조사 유닛 (22) 으로부터 레이저광 (LR) 을 분할 예정 라인 (S) 에 조사하여, 분할 예정 라인 (S) 에 애블레이션 가공을 실시하여 하프 컷한 후, 외력을 가하여, 웨이퍼 (W) 를 분할 예정 라인 (S) 을 따라 개개의 디바이스 칩 (DT) 으로 개편화한다. 레이저광 (LR) 을 조사하여 풀 컷하는 경우에는, 개편화 공정 (ST6) 에 있어서, 웨이퍼 (W) 를 개개의 디바이스 칩 (DT) 으로 개편화한 후, 도시되지 않은 보호막을 제거하고, 웨이퍼 (W) 의 표면 (WS) 을 세정하고, 보호막을 세정하여 파편과 함께 제거한다.
실시형태 1 에 있어서, 개편화 공정 (ST6) 은, 레이저광 (LR) 을 사용한 애블레이션 가공에 의해 웨이퍼 (W) 를 개개의 디바이스 칩 (DT) 으로 개편화했지만, 본 발명에서는, 개편화 공정 (ST6) 은, 레이저광을 조사하여 웨이퍼 (W) 의 내부에 개질층을 형성하여 웨이퍼 (W) 를 개개의 디바이스 칩 (DT) 으로 개편화해도 되고, 절삭 블레이드를 사용한 절삭 가공에 의해 웨이퍼 (W) 를 개개의 디바이스 칩 (DT) 으로 개편화해도 된다.
이상과 같이, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 연마 공정 (ST4) 보다 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 작게 하므로, 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서의 척 테이블 (7) 과 연마 패드 (51) 의 상대 속도가 연마 공정 (ST4) 에서의 상대 속도보다 커진다. 이 때문에, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 게터링층 (G) 의 형성에 관련된 소요 시간을 억제할 수 있다. 그 결과, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 효율적으로 게터링층 (G) 의 형성을 실시할 수 있다.
또, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 연마 패드 (51) 의 회전 속도를 연마 공정 (ST4) 의 연마 패드 (51) 의 회전 속도로 유지한 채, 연마 공정 (ST4) 으로부터 게터링층 형성 공정 (ST5) 에 걸쳐 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 감소시킨다. 이와 같이, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 연마 공정 (ST4) 으로부터 게터링층 형성 공정 (ST5) 에 걸쳐, 연마 패드 (51) 보다 소직경의 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 변화시키므로, 연마 패드 (51) 의 회전 속도를 변화시키는 경우보다, 회전 속도를 변화시키는 데에 걸리는 소요 시간을 억제할 수 있다. 그 결과, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 연마 공정 (ST4) 으로부터 게터링층 형성 공정 (ST5) 으로 이행하는 소요 시간을 억제할 수 있고, 효율적으로 게터링층 (G) 의 형성을 실시할 수 있다.
[실시형태 2]
본 발명의 실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 9 는, 실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정을 나타내는 도면이다. 도 10 은, 실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 게터링층 형성 공정을 나타내는 도면이다. 또한, 도 9 및 도 10 은, 실시형태 1 과 동일 부분에 동일 부호를 붙여 설명을 생략한다.
실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법 (이하, 간단히 가공 방법이라고 기재한다) 은, 연마 공정 (ST4) 및 게터링층 형성 공정 (ST5) 을 실시하는 연마 수단 (5) 의 구성이 실시형태 1 과 상이한 것 이외, 실시형태 1 과 동일하다.
실시형태 2 에 관련된 가공 방법은, 연마 공정 (ST4) 및 게터링층 형성 공정 (ST5) 을 실시하는 연마 수단 (5) 은, 도 9 및 도 10 에 나타내는 바와 같이, 연마액 공급원 (15) 으로부터의 연마액 또는 린스액 공급원 (17) 으로부터의 액체를 연마 패드 (51) 의 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 에 맞닿는 연마면의 중앙에 공급하는 공급 통로 (18) 를 중심으로 형성하고 있다. 또, 실시형태 2 에 관련된 가공 방법의 연마 공정 (ST4) 및 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연마 패드 (51) 의 전체로 웨이퍼 (W) 의 이면 (WR) 전체를 덮도록, 연마 패드 (51) 를 위치 부여한다. 실시형태 2 에 있어서, 연마 패드 (51) 의 외경은, 웨이퍼 (W) 의 외경과 동등한, 300 ㎜ 이다.
실시형태 2 에 관련된 가공 방법은, 실시형태 1 과 동일하게, 연마 공정 (ST4) 보다 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 작게 하므로, 가공성이 좋고 또한 효율적으로 게터링층 (G) 의 형성을 실시할 수 있다.
[실시형태 3]
본 발명의 실시형태 3 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 11 은, 실시형태 3 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정 및 게터링층 형성 공정의 회전 속도를 나타내는 도면이다. 또한, 도 11 은, 실시형태 1 과 동일 부분에 동일 부호를 붙여 설명을 생략한다. 도 11 의 가로축은, 연마 공정 (ST4) 개시부터의 시간을 나타내고, 도 11 의 세로축은, 척 테이블 (7) 및 연마 패드 (51) 의 회전수를 나타내고 있다. 도 11 에 있어서, 척 테이블 (7) 의 회전수를 가는 실선으로 나타내고, 연마 패드 (51) 의 회전수를 굵은 파선으로 나타내고 있다.
실시형태 3 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법 (이하, 간단히 가공 방법이라고 기재한다) 은, 연마 공정 (ST4) 및 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 척 테이블 (7) 의 회전 속도가 실시형태 1 과 상이한 것 이외, 실시형태 1 과 동일하다.
실시형태 3 에 관련된 가공 방법의 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T0) 보다 긴 시간 (T1) 경과하면, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T1) 보다 길고 시간 (T2) 보다 짧은 시간 (T2A) 경과할 때까지, 연마 패드 (51) 를 소정 속도 (R0) 로 회전시킨 채, 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 제 1 회전 속도 (R1) 로부터 제 1 회전 속도 (R1) 보다 작고 또한 제 2 회전 속도 (R2) 보다 큰 제 2 회전 속도 (R2A) 까지 감소시킨다. 실시형태 3 에 관련된 가공 방법의 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T2A) 경과하면, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T2) 경과할 때까지, 연마 패드 (51) 를 소정 속도 (R0) 로 회전시킨 채, 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 제 2 회전 속도 (R2A) 로부터 제 1 회전 속도 (R1) 보다 작은 제 2 회전 속도 (R2) 까지 감소시킨다. 이와 같이, 실시형태 3 에 관련된 가공 방법의 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 척 테이블 (7) 의 회전수를 단계적으로 서서히 작게 하지만, 연속적으로 서서히 작게 해도 된다.
실시형태 3 에 관련된 가공 방법은, 실시형태 1 과 동일하게, 연마 공정 (ST4) 보다 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 작게 하므로, 효율적으로 게터링층 (G) 의 형성을 실시할 수 있다.
또, 실시형태 3 에 관련된 가공 방법은, 실시형태 1 과 동일하게, 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 단계적으로 서서히 작게 하므로, 연마 공정 (ST4) 으로부터 게터링층 형성 공정 (ST5) 으로 이행할 때의 연마 수단 (5) 의 부하를 억제할 수 있다.
[실시형태 4]
본 발명의 실시형태 4 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 12 는, 실시형태 4 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 연마 공정 및 게터링층 형성 공정의 회전 속도 및 하중을 나타내는 도면이다. 또한, 도 12 는, 실시형태 3 과 동일 부분에 동일 부호를 붙여 설명을 생략한다. 도 12 의 가로축은, 연마 공정 (ST4) 개시부터의 시간을 나타내고, 도 12 의 세로축은, 척 테이블 (7) 및 연마 패드 (51) 의 회전수, 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중의 값을 나타내고 있다. 도 12 에 있어서, 척 테이블 (7) 의 회전수를 가는 실선으로 나타내고, 연마 패드 (51) 의 회전수 및 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중을 굵은 파선으로 나타내고 있다.
실시형태 4 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법 (이하, 간단히 가공 방법이라고 기재한다) 은, 연마 공정 (ST4) 및 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중이 실시형태 3 과 상이한 것 이외, 실시형태 3 과 동일하다.
실시형태 4 에 관련된 가공 방법의 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 실시형태 3 과 동일하게, 척 테이블 (7) 의 회전수를 단계적으로 작게 하는 것에 더하여, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T0) 보다 긴 시간 (T1) 경과하면, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T1) 보다 길고 시간 (T2) 보다 짧은 시간 (T2A) 경과할 때까지, 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중을 제 1 하중 (F1) 으로부터 제 1 하중 (F1) 보다 작고 또한 제 2 하중 (F2) 보다 큰 제 2 하중 (F2A) 까지 감소시킨다. 실시형태 4 에 관련된 가공 방법의 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T2A) 경과하면, 연마 공정 (ST4) 의 개시부터 시간 (T2) 경과할 때까지, 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중을 제 2 하중 (F2A) 으로부터 제 1 하중 (F1) 보다 작은 제 2 하중 (F2) 까지 감소시킨다. 이와 같이, 실시형태 4 에 관련된 가공 방법의 게터링층 형성 공정 (ST5) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중을 단계적으로 작게 하지만, 연속적으로 서서히 작게 해도 된다.
실시형태 4 에 관련된 가공 방법은, 실시형태 1 과 동일하게, 연마 공정 (ST4) 보다 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 척 테이블 (7) 의 회전 속도를 작게 하므로, 가공성이 좋고 또한 효율적으로 게터링층 (G) 의 형성을 실시할 수 있다.
또, 실시형태 4 에 관련된 가공 방법은, 실시형태 1 과 동일하게, 게터링층 형성 공정 (ST5) 의 척 테이블 (7) 의 회전 속도에 더하여, 연마 패드 (51) 를 웨이퍼 (W) 에 가압하는 하중을 단계적으로 작게 하므로, 연마 공정 (ST4) 으로부터 게터링층 형성 공정 (ST5) 으로 이행할 때의 연마 수단 (5) 의 부하를 억제할 수 있다.
각 실시형태에 의하면, 이하의 디바이스 칩의 제조 방법을 얻을 수 있다.
(부기 1)
연마용 지립과 게터링용 지립의 쌍방을 포함하는 연마 패드를 사용한 웨이퍼의 가공 방법으로서,
제 1 회전 속도로 회전하는 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 알칼리성 연마액을 공급하면서 소정 속도로 회전하는 그 연마 패드를 맞닿게 하여 연마하는 연마 공정과,
그 연마 공정 중의 회전하는 그 척 테이블에 유지된 그 웨이퍼에 그 소정 속도로 회전하는 그 연마 패드를 맞닿게 한 상태를 유지하여, 그 연마 공정 후에 연속하여, 그 척 테이블을 그 제 1 회전 속도보다 작은 제 2 회전 속도로 회전시키고, 그 웨이퍼와 반응하지 않는 액체를 공급하면서 그 웨이퍼에 게터링층을 형성하는 게터링층 형성 공정
을 포함하는 디바이스 칩의 제조 방법.
또한, 본 발명은 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형하여 실시할 수 있다.
7 : 척 테이블
51 : 연마 패드
W : 웨이퍼
WS : 표면
WR : 이면
DV : 디바이스
G : 게터링층
R0 : 소정 속도
R1 : 제 1 회전 속도
R2, R2A : 제 2 회전 속도
ST4 : 연마 공정
ST5 : 게터링층 형성 공정

Claims (2)

  1. 연마용 지립과 게터링용 지립의 쌍방을 포함하는 연마 패드를 사용한 웨이퍼의 가공 방법으로서,
    제 1 회전 속도로 회전하는 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 알칼리성 연마액을 공급하면서 소정 속도로 회전하는 그 연마 패드를 맞닿게 하여 연마하는 연마 공정과,
    그 연마 공정 중의 회전하는 그 척 테이블에 유지된 그 웨이퍼에 그 소정 속도로 회전하는 그 연마 패드를 맞닿게 한 상태를 유지하여, 그 연마 공정 후에 연속하여, 그 척 테이블을 그 제 1 회전 속도보다 작은 제 2 회전 속도로 회전시키고, 그 웨이퍼와 반응하지 않는 액체를 공급하면서 그 웨이퍼에 게터링층을 형성하는 게터링층 형성 공정을 포함하는, 웨이퍼의 가공 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    그 제 2 회전 속도는 서서히 작아지는, 웨이퍼의 가공 방법.
KR1020170154619A 2016-11-22 2017-11-20 웨이퍼의 가공 방법 KR102282258B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-226965 2016-11-22
JP2016226965A JP2018085411A (ja) 2016-11-22 2016-11-22 ウエーハの加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180057545A true KR20180057545A (ko) 2018-05-30
KR102282258B1 KR102282258B1 (ko) 2021-07-26

Family

ID=62172184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170154619A KR102282258B1 (ko) 2016-11-22 2017-11-20 웨이퍼의 가공 방법

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2018085411A (ko)
KR (1) KR102282258B1 (ko)
CN (1) CN108081118B (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110429022B (zh) * 2019-08-06 2022-04-19 芯盟科技有限公司 晶背减薄的方法
CN110429023A (zh) * 2019-08-06 2019-11-08 芯盟科技有限公司 晶背减薄的方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090125058A (ko) * 2007-02-20 2009-12-03 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 실리콘 단결정 웨이퍼의 마무리 연마방법 및 실리콘 단결정 웨이퍼
JP2010225987A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの研磨方法及び研磨パッド
JP2013247132A (ja) 2012-05-23 2013-12-09 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の加工方法
JP2013244537A (ja) 2012-05-23 2013-12-09 Disco Corp 板状物の加工方法
JP2015046550A (ja) * 2013-08-29 2015-03-12 株式会社ディスコ 研磨パッドおよびウエーハの加工方法
JP6410490B2 (ja) * 2014-06-27 2018-10-24 株式会社ディスコ デバイスウェーハの評価方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1290030A (zh) * 1999-09-28 2001-04-04 西门子公司 促进半导体晶片释放的方法
EP1628334A4 (en) * 2003-05-09 2006-08-02 Sanyo Chemical Ind Ltd POLISHING LIQUID FOR A CMP PROCESS AND POLISHING METHOD
JP6366383B2 (ja) * 2014-06-27 2018-08-01 株式会社ディスコ 加工装置
CN105575765A (zh) * 2014-10-16 2016-05-11 江苏凯旋涂装自动化工程有限公司 一种晶圆生产工艺

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090125058A (ko) * 2007-02-20 2009-12-03 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 실리콘 단결정 웨이퍼의 마무리 연마방법 및 실리콘 단결정 웨이퍼
JP2010225987A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの研磨方法及び研磨パッド
JP2013247132A (ja) 2012-05-23 2013-12-09 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の加工方法
JP2013244537A (ja) 2012-05-23 2013-12-09 Disco Corp 板状物の加工方法
JP2015046550A (ja) * 2013-08-29 2015-03-12 株式会社ディスコ 研磨パッドおよびウエーハの加工方法
JP6410490B2 (ja) * 2014-06-27 2018-10-24 株式会社ディスコ デバイスウェーハの評価方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102282258B1 (ko) 2021-07-26
CN108081118B (zh) 2021-11-30
CN108081118A (zh) 2018-05-29
JP2018085411A (ja) 2018-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4790322B2 (ja) 加工装置および加工方法
JP5916513B2 (ja) 板状物の加工方法
JP2007173487A (ja) ウエーハの加工方法および装置
JP5963537B2 (ja) シリコンウエーハの加工方法
KR102255728B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2007214457A (ja) ウェーハ加工装置及び方法
JP6192778B2 (ja) シリコンウエーハの加工装置
KR102320761B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법 및 연마 장치
JP5410940B2 (ja) 研削装置
KR102282258B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP5466963B2 (ja) 研削装置
JP2008010557A (ja) 半導体ウエーハの研磨加工方法
JP2007165802A (ja) 基板の研削装置および研削方法
JP2011031359A (ja) 研磨工具、研磨装置および研磨加工方法
JP6773482B2 (ja) 研削装置のアイドリング方法
KR20190011209A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP7304708B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP6890495B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP6749202B2 (ja) デバイスチップの製造方法
JP6938160B2 (ja) 被加工物の加工方法
KR20180035671A (ko) 디바이스 웨이퍼의 가공 방법
JP2023082509A (ja) 加工方法及び加工装置
JP2023104444A (ja) 被加工物の加工方法
JP2024054473A (ja) 加工装置
JP2022061903A (ja) ドレッシング工具

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant