JP2018085411A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】加工性良くまた効率的にゲッタリング層の形成を行うことができるウエーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウエーハの加工方法は、研磨用砥粒とゲッタリング用砥粒との双方を含む研磨パッドを用いたウエーハの加工方法である。ウエーハの加工方法は、第1回転速度で回転するチャックテーブルに保持されたウエーハにアルカリ性の研磨液を供給しながら所定速度で回転する研磨パッドを当接させて研磨する研磨工程ST4と、研磨工程ST4中の回転するチャックテーブルに保持されたウエーハに所定速度で回転する研磨パッドを当接させた状態を維持して、研磨工程ST4後に連続して、チャックテーブルを第1回転速度よりも小さな第2回転速度で回転させ、該ウエーハと反応しない液体を供給しながら該ウエーハにゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程ST5とを含む。【選択図】図4

Description

本発明は、ウエーハの加工方法に関する。
ウエーハをチャックテーブルで保持して回転させつつ、研磨パッドを回転させてウエーハに押圧して研磨液を供給しながら研磨した後、チャックテーブルと研磨パッドとを回転させリンス液を供給しながら、ウエーハにゲッタリング層を形成することが行われる(例えば、特許文献1及び特許文献2参照)。
特開2013−247132号公報 特開2013−244537号公報
特許文献1及び2の発明は、研磨パッドを用いて、研磨とその後のゲッタリング層形成とを連続して行っている。しかしながら、特許文献1及び2の発明は、それぞれの処理において、ウエーハに効率的にゲッタリング層を形成するためのチャックテーブルの好ましい回転数には着目していない。ウエーハの加工では、ゲッタリング層を効率的に形成することが望まれている。
本発明は、効率的にゲッタリング層の形成を行うことができるウエーハの加工方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの加工方法は、研磨用砥粒とゲッタリング用砥粒との双方を含む研磨パッドを用いたウエーハの加工方法であって、第1回転速度で回転するチャックテーブルに保持されたウエーハにアルカリ性の研磨液を供給しながら所定速度で回転する該研磨パッドを当接させて研磨する研磨工程と、該研磨工程中の回転する該チャックテーブルに保持された該ウエーハに該所定速度で回転する該研磨パッドを当接させた状態を維持して、該研磨工程後に連続して、該チャックテーブルを該第1回転速度よりも小さな第2回転速度で回転させ、該ウエーハと反応しない液体を供給しながら該ウエーハにゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程と、を含むことを特徴とする。
該第2回転速度は、徐々に小さくなっても良い。
本発明によれば、研磨工程時よりもゲッタリング層形成工程のチャックテーブルの回転速度が小さいので、研磨工程よりもゲッタリング層形成工程の研磨パッドとウエーハとの相対速度を大きくでき、効率的にゲッタリング層の形成を行うことができる。
図1は、実施形態1に係るウエーハの加工方法の加工対象のデバイスウエーハを示す斜視図である。 図2は、実施形態1に係るウエーハの加工方法に用いられる研削研磨装置の構成例の斜視図である。 図3は、図2に示された研削研磨装置の研磨手段の構成例を示す斜視図である。 図4は、実施形態1に係るウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。 図5は、実施形態1に係るウエーハの加工方法の研磨工程を示す図である。 図6は、実施形態1に係るウエーハの加工方法のゲッタリング層形成工程を示す図である。 図7は、実施形態1に係るウエーハの加工方法の研磨工程及びゲッタリング層形成工程の回転速度と荷重を示す図である。 図8は、実施形態1に係るウエーハの加工方法の個片化工程を示す図である。 図9は、実施形態2に係るウエーハの加工方法の研磨工程を示す図である。 図10は、実施形態2に係るウエーハの加工方法のゲッタリング層形成工程を示す図である。 図11は、実施形態3に係るウエーハの加工方法の研磨工程及びゲッタリング層形成工程の回転速度を示す図である。 図12は、実施形態4に係るウエーハの加工方法の研磨工程及びゲッタリング層形成工程の回転速度及び荷重を示す図である。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態1〕
本発明の実施形態1に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るウエーハの加工方法の加工対象のデバイスウエーハを示す斜視図である。図2は、実施形態1に係るウエーハの加工方法に用いられる研削研磨装置の構成例の斜視図である。図3は、図2に示された研削研磨装置の研磨手段の構成例を示す斜視図である。
実施形態1に係るウエーハの加工方法は、図1に示すウエーハWの裏面WRにゲッタリング層Gを形成するとともに、ウエーハWをデバイスチップDT(図1中に点線で示す)に分割する方法である。ウエーハWは、図1に示すように、シリコンを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハWは、表面WSに格子状に形成される複数の分割予定ラインSによって区画された領域にデバイスDVが形成されている。即ち、ウエーハWは、表面WSに複数のデバイスDVが形成されている。ウエーハWは、表面WSの裏側の裏面WRに研削加工などが施されて、所定の厚みまで薄化された後に、裏面WR側にゲッタリング層Gが形成される。ゲッタリング層Gは、ウエーハWの裏面WR即ち各デバイスDVの裏面WRに結晶欠陥、歪みなど(ゲッタリングサイトという)が形成された層であり、このゲッタリングサイトに金属汚染を引き起こす不純物を捕獲、固着する層である。実施形態1において、ウエーハWは、裏面WR側にゲッタリング層Gが形成された後、デバイスDVを含むデバイスチップDTに分割される。実施形態1において、ウエーハWの外径は、300mmである。
実施形態1に係るウエーハの加工方法は、少なくとも図2に示す加工装置としての研削研磨装置1を用いる。研削研磨装置1は、ウエーハWの裏面WRを薄型化のために研削加工するとともに、研削加工されたウエーハWの裏面WRを高精度に平坦化しかつウエーハWの裏面WR側にゲッタリング層Gを形成するために研磨加工するものである。研削研磨装置1は、図2に示すように、装置本体2と、第1の研削手段3と、第2の研削手段4と、研磨手段5と、ターンテーブル6上に設置された例えば4つのチャックテーブル7と、カセット8,9と、位置合わせ手段10と、搬入手段11と、洗浄手段13と、搬出入手段14と、制御手段100とを主に備えている。
第1の研削手段3は、スピンドルの下端に装着された研削砥石を有する研削ホイール31が回転されながら粗研削位置Bのチャックテーブル7に保持されたウエーハWの裏面WRに鉛直方向と平行なZ軸方向に沿って押圧されることによって、ウエーハWの裏面WRを粗研削加工するためのものである。同様に、第2の研削手段4は、スピンドルの下端に装着された研削砥石を有する研削ホイール41が回転されながら仕上げ研削位置Cに位置するチャックテーブル7に保持された粗研削済みのウエーハWの裏面WRにZ軸方向に沿って押圧されることによって、ウエーハWの裏面WRを仕上げ研削加工するためのものである。
実施形態1において、研磨手段5は、図3に示すように、スピンドルの下端に装着された研磨パッド51をチャックテーブル7の保持面に対向して配置させる。研磨手段5は、研磨パッド51が回転されながら、研磨位置Dに位置するチャックテーブル7の保持面に保持された仕上げ研削済みのウエーハWの裏面WRにZ軸方向に沿って押圧される。研磨手段5は、研磨パッド51がウエーハWの裏面WRにZ軸方向に沿って押圧されることによって、ウエーハWの裏面WRを研磨加工するためのものである。研磨手段5の研磨パッド51は、研磨用砥粒とゲッタリング用砥粒との双方を含む。研磨用砥粒は、研磨加工に適した砥粒であり、例えば、シリカ(SiO)、ジルコニア(ZrO)及びセリア(CeO)のうちの少なくとも一以上により構成された砥粒である。ゲッタリング用砥粒は、ゲッタリング層Gを形成するのに適した砥粒であり、例えば、GC(緑色炭化ケイ素)、WA(ホワイトアランダム)、ダイヤモンドのうちの少なくとも一以上により構成された砥粒である。
研磨手段5は、切換え弁12を介して研磨液供給源15からアルカリ性の研磨液を研磨パッド51とは別体のノズル16からウエーハWの裏面WRに供給しながら、研磨パッド51を用いて所謂CMP(Chemical Mechanical Polishing)加工をウエーハWの裏面WRに施した後、切換え弁12を介してリンス液供給源17からウエーハWと反応しない液体(実施形態1においては、純水)をノズル16からウエーハWの裏面WRに供給しながら、研磨パッド51を用いてウエーハWの裏面WR側にゲッタリング層Gを形成する。また、研磨手段5は、図3に示すように、研磨パッド51をスピンドルとともに、Z軸方向と直交しかつ装置本体2の幅方向と平行なX軸方向に移動させるX軸移動手段52を備える。実施形態1において、研磨パッド51の外径は、450mmである。
ターンテーブル6は、装置本体2の上面に設けられた円盤状のテーブルであり、水平面内で回転可能に設けられ、所定のタイミングで回転駆動される。このターンテーブル6上には、例えば4つのチャックテーブル7が、例えば90度の位相角で等間隔に配設されている。これら4つのチャックテーブル7は、上面に真空チャックを備えたチャックテーブル構造のものであり、載置されたウエーハWを真空吸着して保持する。これらチャックテーブル7は、研削加工時及び研磨加工時には、鉛直方向と平行な軸を回転軸として、回転駆動機構によって水平面内で回転駆動される。このように、チャックテーブル7は、被加工物としてのウエーハWを回転可能に保持する保持面を有している。このようなチャックテーブル7は、ターンテーブル6の回転によって、搬入搬出位置A、粗研削位置B、仕上げ研削位置C、研磨位置D、搬入搬出位置Aに順次移動される。
カセット8,9は、複数のスロットを有するウエーハWを収容するための収容器である。一方のカセット8は、研削研磨加工前の表面WSに保護部材P(図5に示す)が貼着されたウエーハWを収容し、他方のカセット9は、研削研磨加工後のウエーハWを収容する。また、位置合わせ手段10は、カセット8から取り出されたウエーハWが仮置きされて、その中心位置合わせを行うためのテーブルである。
搬入手段11は、吸着パッドを有し、位置合わせ手段10で位置合わせされた研削研磨加工前のウエーハWを吸着保持して搬入搬出位置Aに位置するチャックテーブル7上に搬入する。搬入手段11は、搬入搬出位置Aに位置するチャックテーブル7上に保持された研削研磨加工後のウエーハWを吸着保持して洗浄手段13に搬出する。
搬出入手段14は、例えばU字型ハンド14aを備えるロボットピックであり、U字型ハンド14aによってウエーハWを吸着保持して搬送する。具体的には、搬出入手段14は、研削研磨加工前のウエーハWをカセット8から位置合わせ手段10へ搬出するとともに、研削研磨加工後のウエーハWを洗浄手段13からカセット9へ搬入する。洗浄手段13は、研削研磨加工後のウエーハWを洗浄し、研削及び研磨された加工面に付着している研削屑及び研磨屑等のコンタミネーションを除去する。
制御手段100は、研削研磨装置1を構成する上述した構成要素をそれぞれ制御するものである。即ち、制御手段100は、ウエーハWに対する加工動作を研削研磨装置1に実行させるものである。制御手段100は、コンピュータプログラムを実行可能なコンピュータである。制御手段100は、CPU(central processing unit)のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ROM(read only memory)又はRAM(random access memory)のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インタフェース装置とを有する。制御手段100のCPUは、ROMに記憶されているコンピュータプログラムをRAM上で実行して、研削研磨装置1を制御するための制御信号を生成する。制御手段100のCPUは、生成した制御信号を入出力インタフェース装置を介して研削研磨装置1の各構成要素に出力する。また、制御手段100は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力手段と接続されている。入力手段は、表示手段に設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。
次に、実施形態1に係るウエーハの加工方法について説明する。図4は、実施形態1に係るウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図5は、実施形態1に係るウエーハの加工方法の研磨工程を示す図である。図6は、実施形態1に係るウエーハの加工方法のゲッタリング層形成工程を示す図である。図7は、実施形態1に係るウエーハの加工方法の研磨工程及びゲッタリング層形成工程の回転速度と荷重を示す図である。図8は、実施形態1に係るウエーハの加工方法の個片化工程を示す図である。図7の横軸は、研磨工程ST4開始からの時間を示し、図7の縦軸は、チャックテーブル7及び研磨パッド51の回転数、研磨パッド51をウエーハWに押しつける荷重の値を示している。図7において、チャックテーブル7の回転数を細い実線で示し、研磨パッド51の回転数及び研磨パッド51をウエーハWに押しつける荷重を太い破線で示している。
ウエーハの加工方法(以下、単に加工方法と記す)は、図4に示すように、保持工程ST1と、粗研削工程ST2と、仕上げ研削工程ST3と、研磨工程ST4と、ゲッタリング層形成工程ST5と、個片化工程ST6とを含む。保持工程ST1では、先ず、オペレータは、研削研磨加工前の保護部材Pが表面WSに貼着されたウエーハWを収容したカセット8と、ウエーハWを収容していないカセット9を装置本体2に取り付け、加工情報を制御手段100に登録する。オペレータは、研削研磨装置1に加工動作の開始指示を入力し、制御手段100が、研削研磨装置1の加工動作を開始する。
保持工程ST1では、研削研磨装置1は、搬出入手段14がカセット8からウエーハWを取り出し、位置合わせ手段10へ搬出し、位置合わせ手段10が、ウエーハWの中心位置合わせを行い、搬入手段11が位置合わせされたウエーハWの表面WS側を搬入搬出位置Aに位置するチャックテーブル7上に搬入する。保持工程ST1では、研削研磨装置1は、ウエーハWの表面WS側を保護部材Pを介してチャックテーブル7で保持し、裏面WRを露出させて、ターンテーブル6でウエーハWを粗研削位置B、仕上げ研削位置C、研磨位置D及び搬入搬出位置Aに順に搬送する。なお、研削研磨装置1は、ターンテーブル6が90度回転度に、研削研磨加工前のウエーハWが搬入搬出位置Aのチャックテーブル7に搬入される。
粗研削工程ST2では、研削研磨装置1は、粗研削位置BでウエーハWの裏面WRに第1の研削手段3を用いて粗研削加工し、仕上げ研削工程ST3では、仕上げ研削位置CでウエーハWの裏面WRに第2の研削手段4を用いて仕上げ研削加工する。
研磨工程ST4は、チャックテーブル7にウエーハWを保持し、チャックテーブル7を第1回転速度R1(図7に示す)で回転させ、チャックテーブル7に保持されたウエーハWにアルカリ性の研磨液を供給しながら所定速度R0で回転する研磨パッド51を当接させて研磨する工程である。研磨工程ST4では、研削研磨装置1は、保持工程ST1においてチャックテーブル7にウエーハWを保持している。研磨工程ST4では、研削研磨装置1は、研磨位置Dのチャックテーブル7を第1回転速度R1で回転させ、研磨パッド51を所定速度R0で回転させるとともに、図5に示すように、ウエーハWの裏面WRに切換え弁12を介して研磨液供給源15から研磨液を供給しながら研磨パッド51を第1荷重F1でチャックテーブル7に保持されたウエーハWに押しつけて、ウエーハWの裏面WRをCMP研磨加工する。ここでいう研磨液としては、研磨のための粒子を含まない液でもよいし、ウエーハWを構成するシリコンに対する研磨性を向上させるシリカなどの固相反応微粒子を含む研磨液であってもよい。
なお、実施形態1において、研磨工程ST4の研磨パッド51の所定速度R0は、500rpmであり、チャックテーブル7の第1回転速度R1は、505rpmであり、研磨パッド51の第1荷重F1の値は、25kPaであり、研磨液の供給量は、1リットル/minである。
ゲッタリング層形成工程ST5は、研磨工程ST4中の回転するチャックテーブル7に保持されたウエーハWに所定速度R0で回転する研磨パッド51を当接させた状態を維持して、研磨工程ST4後に連続して、チャックテーブル7を第1回転速度R1よりも小さな第2回転速度R2で回転させ、ウエーハWと反応しない液体である純水を供給しながら所定速度R0で回転する研磨パッド51をウエーハWに当接させてゲッタリング層Gを形成する工程である。ゲッタリング層形成工程ST5では、研削研磨装置1は、研磨工程ST4の開始から時間T0経過すると、切換え弁12を切換えて、リンス液供給源17からウエーハWと反応しない液体である純水を供給させ、研磨工程ST4の開始から時間T0よりも長い時間T1経過すると、研磨工程ST4の開始から時間T1よりも長い時間T2経過するまでに、研磨パッド51を所定速度R0で回転させたまま、チャックテーブル7の回転速度を第1回転速度R1から第1回転速度R1よりも小さな第2回転速度R2まで減少させる。
また、ゲッタリング層形成工程ST5では、研削研磨装置1は、研磨工程ST4の開始からT1経過すると、研磨工程ST4の開始から時間T2経過するまでに、研磨パッド51のウエーハWに押し付ける荷重を第1荷重F1よりも小さい第2荷重F2まで減少させる。こうして、ゲッタリング層形成工程ST5は、研磨工程ST4中のウエーハWに研磨パッド51を当接させた状態を維持して、研磨工程ST4後に連続して、実施される。また、実施形態1に係る加工方法は、ゲッタリング層形成工程ST5の研磨パッド51の回転速度を研磨工程ST4の研磨パッド51の回転速度に維持したまま、ゲッタリング層形成工程ST5を実施する。ゲッタリング層形成工程ST5では、研削研磨装置1は、研磨位置Dのチャックテーブル7を第2回転速度R2で回転させ、研磨パッド51を所定速度R0で回転させるとともに、図6に示すように、ウエーハWの裏面WRに切換え弁12を介してリンス液供給源17からウエーハWと反応しない液体である純水を供給しながら、研磨パッド51を第2荷重F2でチャックテーブル7に保持されたウエーハWに押しつけて、ウエーハWの裏面WR側にゲッタリング層Gを形成する。
なお、実施形態1において、ゲッタリング層形成工程ST5の研磨パッド51の所定速度R0は、500rpmであり、チャックテーブル7の第2回転速度R2は、60rpmであり、研磨パッド51の第2荷重F2の値は、5kPaであり、ウエーハWと反応しない液体である純水の供給量は、1リットル/minである。
また、実施形態1において、加工方法は、研磨工程ST4及びゲッタリング層形成工程ST5では、研磨パッド51の外周がウエーハWの中心を覆い、かつウエーハWの外縁からはみ出すように研磨パッド51を位置付ける。加工方法は、研磨工程ST4の開始から時間T2よりも長い時間T3経過すると、ゲッタリング層形成工程ST5を終了する。
研削研磨装置1は、ゲッタリング層形成工程ST5後に、ゲッタリング層形成工程ST5が実施されたウエーハWを搬入搬出位置Aに位置付け、搬入手段11により洗浄手段13に搬入し、洗浄手段13で洗浄し、洗浄後のウエーハWを搬出入手段14でカセット9へ搬入する。
個片化工程ST6では、カセット9内からウエーハWを取り出し、表面WSから保護部材Pを剥がした後、ウエーハWの表面WSにポリビニルアルコール(polyvinyl alcohol:PVA)又はポリビニルピロリドン(polyvinyl pyrrolidone:PVP)等を含む水溶性樹脂により構成される図示しない保護膜を形成し、ウエーハWの裏面WR側を図8に示すレーザ加工機20のチャックテーブル21に吸引保持する。個片化工程ST6は、図8に示すように、レーザ加工機20のレーザ光照射ユニット22を分割予定ラインSに沿って相対的に移動させながらレーザ光照射ユニット22からレーザ光LRを分割予定ラインSに照射して、分割予定ラインSにアブレーション加工を施してハーフカットした後、外力を加えて、ウエーハWを分割予定ラインSに沿って個々のデバイスチップDTに個片化する。レーザ光LRを照射してフルカットする場合には、個片化工程ST6において、ウエーハWを個々のデバイスチップDTに個片化した後、図示しない保護膜を除去し、ウエーハWの表面WSを洗浄し、保護膜を洗浄してデブリとともに除去する。
実施形態1において、個片化工程ST6は、レーザ光LRを用いたアブレーション加工によりウエーハWを個々のデバイスチップDTに個片化したが、本発明では、個片化工程ST6は、レーザ光を照射してウエーハWの内部に改質層を形成してウエーハWを個々のデバイスチップDTに個片化しても良く、切削ブレードを用いた切削加工によりウエーハWを個々のデバイスチップDTに個片化しても良い。
以上のように、実施形態1に係る加工方法は、研磨工程ST4よりもゲッタリング層形成工程ST5のチャックテーブル7の回転速度を小さくするので、ゲッタリング層形成工程ST5でのチャックテーブル7と研磨パッド51との相対速度が研磨工程ST4での相対速度よりも大きくなる。このために、実施形態1に係る加工方法は、ゲッタリング層Gの形成に係る所要時間を抑制することができる。その結果、実施形態1に係る加工方法は、効率的にゲッタリング層Gの形成を行うことができる。
また、実施形態1に係る加工方法は、ゲッタリング層形成工程ST5の研磨パッド51の回転速度を研磨工程ST4の研磨パッド51の回転速度に維持したまま、研磨工程ST4からゲッタリング層形成工程ST5にかけてチャックテーブル7の回転速度を減少させる。このように、実施形態1に係る加工方法は、研磨工程ST4からゲッタリング層形成工程ST5にかけて、研磨パッド51よりも小径なチャックテーブル7の回転速度を変化させるので、研磨パッド51の回転速度を変化させる場合よりも、回転速度を変化させるのにかかる所要時間を抑制することができる。その結果、実施形態1に係る加工方法は、研磨工程ST4からゲッタリング層形成工程ST5に移行する所要時間を抑制でき、効率的にゲッタリング層Gの形成を行うことができる。
〔実施形態2〕
本発明の実施形態2に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図9は、実施形態2に係るウエーハの加工方法の研磨工程を示す図である。図10は、実施形態2に係るウエーハの加工方法のゲッタリング層形成工程を示す図である。なお、図9及び図10は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
実施形態2に係るウエーハの加工方法(以下、単に加工方法と記す)は、研磨工程ST4及びゲッタリング層形成工程ST5を実施する研磨手段5の構成が実施形態1と異なる以外、実施形態1と同じである。
実施形態2に係る加工方法は、研磨工程ST4及びゲッタリング層形成工程ST5を実施する研磨手段5は、図9及び図10に示すように、研磨液供給源15からの研磨液又はリンス液供給源17からの液体を研磨パッド51のウエーハWの裏面WRに当接する研磨面の中央に供給する供給通路18を中心に設けている。また、実施形態2に係る加工方法の研磨工程ST4及びゲッタリング層形成工程ST5では、研磨パッド51の全体でウエーハWの裏面WR全体を覆うように、研磨パッド51を位置付ける。実施形態2において、研磨パッド51の外径は、ウエーハWの外径と等しい、300mmである。
実施形態2に係る加工方法は、実施形態1と同様に、研磨工程ST4よりもゲッタリング層形成工程ST5のチャックテーブル7の回転速度を小さくするので、加工性良くまた効率的にゲッタリング層Gの形成を行うことができる。
〔実施形態3〕
本発明の実施形態3に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図11は、実施形態3に係るウエーハの加工方法の研磨工程及びゲッタリング層形成工程の回転速度を示す図である。なお、図11は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。図11の横軸は、研磨工程ST4開始からの時間を示し、図11の縦軸は、チャックテーブル7及び研磨パッド51の回転数を示している。図11において、チャックテーブル7の回転数を細い実線で示し、研磨パッド51の回転数を太い破線で示している。
実施形態3に係るウエーハの加工方法(以下、単に加工方法と記す)は、研磨工程ST4及びゲッタリング層形成工程ST5のチャックテーブル7の回転速度が実施形態1と異なる以外、実施形態1と同じである。
実施形態3に係る加工方法のゲッタリング層形成工程ST5では、研削研磨装置1は、研磨工程ST4の開始から時間T0よりも長い時間T1経過すると、研磨工程ST4の開始から時間T1よりも長く時間T2よりも短い時間T2A経過するまでに、研磨パッド51を所定速度R0で回転させたまま、チャックテーブル7の回転速度を第1回転速度R1から第1回転速度R1よりも小さくかつ第2回転速度R2よりも大きな第2回転速度R2Aまで減少させる。実施形態3に係る加工方法のゲッタリング層形成工程ST5では、研削研磨装置1は、研磨工程ST4の開始から時間T2A経過すると、研磨工程ST4の開始から時間T2経過するまでに、研磨パッド51を所定速度R0で回転させたまま、チャックテーブル7の回転速度を第2回転速度R2Aから第1回転速度R1よりも小さな第2回転速度R2まで減少させる。このように、実施形態3に係る加工方法のゲッタリング層形成工程ST5では、研削研磨装置1は、チャックテーブル7の回転数を段階的に徐々に小さくするが、連続的に徐々に小さくしても良い。
実施形態3に係る加工方法は、実施形態1と同様に、研磨工程ST4よりもゲッタリング層形成工程ST5のチャックテーブル7の回転速度を小さくするので、効率的にゲッタリング層Gの形成を行うことができる。
また、実施形態3に係る加工方法は、実施形態1と同様に、ゲッタリング層形成工程ST5のチャックテーブル7の回転速度を段階的に徐々に小さくするので、研磨工程ST4からゲッタリング層形成工程ST5に移行する際の研磨手段5の負荷を抑制することができる。
〔実施形態4〕
本発明の実施形態4に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図12は、実施形態4に係るウエーハの加工方法の研磨工程及びゲッタリング層形成工程の回転速度及び荷重を示す図である。なお、図12は、実施形態3と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。図12の横軸は、研磨工程ST4開始からの時間を示し、図12の縦軸は、チャックテーブル7及び研磨パッド51の回転数、研磨パッド51をウエーハWに押しつける荷重の値を示している。図12において、チャックテーブル7の回転数を細い実線で示し、研磨パッド51の回転数及び研磨パッド51をウエーハWに押しつける荷重を太い破線で示している。
実施形態4に係るウエーハの加工方法(以下、単に加工方法と記す)は、研磨工程ST4及びゲッタリング層形成工程ST5の研磨パッド51をウエーハWに押し付ける荷重が実施形態3と異なる以外、実施形態3と同じである。
実施形態4に係る加工方法のゲッタリング層形成工程ST5では、研削研磨装置1は、実施形態3と同様に、チャックテーブル7の回転数を段階的に小さくすることに加え、研磨工程ST4の開始から時間T0よりも長い時間T1経過すると、研磨工程ST4の開始から時間T1よりも長く時間T2よりも短い時間T2A経過するまでに、研磨パッド51をウエーハWに押し付ける荷重を第1荷重F1から第1荷重F1よりも小さくかつ第2荷重F2よりも大きな第2荷重F2Aまで減少させる。実施形態4に係る加工方法のゲッタリング層形成工程ST5では、研削研磨装置1は、研磨工程ST4の開始から時間T2A経過すると、研磨工程ST4の開始から時間T2経過するまでに、研磨パッド51をウエーハWに押し付ける荷重を第2荷重F2Aから第1荷重F1よりも小さな第2荷重F2まで減少させる。このように、実施形態4に係る加工方法のゲッタリング層形成工程ST5では、研削研磨装置1は、研磨パッド51をウエーハWに押し付ける荷重を段階的に小さくするが、連続的に徐々に小さくしても良い。
実施形態4に係る加工方法は、実施形態1と同様に、研磨工程ST4よりもゲッタリング層形成工程ST5のチャックテーブル7の回転速度を小さくするので、加工性良くまた効率的にゲッタリング層Gの形成を行うことができる。
また、実施形態4に係る加工方法は、実施形態1と同様に、ゲッタリング層形成工程ST5のチャックテーブル7の回転速度に加え、研磨パッド51をウエーハWに押し付ける荷重を段階的に小さくするので、研磨工程ST4からゲッタリング層形成工程ST5に移行する際の研磨手段5の負荷を抑制することができる。
各実施形態によれば、以下のデバイスチップの製造方法を得ることができる。
(付記1)
研磨用砥粒とゲッタリング用砥粒との双方を含む研磨パッドを用いたウエーハの加工方法であって、
第1回転速度で回転するチャックテーブルに保持されたウエーハにアルカリ性の研磨液を供給しながら所定速度で回転する該研磨パッドを当接させて研磨する研磨工程と、
該研磨工程中の回転する該チャックテーブルに保持された該ウエーハに該所定速度で回転する該研磨パッドを当接させた状態を維持して、該研磨工程後に連続して、該チャックテーブルを該第1回転速度よりも小さな第2回転速度で回転させ、該ウエーハと反応しない液体を供給しながら該ウエーハにゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程と、
を含むデバイスチップの製造方法。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
7 チャックテーブル
51 研磨パッド
W ウエーハ
WS 表面
WR 裏面
DV デバイス
G ゲッタリング層
R0 所定速度
R1 第1回転速度
R2,R2A 第2回転速度
ST4 研磨工程
ST5 ゲッタリング層形成工程

Claims (2)

  1. 研磨用砥粒とゲッタリング用砥粒との双方を含む研磨パッドを用いたウエーハの加工方法であって、
    第1回転速度で回転するチャックテーブルに保持されたウエーハにアルカリ性の研磨液を供給しながら所定速度で回転する該研磨パッドを当接させて研磨する研磨工程と、
    該研磨工程中の回転する該チャックテーブルに保持された該ウエーハに該所定速度で回転する該研磨パッドを当接させた状態を維持して、該研磨工程後に連続して、該チャックテーブルを該第1回転速度よりも小さな第2回転速度で回転させ、該ウエーハと反応しない液体を供給しながら該ウエーハにゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程と、
    を含むウエーハの加工方法。
  2. 該第2回転速度は、徐々に小さくなる請求項1に記載のウエーハの加工方法。
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