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Gebiet der
Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Ausbilden
eines Schutzharzfilms auf der Oberfläche eines Wafers, wie eines
Halbleiterwafers oder eines Wafers einer optischen Vorrichtung.
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Wie
es dem Fachmann bekannt ist, ist bzw. wird ein Halbleiterwafer,
der eine Mehrzahl von Halbleiterchips, wie IC's oder LSI's aufweist, welche aus einem Laminat,
bestehend aus einem isolierenden Film und einem funktionellen Film
und in eine Matrix auf der vorderen Oberfläche eines Halbleitersubstrats,
wie eines Siliziumsubstrats oder dgl. gebildet sind, in dem Herstellungsverfahren
einer Halbleitervorrichtung ausgebildet. Die obigen Halbleiterchips sind
durch unterteilende bzw. Unterteilungslinien, die "Straßen" genannt sind, in
diesem Halbleiterwafer unterteilt und individuelle bzw. einzelne
Halbleiterchips werden durch ein Schneiden des Halbleiterwafers
entlang der Straßen
hergestellt. Ein Wafer einer optischen Vorrichtung, der eine Mehrzahl
von Bereichen aufweist, die durch Straßen unterteilt sind, die in einem
Gitter auf der vorderen Oberfläche
eines Saphirsubstrats und dgl. ausgebildet sind, eine optische Vorrichtung,
die einen Halbleiter aus auf einer Galliumnitrid basierenden Verbindung
aufweist, der in jedem der unterteilten Bereiche ausgebildet ist,
ist bzw. wird in individuelle optische Vorrichtungen, wie Licht emittierende
Dioden oder Laserdioden unterteilt, welche weit verbreitet in elektrischen
Anlagen verwendet werden.
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Ein
Schneiden entlang der Unterteilungslinien des obigen Halbleiterwafers
oder Wafers einer optischen Vor richtung wird allgemein unter Verwendung einer
Schneidmaschine durchgeführt,
die "Dicer" bzw. "Zerteilmaschine" genannt ist. Diese
Schneidmaschine umfaßt
einen Ansaug- bzw.
Einspanntisch zum Halten eines Halbleiterwafers als ein Werkstück, Schneidmittel
zum Schneiden des Halbleiterwafers, der auf dem Einspanntisch gehalten
ist, und Bewegungsmittel zum Bewegen des Einspanntischs und der
Schneidmittel relativ zueinander. Die Schneidmittel haben eine rotierende
Spindel, welche mit bzw. bei einer hohen Geschwindigkeit bzw. Drehzahl
gedreht wird, und eine Schneidklinge, die auf der Spindel festgelegt
bzw. montiert ist.
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Mittlerweile
offenbart als Mittel zum Unterteilen eines plattenartigen Werkstücks, wie
eines Halbleiterwafers, JP-A 10-305421 ein Verfahren, in welchem
ein Pulslaserstrahl entlang von Straßen aufgebracht bzw. angewandt
wird, die auf einem Werkstück
ausgebildet sind, um Nuten bzw. Rillen auszubilden, und das Werkstück entlang
der Nuten bzw. Rillen durch eine mechanische Brechvorrichtung unterteilt
wird.
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Ein
Laserbearbeiten kann eine Bearbeitung schnell bzw. rasch verglichen
mit einer Schneidbearbeitung machen und ist weiterhin fähig, zu
einem leichten Bearbeiten selbst eines Wafers, der aus einem Material
gefertigt bzw. hergestellt ist, das eine hohe Härte, wie Saphir aufweist. Wenn
ein Laserstrahl entlang der Straßen des Wafers aufgebracht
ist bzw. wird, wird jedoch Wärmeenergie
auf einen Bereich konzentriert, auf welchen der Laserstrahl aufgebracht
ist bzw. wird, wodurch Schmutz bzw. Abfall gebildet wird, welcher
ein neues Problem dahingehend bewirkt, daß er an einem Bonding- bzw.
Klebekissen usw. anhaftet, das mit einer Schaltung verbunden ist, um
die Qualität
eines Chips zu reduzieren.
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Um
das obige Problem, das durch Schmutz bewirkt ist, zu lösen, offenbart
JP-A 2004-188475 ein Laserbearbeitungsverfahren, in welchem ein
Schutzfilm aus einem Polyvinylalkohol auf der zu bearbeiteten Oberfläche eines
Wafers ausgebildet ist bzw. wird und ein Laserstrahl auf dem Wafer
durch den Schutzfilm aufgebracht bzw. angewandt wird.
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Die
obige Publikation lehrt, daß ein
Spin- bzw. Rotationsbeschichtungsverfahren zum Beschichten der Oberfläche, die
zu bearbeiten ist, eines Wafers W mit einem flüssigen Harz durch einen Tropfen
einer vorbestimmten Menge des flüssigen
Harzes L von einer Harzzufuhrdüse
N auf den zentralen Abschnitt des Wafers W, der auf dem Rotationstisch
T gehalten ist, und ein Drehen des Rotationstischs T mit bzw. bei
einer vorbestimmten Geschwindigkeit bzw. Drehzahl, wie dies in 14(a) gezeigt ist.
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Da
die vordere Oberfläche
bzw. Fläche
des Wafers W ungleichmäßig aufgrund
des Vorhandenseins von Vorrichtungen D, wie Schaltungen ist, wie
dies in 14(b) gezeigt ist, ist es
schwierig, das flüssige
Harz gleichmäßig über die
vordere Oberfläche
des Wafers W zu beschichten, wenn das flüssige Harz L zu dem Umfang
des Wafers W durch Zentrifugalkraft fließen gelassen wird, die durch
ein Rotieren des Rotationstischs T generiert bzw. erzeugt wird, der
den Wafer W hält.
Weiterhin ist es, wenn die Rotationsbeschichtung in einem Zustand
ausgeführt wird,
wo eine Mehrzahl von Wafern, die einen relativ kleinen Durchmesser,
wie Saphirwafer aufweisen, auf einem Supportglied angeordnet ist,
auch schwierig, einen Schutzharzfilm gleichmäßig auf den vorderen Oberflächen der
Mehrzahl von Wafern auszubilden.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Es
ist ein Ziel bzw. Gegenstand der vorliegenden Erfindung, ein Schutzfilmausbildungsverfahren
zur Verfügung zu
stellen, das fähig
ist, einen schützenden
Harzfilm gleichmäßig auf
der vorderen Oberfläche
eines Wafers auszubilden.
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Um
das obige Ziel zu erreichen, wird gemäß der vorliegenden Erfindung
ein Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms aus einem Harz auf
der zu bearbeitenden Oberfläche
eines Wafers zur Verfügung
gestellt, umfassend:
einen Waferhalteschritt zum Halten des
Wafers auf einem Spin- bzw. Rotationstisch in einer derartigen Weise,
daß die
zu bearbeitende Oberfläche
nach oben schaut bzw. gerichtet ist;
einen Harztropfschritt
zum Tropfen einer vorbestimmten Menge eines flüssigen Harzes auf den zentralen
Bereich der zu bearbeitenden Oberfläche des Wafers, der auf dem
Rotationstisch gehalten wird; und
einen Schutzfilmausbildungsschritt
zum Blasen von Luft zu bzw. in Richtung zu dem Umfang durch den zentralen
Bereich der bearbeitenden Oberfläche
des Wafers, während
der Rotationstisch gedreht wird, um das auf den zentralen Bereich
der zu bearbeitenden Oberfläche
des Wafers getropfte flüssige
Harz zu dem Umfang fließen
zu lassen.
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Weiterhin
wird gemäß der vorliegenden
Erfindung ein Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms aus einem
Harz auf den zu bearbeitenden Oberflächen einer Mehrzahl von Wafern
zur Verfügung
gestellt, die auf die Oberfläche
eines Abstütz-
bzw. Supportglieds aufgebracht werden, in einer derartigen Weise,
daß die
zu bearbeitenden Oberflächen
nach oben schauen bzw. gerichtet werden, umfassend:
einen Waferhalteschritt
zum Halten des Supportglieds, das die Wafer auf einem Rotationstisch
unterstützt
bzw. trägt;
einen
Harztropfschritt zum Tropfen einer vorbestimmten Menge eines flüssigen Harzes
auf den zentralen Bereich des Supportglieds, das die Wafer unterstützt, die
auf dem Rotationstisch gehalten werden; und
einen Schutzfilmausbildungsschritt
zum Blasen von Luft zu bzw. in Richtung zu dem Umfang durch den zentralen
Bereich des Supportglieds, während
der Rotationstisch gedreht wird, um das flüssige Harz, das auf den zentralen
Bereich des Supportglieds getropft wird, zu dem Umfang fließen zu lassen.
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In
dem obigen Schutzfilmausbildungsschritt wird der Rotationstisch
mit bzw. bei 1 bis 100 U/min gedreht. Vorzugsweise wird ein Schritt
eines Trocknens des flüssigen
Harzes auf der zu bearbeitenden Oberfläche des Wafers durch ein Rotieren
des Rotationstischs bei 500 bis 3.000 U/min nach dem Schutzfilmausbildungsschritt
ausgeführt.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung kann, da der Schritt eines Blasens von Luft zu dem Umfang durch
den zentralen Bereich der zu bearbeiteten Oberfläche des Wafers, während der
Rotationstisch gedreht wird; nach dem Schritt eines Tropfens der vorbestimmten
Menge des flüssigen
Harzes auf den zentralen Bereich der zu bearbeiteten Oberfläche des
Wafers ausgeführt
wird, der auf dem Rotationstisch gehalten wird, der Schutzfilm bzw.
die Schutzfolie des flüssigen
Harzes gleichmäßig auf
der zu bearbeiteten Oberfläche
des Wafers ausgebildet werden.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung kann, da der Schutzfilmausbildungsschritt für ein Blasen
von Luft zu dem Umfang durch den zentralen Bereich des Supportglieds
während
eines Drehens des Rotationstischs nach dem Schritt eines Tropfens
der vorbestimmten Menge des flüssigen
Harzes auf den zentralen Bereich des Supportglieds ausgeführt wird, das
die Mehrzahl von Wafern unterstützt
bzw. trägt, die
auf dem Rotationstisch gehalten werden, der Schutzfilm aus flüssigem Harz
gleichmäßig auf
den zu bearbeitenden Ober flächen
der Mehrzahl von Wafern ausgebildet werden, die auf dem Supportglied aufgebracht
bzw. gehalten sind.
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Kurze Beschreibung der
Zeichnungen
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1 ist
eine perspektivische Ansicht einer Laserstrahlbearbeitungsmaschine,
umfassend Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel zum Ausführen des
Schutzfilmausbildungsverfahrens der vorliegenden Erfindung;
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2 ist
eine teilweise weggebrochene perspektivische Ansicht der Schutzfilmausbildungs-
und -reinigungsmittel, die in der Laserstrahlbearbeitungsmaschine
zur Verfügung
gestellt sind, die in 1 gezeigt ist;
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3 ist
ein erläuterndes
Diagramm, das einen Zustand zeigt, wo der Rotationstisch der Schutzfilmausbildungs-
und -reinigungsmittel, die in 2 gezeigt
sind, an einer Werkstück-Aufnahme/Ausgabeposition
angeordnet ist;
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4 ist
ein erläuterndes
Diagramm, das einen Zustand zeigt, wo der Rotationstisch der Schutzfilmausbildungs-
und -reinigungsmittel, die in 2 gezeigt
sind, an einer Arbeitsposition angeordnet sind;
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5 ist
eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers als einem zu
bearbeitenden Werkstück
durch die Laserstrahlbearbeitungsmaschine, die in 1 gezeigt
ist;
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6 ist
ein erläuterndes
Diagramm, das einen Harztropfschritt in einer Ausbildung des Schutzfilmausbildungsverfahrens
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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7(a), 7(b), 7(c), 7(d) und 7(e) sind erläuternde Diagramme, die einen
Schutzfilmausbildungsschritt in der Ausbildung des Schutzfilmausbildungsverfahrens
der vorliegenden Erfindung zeigen;
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8 ist
eine vergrößerte Schnittansicht
des Hauptabschnitts des Halbleiterwafers als dem Werkstück, das einen
Schutzfilm aufweist, der durch den Schutzfilmausbildungsschritt
gebildet ist;
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9(a) und 9(b) sind
erläuternde
Diagramme, die einen Laserstrahlaufbringschritt zeigen, der eine
Laserstrahlbearbeitungsmaschine verwendet, die in 1 gezeigt
ist;
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10 ist
eine vergrößerte Schnittansicht des
Hauptabschnitts des Halbleiterwafers als dem Werkstück, welches
durch den Laserstrahlaufbringschritt laserbearbeitet ist bzw. wird,
der in 9(a) und 9(b) gezeigt
ist;
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11 ist
eine Draufsicht, die einen Zustand zeigt, wo eine Mehrzahl von Saphirwafern
als Werkstücken
auf ein Schutzklebeband aufgebracht bzw. gelegt sind, das auf einem
ringförmigen
Rahmen montiert ist;
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12 ist
ein erläuterndes
Diagramm, das einen Harztropfschritt in einer anderen Ausbildung des
Schutzfilmausbildungsverfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt;
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13(a), 13(b), 13(c), 13(d) und 13(e) sind erläuternde Diagramme, die einen
Schutzfilmausbildungsschritt in einer weiteren Ausbildung des Schutzfilmausbildungsverfahrens
der vorliegenden Erfindung zeigt; und
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14(a) und 14(b) sind
erläuternde
Diagramme, die das Schutzfilmausbildungsverfahren gemäß dem Stand
der Technik zeigen.
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Detaillierte Beschreibung
der bevorzugten Ausbildungen
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Bevorzugte
Ausbildungen des Schutzfilmausbildungsverfahrens gemäß der vorliegenden
Erfindung werden im Detail unter Bezugnahme auf die beiliegenden
Zeichnungen beschrieben.
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1 ist
eine perspektivische Ansicht einer Laserstrahlbearbeitungsmaschine,
umfassend Schutzfilmausbil dungs- und -reinigungsmittel zum Ausführen des
Schutzfilmausbildungsverfahrens der vorliegenden Erfindung.
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Die
Laserstrahlbearbeitungsmaschine, die in 1 gezeigt
ist, hat ein im wesentlichen rechteckiges bzw. rechtwinkeliges,
parallelepipedisches Gehäuse 2.
In dem Gehäuse 2 ist
ein Ansaug- bzw. Einspanntisch 3 als Werkstückhaltemittel
zum Halten eines Werkstücks
in einer derartigen Weise installiert, daß er sich in einer Schneidzufuhrrichtung
bewegen kann, die durch einen Pfeil X angedeutet ist. Der Einspanntisch 3 umfaßt eine
Adsorptionseinspannsupportbasis 31 und eine Adsorptionseinspanneinrichtung 32,
die auf der Adsorptionseinspannsupportbasis 31 so festgelegt
ist, daß ein
scheibenförmiger Halbleiterwafer
als ein Werkstück
auf der Anordnungsoberfläche
der Adsorptionseinspanneinrichtung 32 durch Saugmittel
gehalten ist, welche nicht gezeigt sind. Der Einspanntisch 3 kann
durch einen rotierenden bzw. Rotationsmechanismus gedreht werden,
welcher nicht gezeigt ist. Die Adsorptionssupportbasis 31 des
Einspanntischs 3, die wie oben beschrieben ausgebildet
ist, ist mit Klemmen 34 zum Fixieren eines ringförmigen Rahmens
ausgebildet, welcher später
beschrieben werden wird.
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Die
dargestellte bzw. illustrierte Laserstrahlbearbeitungsmaschine umfaßt Laserstrahlaufbringmittel 4.
Die Laserstrahlaufbringmittel 4 umfassen Laserstrahloszillationsmittel 41 und
einen Kondensor 42 zum Konvergieren eines Laserstrahls,
der durch die Laserstrahloszillationsmittel 41 oszilliert
ist.
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Die
illustrierte Laserstrahlbearbeitungsmaschine hat Bildaufnahmemittel 5 zum
Aufnehmen eines Bilds der vorderen Oberfläche des Werkstücks, das
auf der Adsorptionsansaug- bzw.
-einspanneinrichtung 32 des obigen Einspanntischs 3 gehalten
ist, um die durch einen Laserstrahl, der von dem Kondensor 42 der
obigen Laserstrahlaufbringmittel 4 aufge bracht ist bzw.
wird, zu bearbeitende Fläche
zu detektieren. Diese Bildaufnahmemittel 5 bestehen aus optischen
Mitteln, wie einem Mikroskop oder einer CCD Kamera, und übertragen
ein Bildsignal zu Steuer- bzw. Regelmitteln, welche nicht gezeigt
sind. Die illustrierte Laserstrahlbearbeitungsmaschine hat Anzeigemittel 6 zum
Anzeigen eines durch die Bildaufnahmemittel 5 aufgenommenen
Bilds.
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Die
illustrierte Laserstrahlbearbeitungsmaschine umfaßt Schutzfilmausbildungs-
und -reinigungsmittel 7 zum Ausbilden eines Schutzfilms
auf der vorderen Oberfläche
(zu bearbeitenden Oberfläche)
des Wafers als einem Werkstück
vor einem Verarbeiten und Entfernen des Schutzfilms, der auf der vorderen
Oberfläche
des Wafers ausgebildet wurde, nach dem Bearbeiten. Diese Schutzfilmausbildungs- und
-reinigungsmittel 7 werden unter Bezugnahme auf 2 bis 4 beschrieben.
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Die
Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 in der illustrierten
Ausbildung umfassen einen Rotationstischmechanismus 71 und
Reinigungswasserempfangs- bzw. -aufnahmemittel 72, die
rund um den Rotationstischmechanismus 71 ausgebildet sind.
Der Rotationstischmechanismus 71 umfaßt einen Rotationstisch 711,
einen Elektromotor 712 zum rotierenden Antreiben des Rotationstischs 711 und einen
Abstütz-
bzw. Supportmechanismus 713 zum Ab- bzw. Unterstützen des
Elektromotors 712, so daß er sich in der vertikalen
Richtung bewegen kann. Der Rotationstisch 711 hat eine
Adsorptionseinspanneinrichtung 711a, die aus einem porösen Material
gefertigt bzw. hergestellt ist, welches mit Saugmitteln verbunden
ist, welche nicht gezeigt sind. Daher ist der Wafer als das Werkstück auf dem
Adsorptionseinspannelement 711a angeordnet und auf dem
Adsorptionsansaug- bzw.
-einspannelement 711a durch ein Anlegen eines negativen
bzw. Unterrucks an den Rotationstisch 711 durch die Saugmittel
gehalten, welche nicht gezeigt sind. Der Rotationstisch 711 ist mit
Klemmen 714 zum Festlegen des ringförmigen Rahmens versehen, welcher
später
beschrieben werden wird. Der obige Rotationstisch 711 ist
mit dem oberen Ende der Antriebswelle 712a des Elektromotors 712 verbunden.
Der obige Supportmechanismus 713 umfaßt eine Mehrzahl (3 in
der illustrierten Ausbildung) von Supportfüßen bzw. -schenkeln 713a und
eine Mehrzahl (3 in der illustrierten Ausbildung) von Luftzylindern 713b,
welche jeweils mit den Supportfüßen 713a verbunden
sind und auf dem Elektromotor 712 festgelegt bzw. montiert
sind. Die Luftzylinder 713b des Supportmechanismus 713,
der wie oben beschrieben konstruiert bzw. aufgebaut ist, werden
aktiviert, um den Elektromotor 712 und den Rotationstisch 711 in
die Werkstück-Aufnahme/Ausgabeposition,
welche eine obere Position ist, die in 3 gezeigt
ist, und die Arbeiterposition zu bringen, welche eine untere Position
ist, die in 4 gezeigt ist.
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Die
obigen Reinigungswasseraufnahmemittel 72 umfassen einen
Reinigungswasseraufnahmebehälter 721,
drei (zwei sind in 2 gezeigt) Supportschenkel bzw.
Abstützfüße 722 zum
Unterstützen
des Reinigungswasseraufnahmebehälters 721 und
ein Abdeckglied 723, das auf die Antriebswelle 712a des
obigen Elektromotors 712 gepaßt ist. Der Reinigungswasseraufnahmebehälter 721 besteht aus
einer zylindrischen Außenwand 721a,
einer Bodenwand 721b und einer Innenwand 721c,
wie dies in 3 und 4 gezeigt
ist. Ein Loch 721d zum Einsetzen der Antriebswelle 712a des
obigen Elektromotors 712 ist in dem zentralen Abschnitt
der Bodenwand 721b ausgebildet, und die Innenwand 721c ragt
nach oben von dem Umfang dieses Lochs 721d vor. Wie dies
in 2 gezeigt ist, ist eine Abzugs- bzw. Entlüftungsöffnung 721e in
der Bodenwand 721b vorgesehen und ein Abzugsschlauch 724 ist
mit dieser Abzugsöffnung 721e verbunden.
Das obige Abdeckglied 723 ist ähnlich einer Scheibe ausgebildet
und hat einen Abdeckabschnitt 723a, der nach unten von
seinem Umfang vorragt. Das Abdeckglied 723, das so ausgebildet
ist, ist bzw. wird derart positioniert, daß es außerhalb der Innenwand 721c gehalten
bzw. gelegt ist, welche den obigen Reinigungswasseraufnahmebehälter 721 ausbildet,
mit einem Abstand dazwischen, wenn der Elektromotor 712 und
der Rotationstisch 711 an der Arbeitsposition positioniert
sind, die in 4 gezeigt ist.
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Die
dargestellten Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 umfassen
Harzflüssigkeitszufuhrmittel 74 zum
Zuführen
eines flüssigen
Harzes zu der Oberfläche
des Wafers als dem Werkstück
vor einem Bearbeiten, welcher auf dem obigen Rotationstisch 711 gehalten
ist. Die Harzflüssigkeitszufuhrmittel 74 umfassen
eine Harzflüssigkeitszufuhrdüse 741 zum
Zuführen
des flüssigen
Harzes zu der Oberfläche
des Wafers vor einem Bearbeiten, welcher auf dem Rotationstisch 711 gehalten
ist, und einen Elektromotor 742, welcher in einer normalen
Richtung oder einer umgekehrten Richtung rotieren kann, um die Harzflüssigkeitszufuhrdüse 741 schwingen
zu lassen bzw. hin- und herzuschwenken, und die Harzflüssigkeitszufuhrdüse 741 ist
mit einer Harzflüssigkeitszufuhrquelle
verbunden, welche nicht gezeigt ist. Die Harzflüssigkeitszufuhrdüse 741 besteht
aus einem Düsenabschnitt 741a,
welcher sich horizontal erstreckt und einen Endabschnitt hat, welcher
nach unten gebogen ist, und einem Abstütz- bzw. Supportabschnitt 741b,
der sich nach unten von dem proximalen Ende des Düsenabschnitts 741a erstreckt. Der
Supportabschnitt 741b erstreckt sich durch ein Einsatzloch
(nicht gezeigt), das in der Bodenwand 721b ausgebildet
ist, welche den obigen Reinigungsflüssigkeitsaufnahmebehälter 721 ausbildet,
und ist mit der Harzflüssigkeitszufuhrquelle
verbunden, welche nicht gezeigt ist. Ein Dichtglied (nicht gezeigt)
ist an dem Umfang des Einsetzlochs (nicht gezeigt) zum Einsetzen
des Supportabschnitts 741b der obigen Harzflüssigkeitszufuhrdüse 741 vorgesehen,
um den Spalt zwischen der Bodenwand 721b und dem Supportabschnitt 741b abzudichten.
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Die
illustrierten Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 haben
Luftzufuhrmittel 75 zum Blasen von Luft auf das flüssige Harz,
das zu der Oberfläche
des Wafers vor einem Be- bzw. Verarbeiten, welcher auf dem Rotationstisch 711 gehalten
ist, von der Harzflüssigkeitszufuhrdüse 741 der
obigen Harzflüssigkeitszufuhrmittel 74 zugeführt ist.
Diese Luftzufuhrmittel 75 umfassen eine Luftdüse 751,
um Luft zu dem Wafer zu blasen, der auf dem Rotationstisch 711 gehalten
ist, und einen Elektromotor 752, welcher in einer normalen
Richtung oder Umkehrrichtung rotieren kann, um die Luftdüse 751 schwingen zu
lassen, welche mit einer Luftzufuhrquelle verbunden ist, welche
nicht gezeigt ist. Die Luftdüse 751 besteht
aus einem Düsenabschnitt 751a,
der sich horizontal erstreckt, und einem Supportabschnitt 751b, der
sich nach unten von dem proximalen Ende des Düsenabschnitts 751a erstreckt.
Der Supportabschnitt 751b erstreckt sich durch ein Einsetzloch (nicht
gezeigt), das in der Bodenwand 721b ausgebildet ist, welche
den obigen Reinigungsflüssigkeitsaufnahmebehälter 721 darstellt
bzw. ausbildet, und ist mit der Luftzufuhrquelle verbunden, welche
nicht gezeigt ist. Ein Dichtglied (nicht gezeigt) ist an dem Umfang
des Einsetzlochs (nicht gezeigt) zum Einsetzen des Supportabschnitts 751b der
Luftdüse 751 zur Verfügung gestellt,
um den Spalt zwischen der Bodenwand 721b und dem Supportabschnitt 751b abzudichten.
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Die
illustrierten Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 umfassen
Reinigungswasserzufuhrmittel 76 zum Reinigen des Wafers
als dem Werkstück
nach einem Bearbeiten, welcher auf dem obigen Rotationstisch 711 gehalten
ist. Die Reinigungswasserzufuhrmittel 76 umfassen eine
Reinigungswasserdüse 761 zum
Ausstoßen
bzw. Ausbringen von Reinigungswasser zu dem Wafer nach einem Bearbeiten,
welcher auf dem Rotationstisch 711 gehalten ist, und einen
Elektromotor (nicht gezeigt), welcher in einer normalen Richtung
oder Umkehrrichtung rotieren kann, um die Reinigungswasserdüse 761 schwingen
zu lassen, welche mit einer Reinigungswasserzufuhrquelle verbunden
ist, die nicht gezeigt ist. Die Reinigungswasserdüse 761 besteht aus
einem Düsenabschnitt 761a,
welcher sich horizontal erstreckt und einen Endabschnitt hat, welcher nach
unten gebogen ist, und einem Supportabschnitt 761b, welcher
sich nach unten von dem proximalen Ende des Düsenabschnitts 761a erstreckt.
Der Supportabschnitt 761b erstreckt sich durch ein Einsetzloch
(nicht gezeigt), das in der Bodenwand 721b ausgebildet
ist, welche den obigen Reinigungsflüssigkeitsaufnahmebehälter 721 ausbildet,
und ist mit der Reinigungswasserzufuhrquelle verbunden, welche nicht
gezeigt ist. Ein Dichtglied (nicht gezeigt) ist an dem Umfang des
Einsetzlochs (nicht gezeigt) zum Einsetzen des Supportabschnitts 761b der
Reinigungswasserdüse 761 zur
Verfügung
gestellt, um den Spalt zwischen der Bodenwand 721b und
dem Supportabschnitt 761b abzudichten.
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Zurückkehrend
zu 1 umfaßt
die illustrierte Laserstrahlbearbeitungsmaschine einen Kassettenanordnungsabschnitt 13a zum
Anordnen einer Kassette zum Speichern bzw. Aufnehmen des Wafers 10 als
ein Werkstück.
Ein Kassettentisch 131, welcher in der vertikalen Richtung
durch Hebemittel (nicht gezeigt) bewegt werden kann, ist in dem
Kassettenanordnungsabschnitt 13a angeordnet, und eine Kassette 13 ist
auf dem Kassettentisch 131 angeordnet. Der Halbleiterwafer 10 ist
bzw. wird auf die Oberfläche
eines Schutzklebebands 12 aufgebracht bzw. gelegt, das
an einem ringförmigen
Rahmen 11 festgelegt ist, und in der obigen Kassette 13 in
einem Zustand gespeichert, wo er an dem ringförmigen Rahmen 11 durch
das Schutzklebeband 12 abgestützt ist. Eine Mehrzahl von
Bereichen bzw. Flächen ist
bzw. wird durch eine Mehrzahl von Unterteilungs- bzw. Trennungslinien 101 unterteilt,
die in einem Gitter auf der vorderen Oberfläche 10a des Halbleiterwafers 10 ausgebildet
sind, und eine Vorrichtung 102, wie IC' oder LSI ist in jedem der unterteilten
Bereiche ausgebildet, wie dies in 5 gezeigt
ist. Die rückwärtige Oberfläche des
so ausgebildeten Halbleiterwafers 10 ist bzw. wird auf
das Schutzklebeband 12, das auf dem ringförmigen Rahmen 11 festgelegt bzw.
montiert ist, in einer derartigen Weise aufgebracht, daß die vordere
Oberfläche 10a,
d.h. die Oberfläche,
auf welcher die Straße 101 und
die Vorrichtung 102 ausgebildet ist, nach oben schaut bzw. gerichtet
ist, wie dies in 1 gezeigt ist.
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Die
illustrierte Laserstrahlbearbeitungsmaschine umfaßt Werkstück-Aufnahme/Ausgabemittel 15 zum
Tragen des Halbleiterwafers 10 vor einem Bearbeiten, welcher
in der obigen Kassette 13 gespeichert ist, zu Ausrichtmitteln 14,
die auf einem temporären
Speicherabschnitt 14a angeordnet sind, und Tragen des Halbleiterwafers 10 nach
einem Bearbeiten in die Kassette 13, Werkstückfördermittel 16 zum
Fördern
des Halbleiterwafers vor einem Bearbeiten, welcher von den Ausrichtmitteln 14 getragen ist,
zu den Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmitteln 7 und
Fördern
des Halbleiterwafers 10, der den Schutzfilm auf der vorderen
Oberfläche
durch die Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 ausgebildet
aufweist, auf den obigen Ansaug- bzw. Einspanntisch 3,
und Reinigungs- und Fördermittel 18 zum Fördern des
Halbleiterwafers 3, welcher einem Schneidbearbeiten auf
dem Einspanntisch 3 unterworfen wurde, zu den Schutzfilmbildungs-
und -reinigungsmitteln 7.
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Die
illustrierte Laserstrahlbearbeitungsmaschine ist wie oben beschrieben
ausgebildet und ihre Funktion wird nachfolgend beschrieben.
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Der
Halbleiterwafer 10 ist vor einem Bearbeiten, wobei er auf
dem ringförmigen
Rahmen 11 durch das Schutzklebeband 12 unterstützt bzw.
abgestützt ist,
wie dies in 1 gezeigt ist (um der Einfachheit halber
nachfolgend als "Halbleiterwafer 10'' bezeichnet zu werden), an einer
vorbestimmten Position der Kassette 13 in einer derartigen
Weise gespeichert, daß seine
vordere Oberfläche 10a als
die zu bearbeitende Oberfläche,
d.h. die Oberfläche,
auf welcher die Straße 101 und
die Schaltung 102 ausgebildet sind, nach oben schaut. Der
Halbleiterwafer 10, der an der vorbestimmten Position der
Kassette 13 gespeichert ist, wird in eine Entnahme- bzw.
Ausgabeposition durch die vertikale Bewegung des Kassettentischs 131 durch
die Hebemittel gebracht, welche nicht gezeigt sind. Dann wird der
Halbleiterwafer 10, der an der Ausgabeposition angeordnet
ist, zu den Ausrichtmitteln 14, die an dem temporären Speicher- abschnitt 14a angeordnet
sind, durch die Vorwärts-Rückwärtsbewegung
der Werkstück-Eingabe/Ausgabemittel 15 getragen.
Der Halbleiterwafer 10, der zu den Ausrichtmitteln 14 getragen
ist, ist mit einer vorbestimmten Position durch die Ausrichtmittel 14 ausgerichtet.
Dann wird der Halbleiterwafer 10 vor einem Bearbeiten,
welcher durch die Ausrichtmittel 14 ausgerichtet wurde,
auf die Adsorptionseinspanneinrichtung 711a des Rotationstischs 711 getragen, welcher
die Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 ausbilden,
indem die Werkstückfördermittel 16 verschwenkt
werden, und wird auf der Adsorptionseinspanneinrichtung 711a durch
Saugen gehalten (Waferhalteschritt). Weiterhin ist bzw. wird der ringförmige Rahmen 11 durch
die Klemmen 714 festgelegt. An diesem Punkt befindet sich
der Rotationstisch 711 an der Werkstück-Aufnahme/Ausgabeposition,
die in 3 gezeigt ist, und die Harzzufuhrdüse 741,
Reinigungswasserdüse 751 und
Luftdüse 761 sind
an Standby- bzw.
Wartepositionen weg bzw. entfernt von dem obigen Rotationstisch 711,
wie dies in 2 und 3 gezeigt
ist.
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Nach
dem Waferhalteschritt zum Halten des Halbleiterwafers 10 vor
einem Bearbeiten auf dem Rotationstisch 711 der Schutzfilmausbildungs-
und -reinigungsmittel 7 kommt als nächstes ein Harztropfschritt
zum Tropfen einer vorbestimmten Menge eines flüssigen Harzes auf den zentralen
Bereich der vorderen Oberfläche 10a,
welche die zu bearbeitende Oberfläche des Halbleiterwafers 10 ist.
In dem Harztropfschritt wird eine vorbestimmte Menge eines flüssigen Harzes 100 von
der Harzflüssigkeitszufuhrdüse 741 der
Harzflüssigkeitszufuhrmittel 74 auf
den zentralen Bereich der vorderen Oberfläche 10a (zu bearbeitenden
Oberfläche)
des Halbleiterwafers 10 getropft, der auf der Oberfläche des
Schutzklebebands 12 aufgebracht ist, das an dem ringförmigen Rahmen 11 festgelegt
bzw. montiert ist, wie dies in 6 gezeigt
ist. Das flüssige
Harz 100 ist wünschenswerterweise
ein wasserlöslicher
Resist, wie PVA (Polyvinylalkohol), PEG (Polyethylenglykol), PEO
(Polyethylenoxid) oder dgl.
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Nach
dem Harztropfschritt, wie er in 6 gezeigt
ist, kommt als nächstes
ein Schutzfilmausbildungsschritt zum Blasen von Luft in Richtung
zu dem flüssigen
Harz 100, das auf der vorderen Oberfläche 10a als der zu
bearbeitenden Oberfläche
des Halbleiterwafers 10 getropft ist, von der Luftdüse 751,
während
der Rotationstisch 711 (siehe 2) und somit der
Halbleiterwafer 10 in der Richtung gedreht wird, die durch
den Pfeil angedeutet ist, der in 7(a) bis 7(e) gezeigt ist. An diesem Punkt wird
Luft von der Luftdüse 751 zu
dem Umfang durch den zentralen Bereich des Halbleiterwafers 10 geblasen.
Die Umdrehung des Rotationstischs 711 kann 1 bis 100 U/min
sein und der Druck der Luft von der Luftdüse 751 kann etwa 0,4
MPa betragen. Das flüssige
Harz 100, das auf den zentralen Bereich der vorderen Oberfläche 10a als
der zu bearbeitenden Oberfläche des
Halbleiterwafers 10 getropft ist bzw. wird, wird zu dem
Umfang des Halbleiterwafers 10 durch die Luft, welche von
der Luftdüse 751 geblasen
ist, in einer sequentiellen Reihenfolge fließen gelassen, wenn bzw. da
der Halbleiterwafer 10 in der Richtung gedreht wird, die
durch den Pfeil angedeutet ist, wie dies in 7(a), 7(b), 7(c) und 7(d) gezeigt ist. Nach einer Umdrehung
des Halbleiterwafers 10, wie dies in 7(e) gezeigt
ist, wird die Rotation des Halbleiterwafers 10 gestoppt
und der Ausstoß von
Luft aus der Luftdüse 751 wird
ausgesetzt bzw. aufgehoben. Als ein Ergebnis ist bzw. wird, wie
dies in 8 gezeigt ist, ein Schutzfilm 110 des
flüssigen
Harzes gleichmäßig auf
die vordere Oberfläche 10a als
der zu bearbeitenden Oberfläche
des Halbleiterwafers 10 beschichtet. Obwohl die Dicke dieses
Schutzfilms 110 in Abhängigkeit
von der Menge des flüssigen
Harzes bestimmt ist, die in dem obigen Harzzutropfschritt zugeführt ist,
kann er so dünn
wie etwa 1 bis 10 μm
gemacht sein.
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Nach
dem obigen Schutzfilmausbildungsschritt kommt als nächstes der
Schritt eines Trocknens des Schutzfilms 110, der auf der
vorderen Oberfläche 10a als
der zu bearbeitenden Oberfläche
des Halbleiterwafers 10 ausgebildet ist. Dieser Trocknungsschritt
wird für
etwa 30 Sekunden ausgeführt, indem
der Rotationstisch 711 und somit der Halb leiterwafer 10 in
einer vorbestimmten Richtung bei beispielsweise 500 bis 3.000 U/min
gedreht wird.
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Nachdem
der Schutzfilm 110 auf der vorderen Oberfläche 10a als
der zu bearbeitenden Oberfläche
des Halbleiterwafers 10 durch den obigen Schutzfilmausbildungsschritt
ausgebildet wurde, wird der Rotationstisch 711 zu der Werkstück-Aufnahme/Ausgabeposition
gebracht, die in 3 gezeigt ist, und das Saughalten
des Halbleiterwafers, der auf dem Rotationstisch 711 gehalten
ist, wird gelöscht bzw.
beendet. Der Halbleiterwafer 10 auf dem Rotationstisch 711 wird
dann auf die Adsorptionseinspanneinrichtung 32 des Einspanntischs 3 durch
die Werkstückfördermittel 16 gefördert und
auf der Absorptionseinspanneinrichtung 32 durch ein Saugen gehalten.
Der Einspanntisch 3, welcher den Halbleiterwafer 10 durch
Saugen hält,
wird zu einer Position direkt unter den Bildaufnahmemitteln 5,
die an den Laserstrahlaufbringmitteln 4 montiert bzw. angeordnet
sind, durch Bewegungsmittel gebracht, welche nicht gezeigt sind.
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Nachdem
der Einspanntisch 3 direkt unter den Bildaufnahmemitteln 5 positioniert
ist, führen
die Bildaufnahmemittel 5 und die Steuer- bzw. Regelmittel
(nicht gezeigt) ein Bildverarbeiten, wie ein Musterübereinstimmen
usw. aus, um eine Straße 101,
die in einer vorbestimmten Richtung des Halbleiterwafers 10 ausgebildet
ist, mit dem Kondensor 42 der Laserstrahlaufbringmittel 4 auszurichten,
um einen Laserstrahl entlang der Straße 101 aufzubringen,
wodurch die Ausrichtung einer Laserstrahlaufbringposition ausgeführt wird.
Weiterhin wird die Ausrichtung der Laserstrahlaufbringposition ebenfalls
an Straßen 101 ausgeführt, die
auf dem Halbleiterwafer 10 in einer Richtung senkrecht
zu der oben bestimmten Richtung ausgebildet sind. Obwohl der Schutzfilm 110 auf
der vorderen Oberfläche 10a,
auf welcher die Straße 101 ausgebildet
ist, des Halbleiterwafers 10 an diesem Punkt ausgebildet
ist bzw. wird, kann, wenn der Schutzfilm 110 nicht transparent
ist, die Straße 101 auf
der vorderen Oberfläche 10a ausgerichtet
werden, indem ein Bild der Straße 101 mit
Infrarotstrahlung aufgenommen wird.
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Nachdem
die Straße 101,
die auf dem Halbleiterwafer 10 ausgebildet ist, der auf
dem Einspanntisch 3 gehalten ist, detektiert ist bzw. wird
und die Ausrichtung der Laserstrahlaufbringposition, wie oben beschrieben,
ausgeführt
ist bzw. wird, wird der Einspanntisch 3 zu einem Laserstrahlaufbringbereich bewegt,
wo der Kondensor 42 der Laserstrahlaufbringmittel 4 zum
Aufbringen bzw. Anwenden eines Laserstrahls angeordnet ist, um die
vorbestimmte Straße 101 zu
einer Position unmittelbar unter dem Kondensor 42 zu bringen,
wie dies in 9(a) gezeigt ist. An diesem
Punkt ist, wie dies in 9(a) gezeigt
ist, der Halbleiterwafer 10 so positioniert, daß ein Ende
(linkes Ende in 9(a)) der Straße 101 direkt
unter dem Kondensor 42 angeordnet ist. Der Einspanntisch 3,
d.h. der Halbleiterwafer 10 wird dann in die Richtung,
die durch den Pfeil X1 in 9(a) angedeutet
ist, mit bzw. bei einer vorbestimmten Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit
bzw. -rate bewegt, während
ein Pulslaserstrahl von dem Kondensor 42 der Laserstrahlaufbringmittel 4 aufgebracht
ist bzw. wird. Wenn das andere Ende (rechte Ende in 9(b))
der Straße 101 eine
Position direkt unter dem Kondensor 42 erreicht, wie dies
in 9(b) gezeigt ist, wird die Aufbringung
des Pulslaserstrahls ausgesetzt und die Bewegung des Einspanntischs 3, d.h.
des Halbleiterwafers 10 wird gestoppt. In diesem Rillenausbildungsschritt
ist bzw. wird der Brennpunkt P des Pulslaserstrahls auf eine Position
nahe der vorderen Oberfläche
der Straße 101 festgelegt
bzw. eingestellt.
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Indem
der obige Laserstrahlaufbringschritt ausgeführt wird, wird eine Rille bzw.
Nut 120 in der Straße 101 des
Halbleiterwafers 10 ausgebildet, wie dies in 10 gezeigt
ist. Selbst wenn Schmutz bzw. Abfall 130 durch die Aufbringung
eines Laserstrahls ausgebildet wird, wie dies in 10 gezeigt
ist, wird der Schmutz 130 durch den Schutzfilm 110 blockiert und
haftet nicht an der Schaltung 102 und der Bondinsel bzw.
-stelle an. Der obige Laserstrahlaufbringschritt wird dann auf allen
Straßen 101 ausgeführt, die
auf dem Halbleiterwafer 10 ausgebildet sind.
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Der
obige Laserstrahlaufbringschritt wird beispielsweise unter den folgenden
Bearbeitungsbedingungen ausgeführt.
- Lichtquelle des Laserstrahls: YVO4 Laser oder YAG Laser
- Wellenlänge:
355 nm
- Wiederholungsfrequenz: 50 bis 100 kHz
- Ausgabe bzw. Leistung: 0,3 bis 4 W
- Brennpunktdurchmesser: 9,2 μm
- Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit: 1 bis 800 mm/s.
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Nachdem
der obige Laserstrahlaufbringschritt entlang aller Straßen 101 des
Halbleiterwafers 10 ausgeführt ist, wird der Einspanntisch 3,
der den Halbleiterwafer 10 hält, zu einer Position zurückgeführt, wo
er zuerst den Halbleiterwafer 10 durch Saugen hielt und
sein Saughalten des Halbleiterwafers 10 wird gelöscht bzw.
aufgehoben. Der Halbleiterwafer 10 wird dann auf die Absorptionseinspanneinrichtung 711a des
Rotationstischs 711, der die Schutzfilmausbildungs- und
-reinigungsmittel 7 ausbildet, durch die Reinigungs- und
Fördermittel 18 gefördert, um
durch Saugen an der Adsorptionseinspanneinrichtung 711a gehalten
zu werden. An diesem Punkt sind die Harzzufuhrdüse 741, die Luftdüse 751 und die
Reinigungswasserdüse 761 an
Warteposi tionen weg von dem obigen Rotationstisch 711 positioniert, wie
dies in 2 und 3 gezeigt
ist.
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Nachdem
der Halbleiterwafer 10 nach einem Bearbeiten auf dem Rotationstisch 711 der
Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 gehalten
ist, wird der Reinigungsschritt ausgeführt. D.h., der Rotationstisch 711 wird
zu der Arbeitsposition gebracht und der Motor (nicht gezeigt) der
Reinigungswasserzufuhrmittel 76 wird angetrieben, um die
Auswurföffnung
des Düsenabschnitts 761a der
Reinigungswasserzufuhrdüse 761 zu
einer Position über
dem zentralen Abschnitt des Halbleiterwafers 10 zu bringen, der
auf dem Rotationstisch 711 gehalten ist. Reinigungswasser,
das aus reinem Wasser besteht, und Luft wird dann von der Ausstoßöffnung des
Düsenabschnitts 761a ausgebracht
bzw. ausgestoßen,
während
der Rotationstisch 711 beispielsweise mit 800 U/min gedreht
wird. D.h., der Düsenabschnitt 751a besteht
aus einer sogenannten "Zwei-Fluid-Düse", zu welcher reines
Wasser bei einem Druck von 2 MPa zugeführt wird und Luft bei einem
Druck von 0,3 bis 0,5 MPa zugeführt
wird, so daß reines
Wasser durch den Druck der Luft ausgestoßen wird, um die vordere Oberfläche 10a als
die zu bearbeitende Oberfläche
des Halbleiterwafers 10 zu reinigen. An diesem Punkt wird
der Elektromotor (nicht gezeigt) angetrieben, um Wasser von der
Auswurföffnung
des Düsenabschnitts 761a der
Reinigungswasserzufuhrdüse 761 bei
einem gewünschten
Winkelbereich von einer Position entsprechend dem Zentrum des Halbleiterwafers 10,
der auf dem Rotationstisch 711 gehalten ist, bis zu einer
Position entsprechend dem Umfangsabschnitt des Halbleiterwafers 10 schwingen
zu lassen. Als ein Ergebnis kann, da der Schutzfilm 110 auf
der vorderen Oberfläche 10a des
Halbleiterwafers 10 aus einem wasserlöslichen Harz gebildet ist,
wie dies oben beschrieben ist, er leicht weggewaschen werden und
Schmutz 130, der zum Zeit punkt eines Laserbearbeitens ausgebildet
wurde, wird ebenfalls entfernt.
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Nach
dem obigen Reinigungsschritt kommt als nächstes der Trocknungsschritt.
D.h., die Reinigungswasserzufuhrdüse 761 wird zu einer
Standby- bzw. Warteposition bewegt und der Rotationstisch 711 wird
bei beispielsweise 3.000 U/min für
15 Sekunden gedreht.
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Nach
dem Reinigen und Trocknen des Halbleiterwafers 10 nach
einem Bearbeiten wird die Rotation des Rotationstischs 71 gestoppt
und die Luftdüse 751 der
Luftzufuhrmittel 75 wird zu einer Warteposition gebracht.
Dann wird der Rotationstisch 711 zu der Werkstück-Aufnahme/Abgabeposition
bewegt, die in 3 gezeigt ist, und sein Saughalten
des Halbleiterwafers 10 auf dem Rotationstisch 711 wird gelöst. Danach
wird der Halbleiterwafer 10 nach einem Bearbeiten auf dem
Rotationstisch 711 zu den Ausrichtmitteln 14,
die auf dem temporären
Speicherabschnitt 14a angeordnet sind, durch die Werkstückfördermittel 16 gefördert. Der
Halbleiterwafer 10 nach einem Bearbeiten, der zu den Ausrichtmitteln 14 gefördert ist,
wird an einer vorbestimmten Position der Kassette 13 durch
die Werkstück-Eingabe/Ausgabemittel 15 gespeichert.
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Es
wird nachfolgend eine Beschreibung einer weiteren Ausbildung des
Schutzfilmausbildungsverfahrens der vorliegenden Erfindung unter
Bezugnahme auf 11 bis 13 gegeben.
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Diese
Ausbildung ist ein Verfahren zum Ausbilden eines Schutzfilms auf
der zu bearbeiteten Oberfläche
eines Wafers, der einen relativ kleinen Durchmesser aufweist, wie
einen Saphirwafer. In dieser Ausbildung wird, wie dies in 11 gezeigt
ist, eine Mehrzahl von Saphirwafern 20 auf der Oberfläche eines
Schutzklebebands 12, welches auf einem ringförmigen Rahmen 11 montiert
ist, in einer derartigen Weise aufgebracht, daß die vorderen Oberflächen 20a als
die zu bearbeitenden Oberflächen
nach oben schauen bzw. gerichtet sind. Daher funktioniert das Schutzklebeband 12,
das auf dem ringförmigen Rahmen 11 montiert
bzw. festgelegt ist, als ein Abstütz- bzw. Supportglied zum Unterstützen der
Mehrzahl von Wafern.
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Wie
dies in 11 gezeigt ist, wird die Mehrzahl
von Saphirwafern 20 vor einem Bearbeiten, welche auf dem
ringförmigen
Rahmen 11 durch das Schutzklebeband 12 abgestützt sind,
auf dem Rotationstisch 711 der Schutzfilmausbildungs- und -reinigungsmittel 7 durch
ein Saugen ähnlich
der oben beschriebenen Ausbildung gehalten (Waferhalteschritt).
Dann wird, wie dies in 12 gezeigt ist, eine vorbestimmte
Menge eines flüssigen
Harzes 100 von der Harzflüssigkeitszufuhrdüse 741 der
obigen Harzflüssigkeitszufuhrmittel 74 auf
den zentralen Bereich des Schutzklebebands 12 als dem Supportglied
getropft, das die Mehrzahl von Saphirwafern 20 unterstützt (Tropfschritt).
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Nachdem
der Harztropfschritt ausgeführt wird,
wie dies in 12 gezeigt ist, kommt als nächstes der
Schutzfilmausbildungsschritt zum Blasen von Luft zu dem flüssigen Harz 100,
das auf die Oberfläche
des Schutzklebebands 12 getropft ist, aus der Luftdüse 751,
während
der Rotationstisch 711 (siehe 2) und daher
das Schutzklebeband 12 als das Supportglied, das die Mehrzahl
von Saphirwafern 20 unterstützt, in der Richtung gedreht
wird, die durch den Pfeil in 13(a) bis 13(e) angezeigt bzw. angedeutet ist. An
diesem Punkt wird Luft von der Luftdüse 751 zu dem Umfang
des Schutzklebebands 12 durch den zentralen Bereich des
Schutzklebebands 12 geblasen, das die Mehrzahl von Saphirwafern 20 unterstützt. Die
Umdrehung des Rotationstischs 711 kann 1 bis 100 U/min
betragen und der Druck der Luft von der Luftdüse 751 kann etwa 0,4
MPa ähnlich
der oben erwähnten
Ausbildung sein. Somit wird Luft von der Luftdüse 751 geblasen, während das
Schutzklebeband 12 als das Supportglied, das die Mehrzahl von
Saphirwafern 20 unterstützt,
in der Richtung gedreht wird, die durch den Pfeil angedeutet ist,
wodurch flüssiges
Harz 100, das auf den zentralen Bereich der Oberfläche des
Schutzklebebands 12 getropft wurde, sequentiell fließen gelassen
wird, wie dies in 13(a), 13(b), 13(c) und 13(d) gezeigt ist. Nach einer Umdrehung
des Schutzklebebands 12 als dem Supportglied, das die Mehrzahl
von Saphirwafern 20 unterstützt, wie dies in 13(e) gezeigt ist, wird die Rotation des
Schutzklebebands 12 als dem Supportglied, das die Mehrzahl
von Saphirwafern 20 unterstützt, gestoppt und der Ausstoß von Luft
aus der Luftdüse 751 wird
ausgesetzt. Als ein Ergebnis ist, wie dies in 13(e) gezeigt
ist, ein Schutzfilm 110 des flüssigen Harzes gleichmäßig auf
die Oberflächen
der zu bearbeitenden 110a der Mehrzahl von Saphirwafern 20 beschichtet.
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Der
Schritt eines Trocknens des Schutzfilms 110, der auf den
vorderen Oberflächen 110a als
den zu bearbeiteten Oberflächen
der Saphirwafer 20 ausgebildet ist, kommt nach dem obigen
Schutzfilmausbildungsschritt. Dieser Trocknungsschritt wird für 30 Sekunden
ausgeführt,
indem der Rotationstisch 711, und somit das Schutzklebeband 12 als
das Supportglied, das die Mehrzahl von Saphirwafern 20 unterstützt, in
einer vorbestimmten Richtung bei beispielsweise 500 bis 3.000 U/min ähnlich der
obigen Ausbildung gedreht wird.