DE4139465C2 - Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Halbleiterplättchen - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vor­ richtung zum Reinigen von Halb­ leiterplättchen sowie zur Reinigung von Substraten, wie Glas- oder Schei­ bensubstraten.

Zum Stand der Technik zeigt die beigefügte Fig. 5 eine schema­ tische Schnittdarstellung einer herkömmlichen Vorrichtung zur Reinigung von Halbleiterplättchen (Wafern). Bei dieser Vorrichtung wird eine Eiserzeugungsanlage 1 zur Herstellung von Mikro-Eispartikel 4 mit einem Kältemittel, wie flüssigem Stickstoff 2, gespeist, und an diese Anlage ist eine Sprühdüse 3 angeschlossen, die ultrareines Wasser in Mikropartikeln einsprüht. Die Eiserzeugungsanlage 1 ist mit einer (nicht dargestellten) Wärmeisolierung abgedeckt. In einer Reinigungskammer 10, in der ein Wafer od. dgl. gerei­ nigt wird, wird dieser Wafer 7 mittels eines Wafer-Haltearms 6 getragen. Das von dem Arm 6 getragene Wafer 7 kann mittels einer Transporteinrichtung 8 bewegt werden. Die in der Eis­ erzeugungsanlage 1 hergestellten Mikro-Eispartikel 4 werden durch eine innenseitig der Reinigungskammer 10 vor­ gesehene Einspritzdüse 5 injiziert. Ferner ist innerhalb der Reinigungskammer 10 auch eine Antriebseinrichtung 10 unterge­ bracht, um die Orte und die Winkel der Einspritzdüse 5 ein­ zuregeln. Am Bodenbereich der Reinigungskammer 10 ist ein Absaugegebläse 9, um die Kammer 10 zu entleeren, angeordnet.

Bei der herkömmlichen Reinigungsvorrichtung mit dem vorste­ hend beschriebenen Aufbau wird das Innere der Eiserzeugungs­ anlage 1 durch Verdampfen des in diese eingespeisten flüssi­ gen Stickstoffs 2 abgekühlt. Nach ausreichender Abkühlung wird ultrareines Wasser durch die Sprühdüse 3 in die Anlage 1 eingesprüht, was Mikro-Eispartikel 4 zum Ergebnis hat, die zusammen mit dem Stickstoffgas durch einen Emis­ sionseffekt der Einspritzdüse 5 zugeführt werden. Diese Ein­ spritzdüse 5 injiziert ein Mischfluid aus Eispartikeln und Stickstoffgas zu dem durch den Haltearm 6 getragenen Wafer 7 hin, wodurch dessen beide Flächen gereinigt werden.

Da die Mikro-Eispartikel 4 zusammen mit dem Stickstoff­ gas als Trägergas eingespritzt werden, prallt der Düsenstrahl, der auf die Innenwand der Reinigungskammer 10 trifft, nach oben zurück. Um dieses aufwärts gerichtete Rückprallen zu verhindern, wird eine Abwärtsströmung durch die Luft erzeugt, die vom oberen Teil der Reinigungskammer angesaugt wird, da diese Kammer durch das Absaugegebläse 9 von ihrem Bodenteil her entleert oder abgesaugt wird.

Bei einer derartigen Vorrichtung muß die Reinigungskammer 10 ziemlich groß ausgebildet werden, da sie zur Aufnahme der Einspritzdüse 5 und deren Antriebseinrichtung 13 vorge­ sehen ist. Auch muß das Absaugegebläse 9 eine große Förder­ leistung haben, weil die Strahlströmung von der Einspritzdü­ se 5 gänzlich und vollkommen in einen (nicht dargestellten) Absaugekanal eingesaugt werden muß. Deshalb wird die Vorrich­ tung unvermeidbar groß und erfordert erhebliche Betriebs­ kosten. Wenn die Förderleistung des Absaugegebläses 9 ver­ mindert wird, so wird die Strahlströmung nicht in ausrei­ chendem Maß in den Absaugekanal gesogen und trifft auf die Innenwand der Reinigungskammer 10A, was in dem aufwärts gerich­ teten Rückprallen resultiert. In der Turbulenzströmung mit­ geführter Staub kann sich insofern leicht auf den bereits gereinigten Flächen des Wafers 7 niederlassen.

Aus der nichtvorveröffentlichten DE 4 12 519 A1 ist eine Reinigungsvorrichtung für Halbleiterplättchen oder Wafer bekannt. Bei dieser Reinigungsvorrichtung wird ein Wafer in einer Reinigungskammer gehaltene und wird mit einem von Mikro-Eispartikeln durchsetzten schnellen Gasstrahl gereinigt. Ein mit von dem Wafer abprallenden Partikeln vermischter Gasstrom wird durch eine Platte mit in abwärtiger Richtung kegelförmig verengten Bohrungen in eine Absaugekammer geleitet und von einem Abzugsgebläse abgesaugt. Die Absaugekammer ist in seitlicher Richtung erweitert und mit gekrümmten Luftleitblechen versehen, um eine Rückströmung des partikelbeladenen Gasstroms in Richtung auf den Wafer zu verhindern. Eine längs der Wandungen der Absaugekammer aufsteigende Kriechströmung wird von den Leitblechen umgelenkt und durch Auslässe abgezogen.

Ein Nachteil dieses Stands der Technik ist, daß ein hoher Gasdurchsatz des Absaugegebläses bei einem hohen Strömungs­ widerstand im Absaugestrom erforderlich ist, um eine Rückströmung des Reinigungsstrahls auf den Wafer zuverlässig zu vermeiden.

Ferner ist aus der DE 39 37 221 A1 eine Reinigungsvorrichtung für Festkörperoberflächen bekannt, in der Mikro- Eispartikel von einer Strahldüse auf die zu reinigende Oberfläche des in einer Strahlsprühkammer gehaltenen Festkörpers geschleudert werden. Der von der Festkörperoberfläche abprallende Strahl wird von einem Luftstrom, der von einem Abzugsgebläse erzeugt wird, aufgenommen und durch eine Auslaßleitung am unteren Ende der Strahlsprühkammer abgezogen. Die beschriebene Reinigungsvorrichtung hat, wie die i.V.m. der Fig. 5 beschriebene Vorrichtung, lediglich einen Auslaß für den gesamten abzuziehenden Gasstrom, so daß eine Wiederverschmutzung der gereinigten Festkörperoberfläche nur mittels eines starken Abgasstroms sicher verhindert werden kann.

Des weiteren ist aus der JP 58 101 722 A2 ein Staubabscheider zum Abscheiden von Partikeln aus einem Abgasstrom bekannt. Darin wird ein staubbeladener Abgasstrom seitlich in einen Abscheidebehälter eingeführt und über eine zur Zuführleitung rechtwinklig angeordnete, senkrecht nach oben verlaufende Abzugsleitung aus dem Abscheidebehälter abgezogen. Der staubbeladene Abgasstrom wird durch die Querschnittserweiterung in der Abscheidekammer verlangsamt, und in Richtung auf die Abzugsleitung umgelenkt, so daß der Staub aus dem Gasstrom abgeschieden wird. Auch dieser Abscheider hat nur einen Auslaß für den gesamten Gasstrom, so daß auch hier die vorgenannten Nachteile auftreten.

Schließlich zeigt die JP 61-160 933 A2 eine Vorrichtung in der ein mit Tröpfchen beladener Gasstrom durch eine Auslaßleitung abgesaugt wird. Die Trennung der Tröpfchen von dem Gasstrom erfolgt in einer Tropfenfalle durch mehrfaches Umlenken des Gasstroms. Die abgetrennten Tröpfchen werden durch eine Abflußleitung abgeführt, wobei ein siphonförmiger Leitungsabschnitt eine Flüssigkeitssäule aufrechterhält, welche die Abflußleitung gasdicht gegen die Vorrichtung abschließt. Der abgetrennte Gasstrom wird über eine Drosseleinrichtung und eine Abgasleitung abgezogen. Auch diese herkömmliche Vorrichtung hat die vorgenannten Nachteile.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Reinigung von Halbleiterplättchen und eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens vorzuschlagen, bei dem ein Wiederverschmutzen des Halbleiterplättchens bei geringen Betriebskosten sicher verhindert ist.

Die Aufgabe wird hinsichtlich des Verfahrens mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1, und hinsichtlich der Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 2 gelöst.

Der Erfindungsgegenstand wird unter Bezugnahme auf die beige­ fügten Zeichnungen anhand einer Ausführungsform gemäß der Erfindung erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Schnittdarstellung einer Vorrich­ tung zur Reinigung von Wafern in einer erfindungsge­ mäßen Ausführungsform;

Fig. 2 den schematischen Schnitt längs der Linie A-A in der Fig. 1;

Fig. 3 eine perspektivische Ansicht einer Strömungsleit­ platte;

Fig. 4 eine perspektivische Ansicht einer Trennplatte;

Fig. 5 eine schematische Schnittdarstellung einer her­ kömmlichen Vorrichtung zur Reinigung von Wafern.

Gemäß Fig. 1 hat eine Reinigungskammer 10A einen breiten, rechteckigen Querschnitt, um ein zu reinigendes Objekt, z. B. einen Wafer 7, aufzunehmen.

Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung sind die meisten Teile der Einspritzdüse 5, ausgenommen deren Mundstück, außerhalb der Reinigungskammer an deren längerer Seite angeordnet. Ferner befindet sich außenseitig der Reinigungskammer 10A eine Antriebseinrichtung 13 für die Einspritzdüse 5, welche durch eine mit einer Abströmöffnung 14a versehene. Haube 20 abgedeckt ist. An ihrem oberen Ende ist die Kammer 10A mit einer glockenförmig ausgestalteten ausgekelchten Öffnung 16 versehen, die ein Abbrechen von an der Fläche des oberen Endabschnitts der Kammer 10A gebildetem Eis verhindert.

In der Reinigungskammer 10A ist eine Strömungsleitplatte 15 aufgenommen, die einen aufwärtigen Rückprall des Strahlstroms von der Einspritzdüse 5 verhindert. Wie die Fig. 3 zeigt, sind abwärts gerichtete Teile der Strömungsleitplatte 15 gekrümmt und nach unten konvergierend zum Zentrum der Kammer 10A hin ausgestaltet, wobei die Leitplatte 15 in ihrem Boden­ teil mit einer Durchtrittsöffnung 15a versehen ist. Den Fig. 1 und 2 ist zu entnehmen, daß die Seitenwände der Reinigungs­ kammer 10A mit Auslässen 14 versehen sind, die in der Strö­ mungsleitplatte 15 nicht vorhanden sind. Ferner sind in der Kammer 10A, wie die Fig. 2 zeigt, Leitplatten 12 unterhalb der Auslässe 14 angeordnet, um den Strahlstrom zum Hauptauslaß hin zu lenken.

Ein unterer Teil der Reinigungskammer 10A ist mit einer Ab­ saugekammer 11 ausgestattet, die den durch das Injizieren der Mikro-Eispartikel 4 hervorgerufe­ nen Strahlstrom verlangsamt. Am oberen Bereich der Absauge­ kammer 11 ist ein Hilfsauslaß 19 angeschlossen. Die Reini­ gungskammer 10A ist von der Absaugekammer 11 durch eine Trennplatte 17 (s. Fig. 4) abgeteilt, die einen Durchtritt 21 in ihrem mittigen Teil besitzt, so daß zwischen den bei­ den Kammern 10A und 11 eine Verbindung besteht. Am Boden der Reinigungskammer 10A ist ein Hauptauslaß 18 mit einem Drosselorgan 22 angeschlossen. Der Haupt- und der Hilfsauslaß 18 sowie 19 sind mit dem Absaugebläse 9 verbunden.

In einer Vorrichtung mit dem oben beschriebenen Aufbau wer­ den in der Eiserzeugungsanlage 1 Mikro-Eispartikel 4 produziert. Durch Aufschleudern oder Aufstrahlen der Mikro-Eispartikel 4 von der Einspritz­ düse 5 aus auf den Wafer 7 werden beide Flächen des Wafers 7 gereinigt.

Da die Einspritzdüse 5 und die Antriebseinrichtungen 13 zu deren Einstellung außerhalb der Reinigungskammer 10A angeord­ net sind, kann diese in ihren Größenabmessungen vermindert werden. Dadurch kann auch ein kleineres Absaugegebläse zur Anwendung kommen, wodurch die Betriebskosten gesenkt werden. Weil darüber hinaus die Einspritzdüse 5 mit der eine Ab­ strömöffnung 14a besitzenden Haube 20 abgedeckt ist, bleibt Staub von der Antriebseinrichtung 13, der in die Haube 20 durch die zwischen diesen Bauteilen bestehende mechanische Verbindung eintreten kann, nicht in der Haube 20 liegen, son­ dern wird durch die Abströmöffnung 14a nach außen abgeführt. Insofern kann Staub von der Antriebseinrichtung kaum in die Reinigungskammer 10A eintreten und sich auf dem Wafer 7 ab­ setzen.

Ferner verhindert die glockenförmig ausgestaltete Öffnung 16 am oberen Ende der Reinigungskammer 10A ein Abbrechen von an diesem oberen Kantenbereich gebildetem Eis und trägt dazu bei, eine ungehinderte, glatte Abwärtsströmung hervorzuru­ fen. Insofern trägt diese Öffnung dazu bei, Turbulenzen des Strahlstroms, z. B. den aufwärts gerichteten Rückprall, die bei herkömmlichen Vorrichtungen mit hoher Wahrscheinlichkeit durch das Einsprühen oder Injizieren der Mikro-Eispartikel 4 auf­ treten, zu unterbinden. Deshalb werden Staub oder ähnliche Schmutzteilchen nicht in der Reinigungskammer 10A verblei­ ben, noch sich auf dem gereinigten Halbleiterplättchen 7 absetzen oder niederschlagen
Die Strömungsleitplatte 15 lenkt ferner den erzeugten Strahl­ strom stetig und gleichförmig abwärts zu einem unteren Bereich der Reinigungskammer 10A. Diese Strömungsleitplatte 15 verhin­ dert aber auch eine weitere Aufwärtsbewegung des aufwärts gerichteten Rückpralls und bringt diese Rückprallströmung zu einem Austreten durch die Auslässe 14 hindurch. Die bei­ den im unteren Bereich der Kammer 10A vorgesehenen Haupt- und Hilfsauslässe 18, 19 führen zu einem Entleeren oder Ab­ saugen der Kammer 10A. Somit wird der aufwärts gerichtete Rückprall, der dann auftritt, wenn der Strahlstrom von der Einspritzdüse 5 auf einen unteren Teil der Kammer 10A trifft oder schlägt, verhindert oder blockiert. Insofern besteht kaum die Möglichkeit, daß durch die aufwärtige Rückprallströ­ mung des Strahlstroms mitgeführter Staub od. dgl. den gerei­ nigten Wafer 7 erreichen wird.

Des weiteren lenken eine Mehrzahl von Leitplatten 12, die im unteren Teil der Reinigungskammer 10A vorhanden sind, den aus dem Einspritzen rührenden Strahlstrom ruhig und glatt zum Hauptauslaß 18, ohne ein Zurückwerfen oder Abreißen des Strahlstroms herbeizuführen. Da die mit dem Hilfsauslaß 19 versehene Absaugekammer 11 seitlich der Leitplatten 12 vor­ gesehen und von diesen durch die einen Durchtritt 21 besitzen­ de Trennplatte 17 abgeteilt ist, wird ein Teil des Strahl­ stroms langsam durch den Durchtritt 21 in die Absaugekammer 11 zum Austreten gebracht, so daß der Strahlstrom verlang­ samt wird, um durch den Hauptauslaß 18 mit Hilfe des Ab­ saugegebläses 9 wirksam abgezogen zu werden. Durch vorheri­ ges Einstellen der Durchströmungsmenge des Hauptauslasses 18 mit Hilfe des Drosselorgans 22 können in gut ausgegliche­ ner Weise sowohl eine Reduzierungs- oder Verlangsamungsfunk­ tion des Hilfsauslasses 19 wie auch ein Abzug vom Hauptaus­ laß 18 bewirkt werden. Die Trennplatte 17 hindert den in die Absaugkammer 11 eintretenden Strahlstrom am Zurückströmen in die Reinigungskammer 10A. Das Absaugen durch den Hilfsauslaß 19 trägt auch dazu bei, den aufwärtigen Rückprall zu verhindern, weil die Saugkraft rechtwinklig zum aufwärti­ gen Rückprall, der längs der Innenwand der Reinigungskammer 10A aufsteigt, wirkt. An dem Durchtritt 21 tritt ein aufwär­ tiger Rückprall längs der Innenwand nicht auf.

Wie vorstehend beschrieben wurde, ist eine Vorrichtung zur Reinigung von Wafern so ausgebildet, daß durch die gesamte Reinigungskammer 10A hindurch eine Abwärtsströmung und durch den Haupt- sowie den Hilfsauslaß 18, 19 hindurch eine wirksame Absaugung erzeugt werden, wo­ durch ein aufwärtiger Rückprall des aus dem Einspritzen oder Injizieren hervorgerufenen Strahlstroms an einem Erreichen des Wafers 7 gehindert wird. Die Reinigungskammer 10A kann klein bemessen werden, so daß selbst eine geringe Absaug- Förderleistung in zufriedenstellender und ausreichender Weise das aufwärts gerichtete Rückprallen, wodurch leicht Staub mitgeführt wird, und ein Erreichen des Halbleiterplättchens 7 durch den Rückprall bzw. den Staub unterbunden werden. In­ sofern können Wafer durch die erfindungsgemäße Vorrichtung und das erfindungsgemäße Verfahren gründlicher als im rele­ vanten Stand der Technik gereinigt werden.

Wenngleich bei der beschriebenen Ausführungsform die Haube 20 eine Abströmöffnung 14a hat, so kann diese Haube auch durch eine gelochte, durch Stanzen hergestellte Platte gebildet werden. Eine derartige Haube kann auch noch durch eine Abwärtsströmung in einem Clean-Raum od. dgl. abgesaugt werden, wodurch dieselbe Wirkung wie bei der beschriebenen Ausführungsform erlangt wird.

Gemäß der Erfindung können, mit kurzen Worten ausgedrückt, Halbleiterplättchen noch sauberer als in der einschlägigen Technik gereinigt werden. Das ist darauf zurückzuführen, daß eine mit einem Hilfsauslaß ausgestattete Absaugekammer neben einem unteren Teil der Reinigungskammer vorhanden ist, wo­ bei eine Verbindung zwischen den beiden Kammern besteht, so daß der durch das Injizieren der Mikro-Eispartikel 4 erzeugte Strahlstrom verlangsamt werden kann und dadurch nicht in aufwärtiger Richtung zurückprallt oder, falls das doch geschieht, nicht der Wafer erreichen wird. Durch die klein bemessene Reinigungskammer und die geringe Förderlei­ stung des Absaugegebläses werden der von der Vorrichtung ein­ genommene Raum und die Investitions- sowie Betriebskosten vermindert.

Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Reinigung von Halbleiterplättchen offenbart. Eine mit einem Hilfsauslaß ausgestattet Absaugekammer verlangsamt den durch das Inji­ zieren von Mikro-Eispartikeln erzeugten Strahlstrom und verhindert somit ein aufwärts gerichtetes Rückprallen des Strahlstroms. Im Strahlstrom mitgeführte Staub- und Schmutzpartikel werden somit von einem gereinigten Halblei­ terplättchen ferngehalten, so daß die Halbleiterplättchen gründlicher, als es nach dem Stand der Technik möglich ist, mit einfachen Mitteln gereinigt werden.

Claims (15)

1. Verfahren zum Reinigen eines Halbleiterplättchens (7), bei dem
das Halbleiterplättchen (7) innerhalb und im oberen Anschnitt einer Reinigungskammer (10A) gehalten wird, welche an ihrem Boden einen mit einem Absauggebläse (9) verbundenen Hauptauslaß (18) hat,
das Halbleiterplättchen mit Mikro-Eispartikeln (4) aus im wesentlichen ultrareinem Wasser bestrahlt wird,
der Strahlstrom in einem unteren Bereich der Reinigungskammer (10A), die durch eine quer zur Strömungsrichtung vorgesehene Absaugekammer (11) zur Verlangsamung des Strahlstroms erweitert ist, durch den Hauptauslaß (18) abgesaugt wird,
und ferner ein Teilstrom aus der Absaugekammer (11) durch einen Hilfsauslaß (19) abgesaugt wird, um die Geschwindigkeit des abwärts zum Hauptauslaß (18) gerichteten Strahlstroms weiter zu vermindern, so daß ein aufwärts gerichtetes Zurückprallen von im Strahlstrom mitgeführten Staub- und Schmutzpartikeln verhindert wird.

2. Vorrichtung zur Reinigung von Halbleiterplättchen (7) durch Bestrahlen mit Mikro-Eispartikeln (4) nach dem Verfahren gemäß Anspruch 1, mit einer Reinigungskammer (10A), welche an ihrem Boden einen mit einem Absauggebläse (9) verbundenen Hauptauslaß (18) hat, dadurch gekennzeichnet, daß die Reinigungskammer (10A) im unteren Teil quer zur Strömungsrichtung durch Vorsehen einer Absaugekammer (11) erweitert ist, welche über einen Hilfsauslaß (19) ebenfalls mit dem Absauggebläse (9) verbunden ist, um durch Verlangsamung des abwärts zum Hauptauslaß (18) gerichteten Strahlstroms ein Wiederverschmutzen des Halbleiterplättchens (7) durch ein aufwärts gerichtetes Zurückprallen von im Strahlstrom mitgeführten Staub- und Schmutzpartikel zu vermeiden.

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Mikro-Eispartikel (4) aus ultrareinem Wasser bestehen.

4. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung eine Halteeinrichtung (6) zum Halten des Halbleiterplättchens (7) in der Reinigungskammer (10A) aufweist.

5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung eine die Mikro-Eispartikel (4) in die Reinigungskammer (10A) zum Halbleiterplättchen (7) hin injizierende Einspritzdüse (5) aufweist.

6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung eine die Einspritzdüse (5) betätigende Antriebseinrichtung (13) aufweist, wobei die Antriebseinrichtung und die Einspritzdüse, bis auf deren Mundstück, außerhalb der Reinigungskammer (10A) angeordnet sind.

7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Einspritzdüse (5) von einer Haube (20) abgedeckt ist.

8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Haube (20) eine Abströmöffnung (14a) aufweist.

9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Haube aus einer gelochten Metallplatte besteht.

10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Reinigungskammer (10A) in ihrem oberen Teil unterhalb der Stelle an der das Halbleiterplättchen (7) während des Reinigens gehalten wird eine Strömungsleitplatte (15) enthält, deren unterer Teil nach unten zum Zentrum der Reinigungskammer (10A) hin gekrümmt ist, um den Strahlstrom gleichförmig abwärts zu dem unteren Teil der Reinigungskammer (10A) zu lenken und einen aufwärts gerichteten Rückprall des Strahlstroms weiter zu verhindern.

11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß unmittelbar unterhalb der Strömungsleitplatte (15) in der Seitenwand der Reinigungskammer (10A) ein Auslaß (14) vorgesehen ist, um eine Rückprallströmung abzuführen.

12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der obere Endabschnitt der Reinigungskammer (10A) als glockenförmig ausgekelchte Öffnung (16) ausgebildet ist.

13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Hauptauslaß (18) ein Drosselorgan (22) aufweist.

14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Reinigungskammer (10A) in ihrem unteren Abschnitt eine Leitplatte (12) aufweist, die die Mikro- Eispartikel (4) zum Hauptauslaß (18) leitet.

15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Reinigungskammer (10A) und die Absaugekammer (11) durch eine Trennplatte (17) mit einem Durchtritt (21) voneinander abgeteilt sind.