JP2009224622A - 半導体チップの製造方法、半導体ウエハおよび半導体チップ - Google Patents

Abstract

【課題】一括的に製造される半導体チップの電気的な特性が不均一となるのを防止することができる半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの周縁部に沿って凸状縁部が形成されるように半導体ウエハを研磨する研磨工程と、研磨工程により研磨された研磨面を半導体素子形成面とし、当該半導体素子形成面に半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、半導体素子形成面に半導体素子が形成された半導体ウエハをダイシングして半導体チップを生成するダイシング工程とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は半導体チップの製造方法、半導体ウエハおよび半導体チップに関する。

従来の半導体チップの製造方法においては、半導体ウエハの一方の面に、レジストなどのマスクを用いてイオン注入を行い、熱拡散を行って不純物領域を形成したり、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などで不純物領域をエピタキシャル成長したり、金属を蒸着したりして、複数の半導体素子を半導体ウエハの一方の面に形成する。

その後、半導体ウエハの他方の面を研磨することによって半導体ウエハを所望の厚さとし、ダイシングによって各素子を分割することにより、複数の半導体チップを一括的に製造する。このように製造された半導体チップは、リードフレーム上に配置されて樹脂で封止される。このようにして半導体装置が製造される。

ところで、従来の半導体チップ製造方法では、半導体ウエハの厚みが５０μｍ程度になるまで研磨を行う場合もあり、半導体ウエハが極めて薄いものとなることから、半導体ウエハに反りが生じたり、縁部がナイフエッジ状となったりするため、加工性が悪く縁部に欠けや割れが生じやすいという問題がある。そこで、半導体ウエハに素子を形成したあとに、半導体素子が形成された面と反対側の面に額縁のような縁部を残して当該縁部よりも内側のみを研磨することが行われている（例えば、特許文献１参照。）。

図４は、特許文献１に開示されている技術（従来技術という）による半導体チップの製造工程の一部を模式的に示す図である。図４（ａ）は半導体素子形成工程を示す図であり、図４（ｂ）は研磨工程を示す図である。なお、図４（ａ）及び図４（ｂ）における（ｉ）は、半導体ウエハ１００の平面図であり、図４（ａ）及び図４（ｂ）における（ｉｉ）は、（ｉ）に示す平面図のＡ−Ａ’線断面図である。

図４に示すように、従来技術においては、半導体ウエハ１００の一方の面（表面とする）１００ａにおける半導体素子形成領域１１０内に半導体素子１３０を形成し（図４（ａ）参照。）、次に、表面１００ａと反対側の面（裏面とする）１００ｂを研磨する研磨工程を行う。このとき、半導体ウエハ１００の縁部を残すように研磨を行う。これにより、半導体ウエハ１００の縁部が凸部（凸状縁部という）１４０として残る（図４（ｂ）参照）。このように、従来技術における研磨工程においては、半導体ウエハ１００の縁部を研磨しないで残すことから半導体ウエハ１００の縁部が凸状縁部１４０として残るため、凸状縁部１４０が補強材としての役目を果たす。これにより、半導体ウエハ１００の反りを防止することができ、また、縁部がナイフエッジとならないため、欠けや割れを生じにくくすることができる。

ところで、従来技術における研磨工程は、図４（ａ）に示すように、半導体素子１３０が形成された半導体ウエハ１００に対し、ブラスト装置などにより半導体ウエハを薄化加工する第１の工程と、第１の工程により薄化された半導体ウエハ１００をポリッシュ装置により薄化加工する第２の工程とを有している。

図５は、ポリッシュ装置により薄化加工する例を模式的に示す図である。図５に示すように、半導体ウエハ１００の裏面１００ｂにポリッシングヘッド２００を押圧した状態で例えば矢印ａ１方向に回転させながら裏面１００ｂを矢印ａ２方向に移動させることにより研磨を行う。

このように、従来技術における研磨工程は、まずは、ブラスト装置などを用いて大まかに薄化加工し、そのあとに、ポリッシュ装置による微細な薄化加工を行うことにより、半導体ウエハを所望とする厚みとするまでの研磨工程を効率よく短時間で可能とするというものである。

特開２００５−１２３４２５号公報

しかしながら、従来技術においては、半導体素子１３０が形成されたあとに半導体ウエハ１００の裏面１００ｂを薄化するための研磨を行う。このように、半導体素子１３０が形成されたあとに、例えば、図５に示すように研磨を行うと、半導体ウエハ１００の裏面１００ｂが研磨されるに従い、研磨された面（研磨面という）に半導体素子１３０の凹凸形状が凹凸として現れることがある。

研磨を行う際は、研磨する側の面と反対側の面を研磨パット（図示せず）で押えた状態として研磨することが一般的である。従来技術の場合、研磨する側の面と反対側の面は、半導体素子１３０が形成された面（表面１００ａ）であるため、半導体素子１３０が形成された面を研磨パットで押えた状態として研磨することとなる。このように、半導体素子１３０が形成された面を研磨パットで押えた状態として研磨すると、半導体素子１３０の凹凸形状によって研磨パットによる押圧力がポリッシングヘッド２００に対して均等に印加されなくなり、上記したような現象（半導体素子１３０の凹凸形状が研磨面に凹凸として現れる現象）が発生する。

すなわち、半導体素子１３０が形成された面を研磨パットで抑えた状態で研磨すると、半導体素子１３０が形成された部分に対応する研磨パットの押圧力は、半導体素子１３０が形成されていない部分よりも、ポリッシングヘッド２００に対してより大きく加わるので、研磨面における研磨の度合いがより大きくなり、それによって、半導体素子１３０の凹凸形状が研磨面に凹凸として現れてくる。

図６は、半導体素子１３０の凹凸形状が研磨面に凹凸として現れた様子を示す図である。図６に示すように、研磨面には半導体ウエハ１００上に形成された半導体素子１３０の凹凸形状の影響が現れ、研磨後の半導体ウエハ１００の厚みが不均一なものとなる。すなわち、図６に示すように、半導体素子１３０が存在する部分は半導体ウエハ１００の厚みが薄くなり、半導体素子１３０が存在しない部分は半導体ウエハ１００の厚みが厚くなり、研磨後の半導体ウエハ１００の厚みが不均一なものとなる。

近年、電子機器の小型・薄型化に伴い、半導体チップもより薄型化が要求され、半導体ウエハの厚みが５０μｍ以下のものもあり、このように薄型の半導体ウエハにおいては、研磨面の凹凸がより生じやすく、研磨後の半導体ウエハの厚みが不均一となりやすい。したがって、図６に示すように、研磨面に凹凸が生じて研磨後の半導体ウエハ１００の厚みが不均一となると、生成される半導体チップの電気的な特性が不均一となるといった不具合が生じてくる。特に、パワーＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどの半導体装置のように半導体チップの表面と裏面との間に電流が流れる縦型の半導体装置においては、半導体チップの厚みが電気的特性に影響を与えるため、研磨後における半導体ウエハ１００の厚みの均一性は重要である。

そこで、本発明は、一括的に製造される半導体チップの電気的な特性が不均一となるのを防止することができる半導体チップの製造方法および半導体ウエハを提供することを目的とするとともに、上記半導体チップ製造方法により製造されることにより電気的特性に優れた半導体チップを提供することを目的とする。

（１）本発明の半導体チップの製造方法は、半導体ウエハの縁部に沿って凸状縁部が形成されるように前記半導体ウエハを研磨する研磨工程と、前記研磨工程により研磨された研磨面を半導体素子形成面とし、当該半導体素子形成面に半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、前記半導体素子形成面に半導体素子が形成された半導体ウエハをダイシングして半導体チップを生成するダイシング工程とを備えることを特徴とする。

本発明の半導体チップの製造方法においては、半導体素子形成工程よりも前の段階で、半導体ウエハの縁部に凸状縁部が形成されるように半導体ウエハを研磨する研磨工程を行うようにしている。このように、凸状縁部を形成するための研磨工程は、半導体素子形成工程がなされていない状態で行うようにしている。このため、研磨工程において研磨を行ったときに、半導体素子の凹凸形状が研磨面に凹凸として現われるといった不具合が生じることなく、研磨後における半導体チップの厚みを均一化することができる。それによって、一括的に製造される各半導体チップの電気特性を均一化することができる。

また、凸状縁部が半導体ウエハの半導体素子形成面（表面とする）に存在するので、半導体チップの製造工程における各処理工程において効率的でかつ高精度な処理が可能となる。例えば、上記従来技術のように、凸状縁部が半導体ウエハの半導体素子形成面と反対側の面（裏面とする）に形成されると、写真工程などのように、半導体ウエハの裏面をステージ面に真空吸着した状態として処理を行うような場合、凸状縁部の存在により半導体ウエハの裏面とステージ面との間に空間部が生じるため、真空吸着すると、半導体ウエハがたわんでしまうといった問題もあるが、本発明においては、凸状縁部が半導体ウエハの表面側に存在するので、このような不具合を生じることはない。

（２）前記（１）に記載の半導体チップの製造方法においては、前記研磨工程において、前記凸状縁部の内側壁面と前記研磨面とのなす角度が９０度以上となるようなテーパが前記内側壁面に形成されるように研磨することが好ましい。

このようなテーパが凸状縁部の内側壁面に設けられることにより、テーパを設けない場合（凸状縁部の内側壁面と研磨面とのなす角度が例えば９０度の場合）に比べると、凸状縁部の付け根部分において半導体ウエハが破損しにくくなるとともに、研磨ヘッドにより研磨を行う際、凸状縁部の付け根部分を円滑に研磨することができる。

(３)前記（１）または（２）に記載の半導体チップの製造方法においては、前記研磨工程において、前記半導体ウエハに位置決め用のオリエンテーションフラットが設けられている場合は、前記オリエンテーションフラットの部分には前記凸状縁部が形成されないように研磨することが好ましい。

半導体ウエハにオリエンテーションフラットが設けられている場合には、オリエンテーションフラットの部分においては、凸状縁部が形成されないにする。このように、オリエンテーションフラットの部分において凸状縁部が形成されないようにすることによって、オリエンテーションフラットの部分においては、凸状縁部に開口部が形成された状態となるため、例えばエッチング処理する際に用いたエッチング液の排出処理などを効率的に行うことができる。

（４）前記（１）または（２）に記載の半導体チップの製造方法においては、前記研磨工程において、前記半導体ウエハに位置決め用のオリエンテーションフラットが設けられている場合は、前記オリエンテーションフラットの部分を含む全周に前記凸状縁部が形成されるように研磨することもまた好ましい。

このように、オリエンテーションフラットの部分を含む全周に前記凸状縁部が形成することにより、半導体ウエハに対する補強効果はより大きくなり、また、凸状縁部で囲まれた空間部が形成されるので、ポリイミドなどを塗布する工程においては、液体の粘性によらず塗布量を自在にコントロールすることができるという効果を得ることができる。

（５）本発明の半導体チップの製造方法は、半導体ウエハの縁部に沿って凸状縁部が形成されるように研磨されている半導体ウエハを準備する半導体ウエハ準備工程と、前記半導体ウエハの研磨面を半導体素子形成面とし、当該半導体素子形成面に半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、前記半導体素子形成面に半導体素子が形成された半導体ウエハをダイシングして半導体チップを生成するダイシング工程とを備えることを特徴とする。

このように、半導体ウエハの縁部に沿って凸状縁部が形成されるように研磨されている半導体ウエハを準備しておき、準備した半導体ウエハを用いて、その研磨面に半導体素子を形成し、半導体素子が形成された半導体ウエハをダイシングするという工程を行うことも可能である。このような半導体チップの製造方法であっても、前記（１）に記載した半導体チップの製造方法において得られる効果と同様の効果を得ることができる。

（６）前記（５）に記載の半導体チップの製造方法においては、前記半導体ウエハは、前記凸状縁部の内側壁面と前記研磨面とのなす角度が９０度以上となるようなテーパが前記内側壁面に形成されるように研磨されていることが好ましい。

このようなテーパが凸状縁部の内側壁面に設けられることにより、前記（２）と同様の効果が得られる。

（７）前記（５）または（６）に記載の半導体チップの製造方法においては、前記半導体ウエハに位置決め用のオリエンテーションフラットが設けられている場合は、前記半導体ウエハは、前記オリエンテーションフラットの部分には前記凸状縁部が形成されないように研磨されていることが好ましい。

オリエンテーションフラットの部分においては、凸状縁部が形成されないにすることにより、前記（３）と同様の効果が得られる。

（８）前記（５）または（６）に記載の半導体チップの製造方法においては、前記半導体ウエハに位置決め用のオリエンテーションフラットが設けられている場合は、前記半導体ウエハは、前記オリエンテーションフラットの部分を含む全周に前記凸状縁部が形成されるように研磨されていることもまた好ましい。

オリエンテーションフラットの部分においても凸状縁部を有することにより、前記（４）と同様の効果が得られる。

（９）前記（１）〜（８）のいずれかに記載の半導体チップの製造方法においては、前記半導体素子形成工程において、液体を用いた処理を行う場合は、前記凸状縁部で囲まれる空間部を前記液体で浸漬することが可能となる。

これは、凸状縁部が半導体素子形成面側に存在することにより可能となるものである。このように、凸状縁部が半導体素子形成面側に存在することにより、半導体素子形成工程後に行われる薬液などの塗布や注入などを容易かつ適切に行うことができる。すなわち、凸部が薬液などの液体を保持する役目をなし、それによって、例えば、ポリイミドなどを塗布する場合、ポリイミドの粘性によらず塗布量を自在にコントロールすることができる。

（１０）前記（５）〜（８）のいずれかに記載の半導体チップの製造方法に用いられる半導体ウエハであって、半導体ウエハの縁部に沿って凸状縁部が形成されるように研磨されていることを特徴とする。

このような半導体ウエハを用いることにより、前記（５）に記載の半導体チップ製造方法を実現することができる。

（１１）本発明の半導体チップは、前記（１）〜（１０）のいずれかに記載の半導体チップの製造方法により製造されたことを特徴とする。

前記（１）〜（１０）のいずれかに記載の半導体チップ製造方法によって半導体チップが製造されることによって、製造された半導体チップは電気的特性に優れた高性能な半導体チップとすることができる。

（１２）本発明の半導体ウエハは、複数の半導体素子をダイシングにより分割して複数の半導体チップを形成するための半導体ウエハであって、前記半導体素子の形成に先立ち、半導体ウエハに研磨を施すことにより、縁部に沿って凸状縁部と、該凸状縁部に囲まれる部位に前記半導体素子を形成するための半導体素子形成面とが形成されてなることを特徴とする。

このような半導体ウエハを用いることにより、前記（５）に記載の半導体チップ製造方法を実現することができる。

以下、本発明の実施形態について説明する。

図１は、本発明の実施形態に係る半導体チップ製造方法の工程を模式的に示す図である。図１（ａ）は半導体ウエハの準備工程を示す図であり、図１（ｂ）は研磨工程を
示す図であり、図１（ｃ）は半導体素子形成工程を示す図であり、図１（ｄ）はダイシング工程を示す図であり、図１（ｅ）はダイシング工程によって製造された半導体チップを示す図である。また、図１（ａ）〜図１（ｄ）における（ｉ）は、半導体ウエハ１００の平面図であり、図１（ａ）〜図１（ｃ）における（ｉｉ）は、（ｉ）に示す平面図のＡ−Ａ’線断面図である。

本発明の実施形態に係る半導体チップ製造方法は、まずは、半導体ウエハ１００を準備し（図１（ａ）参照）、準備した半導体ウエハ１００に対して、半導体ウエハ１００の一方の面１００ａを研磨する研磨工程を行う。

研磨工程は、図１（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１００の一方の面１００ａを研磨するものであり、半導体ウエハ１００の縁部を残すように研磨を行う。これにより、半導体ウエハ１００の縁部が凸状縁部１４０として残る。このような研磨工程を行う際、凸状縁部１４０の内側壁面１４０ａがテーパを有するように研磨を行う。凸状縁部１４０の内側壁面１４０ａのテーパは、凸状縁部１４０の内側壁面１４０ａと研磨された面（研磨面）とのなす角度が９０度以上となるように設けられる。続いて、半導体素子形成工程を行う。

半導体素子形成工程は、図１（ｃ）に示すように、研磨面を半導体素子形成面（半導体素子形成面１００ａという）として用い、研磨面にダイシングライン１２０を格子状に設けるとともに半導体素子形成領域１１０を設定し、設定された半導体素子形成領域１１０内に各半導体素子１３０を形成する。そして、半導体素子形成面１００ａと反対側の面（裏面という）１００ｂに電極などを取り付ける工程を行ったのちに、ダイシング工程を行う。

ダイシング工程は、図１（ｄ）に示すように、半導体ウエハ１００をダイシングライン１２０に沿って切削するもので、これによって、一括的に複数の半導体チップ１６０が生成される。図１（ｅ）は製造された半導体チップのうちのある１つの半導体チップ１６０を概略的に示している。なお、ダイシング工程を行う際、ダイシング工程に先立ち、電極が形成された面（裏面１００ｂ）に保護テープを貼付するようにしてもよい。

以上説明したように、本発明の実施形態に係る半導体チップ製造方法によれば、半導体素子形成工程がなされる前の段階において、半導体ウエハ１００の縁部に凸状縁部１４０が形成されるように研磨工程を行う。このように、本発明の実施形態に係る半導体チップ製造方法においては、半導体素子１３０が形成されていない状態で研磨工程を行うので、研磨後の半導体ウエハ１００の厚みが不均一になるのを防止することができ、半導体チップの電気特性を均一化することができる。

また、本発明の実施形態においては、研磨面を半導体素子形成面１００ａとして用いることにより、半導体素子形成面１００ａ側に凸状縁部１４０が存在するため、半導体素子形成工程後に行われる液体の塗布工程（例えばポリイミドの塗布工程など）などを容易かつ適切に行うことができる。すなわち、ポリイミドを塗布する際、ポリイミドを厚く塗布しようとすると、粘度を高くして塗布することが考えられるが、粘度を高くしてもせいぜい１０μｍの厚みが限度であり、それ以上の厚みで塗布するには、さらに粘度を高くする必要がある。

しかし、粘度が高いと塗布後の厚みが不均一になりやすく、塗布されたポリイミドの厚みのバラツキが大きくなるという問題がある。これに対して、本発明の実施形態のように、半導体素子形成面（研磨面）側に凸状縁部１４０が存在することによって、凸状縁部１４０で囲まれた空間部が形成されるので、ポリイミドの粘性によらず塗布量を自在にコントロールすることができる。このことは、ポリイミドだけでなく、レジスト塗布などを行う場合には同様のことが言える。

ところで、半導体ウエハ１００にはオリエンテーションフラットが設けられるのが一般的である。オリエンテーションフラットは、写真工程などにおいて半導体ウエハの位置決めを行うために設けられるものである。

図２は、オリエンテーションフラット１７０の部分において凸状縁部が形成されないように研磨した場合の半導体ウエハの平面図である。オリエンテーションフラット１７０が設けられている半導体ウエハ１００において、半導体ウエハ１００と同心円を描くような凸状縁部１４０を形成しようとすると、同心円の半径の大きさの設定の仕方によっては、図２に示すように、オリエンテーションフラット１７０の部分において凸状縁部が形成されない状態となる場合がある。

図２に示すように、オリエンテーションフラット１７０の部分に凸状縁部１４０が形成されない半導体ウエハ１００であっても、オリエンテーションフラット１７０以外の部分に形成された凸状縁部１４０により、半導体ウエハ１００の反りを防止する効果や欠けや割れを生じにくくする効果は得られる。一方、オリエンテーションフラット１７０の部分において凸状縁部１４０が形成されないことによる効果も得られる。すなわち、オリエンテーションフラット１７０において凸状縁部１４０が形成されないことにより、オリエンテーションフラット１７０の部分に凸状縁部１４０の開口部が形成されるため、その開口部を、例えばエッチング処理する際に用いたエッチング液などの排出に利用することができ、余分な液体の排出を容易に行うことができるといった効果が得られる。

また、図２に示す半導体ウエハ１００においても、半導体素子１３０が形成されていない状態で研磨工程を行うので、研磨後の半導体ウエハ１００の厚みが不均一になるのを防止することができ、それによって、半導体チップの電気特性を均一化することができることは勿論である。

なお、本発明は上述の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能となるものである。たとえば、半導体ウエハ１００が、オリエンテーションフラット１７０を有する場合においても、図１に示すように、半導体ウエハ１００の縁部の全周に渡って凸状縁部１４０を形成するようにしてもよい。

図３は、オリエンテーションフラットが設けられた半導体ウエハ１００の全周に渡って凸状縁部を形成した場合の半導体ウエハの平面図である。図３に示すように、オリエンテーションフラット１７０が設けられた半導体ウエハ１００において、半導体ウエハ１００の全周に渡って凸状縁部１４０が形成されるように研磨を行うことにより、図１に示した半導体ウエハ１００と同様、半導体ウエハ１００に対する補強効果はより大きくなり、また、凸状縁部１４０で囲まれた空間部が形成されるので、ポリイミドなどを塗布する工程においては、液体の粘性によらず塗布量を自在にコントロールすることができるといった効果を得ることができる。

なお、図３に示す半導体ウエハ１００は、図２に示す半導体ウエハ１００のように、エッチング液などの排出を容易に行うことができるといった効果は期待できない。したがって、オリエンテーションフラット１７０が設けられた半導体ウエハ１００において、オリエンテーションフラット１７０の部分に凸状縁部１４０を形成するか否かは、どのような効果を得ることを優先するかによって決定すればよい。

本発明の実施形態に係る半導体チップ製造方法の工程を模式的に示す図である。 オリエンテーションフラットの部分において凸状縁部が形成されないように研磨した場合の半導体ウエハの平面図である。 オリエンテーションフラットが設けられた半導体ウエハ１００の全周に渡って凸状縁部を形成した場合の半導体ウエハの平面図である。 従来技術による半導体チップの製造工程の一部を模式的に示す図である。 ポリッシュ装置により薄化加工する例を模式的に示す図である。 半導体素子１３０の凹凸形状が研磨面に凹凸として現れた様子を示す図である。

符号の説明

１００・・・半導体ウエハ、１００ａ・・・一方の面（半導体素子形成面）、１００ｂ・・・裏面、１１０・・・半導体素子形成領域、１２０・・・ダイシングライン、１３０・・・半導体素子、１４０・・・凸状縁部、１４０ａ・・・凸状縁部の内側壁面、１６０・・・半導体チップ、１７０・・・オリエンテーションフラット

Claims (12)

1. 半導体ウエハの縁部に沿って凸状縁部が形成されるように前記半導体ウエハを研磨する研磨工程と、
   前記研磨工程により研磨された研磨面を半導体素子形成面とし、当該半導体素子形成面に半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、
   前記半導体素子形成面に半導体素子が形成された半導体ウエハをダイシングして半導体チップを生成するダイシング工程と、
   を備えることを特徴とする半導体チップの製造方法。
2. 請求項１に記載の半導体チップの製造方法において、
   前記研磨工程において、前記凸状縁部の内側壁面と前記研磨面とのなす角度が９０度以上となるようなテーパが前記内側壁面に形成されるように研磨することを特徴とする半導体チップの製造方法。
3. 請求項１または２に記載の半導体チップの製造方法において、
   前記研磨工程において、前記半導体ウエハに位置決め用のオリエンテーションフラットが設けられている場合は、前記オリエンテーションフラットの部分には前記凸状縁部が形成されないように研磨することを特徴とする半導体チップの製造方法。
4. 請求項１または２に記載の半導体チップの製造方法において、
   前記研磨工程において、前記半導体ウエハに位置決め用のオリエンテーションフラットが設けられている場合は、前記オリエンテーションフラットの部分を含む全周に前記凸状縁部が形成されるように研磨することを特徴とする半導体チップの製造方法。
5. 半導体ウエハの縁部に沿って凸状縁部が形成されるように研磨されている半導体ウエハを準備する半導体ウエハ準備工程と、
   前記半導体ウエハの研磨面を半導体素子形成面とし、当該半導体素子形成面に半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、
   前記半導体素子形成面に半導体素子が形成された半導体ウエハをダイシングして半導体チップを生成するダイシング工程と、
   を備えることを特徴とする半導体チップの製造方法。
6. 請求項５に記載の半導体チップの製造方法において、
   前記半導体ウエハは、前記凸状縁部の内側壁面と前記研磨面とのなす角度が９０度以上となるようなテーパが前記内側壁面に形成されるように研磨されていることを特徴とする半導体チップの製造方法。
7. 請求項５または６に記載の半導体チップの製造方法において、
   前記半導体ウエハに位置決め用のオリエンテーションフラットが設けられている場合は、前記半導体ウエハは、前記オリエンテーションフラットの部分には前記凸状縁部が形成されないように研磨されていることを特徴とする半導体チップの製造方法。
8. 請求項５または６に記載の半導体チップの製造方法において、
   前記半導体ウエハに位置決め用のオリエンテーションフラットが設けられている場合は、前記半導体ウエハは、前記オリエンテーションフラットの部分を含む全周に前記凸状縁部が形成されるように研磨されていることを特徴とする半導体チップの製造方法。
9. 請求項１〜８のいずれかに記載の半導体チップの製造方法において、
   前記半導体素子形成工程において、液体を用いた処理を行う場合は、前記凸状縁部で囲まれる空間部を前記液体で浸漬することを特徴とする半導体チップの製造方法。
10. 請求項５〜８のいずれかに記載の半導体チップの製造方法に用いられる半導体ウエハであって、半導体ウエハの縁部に沿って凸状縁部が形成されるように研磨されていることを特徴とする半導体ウエハ。
11. 請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体チップの製造方法により製造されたことを特徴とする半導体チップ。
12. 複数の半導体素子をダイシングにより分割して複数の半導体チップを形成するための半導体ウエハであって、
    前記半導体素子の形成に先立ち、半導体ウエハに研磨を施すことにより、縁部に沿って凸状縁部と、該凸状縁部に囲まれる部位に前記半導体素子を形成するための半導体素子形成面と、が形成されてなることを特徴とする半導体ウエハ。

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