KR101236806B1 - 기판 연마 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 연마 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 연마 패드의 지지판 상의 위치 변동에 따라 지지판의 진공 흡입 홀들에 작용하는 진공압을 온/오프하는 것을 특징으로 가진다.
이러한 특징에 의하면, 연마 공정이 진행되는 기판 영역의 진공압에 의한 변형을 방지하여, 기판의 연마 균일도를 향상시킬 수 있다.
이러한 특징에 의하면, 연마 공정이 진행되는 기판 영역의 진공압에 의한 변형을 방지하여, 기판의 연마 균일도를 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 제조 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 매엽 방식으로 기판을 연마 및 세정하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조 공정은 박막의 형성 및 적층을 위해 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 등 다수의 단위 공정들을 반복 수행해야만 한다. 웨이퍼 상에 요구되는 소정의 회로 패턴이 형성될 때까지 이들 공정은 반복되며, 회로 패턴이 형성된 후 웨이퍼의 표면에는 많은 굴곡이 생기게 된다. 최근 반도체 소자는 고집적화에 따라 그 구조가 다층화되며, 웨이퍼 표면의 굴곡의 수와 이들 사이의 단차가 증가하고 있다. 웨이퍼 표면의 비평탄화는 사진 공정에서 디포커스(Defocus) 등의 문제를 발생시키므로 웨이퍼의 표면을 평탄화하기 위해 주기적으로 웨이퍼 표면을 연마하여야 한다.
웨이퍼의 표면을 평탄화하기 위해 다양한 표면 평탄화 기술이 있으나 이 중 좁은 영역뿐만 아니라 넓은 영역의 평탄화에 있어서도 우수한 평탄도를 얻을 수 있는 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing : CMP) 장치가 주로 사용된다. 화학적 기계적 연마 장치는 텅스텐이나 산화물 등이 입혀진 웨이퍼의 표면을 기계적 마찰에 의해 연마시킴과 동시에 화학적 연마재에 의해 연마시키는 장치로서, 아주 미세한 연마를 가능하게 한다.
또한, 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하기 위한 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체 제조를 위한 각 단위 공정들의 전후 단계에서 기판의 세정 공정이 실시되고 있다.
본 발명은 기판의 연마 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 연마 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 기판 연마 장치는, 기판이 놓이며 회전 가능한 기판 지지 유닛; 및 상기 기판 지지 유닛에 놓인 상기 기판을 연마하는 연마 패드를 가지는 연마 유닛을 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은, 다수의 진공 흡입 홀들이 형성된 지지판; 및 상기 지지판 또는 상기 기판에 대한 상기 연마 패드의 위치 변동에 따라 상기 진공 흡입 홀들에 작용하는 진공압을 온/오프하는 진공 발생 부재를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 진공 발생 부재는, 진공압을 발생하는 흡입기; 상기 흡입기와 상기 진공 흡입 홀들을 연결하는 진공 라인들; 상기 진공 라인들을 개폐하는 밸브들; 및 상기 밸브들의 개폐 동작을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 진공 흡입 홀들은 상기 지지판의 중심을 기준으로 동심원 모양의 복수 개의 그룹들을 이루도록 제공되며, 동일한 그룹에 제공된 상기 진공 흡입 홀들은 동일한 상기 진공 라인에 연결되고, 상이한 그룹에 제공된 상기 진공 흡입 홀들은 상이한 상기 진공 라인에 연결될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제어부는, 상기 복수 개의 그룹들 중 상기 연마 패드의 위치에 대응하는 그룹의 상기 진공 흡입 홀들에 작용하는 진공압이 오프되도록, 상기 밸브들의 개폐 동작을 제어할 수 있다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 기판 연마 장치는, 기판이 놓이며 회전 가능한 기판 지지 유닛; 및 연마 면이 아래 방향을 향하도록 제공되고 상기 기판 지지 유닛에 놓인 상기 기판을 연마하는 연마 패드를 가지는 연마 유닛을 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은, 지지판; 상기 지지판의 중심으로부터 제 1 거리에 위치한 적어도 하나의 제 1 그룹의 진공 흡입 홀; 상기 제 1 그룹의 진공 흡입 홀에 연결된 제 1 진공 라인; 상기 지지판의 중심으로부터 상기 제 1 거리와 상이한 제 2 거리에 위치한 적어도 하나의 제 2 그룹의 진공 흡입 홀; 상기 제 2 그룹의 진공 흡입 홀에 연결된 제 1 진공 라인을 포함하되, 상기 제 1 및 제 2 진공 라인이 진공의 제공 여부 또는 진공 압의 크기를 독립적으로 조절한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제 1 진공 라인과 상기 제 2 진공 라인에는 개폐 밸브가 각각 설치될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 연마 패드는 상기 지지판의 상면보다 작은 크기를 가지며, 지지판의 중심에서 가장자리까지 이동 가능할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제 1 그룹의 진공 흡입 홀은 상기 지지판의 중심 영역에 형성되고, 상기 제 2 그룹의 진공 흡입 홀은 상기 지지판의 가장자리 영역에 형성될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제 1 그룹의 진공 흡입 홀과 상기 제 2 그룹의 진공 흡입 홀의 사이에는 제 3 그룹의 진공 흡입 홀이 형성될 수 있다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 기판 연마 방법은, 회전 가능한 지지판에 기판을 진공 척킹하고, 상기 연마 패드를 상기 기판의 중심과 가장자리 간에 이동시키면서 상기 기판을 연마하되, 상기 지지판 또는 상기 기판에 대한 상기 연마 패드의 위치 변동에 따라 상기 지지판의 진공 흡입 홀들에 작용하는 진공압을 온/오프한다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 진공 흡입 홀들은 상기 지지판의 중심을 기준으로 동심원 모양의 복수 개의 그룹들을 이루도록 제공되며, 상기 복수 개의 그룹들 중 상기 연마 패드의 위치에 대응하는 그룹의 상기 진공 흡입 홀들에 작용하는 진공압을 오프할 수 있다.
본 발명에 의하면, 진공 척킹 압력에 의한 기판의 변형을 최소화할 수 있다.
그리고 본 발명에 의하면 기판을 균일하게 연마할 수 있다.
이하에 설명된 도면들은 단지 예시의 목적을 위한 것이고, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 연마 장치의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 연마-세정부의 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 지지 유닛의 평면도이다.
도 4는 도 3의 기판 지지 유닛의 측단면도이다.
도 5는 종래의 기판 연마 공정을 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지 유닛을 이용한 기판 연마 과정을 보여주는 도면이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 연마 장치의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 연마-세정부의 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 지지 유닛의 평면도이다.
도 4는 도 3의 기판 지지 유닛의 측단면도이다.
도 5는 종래의 기판 연마 공정을 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지 유닛을 이용한 기판 연마 과정을 보여주는 도면이다.
이하 첨부된 도 1 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 연마 장치 및 방법을 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
도 1은 기판 연마 장치의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는, 기판을 연마 및 세정하기 위한 것으로, 공정 설비(10)와 설비 전방 단부 모듈(20)을 포함한다. 공정 설비(10)는 기판을 매엽 방식으로 연마 및 세정하는 공정을 진행한다. 설비 전방 단부 모듈(20)은 공정 설비(10)의 전방에 장착되며, 기판들이 수용된 용기(C)와 공정 설비(10)간에 기판을 이송한다.
설비 전방 단부 모듈(20)은 복수의 로드 포트들(22)과 프레임(24)을 가진다. 로드 포트들(22)은 일 방향으로 나란하게 배치되고, 프레임(24)은 로드 포트들(22)과 공정 설비(10) 사이에 위치한다.
기판을 수용하는 용기(C)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(미도시)에 의해 로드 포트(22) 상에 놓인다. 용기(C)는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다.
프레임(24) 내에는 프레임 로봇(25)과 도어 오프너(미도시)가 설치된다. 프레임 로봇(25)은 제 1 이송 레일(26)을 따라 이동하며 로드 포트(22)에 놓인 용기(C)와 공정 설비(10) 간에 기판을 이송한다. 도어 오프너(미도시)는 용기(C)의 도어를 자동으로 개폐한다.
프레임(24)에는 청정 공기가 하강 기류를 형성하며 흐르도록, 프레임(24) 내로 청정 공기를 공급하는 팬 필터 유닛(Fan Filter Unit)(미도시)이 제공될 수 있다.
공정 설비(10)는 다수의 공정 처리부들(100,200,300)을 포함한다. 공정 처리부들(100,200,300)은 기판의 연마 및 세정을 위한 것으로, 공정상의 기능(Function)에 따라 기판 이송부(100), 버퍼부(200) 및 연마-세정부(300)로 나뉜다.
기판 이송부(100)는 설비 전방 단부 모듈(20)의 타 측에 수직 방향으로 배치된 이송 통로(110)를 가진다. 이송 통로(110)에는 메인 이송 로봇(120)이 설치되며, 메인 이송 로봇(120)은 제 2 이송 레일(130)을 따라 이동한다.
버퍼부(200)는 기판 이송부(100)와 설비 전방 단부 모듈(20)의 사이에 배치되며, 공정 설비(10)에 로딩되는 기판과 공정 설비(10)로부터 언로딩되는 기판이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다.
연마-세정부들(300a,300b,300c,300d)은 기판 이송부(100)의 양측에 길이 방향을 따라 나란하게 배치되며, 기판을 연마 및 세정 처리하는 공정을 진행한다. 버퍼부(200)와 연마-세정부(300a,300b,300c,300d) 사이, 그리고 연마-세정부들(300a,300b,300c,300d) 사이에는 메인 이송 로봇(120)에 의해 기판이 이송된다.
연마-세정부들(300a,300b,300c,300d)은 동일한 구성을 가지므로, 이하에서는 이들 중 하나의 연마-세정부(300a)를 예로 들어 설명한다.
도 2는 도 1의 연마-세정부(300a)의 평면도이다. 도 2를 참조하면, 연마-세정부(300a)는 처리 용기(310), 기판 지지 유닛(320), 연마 유닛(340), 제 1 및 제 2 세정 유닛(350,360), 브러쉬 유닛(370), 에어로졸 유닛(380), 그리고 패드 컨디셔닝 유닛(390)을 포함한다. 연마-세정부(300a)는 기판에 대한 연마 공정과, 연마 공정 후의 세정 공정을 하나의 처리실(301) 내에서 진행할 수 있다. 이를 위해, 연마 유닛(340), 제 1 및 제 2 세정 유닛(350,360), 브러쉬 유닛(370), 에어로졸 유닛(380), 그리고 패드 컨디셔닝 유닛(390)이 처리실(301) 내의 처리 용기(310) 및 기판 지지 유닛(320)의 둘레에 적절한 배치 구조로 제공된다.
처리 용기(310)는 상부가 개구된 원통 형상을 가지고, 기판의 연마 및 세정 처리를 위한 공간을 제공한다. 처리 용기(310)의 개구된 상부는 기판의 반출입 통로로 제공된다. 처리 용기(310)의 내측에는 기판 지지 유닛(320)이 제공된다.
기판 지지 유닛(320)에는 기판 이송부(도 1의 도면 번호 100)의 메인 이송 로봇(도 1의 도면 번호 120)에 의해 전달되는 기판이 놓이며, 기판 지지 유닛(320)은 기판 처리 공정의 진행 중 기판을 척킹하고 회전시킨다.
처리 용기(310)의 외 측에는 연마 유닛(340), 제 1 및 제 2 세정 유닛(350,360), 브러쉬 유닛(370), 에어로졸 유닛(380), 그리고 패드 컨디셔닝 유닛(390)이 제공된다.
연마 유닛(340)은 기판 지지 유닛(320)에 놓인 기판(W)을 화학적 기계적 방법으로 연마하여 기판의 표면을 평탄화한다. 연마 유닛(340)에 제공된 연마 패드(미도시)는 아래 방향을 향하는 연마 면을 가지고, 기판이 놓이는 기판 지지 유닛(320)의 지지판(미도시)보다 작은 크기를 가진다. 연마 패드(미도시)는 지지판(미도시)의 중심으로부터 가장자리로 이동가능하다.
제 1 및 제 2 세정 유닛(350, 360)은 기판의 연마 공정 및 세정 공정에 필요한 처리 유체를 기판 지지 유닛(320)에 척킹된 기판에 공급한다. 제 1 세정 유닛(350)은 처리 용기(310)의 측벽 상단에 고정된 다수의 분사 노즐들을 구비하며, 기판으로 처리 유체를 분사한다. 분사 노즐들에서 분사되는 처리 유체는 기판의 세정 또는 건조를 위한 처리액일 수 있고, 건조를 위한 건조 가스일 수도 있다. 제 2 세정 유닛(360)은 처리 유체를 분사하는 약액 노즐을 구비하고, 세정 공정 시 기판에 처리 유체를 분사하여 기판을 세정한다. 제 2 세정 유닛(360)은 스윙 동작이 가능하며, 세정 공정시 스윙 동작을 통해 약액 노즐을 기판의 상부에 배치시킨 상태에서 기판에 처리 유체를 분사한다.
브러쉬 유닛(370)은 연마 공정 후 기판 표면의 이물질을 물리적으로 제거한다. 브러시 유닛(370)은 기판 표면에 접촉되어 기판 표면의 이물질을 물리적으로 닦아 내는 브러쉬 패드를 구비하고, 스윙 동작이 가능하다. 세정 공정시, 브러시 유닛(370)은 스윙 동작을 통해 브러쉬 패드를 기판의 상부에 배치시킨 상태에서 브러쉬 패드를 회전시켜 기판을 세정한다.
에어로졸 유닛(380)은 기판에 처리 유체를 미세 입자 형태로 고압 분무하여 기판 표면의 이물질을 제거한다. 예를 들어, 에어로졸 유닛(380)은 초음파를 이용하여 처리 유체를 미세 입자 형태로 분무한다. 브러시 유닛(370)은 비교적 큰 입자의 이물질을 제거하는 데 사용되며, 에어로졸 유닛(380)은 브러시 유닛(370)에 의해 제거되는 이물질과 비교하여 작은 입자의 이물질을 제거한다.
패드 컨디셔닝 유닛(390)은 다이아몬드 디스크를 이용해서 연마 유닛(340)의 연마 패드를 연마하여 연마 패드의 표면 조도를 조절한다.
도 3은 도 2의 기판 지지 유닛(320)의 평면도이고, 도 4는 도 3의 기판 지지 유닛(320)의 측단면도이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 기판 지지 유닛(320)은 지지판(322)과 진공 발생 부재를 포함한다.
지지판(322)은 원판 형상으로 제공될 수 있다. 지지판(322)의 상면에는 기판이 놓이고, 지지판(322)의 하면에는 회전 축(326)이 결합된다. 회전 축(326)은 모터와 같은 회전 구동 부재(미도시)에 의해 회전될 수 있다. 지지판(322)의 상면에는 다수의 진공 흡입 홀들(324)이 형성된다. 진공 흡입 홀들(324)은 지지판(322)의 중심을 기준으로 동심원 모양의 복수 개의 그룹들을 이루도록 형성될 수 있다.
진공 발생 부재는 지지판(322)에 놓인 기판(W)이 지지판(322)에 척킹되도록 진공 흡입 홀들(324)에 진공압을 작용시킨다. 진공 발생 부재는 진공 라인들(331), 밸브들(332), 제어부(333), 그리고 흡입기(334)를 포함한다. 진공 라인들(331)의 일단은 진공 흡입 홀들(324)에 연결되고, 진공 라인들(331)의 타단은 합류되어 흡입기(334)에 연결된다. 복수 개의 그룹들의 진공 흡입 홀들(324) 중, 동일한 그룹에 제공된 진공 흡입 홀들(324)은 동일한 진공 라인(331)에 연결되고, 상이한 그룹에 제공된 진공 흡입 홀들(324)은 상이한 진공 라인(331)에 연결된다. 진공 라인들(331)에는 진공 라인들(331)을 개폐하는 밸브들(332)이 각각 제공되고, 제어부(333)는 밸브들(332)의 개폐 동작을 제어한다.
흡입기(334)는 진공 흡입 홀들(324)과 진공 라인들(331)에 진공압을 발생시킨다. 흡입기(334)로는 에어 이젝터가 사용될 수 있다. 에어 이젝터는 공기 라인(337)에 의해 압축 공기 공급원(336)에 연결된다. 공기 라인(337) 상에는 에어 이젝터로 공급되는 공기의 유량을 조절하는 전공 레귤레이터(338)가 배치된다.
압축 공기 공급원(336)으로부터 에어 이젝터로 압축 공기가 공급되면, 에어 이젝터로 공급된 압축 공기는 배기 라인(335)의 흐름 방향을 따라 외부로 배기되고, 에어 이젝터의 내부에는 진공압이 형성된다. 에어 이젝터 내부에 형성된 진공압에 의해, 지지판(322)의 진공 흡입홀들(324) 및 진공 라인들(331)과, 에어 이젝터 사이에는 압력 차가 발생되고, 이것에 의해 지지판(322)의 진공 흡입홀들(323) 및 진공 라인들(331) 내부의 공기가 에어 이젝터로 유입된다. 결과적으로, 진공 흡입홀들(324)에는 진공압이 형성되고, 이 진공압에 의해 기판(W)이 지지판(322) 상면에 고정된다.
도 5는 종래의 기판 연마 공정을 보여주는 도면이다.
도 5를 참조하면, 종래의 기판 연마 장치는 기판상의 연마 패드(342)의 위치에 무관하게 일정한 진공압으로 기판을 척킹한다. 지지판(332')의 진공 흡입 홀이 형성되지 않은 부분에 의해 지지되는 기판 영역에 대해 연마 공정을 진행할 경우, 기판이 지지판에 의해 지지되므로 기판은 변형되지 않는다. 그러나, 도 5에 도시된 바와 같이, 지지판(322')의 진공 흡입 홀 상부에 위치하는 기판 영역에 대해 연마 공정을 진행할 경우, 기판은 진공압의 작용에 의해 변형되고, 기판의 변형된 부분은 지지판(332')에 의해 지지된 기판의 부분보다 저연마되어, 기판 전체로 보았을 때 연마 균일도가 저하된다.
이를 방지하기 위해, 본 발명은, 연마 공정의 진행시, 연마 패드가 위치하는 영역의 진공 흡입 홀들의 진공압을 오프(Off)시키거나 진공압의 크기를 조절하고, 연마 패드가 위치하지 않은 영역의 진공 흡입 홀들의 진공압을 온(On)시켜, 기판을 진공 척킹한다. 이를 통해, 기판을 척킹하는 진공압에 의해 발생하는 기판의 저연마 현상을 방지하여 기판의 연마 균일도를 향상시킬 수 있다. 이하에서는 도 6을 참조하여, 이에 대해 상세히 설명한다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지 유닛을 이용한 기판 연마 과정을 보여주는 도면이다. 도 4 및 도 6을 참조하면, 제어부(333)는 진공 흡입 홀들(324)의 복수 개의 그룹들 중 연마 패드(342)의 위치에 대응하는 그룹의 진공 흡입 홀들(324)에 작용하는 진공압이 오프되도록, 밸브들(332)의 개폐 동작을 제어할 수 있다.
지지판(322)의 중심 영역에 제공된 진공 흡입 홀들(324c)의 그룹을 제 1 그룹이라 하고, 지지판(322)의 가장자리 영역에 제공된 진공 흡입 홀들(324a)의 그룹을 제 2 그룹이라 하며, 제 1 그룹과 제 2 그룹의 사이 영역에 제공된 진공 흡입 홀들(324b)을 제 3 그룹이라 한다.
제 1 그룹의 진공 흡입 홀들(324c)에는 제 1 진공 라인(331c)이 연결되고, 제 1 진공 라인(331c)에는 제 1 밸브(332c)가 제공된다. 제 2 그룹의 진공 흡입 홀들(324a)에는 제 2 진공 라인(331a)이 연결되고, 제 2 진공 라인(331a)에는 제 2 밸브(332a)가 제공된다. 제 3 그룹의 진공 흡입 홀들(324b)에는 제 3 진공 라인(331b)이 연결되고, 제 3 진공 라인(331b)에는 제 3 밸브(332b)가 제공된다.
연마 패드(342)가 제 2 그룹의 진공 흡입 홀들(324a)의 상부에 위치한 상태에서 기판의 연마 공정을 진행할 때, 제어부(333)는 제 2 밸브(332a)를 클로즈시켜 제 2 그룹의 진공 흡입 홀들(324a)에 진공압이 형성되지 않도록 한다. 이와 동시에, 제어부(333)는 제 1 밸브(332c)와 제 3 밸브(332b)를 오픈시켜 제 1 그룹 및 제 3 그룹의 진공 흡입 홀들(324c,324b)에 진공압을 형성하여 기판을 진공 척킹한다.
이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 연마 장치는 연마 공정이 진행되지 않는 기판의 부분을 진공 척킹하고, 연마 공정이 진행되는 기판의 부분에 대한 진공을 해제할 수 있다. 이를 통해, 연마 공정이 진행되는 기판의 부분이 진공압에 의해 변형되는 것을 방지할 수 있고, 결과적으로 기판의 저연마를 방지할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
320: 기판 지지 유닛 322: 지지판
324: 진공 흡입 홀 331: 진공 라인
332: 밸브 333: 제어부
334: 흡입기 340: 연마 유닛
342: 연마 패드
324: 진공 흡입 홀 331: 진공 라인
332: 밸브 333: 제어부
334: 흡입기 340: 연마 유닛
342: 연마 패드
Claims (11)
- 기판이 놓이며 회전 가능한 기판 지지 유닛; 및
상기 기판 지지 유닛에 놓인 상기 기판을 연마하는 연마 패드를 가지는 연마 유닛을 포함하되,
상기 기판 지지 유닛은,
다수의 진공 흡입 홀들이 형성된 지지판; 및
상기 지지판 또는 상기 기판에 대한 상기 연마 패드의 위치 변동에 따라 상기 진공 흡입 홀들에 작용하는 진공압을 온/오프하는 진공 발생 부재를 포함하되,
상기 연마 패드는 상기 지지판보다 작은 크기를 가지며 상기 지지판의 중심으로부터 가장자리로 이동가능하게 제공되고,
상기 진공 발생 부재는,
진공압을 발생하는 흡입기;
상기 흡입기와 상기 진공 흡입 홀들을 연결하는 진공 라인들;
상기 진공 라인들을 개폐하는 밸브들; 및
상기 밸브들의 개폐 동작을 제어하는 제어부를 포함하고,
상기 진공 흡입 홀들은 상기 지지판의 중심을 기준으로 동심원 모양의 복수 개의 그룹들을 이루도록 제공되며,
동일한 그룹에 제공된 상기 진공 흡입 홀들은 동일한 상기 진공 라인에 연결되고, 상이한 그룹에 제공된 상기 진공 흡입 홀들은 상이한 상기 진공 라인에 연결되며,
상기 제어부는, 연마 공정 수행시 상기 복수 개의 그룹들 중 상기 연마 패드의 위치에 대응하는 그룹의 상기 진공 흡입 홀들에는 진공압이 오프되고, 다른 상기 진공 흡입 홀들에는 진공압이 인가되도록 상기 밸브들의 개폐 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 기판이 놓이며 회전 가능한 기판 지지 유닛; 및
연마 면이 아래 방향을 향하도록 제공되고 상기 기판 지지 유닛에 놓인 상기 기판을 연마하는 연마 패드를 가지는 연마 유닛을 포함하되,
상기 기판 지지 유닛은,
지지판;
상기 지지판의 중심으로부터 제 1 거리에 위치한 적어도 하나의 제 1 그룹의 진공 흡입 홀;
상기 제 1 그룹의 진공 흡입 홀에 연결된 제 1 진공 라인;
상기 지지판의 중심으로부터 상기 제 1 거리와 상이한 제 2 거리에 위치한 적어도 하나의 제 2 그룹의 진공 흡입 홀;
상기 제 2 그룹의 진공 흡입 홀에 연결된 제 2 진공 라인;
상기 제 1 및 제 2 진공 라인이 진공의 제공 여부 또는 진공 압의 크기를 독립적으로 조절하는 제어부를 포함하되,
상기 연마 패드는 상기 지지판보다 작은 크기를 가지며 상기 지지판의 중심으로부터 가장자리로 이동가능하게 제공되고,
상기 제어부는 연마 공정 수행시 상기 연마 패드와 대응하는 위치에 있는 상기 제 1 그룹의 진공 흡입 홀 또는 상기 제 2 그룹의 진공 흡입 홀에는 진공압을 오프하고, 상기 연마 패드와 대응하는 위치에서 벗어나 있는 상기 제 1 그룹의 진공 흡입 홀 또는 상기 제 2 그룹의 진공 흡입 홀에는 진공압을 인가하는 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 진공 라인과 상기 제 2 진공 라인에는 개폐 밸브가 각각 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 연마 패드는 상기 지지판의 상면보다 작은 크기를 가지며, 지지판의 중심에서 가장자리까지 이동 가능한 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 그룹의 진공 흡입 홀은 상기 지지판의 중심 영역에 형성되고, 상기 제 2 그룹의 진공 흡입 홀은 상기 지지판의 가장자리 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 그룹의 진공 흡입 홀과 상기 제 2 그룹의 진공 흡입 홀의 사이에는 제 3 그룹의 진공 흡입 홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 연마 장치. - 회전 가능한 지지판에 기판을 진공 척킹하고,
연마 패드를 상기 기판의 중심과 가장자리 간에 이동시키면서 상기 기판을 연마하되,
상기 지지판 또는 상기 기판에 대한 상기 연마 패드의 위치 변동에 따라 상기 지지판의 진공 흡입 홀들에 작용하는 진공압을 온/오프하되,
상기 진공 흡입 홀들은 상기 지지판의 중심을 기준으로 동심원 모양의 복수 개의 그룹들을 이루도록 제공되며,
연마 공정 수행시 상기 복수 개의 그룹들 중 상기 연마 패드의 위치에 대응하는 그룹의 상기 진공 흡입 홀들에는 진공압을 오프하고 다른 그룹의 상기 진공 흡입 홀들에는 진공압을 인가하는 것을 특징으로 하는 기판 연마 방법. - 삭제
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JPH1119868A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-26 | Canon Inc | 基板保持装置ならびに該基板保持装置を用いた研磨方法および研磨装置 |
JP2003303793A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-10-24 | Hitachi Ltd | 研磨装置および半導体装置の製造方法 |
KR100702001B1 (ko) | 2001-02-23 | 2007-03-30 | 삼성전자주식회사 | 화학적/기계적 연마장치 |
JP2008010557A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの研磨加工方法 |
-
2010
- 2010-02-18 KR KR1020100014795A patent/KR101236806B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1119868A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-26 | Canon Inc | 基板保持装置ならびに該基板保持装置を用いた研磨方法および研磨装置 |
KR100702001B1 (ko) | 2001-02-23 | 2007-03-30 | 삼성전자주식회사 | 화학적/기계적 연마장치 |
JP2003303793A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-10-24 | Hitachi Ltd | 研磨装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008010557A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの研磨加工方法 |
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