TW202144110A

TW202144110A - 薄膜去除裝置及薄膜去除方法

Info

Publication number: TW202144110A
Application number: TW110117460A
Authority: TW
Inventors: 朴大星; 李浚政; 元載雄
Original assignee: 南韓商未來股份有限公司
Priority date: 2020-05-18
Filing date: 2021-05-14
Publication date: 2021-12-01
Also published as: JP7179119B2; CN113681163A; KR102358063B1; CN113681163B; KR20210142468A; TWI803872B; JP2021181118A

Abstract

本發明的實施例提供薄膜去除裝置及薄膜去除方法。本發明一個實施例的薄膜去除裝置包括：膜附著裝置，所述膜附著裝置在配置於被加工物的薄膜上附著保護膜；雷射加工單元，所述雷射加工單元照射雷射光束，將所述薄膜與所述保護膜從所述被加工物一體分離；及膜去除單元，所述膜去除單元使所述薄膜從所述被加工物脫離。

Description

薄膜去除裝置及薄膜去除方法

本發明的實施例有關薄膜去除裝置及薄膜去除方法。

為了保護被加工物不受外部衝擊或者氧氣或水分流入的影響，可以在被加工物上配置有保護膜。保護膜作為配置於被加工物外部的薄膜形態的構件，可以切斷被加工物與外部的接觸，提高被加工物的耐久性。

可是，當在配置於被加工物上的薄膜沾有異物或在製造過程中薄膜發生不良時，相應薄膜對其他被加工物或完成的製品造成不良影響，製品的收率會低下。因此，需要去除不良的薄膜或被污染的薄膜。

作為以往方法，有利用膠帶直接去除薄膜上沾有的異物的方法。但是，該方法以手工操作進行，因而無法完美地去除異物，去除需要的時間長，生產量會低下。另外，需投入大量人力，因而為了提高收率，導致人工費用增加。

另外，作為用於去除被污染薄膜或不良薄膜的以往方法，有利用雷射的方式。但是，在利用雷射加工薄膜的過程中，發生煙氣（fume）等微細異物，因而會在其他被加工物及/或薄膜發生二次污染。另外，為了去除在雷射加工時發生的煙氣等微細異物，需持續啟動吸入裝置，因而費用成為問題。

前述的先前技術作為發明人為了匯出本發明而已經保有或在本發明的匯出過程中學到的技術資訊，不能說是必須在本發明申請之前向普通公眾公開的公知技術。

本發明實施例的目的在於提供一種能夠在無被加工物的二次污染的情況下去除在被加工物上面配置的薄膜的薄膜去除裝置及薄膜去除方法。不過，前述課題作為本發明的實施例，本發明的目的及要解決的技術課題不限於此。

本發明一個實施例的薄膜去除裝置包括：膜附著裝置，所述膜附著裝置在配置於被加工物的薄膜上附著保護膜；雷射加工單元，所述雷射加工單元照射雷射光束，將所述薄膜與所述保護膜從所述被加工物一體分離；及膜去除單元，所述膜去除單元使所述薄膜從所述被加工物脫離。

在本發明一個實施例的薄膜去除裝置中，所述保護膜可以具有與所述薄膜對應的形狀，在附著於所述薄膜上面的狀態下，端部可以凸出到所述薄膜的外側。

在本發明一個實施例的薄膜去除裝置中，所述雷射光束的波長可以為440 nm至1500 nm，透過所述保護膜，去除所述薄膜的一部分。

在本發明一個實施例的薄膜去除裝置中，所述雷射加工單元可以將所述雷射光束照射於所述薄膜的內側區域，使所述薄膜從所述被加工物的上面翹起（或消融），將所述雷射光束照射於所述薄膜的邊緣，使所述薄膜的邊緣從所述被加工物的上面分離。

在本發明一個實施例的薄膜去除裝置中，所述膜去除單元可以在把持所述保護膜的端部的狀態下，向預先設置的方向移動，使所述薄膜與所述保護膜從所述被加工物一體脫離。

本發明另一實施例的薄膜去除方法包括：在配置於被加工物的薄膜上附著保護膜的步驟；照射雷射光束，使所述薄膜與所述保護膜從所述被加工物一體分離的步驟；及使所述薄膜從所述被加工物脫離的步驟。

在本發明另一實施例的薄膜去除方法中，所述雷射光束的波長可以為440 nm至1500 nm，透過所述保護膜，去除所述薄膜的一部分。

在本發明另一實施例的薄膜去除方法中，將所述薄膜與所述保護膜一體分離的步驟包括：將所述雷射光束照射於所述薄膜的內側區域而使所述薄膜從所述被加工物的上面翹起的步驟；及將所述雷射光束照射於所述薄膜的邊緣而使所述薄膜的邊緣從所述被加工物的上面分離的步驟。

在本發明另一實施例的薄膜去除方法中，使所述薄膜脫離的步驟可以在把持所述保護膜的端部的狀態下向預先設置的方向移動，使所述薄膜與所述保護膜從所述被加工物一體脫離。

通過以下具體實施方式、申請專利範圍及圖式，除前述內容之外的其他側面、特徵、優點將更加明確。

本發明一個實施例的薄膜去除裝置及薄膜去除方法在配置於被加工物上面的薄膜上附著保護膜，照射雷射光束，將被加工物的上面和薄膜分離，從而可以防止薄膜去除製程中發生的煙氣等異物飛散及擴散，可以防止異物導致其他被加工物被二次污染。

本發明一個實施例的薄膜去除裝置及薄膜去除方法在薄膜和保護膜附著的狀態下進行製程，從而可以切實防止其他被加工物被二次污染。另外，本發明一個實施例的薄膜去除裝置及薄膜去除方法不需要配備另外的吸入裝置或排氣裝置，可以飛躍性地節省費用。

本發明可以施加多樣的變換，可以具有多種實施例，將在附圖中示例性圖示特定實施例並在發明的說明中詳細說明。但是，這並非要將本發明限定於特定實施例，應理解為包括本發明的思想及技術範圍內包含的所有變換、均等物以及替代物。在說明本發明方面，即使在不同實施例中圖示，對於相同的構成要素，使用相同的圖式標號。

第一、第二等術語可以用於說明多樣的構成要素，但構成要素不得由術語所限定。術語只用於把一種構成要素區別於另一構成要素的目的。

在本發明中使用的術語只是為了說明特定實施例而使用，並非要限定本發明之意。在本發明中，“包括”或“具有”等術語應理解為是要指定說明書上記載的特徵、數位、步驟、動作、構成要素、部件或它們的組合的存在，不預先排除一個或其以上的其它特徵或數位、步驟、動作、構成要素、部件或它們的組合的存在或附加可能性。

圖1是顯示本發明一個實施例的薄膜去除裝置10的圖，圖2是顯示圖1的膜附著單元200的運轉狀態的圖，圖3是顯示圖2的保護膜PF的多樣形態的圖。

如果參照圖1至圖3，本發明一個實施例的薄膜去除裝置10可以用於去除薄膜TF。更具體而言，薄膜去除裝置10可以用於在基板S包括的多個被加工物W上面配置的薄膜TF中，去除附著有異物的薄膜TF或不良薄膜TF。

不過，薄膜TF並非必須限定於附著有異物的薄膜TF或不良薄膜TF，可以是需要去除的多樣狀態的薄膜TF。在本說明書中，為了發明的便利，以附著有異物的薄膜TF或不良薄膜TF為中心進行說明。

本發明一個實施例的薄膜去除裝置10可以包括平臺100、膜附著單元200、雷射加工單元300、膜去除單元400。

基板S安放於平臺100的上面。作為一個實施例，為了防止加工中基板S晃動或振動，平臺100可以包括固定構件（圖上未示出）。例如，平臺100可以包括對基板S上面進行加壓固定的握爪（圖上未示出）或吸附基板S下麵的吸入孔（圖上未示出）。

平臺100可以在加工中保持固定狀態，或借助於控制器（圖上未示出）的操作而向至少某一方向並進或旋轉運動。

膜附著單元200在安放於平臺100上的被加工物W上附著保護膜PF。作為一個實施例，膜附著單元200可以在配置於被加工物W上面的薄膜TF上附著保護膜PF。

保護膜PF的材質不特別限定。作為一個實施例，保護膜PF作為用於加工的雷射透過的材質，可以由聚對苯二甲酸乙二酯（PET）構成。更具體而言，保護膜PF作為雷射加工單元300照射的波長440 nm至1500 nm雷射光束L透過的材質，可以為透明或不透明的材質。

作為一個實施例，保護膜PF可以包括光學用黏合劑，光學用黏合劑可以為OCA（optical clear adhesive：光學透明膠）或OCR（optical clear resin：光學透明樹脂）。

本發明一個實施例的膜附著單元200可以包括吸附墊210、第一輥220。

吸附墊210吸附保護膜PF並使之附著於薄膜TF上。作為一個實施例，吸附墊210可以吸附載入單元（圖上未示出）載入的保護膜PF並提起。而且，吸附墊210移動到附著了異物的薄膜TF或不良薄膜TF後，向下移動，可以將保護膜PF附著於附著了異物的薄膜TF或不良薄膜TF上（參照圖2的（a））。

第一輥220可以對附著於薄膜TF上的保護膜PF加壓。作為一個實施例，第一輥220可以在向膜附著單元200的移動方向移動的同時，將保護膜PF從上向下加壓。因此，薄膜TF和保護膜PF可以更緊密地附著，特別是可以去除薄膜TF與保護膜PF之間的氣泡，提高薄膜TF與保護膜PF間的附著力。

作為一個實施例，保護膜PF可以具有與薄膜TF形狀對應的形狀。更具體而言，如圖3所示，保護膜PF可以具有與具有多樣形狀的薄膜TF相同的形狀。

保護膜PF的大小不特別限定。作為一個實施例，保護膜PF優選比薄膜TF大預先設置的比率。即，保護膜PF具有與薄膜TF形狀對應的形狀，且其大小可以大於薄膜TF。因此，在保護膜PF附著於薄膜TF上的狀態下，保護膜PF的端部凸出到薄膜TF的外側，然後可以利用膜去除單元400，容易地去除薄膜TF。

圖4是顯示圖1的雷射加工單元300的一個示例的圖，圖5及圖6是顯示圖4的雷射加工單元300的運轉狀態的圖。

本發明一個實施例的薄膜去除裝置10可以利用雷射加工單元300，分離被加工物W上配置的薄膜TF。雷射加工單元300可以照射具有既定波長及能量的雷射光束，將薄膜TF與保護膜PF從被加工物W一體分離。

如果參照圖4，作為一個實施例，雷射加工單元300可以包括雷射振盪器310、光學儀320、雷射控制器330。

雷射振盪器310可以激發（excitation）特定介質而生成雷射光束L。雷射振盪器310使用的介質不特別限定，可以使用液體、氣體、固體或半導體。

雷射振盪器310激發的雷射光束L的波長不特別限定。優選地，雷射光束L作為藍色雷射（blue laser）至近紅外線雷射（near infrared laser），可以具有440 nm至1500 nm的波長。

作為一個實施例，雷射振盪器310可以生成脈衝雷射（pulse laser）。雷射振盪器310可以具備Q-開關（Q-switching）裝置，因而可以生成具有ps至fs的超短脈衝寬度的雷射光束L。

光學儀320可以控制雷射振盪器310生成的雷射光束L的光路徑，或生成照射於被加工物W上的雷射光束L的點等。

本發明一個實施例的光學儀320可以包括兩個振鏡321a、321b、平場聚焦（F-theta）透鏡322。

振鏡321a、321b可以借助於伺服馬達（圖上未示出）及對其進行控制的雷射控制器330，控制入射的雷射光束L的光路徑。振鏡321a、321b可以以至少某一軸，例如以X軸或Y軸為中心進行旋轉。因此，雷射振盪器310激發的雷射光束L可以沿著借助於振鏡321a、321b而預先設置的路徑移動。

透過振鏡321a、321b的雷射光束L可以入射到平場聚焦透鏡322。平場聚焦透鏡322可以對雷射光束L進行聚光，照射於平臺100上安放的被加工物W的預先設置的位置。

雷射控制器330可以控制雷射振盪器310、光學儀320及平臺100。作為一個實施例，雷射控制器330可以考慮平臺100上安放的被加工物W位置及雷射光束L的移動速度、照射位置等，控制雷射振盪器310激發的雷射光束L的照射時間安排。或者，雷射控制器330可以控制雷射振盪器310照射的雷射光束L的輸出或波長等。

另外，雷射控制器330可以控制光學儀320，即，控制振鏡321a、321b和平場聚焦透鏡322的位置，控制雷射光束L的光路徑及照射位置等。

另外，雷射控制器330可以在雷射加工中，使雷射加工單元300本身向加工方向移動，或使平臺100向加工方向移動，進行雷射加工。

作為另一實施例，雷射加工單元300可以包括將雷射振盪器310激發的雷射光束L分割成兩個雷射光束的分束器。此時，所述分束器作為偏光分束器（polarizing beam splitter：PBS），將雷射光束用作具有互不相同偏光狀態的雷射光束。

由此，本發明的雷射加工單元300可以只利用具有特定偏光狀態的雷射光束，提高雷射加工品質。或者，可以全部利用分割成兩個的雷射光束，提高雷射加工速度。

如果參照圖5，雷射加工單元300照射的雷射光束L可以照射於薄膜TF。作為一個實施例，雷射光束L可以具有440 nm至1500 nm波長，保護膜PF可以由使相應波長雷射光束L透過的材質構成。因此，如圖5的（a）所示，雷射光束L可以透過保護膜PF而照射於薄膜TF的下面。而且，借助於雷射光束L，在薄膜TF的一部分被去除的同時，被加工物W的上面與薄膜TF的至少一部分可以彼此分離。此時，薄膜TF和保護膜PF可以為相互附著的狀態，因而薄膜TF與保護膜PF可以從被加工物W的上面一體分離。

如果參照圖6，雷射加工單元300照射的雷射光束L從平面觀察時，例如從XY平面觀察時，照射於薄膜TF的內部區域，使薄膜TF從被加工物W的上面翹起。另外，雷射光束L從XY平面觀察時，沿著薄膜TF的邊緣照射，可以使薄膜TF的邊緣從被加工物W的上面分離。

即，在雷射加工中，由於是在薄膜TF上面附著有保護膜PF的狀態，因而本發明一個實施例的薄膜去除裝置10可以使在照射雷射光束L的製程中發生的煙氣等異物飛散實現最小化。因此，可以防止其他薄膜TF被異物二次污染的問題。

圖7是顯示膜去除單元400的運轉狀態的圖。

如果參照圖7，膜去除單元400可以去除借助於雷射加工單元300而從被加工物W上面分離的薄膜TF。

本發明一個實施例的膜去除單元400可以包括第二輥410、握爪420。

如果被加工物W的上面與薄膜TF借助於雷射加工單元300而彼此分離，則膜去除單元400可以移動到平臺100上。膜去除單元400利用第二輥410而黏著於保護膜PF後上升，可以使薄膜TF的一部分從被加工物W的上面離開。

作為一個實施例，在第二輥410的外周面，可以配置有既定的黏著構件。其中，被加工物W的上面與薄膜TF為借助於雷射加工單元300而分離的狀態，相反，薄膜TF為與保護膜PF附著的狀態。因此，第二輥410在與保護膜PF上面接觸的狀態下，如果沿上下方向或左右方向移動，則保護膜PF也在附著於第二輥410的狀態下向相同方向移動。

膜去除單元400可以使第二輥410向預先設置的方向移動，使薄膜TF的端部從被加工物W的上面隔開（參照圖7的（a））。

握爪420可以使薄膜TF從被加工物W的上面完全脫離。

作為一個實施例，握爪420可以在薄膜TF借助於第二輥410而從被加工物W上面隔開的狀態下，把持保護膜PF的端部。

膜去除單元400可以在握爪420把持保護膜PF端部的狀態下，向預先設置的方向移動，使薄膜TF與保護膜PF從被加工物W一體脫離（參照圖7的（b））。

圖8是顯示比較例與發明例的薄膜去除製程前後的圖。

在圖8中，製程前顯示出薄膜TF附著於被加工物W上面的狀態，比較例1顯示出利用雷射照射裝置及吸入裝置去除了薄膜TF的狀態，比較例2顯示出利用超音波清洗機去除了薄膜TF的狀態，發明例顯示出利用本發明一個實施例的薄膜去除裝置10去除了薄膜TF的狀態。

如圖8所示，利用以往的雷射照射裝置去除薄膜TF時，會發生煙氣等異物，這種異物未被吸入裝置吸入而殘留，會使被加工物W二次污染。另外，由於在去除製程期間需持續啟動吸入裝置，因而不經濟。

同樣地，即使利用以往的超音波清洗機去除薄膜TF，也存在在該過程中發生的異物使被加工物W二次污染的憂慮。

相反，本發明的薄膜去除裝置10在將保護膜PF附著於要去除的薄膜TF上面的狀態下照射雷射光束L，因而使在該過程中發生的煙氣等異物飛散實現最小化，從而可以防止其他被加工物W被異物二次污染。

特別是本發明一個實施例的薄膜去除裝置10，在保護膜PF附著於薄膜TF上後，直至利用膜去除單元400去除薄膜TF時為止，可以保持保護膜PF附著於薄膜TF上面的狀態，因而可以更切實地防止其他薄膜TF和被加工物W被二次污染。

如果再參照圖1，本發明一個實施例的薄膜去除裝置10可以更包括檢查單元500。

檢查單元500可以檢測被加工物W的位置，將檢測的位置相關資訊傳遞給膜附著單元200、雷射加工單元300、膜去除單元400中至少某一個。

作為一個實施例，檢查單元500可以包括視覺攝像頭（圖上未示出）。檢查單元500可以利用所述視覺攝像頭，拍攝平臺100上安放的被加工物W而獲得影像。而且，檢查單元500可以基於拍攝的影像，判別被污染的被加工物W或不良被加工物W（更具體而言，薄膜TF被污染或不良的被加工物W）。

另外，檢查單元500可以基於拍攝的影像，檢測被污染或不良的被加工物W的位置，將位置資訊傳遞給膜附著單元200、雷射加工單元300、膜去除單元400。

膜附著單元200可以基於接受傳遞的被加工物W的位置資訊，將保護膜PF附著於相應被加工物W的上面。

雷射加工單元300可以基於接受傳遞的被加工物W的位置資訊，向相應被加工物W的上面照射雷射光束L。另外，雷射控制器330可以基於接受傳遞的被加工物W的位置資訊，控制光學儀320，控制雷射光束L的光路徑和照射位置等。

膜去除單元400可以基於接受傳遞的被加工物W的位置資訊，使薄膜TF從相應被加工物W的上面脫離。

作為一個實施例，檢查單元500可以再次檢查薄膜TF已脫離的被加工物W上面，檢查薄膜TF是否正常脫離。

另一方面，雖然顯示了在被加工物W安放於平臺100上面的狀態下，膜附著單元200、雷射加工單元300、膜去除單元400、檢查單元500接近平臺100進行運轉的情形，但並非限定於此。

例如，膜附著單元200、雷射加工單元300、膜去除單元400、檢查單元500配置於一條線上，可以在平臺100沿著所述線向一個方向移動的同時，實現對被加工物W的加工。

圖9是顯示本發明另一實施例的薄膜去除方法的圖。

如果參照圖9，本發明的薄膜去除方法可以包括：在配置於被加工物W的薄膜TF上附著保護膜PF的步驟S100；照射雷射光束L而使薄膜TF與保護膜PF從被加工物W一體分離的步驟S200；使薄膜TF從被加工物W脫離的步驟S300。

首先，如果參照圖1至圖9，在被加工物W借助於移送單元（圖上未示出）等而安放於平臺100上的狀態下，利用膜附著單元200而將保護膜PF附著於被加工物W上面配置的薄膜TF上。

更具體而言，利用膜附著單元200的吸附墊210，對載入於載入單元（圖上未示出）上的保護膜PF進行吸附、支撐。然後，在使膜附著單元200位於被加工物W的薄膜上的狀態下下降，將保護膜PF附著於薄膜TF上。在保護膜PF的下面，可以包括諸如OCR或OCA的黏合劑。

將保護膜PF附著於薄膜TF上後，利用膜附著單元200的第一輥220對保護膜PF加壓。因此，保護膜PF與薄膜TF更緊密地附著，可以去除在保護膜PF與薄膜TF之間存在的氣泡。

然後，利用雷射加工單元300來加工附著有保護膜PF的薄膜TF。作為一個實施例，雷射加工單元300的雷射振盪器310生成雷射光束L，控制光學儀320，控制雷射光束L的照射位置和光路徑，照射於被加工物W的上面。

此時，雷射光束L的波長可以為440 nm至1500 nm，具有相應波長的雷射光束L透過保護膜PF，照射於在被加工物W上面附著的薄膜TF的下部。因此，在薄膜TF的一部分被去除的同時，可以將薄膜TF與保護膜PF從被加工物W的上面一體分離。

作為一個實施例，分離薄膜TF的步驟S200可以包括：劃影線（hatching）步驟，即，將雷射光束L照射於薄膜TF內側區域的步驟；修邊（trimming）步驟，即，沿著薄膜TF的邊緣照射雷射光束L的步驟。

在劃影線步驟中，從圖6的XY平面觀察時，將雷射光束L照射於薄膜TF的內側區域，薄膜TF可以從被加工物W的上面整體翹起。作為一個實施例，在劃影線步驟中，控制光學儀320的振鏡321a、321b，快速控制雷射光束L的照射位置，從而可以迅速實施。

在修邊步驟中，從圖6的XY平面觀察時，可以沿著薄膜TF的邊緣照射雷射光束L，使得薄膜TF的邊緣從被加工物W的上面分離。

作為一個實施例，可以在實施劃影線步驟後，實施修邊步驟。即，在劃影線步驟中，薄膜TF的邊緣可以是附著於被加工物W的上面的狀態。因此，在劃影線步驟中，可以防止薄膜TF的邊緣翹起，更精密地分離薄膜TF。

然後，利用膜去除單元400，使分離的薄膜TF從被加工物W的上面脫離。作為一個實施例，使膜去除單元400的第二輥410接觸保護膜PF的上面。第二輥410在輥的外周面配置有既定的黏著構件，使第二輥410向預先設置的方向移動，從而可以使保護膜PF向相同方向移動。

其中，薄膜TF為從被加工物W的上面分離的狀態或與保護膜PF附著的狀態。因此，可以在使第二輥410附著於保護膜PF邊緣的狀態下向上升高，將保護膜PF和薄膜TF一體升高。

然後，利用膜去除單元400的握爪420，使薄膜TF從被加工物W的上面脫離。握爪420可以把持借助於第二輥410而升高的保護膜PF端部，使握爪420向預先設置的方向移動，從而可以使保護膜PF與薄膜TF從被加工物W的上面一體脫離。

作為一個實施例，可以更包括利用檢查單元500來檢測被加工物W的位置的步驟。更具體而言，在將保護膜PF附著於在被加工物W上面配置的薄膜TF上之前，可以利用檢查單元500的所述視覺攝像頭，拍攝被加工物W的影像。

然後，檢查單元500可以基於拍攝的影像，算出被加工物W的位置相關資訊。

另外，可以更包括檢查單元500將被加工物W的位置資訊傳遞給膜附著單元200、雷射加工單元300、膜去除單元400中至少某一個的步驟。

因此，在附著保護膜PF的步驟中，膜附著單元200可以基於接受傳遞的被加工物W的位置資訊，使保護膜PF位於薄膜TF上。

另外，在分離薄膜TF的步驟中，雷射加工單元300基於接受傳遞的被加工物W的位置資訊，控制雷射振盪器310、光學儀320，從而可以實施雷射加工。

另外，在使薄膜TF脫離的步驟中，膜去除單元400可以基於接受傳遞的被加工物W的位置資訊，使薄膜TF從被加工物W的上面脫離。

作為一個實施例，可以更包括利用檢查單元500來檢查被加工區域的步驟。更具體而言，利用膜去除單元400去除薄膜TF後，可以利用檢查單元500，拍攝去除了薄膜TF的被加工物W的上面。檢查單元500可以基於拍攝的影像，判斷被加工物W上面的污染狀態或薄膜TF是否去除等。

本發明一個實施例的薄膜去除裝置10及薄膜去除方法可以將保護膜PF附著於在被污染或不良的被加工物W上面配置的薄膜TF上，照射透過保護膜PF的雷射光束L，使薄膜TF與保護膜PF從被加工物W的上面一體脫離，可以防止被加工物W因雷射照射中發生的異物而被二次污染。

本發明一個實施例的薄膜去除裝置10及薄膜去除方法在附著有薄膜TF和保護膜PF的狀態下進行製程，從而可以切實防止其他被加工物W被二次污染。

在本說明書中，雖然以限定本發明的實施例為中心進行了說明，但在本發明的範圍內，可以有多樣的實施例。另外，雖然未說明，但均等的手段也可以直接結合於本發明。因此，本發明真正的保護範圍應根據以下申請專利範圍確定。

10:薄膜去除裝置 100:平臺 200:膜附著單元 210:吸附墊 220:第一輥 300:雷射加工單元 310:雷射振盪器 320:光學儀 321a、321b:振鏡 322:平場聚焦透鏡 330:雷射控制器 400:膜去除單元 410:第二輥 420:握爪 500:檢查單元 L:雷射光束 PF:保護膜 TF:薄膜 S:基板 S100、S200、S300:步驟 W:被加工物

圖1是顯示本發明一個實施例的薄膜去除裝置的圖。圖2是顯示圖1的膜附著單元的運轉狀態的圖。圖3是顯示圖2的保護膜的多樣形態的圖。圖4是顯示圖1的雷射加工單元的一個示例的圖。圖5及圖6是顯示圖4的雷射加工單元的運轉狀態的圖。圖7是顯示膜去除單元的運轉狀態的圖。圖8是顯示比較例與發明例的薄膜去除製程前後的圖。圖9是顯示本發明另一實施例的薄膜去除方法的圖。

10:薄膜去除裝置

100:平臺

200:膜附著單元

300:雷射加工單元

400:膜去除單元

500:檢查單元

S:基板

W:被加工物

Claims

一種薄膜去除裝置，包括：膜附著裝置，所述膜附著裝置在配置於被加工物的薄膜上附著保護膜；雷射加工單元，所述雷射加工單元照射雷射光束，將所述薄膜與所述保護膜從所述被加工物一體分離；以及膜去除單元，所述膜去除單元使所述薄膜從所述被加工物脫離。
如請求項1所述的薄膜去除裝置，其中，所述保護膜具有與所述薄膜對應的形狀，在附著於所述薄膜上面的狀態下，端部凸出到所述薄膜的外側。
如請求項1所述的薄膜去除裝置，其中，所述雷射光束的波長為440 nm至1500 nm，透過所述保護膜，去除所述薄膜的一部分。
如請求項1所述的薄膜去除裝置，其中，所述雷射加工單元將所述雷射光束照射於所述薄膜的內側區域，使所述薄膜從所述被加工物的上面翹起，將所述雷射光束照射於所述薄膜的邊緣，使所述薄膜的所述邊緣從所述被加工物的上面分離。
如請求項1所述的薄膜去除裝置，其中，所述膜去除單元在把持所述保護膜的端部的狀態下，向預先設置的方向移動，使所述薄膜與所述保護膜從所述被加工物一體脫離。
一種薄膜去除方法，包括：在配置於被加工物的薄膜上附著保護膜的步驟；照射雷射光束，使所述薄膜與所述保護膜從所述被加工物一體分離的步驟；以及使所述薄膜從所述被加工物脫離的步驟。
如請求項6所述的薄膜去除方法，其中，所述雷射光束的波長為440 nm至1500 nm，透過所述保護膜，去除所述薄膜的一部分。
如請求項6所述的薄膜去除方法，其中，將所述薄膜與所述保護膜一體分離的步驟包括：將所述雷射光束照射於所述薄膜的內側區域而使所述薄膜從所述被加工物的上面翹起的步驟；以及將所述雷射光束照射於所述薄膜的邊緣而使所述薄膜的所述邊緣從所述被加工物的上面分離的步驟。
如請求項6所述的薄膜去除方法，其中，使所述薄膜脫離的步驟在把持所述保護膜的端部的狀態下向預先設置的方向移動，使所述薄膜與所述保護膜從所述被加工物一體脫離。