-
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
-
Technisches Gebiet
-
Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Laserstrahlbearbeitungsanlage
zur Bestrahlung eines Wafers mit einem Laserstrahl entlang in dem
Wafer ausgebildeter vorgesehener Teilungslinien und zum anschließenden Aufteilen
des Wafers entlang der vorgesehenen Teilungslinien.
-
Stand der Technik
-
In
einem Prozess zur Herstellung von Halbleiterbauelementen werden
mehrere Bereiche durch vorgesehene Teilungslinien (genannt "Straßen") abgegrenzt, die
in einer Gitterform auf einer Oberfläche eines im Wesentlichen runden,
scheibenförmigen
Halbleiterwafers angeordnet sind, und Bauelemente, wie zum Beispiel
ICs (integrierte Schaltungen) und LSIs, werden in den so abgegrenzten
Bereichen ausgebildet. Dann wird der Halbleiterwafer entlang der
Straßen
geschnitten, so dass die mit den Bauelementen versehenen Bereiche voneinander
abgeteilt werden, wodurch einzelne Halbleiterchips hergestellt werden.
Zusätzlich
wird ein Wafer für
optische Bauelemente, bei dem ein Verbundhalbleiter auf Galliumnitridbasis
oder dergleichen auf einer Oberfläche eines Saphirsubstrats geschichtet
ist, auch entlang der Straßen
geschnitten, wodurch der Wafer für optische
Bauelemente in einzelne optische Bauelemente, wie zum Beispiel Photodioden,
Laserdioden usw. aufgeteilt wird, die in elektrischen Geräten weit
verbreitet sind.
-
Das
Schneiden (Zerteilen) entlang der Straßen bei solch einem Wafer,
z.B. einem Halbleiterwafer oder einem Wafer für optische Bauelemente, wird
normalerweise durch Benutzung einer Schneide (Bearbeitungs)-Vorrichtung
durchgeführt.
Die Schneidevorrichtung beinhaltet Schneidemittel zum Schneiden
des durch den Einspanntisch gehaltenen Wafers und Bewegungsmittel
zum Herbeiführen
einer relativen Bewegung des Einspanntisches und des Schneidemittels.
Das Schneidemittel beinhaltet eine Drehspindel, die mit hoher Geschwindigkeit
gedreht wird, und eine an der Spindel angebrachte Schneideklinge.
Beim Schneiden des Wafers durch solch eine Schneidevorrichtung ist
die Zuführrate
begrenzt und die Erzeugung von Spänen würde zu einer Verunreinigung
des Chips führen.
-
Andererseits
wurde, als ein Verfahren zur Aufteilung eines plattenförmigen Werkstücks, wie
zum Beispiel eines Halbleiterwafers, in den letzten Jahren ein Verfahren
vorgeschlagen, bei dem das Werkstück mit einem gepulsten Laserstrahl
entlang auf einer Oberfläche
des Werkstücks
ausgebildeter vorgesehener Teilungslinien bestrahlt wird, um so
das Werkstück
durch Abtragungsbearbeitung zu schneiden (siehe zum Beispiel
japanisches offengelegtes Patent
Nr. Hei 10-305420 ).
-
Jedoch
würden,
wenn der Wafer durch das oben erwähnte Laserstrahlbearbeitungsverfahren
geschnitten wird, Bearbeitungsspannungen an den Umfangsoberflächen der
durch das Schneiden erhaltenen einzelnen Chips zurückbleiben,
was dazu führen
würde,
dass die Chips eine verringerte Bruchdurchbiegung zeigen. Insbesondere
im Fall des Galliumarsenid (GaAs)-Wafers, der normalerweise eine
geringe Bruchdurchbiegung aufweist, ist der Einfluss der zurückbleibenden
Maschinenspannungen auf die Verringerung der Bruchdurchbiegung erheblich.
-
Andererseits
bleiben Bearbeitungsspannungen an den Umfangsoberflächen der
durch Schneiden eines Wafers entlang der vorgesehenen Teilungslinien
durch die Schneidevorrichtung erhaltenen, einzeln aufgeteilten Bauelemente
zurück.
Zum Beseitigen der Bearbeitungsspannungen wurde ein Waferbearbeitungsverfahren
vorgeschlagen, bei dem das Aufteilen eines Wafers in einzelne Bauelemente
von chemischem Ätzen gefolgt
wird (siehe zum Beispiel
japanisches
offengelegtes Patent Nr. Hei 7-161665 ). Jedoch ist, um
einen Prozess durchzuführen,
bei dem der durch Benutzung der Schneidevorrichtung in einzelne
Bauelemente aufgeteilte Wafer der Ätzbehandlung unterzogen wird,
ein Zuführschritt
notwendig, bei dem der in die einzelnen Bauelemente aufgeteilte
Wafer durch eine Zuführeinrichtung
einer Ätzvorrichtung
zugeführt
wird, was vom Gesichtspunkt der Produktivität aus unbefriedigend ist.
-
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
-
Dementsprechend
ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Laserstrahlbearbeitungsanlage
anzubieten, die so beschaffen ist, dass, nachdem ein Wafer mit einem
Laserstrahl entlang vorgesehener Teilungslinien bestrahlt wurde,
um den Wafer in einzelne Bauelemente aufzuteilen, die einzelnen
Bauelemente unverzüglich
einer Ätzbehandlung
unterzogen werden können,
ohne einer Ätzvorrichtung
zugeführt
zu werden.
-
Gemäß einem
Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Laserstrahlbearbeitungsanlage
angeboten, die beinhaltet: einen Einspanntisch zum Halten eines
Wafers; Laserstrahlbestrahlungsmittel zum Bestrahlen des durch den
Einspanntisch gehaltenen Wafers mit einem Laserstrahl; Bearbeitungszuführmittel
zur relativen Bearbeitungszufuhr des Einspanntisches und des Laserstrahlbestrahlungsmittels;
Teilungszuführmittel zur
relativen Teilungszufuhr des Einspanntisches und des Laserstrahlbestrahlungsmittels
in einer Richtung senkrecht zu der Richtung der Bearbeitungszufuhr;
ein Ätzmittel
zum Ätzen
des Wafers, welcher der Laserstrahlbearbeitung unterzogen wurde;
und Zuführmittel
zum Zuführen
des durch den Einspanntisch gehaltenen laserstrahlbearbeiteten Wafers
zu dem Ätzmittel.
-
Vorzugsweise
beinhaltet das Ätzmittel
einen Schleudertisch zum Halten und Schleudern des Wafers und Ätzflüssigkeitszuführmittel
zum Zuführen
einer Ätzflüssigkeit
zu dem durch den Schleudertisch gehaltenen laserstrahlbearbeiteten
Wafer. Das Ätzmittel
weist vorzugsweise Schutzmaterialzuführmittel zum Zuführen eines
flüssigen
Schutzmaterials zur Bildung eines Schutzfilms auf der zu bearbeitenden
Seite des durch den Schleudertisch gehaltenen, noch nicht laserstrahlbearbeiteten
Wafers. Zusätzlich
weist das Ätzmittel
vorzugsweise Reinigungswasserzuführmittel
zum Zuführen
von Reinigungswasser zur Reinigung des geätzten durch den Schleudertisch
gehaltenen Wafers auf.
-
Der
durch die Laserstrahlbearbeitungsanlage zu bearbeitende Wafer kann
ein Galliumarsenid (GaAs)-Wafer sein und die für das Ätzen durch das Ätzmittel
benutzte Ätzflüssigkeit
kann Ammoniumhydroxid und Wasserstoffperoxid beinhalten.
-
Die
Laserstrahlbearbeitungsanlage gemäß der vorliegenden Erfindung
beinhaltet das Ätzmittel
zum Ätzen
des laserstrahlbearbeiteten Wafers und das Zuführmittel zum Zuführen des
durch den Einspanntisch gehaltenen laserstrahlbearbeiteten Wafers
zu dem Ätzmittel
und deshalb kann der laserstrahlbearbeitete Wafer unverzüglich einer
effizienten Ätzbehandlung
unterzogen werden.
-
Die
obigen und andere Ziele, Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden
Erfindung und die Art und Weise, diese zu realisieren, werden klarer
ersichtlich werden und die Erfindung selbst wird am besten verstanden
werden durch Studieren der folgenden Beschreibung und der angefügten Ansprüche mit
Bezug auf die beigefügten
Zeichnungen, die einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung
zeigen.
-
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
-
1 ist
eine perspektivische Ansicht einer Laserstrahlbearbeitungsanlage,
die gemäß der vorliegenden
Erfindung aufgebaut ist;
-
2 ist
eine teilweise gebrochene perspektivische Ansicht kombinierter Ätz- und
Reinigungs- und Schutzfilm bildender Mittel, die in der in 1 gezeigten
Laserstrahlbearbeitungsanlage vorgesehen sind;
-
3 veranschaulicht
den Zustand, bei dem ein Schleudertisch in dem in 2 gezeigten
kombinierten Ätz-
und Reinigungs- und Schutzfilm bildenden Mittel in einer Werkstücks-Einspeisungs/Ausspeisungs-Stellung
positioniert ist;
-
4 veranschaulicht
den Zustand, bei dem der Schleudertisch in dem in 2 gezeigten
kombinierten Ätz-
und Reinigungs- und Schutzfilm bildenden Mittel in einer Arbeitsstellung
positioniert ist;
-
5 ist
eine perspektivische Ansicht eines Galliumarsenidwafers als ein
durch die in 1 gezeigte Laserstrahlbearbeitungsanlage
zu bearbeitendes Werkstück;
-
6A und 6B veranschaulichen
einen durch Benutzung der in 1 gezeigten
Laserstrahlbearbeitungsanlage durchgeführten Schutzfilmbildungsschritt;
-
7A und 7B veranschaulichen
einen durch Benutzung der in 1 gezeigten
Laserstrahlbearbeitungsanlage durchgeführten Laserstrahlbearbeitungsschritt;
-
8 ist
eine vergrößerte Schnittdarstellung
eines grundlegenden Teils eines durch den in 7A und 7B gezeigten
Laserstrahlbearbeitungsschritt mit laserstrahlbearbeiteten Kerben
versehenen Galliumarsenidwafers;
-
9 ist
eine vergrößerte Schnittdarstellung
eines grundlegenden Teils des Galliumaresenidwafers, die den Zustand
zeigt, bei dem die durch den in 7A und 7B gezeigten
Laserstrahlbearbeitungsschritt gebildete laserstrahlbearbeitete
Kerbe ein Schutztape erreicht hat; und
-
10 veranschaulicht
einen durch Benutzung der in 1 gezeigten
Laserstrahlbearbeitungsanlage durchgeführten Ätzschritt.
-
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
-
Nun
wird nachfolgend eine bevorzugte Ausführungsform einer gemäß der vorliegenden
Erfindung aufgebauten Laserstrahlbearbeitungsanlage mit Bezug auf
die beigefügten
Zeichnungen im Detail beschrieben. 1 zeigt
eine perspektivische Ansicht der gemäß der vorliegenden Erfindung
aufgebauten Laserstrahlbearbeitungsanlage. Die in 1 gezeigte
Laserstrahlbearbeitungsanlage 1 hat ein im Wesentlichen
rechteckiges parallelepipedförmiges
Anlagengehäuse 2.
In dem Anlagengehäuse 2 ist
ein Einspanntisch 3 zum Halten eines Wafers als ein Werkstück so angeordnet,
dass er in einer durch den Pfeil X angezeigten Bearbeitungszuführrichtung
und in einer Teilungszuführrichtung
Y, senkrecht zu der Bearbeitungszuführrichtung X, bewegbar ist.
Der Einspanntisch 3 weist eine Ansaugeinspannvorrichtungs-Halterungsbasis 31 und
eine auf der Ansaugeinspannvorrichtungs-Halterungsbasis 31 angebrachte
Ansaugeinspannvorrichtung 32 auf, und der Wafer als ein
Werkstück
wird auf der Stirnfläche,
oder Anbringungsoberfläche,
der Ansaugeinspannvorrichtung 32 durch die Einwirkung nicht
gezeigter Ansaugmittel gehalten. Zusätzlich ist der Einspanntisch 3 so
aufgebaut, dass er durch einen nicht gezeigten Drehmechanismus drehbar
ist. Klammern 34 zum Befestigen eines später beschriebenen
ringförmigen
Rahmens sind an der Ansaugeinspannvorrichtungs-Halterungsbasis 31 des so aufgebauten
Einspanntisches 3 angeordnet. Im Übrigen beinhaltet die Laserstrahlbearbeitungsanlage 1 nicht
gezeigte Bearbeitungszuführmittel
zur Bearbeitungszufuhr des Einspanntisches 3 in der Bearbeitungszuführrichtung
X und nicht gezeigte Teilungszuführmittel
zur Teilungszufuhr des Einspanntisches 3 in der Teilungszuführrichtung
Y.
-
Die
in der Figur gezeigte Laserstrahlbearbeitungsanlage 1 weist
Laserstrahlbestrahlungsmittel 4 zum Durchführen der
Laserstrahlbearbeitung an dem als ein Werkstück durch den Einspanntisch 3 gehaltenen
Wafer auf. Das Laserstrahlbestrahlungsmittel 4 weist Laserstrahloszillationsmittel 41 und
einen Kondensor 42 zum Verdichten des durch das Laserstrahloszillationsmittel 41 oszillierten
Laserstrahls auf. Im Übrigen
weist die Laserstrahlbearbeitungsanlage 1 nicht gezeigte
Bewegungsmittel zum Bewegen des Laserstrahloszillationsmittels 41 in
einer Verdichtungspunktpositions-Kontrollrichtung des Pfeils Z auf, die
eine Richtung senkrecht zu der oberen Oberfläche, oder der Anbringungsoberfläche, des
Einspanntisches 3 ist.
-
Die
in der Figur gezeigte Laserstrahlbearbeitungsanlage 1 weist
Bildaufnahmemittel 5 zum Aufnehmen eines Bilds der Oberfläche des
auf der Ansaugeinspannvorrichtung 32 des Einspanntisches 3 gehaltenen Werkstücks und
zum Erfassen eines durch den von dem Kondensor 42 des Laserstrahlbestrahlungsmittels 4 abgestrahlten
Laserstrahl zu bearbeitenden Bereichs auf. Das Bildaufnahmemittel 5 beinhaltet
nicht nur eine normale Bildaufnahmeeinrichtung (CCD) zum Aufnehmen
eines Bildes durch Benutzung von sichtbaren Strahlen, sondern auch
IR (Infrarot)-Beleuchtungsmittel
zum Bestrahlen des Werkstücks
mit IR (infraroten) Strahlen, einen optischen Aufbau zum Einfangen
der von dem IR-Beleuchtungsmittel abgestrahlten IR-Strahlen, eine Bildaufnahmeeinrichtung
(Infrarot-CCD) zum Ausgeben eines elektrischen Signals entsprechend
den durch den optischen Aufbau eingefangenen IR-Strahlen usw., und
sendet ein Bildsignal des aufgenommenen Bildes zu später beschriebenen
Kontrollmitteln. Zusätzlich
weist die in der Figur gezeigte Laserstrahlbearbeitungsanlage 1 Anzeigemittel 6 zum
Anzeigen des durch das Bildaufnahmemittel 5 aufgenommenen
Bildes auf.
-
Die
in der Figur gezeigte Laserstrahlbearbeitungsanlage 1 weist
ein kombiniertes Ätz-
und Reinigungs- und Schutzfilm bildendes Mittel 7 auf,
das eine Funktion als Ätzmittel
zum Durchführen
einer Ätzbehandlung
an dem Wafer, der einer Laserstrahlbearbeitung unterzogen wurde,
eine Funktion als Reinigungsmittel zum Reinigen des Wafers, welcher
der Ätzbehandlung
unterzogen wurde, und eine Funktion als Schutzfilm bildendes Mittel
zum Beschichten der zu bearbeitenden Oberfläche des Wafers, der noch nicht
der Laserstrahlbearbeitung unterzogen wurde, mit einem Schutzfilm,
hat. Das kombinierte Ätz-
und Reinigungs- und Schutzfilm bildende Mittel 7 wird mit
Bezug auf 2 bis 4 beschrieben.
-
Das
kombinierte Ätz-
und Reinigungs- und Schutzfilm bildende Mittel 7 in der
gezeigten Ausführungsform
weist einen Schleudertischmechanismus 71 und Ätzflüssigkeitsaufnahmemittel 72 auf,
die so angeordnet sind, dass sie den Schleudertischmechanismus 71 umgeben.
Der Schleudertischmechanismus 71 beinhaltet einen Schleudertisch 711,
einen elektrischen Motor 712 zum Drehantrieb des Schleudertisches 711 und
einen Halterungsmechanismus 713 zur Halterung des elektrischen
Motors 712 in einer vertikal bewegbaren Weise. Der Schleudertisch 711 weist
eine aus einem porösen
Material gebildete Ansaugeinspannvorrichtung 711a auf und
die Ansaugeinspannvorrichtung 711a kommuniziert mit nicht
gezeigten Ansaugmitteln. Deshalb ist der Schleudertisch 711 so
aufgebaut, dass ein Wafer als ein Werkstück auf der Ansaugeinspannvorrichtung 711 durch
Anbringen des Wafers auf der Ansaugeinspannvorrichtung 711a und
Aufbringen eines Unterdrucks auf den Wafer durch die nicht gezeigten
Ansaugmittel gehalten wird. Im Übrigen
sind Klemmen-Mechanismen 714 zur
Befestigung eines später
beschriebenen ringförmigen
Rahmens an dem Schleudertisch 711 angeordnet.
-
Der
elektrische Motor 712 weist einen Antriebsschaft 712a auf,
mit dessen oberem Ende der Schleudertisch 711 verbunden
ist. Der Halterungsmechanismus 713 besteht aus mehreren
(in der gezeigten Ausführungsform
drei) Halterungsbeinen 713a und mehreren (in der gezeigten
Ausführungsform
drei) Luftzylindern 713b, mit denen die Halterungsbeine 713a jeweils
verbunden sind und die an dem elektrischen Motor 712 angebracht
sind. Bei einem solchen Aufbau des Halterungsmechanismus 713 befinden
sich der elektrische Motor 712 und der Schleudertisch 711 in
einer Werkstücks-Einspeisungs/Ausspeisungs-Stellung,
die eine in 3 gezeigte obere Stellung ist,
und einer Arbeitsstellung, die eine in 4 gezeigte
untere Stellung ist, durch Betätigung
der Luftzylinder 713b.
-
Das Ätzflüssigkeitsaufnahmemittel 72 beinhaltet
ein Ätzflüssigkeitsaufnahmegefäß 721,
drei Halterungsbasen 722 (zwei davon sind in 2 gezeigt)
zur Halterung des Ätzflüssigkeitsaufnahmegefäßes 721 und
ein an dem Antriebsschaft 712a des elektrischen Motors 712 angebrachtes
Abdeckelement 723. Das Ätzflüssigkeitsaufnahmegefäß 721 besteht
aus einer hohlen zylindrischen Außenwand 721a, einer
Bodenwand 721b und einer Innenwand 721c, wie in 3 und 4 gezeigt.
Die Bodenwand 721b ist in ihrem mittleren Teil mit einem
Loch 721d versehen, durch das der Antriebsschaft 712a des
elektrischen Motors 712 geführt wird, und die Innenwand 721c steht
aufwärts
von dem Umfangsrand des Lochs 721d hervor. Zusätzlich ist
die Bodenwand 721b, wie in 2 gezeigt,
mit einem Ablassloch 721e versehen, und ein Ablassschlauch 724 ist mit
dem Ablassloch 721e verbunden. Das Abdeckelement 723 weist
eine runde, scheibenartige Form auf und hat einen Abdeckteil 723a,
der von dessen Umfangsrand abwärts
hervorsteht. Bei solch einem Aufbau des Abdeckelements 723 befindet
sich, wenn der elektrische Motor 712 und der Schleudertisch 711 sich
in der in 4 gezeigten Arbeitsposition
befinden, das Abdeckteil 723a auf der Außenseite
der inneren Wand 721c, die das Ätzflüssigkeitsaufnahmegefäß 721 bildet,
und überlappt
sich mit dieser, mit einer Lücke
dazwischen.
-
Das
kombinierte Ätz-
und Reinigungs- und Schutzfilm bildende Mittel 7 in der
gezeigten Ausführungsform
weist Schutzmaterialzuführmittel 74 zum
Zuführen
eines flüssigen
Schutzmaterials, wie zum Beispiel Polyvinylalkohol (PVA), zu der
zu bearbeitenden Oberfläche
des auf dem Schleudertisch 711 gehaltenen, noch nicht laserstrahlbearbeiteten
Wafers oder Werkstücks
auf. Das Schutzmaterialzuführmittel 74 beinhaltet
eine Schutzmaterialzuführdüse 741 zum
Zuführen
des flüssigen
Schutzmaterials zu der zu bearbeitenden Oberfläche des auf dem Schleudertisch 711 gehaltenen,
noch nicht bearbeiteten Wafers und einen elektrischen Motor 742,
der geeignet ist, sich normal und entgegengesetzt zu drehen und
betriebsfähig
ist, die Schutzmaterialzuführdüse 741 zu
schwenken, und die Schutzmaterialzuführdüse 741 ist mit einer
nicht gezeigten Schutzmaterialzuführquelle verbunden.
-
Die
Schutzmaterialzuführdüse 741 besteht
aus einem Düsenteil 741a,
der sich horizontal erstreckt, und einem Halterungsteil 741b,
der sich von dem Düsenteil 741a abwärts erstreckt,
und der Halterungsteil 741b ist so angeordnet, dass er
durch ein in der Bodenwand 721b, die das Ätzflüssigkeitsaufnahmegefäß 721 bildet,
vorgesehenes, nicht gezeigtes Durchführloch durchgeht, und ist mit
der nicht gezeigten Schutzmaterialzuführquelle verbunden. Im Übrigen ist
ein nicht gezeigtes Abdichtungselement an dem Umfangsrand eines nicht
gezeigten Durchführlochs,
durch welches das Halterungsteil 741b der Schutzmaterialzuführdüse 741 durchgeführt wird,
zum Abdichten der Lücke
zwischen dem Umfangsrand und dem Halterungsteil 741b angebracht.
-
Das
kombinierte Ätz-
und Reinigungs- und Schutzfilm bildende Mittel 7 in der
gezeigten Ausführungsform
weist Ätzflüssigkeitszuführmittel 75 zur
Durchführung
einer Ätzbehandlung
an dem auf dem Schleudertisch 711 gehaltenen Wafer oder
Werkstück,
der einer Laserstrahlbearbeitung unterzogen wurde, auf. Das Ätzflüssigkeitszuführmittel 75 beinhaltet
eine Ätzflüssigkeitsdüse 751 zum
Ausstoßen
einer Ätzflüssigkeit
in Richtung auf den auf dem Schleudertisch 711 gehaltenen
laserstrahlbearbeiteten Wafer und einen elektrischen Motor 752,
der geeignet ist, sich normal und entgegengesetzt zu drehen, und
betriebsfähig
ist, die Ätzflüssigkeitsdüse 751 zu
schwenken, und die Ätzflüssigkeitsdüse 751 ist
mit einer nicht gezeigten Ätzflüssigkeitszuführquelle
verbunden.
-
Die Ätzflüssigkeitsdüse 751 besteht
aus einem Düsenteil 751a,
der sich horizontal erstreckt und einen abwärts gebogenen Spitzenteil aufweist,
und einem Halterungsteil 751b, der sich abwärts von
dem unteren Ende des Düsenteils 751a erstreckt,
und der Halterungsteil 751b ist so angeordnet, dass er
durch ein in der Bodenwand 721b, die das Ätzflüssigkeitsaufnahmegefäß 721 bildet,
vorgesehenes, nicht gezeigtes Durchführloch durchgeht, und ist mit
der nicht gezeigten Ätzflüssigkeitszuführquelle
verbunden. Im Übrigen
ist ein nicht gezeigtes Abdichtungselement an dem Umfangsrand des
nicht gezeigten Durchführlochs,
durch das der Halterungsteil 751b der Ätzflüssigkeitsdüse 751 durchgeführt wird,
zum Abdichten der Lücke
zwischen dem Umfangsrand und dem Halterungsteil 751b angebracht.
-
Das
kombinierte Ätz-
und Reinigungs- und Schutzfilm bildende Mittel 7 in der
gezeigten Ausführungsform
weist ein Reinigungswasserzuführmittel 76 zum
Reinigen des auf dem Schleudertisch 711 gehaltenen Wafers,
oder Werkstücks,
welcher der Ätzbehandlung
unterzogen wurde, auf. Das Reinigungswasserzuführmittel 76 beinhaltet
eine Reinigungswasserdüse 761 zum
Ausstoßen
von Reinigungswasser in Richtung auf den auf dem Schleudertisch 711 gehaltenen
geätzten
Wafer, und einen nicht gezeigten elektrischen Motor, der geeignet
ist, sich normal und entgegengesetzt zu drehen, und betriebsfähig ist,
die Reinigungswasserdüse 761 zu
schwenken, und die Reinigungswasserdüse 761 ist mit einer
nicht gezeigten Reinigungswasserzuführquelle verbunden.
-
Die
Reinigungswasserdüse 761 besteht
aus einem Düsenteil 761,
der sich horizontal erstreckt und einen abwärts gebogenen spitzen Teil
aufweist, und einem Halterungsteil 761b, der sich von dem
unteren Ende des Düsenteils 761a abwärts erstreckt,
und der Halterungsteil 761b wird durch ein in der Bodenwand 721b, die
das Ätzflüssigkeitsaufnahmegefäß 721 bildet,
vorgesehenes, nicht gezeigtes Durchführloch durchgeführt, und
ist mit der nicht gezeigten Reinigungswasserzuführquelle verbunden. Im Übrigen ist
ein nicht gezeigtes Abdichtungselement mit dem Umfangsrand des nicht
gezeigten Durchführlochs,
durch das der Halterungsteil 751b der Reinigungswasserdüse 751 durchgeführt wird,
zum Abdichten der Lücke
zwischen dem Umfangsrand und dem Halterungsteil 751b angebracht.
-
Zurückkehrend
zu 1 hat die gezeigte Laserstrahlbearbeitungsanlage
einen Kassettenanbringungsteil 13a, auf dem eine Kassette
zum Aufnehmen von Galliumarsenidwafern 10 als die Wafer,
oder Werkstücke,
angebracht wird. Der Kassettenanbringungsteil 13a ist mit
einem Kassettentisch 131 versehen, der durch ein nicht
gezeigtes Hebemittel vertikal bewegt werden kann, und die Kassette 13 ist
auf dem Kassettentisch 131 angebracht. Jeder Galliumarsenidwafer 10 ist
auf die Stirnseite eines an einem ringförmigen Rahmen 11 angebrachten
Schutztapes 12 geklebt, und in der Kassette 13 in
dem Zustand aufgenommen, dass er durch den ringförmigen Rahmen 11 mit
Hilfe des Schutztapes 12 gehalten wird. Wie in 5 gezeigt
weist der Galliumarsenidwafer 10 einen Aufbau auf, bei
dem mehrere vorgesehene Teilungslinien 101 in einem Gittermuster auf
der Stirnfläche 100a eines
Galliumarsenid (GaAs)-Substrats 100 ausgebildet sind, das
eine Dicke von zum Beispiel 100 μm
aufweist. Auf der Stirnfläche 100a des
Galliumarsenid (GaAs)-Substrats 100 werden
Bauelemente 102, wie zum Beispiel Hybrid-ICs (integrierte
Schaltungen) und Hochgeschwindigkeits-ICs, in mehreren durch die
mehreren in einem Gittermuster ausgebildeten vorgesehenen Teilungslinien 101 abgegrenzten
Bereichen ausgebildet. Wie in 1 gezeigt
ist die Rückseite
des so aufgebauten Galliumarsenidwafers 10 an das an dem
ringförmigen
Rahmen 11 angebrachten Schutztape 12 geklebt,
so dass dessen Stirnfläche 100a, und
zwar die mit den vorgesehenen Teilungslinien 101 und den
Bauelementen 102 versehene Oberfläche, auf der oberen Seite ist.
-
Die
gezeigte Laserstrahlbearbeitungsanlage 1 beinhaltet: Wafer-Einspeisungs/Ausspeisungs-Mittel 15 zum
Ausspeisen des noch nicht bearbeiteten, in der Kassette 13 enthaltenen
Galliumarsenidwafers 10 zu einem Ausrichtungsmittel 14,
das in einem Temporärplatzierungsteil 14a angeordnet
ist, und zum Einspeisen des bearbeiteten Galliumarsenidwafers 10 in
die Kassette 13; erste Waferzuführmittel 16 zum Zuführen des noch
nicht bearbeiteten, zu dem Ausrichtungsmittel 14 ausgespeisten
Galliumarsenidwafers 10 zu dem kombinierten Ätz- und
Reinigungs- und Schutzfilm formenden Mittel 7 und zum Zuführen des
Galliumarsenidwafers 10, bei dem die Stirnseite durch das
kombinierte Ätz-
und Reinigungs- und Schutzfilm bildende Mittel 7 mit einem
Schutzfilm beschichtet wurde, zu dem Einspanntisch 3; und
zweite Waferzuführmittel 17 zum
Zuführen des
Galliumarsenidwafers 10, der einer Laserstrahlbearbeitung
auf dem Einspanntisch 3 unterzogen wurde, zu dem kombinierten Ätz- und
Reinigungs- und Schutzfilm bildenden Mittel 7.
-
Die
gezeigte Laserstrahlbearbeitungsanlage 1 ist wie oben aufgebaut.
Nun wird im Folgenden ein Laserstrahlbearbeitungsverfahren zum Schneiden
des Galliumarsenidwafers 10 entlang der auf der Stirnseite 100a des
Substrats 100 des Wafers 10 ausgebildeten vorgesehenen
Teilungslinien 101 durch Benutzung der Laserstrahlbearbeitungsanlage 1 beschrieben.
Der noch nicht bearbeitete, auf dem ringförmigen Rahmen 11 durch
das Schutztape 12 wie in 1 gezeigt
gehaltene Galliumarsenidwafer 10 (im Folgenden einfach
als der Galliumarsenidwafer 10 bezeichnet) ist an einer
vorgegebenen Stelle in der Kassette 13 enthalten, mit seiner
Stirnseite 100a, d.h., der zu bearbeitenden Oberfläche, auf
der oberen Seite. Der noch nicht bearbeitete, an einer vorgegebenen
Stelle in der Kassette 13 enthaltene Galliumarsenidwafer 10 wird
durch vertikales Bewegen des Kassettentisches 131 durch
die nicht gezeigten Hebemittel in eine Ausspeisungsstellung gebracht. Als
nächstes
wird das Wafer-Einspeisungs/ Ausspeisungs-Mittel 15 vorwärts oder
rückwärts bewegt,
wodurch der in der Ausspeisungsstellung positionierte Galliumarsenidwafer 10 zu
dem Ausrichtungsmittel 14, das an dem Temporärplatzierungsteil 14a angeordnet
ist, ausgespeist wird. Der zu dem Ausrichtungsmittel 14 ausgespeiste
Galliumarsenidwafer 10 wird in eine vorgegebene Position
durch das Ausrichtungsmittel 14 ausgerichtet.
-
Anschließend wird
der noch nicht bearbeitete, durch das Ausrichtungsmittel 14 ausgerichtete
Halbleiterwafer 10 durch einen Schwenkvorgang des ersten
Waferzuführmittels 16 auf
die Ansaugeinspannvorrichtung 711a des Schleudertisches 711,
der das kombinierte Ätz-
und Reinigungs- und Schutzfilm bildende Mittel 7 bildet,
befördert
und durch Ansaugen auf der Ansaugeinspannvorrichtung 711a gehalten
(Waferhalteschritt). Zusätzlich
wird der ringförmige
Rahmen 11 mit den Klammern 714 befestigt. In diesem
Fall befindet sich der Schleudertisch 711 in der in 3 gezeigten
Werkstücks-Einspeisungs/Ausspeisungs-Stellung
und die Schutzmaterialzuführdüse 741 und
die Reinigungswasserdüse 751 sowie
die Luftdüse 761 befinden
sich in Bereitschaftsstellungen, entfernt von den Stellungen auf
der oberen Seite des Schleudertisches 711, wie in 2 und 3 gezeigt.
-
Wenn
der Waferhalteschritt zum Halten des noch nicht bearbeiteten Galliumarsenidwafers 10 auf
dem Schleudertisch 711 des kombinierten Ätz- und
Reinigungs- und Schutzfilm bildenden Mittels 7 abgeschlossen ist,
folgt ein Schutzfilm bildender Schritt zum Bilden eines Schutzfilms
in der Art, dass die Stirnseite 100a, oder die zu bearbeitende
Oberfläche,
des auf dem Schleudertisch 711 gehaltenen Halbleiterwafers 10 beschichtet wird.
Spezieller wird der Schleudertisch 711 in eine Arbeitsstellung
gebracht und der elektrische Motor 742 des Schutzmaterialzuführmittels 74 wird
betätigt,
um eine Ausstoßöffnung des
Düsenteils 741a der
Schutzmaterialzuführdüse 741 in
eine Stellung auf der oberen Seite eines mittleren Teils des auf
dem Schleudertisch 711 gehaltenen Galliumarsenidwafers 10 zu
bringen, wie in 6A gezeigt. Dann wird, während der
Schleudertisch 711 in Richtung des Pfeils mit einer vorgegebenen
Drehgeschwindigkeit (zum Beispiel 200 rpm) gedreht wird, eine vorgegebene
Menge (zum Beispiel 1 cm3 in dem Fall, dass
der Durchmesser des Halbleiterwafers 10 200 mm beträgt) des
flüssigen
Schutzmaterials 110 von der Schutzmaterialzuführdüse 741 des
Schutzmaterialzuführmittels 74 auf
einen mittleren Bereich der Stirnseite 1001 (die zu bearbeitende
Oberfläche)
des an die Stirnseite des an dem ringförmigen Rahmen 11 angebrachten
Schutztapes 12 geklebten Galliumarsenidwafers 10 getröpfelt. Im Übrigen ist
das flüssige
Schutzmaterial vorzugsweise ein wasserlöslicher Abdecklack, wie zum
Beispiel Polyvinylalkohol (PVA).
-
Daher
wird 1 cm3 des flüssigen Schutzmaterials 110,
wie zum Beispiel Polyvinylalkohol, auf den mittleren Bereich der
Stirnseite 100a (die zu bearbeitende Oberfläche) des
auf dem Schleudertisch 711 gehaltenen, noch nicht bearbeiteten
Galliumarsenidwafers 10 getröpfelt, und der Schleudertisch 711 wird
mit einer Drehgeschwindigkeit von 200 rpm für ungefähr 60 Sekunden gedreht, wodurch
die Stirnseite 100a (die zu bearbeitende Oberfläche) des
Halbleiterwafers 10 mit einem Schutzfilm 120 beschichtet
wird, der eine Dicke von ungefähr
1 μm aufweist,
wie in 6B gezeigt.
-
Wenn
der Schutzfilmbildungsschritt beendet ist, wird der Schleudertisch 711 in
die in 3 gezeigte Werkstücks-Einspeisungs/Ausspeisungs-Stellung gebracht
und das Halten des auf dem Schleudertisch 711 gehaltenen
Galliumarsenidwafers 10 durch Ansaugen wird gelöst (aufgehoben).
Dann wird der Galliumarsenidwafer 10 auf dem Schleudertisch 711 auf
die Ansaugeinspannvorrichtung 32 des Einspanntisches 3 durch das
erste Waferzuführmittel 16 befördert und
auf der Ansaugeinspannvorrichtung 32 durch Ansaugen gehalten.
Der Einspanntisch 3 mit dem somit durch Ansaugen darauf
gehaltenen Galliumarsenidwafer 10 wird unmittelbar unter
dem in dem Laserstrahlbestrahlungsmittel 4 angeordneten
Bildaufnahmemittel 5 durch nicht gezeigte Bearbeitungszuführmittel
positioniert.
-
Wenn
der Einspanntisch 3 somit unmittelbar unter dem Bildaufnahmemittel 5 positioniert
ist, wird eine Bildbehandlung, wie zum Beispiel eine Musterabgleichung,
zum Ausrichten der vorgesehenen Teilungslinien 101, die
in einer vorgegebenen Richtung in dem Galliumarsenidwafer 10 ausgebildet
sind, und des Kondensors 42 des Laserstrahlbestrahlungsmittels 4 zur
Bestrahlung mit einem Laserstrahl entlang der vorgesehenen Teilungslinien 101 durch
das Bildaufnahmemittel 5 und nicht gezeigte Kontrollmittel
durchgeführt,
wodurch eine Ausrichtung der Laserstrahlbestrahlungsstellung ausgeführt wird.
Zusätzlich
wird eine ähnliche
Ausrichtung der Laserstrahlbestrahlungsstellung auch für die in
dem Galliumarsenidwafer 10 ausgebildeten vorgesehenen Teilungslinien 101 durchgeführt, die
sich senkrecht zu der oben erwähnten
vorgegebenen Richtung erstrecken. In diesem Fall wird der Schutzschichtfilm 110 auf
der mit dem vorgesehenen Teilungslinien 101 des Galliumarsenidwafers 10 versehenen
Stirnseite 100a ausgebildet, und wo der Schutzfilm 110 nicht
transparent ist, kann die Ausrichtung von der Stirnseite aus durch
IR-Abbildung erfolgen.
-
Wenn
die in dem auf dem Einspanntisch 3 gehaltenen Galliumarsenidwafer 10 ausgebildeten
vorgesehenen Teilungslinien 101 erfasst sind und die Ausrichtung
der Laserstrahlbestrahlungsstellung auf diese Weise durchgeführt wurde,
wird ein Laserstrahlbearbeitungsschritt ausgeführt, bei dem der mit dem Schutzfilm 120 beschichtete,
noch nicht bearbeitete Galliumarsenidwafer 10 mit einem
Laserstrahl entlang der vorgesehenen Teilungslinien 101 von
der Seite des Schutzfilms 120 aus bestrahlt wird, und laserstrahlbearbeitete
Kerben entlang der vorgesehenen Teilungslinien 101 ausgebildet
werden. Speziell wird der Einspanntisch 3 in einen Laserstrahlbestrahlungsbereich
bewegt, in dem sich der Kondensor 42 des Laserstrahlbestrahlungsmittels 4 befindet,
und eine vorgegebene der vorgesehenen Teilungslinien 101 wird
unmittelbar unter dem Kondensor 42 positioniert. In diesem
Fall, wie in 7A gezeigt, ist der Halbleiterwafer 10 so
positioniert, dass ein Ende (das linke Ende in 7A)
der vorgesehenen Teilungslinie 101 unmittelbar unter dem
Kondensor 42 positioniert ist. Als nächstes wird, während die
Bestrahlung mit einem gepulsten Laserstrahl durch den Kondensor 42 des
Laserstrahlbestrahlungsmittels 4 ausgeführt wird, der Einspanntisch 3 mit
einer vorgegebenen Bearbeitungszuführrate in die Richtung des
Pfeils X1 in 7A bewegt. Dann wird, wenn das
andere Ende (das rechte Ende in 7B) der
vorgesehenen Teilungslinie 101 eine Position unmittelbar
unter dem Kondensor erreicht hat, wie in 7B gezeigt,
die Bestrahlung mit dem gepulsten Laserstrahl gestoppt und die Bewegung des
Einspanntisches 3 wird angehalten. Bei diesem Laserstrahlbearbeitungsschritt
wird der Verdichtungspunkt (Konvergenzpunkt) P des gepulsten Laserstrahls
auf den Nahbereich der Stirnseite 100a des Galliumarsenidwafers 10 abgestimmt.
-
Durch
Ausführen
des Laserstrahlbearbeitungsschritts wie oben wird der Galliumarsenidwafer 10 einer Abtragungsbearbeitung
entlang der vorgesehenen Teilungslinie 101 unterzogen und
eine laserstrahlbearbeitete Kerbe 140 wird in dem Galliumarsenidwafer 10 entlang
der vorgesehenen Teilungslinie 101 ausgebildet, wie in 8 gezeigt.
In diesem Fall werden, wie in 8 gezeigt,
Schmutzpartikel 150 durch die Bestrahlung mit dem Laserstrahl
erzeugt, aber die Schmutzpartikel 150 werden durch den
Schutzfilm 120 abgeblockt und daher daran gehindert, sich
auf dem Bauelement 102 abzulagern.
-
Im Übrigen wird
der Laserstrahlbearbeitungsschritt zum Beispiel unter den folgenden
Bearbeitungsbedingungen durchgeführt.
| Laserstrahlquelle: | YVO4-Laser
oder YAG-Laser |
| Wellenlänge: | 355
nm |
| Wiederholungsfrequenz: | 10
kHz |
| Ausgabe: | 5
W |
| Verdichtungspunkt: | elliptischer
Punkt; große
Achse 600 μm,
kleine Achse 10 μm |
| Bearbeitungszuführrate: | 200
mm/sec. |
-
Unter
diesen Bearbeitungsbedingungen kann eine laserstrahlbearbeitete
Kerbe mit einer Tiefe von ungefähr
50 μm in
dem Galliumarsenidwafer ausgebildet werden. Daher kann, wenn der
Laserstrahlbearbeitungsschritt zweimal entlang der vorgesehenen
Teilungslinie 101 in dem Galliumarsenidwafer 10,
der eine Dicke von 100 μm
aufweist, durchgeführt
wird, eine laserstrahlbearbeitete Kerbe 140 ausgebildet
werden, die das Schutztape 12 erreicht, wie in 9 gezeigt,
und der Galliumarsenidwafer 10 kann geschnitten werden.
-
Wenn
der Laserstrahlbearbeitungsschritt wie oben entlang der vorgesehenen
Teilungslinien 101, die sich in einer vorgegebenen Richtung
des Galliumarsenidwafers 10 erstrecken, durchgeführt wurde,
wird der Einspanntisch 3 um 90 Grad gedreht und der Laserstrahlbearbeitungsschritt
wird entlang der Teilungslinien 101, die sich senkrecht
zu der vorgegebenen Richtung erstrecken, durchgeführt. Als
Folge wird der Galliumarsenidwafer 10 entlang der mehreren
in einem Gittermuster ausgebildeten vorgesehenen Teilungslinien 101 geschnitten
und in einzelne Bauelemente 102 aufgeteilt.
-
Wenn
der Laserstrahlbearbeitungsschritt wie oben entlang aller Straßen 101 in
dem Galliumarsenidwafer 10 durchgeführt wurde, wird der Einspanntisch 3,
der den laserstrahlbearbeiteten, in einzelne Bauelemente 102 aufgeteilten
Galliumarsenidwafer 10 hält, durch eine Betätigung des
nicht gezeigten Bearbeitungszuführmittels
in die Stellung zurückgeführt, in
welcher der Galliumarsenidwafer 10 anfänglich durch Ansaugen gehalten
wurde, und das Halten des Galliumarsenidwafers 10 durch
Ansaugen wird dort gelöst
(aufgehoben). Dann wird der Galliumarsenidwafer 10, welcher
der Laserstrahlbearbeitung unterzogen wurde, durch das zweite Waferzuführmittel 17 auf
die Ansaugeinspannvorrichtung 711a des Schleudertisches 711,
der das kombinierte Ätz-
und Reinigungs- und Schutzfilm bildende Mittel 7 bildet,
befördert
und auf der Ansaugeinspannvorrichtung 711a durch Ansaugen
gehalten. In diesem Fall sind die Harzzuführdüse 741 und die Ätzflüssigkeitsdüse 751 sowie
die Reinigungswasserdüse 761 in
den Bereitschaftsstellungen entfernt von Stellungen auf der oberen
Seite des Schleudertisches 711 positioniert, wie in 3 und 4 gezeigt.
-
Wenn
der Galliumarsenidwafer 10, welcher der Laserstrahlbearbeitung
unterzogen wurde, auf dem Schleudertisch 711 des kombinierten Ätz- und
Reinigungs- und Schutzfilm bildenden Mittels 7 gehalten
wurde, wird ein Ätzschritt
zum Ätzen
der Umfangsoberflächen
der einzeln aufgeteilten Bauelemente 102 ausgeführt. Speziell
wird der Schleudertisch 711 in die Arbeitsstellung gebracht
und der nicht gezeigte elektrische Motor des Ätzflüssigkeitszuführmittels 75 wird
betrieben, so dass die Ausstoßöffnung des
Düsenteils 751a der Ätzflüssigkeitszuführdüse 751 an
der oberen Seite eines mittleren Teils des auf dem Schleudertisch 711 gehaltenen
laserstrahlbearbeiteten Galliumarsenidwafers 10 positioniert
wird. Dann wird, während
der Schleudertisch 711 mit einer Drehgeschwindigkeit von
zum Beispiel 10 rpm gedreht wird, eine Ätzflüssigkeit 160, die
Ammoniumhydroxid und Wasserstoffperoxid beinhaltet, von der Ausstoßöffnung des
Düsenteils 751a ausgestoßen.
-
Wenn
der Ätzschritt
somit für
ungefähr
2 Minuten durchgeführt
wurde, dringt die Ätzflüssigkeit 160 in die
entlang der vorgesehenen Teilungslinien 101 in dem Galliumarsenidwafer 10 gebildeten
laserstrahlbearbeiteten Kerben 140 ein, wodurch mit dem
Schutzfilm 120 beschichtete Umfangsoberflächen der
Bauelemente 102 geätzt
werden. Als Folge werden Bearbeitungsspannungen, die auf den Umfangsoberflächen der
Bauelemente 102 durch die Laserstrahlbearbeitung zurückgeblieben
waren, beseitigt, so dass die Bruchdurchbiegung der Bauelemente
vergrößert werden
kann. Im Übrigen
kann die in dem Ätzschritt
für die Ätzbehandlung des
Galliumarsenidwafers verwendete Ätzflüssigkeit
eine Ätzflüssigkeit
sein, die Schwefelsäure
und Wasserstoffperoxid beinhaltet, aber das Benutzen von Schwefelsäure ist
gefährlich;
deshalb ist es erstrebenswert, die Ätzflüssigkeit zu benutzen, die Ammoniumhydroxid
und Wasserstoffperoxid beinhaltet. Daher beinhaltet die in den Figuren
gezeigte Laserstrahlbearbeitungsanlage 1 Ätzmittel
zum Ätzen
des Wafers, welcher der Laserstrahlbearbeitung unterzogen wurde,
so dass der Wafer, der laserstrahlbearbeitet wurde, unmittelbar
und effizient geätzt
werden kann.
-
Wenn
der Ätzschritt
somit durchgeführt
wurde, wird ein Reinigungsschritt zum Reinigen des geätzten Wafers
mit Wasser durchgeführt.
Speziell wird die Ätzflüssigkeitsdüse 751 in
eine Bereitschaftsposition entfernt von einer Position auf der oberen
Seite des Schleudertisches 711 gebracht, wie in 3 und 4 gezeigt,
und der nicht gezeigte elektrische Motor des Reinigungswasserzuführmittels 76 betätigt, so
dass die Ausstoßöffnung des
Düsenteils 761a der
Reinigungswasserzuführdüse 761 in
eine Stellung auf der oberen Seite eines mittleren Teils des auf
dem Schleudertisch 711 gehaltenen Galliumarsenidwafers 10 (der
in die einzelnen Bauelemente 102 aufgeteilt ist) gebracht
wird. Dann wird, während
der Schleudertisch 711 mit einer Drehgeschwindigkeit von
zum Beispiel 300 rpm gedreht wird, Reinigungswasser, das pures Wasser
und Luft beinhaltet, von der Ausstoßöffnung des Düsenteils 761a ausgestoßen. Im Übrigen besteht
der Düsenteil 761a aus
einer so genannten Zweiflüssigkeitsdüse und wird
mit purem Wasser bei einem Druck von ungefähr 0,2 MPa und mit Luft bei
einem Druck von ungefähr
0,3 bis 0,5 MPa versorgt, wodurch pures Wasser unter dem Druck von
Luft ausgestoßen
wird, wodurch der Galliumarsenidwafer 10 gereinigt wird.
In diesem Fall wird ein nicht gezeigter elektrischer Motor betätigt, so
dass der Düsenteil 761a der
Reinigungswasserzuführdüse 761 in
einem vorgegebenen Winkelbereich von einer Stellung, in der das
von der Ausstoßöffnung des
Düsenteils 761a ausgestoßene Reinigungswasser
in der Mitte des auf dem Schleudertisch 711 gehaltenen
Halbleiterwafers 10 aufprallt, zu einer Stellung, in der
das ausgestoßene
Reinigungswasser auf einem Umfangsteil des Schleudertisches 711 aufprallt,
geschwenkt wird. Als Folge kann der Schutzfilm 120, der
die Oberflächen
der durch Aufteilen des Galliumarsenidwafers 10 erhaltenen
einzelnen Bauelemente 102 bedeckt, leicht weggewaschen
werden, da der Schutzfilm 120 wie oben erwähnt aus
wasserlöslichem
Polyvinylalkohol gebildet ist, und gleichzeitig werden auch die
durch die Laserstrahlbearbeitung erzeugten Schmutzpartikel 150 beseitigt.
-
Wenn
der oben erwähnte
Reinigungsschritt beendet ist, wird ein Trocknungsschritt durchgeführt. Speziell
wird die Reinigungswasserzuführdüse 761 in
die Bereitschaftsstellung gebracht und der Schleudertisch 711 wird
zum Beispiel mit einer Drehgeschwindigkeit von 3000 rpm für ungefähr 15 Sekunden
gedreht. Wenn das wie oben beschriebene Reinigen und Trocknen des
geätzten
Galliumarsenidwafers beendet ist, wird die Drehung des Schleudertisches 711 gestoppt.
Dann wird der Schleudertisch 711 in die in 3 gezeigte
Werkstücks-Einspeisungs/Ausspeisungs-Stellung
gebracht und das Ansaugehalten des auf dem Schleudertisch 711 gehaltenen
Galliumarsenidwafers 10 wird gelöst (aufgehoben). Als nächstes wird
der bearbeitete Galliumarsenidwafer 10 auf dem Schleudertisch 711 durch
das erste Waferzuführmittel 16 zu dem
Ausrichtungsmittel 14 ausgespeist, das in dem Temporärplatzierungsteil 14a angeordnet
ist. Der zu dem Ausrichtungsmittel 14 ausgespeiste bearbeitete
Galliumarsenidwafer 10 wird in eine vorgegebene Position
in der Kassette 13 durch das Wafer-Einspeisungs/Ausspeisungs-Mittel 15 aufgenommen.
-
Die
vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen
bevorzugten Ausführungsformen
beschränkt.
Der Umfang der Erfindung ist durch die angefügten Ansprüche definiert und alle Veränderungen
und Modifikationen, die innerhalb der Äquivalenz des Umfangs der Ansprüche liegen,
werden deshalb durch die Erfindung umfasst.