DE10019472B4 - Reinigungsvorrichtung - Google Patents

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Abstract

Eine Reinigungsvorrichtung umfaßt Düseneinrichtungen, welche eine Ausspritzöffnung, einen Reinigungsflüssigkeitsweg, welcher mit der Ausspritzöffnung in Verbindung steht, und einen Druckgasweg aufweisen, welcher mit der Ausspritzöffnung in Verbindung steht. Die Reinigungsvorrichtung umfaßt weiter Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen zum Zuführen einer Reinigungsflüssigkeit zu dem Reinigungsflüssigkeitsweg und Druckgas-Zufuhreinrichtungen zum Zuführen eines Druckgases zu dem Druckgasweg. Das Druckgas wird aus der Ausspritzöffnung durch den Druckgasweg ausgestoßen, während eine Reinigungsflüssigkeit aus der Ausspritzöffnung durch den Reinigungsflüssigkeitsweg ausgestoßen wird.

Description

  • Diese Erfindung bezieht sich auf eine Reinigungsvorrichtung, welche eine Reinigungsflüssigkeit ausstößt bzw. ausspritzt. Genauer bezieht sich die Erfindung, obwohl sie nicht darauf beschränkt ist, auf eine Reinigungsvorrichtung, welche insbesondere für ein Ausspritzen einer Reinigungsflüssigkeit auf eine Oberfläche eines Werkstücks geeignet ist, welches durch eine Schneideinrichtung, wie beispielsweise eine Halbleiter-Wafer-Zerteileinrichtung, geschnitten wurde, um das Werkstück zu reinigen.
  • Wie dies unter Fachleuten gut bekannt ist, führt ein Halbleiter-Wafer-Substratzerteiler, welcher einen Halbleiter-Wafer entlang von Schneid- bzw. Schnittlinien schneidet, welche in einem Raster- bzw. Gittermuster auf der Oberfläche des Halbleiter-Wafers angeordnet sind, das Schneiden dadurch durch, daß bewirkt wird, daß eine zu einer Rotation angetriebene, dünne, scheibenartige Schneidkante bzw. Schneide mit dem Halbleiter-Wafer zusammenwirkt bzw. auf diesen einwirkt, und daß die Schneidkante und der Halbleiter-Wafer relativ zueinander entlang der Schnittlinien bewegt werden. Bei einer derartigen Zerteil- bzw. Vereinzelungsvorrichtung haftet ein Span bzw. Abfall, welcher durch das Schneiden des Halbleiter-Wafers gebildet wurde, an der Oberfläche des Halbleiter-Wafers als eine Verunreinigung an. Deshalb ist die Waferzerteileinrichtung auch mit einer Reinigungsvorrichtung bzw. einem Reinigungsapparat zur Entfernung der Verunreinigung bzw. Kontamination von der Oberfläche des Halbleiter-Wafers ausgebildet. Diese Reinigungsvorrichtung beinhaltet Düsenein richtungen bzw. -mittel, welche benachbart der Schneidkante angeordnet sind, und Hochdruck-Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen bzw. -mittel. Die Düseneinrichtungen weisen eine Ausspritz- bzw. Ausstoßöffnung und einen Hochdruck-Reinigungsflüssigkeitsweg auf, welcher mit der Ausstoßöffnung in Verbindung steht. Die Hochdruck-Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen führen eine Reinigungsflüssigkeit, welche deionisiertes Wasser sein kann, zu dem Hochdruck-Reinigungsflüssigkeitsweg der Düseneinrichtung bei einem Druck von beispielsweise 39 bis 196 bar (40 bis 200 kgf/cm2) zu. Eine derartige Reinigungsflüssigkeit wird unter einem hohen Druck von der Ausstoßöffnung der Düseneinrichtungen zu der Oberfläche in einen Bereich des Halbleiter-Wafers ausgespritzt bzw. ausgebracht, welcher durch die Schneide geschnitten wird. Durch diese Maßnahme wird die Oberfläche des Halbleiter-Wafers gereinigt; d. h., die Verunreinigung wird von der Oberfläche des Halbleiter-Wafers entfernt.
  • Die obengenannte Reinigungsvorrichtung stellt die folgenden, zu lösenden Probleme: es ist notwendig, eine relativ große und teure Hochdruck-Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtung zum Zuführen einer Reinigungsflüssigkeit bei einem beträchtlich hohen Druck von beispielsweise 39 bis 196 bar (40 bis 200 kgf/cm2) anzuordnen bzw. vorzusehen. Es ist auch notwendig, daß eine Leitung zwischen den Hochdruck-Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen und den Düseneinrichtungen eine relativ teure ist, welche der Hochdruck-Reinigungsflüssigkeit widersteht. Derart ist nicht nur die Vorrichtung relativ groß, sondern es sind auch die Herstellungskosten für die Vorrichtung bzw. das Gerät ziemlich hoch.
  • Die DE 197 40 996 A1 beschreibt eine Reinigungsvorrichtung zum effizienten Entfernen von Verunreinigungen auf Oberflächen von Haibleitewafern. Dazu weist die Reinigungsvorrichtung eine Zweifluid-Reinigungsstrahldüse mit einer Zerstäubungseinheit auf, die mit einem Zerstäubungsrohr und einem Beschleunigungsrohr ausgestattet ist. Dabei wird zunächst im Zerstäubungsrohr einem Gasdurchfluß eine Reinigungsflüssigkeit zugeführt, die durch das Druckgas zu feinen Flüssigkeitströpfchen zerstäubt wird. Im weiteren Verlauf des Gasstroms werden diese Flüssigkeitströpfchen zusammen mit dem Druckgas im Beschleunigungsrohr auf eine hohe Geschwindigkeit beschleunigt. Dazu ist die Querschnittsfläche des Beschleunigungsrohrs kleiner als die Querschnittsfläche des Zerstäubungsrohrs. Die damit erreichbare hohe Geschwindigkeit der Flüssigkeitströpfchen bewirkt eine besonders gute Reinigungswirkung.
  • Ein wesentliches Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer neuen und verbesserten Reinigungsvorrichtung mit verbesserter Reinigungswirkung, welche das Erfordernis einer Zufuhr einer Reinigungsflüssigkeit bei einem sehr hohen Druck vermeidet und welche daher frei von den oben beschriebenen Problemen im Zusammenhang mit der bekannten Reinigungsvorrichtung ist.
  • Die Erfinder der vorliegenden Erfindung führten umfangreiche Studien und Experimente durch. Als ein Resultat haben sie gefunden, daß, wenn eine Reinigungsflüssigkeit durch die Wirkung eines Druckgases ausgestoßen bzw. ausgespritzt wird, nahezu derselbe Reinigungseffekt erhalten werden kann, wie er durch einen Strahl einer Reinigungsflüssigkeit mit sehr hohem Druck erhalten wird, selbst wenn der Druck des komprimierten Gases bzw. Druckgases nicht sehr hoch ist. Selbst bei einem Druck des Druckgases, welcher viel geringer ist als der Druck der Reinigungsflüssigkeit, welcher bisher verwendet wurde, kann ein ausreichender bzw. zufriedenstellender Reinigungseffekt erhalten werden. Derart kann die Reinigungsvorrichtung beträchtlich kompakt und billig bzw. kostengünstig im Vergleich zu der bekannten Reinigungsvorrichtung erstellt bzw. erhalten werden, wobei das Druckgas mit einem Druck von 2,6 bar (2,7 kgf/cm2) oder höher zugeführt wird. Insbesondere wenn das Druckgas eine Verengung bzw. Einschnürung mit einem Innendurchmesser von 0,5 bis 3,0 mm ausgebracht wird, erreicht die Ausstoßgeschwindigkeit des Druckgases Überschallgeschwindigkeit. Wenn dieses ausgestoßene Gas veranlaßt wird, daß es auf die Reinigungsflüssigkeit einwirkt und gemeinsam mit der Reinigungsflüssigkeit auf ein zu reinigendes Objekt ausgestoßen bzw. ausgespritzt wird, kann im wesentlichen derselbe Reinigungseffekt erzielt werden, wie wenn eine Reinigungsflüssigkeit bei beträchtlich höherem Druck auf ein zu reinigendes Objekt ausgestoßen würde.
  • Derart wird gemäß der vorliegenden Erfindung eine Reinigungsvorrichtung zur Verfügung gestellt, welche das obengenannte, wesentliche Ziel erfüllt, umfassend:
    Düseneinrichtungen bzw. -mittel, beinhaltend eine Ausstoß- bzw. Ausspritzöffnung, einen Reinigungsflüssigkeitsweg, welcher mit der Ausspritzöffnung in Ver bindung steht, und einen Druckgasweg, welcher mit der Ausspritzöffnung in Verbindung steht, wobei eine Verengung bzw. Einschnürung in einem stromabwärtigen Endabschnitt bzw. Bereich des Druckgaswegs ausgebildet ist und der Reinigungsflüssigkeitsweg veranlaßt wird, mit dem Druckgasweg zwischen der Verengung und der Ausspritzöffnung oder bei der Verengung in Verbindung zu stehen, und auch veranlaßt wird, mit der Ausspritzöffnung über den stromabwärtigen Endabschnitt des Druckgaswegs in Verbindung zu stehen;
    Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen bzw. -mittel zum Zuführen einer Reinigungsflüssigkeit zu dem Reinigungsflüssigkeitsweg, wobei die Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen die Reinigungsflüssigkeit zu dem Reinigungsflüssigkeitsweg bei einem Druck von 1,5 bis 2,5 bar (1,5 bis 2,5 kgf/cm2) zuführen; und
    Druckgas-Zufuhreinrichtungen bzw. -mittel zum Zuführen eines Druckgases zu dem Druckgasweg, worin die Druckgas-Zufuhreinrichtungen das Druckgas zu dem Druckgasweg bei einem Druck von 2,6 bar (2,7 kgf/cm2) oder höher zuführen und worin
    das komprimierte Gas bzw. Druckgas aus der Ausspritzöffnung durch den Druckgasweg ausgestoßen wird, während die Reinigungsflüssigkeit aus der Ausspritzöffnung durch den Reinigungsflüssigkeitsweg ausgestoßen wird.
  • Vorzugsweise führen die Druckgas-Zufuhreinrichtungen das komprimierte Gas bzw. Druckgas zu dem Druckgasweg bei einem Druck von 2,6 bar bis 5,9 bar (2,7 kgf/cm2 bis 6,0 kgf/cm2) zu. In einem stromabwärtigen Endabschnitt des Druckgaswegs ist vorzugsweise eine Verengung bzw. Einschnürung ausgebildet. Der Innendurchmesser, d, der Verengung beträgt vorzugsweise 0,5 bis 3,0 mm, insbesondere 1,0 bis 2,0 mm. Erfindungsgemäß wird der Reinigungsflüssigkeitsweg veranlaßt, mit dem Druckgasweg zwischen der Verengung und der Ausspritzöffnung oder bei der Verengung in Verbindung zu stehen, und er wird auch veranlaßt, mit der Ausspritzöffnung über den stromabwärtigen Endabschnitt des Druckgaswegs in Verbindung zu stehen. In vorteilhafter Weise erstreckt sich wenigstens ein Abschnitt des Druckgaswegs, welcher von der Verengung bis zu der Ausstoßöffnung verläuft, im wesentlichen geradlinig und es erstreckt sich ein stromabwärtiger Endabschnitt des Reinigungsflüssigkeitswegs unter einem Winkel von 45 bis 90° zu dem Druckgasweg. Die Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen führen die Reinigungsflüssigkeit zu dem Reini gungsflüssigkeitsweg bei einem Druck von 1,5 bis 2,5 bar (1,5 bis 2,5 kgf/cm2) zu. Die Reinigungsflüssigkeit kann deionisiertes Wasser sein und das Druckgas kann Druckluft sein.
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht, welche schematisch eine gesamte Halbleiter-Wafer-Zerteilvorrichtung zeigt, welche mit einer Reinigungsvorrichtung ausgestattet ist, welche in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ausgebildet ist;
  • 2 ist eine perspektivische Ansicht, welche in vergrößerter Weise einen Teil der Halbleiter-Wafer-Zerteilvorrichtung der 1 zeigt;
  • 3 ist eine Schnittansicht, welche Düseneinrichtungen zeigt, welche in der Halbleiter-Wafer-Zerteilvorrichtung der 1 zur Verfügung gestellt sind;
  • 4 ist eine Schnittansicht, welche eine Modifikation der Düseneinrichtungen zeigt; und
  • 5 ist eine Draufsicht, welche Kontaminationsentfernungsraten-Meßbereiche auf einer Oberfläche eines Halbleiter-Wafers in jedem der Beispiele und Vergleichsbeispiele zeigt.
  • Bevorzugte Ausführungsformen einer Reinigungsvorrichtung, welche in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ausgebildet ist, werden nun in weiterem Detail unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • 1 zeigt eine Halbleiter-Wafer-Zerteilvorrichtung, welche mit einer Reinigungsvorrichtung ausgestattet ist, welche in Übereinstimmung mit der Erfindung ausgebildet ist. Eine Zerteil- bzw. Vereinzelungsvorrichtung, welche insgesamt mit dem Bezugszeichen 2 bezeichnet ist, weist ein Gehäuse 4 auf. An dem Gehäuse 4 sind ein Beladebereich 6, ein Wartebereich 8, ein Ansaug- bzw. Spannbereich 10, ein Ausrichtbereich 12, ein Schneidbereich 14 und ein abschließender Reinigungs- und Trocknungsbereich 16 definiert. In dem Beladebereich 6 ist ein Hebe- und Absenktisch 18 angeordnet. An dem Hebe- und Absenktisch 18 ist eine Kassette C geladen, in welcher eine Vielzahl von Halbleiter-Wafern W (2) mit einem Abstand in einer vertikalen Richtung aufgenommen ist. Wie dies deutlich in 2 gezeigt ist, ist der Halbleiter-Wafer W, welcher in der Kassette C aufgenommen ist, in einer zentralen Öffnung eines Rahmens F über ein Montageband T montiert bzw. festgelegt. Auf einer Oberfläche des Halbleiter-Wafers W sind Schneid- bzw. Schnittlinien L in einem Gitter- bzw. Rastermuster angeordnet. Im Zusammenhang mit dem Ladebereich 6 und dem Wartebereich 8 sind erste Transporteinrichtungen bzw. -mittel 20 angeordnet. In Übereinstimmung mit dem Ansteigen und Absinken des Hebe- und Absenktisches 18 werden die ersten Transporteinrichtungen 20 betätigt, um den Rahmen F, auf welchem der zu schneidende Halbleiter-Wafer W montiert bzw. angeordnet ist, sequentiell bzw. hintereinander von der Kassette C zu dem Wartebereich 8 zu liefern (und wie dies später erwähnt werden wird, um den Rahmen F, auf welchem der Halbleiter-Wafer W, welcher geschnitten wurde, schließlich gereinigt und getrocknet angeordnet ist, von dem Wartebereich 8 in die Kassette C zu bringen). Im Zusammenhang mit dem Wartebereich 8, dem Ansaug- bzw. Aufspannbereich 10 und dem abschließenden Reinigungs- und Trocknungsbereich 16 sind zweite Transporteinrichtungen bzw. -mittel 22 angeordnet. Der Rahmen F, welcher von der Kassette C zu dem Wartebereich 8 geliefert wird, wird zu dem Ansaugbereich 10 durch die zweiten Transporteinrichtungen 22 transportiert. In dem Ansaugbereich 10 wird der Rahmen F, auf welchem der zu schneidende Halbleiter-Wafer W montiert ist, durch ein Vakuum an ein Futter bzw. eine Ansaugvorrichtung 24 angesaugt, welche(s) eine kreisförmige Oberfläche aufweist. Der auf die Aufspann- bzw. Ansaugvorrichtung 24 in dem Ansaugbereich 10 gezogene Rahmen F wird in Übereinstimmung mit der Bewegung der Ansaugvorrichtung 24 bewegt und in dem Ausrichtbereich 12 positioniert. Im Zusammenhang mit dem Ausrichtbereich 12 sind Abbildungseinrichtungen bzw. -mittel 26 angeordnet. Die Oberfläche des an dem Rahmen F festgelegten bzw. montierten Halbleiter-Wafers W wird durch die Abbildungseinrichtungen 26 abgebildet. Basierend auf dem resultierenden Bild wird die Ansaugvorrichtung 24 (entsprechend der Rahmen F, welcher den Halbleiter-Wafer W daran montiert aufweist) präzise positioniert, so daß die Schneid- bzw. Schnittlinien L, welche auf der Oberfläche des Halbleiter-Wafers W angeordnet sind, an einer erforderlichen, relativen Position relativ zu einer Schneidkante bzw. Schneide 28 ruhen werden, welche im Zusammenhang mit dem Schneidbereich 14 angeordnet ist. Die Oberfläche des durch die Abbildungseinrichtungen 26 abgebildeten Halbleiter-Wafers W wird auf einem Monitor 30 dargestellt. Dann wird die Ansaugvorrichtung 24 zu dem Schneidbereich 14 bewegt, wo der an dem Rahmen F festgelegte Halbleiter-Wafer W entlang der Schnittlinien L geschnitten wird. In 2 ist die Schnittlinie L, welche bereits geschnitten wurde, als eine dicke, durchgehende Linie angezeigt, während die Schnittlinie L, welche noch nicht geschnitten wurde, als eine dünne, durchgehende Linie angezeigt ist. Dieses Schneiden wird so durchgeführt, daß zumindest das Montageband bzw. der Montageklebestreifen T nicht geschnitten ist, während üblicherweise der Halbleiter-Wafer W nicht vollständig geschnitten ist, sondern ein nach unten gewandter bzw. gerichteter Abschnitt bzw. Bereich desselben ungeschnitten verbleibt. Demgemäß verbleibt selbst nach dem Schneiden des Halbleiter-Wafers W der Halbleiter-Wafer W an dem Rahmen F über das Montageband T montiert bzw. festgelegt.
  • Nachdem der Halbleiter-Wafer W entsprechend den Anforderungen in dem Schneidbereich 14 geschnitten wurde, wird der Rahmen F zu dem Ansaugbereich 10 in Übereinstimmung mit der Bewegung der Ansaugvorrichtung 24 retourniert. Im Zusammenhang mit dem Ansaug- bzw. Aufspannbereich 10 und dem abschließenden Reinigungs- und Trocknungsbereich 16 sind dritte Transporteinrichtungen bzw. -mittel 32 angeordnet. Durch diese dritten Transporteinrichtungen 32 wird der Rahmen F zu dem abschließenden Reinigungs- und Trocknungsbereich 16 transportiert. In dem abschließenden bzw. Abschluß-Reinigungs- und Trocknungsbereich 16 wird der geschnittene Halbleiter-Wafer W ab schließend durch Reinigungs- und Trocknungseinrichtungen bzw. -mittel (nicht gezeigt) gereinigt und getrocknet. Dann wird der Rahmen F zu dem Wartebereich 8 durch die zweiten Transporteinrichtungen 22 retourniert und zu der Kassette C durch die ersten Transporteinrichtungen 20 retourniert.
  • Unter Bezugnahme auf die 2 gemeinsam mit 1 sind Schneideinrichtungen bzw. -mittel 34, beinhaltend die Schneidkante bzw. Schneide 28, in dem Schneidbereich 14 angeordnet. Die Schneideinrichtungen 34 weisen eine drehbar montierte Drehwelle 36 auf und die Schneidkante 28 ist an einem vorderen Endabschnitt der Drehwelle 36 festgelegt. Die Schneidkante 28 kann eine dünne, kreisförmige sein, welche unzählige bzw. viele Diamantteilchen enthält. Benachbart der Schneidkante 28 ist eine Kühlflüssigkeits-Ausspritzdüse 38 angeordnet. In der Kühlflüssigkeits-Ausspritzdüse 38 ist eine Vielzahl von Ausstoß- bzw. Ausspritzlöchern (nicht gezeigt), welche zu der Schneidkante 28 gerichtet sind, ausgebildet. Beim Schneiden des Halbleiter-Wafers W wird die Drehwelle 36 zu einer Rotation angetrieben und die Ansaugvorrichtung 24, welche den Rahmen F zu dieser angezogen hat, auf welchem der Halbleiter-Wafer W montiert ist, wird kontinuierlich für ein Schneiden in durch Pfeile 40 und 42 in 2 gezeigten Richtungen bewegt. Zwischen einer Schneidbewegung und einer nachfolgenden Schneidbewegung wird die Ansaugvorrichtung 24 für ein Indexieren bzw. Weiterschalten in einer durch einen Pfeil 44 oder 46 angezeigten Richtung bewegt, wodurch jede der Schnittlinien L sequentiell mit der Schneidkante 28 ausgerichtet wird. Nach Vervollständigung eines Schneidens entlang der Schnittlinien L, welche sich in einer vorbestimmten Richtung erstrecken, wird die Ansaugvorrichtung 24 um einen Winkel von 90° gedreht, worauf ein Schneiden entlang der Schnittlinien L, welche sich normal zu den Schnittlinien L erstrecken, welche sich in der vorbestimmten Richtung erstrecken, in ähnlicher Weise durchgeführt wird. Auf diese Weise wird der Halbleiter-Wafer W entlang der Schnittlinien L geschnitten, welche in einem Raster- bzw. Gittermuster angeordnet sind. Wenn ein Schneiden des Halbleiter-Wafers W durch die Schneide 28 durchgeführt wird, wird eine Kühlflüssigkeit, welche deionisiertes Wasser sein kann, aus den Ausspritz- bzw. Ausstoßlöchern der Kühlflüssigkeits-Ausspritzdüse 38 zu der Schneidkante 28 ausgespritzt. Die Zerteilvorrichtung 2 weist auch eine Reinigungsvorrichtung 48 auf, welche Düseneinrichtungen bzw. -mittel 50 beinhaltet, welche benachbart zu und vor der Schneidkante 28 angeordnet sind. Aus den Düseneinrichtungen 50 der Reinigungsvorrichtung 48 wird eine Reinigungsflüssigkeit zu dem Bereich bzw. der Fläche auf dem Halbleiter-Wafer W ausgestoßen bzw. ausgespritzt, wo ein Schneiden bereits durchgeführt wurde, um einen Span bzw. Abfall von der Oberfläche des Halbleiter-Wafers W zu entfernen.
  • Andere Ausführungsformen als die Reinigungsvorrichtung 48 in der dargestellten Zerteilvorrichtung 2 können in einer geeigneten Form, welche unter Fachleuten gut bekannt ist, vorliegen und bilden nicht einen Teil der Erfindung. Derart wird eine Erläuterung ihrer Details hier weggelassen.
  • Unter Bezugnahme auf 3 gemeinsam mit 2 ist ein Hauptabschnitt bzw. -bereich 52 der Düseneinrichtungen 50 der Reinigungsvorrichtung 48 im wesentlichen vertikal angeordnet und ist im wesentlichen senkrecht auf den Halbleiter-Wafer W positioniert, welcher in dem Schneidbereich 14 angeordnet ist. In einer vorderen Endfläche, d. h. einer unteren Endfläche, der Düseneinrichtungen 50 ist eine Ausspritz- bzw. Ausstoßöffnung 54 ausgebildet. In den Düseneinrichtungen 50 ist nicht nur ein Druckgasweg 56, welcher mit der Ausstoßöffnung 54 in Verbindung steht, sondern auch ein Reinigungsflüssigkeitsweg 58 ausgebildet, welcher mit der Ausspritzöffnung 54 in Verbindung steht. Der Druckgasweg 56 erstreckt sich im wesentlichen vertikal bis zu der Ausspritzöffnung 54 in dem Hauptabschnitt 52 der Düseneinrichtungen 50. In einem stromabwärtigen Endabschnitt des Druckgaswegs 56 ist eine Verengung bzw. Einschnürung 60 ausgebildet. Stromaufwärts von der Verengung 60 verringert sich der Innendurchmesser des Druckgaswegs 56 zunehmend zu einer stromabwärtigen Seite. Stromabwärts von der Verengung 60 erweitert sich der Innendurchmesser des Druckgaswegs 56 zunehmend. Der Innendurchmesser d der Verengung 60 beträgt vorzugsweise 0,5 bis 3,0 mm, insbesondere 1,0 bis 2,0 mm. Der Reinigungsflüssigkeitsweg 58 erstreckt sich andererseits parallel zu dem Druckgasweg 56 in dem Hauptabschnitt 52 der Düseneinrichtungen 50, erstreckt sich dann unter einem Winkel α zu dem Druckgasweg 56 und ist mit dem Druckgasweg 56 stromabwärts von der Verengung 60 verbunden. Es wird derart bewirkt, daß der Reinigungsflüssigkeitsweg 58 mit der Ausspritzöffnung 54 über den stromabwärtigen Endabschnitt des Druckgaswegs 56 in Verbindung steht.
  • Der Winkel α, welchen ein stromabwärtiger Endabschnitt des Reinigungsflüssigkeitswegs 58 mit dem Druckgasweg 56 einschließt, beträgt vorzugsweise etwa 45 bis 90°.
  • Mit dem Druckgasweg 56 sind Druckgas-Zufuhreinrichtungen bzw. -mittel 64 über eine Leitung 62 verbunden. Mit dem Reinigungsflüssigkeitsweg 58 sind Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen bzw. -mittel 68 über eine Leitung 66 verbunden (die Kühlflüssigkeit, welche von der Kühlflüssigkeits-Ausspritzdüse 38 ausgespritzt bzw. ausgestoßen wird, kann auch von den Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen 68 zugeführt werden). In der Leitung 62 ist ein Öffnungs- und Schließ-Steuer- bzw. -Regelventil 70 angeordnet. In der Leitung 66 ist ein Öffnungs- und Schließ-Steuer- bzw. -Regelventil 72 angeordnet. Die Druckgas-Zufuhreinrichtungen 64 führen ein komprimiertes Gas bzw. Druckgas, welches Druckluft sein kann, vorzugsweise bei einem Druck von 2,6 bar (2,7 kgf/cm2) oder höher, insbesondere bei einem Druck von 2,6 bis 5,9 bar (2,7 bis 6,0 kgf/cm2), zu dem Druckgasweg 56 über die Leitung 62 zu. Die Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen 68 führen eine Reinigungsflüssigkeit, welche deionisiertes Wasser sein kann, vorzugsweise bei einem Druck von 1,5 bis 2,5 bar (1,5 bis 2,5 kgf/cm2) zu dem Reinigungsflüssigkeitsweg 58 über die Leitung 66 zu. Bei einer Reinigung des geschnittenen Bereichs des Halbleiter-Wafers W wird die Reinigungsflüssigkeit von den Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen 68 zu dem Reinigungsflüssigkeitsweg 58 zugeführt, während das Druckgas von den Druckgas-Zufuhreinrichtungen 64 zu dem Druckgasweg 56 zugeführt wird, worauf die Reinigungsflüssigkeit und das Druckgas gemeinsam aus der Ausspritzöffnung 54 ausgespritzt bzw. ausgestoßen werden. Die Reinigungsflüssigkeit, welche veranlaßt wird, daß sie von dem Reinigungsflüssigkeitsweg 58 zu dem stromabwärtigen Endabschnitt des Druckgaswegs 56 strömt, wird durch das Druckgas, welches aus der Ausstoßöffnung 54 durch die Verengung 60 ausgestoßen wird, beschleunigt und aus der Ausstoßöffnung 54 ausgestoßen. Ein Strahl der Reinigungsflüssigkeit trifft auf die Oberfläche des Halbleiter-Wafers W, um die Oberfläche des Halbleiter-Wafer W wirksam zu reinigen. Gemäß der Erfahrung der Erfinder erlangt der Strahl, wenn das Druckgas insbesondere bei einem Druck von 2,6 bar (2,7 kgf/cm2) oder höher zugeführt wird und durch die Verengung 60 mit einem Innendurchmesser von 0,5 bis 3,0 mm, insbesondere 1,0 bis 2,0 mm, ausgestoßen wird, die Ausstoßgeschwindigkeit des Druckgases Überschall und kann daher den Reinigungseffekt vollkommen zufriedenstellend ausführen. Um einen zufriedenstellenden Reinigungseffekt zu erzielen, muß der Druck des Druckgases nicht übermäßig hoch sein, sondern kann zwischen etwa 2,6 und 5,9 bar (2,7 und 6,0 kgf/cm2) liegen.
  • 4 zeigt eine Modifikation der Düseneinrichtungen. In den in 4 illustrierten Düseneinrichtungen 150 ist eine Verengung bzw. Einschnürung 160, welche in einem Druckgasweg 156 ausgebildet ist, relativ lang und ein stromabwärtiger Endabschnitt eines Reinigungsflüssigkeitswegs 158 erstreckt sich im wesentlichen normal auf den Druckgasweg 156 und ist mit der Verengung 160 verbunden. Andere Einrichtungen bzw. Elemente der Düseneinrichtungen 150 sind im wesentlichen dieselben wie in den Düseneinrichtungen 50, welche in 3 gezeigt sind.
  • Beispiele und Vergleichsbeispiele
  • Beispiele 1 bis 6
  • Ein Substratzerteiler bzw. eine Zerteil- bzw. Vereinzelungsvorrichtung, welche unter der Handelsbezeichnung ”DFD640” durch die Disco Corporation (Tokyo, Japan) verkauft wird, wurde verwendet, wobei ihre Reinigungsvorrichtung durch eine Reinigungsvorrichtung einer Form ersetzt wurde, wie sie in den 1 bis 3 illustriert ist (eine derartige Zerteilvorrichtung weist eine Form auf, wie sie in den 1 bis 3 gezeigt ist). Ein Halbleiter-Wafer, welcher auf einem Rahmen über ein Montageband festgelegt bzw. montiert ist, wurde in die Zerteilvorrichtung eingebracht, um den Halbleiter-Wafer in einer Gitter- bzw. Rasterform zu schneiden. Der Halbleiter-Wafer war ein Siliciumwafer einer Form, wie sie in 5 gezeigt ist, und hatte einen Durchmesser D von 150 mm, eine Orientierungslänge L von 50 mm und eine Dicke TH von 0,5 mm. Die Oberfläche des Halbleiter-Wafers war in einem spiegelpolierten Zustand.
  • Vor einem Schneiden des Halbleiter-Wafers wurde die Oberfläche des Halbleiter-Wafers durch eine Abbildungsvorrichtung abgebildet. Das resultierende Bild wurde für die Helligkeit von jedem von fünf Bereichen bzw. jeder von fünf Regionen R1, R2, R3, R4 und R5 auf der Oberfläche des Halbleiter-Wafers gemessen. Der Halbleiter-Wafer sollte durch einen nachfolgenden Schneidvorgang entlang von 20 seitlichen bzw. querverlaufenden Schnittlinien LL und 20 vertikalen Schnittlinien LV geschnitten werden, welche in 5 gezeigt sind. Jeder der Bereiche R1, R2, R3, R4 und R5 ist ein Bereich, welcher durch die querverlaufenden Schnittlinien LL und die vertikalen Schnittlinien LV umgeben ist. Die Helligkeit von jedem Bereich bzw. jeder Region wurde durch Messung der Helligkeit von jedem der 512 × 480 Pixel bzw. Bildpunkte in jedem Bereich auf einer 64-teiligen Skala (Niveau 1 repräsentiert weiß und Niveau 64 repräsentiert schwarz) und Berechnung des Gesamtwerts der Helligkeit von sämtlichen Bildpunkten in jedem Bereich bestimmt. Von dem durchschnittlichen Wert der Helligkeit für die fünf Bereiche wurde gefunden, daß er 200 × 104 beträgt. Diese Tatsache bedeutet, daß die mittlere Helligkeit der Oberfläche des Halbleiter-Wafers, welcher keinen Span bzw. Abfall aufweist, 200 × 104 beträgt.
  • Dann wurde der Halbleiter-Wafer (genauer auf eine Tiefe von 0,5 mm von der Oberfläche geschnitten) entlang von 20 querverlaufenden Schnittlinien LL, welche mit einem gleichen Abstand (7 mm) angeordnet sind, und 20 vertikalen Schnittlinien LV geschnitten, welche mit einem gleichen Abstand (7 mm) angeordnet sind. Die durchschnittliche Helligkeit der Oberfläche des Halbleiter-Wafers nach dem Schneiden wurde durch die oben beschriebene Methode bestimmt.
  • Weiters wurde die Oberfläche des Halbleiter-Wafers nach dem Schneiden durch die Reinigungsvorrichtung gereinigt und es wurde dann die durchschnittliche Helligkeit der Oberfläche des Halbleiter-Wafers bestimmt. Der Innendurchmesser einer Verengung in einem Druckgasweg von Düseneinrichtungen war 0,5 mm. Der Druckgasweg wurde mit Druckluft unter einem Druck versorgt, wie dies in Tabelle 1 unten beschrieben ist. Ein Reinigungsflüssigkeitsweg wurde mit 140 cm3/min deionisiertem Wasser bei einem Druck von 2,0 bar (2,0 kgf/cm2) versorgt. Während des Reinigens wurde eine Ansaugvorrichtung (demgemäß der Halbleiter-Wafer) mit einer Geschwindigkeit von 30 mm/s relativ zu den Düseneinrichtungen bewegt. Die Reinigungsrate bzw. -geschwindigkeit wurde aus der folgenden Gleichung berechnet: Reinigungsrate = {[(mittlere Helligkeit vor dem Reinigen – 200 × 104) – (mittlere Helligkeit nach dem Reinigen – 200 × 104)]/(mittlere Helligkeit vor dem Reinigen – 200 × 104)} × 100
  • Die Resultate sind in Tabelle 1 gezeigt. Tabelle 1
    Luftdruck, bar (kgf/cm2) mittl. Helligkeit v. Reinigung mittl. Helligkeit n. Reinigung Reinigungsrate (%)
    Bsp. 1 2,5 (2,5) 558 × 104 433 × 104 35
    Bsp. 2 2,6 (2,7) 563 × 104 399 × 104 45
    Bsp. 3 2,9 (3,0) 559 × 104 387 × 104 48
    Bsp. 4 3,9 (4,0) 553 × 104 378 × 104 50
    Bsp. 5 4,9 (5,0) 559 × 104 368 × 104 53
    Bsp. 6 5,9 (6,0) 561 × 104 344 × 104 60
  • Beispiele 7 bis 12
  • Die Reinigungsrate wurde auf dieselbe Weise wie in den Beispielen 1 bis 6 bestimmt, mit der Ausnahme, daß der Innendurchmesser der Verengung in dem Druckgasweg der Düseneinrichtungen 1,1 mm betrug. Die Resultate sind in Tabelle 2 gezeigt. Tabelle 2
    Luftdruck, bar (kgf/cm2) mittl. Helligkeit v. Reinigung mittl. Helligkeit n. Reinigung Reinigungsrate (%)
    Bsp. 7 2,5 (2,5) 558 × 104 367 × 104 53
    Bsp. 8 2,6 (2,7) 565 × 104 328 × 104 65
    Bsp. 9 2,9 (3,0) 554 × 104 316 × 104 67
    Bsp. 10 3,9 (4,0) 557 × 104 276 × 104 79
    Bsp. 11 4,9 (5,0) 553 × 104 275 × 104 79
    Bsp. 12 5,9 (6,0) 564 × 104 253 × 104 85
  • Beispiele 13 bis 18
  • Die Reinigungsrate wurde auf dieselbe Weise wie in den Beispielen 1 bis 6 bestimmt, mit der Ausnahme, daß der Innendurchmesser der Verengung in dem Druckgasweg der Düseneinrichtungen 1,4 mm betrug. Die Resultate sind in Tabelle 3 gezeigt. Tabelle 3
    Luftdruck, bar (kgf/cm2) mittl. Helligkeit v. Reinigung mittl. Helligkeit n. Reinigung Reinigungsrate (%)
    Bsp. 13 2,5 (2,5) 552 × 104 355 × 104 56
    Bsp. 14 2,6 (2,7) 561 × 104 289 × 104 75
    Bsp. 15 2,9 (3,0) 558 × 104 276 × 104 79
    Bsp. 16 3,9 (4,0) 559 × 104 241 × 104 88
    Bsp. 17 4,9 (5,0) 563 × 104 217 × 104 95
    Bsp. 18 5,9 (6,0) 554 × 104 216 × 104 95
  • Beispiele 19 bis 24
  • Die Reinigungsrate wurde auf dieselbe Weise wie in den Beispielen 1 bis 6 bestimmt, mit der Ausnahme, daß der Innendurchmesser der Verengung in dem Druckgasweg der Düseneinrichtungen 1,8 mm betrug. Die Resultate sind in Tabelle 4 gezeigt. Tabelle 4
    Luftdruck, bar (kgf/cm2) mittl. Helligkeit v. Reinigung mittl. Helligkeit n. Reinigung Reinigungsrate (%)
    Bsp. 19 2,5 (2,5) 556 × 104 351 × 104 57
    Bsp. 20 2,6 (2,7) 551 × 104 277 × 104 78
    Bsp. 21 2,9 (3,0) 555 × 104 266 × 104 81
    Bsp. 22 3,9 (4,0) 569 × 104 230 × 104 92
    Bsp. 23 4,9 (5,0) 566 × 104 217 × 104 95
    Bsp. 24 5,9 (6,0) 558 × 104 217 × 104 95
  • Beispiele 25 bis 30
  • Die Reinigungsrate wurde auf dieselbe Weise wie in den Beispielen 1 bis 6 bestimmt, mit der Ausnahme, daß der Innendurchmesser der Verengung in dem Druckgasweg der Düseneinrichtungen 3,0 mm betrug. Die Resultate sind in Tabelle 5 gezeigt. Tabelle 5
    Luftdruck, bar (kgf/cm2) mittl. Helligkeit v. Reinigung mittl. Helligkeit n. Reinigung Reinigungsrate (%)
    Bsp. 25 2,5 (2,5) 569 × 104 366 × 104 55
    Bsp. 26 2,6 (2,7) 556 × 104 286 × 104 76
    Bsp. 27 2,9 (3,0) 553 × 104 274 × 104 79
    Bsp. 28 3,9 (4,0) 557 × 104 241 × 104 88
    Bsp. 29 4,9 (5,0) 561 × 104 234 × 104 90
    Bsp. 30 5,9 (6,0) 559 × 104 222 × 104 94
  • Vergleichsbeispiele 1 bis 3
  • Für Zwecke eines Vergleichs wurde die Reinigungsrate auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 bestimmt, mit der Ausnahme, daß nur der Reinigungsflüssigkeitsweg mit einem Innendurchmesser von 0,1 mm in den Düseneinrichtungen ausgebildet war und daß die Düseneinrichtungen mit 3.500 cm3/min von deionisiertem Wasser bei einem Druck gespeist wurden, wie es in Tabelle 6 beschrieben ist. Die Resultate sind in Tabelle 6 gezeigt. Tabelle 6
    Reinigungsflüssigkeitsdruck, bar (kgf/cm2) mittl. Helligkeit v. Reinigung mittl. Helligkeit n. Reinigung Reinigungsrate (%)
    Vergl.bsp. 1 98 (100) 558 × 104 286 × 104 76
    Vergl.bsp. 2 147 (150) 565 × 104 237 × 104 90
    Vergl.bsp. 3 196 (200) 554 × 104 217 × 104 95
  • Aus den vorangehenden Beispielen und Vergleichsbeispielen ist verständlich, daß die Reinigungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung denselben Reinigungseffekt wie der Reinigungseffekt der konventionellen Reinigungsvorrichtung erzielen kann, welcher eine Reinigungsflüssigkeit bei einem bedeutend höheren Druck zugeführt wird, selbst wenn der Druck des zugeführten Druckgases und der Druck der zugeführten Reinigungsflüssigkeit viel geringer sind als der Druck der Reinigungsflüssigkeit in der konventionellen Reinigungsvorrichtung.

Claims (7)

  1. Reinigungsvorrichtung, umfassend: Düseneinrichtungen bzw. -mittel (50, 150), beinhaltend eine Ausstoß- bzw. Ausspritzöffnung (54), einen Reinigungsflüssigkeitsweg bzw. -pfad (58, 158), welcher mit der Ausspritzöffnung (54) in Verbindung steht, und einen Druckgasweg bzw. -pfad (56, 156), welcher mit der Ausspritzöffnung (54) in Verbindung steht, wobei eine Verengung bzw. Einschnürung (60, 160) in einem stromabwärtigen Endabschnitt bzw. Bereich des Druckgaswegs (56, 156) ausgebildet ist und der Reinigungsflüssigkeitsweg (58, 158) veranlaßt wird, mit dem Druckgasweg (56, 156) zwischen der Verengung (60) und der Ausspritzöffnung (54) oder bei der Verengung (160) in Verbindung zu stehen, und auch veranlaßt wird, mit der Ausspritzöffnung (54) über den stromabwärtigen Endabschnitt des Druckgaswegs (56, 156) in Verbindung zu stehen; Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen bzw. -mittel (68) zum Zuführen einer Reinigungsflüssigkeit zu dem Reinigungsflüssigkeitsweg (58, 158), wobei die Reinigungsflüssigkeits-Zufuhreinrichtungen (68) die Reinigungsflüssigkeit zu dem Reinigungsflüssigkeitsweg (58, 158) bei einem Druck von 1,5 bis 2,5 bar zuführen; und Druckgas-Zufuhreinrichtungen bzw. -mittel (64) zum Zuführen eines Druckgases zu dem Druckgasweg (56, 156), worin die Druckgas-Zufuhreinrichtungen (64) das Druckgas zu dem Druckgasweg (56, 156) bei einem Druck von 2,6 bar oder höher zuführen und worin das komprimierte Gas bzw. Druckgas aus der Ausspritzöffnung (54) durch den Druckgasweg (56, 156) ausgestoßen wird, während die Reinigungsflüssigkeit aus der Ausspritzöffnung (54) durch den Reinigungsflüssigkeitsweg (58, 158) ausgestoßen wird.
  2. Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 1, worin die Druckgas-Zufuhreinrichtungen (64) das Druckgas zum dem Druckgasweg (56, 156) bei einem Druck von 2,6 bar bis 5,9 bar zuführen.
  3. Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, worin ein Innendurchmesser (d) der Verengung (60, 160) 0,5 bis 3,0 mm beträgt.
  4. Reinigungsvorrichtung nach Anspruch 3, worin ein Innendurchmesser (d) der Verengung (60, 160) 1,0 bis 2,0 mm beträgt.
  5. Reinigungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, worin wenigstens ein Abschnitt des Druckgaswegs (56, 156), welcher von der Verengung (60, 160) bis zu der Ausspritzöffnung (54) verläuft, sich im wesentlichen geradlinig erstreckt und ein stromabwärtiger Endabschnitt des Reinigungsflüssigkeitswegs (58, 158) sich unter einem Winkel (α) von 45 bis 90° zu dem Druckgasweg (56, 156) erstreckt.
  6. Reinigungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, worin die Reinigungsflüssigkeit deionisiertes Wasser ist.
  7. Reinigungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, worin das Druckgas komprimierte Luft bzw. Druckluft ist.
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Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60113770T2 (de) * 2000-06-30 2006-06-08 Shibuya Kogyo Co., Ltd., Kanazawa Reinigungsdüse und Reinigungsgerät
US6951221B2 (en) * 2000-09-22 2005-10-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US6705331B2 (en) * 2000-11-20 2004-03-16 Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. Substrate cleaning apparatus
IL156978A0 (en) * 2001-01-18 2004-02-08 Watanabe M & Co Ltd Carburetor, various types of devices using the carburetor, and method of vaporization
KR100433453B1 (ko) * 2001-07-03 2004-05-31 주식회사 케이씨텍 반도체 세정용 버블 제트 샤워 모듈
JP2003145062A (ja) * 2001-11-14 2003-05-20 Mitsubishi Electric Corp 洗浄用２流体ジェットノズル、洗浄装置およびこれらを用いた半導体装置の製造方法
JP3822135B2 (ja) * 2002-05-13 2006-09-13 日本パイオニクス株式会社 気化供給装置
US6702202B1 (en) * 2002-06-28 2004-03-09 Lam Research Corporation Method and apparatus for fluid delivery to a backside of a substrate
KR100641026B1 (ko) * 2002-12-03 2006-11-02 주식회사 케이씨텍 슬릿형 노즐을 가지는 혼합 유체 분사 기구
US7176144B1 (en) 2003-03-31 2007-02-13 Novellus Systems, Inc. Plasma detemplating and silanol capping of porous dielectric films
US7241704B1 (en) 2003-03-31 2007-07-10 Novellus Systems, Inc. Methods for producing low stress porous low-k dielectric materials using precursors with organic functional groups
US7208389B1 (en) * 2003-03-31 2007-04-24 Novellus Systems, Inc. Method of porogen removal from porous low-k films using UV radiation
US7265061B1 (en) 2003-05-09 2007-09-04 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for UV exposure of low dielectric constant materials for porogen removal and improved mechanical properties
JP2005051094A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP2005072195A (ja) * 2003-08-22 2005-03-17 Watanabe Shoko:Kk 気化器用分散器、この気化器用分散器を用いたｍｏｃｖｄ用気化器、及びキャリアガスの気化方法
DE20321548U1 (de) * 2003-09-19 2007-11-29 Gallus Druckmaschinen Gmbh Rotationsdruckmaschine
ATE384190T1 (de) * 2003-10-21 2008-02-15 Shell Int Research Düseneinheit und verfahren zum ausheben eines lochs in ein objekt
US7390537B1 (en) 2003-11-20 2008-06-24 Novellus Systems, Inc. Methods for producing low-k CDO films with low residual stress
US7094713B1 (en) 2004-03-11 2006-08-22 Novellus Systems, Inc. Methods for improving the cracking resistance of low-k dielectric materials
US7341761B1 (en) 2004-03-11 2008-03-11 Novellus Systems, Inc. Methods for producing low-k CDO films
US7381662B1 (en) 2004-03-11 2008-06-03 Novellus Systems, Inc. Methods for improving the cracking resistance of low-k dielectric materials
US7781351B1 (en) 2004-04-07 2010-08-24 Novellus Systems, Inc. Methods for producing low-k carbon doped oxide films with low residual stress
US7253125B1 (en) 2004-04-16 2007-08-07 Novellus Systems, Inc. Method to improve mechanical strength of low-k dielectric film using modulated UV exposure
US7622400B1 (en) 2004-05-18 2009-11-24 Novellus Systems, Inc. Method for improving mechanical properties of low dielectric constant materials
US7326444B1 (en) 2004-09-14 2008-02-05 Novellus Systems, Inc. Methods for improving integration performance of low stress CDO films
US9659769B1 (en) 2004-10-22 2017-05-23 Novellus Systems, Inc. Tensile dielectric films using UV curing
US7790633B1 (en) 2004-10-26 2010-09-07 Novellus Systems, Inc. Sequential deposition/anneal film densification method
US7695765B1 (en) 2004-11-12 2010-04-13 Novellus Systems, Inc. Methods for producing low-stress carbon-doped oxide films with improved integration properties
KR100568873B1 (ko) * 2004-11-30 2006-04-10 삼성전자주식회사 웨이퍼의 에지 비드 스트립용 노즐장치
US7166531B1 (en) 2005-01-31 2007-01-23 Novellus Systems, Inc. VLSI fabrication processes for introducing pores into dielectric materials
US7510982B1 (en) 2005-01-31 2009-03-31 Novellus Systems, Inc. Creation of porosity in low-k films by photo-disassociation of imbedded nanoparticles
US8889233B1 (en) 2005-04-26 2014-11-18 Novellus Systems, Inc. Method for reducing stress in porous dielectric films
US8454750B1 (en) 2005-04-26 2013-06-04 Novellus Systems, Inc. Multi-station sequential curing of dielectric films
US8282768B1 (en) 2005-04-26 2012-10-09 Novellus Systems, Inc. Purging of porogen from UV cure chamber
US8137465B1 (en) 2005-04-26 2012-03-20 Novellus Systems, Inc. Single-chamber sequential curing of semiconductor wafers
US8980769B1 (en) 2005-04-26 2015-03-17 Novellus Systems, Inc. Multi-station sequential curing of dielectric films
JP4813855B2 (ja) * 2005-09-12 2011-11-09 株式会社ディスコ 切削装置および加工方法
US7892985B1 (en) 2005-11-15 2011-02-22 Novellus Systems, Inc. Method for porogen removal and mechanical strength enhancement of low-k carbon doped silicon oxide using low thermal budget microwave curing
US7381644B1 (en) 2005-12-23 2008-06-03 Novellus Systems, Inc. Pulsed PECVD method for modulating hydrogen content in hard mask
US8110493B1 (en) 2005-12-23 2012-02-07 Novellus Systems, Inc. Pulsed PECVD method for modulating hydrogen content in hard mask
US7923376B1 (en) 2006-03-30 2011-04-12 Novellus Systems, Inc. Method of reducing defects in PECVD TEOS films
US7851232B2 (en) * 2006-10-30 2010-12-14 Novellus Systems, Inc. UV treatment for carbon-containing low-k dielectric repair in semiconductor processing
US8465991B2 (en) * 2006-10-30 2013-06-18 Novellus Systems, Inc. Carbon containing low-k dielectric constant recovery using UV treatment
US10037905B2 (en) 2009-11-12 2018-07-31 Novellus Systems, Inc. UV and reducing treatment for K recovery and surface clean in semiconductor processing
US7906174B1 (en) 2006-12-07 2011-03-15 Novellus Systems, Inc. PECVD methods for producing ultra low-k dielectric films using UV treatment
US8242028B1 (en) 2007-04-03 2012-08-14 Novellus Systems, Inc. UV treatment of etch stop and hard mask films for selectivity and hermeticity enhancement
JP2008270627A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Rix Corp ダイシング装置およびダイシング方法
US7622162B1 (en) 2007-06-07 2009-11-24 Novellus Systems, Inc. UV treatment of STI films for increasing tensile stress
US8211510B1 (en) 2007-08-31 2012-07-03 Novellus Systems, Inc. Cascaded cure approach to fabricate highly tensile silicon nitride films
JP2009071235A (ja) * 2007-09-18 2009-04-02 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP2009111211A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
MY157402A (en) * 2008-02-21 2016-06-15 Unilever Plc A process and a device to clean substrates
JP2009285799A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
KR100874128B1 (ko) 2008-09-09 2008-12-15 주식회사 이포스 랩핑장치용 오토 플레이트 클리너
US9050623B1 (en) 2008-09-12 2015-06-09 Novellus Systems, Inc. Progressive UV cure
KR101007688B1 (ko) 2008-11-18 2011-01-13 세메스 주식회사 세정액을 분사하기 위한 노즐 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
JP2010123823A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
ES2543387T3 (es) 2009-08-19 2015-08-18 Unilever N.V. Un proceso para limpiar superficies duras
CA2770083A1 (en) 2009-08-19 2011-02-24 Kirtan Shravan Kamkar A process and a device to clean substrates
CA2769374A1 (en) 2009-08-19 2011-02-24 Unilever Plc A process for cleaning teeth
JP5758111B2 (ja) * 2010-12-02 2015-08-05 株式会社ディスコ 切削装置
CN102240694A (zh) * 2011-05-09 2011-11-16 新兴铸管股份有限公司 一种清理挤压态高端钢管内外壁玻璃粉的方法
JP5769605B2 (ja) * 2011-12-02 2015-08-26 株式会社ディスコ 切削装置
JP6242162B2 (ja) * 2013-11-05 2017-12-06 株式会社ディスコ 切削装置及び切削方法
JP6317941B2 (ja) 2014-02-07 2018-04-25 株式会社ディスコ 切削装置
JP2016157738A (ja) * 2015-02-23 2016-09-01 株式会社ディスコ 洗浄装置
JP2016159376A (ja) * 2015-02-27 2016-09-05 株式会社ディスコ 切削装置
KR101704494B1 (ko) * 2015-05-26 2017-02-09 주식회사 케이씨텍 고속 유체 분사 노즐 및 이를 이용한 기판 처리 장치
US9847221B1 (en) 2016-09-29 2017-12-19 Lam Research Corporation Low temperature formation of high quality silicon oxide films in semiconductor device manufacturing
CN111633833B (zh) * 2020-06-09 2022-03-29 广东龙美达建材有限公司 一种超高压石材水喷射切割机
CN111921955B (zh) * 2020-08-10 2021-12-10 哈尔滨工业大学 一种风刀装置
JP7355422B1 (ja) 2022-11-02 2023-10-03 株式会社塩 流体混合出力装置及びそれを用いる流体利用装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3577808A (en) * 1968-12-23 1971-05-04 Boeing Co Sub-zero cutting fluid generator
US4787404A (en) * 1987-06-12 1988-11-29 International Business Machines Corporation Low flow rate-low pressure atomizer device
DE19740996A1 (de) * 1996-12-02 1998-06-04 Mitsubishi Electric Corp Zweifluid-Reinigungsstrahldüse sowie Reinigungsvorrichtung und Anwendungsverfahren dafür

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3469145D1 (en) * 1984-08-14 1988-03-10 Johan Szucs Stone and metal cleaning system
US4666083A (en) * 1985-11-21 1987-05-19 Fluidyne Corporation Process and apparatus for generating particulate containing fluid jets
US4815241A (en) * 1986-11-24 1989-03-28 Whitemetal Inc. Wet jet blast nozzle
DE4225590C2 (de) * 1992-08-03 1995-04-27 Johann Szuecs Vorrichtung für die Behandlung von empfindlichen Oberflächen, insbesondere von Skulpturen

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3577808A (en) * 1968-12-23 1971-05-04 Boeing Co Sub-zero cutting fluid generator
US4787404A (en) * 1987-06-12 1988-11-29 International Business Machines Corporation Low flow rate-low pressure atomizer device
DE19740996A1 (de) * 1996-12-02 1998-06-04 Mitsubishi Electric Corp Zweifluid-Reinigungsstrahldüse sowie Reinigungsvorrichtung und Anwendungsverfahren dafür

Also Published As

Publication number Publication date
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