JP2003236754A - ブラスト方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 優れたブラスト処理効果を得ることができ、
かつコスト低減を図ることができるブラスト方法および
装置を提供する。 【解決手段】 ショット材Ｓを供給するショット材供給
系１と、ショット材Ｓを噴射する噴射ノズル２と、加速
用ガスＧを噴射ノズル２に供給する加速用ガス供給系１
１と、被ブラスト物Ｍを洗浄処理する洗浄部２１と、洗
浄部２１内のガスをイオン化するイオナイザ２４とを備
えたブラスト装置１０を用い、窒素ガスＧNと、希ガス
であるアルゴンガスＧArとの混合ガスを加速用ガスＧと
して洗浄部２１に供給し、加速用ガスＧをイオナイザ２
４でイオン化し、このイオン化混合ガス雰囲気下でショ
ット材Ｓの噴射を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被ブラスト物にシ
ョット材を噴射し、被ブラスト物から付着物や不要物を
除去するブラスト方法および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】金属表面の研磨、鋳物やプラスチック製
品等のバリ取り、半導体ウエハ等の精密部品の洗浄等に
おいて、ショット材を用いたブラスト方法が用いられて
いる。このブラスト方法では、ショット材を加速用ガス
とともに噴射し、被ブラスト物に衝突させることにより
ブラスト（洗浄等）を行う。ショット材としては、スノ
ー状ドライアイス、ペレット状ドライアイス、樹脂片、
砂、重曹、ガラス製や金属製の粉粒体等が用いられてい
る。加速用ガスは、ショット材の種類に応じて適宜選択
されるが、窒素ガス等の不活性ガスや圧縮空気を使用す
るのが一般的である。

【０００３】特にスノー状、ペレット状などのドライア
イスをショット材として用いる場合には、ショット材が
使用後昇華するため、被ブラスト物がショット材により
汚染されることが無く、取り扱いが容易となる利点があ
る。そのため、ドライアイスをショット材として用いた
ブラスト方法は、液晶用ガラス基板、複写機のリサイク
ル部品、半導体ウエハ、電気・電子部品、ＭＲヘッド、
プラスチック成形品、精密部品等に付着した有機物、
酸、炭水化物、パーティクル等の除去、バリ除去など、
広範囲の分野において用いられている。

【０００４】しかしながら、上記ブラスト方法では、配
管や噴射ノズルとショット材との摩擦により静電気が発
生することがあった。またショット材が被ブラスト物に
衝突した時や、被ブラスト物から離れる時などにおいて
静電気が発生することがあった。静電気が発生した場合
には、ブラスト時に被ブラスト物から剥離した塵埃、シ
ョット材などが帯電し、これらが被ブラスト物やブラス
ト処理室内壁に付着してブラスト効果（洗浄効果等）を
損なうことがあった。

【０００５】特開２０００−６０２７号公報には、この
ような不都合を解決し、静電気を除去することができる
ブラスト方法が提案されている。この公報に開示された
ブラスト方法では、内面を導電体で構成したブラスト処
理室を用い、この導電体をアースした状態でブラスト処
理を行う。この方法では、帯電したショット材や塵埃が
処理室内壁面との接触により直ちに除電され、自重によ
り直ちに落下して、集塵装置等の回収装置に効率よく回
収される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ブ
ラスト方法では、処理室内に浮遊するショット材や塵埃
等を除電することができないため、この浮遊物を原因と
してブラスト処理（洗浄等）が不十分となることがあっ
た。また、被ブラスト物が不導電体の場合には、被ブラ
スト物の電荷を除去しにくくなる不都合があった。ま
た、静電気によって発生する電荷は、常に正（プラス）
と負（マイナス）のうちいずれか一方となるわけでな
く、条件によってはプラスの電荷が発生したり、逆にマ
イナスの電荷が発生する。このため、塵埃が、被ブラス
ト物の電荷に対し逆の電荷をもつ場合には、塵埃が被ブ
ラスト物に付着しやすくなることがあった。また、被ブ
ラスト物がブラスト処理される前から帯電している場合
には、その電荷を除くことができず、塵埃が被ブラスト
物に付着しやすくなる問題があった。さらには、ブラス
ト処理室を導電体を用いて構成することが必要となるた
め、設備コストがかさむ不都合があった。

【０００７】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
優れたブラスト処理効果を得ることができ、かつコスト
低減を図ることができるブラスト方法および装置を提供
することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明のブラスト方法
は、窒素ガス、希ガス、およびこれら以外のガスのうち
少なくとも２種類を含む混合ガスをイオン化し、このイ
オン化混合ガス雰囲気下でショット材の噴射を行うこと
を特徴とする。本発明では、混合ガスを構成する少なく
とも２種類のガスの濃度のうち、少なくとも１種類の濃
度を５ｖｏｌ％以上とするのが好ましい。

【０００９】本発明のブラスト装置は、ショット材を供
給するショット材供給系と、ショット材を噴射する噴射
ノズルと、ショット材を加速させる加速用ガスを噴射ノ
ズルに供給する加速用ガス供給系と、噴射ノズルから噴
射されたショット材によって被ブラスト物をブラスト処
理するブラスト部と、ブラスト部内のガスをイオン化す
るイオン化手段とを備え、加速用ガス供給系が、窒素ガ
ス、希ガス、およびこれら以外のガスのうち少なくとも
２種類を含む混合ガスを加速用ガスとして供給できるよ
うにされていることを特徴とする。本発明のブラスト装
置は、ショット材を供給するショット材供給系と、ショ
ット材を噴射する噴射ノズルと、ショット材を加速させ
る加速用ガスを噴射ノズルに供給する加速用ガス供給系
と、噴射ノズルから噴射されたショット材によって被ブ
ラスト物をブラスト処理するブラスト部と、加速用ガス
をイオン化するイオン化手段とを備え、加速用ガス供給
系が、窒素ガス、希ガス、およびこれら以外のガスのう
ち少なくとも２種類を含む混合ガスを加速用ガスとして
供給できるようにされている構成とすることができる。
本発明のブラスト装置は、ショット材を供給するショッ
ト材供給系と、ショット材を噴射する噴射ノズルと、シ
ョット材を加速させる第１ガスを加速用ガスとして噴射
ノズルに供給する加速用ガス供給系と、噴射ノズルから
噴射されたショット材によって被ブラスト物をブラスト
処理するブラスト部と、第２ガスをブラスト部に供給す
る第２ガス供給系と、ブラスト部内のガスをイオン化す
るイオン化手段とを備え、第１ガスが、窒素ガス、希ガ
ス、およびこれら以外のガスのうち少なくとも１種類を
含み、第２ガスが、窒素ガス、希ガス、およびこれら以
外のガスのうち少なくとも１種類を含み、かつ第１ガス
と異なるガスである構成とすることができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】図１は本発明のブラスト装置の第
１の実施形態を示すものである。このブラスト装置１０
は、ショット材Ｓ（スノー状ドライアイスＴs）を供給
するショット材供給系１と、ショット材Ｓを噴射する噴
射ノズル２と、ショット材Ｓを加速させる加速用ガスＧ
を噴射ノズル２に供給する加速用ガス供給系１１と、被
ブラスト物Ｍを洗浄処理する洗浄部（ブラスト部）２１
と、洗浄部２１内のガスをイオン化するイオナイザ（イ
オン化手段）２４とを備えて構成されている。

【００１１】ショット材供給系１は、液化炭酸ガスＴL
を貯留する液化炭酸ガス容器３が、ニードル弁などの絞
り手段４を介して管路５により噴射ノズル２に連結され
て構成されている。符号６は圧力計である。

【００１２】加速用ガス供給系１１は、第１ガスである
窒素ガスＧNを充填した窒素ガス容器１２と、第２ガス
であるアルゴンガスＧArを充填したアルゴンガス容器１
３とを備えている。符号Ｖ1は、窒素ガス容器１２から
の窒素ガスＧNを減圧する減圧弁であり、符号１４は、
窒素ガスＧNの流量を調整するマスフローコントローラ
であり、符号Ｖ2は、アルゴンガス容器１３からのアル
ゴンガスＧArを減圧する減圧弁であり、符号１６は、ア
ルゴンガスＧArの流量を調整するマスフローコントロー
ラであり、符号Ｖ3は、窒素ガスＧNとアルゴンガスＧAr
との混合ガスを、圧力を調整して噴射ノズル２に供給す
る弁である。なお、符号１４、１６で示すマスフローコ
ントローラに代えて、流量調整弁やオリフィスを用いて
も良い。

【００１３】洗浄部２１は、被ブラスト物Ｍを載置する
載置台２２と、載置台２２上の被ブラスト物Ｍを囲むフ
ード２３とを備えている。フード２３内部には、上記噴
射ノズル２およびイオナイザ２４が配置されている。洗
浄部２１は、フード２３内の塵埃等を、フード２３の下
部開口２３ａを通して加速用ガスＧおよびスノー状ドラ
イアイスＴsとともに回収する回収系（図示せず）を備
えている。イオナイザ２４としては、交流コロナ放電式
イオナイザ、直流コロナ放電式イオナイザ、紫外線照射
式イオナイザ、または軟Ｘ線イオナイザを用いることが
できる。

【００１４】なお、このブラスト装置１０では、ガス容
器１２からの窒素ガスＧNと、ガス容器１３からのアル
ゴンガスＧArとを混合した混合ガスを、噴射ノズル２に
供給するように構成したが、窒素ガスＧNとアルゴンガ
スＧArとを予め混合した混合ガスを充填したガス容器を
用いることもできる。

【００１５】次に、図１に示すブラスト装置１０を用い
る場合を例として、本発明のブラスト方法の第１の実施
形態について説明する。被ブラスト物Ｍとしては、液晶
用ガラス基板、複写機のリサイクル部品、半導体ウエ
ハ、電気・電子部品、ＭＲヘッド、プラスチック成形
品、精密部品等を例示できる。ガス容器１２、１３から
窒素ガスＧNおよびアルゴンガスＧArを管路１５、１７
を通して導出し、減圧弁Ｖ1、Ｖ2で減圧し、マスフロー
コントローラ１４、１６に導入する。

【００１６】マスフローコントローラ１４、１６におい
て、窒素ガスＧNおよびアルゴンガスＧArの流量を調整
した後、これらを管路１８で合流させ、混合ガスを噴射
ノズル２に供給し、噴射させる。窒素ガスＧNおよびア
ルゴンガスＧArの流量は、混合ガス中の窒素ガスＧNお
よびアルゴンガスＧArのうち少なくとも一方の濃度が、
５ｖｏｌ％以上となるように調整するのが好ましい。こ
の濃度が上記範囲を下回る場合には、洗浄効果が不十分
となりやすくなる。この際、フード２３内を、この混合
ガスで置換するのが好ましい。これにより、フード２３
の空気（酸素）を排出し、洗浄時にオゾンが発生するの
を防止することができる。

【００１７】フード２３内の窒素ガスＧNとアルゴンガ
スＧArは、イオナイザ２４によりイオン化される。被ブ
ラスト物Ｍが、液晶用ガラス基板などの半導体部品等で
ある場合には、回路が静電気により破損しやすいため、
フード２３内ガスの荷電を±３０Ｖの範囲内とするのが
好ましい。この際、窒素ガスＧNは電子を受け取ってマ
イナスに帯電する一方、電子親和力がゼロであるアルゴ
ンガスＧArは電子を奪われてプラスに帯電する。このよ
うに、窒素ガスＧNがマイナスに帯電し、アルゴンガス
ＧArがプラスに帯電するのは、以下の理由によると推察
できる。アルゴンガスは窒素ガスと比較して若干イオン
化エネルギーは大きいが、アルゴンガスは電子親和力が
ゼロであり、電子と結合することがないため、窒素ガス
が電子を引きつけてマイナスとなり、アルゴンガスは電
子を奪われプラスとなると考えられる。

【００１８】液化炭酸ガス容器３より液化炭酸ガスＴL
を導出し、絞り手段４により自由膨張させてスノー状ド
ライアイスＴsを生成させ、管路５により噴射ノズル２
に供給する。噴射ノズル２に供給されたスノー状ドライ
アイスＴsは、噴射ノズル２内で、加速用ガスＧ（窒素
ガスＧNとアルゴンガスＧArとの混合ガス）に同伴され
て噴射され、載置台２２上の被ブラスト物Ｍに吹き付け
られ、被ブラスト物Ｍが洗浄される。

【００１９】噴射ノズル２に供給されるスノー状ドライ
アイスＴsは、管路５や被ブラスト物Ｍとの接触により
生じる静電気により荷電することがあるが、発生した電
荷は、フード２３内でイオン化により帯電した窒素ガス
ＧN（マイナス帯電）またはアルゴンガスＧAr（プラス
帯電）により中和されて除電される。すなわち、スノー
状ドライアイスＴsがマイナスに荷電した場合には、ア
ルゴンガスＧArによって除電され、プラスに荷電した場
合には、窒素ガスＧNによって除電される。

【００２０】本実施形態のブラスト方法では、以下の効
果を得ることができる。 （１）窒素ガスＧNと、電子親和力がゼロであるアルゴ
ンガスＧArをイオナイザ２４によってイオン化すること
によって、これら窒素ガスＧNおよびアルゴンガスＧAr
を、それぞれプラスおよびマイナスに帯電させることが
できる。このため、スノー状ドライアイスＴsや、フー
ド２３内の塵埃が荷電した場合に、この荷電を正負にか
かわらず除電することができる。従って、塵埃などが電
気的に被ブラスト物Ｍに付着するのを防止し、優れた洗
浄効果（ブラスト効果）を得ることができる。また、被
ブラスト物Ｍが半導体製品等である場合に、荷電により
製品に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。 （２）フード２３に導入されて被ブラスト物に接触する
加速用ガスＧ（窒素ガスＧNおよびアルゴンガスＧAr）
を帯電させることができるため、被ブラスト物Ｍを効率
的に除電することができる。従って、被ブラスト物Ｍが
不導電体である場合にも、これを除電することができ
る。また被ブラスト物Ｍが処理前から帯電している場合
にも、これを除電することができる。 （３）導電体を用いて構成されたブラスト処理室を用い
る従来技術に比べ、洗浄部２１に特殊な構造を採用する
必要がないため、設備コストを低く抑えることができ
る。

【００２１】図２は、本発明のブラスト装置の第２の実
施形態を示すもので、このブラスト装置２０は、イオナ
イザ２４を加速用ガスＧの供給管路１８に設けた点で、
図１に示すブラスト装置１０と異なる。すなわち、この
ブラスト装置２０は、ショット材供給系１と、噴射ノズ
ル２と、加速用ガス供給系１１と、洗浄部２１と、加速
用ガス供給系１１からの加速用ガスＧをイオン化するイ
オナイザ２４とを備えて構成されている。

【００２２】このブラスト装置２０を用いて被ブラスト
物Ｍを洗浄する際には、混合ガス（加速用ガスG）をイ
オナイザ２４でイオン化する。これによって、混合ガス
中の窒素ガスＧNがマイナスに帯電し、アルゴンガスＧA
rがプラスに帯電する。イオン化した混合ガスを噴射ノ
ズル２に供給することによって、フード２３内をイオン
化雰囲気とすることができる。なお、効率よく除電を行
うため、フード２３内に静電気検出器を取り付け、この
検出器により、除電を行おうとする箇所の帯電量を測定
し、測定値に基づいてイオナイザ２４の出力を制御する
ことによって、イオン発生量を制御することが望まし
い。また発生させたイオンの電荷を消滅させないため、
イオナイザ２４とフード２３との間の配管を樹脂製とす
るのが好ましい。また金属配管を用いる場合には該配管
を極力短くすることが望ましい。

【００２３】このブラスト方法では、第１実施形態の方
法と同様に、塵埃が被ブラスト物Ｍに付着するのを防止
し、優れた洗浄効果（ブラスト効果）を得ることができ
る。さらには、既存のブラスト装置の加速用ガス供給系
の管路にイオナイザを配設することで、ブラスト装置２
０を構成することができるため、設備コストを低く抑え
ることができる。

【００２４】図３は、本発明のブラスト装置の第３の実
施形態を示すもので、このブラスト装置３０は、アルゴ
ンガス容器１３からのアルゴンガスＧArを、管路２５を
通して直接フード２３に導入できるようにされている点
で、図１に示すブラスト装置１０と異なる。このブラス
ト装置３０は、ショット材供給系１と、噴射ノズル２
と、第１ガスである窒素ガスＧNを加速用ガスＧとして
噴射ノズル２に供給する加速用ガス供給系１１と、洗浄
部２１と、第２ガスであるアルゴンガスＧArを洗浄部２
１に供給するアルゴンガス供給系（第２ガス供給系）２
６と、イオナイザ２４とを備えて構成されている。

【００２５】このブラスト装置を用いて被ブラスト物Ｍ
を洗浄する際には、窒素ガスＧNを、管路１５、１８を
介して噴射ノズル２に供給するとともに、アルゴンガス
ＧArを、管路２５を介してフード２３内に供給する。フ
ード２３内の窒素ガスＧNとアルゴンガスＧArは、イオ
ナイザ２４によりイオン化され、窒素ガスＧNがマイナ
スに帯電し、アルゴンガスＧArがプラスに帯電する。

【００２６】このブラスト方法では、第１実施形態の方
法と同様に、塵埃が被ブラスト物Ｍに付着するのを防止
し、優れた洗浄効果（ブラスト効果）を得ることができ
る。

【００２７】上記各実施形態のブラスト方法では、窒素
ガスＧNとアルゴンガスＧArとを用いる方法を例示した
が、本発明で使用可能なガスはこれらに限定されない。
第１および第２実施形態のブラスト方法では、窒素ガス
ＧNとアルゴンガスＧArとの混合ガスを用いたが、本発
明では、この混合ガスとして、窒素ガス、希ガス、およ
びこれら以外のガスのうち少なくとも２種類を含むもの
を用い、この混合ガスをイオン化したガス雰囲気下でシ
ョット材の噴射を行う方法をとることができる。希ガス
としてはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キ
セノンなどを用いることができる。窒素ガスおよび希ガ
ス以外のガス（以下、「その他ガス」という）として
は、アルコール類、水の気化ガス（水蒸気）、炭酸ガ
ス、酸素を用いることができる。窒素ガスと希ガスとを
含む混合ガスを用いる場合には、窒素ガスがマイナスに
帯電し、希ガスがプラス帯電する。窒素ガスとその他ガ
スとを含む混合ガスを用いる場合には、窒素ガスがマイ
ナスに帯電し、その他ガスがプラス帯電する。希ガスと
その他ガスとを含む混合ガスを用いる場合には、その他
ガスがマイナス帯電し、希ガスがプラスに帯電する。

【００２８】また、第３実施形態のブラスト方法では、
第１ガス（加速用ガス）として窒素ガスＧNを用い、第
２ガスとしてアルゴンガスＧArを用いたが、本発明で
は、第１ガスとして、窒素ガス、希ガス、およびその他
ガスのうち少なくとも１種類を含むものを用い、第２ガ
スとして、窒素ガス、希ガス、およびその他ガスのうち
少なくとも１種類を含み、かつ第１ガスと異なるガスを
用いることができる。窒素ガスと希ガスとを用いる場合
には、窒素ガスがマイナスに帯電し、希ガスがプラス帯
電する。窒素ガスとその他ガスとを用いる場合には、窒
素ガスがマイナスに帯電し、その他ガスがプラス帯電す
る。希ガスとその他ガスとを用いる場合には、その他ガ
スがマイナス帯電し、希ガスがプラスに帯電する。な
お、オゾンにより劣化するおそれがない被ブラスト物を
対象とする場合には、第２ガスとして酸素ガスを使用す
ることもできる。

【００２９】使用するガスの選択は、ショット材供給系
統の材質、被ブラスト物に応じて行うことができる。ま
た、本発明では、ショット材として、スノー状ドライア
イスに限らず、ペレット状ドライアイス、重曹、砂、樹
脂片、金属メディア等を用いることができる。

【００３０】

【実施例】以下、具体例を示して本発明の効果を明確に
する。 （実施例１）図１に示すブラスト装置１０を用いて、半
導体部品である液晶用ガラス基板を被ブラスト物Ｍとし
て洗浄テストを行った。イオナイザ２４としては、交流
コロナ放電式イオナイザを用いた。

【００３１】窒素ガス容器１２およびアルゴンガス容器
１３よりそれぞれ窒素ガスＧN、アルゴンガスＧArを導
出し、減圧弁Ｖ1、Ｖ2によりそれぞれ０.５ＭＰaの圧力
に減圧して、管路１５、１７を通してそれぞれマスフロ
ーコントローラ１４、１６に導入した。

【００３２】マスフローコントローラ１４、１６におい
て、窒素ガスＧNとアルゴンガスＧArの流量をそれぞれ
２００Ｌ／ｍｉｎ、２０／ｍｉｎに調整し、窒素ガスＧ
NとアルゴンガスＧArとの混合ガス（混合比１０：１）
を噴射ノズル２に供給し、管路１５、１７、１８内、お
よびフード２３内をこの混合ガス（窒素ガスＧN＋アル
ゴンガスＧAr）で置換した。次いで、イオナイザ２４に
よってフード２３内のガス雰囲気をイオン化し、フード
２３内ガスの荷電を±３０Ｖの範囲内とした。

【００３３】次いで、液化炭酸ガスＴLを、約６ＭＰaの
圧力で液化炭酸ガスを貯留したガス容器３から液化炭酸
ガスＴLを導出し、絞り手段４により自由膨張させてス
ノー状ドライアイスＴsを生成させ、これを管路５を通
して噴射ノズル２に供給した。噴射ノズル２に供給され
たスノー状ドライアイスＴsを、加速用ガスＧ（窒素ガ
スＧNとアルゴンガスＧArとの混合ガス）とともに噴射
し、載置台２２に載置された液晶用ガラス基板に吹き付
け、これを洗浄した。

【００３４】被ブラスト物Ｍを１分間洗浄した後、被ブ
ラスト物Ｍを観察したところ、塵埃がほとんど付着して
いないことが確認された。また被ブラスト物Ｍの電荷を
測定したところ、２２Ｖであり、この電荷を±３０Ｖ以
内に抑えることができたことが確認された。

【００３５】（比較例）図１に示すブラスト装置１０を
用い、アルゴンガスＧArを用いずに、窒素ガスＧNのみ
を加速用ガスＧとして用いること以外は実施例１と同様
にして被ブラスト物Ｍを１分間洗浄した。洗浄直後に被
ブラスト物Ｍの電荷を測定したところ、−１３ｋＶに帯
電しており、静電気を抑制することができなかったこと
がわかった。洗浄した被ブラスト物Ｍ（液晶用ガラス基
板）を調べたところ、静電気により回路に不具合が生じ
たことがわかった。

【００３６】被ブラスト物Ｍのマイナス帯電が大きくな
ったのは、窒素ガスＧNがプラスに荷電しにくいため、
スノー状ドライアイスＴsの噴射により発生したマイナ
ス電荷を除電することができなかったためであると推察
できる。

【００３７】（実施例２）図３に示すブラスト装置３０
を用いて、窒素ガスＧNを、管路１５、１８を介して噴
射ノズル２に供給するとともに、アルゴンガスＧArを管
路２５を介してフード２３内に供給し、被ブラスト物Ｍ
（液晶用ガラス基板）を洗浄した。窒素ガスＧNを、圧
力０.５ＭＰa、流量２００Ｌ／ｍｉｎで噴射ノズル２に
供給するとともに、アルゴンガスＧArを、圧力０.２Ｍ
Ｐa、流量２０Ｌ／ｍｉｎで噴射ノズル２に供給した。
被ブラスト物Ｍを１分間洗浄した後、被ブラスト物Ｍを
観察したところ、塵埃がほとんど付着していないことが
確認された。また被ブラスト物Ｍの電荷を測定したとこ
ろ、この電荷を±３０Ｖ以内に抑えることができたこと
が確認された。

【００３８】

【発明の効果】本発明のブラスト方法は、窒素ガス、希
ガス、およびこれら以外のガスのうち少なくとも２種類
を含む混合ガスをイオン化し、このイオン化混合ガス雰
囲気下でショット材の噴射を行うので、これらのガス
を、それぞれプラスおよびマイナスに帯電させることが
できる。このため、ブラスト部内でショット材や塵埃が
荷電した場合に、この荷電を正負にかかわらず除電し、
塵埃等が被ブラスト物に付着するのを防止し、優れたブ
ラスト効果を得ることができる。また、ブラスト部に特
殊な構造を採用する必要がないため、設備コストを低く
抑えることができる。従って、コスト低減を図ることが
でき、かつ優れたブラスト処理効果を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のブラスト装置の第１の実施形態を示
す概略構成図である。

【図２】 本発明のブラスト装置の第２の実施形態を示
す概略構成図である。

【図３】 本発明のブラスト装置の第３の実施形態を示
す概略構成図である。

【符号の説明】

１・・・ショット材供給系、２・・・噴射ノズル、１１・・・加
速用ガス供給系、２１・・・洗浄部（ブラスト部）、２４・
・・イオナイザ、１０、２０、３０・・・ブラスト装置、Ｍ・
・・被ブラスト物、Ｓ・・・ショット材、ＴL・・・液化炭酸ガ
ス、Ｔs・・・スノー状ドライアイス、Ｇ・・・加速用ガス、
ＧN・・・窒素ガス、ＧAr・・・アルゴンガス

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 英俊 東京都港区西新橋１丁目16番７号 日本酸 素株式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ショット材を被ブラスト物に向けて噴射
   するブラスト方法であって、 窒素ガス、希ガス、およびこれら以外のガスのうち少な
   くとも２種類を含む混合ガスをイオン化し、このイオン
   化混合ガス雰囲気下でショット材の噴射を行うことを特
   徴とするブラスト方法。
2. 【請求項２】 混合ガスを構成する少なくとも２種類の
   ガスのうち、少なくとも１種類の濃度が、５ｖｏｌ％以
   上であることを特徴とする請求項１記載のブラスト方
   法。
3. 【請求項３】 ショット材を供給するショット材供給系
   と、ショット材を噴射する噴射ノズルと、ショット材を
   加速させる加速用ガスを噴射ノズルに供給する加速用ガ
   ス供給系と、噴射ノズルから噴射されたショット材によ
   って被ブラスト物をブラスト処理するブラスト部と、ブ
   ラスト部内のガスをイオン化するイオン化手段とを備
   え、 加速用ガス供給系は、窒素ガス、希ガス、およびこれら
   以外のガスのうち少なくとも２種類を含む混合ガスを加
   速用ガスとして供給できるようにされていることを特徴
   とするブラスト装置。
4. 【請求項４】 ショット材を供給するショット材供給系
   と、ショット材を噴射する噴射ノズルと、ショット材を
   加速させる加速用ガスを噴射ノズルに供給する加速用ガ
   ス供給系と、噴射ノズルから噴射されたショット材によ
   って被ブラスト物をブラスト処理するブラスト部と、加
   速用ガスをイオン化するイオン化手段とを備え、 加速用ガス供給系は、窒素ガス、希ガス、およびこれら
   以外のガスのうち少なくとも２種類を含む混合ガスを加
   速用ガスとして供給できるようにされていることを特徴
   とするブラスト装置。
5. 【請求項５】 ショット材を供給するショット材供給系
   と、ショット材を噴射する噴射ノズルと、ショット材を
   加速させる第１ガスを加速用ガスとして噴射ノズルに供
   給する加速用ガス供給系と、噴射ノズルから噴射された
   ショット材によって被ブラスト物をブラスト処理するブ
   ラスト部と、第２ガスをブラスト部に供給する第２ガス
   供給系と、ブラスト部内のガスをイオン化するイオン化
   手段とを備え、 第１ガスが、窒素ガス、希ガス、およびこれら以外のガ
   スのうち少なくとも１種類を含み、 第２ガスが、窒素ガス、希ガス、およびこれら以外のガ
   スのうち少なくとも１種類を含み、かつ第１ガスと異な
   るガスであることを特徴とするブラスト装置。