JPH03167826A - 基板表面の洗浄装置 - Google Patents
基板表面の洗浄装置Info
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- JPH03167826A JPH03167826A JP30670289A JP30670289A JPH03167826A JP H03167826 A JPH03167826 A JP H03167826A JP 30670289 A JP30670289 A JP 30670289A JP 30670289 A JP30670289 A JP 30670289A JP H03167826 A JPH03167826 A JP H03167826A
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野」
この発明は、超微細な氷粒子等の凍結粒子を基板表面に
噴射することにより、基板の洗浄を行う基板表面の洗浄
装置に関するものである。
噴射することにより、基板の洗浄を行う基板表面の洗浄
装置に関するものである。
し従来の技術]
第2図は、従来の基板表面の洗浄装置を示し、断熱材で
囲まれた製氷部(1)内に、液体窒素等の冷媒体(2)
を注入し、スプレーノズル(3)より超純水等の彼凍結
体を微噴霧して微細凍結粒子(4)を得る。こうして得
られた微細凍結粒子(4)は、気体の噴流によるエジェ
クタ一方式によって洗浄槽(7)内に備えた噴射手段(
5)に送られ、半導体等の基板(6)に噴射される。基
板(6)表面上の汚染物は、噴射された微細凍結拉子(
4)の衝突と、低温効果により除去される。微細凍結粒
子(4)が基板(6)に衝突する際、その摩擦によって
基板(6)は−IQKV〜+l(IKVの範囲で帯電さ
れる。洗浄槽(7)上部に取付けられている空気イオン
発生装置(8)は2端子にそれぞれ+,〜の直流高電圧
を印加することにより、周囲空気をイオン化させ基板(
0の静電気を防止するものである。しかし、空気イオン
発生装置(8)からの出力は基板(6〉の帯電量を考慮
して経験的に決めたものであり、実際には±soov程
度の帯電量のばらつきが生じている。
囲まれた製氷部(1)内に、液体窒素等の冷媒体(2)
を注入し、スプレーノズル(3)より超純水等の彼凍結
体を微噴霧して微細凍結粒子(4)を得る。こうして得
られた微細凍結粒子(4)は、気体の噴流によるエジェ
クタ一方式によって洗浄槽(7)内に備えた噴射手段(
5)に送られ、半導体等の基板(6)に噴射される。基
板(6)表面上の汚染物は、噴射された微細凍結拉子(
4)の衝突と、低温効果により除去される。微細凍結粒
子(4)が基板(6)に衝突する際、その摩擦によって
基板(6)は−IQKV〜+l(IKVの範囲で帯電さ
れる。洗浄槽(7)上部に取付けられている空気イオン
発生装置(8)は2端子にそれぞれ+,〜の直流高電圧
を印加することにより、周囲空気をイオン化させ基板(
0の静電気を防止するものである。しかし、空気イオン
発生装置(8)からの出力は基板(6〉の帯電量を考慮
して経験的に決めたものであり、実際には±soov程
度の帯電量のばらつきが生じている。
[発明が解決しようとする課題コ
従来の基仮表面の洗浄装置は、基板の静電気除去対策と
して空気イオン発生装置を用いているが、静電気制御は
行われておらず、±500v程度の帯電が基板に生じて
、一旦基板から除去されたダストや基板周囲のダストを
付着させやすいという問題点があった。
して空気イオン発生装置を用いているが、静電気制御は
行われておらず、±500v程度の帯電が基板に生じて
、一旦基板から除去されたダストや基板周囲のダストを
付着させやすいという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ダストの再付着のない、クリーンな洗浄を行
うことのできる基板表面の洗浄装置を得ることを目的と
する。
たもので、ダストの再付着のない、クリーンな洗浄を行
うことのできる基板表面の洗浄装置を得ることを目的と
する。
[課題を解決するための手段]
この発明に係る基板表面の洗浄装置は、洗浄中に基板の
帯電量を測定し、フィードバック制御により基板の静電
気を除去する静電気制御手段を備える。
帯電量を測定し、フィードバック制御により基板の静電
気を除去する静電気制御手段を備える。
[作 用]
この発明においては、静電気制御手段が、洗浄中の基板
の帯電量を測定し、フィードバック制御により基板の帯
電を±Ovに近づけ、その結果として基板へのダストの
付着を防止する。
の帯電量を測定し、フィードバック制御により基板の帯
電を±Ovに近づけ、その結果として基板へのダストの
付着を防止する。
[実施例]
以下、この発明の一実施例を第1図について説明する。
図において、符号(1)〜(8)は第2図で示したもの
と同一であり、(9)は帯電量測定器で、例えば平行平
板型の静電誘導電位を測定するものである。(10)は
帯電量測定器からの基板の帯電量の信号をフィードバッ
クし空気イオン発生装置(8)の出力の制御を行う制御
である。(U)は静電気制御手段で、空気イオン発生装
置(8)、帯電量測定器(9)、制御部ク10)より構
或されている。
と同一であり、(9)は帯電量測定器で、例えば平行平
板型の静電誘導電位を測定するものである。(10)は
帯電量測定器からの基板の帯電量の信号をフィードバッ
クし空気イオン発生装置(8)の出力の制御を行う制御
である。(U)は静電気制御手段で、空気イオン発生装
置(8)、帯電量測定器(9)、制御部ク10)より構
或されている。
次に動作について説明する。微細凍結粒子(4)を生成
し、凍結粒子噴射手段(5)によって基板(6)に噴射
するまでは前述の従来の技術と同様である。これに加え
て、洗浄中、つまり微細凍結粒子(4)が基板(6)に
噴射している間、帯電量測定器(9)は常に基板(6)
の帯電量を測定し、その値を制御部(10)へ信号とし
て送る。制御部(10)はその信号を基にして空気イオ
ン発生器(8)の出力を制御して基板(6)の静電気を
±Ovに近づけるように働く。帯″iilili測定器
(9)は、例えば基板(6)と平行に平板を置き、基板
(6)から誘導される平板の誘導電位を測定するもので
ある。
し、凍結粒子噴射手段(5)によって基板(6)に噴射
するまでは前述の従来の技術と同様である。これに加え
て、洗浄中、つまり微細凍結粒子(4)が基板(6)に
噴射している間、帯電量測定器(9)は常に基板(6)
の帯電量を測定し、その値を制御部(10)へ信号とし
て送る。制御部(10)はその信号を基にして空気イオ
ン発生器(8)の出力を制御して基板(6)の静電気を
±Ovに近づけるように働く。帯″iilili測定器
(9)は、例えば基板(6)と平行に平板を置き、基板
(6)から誘導される平板の誘導電位を測定するもので
ある。
[発明の効果]
以上のように、この発明によれば、静電気制御手段を装
置内に設けたことにより、洗浄中の基板の静電気を除去
し、ダストが基板に付着するのを防いで、高洗浄を行う
ことができるという効果がある。
置内に設けたことにより、洗浄中の基板の静電気を除去
し、ダストが基板に付着するのを防いで、高洗浄を行う
ことができるという効果がある。
第1図はこの発明の一実施例の概略立断面図、第2図は
従来の基板表面の洗浄装置の概略立断面図である。 (4)・・微細凍結粒子、(5)・・凍結粒子噴射手段
、(6)・・基板、(7)・・洗浄槽、(8)・・空気
イオン発生装置、(9)・・帯?!it測定器、(IO
)・・制御部、(II)・・静電気制御手段。 なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
従来の基板表面の洗浄装置の概略立断面図である。 (4)・・微細凍結粒子、(5)・・凍結粒子噴射手段
、(6)・・基板、(7)・・洗浄槽、(8)・・空気
イオン発生装置、(9)・・帯?!it測定器、(IO
)・・制御部、(II)・・静電気制御手段。 なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 純水より製氷した超微細な氷粒子を基板表面に噴射す
ることにより洗浄を行う基板表面の洗浄装置において、
前記洗浄中に前記基板の帯電量を測定しフィードバック
制御により前記基板の静電気を除去する静電気制御手段
を備えてなることを特徴とする基板表面の洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30670289A JPH03167826A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 基板表面の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30670289A JPH03167826A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 基板表面の洗浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03167826A true JPH03167826A (ja) | 1991-07-19 |
Family
ID=17960280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30670289A Pending JPH03167826A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 基板表面の洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03167826A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5196034A (en) * | 1990-07-31 | 1993-03-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
US5217925A (en) * | 1990-11-30 | 1993-06-08 | Taiyo Sanso Co., Ltd. | Apparatus and method for cleaning semiconductor wafers |
US5873380A (en) * | 1994-03-03 | 1999-02-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wafer cleaning apparatus |
JP2007317463A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 除電装置、除電方法および該除電装置を備えた基板処理装置 |
-
1989
- 1989-11-28 JP JP30670289A patent/JPH03167826A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5196034A (en) * | 1990-07-31 | 1993-03-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
US5217925A (en) * | 1990-11-30 | 1993-06-08 | Taiyo Sanso Co., Ltd. | Apparatus and method for cleaning semiconductor wafers |
US5873380A (en) * | 1994-03-03 | 1999-02-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wafer cleaning apparatus |
JP2007317463A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 除電装置、除電方法および該除電装置を備えた基板処理装置 |
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