DE10019472A1 - Reinigungsvorrichtung - Google Patents
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Abstract
Eine Reinigungsvorrichtung umfaßt Düseneinrichtungen, welche eine Ausspritzöffnung, einen Reinigungsflüssigkeitsweg, welcher mit der Ausspritzöffnung in Verbindung steht, und einen Druckgasweg aufweisen, welcher mit der Ausspritzöffnung in Verbindung steht. Die Reinigungsvorrichtung umfaßt weiter Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen zum Zuführen einer Reinigungsflüssigkeit zu dem Reinigungsflüssigkeitsweg und Druckgas-Zufuhreinrichtungen zum Zuführen eines Druckgases zu dem Druckgasweg. Das Druckgas wird aus der Ausspritzöffnung durch den Druckgasweg ausgestoßen, während eine Reinigungsflüssigkeit aus der Ausspritzöffnung durch den Reinigungsflüssigkeitsweg ausgestoßen wird.
Description
Diese Erfindung bezieht sich auf eine Reinigungsvorrichtung, weiche eine
Reinigungsflüssigkeit ausstößt bzw. ausspritzt. Genauer bezieht sich die Erfin
dung, obwohl sie nicht darauf beschränkt ist, auf eine Reinigungsvorrichtung,
welche insbesondere für ein Ausspritzen einer Reinigungsflüssigkeit auf eine
Oberfläche eines Werkstücks geeignet ist, welches durch eine Schneidein
richtung, wie beispielsweise eine Halbleiter-Wafer-Zerteileinrichtung, geschnitten
wurde, um das Werkstück zu reinigen.
Wie dies unter Fachleuten gut bekannt ist, führt ein Halbleiter-Wafer-Sub
stratzerteiler, welcher einen Halbleiter-Wafer entlang von Schneid- bzw.
Schnittlinien schneidet, welche in einem Raster- bzw. Gittermuster auf der Ober
fläche des Halbleiter-Wafers angeordnet sind, das Schneiden dadurch durch, daß
bewirkt wird, daß eine zu einer Rotation angetriebene, dünne, scheibenartige
Schneidkante bzw. Schneide mit dem Halbleiter-Wafer zusammenwirkt bzw. auf
diesen einwirkt, und daß die Schneidkante und der Halbleiter-Wafer relativ
zueinander entlang der Schnittlinien bewegt werden. Bei einer derartigen Zerteil-
bzw. Vereinzelungsvorrichtung haftet ein Span bzw. Abfall, welcher durch das
Schneiden des Halbleiter-Wafers gebildet wurde, an der Oberfläche des
Halbleiter-Wafers als eine Verunreinigung an. Deshalb ist die Waferzerteilein
richtung auch mit einer Reinigungsvorrichtung bzw. einem Reinigungsapparat zur
Entfernung der Verunreinigung bzw. Kontamination von der Oberfläche des
Halbleiter-Wafers ausgebildet. Diese Reinigungsvorrichtung beinhaltet Düsenein
richtungen bzw. -mittel, welche benachbart der Schneidkante angeordnet sind,
und Hochdruck-Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen bzw. -mittel. Die
Düseneinrichtungen weisen eine Ausspritz- bzw. Ausstoßöffnung und einen Hoch
druck-Reinigungsflüssigkeitsweg auf, welcher mit der Ausstoßöffnung in
Verbindung steht. Die Hochdruck-Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen
führen eine Reinigungsflüssigkeit, welche deionisiertes Wasser sein kann, zu dem
Hochdruck-Reinigungsflüssigkeitsweg der Düseneinrichtung bei einem Druck von
beispielsweise 40 bis 200 kgf/cm2 zu. Eine derartige Reinigungsflüssigkeit wird
unter einem hohen Druck von der Ausstoßöffnung der Düseneinrichtungen zu der
Oberfläche in einen Bereich des Halbleiter-Wafers ausgespritzt bzw. ausgebracht,
welcher durch die Schneide geschnitten wird. Durch diese Maßnahme wird die
Oberfläche des Halbleiter-Wafers gereinigt; d. h., die Verunreinigung wird von der
Oberfläche des Halbleiter-Wafers entfernt.
Die obengenannte Reinigungsvorrichtung stellt die folgenden, zu lösenden
Probleme: es ist notwendig, eine relativ große und teure Hochdruck-Reinigungs
flüssigkeits-Zufuhreinrichtung zum Zuführen einer Reinigungsflüssigkeit bei einem
beträchtlich hohen Druck von beispielsweise 40 bis 200 kgf/cm2 anzuordnen bzw.
vorzusehen. Es ist auch notwendig, daß eine Leitung zwischen den Hochdruck-
Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen und den Düseneinrichtungen eine
relativ teure ist, welche der Hochdruck-Reinigungsflüssigkeit widersteht. Derart ist
nicht nur die Vorrichtung relativ groß, sondern es sind auch die Herstellungs
kosten für die Vorrichtung bzw. das Gerät ziemlich hoch.
Ein wesentliches Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer
neuen und verbesserten Reinigungsvorrichtung, welche das Erfordernis einer
Zufuhr einer Reinigungsflüssigkeit bei einem sehr hohen Druck vermeidet und
welche daher frei von den oben beschriebenen Problemen im Zusammenhang mit
der bekannten Reinigungsvorrichtung ist.
Die Erfinder der vorliegenden Erfindung führten umfangreiche Studien und
Experimente durch. Als ein Resultat haben sie gefunden, daß, wenn eine
Reinigungsflüssigkeit durch die Wirkung eines Druckgases ausgestoßen bzw.
ausgespritzt wird, nahezu derselbe Reinigungseffekt erhalten werden kann, wie er
durch einen Strahl einer Reinigungsflüssigkeit mit sehr hohem Druck erhalten
wird, selbst wenn der Druck des komprimierten Gases bzw. Druckgases nicht sehr
hoch ist. Selbst bei einem Druck des Druckgases, welcher viel geringer ist als der
Druck der Reinigungsflüssigkeit, welcher bisher verwendet wurde, kann ein
ausreichender bzw. zufriedenstellender Reinigungseffekt erhalten werden. Derart
kann die Reinigungsvorrichtung beträchtlich kompakt und billig bzw. kostengünstig
im Vergleich zu der bekannten Reinigungsvorrichtung erstellt bzw. erhalten
werden. Insbesondere wenn das Druckgas mit einem Druck von 2,7 kgf/cm2 oder
höher zugeführt wird und durch eine Verengung bzw. Einschnürung mit einem
Innendurchmesser von 0,5 bis 3,0 mm ausgebracht wird, erreicht die Aus
stoßgeschwindigkeit des Druckgases Überschallgeschwindigkeit. Wenn dieses
ausgestoßene Gas veranlaßt wird, daß es auf die Reinigungsflüssigkeit einwirkt
und gemeinsam mit der Reinigungsflüssigkeit auf ein zu reinigendes Objekt
ausgestoßen bzw. ausgespritzt wird, kann im wesentlichen derselbe Reini
gungseffekt erzielt werden, wie wenn eine Reinigungsflüssigkeit bei beträchtlich
höherem Druck auf ein zu reinigendes Objekt ausgestoßen würde.
Derart wird gemäß der vorliegenden Erfindung eine Reinigungsvorrichtung
zur Verfügung gestellt, welche das obengenannte, wesentliche Ziel erfüllt,
umfassend:
Düseneinrichtungen bzw. -mittel, beinhaltend eine Ausstoß- bzw. Ausspritzöff nung, einen Reinigungsflüssigkeitsweg, welcher mit der Ausspritzöffnung in Ver bindung steht, und einen Druckgasweg, welcher mit der Ausspritzöffnung in Ver bindung steht;
Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen bzw. -mittel zum Zuführen einer Reini gungsflüssigkeit zu dem Reinigungsflüssigkeitsweg; und
Druckgas-Zufuhreinrichtungen bzw. -mittel zum Zuführen eines Druckgases zu dem Druckgasweg, worin
das komprimierte Gas bzw. Druckgas aus der Ausspritzöffnung durch den Druck gasweg ausgestoßen wird, während die Reinigungsflüssigkeit aus der Ausspritzöffnung durch den Reinigungsflüssigkeitsweg ausgestoßen wird.
Düseneinrichtungen bzw. -mittel, beinhaltend eine Ausstoß- bzw. Ausspritzöff nung, einen Reinigungsflüssigkeitsweg, welcher mit der Ausspritzöffnung in Ver bindung steht, und einen Druckgasweg, welcher mit der Ausspritzöffnung in Ver bindung steht;
Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen bzw. -mittel zum Zuführen einer Reini gungsflüssigkeit zu dem Reinigungsflüssigkeitsweg; und
Druckgas-Zufuhreinrichtungen bzw. -mittel zum Zuführen eines Druckgases zu dem Druckgasweg, worin
das komprimierte Gas bzw. Druckgas aus der Ausspritzöffnung durch den Druck gasweg ausgestoßen wird, während die Reinigungsflüssigkeit aus der Ausspritzöffnung durch den Reinigungsflüssigkeitsweg ausgestoßen wird.
Vorzugsweise führen die Druckgas-Zufuhreinrichtungen das komprimierte
Gas bzw. Druckgas zu dem Druckgasweg bei einem Druck von 2,7 kgf/cm2 oder
höher, insbesondere bei einem Druck von 2,7 kgf/cm2 bis 6,0 kgf/cm2, zu. In
einem stromabwärtigen Endabschnitt des Druckgaswegs ist vorzugsweise eine
Verengung bzw. Einschnürung ausgebildet. Der Innendurchmesser, d, der
Verengung beträgt vorzugsweise 0,5 bis 3,0 mm, insbesondere 1,0 bis 2,0 mm. In
einer bevorzugten Ausführungsform wird der Reinigungsflüssigkeitsweg veranlaßt,
mit dem Druckgasweg zwischen der Verengung und der Ausspritzöffnung oder bei
der Verengung in Verbindung zu stehen, und er wird auch veranlaßt, mit der
Ausspritzöffnung über den stromabwärtigen Endabschnitt des Druckgaswegs in
Verbindung zu stehen. In vorteilhafter Weise erstreckt sich wenigstens ein
Abschnitt des Druckgaswegs, welcher von der Verengung bis zu der
Ausstoßöffnung verläuft, im wesentlichen geradlinig und es erstreckt sich ein
stromabwärtiger Endabschnitt des Reinigungsflüssigkeitswegs unter einem Winkel
von 45 bis 90° zu dem Druckgasweg. Die Reinigungsflüssigkeits-
Zufuhreinrichtungen können die Reinigungsflüssigkeit zu dem Reini
gungsflüssigkeitsweg bei einem Druck von 1,5 bis 2,5 kgf/cm2 zuführen. Die Reini
gungsflüssigkeit kann deionisiertes Wasser sein und das Druckgas kann Druckluft
sein.
Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht, welche schematisch eine gesamte
Halbleiter-Wafer-Zerteilvorrichtung zeigt, welche mit einer Reinigungsvorrichtung
ausgestattet ist, welche in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung
ausgebildet ist;
Fig. 2 ist eine perspektivische Ansicht, welche in vergrößerter Weise einen
Teil der Halbleiter-Wafer-Zerteilvorrichtung der Fig. 1 zeigt;
Fig. 3 ist eine Schnittansicht, welche Düseneinrichtungen zeigt, welche in
der Halbleiter-Wafer-Zerteilvorrichtung der Fig. 1 zur Verfügung gestellt sind;
Fig. 4 ist eine Schnittansicht, welche eine Modifikation der Düsenein
richtungen zeigt; und
Fig. 5 ist eine Draufsicht, welche Kontaminationsentfernungsraten-Meß
bereiche auf einer Oberfläche eines Halbleiter-Wafers in jedem der Beispiele und
Vergleichsbeispiele zeigt.
Bevorzugte Ausführungsformen einer Reinigungsvorrichtung, welche in
Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ausgebildet ist, werden nun in
weiterem Detail unter Bezugnahme auf die beigeschlossenen Zeichnungen be
schrieben.
Fig. 1 zeigt eine Halbleiter-Wafer-Zerteilvorrichtung, welche mit einer
Reinigungsvorrichtung ausgestattet ist, welche in Übereinstimmung mit der Er
findung ausgebildet ist. Eine Zerteil- bzw. Vereinzelungsvorrichtung, welche
insgesamt mit dem Bezugszeichen 2 bezeichnet ist, weist ein Gehäuse 4 auf. An
dem Gehäuse 4 sind ein Beladebereich 6, ein Wartebereich 8, ein Ansaug- bzw.
Spannbereich 10, ein Ausrichtbereich 12, ein Schneidbereich 14 und ein
abschließender Reinigungs- und Trocknungsbereich 16 definiert. In dem Bela
debereich 6 ist ein Hebe- und Absenktisch 18 angeordnet. An dem Hebe- und
Absenktisch 18 ist eine Kassette C geladen, in welcher eine Vielzahl von Halblei
ter-Wafern W (Fig. 2) mit einem Abstand in einer vertikalen Richtung aufge
nommen ist. Wie dies deutlich in Fig. 2 gezeigt ist, ist der Halbleiter-Wafer W,
welcher in der Kassette C aufgenommen ist, in einer zentralen Öffnung eines
Rahmens F über ein Montageband T montiert bzw. festgelegt. Auf einer Ober
fläche des Halbleiter-Wafers W sind Schneid- bzw. Schnittlinien L in einem Gitter-
bzw. Rastermuster angeordnet. Im Zusammenhang mit dem Ladebereich 6 und
dem Wartebereich 8 sind erste Transporteinrichtungen bzw. -mittel 20
angeordnet. In Übereinstimmung mit dem Ansteigen und Absinken des Hebe- und
Absenktisches 18 werden die ersten Transporteinrichtungen 20 betätigt, um den
Rahmen F, auf welchem der zu schneidende Halbleiter-Wafer W montiert bzw.
angeordnet ist, sequentiell bzw. hintereinander von der Kassette C zu dem
Wartebereich 8 zu liefern (und wie dies später erwähnt werden wird, um den
Rahmen F, auf welchem der Halbleiter-Wafer W, welcher geschnitten wurde,
schließlich gereinigt und getrocknet angeordnet ist, von dem Wartebereich 8 in die
Kassette C zu bringen). Im Zusammenhang mit dem Wartebereich 8, dem
Ansaug- bzw. Aufspannbereich 10 und dem abschließenden Reinigungs- und
Trocknungsbereich 16 sind zweite Transporteinrichtungen bzw. -mittel 22
angeordnet. Der Rahmen F, welcher von der Kassette C zu dem Wartebereich 8
geliefert wird, wird zu dem Ansaugbereich 10 durch die zweiten Transporteinrich
tungen 22 transportiert. In dem Ansaugbereich 10 wird der Rahmen F, auf
welchem der zu schneidende Halbleiter-Wafer W montiert ist, durch ein Vakuum
an ein Futter bzw. eine Ansaugvorrichtung 24 angesaugt, welche(s) eine
kreisförmige Oberfläche aufweist. Der auf die Aufspann- bzw. Ansaugvorrichtung
24 in dem Ansaugbereich 10 gezogene Rahmen F wird in Übereinstimmung mit
der Bewegung der Ansaugvorrichtung 24 bewegt und in dem Ausrichtbereich 12
positioniert. Im Zusammenhang mit dem Ausrichtbereich 12 sind
Abbildungseinrichtungen bzw. -mittel 26 angeordnet. Die Oberfläche des an dem
Rahmen F festgelegten bzw. montierten Halbleiter-Wafers W wird durch die Abbil
dungseinrichtungen 26 abgebildet. Basierend auf dem resultierenden Bild wird die
Ansaugvorrichtung 24 (entsprechend der Rahmen F, welcher den Halbleiter-
Wafer W daran montiert aufweist) präzise positioniert, so daß die Schneid- bzw.
Schnittlinien L, welche auf der Oberfläche des Halbleiter-Wafers W angeordnet
sind, an einer erforderlichen, relativen Position relativ zu einer Schneidkante bzw.
Schneide 28 ruhen werden, welche im Zusammenhang mit dem Schneidbereich
14 angeordnet ist. Die Oberfläche des durch die Abbildungseinrichtungen 26
abgebildeten Halbleiter-Wafers W wird auf einem Monitor 30 dargestellt. Dann
wird die Ansaugvorrichtung 24 zu dem Schneidbereich 14 bewegt, wo der an dem
Rahmen F festgelegte Halbleiter-Wafer W entlang der Schnittlinien L geschnitten
wird. In Fig. 2 ist die Schnittlinie L, welche bereits geschnitten wurde, als eine
dicke, durchgehende Linie angezeigt, während die Schnittlinie L, welche noch
nicht geschnitten wurde, als eine dünne, durchgehende Linie angezeigt ist. Dieses
Schneiden wird so durchgeführt, daß zumindest das Montageband bzw. der
Montageklebestreifen T nicht geschnitten ist, während üblicherweise der
Halbleiter-Wafer W nicht vollständig geschnitten ist, sondern ein nach unten
gewandter bzw. gerichteter Abschnitt bzw. Bereich desselben ungeschnitten
verbleibt. Demgemäß verbleibt selbst nach dem Schneiden des Halbleiter-Wafers
W der Halbleiter-Wafer W an dem Rahmen F über das Montageband T montiert
bzw. festgelegt.
Nachdem der Halbleiter-Wafer W entsprechend den Anforderungen in dem
Schneidbereich 14 geschnitten wurde, wird der Rahmen F zu dem Ansaugbereich
10 in Übereinstimmung mit der Bewegung der Ansaugvorrichtung 24 retourniert.
Im Zusammenhang mit dem Ansaug- bzw. Aufspannbereich 10 und dem
abschließenden Reinigungs- und Trocknungsbereich 16 sind dritte Trans
porteinrichtungen bzw. -mittel 32 angeordnet. Durch diese dritten Transportein
richtungen 32 wird der Rahmen F zu dem abschließenden Reinigungs- und
Trocknungsbereich 16 transportiert. In dem abschließenden bzw. Abschluß-Reini
gungs- und Trocknungsbereich 16 wird der geschnittene Halbleiter-Wafer W ab
schließend durch Reinigungs- und Trocknungseinrichtungen bzw. -mittel (nicht ge
zeigt) gereinigt und getrocknet. Dann wird der Rahmen F zu dem Wartebereich 8
durch die zweiten Transporteinrichtungen 22 retourniert und zu der Kassette C
durch die ersten Transporteinrichtungen 20 retourniert.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 2 gemeinsam mit Fig. 1 sind Schneidein
richtungen bzw. -mittel 34, beinhaltend die Schneidkante bzw. Schneide 28, in
dem Schneidbereich 14 angeordnet. Die Schneideinrichtungen 34 weisen eine
drehbar montierte Drehwelle 36 auf und die Schneidkante 28 ist an einem vorde
ren Endabschnitt der Drehwelle 36 festgelegt. Die Schneidkante 28 kann eine
dünne, kreisförmige sein, welche unzählige bzw. viele Diamantteilchen enthält.
Benachbart der Schneidkante 28 ist eine Kühlflüssigkeits-Ausspritzdüse 38
angeordnet. In der Kühlflüssigkeits-Ausspritzdüse 38 ist eine Vielzahl von
Ausstoß- bzw. Ausspritzlöchern (nicht gezeigt), welche zu der Schneidkante 28
gerichtet sind, ausgebildet. Beim Schneiden des Halbleiter-Wafers W wird die
Drehwelle 36 zu einer Rotation angetrieben und die Ansaugvorrichtung 24, welche
den Rahmen F zu dieser angezogen hat, auf welchem der Halbleiter-Wafer W
montiert ist, wird kontinuierlich für ein Schneiden in durch Pfeile 40 und 42 in Fig.
2 gezeigten Richtungen bewegt. Zwischen einer Schneidbewegung und einer
nachfolgenden Schneidbewegung wird die Ansaugvorrichtung 24 für ein
Indexieren bzw. Weiterschalten in einer durch einen Pfeil 44 oder 46 angezeigten
Richtung bewegt, wodurch jede der Schnittlinien L sequentiell mit der
Schneidkante 28 ausgerichtet wird. Nach Vervollständigung eines Schneidens
entlang der Schnittlinien L, welche sich in einer vorbestimmten Richtung er
strecken, wird die Ansaugvorrichtung 24 um einen Winkel von 90° gedreht, worauf
ein Schneiden entlang der Schnittlinien L, welche sich normal zu den Schnittlinien
L erstrecken, welche sich in der vorbestimmten Richtung erstrecken, in ähnlicher
Weise durchgeführt wird. Auf diese Weise wird der Halbleiter-Wafer W entlang
der Schnittlinien L geschnitten, welche in einem Raster- bzw. Gittermuster
angeordnet sind. Wenn ein Schneiden des Halbleiter-Wafers W durch die
Schneide 28 durchgeführt wird, wird eine Kühlflüssigkeit, welche deionisiertes
Wasser sein kann, aus den Ausspritz- bzw. Ausstoßlöchern der Kühlflüssigkeits-
Ausspritzdüse 38 zu der Schneidkante 28 ausgespritzt. Die Zerteilvorrichtung 2
weist auch eine Reinigungsvorrichtung 48 auf, welche Düseneinrichtungen bzw.
-mittel 50 beinhaltet, welche benachbart zu und vor der Schneidkante 28 angeord
net sind. Aus den Düseneinrichtungen 50 der Reinigungsvorrichtung 48 wird eine
Reinigungsflüssigkeit zu dem Bereich bzw. der Fläche auf dem Halbleiter-Wafer
W ausgestoßen bzw. ausgespritzt, wo ein Schneiden bereits durchgeführt wurde,
um einen Span bzw. Abfall von der Oberfläche des Halbleiter-Wafers W zu
entfernen.
Andere Ausführungsformen als die Reinigungsvorrichtung 48 in der darge
stellten Zerteilvorrichtung 2 können in einer geeigneten Form, welche unter
Fachleuten gut bekannt ist, vorliegen und bilden nicht einen Teil der Erfindung.
Derart wird eine Erläuterung ihrer Details hier weggelassen.
Unter Bezugnahme auf Fig. 3 gemeinsam mit Fig. 2 ist ein Hauptabschnitt
bzw. -bereich 52 der Düseneinrichtungen 50 der Reinigungsvorrichtung 48 im
wesentlichen vertikal angeordnet und ist im wesentlichen senkrecht auf den Halb
leiter-Wafer W positioniert, welcher in dem Schneidbereich 14 angeordnet ist. In
einer vorderen Endfläche, d. h. einer unteren Endfläche, der Düseneinrichtungen
50 ist eine Ausspritz- bzw. Ausstoßöffnung 54 ausgebildet. In den Düsen
einrichtungen 50 ist nicht nur ein Druckgasweg 56, welcher mit der
Ausstoßöffnung 54 in Verbindung steht, sondern auch ein Reinigungsflüssigkeits
weg 58 ausgebildet, welcher mit der Ausspritzöffnung 54 in Verbindung steht. Der
Druckgasweg 56 erstreckt sich im wesentlichen vertikal bis zu der Aus
spritzöffnung 54 in dem Hauptabschnitt 52 der Düseneinrichtungen 50. In einem
stromabwärtigen Endabschnitt des Druckgaswegs 56 ist eine Verengung bzw.
Einschnürung 60 ausgebildet. Stromaufwärts von der Verengung 60 verringert
sich der Innendurchmesser des Druckgaswegs 56 zunehmend zu einer
stromabwärtigen Seite. Stromabwärts von der Verengung 60 erweitert sich der
Innendurchmesser des Druckgaswegs 56 zunehmend. Der Innendurchmesser d
der Verengung 60 beträgt vorzugsweise 0,5 bis 3,0 mm, insbesondere 1,0 bis 2,0
mm. Der Reinigungsflüssigkeitsweg 58 erstreckt sich andererseits parallel zu dem
Druckgasweg 56 in dem Hauptabschnitt 52 der Düseneinrichtungen 50, erstreckt
sich dann unter einem Winkel α zu dem Druckgasweg 56 und ist mit dem Druck
gasweg 56 stromabwärts von der Verengung 60 verbunden. Es wird derart
bewirkt, daß der Reinigungsflüssigkeitsweg 58 mit der Aussprüzöffnung 54 über
den stromabwärtigen Endabschnitt des Druckgaswegs 56 in Verbindung steht.
Der Winkel α, welchen ein stromabwärtiger Endabschnitt des Reinigungs
flüssigkeitswegs 58 mit dem Druckgasweg 56 einschließt, beträgt vorzugsweise
etwa 45 bis 90°.
Mit dem Druckgasweg 56 sind Druckgas-Zufuhreinrichtungen bzw. -mittel
64 über eine Leitung 62 verbunden. Mit dem Reinigungsflüssigkeitsweg 58 sind
Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen bzw. -mittel 68 über eine Leitung 66
verbunden (die Kühlflüssigkeit, welche von der Kühlflüssigkeits-Ausspritzdüse 38
ausgespritzt bzw. ausgestoßen wird, kann auch von den Reinigungsflüssigkeits-
Zufuhreinrichtungen 68 zugeführt werden). In der Leitung 62 ist ein Öffnungs- und
Schließ-Steuer- bzw. -Regelventil 70 angeordnet. In der Leitung 66 ist ein
Öffnungs- und Schließ-Steuer- bzw. -Regelventil 72 angeordnet. Die Druckgas-
Zufuhreinrichtungen 64 führen ein komprimiertes Gas bzw. Druckgas, welches
Druckluft sein kann, vorzugsweise bei einem Druck von 2,7 kgf/cm2 oder höher,
insbesondere bei einem Druck von 2,7 bis 6,0 kgf/cm2, zu dem Druckgasweg 56
über die Leitung 62 zu. Die Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen 68 führen
eine Reinigungsflüssigkeit, welche deionisiertes Wasser sein kann, vorzugsweise
bei einem Druck von 1,5 bis 2,5 kgf/cm2 zu dem Reinigungsflüssigkeitsweg 58
über die Leitung 66 zu. Bei einer Reinigung des geschnittenen Bereichs des
Halbleiter-Wafers W wird die Reinigungsflüssigkeit von den Reini
gungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen 68 zu dem Reinigungsflüssigkeitsweg 58
zugeführt, während das Druckgas von den Druckgas-Zufuhreinrichtungen 64 zu
dem Druckgasweg 56 zugeführt wird, worauf die Reinigungsflüssigkeit und das
Druckgas gemeinsam aus der Ausspritzöffnung 54 ausgespritzt bzw. ausgestoßen
werden. Die Reinigungsflüssigkeit, welche veranlaßt wird, daß sie von dem
Reinigungsflüssigkeitsweg 58 zu dem stromabwärtigen Endabschnitt des
Druckgaswegs 56 strömt, wird durch das Druckgas, welches aus der
Ausstoßöffnung 54 durch die Verengung 60 ausgestoßen wird, beschleunigt und
aus der Ausstoßöffnung 54 ausgestoßen. Ein Strahl der Reinigungsflüssigkeit trifft
auf die Oberfläche des Halbleiter Wafers W, um die Oberfläche des Halbleiter-
Wafer W wirksam zu reinigen. Gemäß der Erfahrung der Erfinder erlangt der
Strahl, wenn das Druckgas insbesondere bei einem Druck von 2,7 kgf/cm2 oder
höher zugeführt wird und durch die Verengung 60 mit einem Innendurchmesser
von 0,5 bis 3,0 mm, insbesondere 1,0 bis 2,0 mm, ausgestoßen wird, die Ausstoß
geschwindigkeit des Druckgases Überschall und kann daher den Reinigungseffekt
vollkommen zufriedenstellend machen. Um einen zufriedenstellenden Reini
gungseffekt zu erzielen, muß der Druck des Druckgases nicht übermäßig hoch
sein, sondern kann zwischen etwa 2,7 und 6,0 kgf/cm2 liegen.
Fig. 4 zeigt eine Modifikation der Düseneinrichtungen. In den in Fig. 4 il
lustrierten Düseneinrichtungen 150 ist eine Verengung bzw. Einschnürung 160,
welche in einem Druckgasweg 156 ausgebildet ist, relativ lang und ein strom
abwärtiger Endabschnitt eines Reinigungsflüssigkeitswegs 158 erstreckt sich im
wesentlichen normal auf den Druckgasweg 156 und ist mit der Verengung 160
verbunden. Andere Einrichtungen bzw. Elemente der Düseneinrichtungen 150
sind im wesentlichen dieselben wie in den Düseneinrichtungen 50, welche in Fig.
3 gezeigt sind.
Ein Substratzerteiler bzw. eine Zerteil- bzw. Vereinzelungsvorrichtung,
welche unter der Handelsbezeichnung "DFD640" durch die Disco Corporation
(Tokyo, Japan) verkauft wird, wurde verwendet, wobei ihre Reinigungsvorrichtung
durch eine Reinigungsvorrichtung einer Form ersetzt wurde, wie sie in den Fig. 1
bis 3 illustriert ist (eine derartige Zerteilvorrichtung weist eine Form auf, wie sie in
den Fig. 1 bis 3 gezeigt ist). Ein Halbleiter-Wafer, welcher auf einem Rahmen über
ein Montageband festgelegt bzw. montiert ist, wurde in die Zerteilvorrichtung
eingebracht, um den Halbleiter-Wafer in einer Gitter- bzw. Rasterform zu
schneiden. Der Halbleiter-Wafer war ein Siliciumwafer einer Form, wie sie in Fig. 5
gezeigt ist, und hatte einen Durchmesser D von 150 mm, eine Orientierungslänge
L von 50 mm und eine Dicke TH von 0,5 mm. Die Oberfläche des Halbleiter-
Wafers war in einem spiegelpolierten Zustand.
Vor einem Schneiden des Halbleiter-Wafers wurde die Oberfläche des
Halbleiter-Wafers durch eine Abbildungsvorrichtung abgebildet. Das resultierende
Bild wurde für die Helligkeit von jedem von fünf Bereichen bzw. jeder von fünf
Regionen R1, R2, R3, R4 und R5 auf der Oberfläche des Halbleiter-Wafers ge
messen. Der Halbleiter-Wafer sollte durch einen nachfolgenden Schneidvorgang
entlang von 20 seitlichen bzw. querverlaufenden Schnittlinien LL und 20 vertikalen
Schnittlinien LV geschnitten werden, welche in Fig. 5 gezeigt sind. Jeder der
Bereiche R1, R2, R3, R4 und R5 ist ein Bereich, welcher durch die
querverlaufenden Schnittlinien LL und die vertikalen Schnittlinien LV umgeben ist.
Die Helligkeit von jedem Bereich bzw. jeder Region wurde durch Messung der
Helligkeit von jedem der 512 × 480 Pixel bzw. Bildpunkte in jedem Bereich auf
einer 64-teiligen Skala (Niveau 1 repräsentiert weiß und Niveau 64 repräsentiert
schwarz) und Berechnung des Gesamtwerts der Helligkeit von sämtlichen
Bildpunkten in jedem Bereich bestimmt. Von dem durchschnittlichen Wert der
Helligkeit für die fünf Bereiche wurde gefunden, daß er 200 × 104 beträgt. Diese
Tatsache bedeutet, daß die mittlere Helligkeit der Oberfläche des Halbleiter-
Wafers, welcher keinen Span bzw. Abfall aufweist, 200 × 104 beträgt.
Dann wurde der Halbleiter-Wafer (genauer auf eine Tiefe von 0,5 mm von
der Oberfläche geschnitten) entlang von 20 querverlaufenden Schnittlinien LL,
welche mit einem gleichen Abstand (7 mm) angeordnet sind, und 20 vertikalen
Schnittlinien LV geschnitten, welche mit einem gleichen Abstand (7 mm)
angeordnet sind. Die durchschnittliche Helligkeit der Oberfläche des Halbleiter-
Wafers nach dem Schneiden wurde durch die oben beschriebene Methode be
stimmt.
Weiters wurde die Oberfläche des Halbleiter-Wafers nach dem Schneiden
durch die Reinigungsvorrichtung gereinigt und es wurde dann die durch
schnittliche Helligkeit der Oberfläche des Halbleiter-Wafers bestimmt. Der Innen
durchmesser einer Verengung in einem Druckgasweg von Düseneinrichtungen
war 0,5 mm. Der Druckgasweg wurde mit Druckluft unter einem Druck versorgt,
wie dies in Tabelle 1 unten beschrieben ist. Ein Reinigungsflüssigkeitsweg wurde
mit 140 cm3/min deionisiertem Wasser bei einem Druck von 2,0 kgf/cm2 versorgt.
Während des Reinigens wurde eine Ansaugvorrichtung (demgemäß der
Halbleiter-Wafer) mit einer Geschwindigkeit von 30 mmls relativ zu den Düsenein
richtungen bewegt. Die Reinigungsrate bzw. -geschwindigkeit wurde aus der
folgenden Gleichung berechnet:
Reinigungsrate = {[(mittlere Helligkeit vor dem Reinigen - 200 × 104)
- (mittlere Helligkeit nach dem Reinigen - 200 × 104)]/(mittlere
Helligkeit vor dem Reinigen - 200 × 104)} × 100
Die Resultate sind in Tabelle 1 gezeigt.
Die Reinigungsrate wurde auf dieselbe Weise wie in den Beispielen 1 bis 6
bestimmt, mit der Ausnahme, daß der Innendurchmesser der Verengung in dem
Druckgasweg der Düseneinrichtungen 1,1 mm betrug. Die Resultate sind in
Tabelle 2 gezeigt.
Die Reinigungsrate wurde auf dieselbe Weise wie in den Beispielen 1 bis 6
bestimmt, mit der Ausnahme, daß der Innendurchmesser der Verengung in dem
Druckgasweg der Düseneinrichtungen 1,4 mm betrug. Die Resultate sind in
Tabelle 3 gezeigt.
Die Reinigungsrate wurde auf dieselbe Weise wie in den Beispielen 1 bis 6
bestimmt, mit der Ausnahme, daß der Innendurchmesser der Verengung in dem
Druckgasweg der Düseneinrichtungen 1,8 mm betrug. Die Resultate sind in
Tabelle 4 gezeigt.
Die Reinigungsrate wurde auf dieselbe Weise wie in den Beispielen 1 bis 6
bestimmt, mit der Ausnahme, daß der Innendurchmesser der Verengung in dem
Druckgasweg der Düseneinrichtungen 3,0 mm betrug. Die Resultate sind in
Tabelle 5 gezeigt.
Für Zwecke eines Vergleichs wurde die Reinigungsrate auf dieselbe Weise
wie in Beispiel 1 bestimmt, mit der Ausnahme, daß nur der Reinigungs
flüssigkeitsweg mit einem Innendurchmesser von 0,1 mm in den Düseneinrich
tungen ausgebildet war und daß die Düseneinrichtungen mit 3500 cm3/min von
deionisiertem Wasser bei einem Druck gespeist wurden, wie es in Tabelle 6
beschrieben ist. Die Resultate sind in Tabelle 6 gezeigt.
Aus den vorangehenden Beispielen und Vergleichsbeispielen ist ver
ständlich, daß die Reinigungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung denselben
Reinigungseffekt wie der Reinigungseffekt der konventionellen Reinigungsvor
richtung erzielen kann, welcher eine Reinigungsflüssigkeit bei einem bedeutend
höheren Druck zugeführt wird, selbst wenn der Druck des zugeführten Druck
gases und der Druck der zugeführten Reinigungsflüssigkeit viel geringer sind als
der Druck der Reinigungsflüssigkeit in der konventionellen Reinigungsvorrichtung.
Claims (11)
1. Reinigungsvorrichtung, umfassend:
Düseneinrichtungen bzw. -mittel, beinhaltend eine Ausstoß- bzw. Ausspritzöffnung, einen Reinigungsflüssigkeitsweg bzw. -pfad, welcher mit der Ausspritzöffnung in Verbindung steht, und einen Druckgasweg bzw. -pfad, welcher mit der Ausspritzöffnung in Verbindung steht;
Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen bzw. -mittel zum Zuführen einer Reinigungsflüssigkeit zu dem Reinigungsflüssigkeitsweg; und Druckgas- Zufuhreinrichtungen bzw. -mittel zum Zuführen eines Druckgases zu dem Druckgasweg, worin
das komprimierte Gas bzw. Druckgas aus der Ausspritzöffnung durch den Druckgasweg ausgestoßen wird, während die Reinigungsflüssigkeit aus der Ausspritzöffnung durch den Reinigungsflüssigkeitsweg ausgestoßen wird.
Düseneinrichtungen bzw. -mittel, beinhaltend eine Ausstoß- bzw. Ausspritzöffnung, einen Reinigungsflüssigkeitsweg bzw. -pfad, welcher mit der Ausspritzöffnung in Verbindung steht, und einen Druckgasweg bzw. -pfad, welcher mit der Ausspritzöffnung in Verbindung steht;
Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen bzw. -mittel zum Zuführen einer Reinigungsflüssigkeit zu dem Reinigungsflüssigkeitsweg; und Druckgas- Zufuhreinrichtungen bzw. -mittel zum Zuführen eines Druckgases zu dem Druckgasweg, worin
das komprimierte Gas bzw. Druckgas aus der Ausspritzöffnung durch den Druckgasweg ausgestoßen wird, während die Reinigungsflüssigkeit aus der Ausspritzöffnung durch den Reinigungsflüssigkeitsweg ausgestoßen wird.
2. Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 1, worin die Druckgas-
Zufuhreinrichtungen das Druckgas zu dem Druckgasweg bei einem Druck
von 2,7 kgf/cm2 oder höher zuführen.
3. Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 2, worin die Druckgas-
Zufuhreinrichtungen das Druckgas zum dem Druckgasweg bei einem Druck
von 2,7 kgf/cm2 bis 6,0 kgf/cm2 zuführen.
4. Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 1, worin eine Verengung bzw.
Einschnürung in einem stromabwärtigen Endabschnitt bzw. -bereich des
Druckgaswegs ausgebildet ist.
5. Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 4, worin ein Innendurchmesser (d)
der Verengung 0,5 bis 3,0 mm beträgt.
6. Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 5, worin ein Innendurchmesser (d)
der Verengung 1,0 bis 2,0 mm beträgt.
7. Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 4, worin der
Reinigungsflüssigkeitsweg veranlaßt wird, mit dem Druckgasweg zwischen
der Verengung und der Ausspritzöffnung oder bei der Verengung in
Verbindung zu stehen, und auch veranlaßt wird, mit der Ausspritzöffnung
über den stromabwärtigen Endabschnitt des Druckgaswegs in Verbindung
zu stehen.
8. Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 7, worin wenigstens ein Abschnitt
des Druckgaswegs, welcher von der Verengung bis zu der Ausspritzöffnung
verläuft, sich im wesentlichen geradlinig erstreckt und ein stromabwärtiger
Endabschnitt des Reinigungsflüssigkeitswegs sich unter einem Winkel von
45 bis 90° zu dem Druckgasweg erstreckt.
9. Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 1, worin die Reinigungsflüssigkeits-
Zufuhreinrichtungen die Reinigungsflüssigkeit zu dem
Reinigungsflüssigkeitsweg bei einem Druck von 1,5 bis 2,5 kgf/cm2
zuführen.
10. Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 1, worin die Reinigungsflüssigkeit
deionisiertes Wasser ist.
11. Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 1, worin das Druckgas komprimierte
Luft bzw. Druckluft ist.
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Families Citing this family (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1166883B1 (de) * | 2000-06-30 | 2005-10-05 | Shibuya Kogyo Co., Ltd | Reinigungsdüse und Reinigungsgerät |
US6951221B2 (en) * | 2000-09-22 | 2005-10-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US6705331B2 (en) * | 2000-11-20 | 2004-03-16 | Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus |
EP1361610B1 (de) * | 2001-01-18 | 2011-11-30 | Kabushiki Kaisha Watanabe Shoko | Verdampfer und die beschictungsvorrichtung mit dem verdampfer |
KR100433453B1 (ko) * | 2001-07-03 | 2004-05-31 | 주식회사 케이씨텍 | 반도체 세정용 버블 제트 샤워 모듈 |
JP2003145062A (ja) * | 2001-11-14 | 2003-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 洗浄用2流体ジェットノズル、洗浄装置およびこれらを用いた半導体装置の製造方法 |
JP3822135B2 (ja) * | 2002-05-13 | 2006-09-13 | 日本パイオニクス株式会社 | 気化供給装置 |
US6702202B1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-03-09 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for fluid delivery to a backside of a substrate |
KR100641026B1 (ko) * | 2002-12-03 | 2006-11-02 | 주식회사 케이씨텍 | 슬릿형 노즐을 가지는 혼합 유체 분사 기구 |
US7208389B1 (en) | 2003-03-31 | 2007-04-24 | Novellus Systems, Inc. | Method of porogen removal from porous low-k films using UV radiation |
US7241704B1 (en) | 2003-03-31 | 2007-07-10 | Novellus Systems, Inc. | Methods for producing low stress porous low-k dielectric materials using precursors with organic functional groups |
US7176144B1 (en) | 2003-03-31 | 2007-02-13 | Novellus Systems, Inc. | Plasma detemplating and silanol capping of porous dielectric films |
US7265061B1 (en) | 2003-05-09 | 2007-09-04 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for UV exposure of low dielectric constant materials for porogen removal and improved mechanical properties |
JP2005051094A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
JP2005072195A (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-17 | Watanabe Shoko:Kk | 気化器用分散器、この気化器用分散器を用いたmocvd用気化器、及びキャリアガスの気化方法 |
DE20321548U1 (de) * | 2003-09-19 | 2007-11-29 | Gallus Druckmaschinen Gmbh | Rotationsdruckmaschine |
US7445058B2 (en) * | 2003-10-21 | 2008-11-04 | Shell Oil Company | Nozzle unit and method for excavating a hole in an object |
US7390537B1 (en) | 2003-11-20 | 2008-06-24 | Novellus Systems, Inc. | Methods for producing low-k CDO films with low residual stress |
US7341761B1 (en) | 2004-03-11 | 2008-03-11 | Novellus Systems, Inc. | Methods for producing low-k CDO films |
US7381662B1 (en) | 2004-03-11 | 2008-06-03 | Novellus Systems, Inc. | Methods for improving the cracking resistance of low-k dielectric materials |
US7094713B1 (en) | 2004-03-11 | 2006-08-22 | Novellus Systems, Inc. | Methods for improving the cracking resistance of low-k dielectric materials |
US7781351B1 (en) | 2004-04-07 | 2010-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Methods for producing low-k carbon doped oxide films with low residual stress |
US7253125B1 (en) | 2004-04-16 | 2007-08-07 | Novellus Systems, Inc. | Method to improve mechanical strength of low-k dielectric film using modulated UV exposure |
US7622400B1 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-24 | Novellus Systems, Inc. | Method for improving mechanical properties of low dielectric constant materials |
US7326444B1 (en) | 2004-09-14 | 2008-02-05 | Novellus Systems, Inc. | Methods for improving integration performance of low stress CDO films |
US9659769B1 (en) | 2004-10-22 | 2017-05-23 | Novellus Systems, Inc. | Tensile dielectric films using UV curing |
US7790633B1 (en) | 2004-10-26 | 2010-09-07 | Novellus Systems, Inc. | Sequential deposition/anneal film densification method |
US7695765B1 (en) | 2004-11-12 | 2010-04-13 | Novellus Systems, Inc. | Methods for producing low-stress carbon-doped oxide films with improved integration properties |
KR100568873B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2006-04-10 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼의 에지 비드 스트립용 노즐장치 |
US7510982B1 (en) | 2005-01-31 | 2009-03-31 | Novellus Systems, Inc. | Creation of porosity in low-k films by photo-disassociation of imbedded nanoparticles |
US7166531B1 (en) | 2005-01-31 | 2007-01-23 | Novellus Systems, Inc. | VLSI fabrication processes for introducing pores into dielectric materials |
US8980769B1 (en) | 2005-04-26 | 2015-03-17 | Novellus Systems, Inc. | Multi-station sequential curing of dielectric films |
US8889233B1 (en) | 2005-04-26 | 2014-11-18 | Novellus Systems, Inc. | Method for reducing stress in porous dielectric films |
US8282768B1 (en) | 2005-04-26 | 2012-10-09 | Novellus Systems, Inc. | Purging of porogen from UV cure chamber |
US8137465B1 (en) | 2005-04-26 | 2012-03-20 | Novellus Systems, Inc. | Single-chamber sequential curing of semiconductor wafers |
US8454750B1 (en) | 2005-04-26 | 2013-06-04 | Novellus Systems, Inc. | Multi-station sequential curing of dielectric films |
JP4813855B2 (ja) * | 2005-09-12 | 2011-11-09 | 株式会社ディスコ | 切削装置および加工方法 |
US7892985B1 (en) | 2005-11-15 | 2011-02-22 | Novellus Systems, Inc. | Method for porogen removal and mechanical strength enhancement of low-k carbon doped silicon oxide using low thermal budget microwave curing |
US8110493B1 (en) | 2005-12-23 | 2012-02-07 | Novellus Systems, Inc. | Pulsed PECVD method for modulating hydrogen content in hard mask |
US7381644B1 (en) | 2005-12-23 | 2008-06-03 | Novellus Systems, Inc. | Pulsed PECVD method for modulating hydrogen content in hard mask |
US7923376B1 (en) | 2006-03-30 | 2011-04-12 | Novellus Systems, Inc. | Method of reducing defects in PECVD TEOS films |
US10037905B2 (en) | 2009-11-12 | 2018-07-31 | Novellus Systems, Inc. | UV and reducing treatment for K recovery and surface clean in semiconductor processing |
US7851232B2 (en) | 2006-10-30 | 2010-12-14 | Novellus Systems, Inc. | UV treatment for carbon-containing low-k dielectric repair in semiconductor processing |
US8465991B2 (en) * | 2006-10-30 | 2013-06-18 | Novellus Systems, Inc. | Carbon containing low-k dielectric constant recovery using UV treatment |
US7906174B1 (en) | 2006-12-07 | 2011-03-15 | Novellus Systems, Inc. | PECVD methods for producing ultra low-k dielectric films using UV treatment |
US8242028B1 (en) | 2007-04-03 | 2012-08-14 | Novellus Systems, Inc. | UV treatment of etch stop and hard mask films for selectivity and hermeticity enhancement |
JP2008270627A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Rix Corp | ダイシング装置およびダイシング方法 |
US7622162B1 (en) | 2007-06-07 | 2009-11-24 | Novellus Systems, Inc. | UV treatment of STI films for increasing tensile stress |
US8211510B1 (en) | 2007-08-31 | 2012-07-03 | Novellus Systems, Inc. | Cascaded cure approach to fabricate highly tensile silicon nitride films |
JP2009071235A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Sokudo:Kk | 基板処理装置 |
JP2009111211A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング装置 |
MY157402A (en) * | 2008-02-21 | 2016-06-15 | Unilever Plc | A process and a device to clean substrates |
JP2009285799A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
KR100874128B1 (ko) | 2008-09-09 | 2008-12-15 | 주식회사 이포스 | 랩핑장치용 오토 플레이트 클리너 |
US9050623B1 (en) | 2008-09-12 | 2015-06-09 | Novellus Systems, Inc. | Progressive UV cure |
KR101007688B1 (ko) | 2008-11-18 | 2011-01-13 | 세메스 주식회사 | 세정액을 분사하기 위한 노즐 및 이를 포함하는 기판 세정 장치 |
JP2010123823A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
MY159833A (en) | 2009-08-19 | 2017-02-15 | Unilever Plc | A process and a device to clean substrates |
MX2012002122A (es) | 2009-08-19 | 2012-03-07 | Unilever Nv | Un proceso para limpiar dientes. |
BR112012002953B1 (pt) | 2009-08-19 | 2021-06-15 | Unilever Ip Holdings B.V. | Processo para limpar uma superfície dura com um dispositivo de limpeza |
JP5758111B2 (ja) * | 2010-12-02 | 2015-08-05 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
CN102240694A (zh) * | 2011-05-09 | 2011-11-16 | 新兴铸管股份有限公司 | 一种清理挤压态高端钢管内外壁玻璃粉的方法 |
JP5769605B2 (ja) * | 2011-12-02 | 2015-08-26 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
JP6242162B2 (ja) * | 2013-11-05 | 2017-12-06 | 株式会社ディスコ | 切削装置及び切削方法 |
JP6317941B2 (ja) | 2014-02-07 | 2018-04-25 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
JP2016157738A (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 株式会社ディスコ | 洗浄装置 |
JP2016159376A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
KR101704494B1 (ko) * | 2015-05-26 | 2017-02-09 | 주식회사 케이씨텍 | 고속 유체 분사 노즐 및 이를 이용한 기판 처리 장치 |
US9847221B1 (en) | 2016-09-29 | 2017-12-19 | Lam Research Corporation | Low temperature formation of high quality silicon oxide films in semiconductor device manufacturing |
CN111633833B (zh) * | 2020-06-09 | 2022-03-29 | 广东龙美达建材有限公司 | 一种超高压石材水喷射切割机 |
CN111921955B (zh) * | 2020-08-10 | 2021-12-10 | 哈尔滨工业大学 | 一种风刀装置 |
JP7355422B1 (ja) | 2022-11-02 | 2023-10-03 | 株式会社塩 | 流体混合出力装置及びそれを用いる流体利用装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3577808A (en) * | 1968-12-23 | 1971-05-04 | Boeing Co | Sub-zero cutting fluid generator |
EP0171448B1 (de) * | 1984-08-14 | 1988-02-03 | Johann Szücs | Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von Stein- und Metalloberflächen |
US4666083A (en) * | 1985-11-21 | 1987-05-19 | Fluidyne Corporation | Process and apparatus for generating particulate containing fluid jets |
US4815241A (en) * | 1986-11-24 | 1989-03-28 | Whitemetal Inc. | Wet jet blast nozzle |
US4787404A (en) * | 1987-06-12 | 1988-11-29 | International Business Machines Corporation | Low flow rate-low pressure atomizer device |
DE4225590C2 (de) * | 1992-08-03 | 1995-04-27 | Johann Szuecs | Vorrichtung für die Behandlung von empfindlichen Oberflächen, insbesondere von Skulpturen |
JP3315611B2 (ja) * | 1996-12-02 | 2002-08-19 | 三菱電機株式会社 | 洗浄用2流体ジェットノズル及び洗浄装置ならびに半導体装置 |
-
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- 1999-04-19 JP JP11094599A patent/JP3410385B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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---|---|
JP2000306878A (ja) | 2000-11-02 |
TW445499B (en) | 2001-07-11 |
SG91271A1 (en) | 2002-09-17 |
US6386466B1 (en) | 2002-05-14 |
DE10019472B4 (de) | 2010-09-30 |
JP3410385B2 (ja) | 2003-05-26 |
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DE3844649C2 (de) | ||
DE102004020270B4 (de) | Laserstrahl-Bearbeitungsmaschine | |
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