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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Ausbilden eines Schutzharzfilms auf der Oberfläche eines Wafers, wie eines Halbleiterwafers oder eines Wafers einer optischen Vorrichtung.
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Wie es dem Fachmann bekannt ist, ist bzw. wird ein Halbleiterwafer, der eine Mehrzahl von Halbleiterchips, wie IC's oder LSI's aufweist, welche aus einem Laminat, bestehend aus einem isolierenden Film und einem funktionellen Film und in eine Matrix auf der vorderen Oberfläche eines Halbleitersubstrats, wie eines Siliziumsubstrats oder dgl. gebildet sind, in dem Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung ausgebildet. Die obigen Halbleiterchips sind durch unterteilende bzw. Unterteilungslinien, die ”Straßen” genannt sind, in diesem Halbleiterwafer unterteilt und individuelle bzw. einzelne Halbleiterchips werden durch ein Schneiden des Halbleiterwafers entlang der Straßen hergestellt. Ein Wafer einer optischen Vorrichtung, der eine Mehrzahl von Bereichen aufweist, die durch Straßen unterteilt sind, die in einem Gitter auf der vorderen Oberfläche eines Saphirsubstrats und dgl. ausgebildet sind, eine optische Vorrichtung, die einen Halbleiter aus auf einer Galliumnitrid basierenden Verbindung aufweist, der in jedem der unterteilten Bereiche ausgebildet ist, ist bzw. wird in individuelle optische Vorrichtungen, wie Licht emittierende Dioden oder Laserdioden unterteilt, welche weit verbreitet in elektrischen Anlagen verwendet werden.
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Ein Schneiden entlang der Unterteilungslinien des obigen Halbleiterwafers oder Wafers einer optischen Vorrichtung wird allgemein unter Verwendung einer Schneidmaschine durchgeführt, die ”Dicer” bzw. ”Zerteilmaschine” genannt ist. Diese Schneidmaschine umfaßt einen Ansaug- bzw. Einspanntisch zum Halten eines Halbleiterwafers als ein Werkstück, Schneidmittel zum Schneiden des Halbleiterwafers, der auf dem Einspanntisch gehalten ist, und Bewegungsmittel zum Bewegen des Einspanntischs und der Schneidmittel relativ zueinander. Die Schneidmittel haben eine rotierende Spindel, welche mit bzw. bei einer hohen Geschwindigkeit bzw. Drehzahl gedreht wird, und eine Schneidklinge, die auf der Spindel festgelegt bzw. montiert ist.
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Mittlerweile offenbart als Mittel zum Unterteilen eines plattenartigen Werkstücks, wie eines Halbleiterwafers,
JP 10-305421 A ein Verfahren, in welchem ein Pulslaserstrahl entlang von Straßen aufgebracht bzw. angewandt wird, die auf einem Werkstück ausgebildet sind, um Nuten bzw. Rillen auszubilden, und das Werkstück entlang der Nuten bzw. Rillen durch eine mechanische Brechvorrichtung unterteilt wird.
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Ein Laserbearbeiten kann eine Bearbeitung schnell bzw. rasch verglichen mit einer Schneidbearbeitung machen und ist weiterhin fähig, zu einem leichten Bearbeiten selbst eines Wafers, der aus einem Material gefertigt bzw. hergestellt ist, das eine hohe Härte, wie Saphir aufweist. Wenn ein Laserstrahl entlang der Straßen des Wafers aufgebracht ist bzw. wird, wird jedoch Wärmeenergie auf einen Bereich konzentriert, auf welchen der Laserstrahl aufgebracht ist bzw. wird, wodurch Schmutz bzw. Abfall gebildet wird, welcher ein neues Problem dahingehend bewirkt, daß er an einem Bonding- bzw. Klebekissen usw. anhaftet, das mit einer Schaltung verbunden ist, um die Qualität eines Chips zu reduzieren.
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Um das obige Problem, das durch Schmutz bewirkt ist, zu lösen, offenbart
JP 2004-188475 A ein Laserbearbeitungsverfahren, in welchem ein Schutzfilm aus einem Polyvinylalkohol auf der zu bearbeiteten Oberfläche eines Wafers ausgebildet ist bzw. wird und ein Laserstrahl auf dem Wafer durch den Schutzfilm aufgebracht bzw. angewandt wird.
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Die obige Publikation lehrt, daß ein Spin- bzw. Rotationsbeschichtungsverfahren zum Beschichten der Oberfläche, die zu bearbeiten ist, eines Wafers W mit einem flüssigen Harz durch einen Tropfen einer vorbestimmten Menge des flüssigen Harzes L von einer Harzzufuhrdüse N auf den zentralen Abschnitt des Wafers W, der auf dem Rotationstisch T gehalten ist, und ein Drehen des Rotationstischs T mit bzw. bei einer vorbestimmten Geschwindigkeit bzw. Drehzahl, wie dies in 14(a) gezeigt ist.
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Da die vordere Oberfläche bzw. Fläche des Wafers W ungleichmäßig aufgrund des Vorhandenseins von Vorrichtungen D, wie Schaltungen ist, wie dies in 14(b) gezeigt ist, ist es schwierig, das flüssige Harz gleichmäßig über die vordere Oberfläche des Wafers W zu beschichten, wenn das flüssige Harz L zu dem Umfang des Wafers W durch Zentrifugalkraft fließen gelassen wird, die durch ein Rotieren des Rotationstischs T generiert bzw. erzeugt wird, der den Wafer W hält. Weiterhin ist es, wenn die Rotationsbeschichtung in einem Zustand ausgeführt wird, wo eine Mehrzahl von Wafern, die einen relativ kleinen Durchmesser, wie Saphirwafer aufweisen, auf einem Supportglied angeordnet ist, auch schwierig, einen Schutzharzfilm gleichmäßig auf den vorderen Oberflächen der Mehrzahl von Wafern auszubilden.
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Die Druckschrift
US 2004/0211762 A1 offenbart eine Bearbeitungsmaschine, umfassend einen Einspanntisch zum Halten eines Werkstücks und Laserstrahl-Aufbringmittel zum Aufbringen eines Laserstrahls auf das Werkstück, das auf dem Einspanntisch gehalten ist, wobei die Maschine weiter Mittel zum Ausbilden eines Schutzfilms auf einer zu bearbeitenden Oberfläche des Werkstücks vor dem Laserstrahlbearbeiten umfasst.
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Die Druckschrift
JP 10-294252 A offenbart eine Vorrichtung zum Beschichten eines Wafers, wobei Blasvorrichtungen über dem Zentrum des Wafers angeordnet sind, so daß Blasluft von oben auf das Zentrum des Wafers trifft. Ein auf den Wafer getropftes Beschichtungsmittel verteilt sich durch die Blasluft auf dem Wafer.
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Die Druckschrift
JP 2003-78069 A offenbart einen Pseudo-Wafer umfassend einen Siliziumwafer und eine daran geklebte Kunstharzschicht.
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Die Druckschrift
JP 2001-176775 A offenbart ein Beschichtungsverfahren wobei ein im Zentrum eines drehenden Wafers aufgetropftes Kunstharz durch die auftretende Zentrifugalkraft auf der Waferoberflächen verteilt wird.
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Die Druckschrift
US 2003/0022515 A1 offenbart ein Beschichtungsverfahren, wobei ein im Zentrum eines drehenden Wafers aufgetropftes Kunstharz durch die auftretende Zentrifugalkraft auf der Waferoberflächen verteilt wird. Mittels einer schräg angeordneten Luftdüse wird das verteilte Kunstharz getrocknent. In einem weiteren Schritt wird die Kunstharzschicht am Rand des Wafers mittels eines Lösemittels entfernt, und die Lösemittelreste werden mittels der Luftdüse weggeblasen.
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Die Druckschrift
US 5 323 535 A offenbart ein Verfahren zum Ausbilden einer elektrischen Leiterplatte, wobei zunächst eine Fotolack-Schicht in einem Spin-Coating-Verfahren ausgebildet wird. Anschließend wird die Fotolack-Schicht beleuchtet und eine Entwicklerflüssigkeit wird auf die Fotolack-Schicht aufgebracht. Zum sauberen Entfernen der Entwicklerflüssigkeit aus den gebildeten Vertiefungen in der Fotolack-Schicht wird eine horizontal angeordnete Luftdüse verwendet.
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Es ist ein Ziel bzw. Gegenstand der vorliegenden Erfindung, ein Schutzfilmausbildungsverfahren zur Verfügung zu stellen, das fähig ist, einen schützenden Harzfilm gleichmäßig auf der vorderen Oberfläche eines Wafers auszubilden.
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Um das obige Ziel zu erreichen, wird gemäß der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms aus einem Harz auf der zu bearbeitenden Oberfläche eines Wafers zur Verfügung gestellt, umfassend:
einen Waferhalteschritt zum Halten des Wafers auf einem Spin- bzw. Rotationstisch in einer derartigen Weise, daß die zu bearbeitende Oberfläche nach oben schaut bzw. gerichtet ist;
einen Harztropfschritt zum Tropfen einer vorbestimmten Menge eines flüssigen Harzes auf den zentralen Bereich der zu bearbeitenden Oberfläche des Wafers, der auf dem Rotationstisch gehalten wird; und
einen Schutzfilmausbildungsschritt zum Blasen von Luft zu bzw. in Richtung zu dem Umfang durch den zentralen Bereich der bearbeitenden Oberfläche des Wafers, während der Rotationstisch gedreht wird, um das auf den zentralen Bereich der zu bearbeitenden Oberfläche des Wafers getropfte flüssige Harz zu dem Umfang fließen zu lassen.
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Weiterhin wird gemäß der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms aus einem Harz auf den zu bearbeitenden Oberflächen einer Mehrzahl von Wafern zur Verfügung gestellt, die auf die Oberfläche eines Abstütz- bzw. Supportglieds aufgebracht werden, in einer derartigen Weise, daß die zu bearbeitenden Oberflächen nach oben schauen bzw. gerichtet werden, umfassend:
einen Waferhalteschritt zum Halten des Supportglieds, das die Wafer auf einem Rotationstisch unterstützt bzw. trägt;
einen Harztropfschritt zum Tropfen einer vorbestimmten Menge eines flüssigen Harzes auf den zentralen Bereich des Supportglieds, das die Wafer unterstützt, die auf dem Rotationstisch gehalten werden; und
einen Schutzfilmausbildungsschritt zum Blasen von Luft zu bzw. in Richtung zu dem Umfang durch den zentralen Bereich des Supportglieds, während der Rotationstisch gedreht wird, um das flüssige Harz, das auf den zentralen Bereich des Supportglieds getropft wird, zu dem Umfang fließen zu lassen.
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In dem obigen Schutzfilmausbildungsschritt wird der Rotationstisch mit bzw. bei 1 bis 100 U/min gedreht. Vorzugsweise wird ein Schritt eines Trocknens des flüssigen Harzes auf der zu bearbeitenden Oberfläche des Wafers durch ein Rotieren des Rotationstischs bei 500 bis 3.000 U/min nach dem Schutzfilmausbildungsschritt ausgeführt.
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Gemäß der vorliegenden Erfindung kann, da der Schritt eines Blasens von Luft zu dem Umfang durch den zentralen Bereich der zu bearbeiteten Oberfläche des Wafers, während der Rotationstisch gedreht wird, nach dem Schritt eines Tropfens der vorbestimmten Menge des flüssigen Harzes auf den zentralen Bereich der zu bearbeiteten Oberfläche des Wafers ausgeführt wird, der auf dem Rotationstisch gehalten wird, der Schutzfilm bzw. die Schutzfolie des flüssigen Harzes gleichmäßig auf der zu bearbeiteten Oberfläche des Wafers ausgebildet werden.
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Gemäß der vorliegenden Erfindung kann, da der Schutzfilmausbildungsschritt für ein Blasen von Luft zu dem Umfang durch den zentralen Bereich des Supportglieds während eines Drehens des Rotationstischs nach dem Schritt eines Tropfens der vorbestimmten Menge des flüssigen Harzes auf den zentralen Bereich des Supportglieds ausgeführt wird, das die Mehrzahl von Wafern unterstützt bzw. trägt, die auf dem Rotationstisch gehalten werden, der Schutzfilm aus flüssigem Harz gleichmäßig auf den zu bearbeitenden Oberflächen der Mehrzahl von Wafern ausgebildet werden, die auf dem Supportglied aufgebracht bzw. gehalten sind.
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1 ist eine perspektivische Ansicht einer Laserstrahlbearbeitungsmaschine, umfassend Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel zum Ausführen des Schutzfilmausbildungsverfahrens der vorliegenden Erfindung;
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2 ist eine teilweise weggebrochene perspektivische Ansicht der Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel, die in der Laserstrahlbearbeitungsmaschine zur Verfügung gestellt sind, die in 1 gezeigt ist;
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3 ist ein erläuterndes Diagramm, das einen Zustand zeigt, wo der Rotationstisch der Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel, die in 2 gezeigt sind, an einer Werkstück-Aufnahme/Ausgabeposition angeordnet ist;
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4 ist ein erläuterndes Diagramm, das einen Zustand zeigt, wo der Rotationstisch der Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel, die in 2 gezeigt sind, an einer Arbeitsposition angeordnet sind;
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5 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers als einem zu bearbeitenden Werkstück durch die Laserstrahlbearbeitungsmaschine, die in 1 gezeigt ist;
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6 ist ein erläuterndes Diagramm, das einen Harztropfschritt in einer Ausbildung des Schutzfilmausbildungsverfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt;
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7(a), 7(b), 7(c), 7(d) und 7(e) sind erläuternde Diagramme, die einen Schutzfilmausbildungsschritt in der Ausbildung des Schutzfilmausbildungsverfahrens der vorliegenden Erfindung zeigen;
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8 ist eine vergrößerte Schnittansicht des Hauptabschnitts des Halbleiterwafers als dem Werkstück, das einen Schutzfilm aufweist, der durch den Schutzfilmausbildungsschritt gebildet ist;
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9(a) und 9(b) sind erläuternde Diagramme, die einen Laserstrahlaufbringschritt zeigen, der eine Laserstrahlbearbeitungsmaschine verwendet, die in 1 gezeigt ist;
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10 ist eine vergrößerte Schnittansicht des Hauptabschnitts des Halbleiterwafers als dem Werkstück, welches durch den Laserstrahlaufbringschritt laserbearbeitet ist bzw. wird, der in 9(a) und 9(b) gezeigt ist;
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11 ist eine Draufsicht, die einen Zustand zeigt, wo eine Mehrzahl von Saphirwafern als Werkstücken auf ein Schutzklebeband aufgebracht bzw. gelegt sind, das auf einem ringförmigen Rahmen montiert ist;
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12 ist ein erläuterndes Diagramm, das einen Harztropfschritt in einer anderen Ausbildung des Schutzfilmausbildungsverfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt;
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13(a), 13(b), 13(c), 13(d) und 13(e) sind erläuternde Diagramme, die einen Schutzfilmausbildungsschritt in einer weiteren Ausbildung des Schutzfilmausbildungsverfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt; und
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14(a) und 14(b) sind erläuternde Diagramme, die das Schutzfilmausbildungsverfahren gemäß dem Stand der Technik zeigen.
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Bevorzugte Ausbildungen des Schutzfilmausbildungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung werden im Detail unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
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1 ist eine perspektivische Ansicht einer Laserstrahlbearbeitungsmaschine, umfassend Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel zum Ausführen des Schutzfilmausbildungsverfahrens der vorliegenden Erfindung.
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Die Laserstrahlbearbeitungsmaschine, die in 1 gezeigt ist, hat ein im wesentlichen rechteckiges bzw. rechtwinkeliges, parallelepipedisches Gehäuse 2. In dem Gehäuse 2 ist ein Ansaug- bzw. Einspanntisch 3 als Werkstückhaltemittel zum Halten eines Werkstücks in einer derartigen Weise installiert, daß er sich in einer Schneidzufuhrrichtung bewegen kann, die durch einen Pfeil X angedeutet ist. Der Einspanntisch 3 umfaßt eine Adsorptionseinspannsupportbasis 31 und eine Adsorptionseinspanneinrichtung 32, die auf der Adsorptionseinspannsupportbasis 31 so festgelegt ist, daß ein scheibenförmiger Halbleiterwafer als ein Werkstück auf der Anordnungsoberfläche der Adsorptionseinspanneinrichtung 32 durch Saugmittel gehalten ist, welche nicht gezeigt sind. Der Einspanntisch 3 kann durch einen rotierenden bzw. Rotationsmechanismus gedreht werden, welcher nicht gezeigt ist. Die Adsorptionssupportbasis 31 des Einspanntischs 3, die wie oben beschrieben ausgebildet ist, ist mit Klemmen 34 zum Fixieren eines ringförmigen Rahmens ausgebildet, welcher später beschrieben werden wird.
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Die dargestellte bzw. illustrierte Laserstrahlbearbeitungsmaschine umfaßt Laserstrahlaufbringmittel 4. Die Laserstrahlaufbringmittel 4 umfassen Laserstrahloszillationsmittel 41 und einen Kondensor 42 zum Konvergieren eines Laserstrahls, der durch die Laserstrahloszillationsmittel 41 oszilliert ist.
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Die illustrierte Laserstrahlbearbeitungsmaschine hat Bildaufnahmemittel 5 zum Aufnehmen eines Bilds der vorderen Oberfläche des Werkstücks, das auf der Adsorptionsansaug- bzw. -einspanneinrichtung 32 des obigen Einspanntischs 3 gehalten ist, um die durch einen Laserstrahl, der von dem Kondensor 42 der obigen Laserstrahlaufbringmittel 4 aufgebracht ist bzw. wird, zu bearbeitende Fläche zu detektieren. Diese Bildaufnahmemittel 5 bestehen aus optischen Mitteln, wie einem Mikroskop oder einer CCD Kamera, und übertragen ein Bildsignal zu Steuer- bzw. Regelmitteln, welche nicht gezeigt sind. Die illustrierte Laserstrahlbearbeitungsmaschine hat Anzeigemittel 6 zum Anzeigen eines durch die Bildaufnahmemittel 5 aufgenommenen Bilds.
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Die illustrierte Laserstrahlbearbeitungsmaschine umfaßt Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 zum Ausbilden eines Schutzfilms auf der vorderen Oberfläche (zu bearbeitenden Oberfläche) des Wafers als einem Werkstück vor einem Verarbeiten und Entfernen des Schutzfilms, der auf der vorderen Oberfläche des Wafers ausgebildet wurde, nach dem Bearbeiten. Diese Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 werden unter Bezugnahme auf 2 bis 4 beschrieben.
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Die Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 in der illustrierten Ausbildung umfassen einen Rotationstischmechanismus 71 und Reinigungswasserempfangs- bzw. -aufnahmemittel 72, die rund um den Rotationstischmechanismus 71 ausgebildet sind. Der Rotationstischmechanismus 71 umfaßt einen Rotationstisch 711, einen Elektromotor 712 zum rotierenden Antreiben des Rotationstischs 711 und einen Abstütz- bzw. Supportmechanismus 713 zum Ab- bzw. Unterstützen des Elektromotors 712, so daß er sich in der vertikalen Richtung bewegen kann. Der Rotationstisch 711 hat eine Adsorptionseinspanneinrichtung 711a, die aus einem porösen Material gefertigt bzw. hergestellt ist, welches mit Saugmitteln verbunden ist, welche nicht gezeigt sind. Daher ist der Wafer als das Werkstück auf dem Adsorptionseinspannelement 711a angeordnet und auf dem Adsorptionsansaug- bzw. -einspannelement 711a durch ein Anlegen eines negativen bzw. Unterrucks an den Rotationstisch 711 durch die Saugmittel gehalten, welche nicht gezeigt sind. Der Rotationstisch 711 ist mit Klemmen 714 zum Festlegen des ringförmigen Rahmens versehen, welcher später beschrieben werden wird. Der obige Rotationstisch 711 ist mit dem oberen Ende der Antriebswelle 712a des Elektromotors 712 verbunden. Der obige Supportmechanismus 713 umfaßt eine Mehrzahl (3 in der illustrierten Ausbildung) von Supportfüßen bzw. -schenkeln 713a und eine Mehrzahl (3 in der illustrierten Ausbildung) von Luftzylindern 713b, welche jeweils mit den Supportfüßen 713a verbunden sind und auf dem Elektromotor 712 festgelegt bzw. montiert sind. Die Luftzylinder 713b des Supportmechanismus 713, der wie oben beschrieben konstruiert bzw. aufgebaut ist, werden aktiviert, um den Elektromotor 712 und den Rotationstisch 711 in die Werkstück-Aufnahme/Ausgabeposition, welche eine obere Position ist, die in 3 gezeigt ist, und die Arbeiterposition zu bringen, welche eine untere Position ist, die in 4 gezeigt ist.
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Die obigen Reinigungswasseraufnahmemittel 72 umfassen einen Reinigungswasseraufnahmebehälter 721, drei (zwei sind in 2 gezeigt) Supportschenkel bzw. Abstützfüße 722 zum Unterstützen des Reinigungswasseraufnahmebehälters 721 und ein Abdeckglied 723, das auf die Antriebswelle 712a des obigen Elektromotors 712 gepaßt ist. Der Reinigungswasseraufnahmebehälter 721 besteht aus einer zylindrischen Außenwand 721a, einer Bodenwand 721b und einer Innenwand 721c, wie dies in 3 und 4 gezeigt ist. Ein Loch 721d zum Einsetzen der Antriebswelle 712a des obigen Elektromotors 712 ist in dem zentralen Abschnitt der Bodenwand 721b ausgebildet, und die Innenwand 721c ragt nach oben von dem Umfang dieses Lochs 721d vor. Wie dies in 2 gezeigt ist, ist eine Abzugs- bzw. Entlüftungsöffnung 721e in der Bodenwand 721b vorgesehen und ein Abzugsschlauch 724 ist mit dieser Abzugsöffnung 721e verbunden. Das obige Abdeckglied 723 ist ähnlich einer Scheibe ausgebildet und hat einen Abdeckabschnitt 723a, der nach unten von seinem Umfang vorragt. Das Abdeckglied 723, das so ausgebildet ist, ist bzw. wird derart positioniert, daß es außerhalb der Innenwand 721c gehalten bzw. gelegt ist, welche den obigen Reinigungswasseraufnahmebehälter 721 ausbildet, mit einem Abstand dazwischen, wenn der Elektromotor 712 und der Rotationstisch 711 an der Arbeitsposition positioniert sind, die in 4 gezeigt ist.
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Die dargestellten Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 umfassen Harzflüssigkeitszufuhrmittel 74 zum Zuführen eines flüssigen Harzes zu der Oberfläche des Wafers als dem Werkstück vor einem Bearbeiten, welcher auf dem obigen Rotationstisch 711 gehalten ist. Die Harzflüssigkeitszufuhrmittel 74 umfassen eine Harzflüssigkeitszufuhrdüse 741 zum Zuführen des flüssigen Harzes zu der Oberfläche des Wafers vor einem Bearbeiten, welcher auf dem Rotationstisch 711 gehalten ist, und einen Elektromotor 742, welcher in einer normalen Richtung oder einer umgekehrten Richtung rotieren kann, um die Harzflüssigkeitszufuhrdüse 741 schwingen zu lassen bzw. hin- und herzuschwenken, und die Harzflüssigkeitszufuhrdüse 741 ist mit einer Harzflüssigkeitszufuhrquelle verbunden, welche nicht gezeigt ist. Die Harzflüssigkeitszufuhrdüse 741 besteht aus einem Düsenabschnitt 741a, welcher sich horizontal erstreckt und einen Endabschnitt hat, welcher nach unten gebogen ist, und einem Abstütz- bzw. Supportabschnitt 741b, der sich nach unten von dem proximalen Ende des Düsenabschnitts 741a erstreckt. Der Supportabschnitt 741b erstreckt sich durch ein Einsatzloch (nicht gezeigt), das in der Bodenwand 721b ausgebildet ist, welche den obigen Reinigungsflüssigkeitsaufnahmebehälter 721 ausbildet, und ist mit der Harzflüssigkeitszufuhrquelle verbunden, welche nicht gezeigt ist. Ein Dichtglied (nicht gezeigt) ist an dem Umfang des Einsetzlochs (nicht gezeigt) zum Einsetzen des Supportabschnitts 741b der obigen Harzflüssigkeitszufuhrdüse 741 vorgesehen, um den Spalt zwischen der Bodenwand 721b und dem Supportabschnitt 741b abzudichten.
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Die illustrierten Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 haben Luftzufuhrmittel 75 zum Blasen von Luft auf das flüssige Harz, das zu der Oberfläche des Wafers vor einem Be- bzw. Verarbeiten, welcher auf dem Rotationstisch 711 gehalten ist, von der Harzflüssigkeitszufuhrdüse 741 der obigen Harzflüssigkeitszufuhrmittel 74 zugeführt ist. Diese Luftzufuhrmittel 75 umfassen eine Luftdüse 751, um Luft zu dem Wafer zu blasen, der auf dem Rotationstisch 711 gehalten ist, und einen Elektromotor 752, welcher in einer normalen Richtung oder Umkehrrichtung rotieren kann, um die Luftdüse 751 schwingen zu lassen, welche mit einer Luftzufuhrquelle verbunden ist, welche nicht gezeigt ist. Die Luftdüse 751 besteht aus einem Düsenabschnitt 751a, der sich horizontal erstreckt, und einem Supportabschnitt 751b, der sich nach unten von dem proximalen Ende des Düsenabschnitts 751a erstreckt. Der Supportabschnitt 751b erstreckt sich durch ein Einsetzloch (nicht gezeigt), das in der Bodenwand 721b ausgebildet ist, welche den obigen Reinigungsflüssigkeitsaufnahmebehälter 721 darstellt bzw. ausbildet, und ist mit der Luftzufuhrquelle verbunden, welche nicht gezeigt ist. Ein Dichtglied (nicht gezeigt) ist an dem Umfang des Einsetzlochs (nicht gezeigt) zum Einsetzen des Supportabschnitts 751b der Luftdüse 751 zur Verfügung gestellt, um den Spalt zwischen der Bodenwand 721b und dem Supportabschnitt 751b abzudichten.
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Die illustrierten Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 umfassen Reinigungswasserzufuhrmittel 76 zum Reinigen des Wafers als dem Werkstück nach einem Bearbeiten, welcher auf dem obigen Rotationstisch 711 gehalten ist. Die Reinigungswasserzufuhrmittel 76 umfassen eine Reinigungswasserdüse 761 zum Ausstoßen bzw. Ausbringen von Reinigungswasser zu dem Wafer nach einem Bearbeiten, welcher auf dem Rotationstisch 711 gehalten ist, und einen Elektromotor (nicht gezeigt), welcher in einer normalen Richtung oder Umkehrrichtung rotieren kann, um die Reinigungswasserdüse 761 schwingen zu lassen, welche mit einer Reinigungswasserzufuhrquelle verbunden ist, die nicht gezeigt ist. Die Reinigungswasserdüse 761 besteht aus einem Düsenabschnitt 761a, welcher sich horizontal erstreckt und einen Endabschnitt hat, welcher nach unten gebogen ist, und einem Supportabschnitt 761b, welcher sich nach unten von dem proximalen Ende des Düsenabschnitts 761a erstreckt. Der Supportabschnitt 761b erstreckt sich durch ein Einsetzloch (nicht gezeigt), das in der Bodenwand 721b ausgebildet ist, welche den obigen Reinigungsflüssigkeitsaufnahmebehälter 721 ausbildet, und ist mit der Reinigungswasserzufuhrquelle verbunden, welche nicht gezeigt ist. Ein Dichtglied (nicht gezeigt) ist an dem Umfang des Einsetzlochs (nicht gezeigt) zum Einsetzen des Supportabschnitts 761b der Reinigungswasserdüse 761 zur Verfügung gestellt, um den Spalt zwischen der Bodenwand 721b und dem Supportabschnitt 761b abzudichten.
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Zurückkehrend zu 1 umfaßt die illustrierte Laserstrahlbearbeitungsmaschine einen Kassettenanordnungsabschnitt 13a zum Anordnen einer Kassette zum Speichern bzw. Aufnehmen des Wafers 10 als ein Werkstück. Ein Kassettentisch 131, welcher in der vertikalen Richtung durch Hebemittel (nicht gezeigt) bewegt werden kann, ist in dem Kassettenanordnungsabschnitt 13a angeordnet, und eine Kassette 13 ist auf dem Kassettentisch 131 angeordnet. Der Halbleiterwafer 10 ist bzw. wird auf die Oberfläche eines Schutzklebebands 12 aufgebracht bzw. gelegt, das an einem ringförmigen Rahmen 11 festgelegt ist, und in der obigen Kassette 13 in einem Zustand gespeichert, wo er an dem ringförmigen Rahmen 11 durch das Schutzklebeband 12 abgestützt ist. Eine Mehrzahl von Bereichen bzw. Flächen ist bzw. wird durch eine Mehrzahl von Unterteilungs- bzw. Trennungslinien 101 unterteilt, die in einem Gitter auf der vorderen Oberfläche 10a des Halbleiterwafers 10 ausgebildet sind, und eine Vorrichtung 102, wie IC' oder LSI ist in jedem der unterteilten Bereiche ausgebildet, wie dies in 5 gezeigt ist. Die rückwärtige Oberfläche des so ausgebildeten Halbleiterwafers 10 ist bzw. wird auf das Schutzklebeband 12, das auf dem ringförmigen Rahmen 11 festgelegt bzw. montiert ist, in einer derartigen Weise aufgebracht, daß die vordere Oberfläche 10a, d. h. die Oberfläche, auf welcher die Straße 101 und die Vorrichtung 102 ausgebildet ist, nach oben schaut bzw. gerichtet ist, wie dies in 1 gezeigt ist.
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Die illustrierte Laserstrahlbearbeitungsmaschine umfaßt Werkstück-Aufnahme/Ausgabemittel 15 zum Tragen des Halbleiterwafers 10 vor einem Bearbeiten, welcher in der obigen Kassette 13 gespeichert ist, zu Ausrichtmitteln 14, die auf einem temporären Speicherabschnitt 14a angeordnet sind, und Tragen des Halbleiterwafers 10 nach einem Bearbeiten in die Kassette 13, Werkstückfördermittel 16 zum Fördern des Halbleiterwafers vor einem Bearbeiten, welcher von den Ausrichtmitteln 14 getragen ist, zu den Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmitteln 7 und Fördern des Halbleiterwafers 10, der den Schutzfilm auf der vorderen Oberfläche durch die Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 ausgebildet aufweist, auf den obigen Ansaug- bzw. Einspanntisch 3, und Reinigungs- und Fördermittel 18 zum Fördern des Halbleiterwafers 3, welcher einem Schneidbearbeiten auf dem Einspanntisch 3 unterworfen wurde, zu den Schutzfilmbildungs- und -reinigungsmitteln 7.
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Die illustrierte Laserstrahlbearbeitungsmaschine ist wie oben beschrieben ausgebildet und ihre Funktion wird nachfolgend beschrieben.
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Der Halbleiterwafer 10 ist vor einem Bearbeiten, wobei er auf dem ringförmigen Rahmen 11 durch das Schutzklebeband 12 unterstützt bzw. abgestützt ist, wie dies in 1 gezeigt ist (um der Einfachheit halber nachfolgend als ”Halbleiterwafer 10” bezeichnet zu werden), an einer vorbestimmten Position der Kassette 13 in einer derartigen Weise gespeichert, daß seine vordere Oberfläche 10a als die zu bearbeitende Oberfläche, d. h. die Oberfläche, auf welcher die Straße 101 und die Schaltung 102 ausgebildet sind, nach oben schaut. Der Halbleiterwafer 10, der an der vorbestimmten Position der Kassette 13 gespeichert ist, wird in eine Entnahme- bzw. Ausgabeposition durch die vertikale Bewegung des Kassettentischs 131 durch die Hebemittel gebracht, welche nicht gezeigt sind. Dann wird der Halbleiterwafer 10, der an der Ausgabeposition angeordnet ist, zu den Ausrichtmitteln 14, die an dem temporären Speicherabschnitt 14a angeordnet sind, durch die Vorwärts-Rückwärtsbewegung der Werkstück-Eingabe/Ausgabemittel 15 getragen. Der Halbleiterwafer 10, der zu den Ausrichtmitteln 14 getragen ist, ist mit einer vorbestimmten Position durch die Ausrichtmittel 14 ausgerichtet. Dann wird der Halbleiterwafer 10 vor einem Bearbeiten, welcher durch die Ausrichtmittel 14 ausgerichtet wurde, auf die Adsorptionseinspanneinrichtung 711a des Rotationstischs 711 getragen, welcher die Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 ausbilden, indem die Werkstückfördermittel 16 verschwenkt werden, und wird auf der Adsorptionseinspanneinrichtung 711a durch Saugen gehalten (Waferhalteschritt). Weiterhin ist bzw. wird der ringförmige Rahmen 11 durch die Klemmen 714 festgelegt. An diesem Punkt befindet sich der Rotationstisch 711 an der Werkstück-Aufnahme/Ausgabeposition, die in 3 gezeigt ist, und die Harzzufuhrdüse 741, Reinigungswasserdüse 751 und Luftdüse 761 sind an Standby- bzw. Wartepositionen weg bzw. entfernt von dem obigen Rotationstisch 711, wie dies in 2 und 3 gezeigt ist.
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Nach dem Waferhalteschritt zum Halten des Halbleiterwafers 10 vor einem Bearbeiten auf dem Rotationstisch 711 der Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 kommt als nächstes ein Harztropfschritt zum Tropfen einer vorbestimmten Menge eines flüssigen Harzes auf den zentralen Bereich der vorderen Oberfläche 10a, welche die zu bearbeitende Oberfläche des Halbleiterwafers 10 ist. In dem Harztropfschritt wird eine vorbestimmte Menge eines flüssigen Harzes 100 von der Harzflüssigkeitszufuhrdüse 741 der Harzflüssigkeitszufuhrmittel 74 auf den zentralen Bereich der vorderen Oberfläche 10a (zu bearbeitenden Oberfläche) des Halbleiterwafers 10 getropft, der auf der Oberfläche des Schutzklebebands 12 aufgebracht ist, das an dem ringförmigen Rahmen 11 festgelegt bzw. montiert ist, wie dies in 6 gezeigt ist. Das flüssige Harz 100 ist wünschenswerterweise ein wasserlöslicher Resist, wie PVA (Polyvinylalkohol), PEG (Polyethylenglykol), PEO (Polyethylenoxid) oder dgl.
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Nach dem Harztropfschritt, wie er in 6 gezeigt ist, kommt als nächstes ein Schutzfilmausbildungsschritt zum Blasen von Luft in Richtung zu dem flüssigen Harz 100, das auf der vorderen Oberfläche 10a als der zu bearbeitenden Oberfläche des Halbleiterwafers 10 getropft ist, von der Luftdüse 751, während der Rotationstisch 711 (siehe 2) und somit der Halbleiterwafer 10 in der Richtung gedreht wird, die durch den Pfeil angedeutet ist, der in 7(a) bis 7(e) gezeigt ist. An diesem Punkt wird Luft von der Luftdüse 751 zu dem Umfang durch den zentralen Bereich des Halbleiterwafers 10 geblasen. Die Umdrehung des Rotationstischs 711 hat eine Drehzahl von 1 bis 100 pro Minute und der Druck der Luft von der Luftdüse 751 kann etwa 0,4 MPa betragen. Das flüssige Harz 100, das auf den zentralen Bereich der vorderen Oberfläche 10a als der zu bearbeitenden Oberfläche des Halbleiterwafers 10 getropft ist bzw. wird, wird zu dem Umfang des Halbleiterwafers 10 durch die Luft, welche von der Luftdüse 751 geblasen ist, in einer sequentiellen Reihenfolge fließen gelassen, wenn bzw. da der Halbleiterwafer 10 in der Richtung gedreht wird, die durch den Pfeil angedeutet ist, wie dies in 7(a), 7(b), 7(c) und 7(d) gezeigt ist. Nach einer Umdrehung des Halbleiterwafers 10, wie dies in 7(e) gezeigt ist, wird die Rotation des Halbleiterwafers 10 gestoppt und der Ausstoß von Luft aus der Luftdüse 751 wird ausgesetzt bzw. aufgehoben. Als ein Ergebnis ist bzw. wird, wie dies in 8 gezeigt ist, ein Schutzfilm 110 des flüssigen Harzes gleichmäßig auf die vordere Oberfläche 10a als der zu bearbeitenden Oberfläche des Halbleiterwafers 10 beschichtet. Obwohl die Dicke dieses Schutzfilms 110 in Abhängigkeit von der Menge des flüssigen Harzes bestimmt ist, die in dem obigen Harzzutropfschritt zugeführt ist, kann er so dünn wie etwa 1 bis 10 μm gemacht sein.
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Nach dem obigen Schutzfilmausbildungsschritt kommt als nächstes der Schritt eines Trocknens des Schutzfilms 110, der auf der vorderen Oberfläche 10a als der zu bearbeitenden Oberfläche des Halbleiterwafers 10 ausgebildet ist. Dieser Trocknungsschritt wird für etwa 30 Sekunden ausgeführt, indem der Rotationstisch 711 und somit der Halbleiterwafer 10 in einer vorbestimmten Richtung bei einer Drehzahl von beispielsweise 500 bis 3000 pro Minute gedreht wird.
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Nachdem der Schutzfilm 110 auf der vorderen Oberfläche 10a als der zu bearbeitenden Oberfläche des Halbleiterwafers 10 durch den obigen Schutzfilmausbildungsschritt ausgebildet wurde, wird der Rotationstisch 711 zu der Werkstück-Aufnahme/Ausgabeposition gebracht, die in 3 gezeigt ist, und das Saughalten des Halbleiterwafers, der auf dem Rotationstisch 711 gehalten ist, wird gelöscht bzw. beendet. Der Halbleiterwafer 10 auf dem Rotationstisch 711 wird dann auf die Adsorptionseinspanneinrichtung 32 des Einspanntischs 3 durch die Werkstückfördermittel 16 gefördert und auf der Absorptionseinspanneinrichtung 32 durch ein Saugen gehalten. Der Einspanntisch 3, welcher den Halbleiterwafer 10 durch Saugen hält, wird zu einer Position direkt unter den Bildaufnahmemitteln 5, die an den Laserstrahlaufbringmitteln 4 montiert bzw. angeordnet sind, durch Bewegungsmittel gebracht, welche nicht gezeigt sind.
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Nachdem der Einspanntisch 3 direkt unter den Bildaufnahmemitteln 5 positioniert ist, führen die Bildaufnahmemittel 5 und die Steuer- bzw. Regelmittel (nicht gezeigt) ein Bildverarbeiten, wie ein Musterübereinstimmen usw. aus, um eine Straße 101, die in einer vorbestimmten Richtung des Halbleiterwafers 10 ausgebildet ist, mit dem Kondensor 42 der Laserstrahlaufbringmittel 4 auszurichten, um einen Laserstrahl entlang der Straße 101 aufzubringen, wodurch die Ausrichtung einer Laserstrahlaufbringposition ausgeführt wird. Weiterhin wird die Ausrichtung der Laserstrahlaufbringposition ebenfalls an Straßen 101 ausgeführt, die auf dem Halbleiterwafer 10 in einer Richtung senkrecht zu der oben bestimmten Richtung ausgebildet sind. Obwohl der Schutzfilm 110 auf der vorderen Oberfläche 10a, auf welcher die Straße 101 ausgebildet ist, des Halbleiterwafers 10 an diesem Punkt ausgebildet ist bzw. wird, kann, wenn der Schutzfilm 110 nicht transparent ist, die Straße 101 auf der vorderen Oberfläche 10a ausgerichtet werden, indem ein Bild der Straße 101 mit Infrarotstrahlung aufgenommen wird.
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Nachdem die Straße 101, die auf dem Halbleiterwafer 10 ausgebildet ist, der auf dem Einspanntisch 3 gehalten ist, detektiert ist bzw. wird und die Ausrichtung der Laserstrahlaufbringposition, wie oben beschrieben, ausgeführt ist bzw. wird, wird der Einspanntisch 3 zu einem Laserstrahlaufbringbereich bewegt, wo der Kondensor 42 der Laserstrahlaufbringmittel 4 zum Aufbringen bzw. Anwenden eines Laserstrahls angeordnet ist, um die vorbestimmte Straße 101 zu einer Position unmittelbar unter dem Kondensor 42 zu bringen, wie dies in 9(a) gezeigt ist. An diesem Punkt ist, wie dies in 9(a) gezeigt ist, der Halbleiterwafer 10 so positioniert, daß ein Ende (linkes Ende in 9(a)) der Straße 101 direkt unter dem Kondensor 42 angeordnet ist. Der Einspanntisch 3, d. h. der Halbleiterwafer 10 wird dann in die Richtung, die durch den Pfeil X1 in 9(a) angedeutet ist, mit bzw. bei einer vorbestimmten Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit bzw. -rate bewegt, während ein Pulslaserstrahl von dem Kondensor 42 der Laserstrahlaufbringmittel 4 aufgebracht ist bzw. wird. Wenn das andere Ende (rechte Ende in 9(b)) der Straße 101 eine Position direkt unter dem Kondensor 42 erreicht, wie dies in 9(b) gezeigt ist, wird die Aufbringung des Pulslaserstrahls ausgesetzt und die Bewegung des Einspanntischs 3, d. h. des Halbleiterwafers 10 wird gestoppt. In diesem Rillenausbildungsschritt ist bzw. wird der Brennpunkt P des Pulslaserstrahls auf eine Position nahe der vorderen Oberfläche der Straße 101 festgelegt bzw. eingestellt.
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Indem der obige Laserstrahlaufbringschritt ausgeführt wird, wird eine Rille bzw. Nut 120 in der Straße 101 des Halbleiterwafers 10 ausgebildet, wie dies in 10 gezeigt ist. Selbst wenn Schmutz bzw. Abfall 130 durch die Aufbringung eines Laserstrahls ausgebildet wird, wie dies in 10 gezeigt ist, wird der Schmutz 130 durch den Schutzfilm 110 blockiert und haftet nicht an der Schaltung 102 und der Bondinsel bzw. -stelle an. Der obige Laserstrahlaufbringschritt wird dann auf allen Straßen 101 ausgeführt, die auf dem Halbleiterwafer 10 ausgebildet sind.
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Der obige Laserstrahlaufbringschritt wird beispielsweise unter den folgenden Bearbeitungsbedingungen ausgeführt.
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Lichtquelle des Laserstrahls: YVO4 Laser oder YAG Laser
Wellenlänge: 355 nm
Wiederholungsfrequenz: 50 bis 100 kHz
Ausgabe bzw. Leistung: 0,3 bis 4 W
Brennpunktdurchmesser: 9,2 μm
Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit: 1 bis 800 mm/s.
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Nachdem der obige Laserstrahlaufbringschritt entlang aller Straßen 101 des Halbleiterwafers 10 ausgeführt ist, wird der Einspanntisch 3, der den Halbleiterwafer 10 hält, zu einer Position zurückgeführt, wo er zuerst den Halbleiterwafer 10 durch Saugen hielt und sein Saughalten des Halbleiterwafers 10 wird gelöscht bzw. aufgehoben. Der Halbleiterwafer 10 wird dann auf die Absorptionseinspanneinrichtung 711a des Rotationstischs 711, der die Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 ausbildet, durch die Reinigungs- und Fördermittel 18 gefördert, um durch Saugen an der Adsorptionseinspanneinrichtung 711a gehalten zu werden. An diesem Punkt sind die Harzzufuhrdüse 741, die Luftdüse 751 und die Reinigungswasserdüse 761 an Wartepositionen weg von dem obigen Rotationstisch 711 positioniert, wie dies in 2 und 3 gezeigt ist.
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Nachdem der Halbleiterwafer 10 nach einem Bearbeiten auf dem Rotationstisch 711 der Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 gehalten ist, wird der Reinigungsschritt ausgeführt. D. h., der Rotationstisch 711 wird zu der Arbeitsposition gebracht und der Motor (nicht gezeigt) der Reinigungswasserzufuhrmittel 76 wird angetrieben, um die Auswurföffnung des Düsenabschnitts 761a der Reinigungswasserzufuhrdüse 761 zu einer Position über dem zentralen Abschnitt des Halbleiterwafers 10 zu bringen, der auf dem Rotationstisch 711 gehalten ist. Reinigungswasser, das aus reinem Wasser besteht, und Luft wird dann von der Ausstoßöffnung des Düsenabschnitts 761a ausgebracht bzw. ausgestoßen, während der Rotationstisch 711 beispielsweise mit 800 U/min gedreht wird. D. h., der Düsenabschnitt 751a besteht aus einer sogenannten ”Zwei-Fluid-Düse”, zu welcher reines Wasser bei einem Druck von 2 MPa zugeführt wird und Luft bei einem Druck von 0,3 bis 0,5 MPa zugeführt wird, so daß reines Wasser durch den Druck der Luft ausgestoßen wird, um die vordere Oberfläche 10a als die zu bearbeitende Oberfläche des Halbleiterwafers 10 zu reinigen. An diesem Punkt wird der Elektromotor (nicht gezeigt) angetrieben, um Wasser von der Auswurföffnung des Düsenabschnitts 761a der Reinigungswasserzufuhrdüse 761 bei einem gewünschten Winkelbereich von einer Position entsprechend dem Zentrum des Halbleiterwafers 10, der auf dem Rotationstisch 711 gehalten ist, bis zu einer Position entsprechend dem Umfangsabschnitt des Halbleiterwafers 10 schwingen zu lassen. Als ein Ergebnis kann, da der Schutzfilm 110 auf der vorderen Oberfläche 10a des Halbleiterwafers 10 aus einem wasserlöslichen Harz gebildet ist, wie dies oben beschrieben ist, er leicht weggewaschen werden und Schmutz 130, der zum Zeitpunkt eines Laserbearbeitens ausgebildet wurde, wird ebenfalls entfernt.
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Nach dem obigen Reinigungsschritt kommt als nächstes der Trocknungsschritt. D. h., die Reinigungswasserzufuhrdüse 761 wird zu einer Standby- bzw. Warteposition bewegt und der Rotationstisch 711 wird bei bei einer Drehzahl von beispielsweise 3000 pro Minute für 15 Sekunden gedreht.
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Nach dem Reinigen und Trocknen des Halbleiterwafers 10 nach einem Bearbeiten wird die Rotation des Rotationstischs 71 gestoppt und die Luftdüse 751 der Luftzufuhrmittel 75 wird zu einer Warteposition gebracht. Dann wird der Rotationstisch 711 zu der Werkstück-Aufnahme/Abgabeposition bewegt, die in 3 gezeigt ist, und sein Saughalten des Halbleiterwafers 10 auf dem Rotationstisch 711 wird gelöst. Danach wird der Halbleiterwafer 10 nach einem Bearbeiten auf dem Rotationstisch 711 zu den Ausrichtmitteln 14, die auf dem temporären Speicherabschnitt 14a angeordnet sind, durch die Werkstückfördermittel 16 gefördert. Der Halbleiterwafer 10 nach einem Bearbeiten, der zu den Ausrichtmitteln 14 gefördert ist, wird an einer vorbestimmten Position der Kassette 13 durch die Werkstück-Eingabe/Ausgabemittel 15 gespeichert.
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Es wird nachfolgend eine Beschreibung einer weiteren Ausbildung des Schutzfilmausbildungsverfahrens der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 11 bis 13 gegeben.
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Diese Ausbildung ist ein Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf der zu bearbeiteten Oberfläche eines Wafers, der einen relativ kleinen Durchmesser aufweist, wie einen Saphirwafer. In dieser Ausbildung wird, wie dies in 11 gezeigt ist, eine Mehrzahl von Saphirwafern 20 auf der Oberfläche eines Schutzklebebands 12, welches auf einem ringförmigen Rahmen 11 montiert ist, in einer derartigen Weise aufgebracht, daß die vorderen Oberflächen 20a als die zu bearbeitenden Oberflächen nach oben schauen bzw. gerichtet sind. Daher funktioniert das Schutzklebeband 12, das auf dem ringförmigen Rahmen 11 montiert bzw. festgelegt ist, als ein Abstütz- bzw. Supportglied zum Unterstützen der Mehrzahl von Wafern.
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Wie dies in 11 gezeigt ist, wird die Mehrzahl von Saphirwafern 20 vor einem Bearbeiten, welche auf dem ringförmigen Rahmen 11 durch das Schutzklebeband 12 abgestützt sind, auf dem Rotationstisch 711 der Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 durch ein Saugen ähnlich der oben beschriebenen Ausbildung gehalten (Waferhalteschritt). Dann wird, wie dies in 12 gezeigt ist, eine vorbestimmte Menge eines flüssigen Harzes 100 von der Harzflüssigkeitszufuhrdüse 741 der obigen Harzflüssigkeitszufuhrmittel 74 auf den zentralen Bereich des Schutzklebebands 12 als dem Supportglied getropft, das die Mehrzahl von Saphirwafern 20 unterstützt (Tropfschritt).
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Nachdem der Harztropfschritt ausgeführt wird, wie dies in 12 gezeigt ist, kommt als nächstes der Schutzfilmausbildungsschritt zum Blasen von Luft zu dem flüssigen Harz 100, das auf die Oberfläche des Schutzklebebands 12 getropft ist, aus der Luftdüse 751, während der Rotationstisch 711 (siehe 2) und daher das Schutzklebeband 12 als das Supportglied, das die Mehrzahl von Saphirwafern 20 unterstützt, in der Richtung gedreht wird, die durch den Pfeil in 13(a) bis 13(e) angezeigt bzw. angedeutet ist. An diesem Punkt wird Luft von der Luftdüse 751 zu dem Umfang des Schutzklebebands 12 durch den zentralen Bereich des Schutzklebebands 12 geblasen, das die Mehrzahl von Saphirwafern 20 unterstützt. Die Umdrehung des Rotationstischs 711 hat eine Drehzahl vom 1 bis 100 pro Minute und der Druck der Luft von der Luftdüse 751 kann etwa 0,4 MPa ähnlich der oben erwähnten Ausbildung sein. Somit wird Luft von der Luftdüse 751 geblasen, während das Schutzklebeband 12 als das Supportglied, das die Mehrzahl von Saphirwafern 20 unterstützt, in der Richtung gedreht wird, die durch den Pfeil angedeutet ist, wodurch flüssiges Harz 100, das auf den zentralen Bereich der Oberfläche des Schutzklebebands 12 getropft wurde, sequentiell fließen gelassen wird, wie dies in 13(a), 13(b), 13(c) und 13(d) gezeigt ist. Nach einer Umdrehung des Schutzklebebands 12 als dem Supportglied, das die Mehrzahl von Saphirwafern 20 unterstützt, wie dies in 13(e) gezeigt ist, wird die Rotation des Schutzklebebands 12 als dem Supportglied, das die Mehrzahl von Saphirwafern 20 unterstützt, gestoppt und der Ausstoß von Luft aus der Luftdüse 751 wird ausgesetzt. Als ein Ergebnis ist, wie dies in 13(e) gezeigt ist, ein Schutzfilm 110 des flüssigen Harzes gleichmäßig auf die Oberflächen der zu bearbeitenden 110a der Mehrzahl von Saphirwafern 20 beschichtet.
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Der Schritt eines Trocknens des Schutzfilms 110, der auf den vorderen Oberflächen 110a als den zu bearbeiteten Oberflächen der Saphirwafer 20 ausgebildet ist, kommt nach dem obigen Schutzfilmausbildungsschritt. Dieser Trocknungsschritt wird für 30 Sekunden ausgeführt, indem der Rotationstisch 711, und somit das Schutzklebeband 12 als das Supportglied, das die Mehrzahl von Saphirwafern 20 unterstützt, in einer vorbestimmten Richtung bei einer Drehzahl von beispielsweise 500 bis 3000 pro Minute ähnlich der obigen Ausbildung gedreht wird.
