CN108139664A - 移除接着剂的方法与装置 - Google Patents

移除接着剂的方法与装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108139664A
CN108139664A CN201680051025.1A CN201680051025A CN108139664A CN 108139664 A CN108139664 A CN 108139664A CN 201680051025 A CN201680051025 A CN 201680051025A CN 108139664 A CN108139664 A CN 108139664A
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser beam
solid
illumination light
wavelength
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201680051025.1A
Other languages
English (en)
Inventor
朴贤
朴一贤
赵大烨
金煐中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EO Technics Co Ltd
Original Assignee
EO Technics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EO Technics Co Ltd filed Critical EO Technics Co Ltd
Priority claimed from PCT/KR2016/009002 external-priority patent/WO2017039184A1/ko
Publication of CN108139664A publication Critical patent/CN108139664A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • B08B7/0042—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by laser
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2220/00—Type of materials or objects being removed
    • B08B2220/01—Adhesive materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

揭示一种自光罩上去除光罩与薄层接着的接着剂的装置。接着剂去除装置包括：激光照射部，向形成于上述光罩与上述薄层之间的接着剂层照射激光束；控制部，控制上述激光束的波长、波形及能量密度，以便借由照射上述激光束而去除上述接着剂层；以及拍摄部，对照射上述激光束的区域进行监控。

Description

移除接着剂的方法与装置
技术领域
本发明是有关于一种为了自光罩上分离薄层而去除光罩上的接着剂的装置及方法。
背景技术
在制造半导体装置或液晶显示器等的电路图案时，在平版印刷制程中使用光罩或主光罩(reticle)等曝光用基板。然而，若如污染物等的异物附着至此种曝光用基板，则平版印刷制程的精确度会下降，为了防止异物附着，将称为薄层(Pellicle)的防尘罩安装至光罩或主光罩上。
在大型积体电路(Large Scale Integration，LSI)、超LSI等半导体器件或液晶显示板等的制造制程中，借由介隔光罩(曝光圆板，也称为主光罩)向感光层等照射光而进行图案化。此时，若在光罩附着有异物，则光会被异物吸收或因异物而弯曲。因此，产生形成的图案变形或边缘变得参差不齐而图案的尺寸、品质及外观等受损的问题。为了解决如上所述的问题，将称为薄层(Pellicle)的防尘罩安装至光罩上。
薄层包括金属制的薄层框架及配置在薄层框架的一端面的薄层膜。另外，可在薄层框架的另一端面形成有用以将薄层固定至光罩的光罩接着剂。在薄层的寿命已尽或破损的情形时，需进行更换，为此应去除上述接着剂。
以前利用硫酸或有机化学物而借由湿式去除方式去除接着剂，但在此情形时，不仅去除接着剂，而且也会使光罩一并受损，存在接着剂去除制程变得非常严苛的问题。
发明内容
发明欲解决的课题
根据实施例，提供一种借由利用激光束去除形成于光罩与薄层之间的接着剂而分离薄层的方法及装置。
解决课题的手段
在一观点中，提供一种接着剂去除装置，其是自光罩上去除将光罩与薄层接着的接着剂的装置，接着剂去除装置包括：激光照射部，向形成于光罩与薄层之间的接着剂层照射激光束；控制部，控制激光束的波长、波形及能量密度，以便借由照射激光束而去除接着剂层；以及拍摄部，对照射激光束的区域进行监控。
拍摄部可包括：照明光源，照射照明光；以及相机，对自照射激光束的区域反射的照明光进行拍摄。
接着剂去除装置可包括镜面，供照明光及激光束入射，使照明光及激光束中的任一者透射且使照明光及激光束中的另一者反射。
照明光的波长与激光束的波长不同。
拍摄部可包括滤光器，滤光器使入射至拍摄部的光出射时使与照明光的波长具有相同波长的光透射且遮断与照明光的波长具有不同波长的光。
激光束的波长可为193nm至290nm。
照明光的波长可为570nm至770nm。
接着剂去除装置可更包括辅助拍摄部，辅助拍摄部设置至激光束的行进路径的外部，对在接着剂层及光罩上散射的照明光进行拍摄。
辅助拍摄部可包括：滤光器，遮断激光束且使照明光透射；以及相机，对透射滤光器的照明光进行拍摄。
在另一观点中，提供一种接着剂去除方法，其是自光罩上去除将光罩与薄层接着的接着剂的方法，接着剂去除方法至少包括如下步骤：控制激光束的波长、波形及能量密度，以便借由照射激光束而去除接着剂层的步骤；向形成于光罩与薄层之间的接着剂层照射激光束的步骤；以及获取激光束照射的区域的拍摄图像的步骤。
接着剂去除方法可包括如下步骤：当在拍摄图像中判断为已去除接着剂层的情形时，变更激光束照射的区域的步骤。
获取拍摄图像的步骤可包括如下步骤：向激光束照射的区域照射照明光的步骤；以及对自激光束照射的区域反射的照明光进行拍摄的步骤。
照明光的波长可构成为与激光束的波长不同。
获取拍摄图像的步骤可包括如下步骤：设置至激光束的行进路径的外部，对在接着剂层及光罩上散射的照明光进行拍摄的步骤。
接着剂去除方法可包括如下步骤：在激光束的行进路径中，利用镜面使照明光及激光束中的任一者透射且使照明光及激光束中的另一者反射的步骤。
激光束的波长可为193nm至290nm，照明光的波长可为570nm至770nm。
发明效果
根据例示性的实施例，可利用激光束去除光罩上的接着剂层。另外，可获取激光束照射区域的拍摄影像而对接着剂去除制程进行监控。并且，可根据监控结果适当地调节照射激光束的时间而缩短接着剂去除时间，确实地去除接着剂层。并且，可防止过度地照射激光束而导致光罩受损的情形。
附图说明
图1是表示薄层附着于光罩上的情况的立体图。
图2是表示图1所示的光罩及薄层的剖面的剖面图。
图3是表示在自光罩去除薄层后，接着剂残留在光罩表面的情况的图。
图4是概略性地表示例示性的实施例的接着剂去除装置的图。
图5是表示拍摄部的构成的图。
图6是表示利用例示性的实施例的接着剂去除装置的接着剂去除方法的流程图。
图7是例示性地表示由拍摄部获取的拍摄图像的图。
图8是表示由拍摄部获取的拍摄图像的另一例的图。
具体实施方式
以下，参照随附附图，详细地对例示性的实施例的激光加工装置用镜面底座进行说明。
在以下附图中，相同的参照符号表示相同的构成要素，为了说明的明确性及便利性，可在图中夸张地表示各构成要素的尺寸。另一方面，以下所说明的实施例仅为示例，可根据这些实施例实现多种变形。
*以下，在记载为“上部”或“上”时，不仅包括接触而位于正上方的情形，而且也可包括以非接触的方式位于上方的情形。
第二等用语可用于说明各种构成要素，但构成要素不应受用语的限定。用语仅以自其他构成要素区分一个构成要素为目的而使用。
只要未在文中明确地表示其他含义，则单数的表达包括复数的表达。并且，在记载为某个部分“包括”某个构成要素时，只要无特别相反的记载，则意味着可更包括其他构成要素，而并非是指排除其他构成要素。
并且，说明书中所记载的“…部”、“模组”等用语是指对至少一个功能或动作进行处理的单位。
图1是表示薄层(20)附着于光罩(10)上的情况的立体图。并且，图2是表示图1所示的光罩(10)及薄层(20)的剖面的剖面图。
参照图1及图2，可在光罩(10)上附着有薄层(20)。可在光罩(10)形成有光罩图案(12)。光罩图案(12)的形状可根据欲借由平版印刷制程而形成至LSI、超LSI等半导体器件或液晶显示板的图案形状而改变。例示性地，光罩(10)可包括石英(Quartz)。并且，光罩(10)可包括石英层及设置在石英层上的铬(Cr)层。作为另一例，光罩(10)可包括石英层及设置在石英层上的硅化钼(molybdenum silicide，MoSi)层。因此，光罩(10)可在与接着剂(30)接触的表面包括石英、铬及硅化钼中的至少一种。以上物质仅为示例，并不限制于此。
可在光罩(10)上附着有薄层(20)。薄层(20)可包括薄层框架(24)及设置在薄层框架(24)上的薄层膜(22)。薄层框架(24)的尺寸及形状可与平版印刷制程中所使用的光罩(10)的尺寸及形状对应地改变成各种尺寸及形状。并且，薄层框架(24)的尺寸及形状并非必须与光罩(10)的尺寸及形状对应。可在薄层框架(24)的一面附着有薄层膜(22)。薄层膜(22)可借由薄层接着层(26)而与薄层框架(24)附着。然而，并非必须限制于此，薄层膜(22)与薄层框架(24)也可无薄层接着层(26)而连接成一体。薄层膜(22)为透明性材质，在进行平版印刷制程时，可借由薄层膜(22)而使光透射。透射薄层膜(22)的光可经由光罩(10)而将加工对象物图案化。
在薄层(20)附着于光罩(10)上时，会在薄层膜(22)与光罩(10)之间具备特定的空间。另外，上述特定空间可借由薄层膜(22)及薄层框架(24)而与外部阻断。因此，可防止异物进入至光罩(10)。
薄层(20)可借由接着剂(30)而附着至光罩(10)。接着剂(30)由具有接着力的接着材质构成，可将薄层(20)固定至光罩(10)上。例示性地，接着剂(30)可包括含氟聚合物。例示性地，上述含氟聚合物可包括聚四氟乙烯聚合物、四氟乙烯(TFE)/全氟烷基乙烯基醚聚合物、乙烯/四氟乙烯聚合物及三氟氯乙烯(CTFE)等，但并不限制于此。除上述氟聚合物类物质以外，接着剂(30)可更包括其他物质。例如，接着剂(30)可包括含有苯乙烯/异戊二烯/苯乙烯类三嵌段聚合物等具有饱和环状烃结构的嵌段共聚物的加氢物及黏着赋予剂的接着剂物质。并且，也可包括含有苯乙烯/乙烯/丙烯/苯乙烯三嵌段共聚物及脂肪族类石油树脂的热熔接着剂物质。
图3是表示在自光罩(10)去除薄层(20)后，接着剂(30)残留于光罩(10)的表面的情况的图。
如图3所示，若在光罩(10)残留有接着剂(30)，则更换薄层(20)而再次附着至光罩(10)的情形会较为困难。先前，为了去除光罩(10)上的接着剂，使用有机化合物或硫酸化合物。即，可借由利用上述有机化合物或硫酸化合物的湿式清洗制程去除接着剂(30)。然而，在进行上述湿式清洗制程的情形时，会产生光罩(10)的光罩图案(12)或光罩(10)的材质的透射率等发生变化的问题。并且，清洗制程本身较为繁杂，会消耗较多时间。
图4是概略性地表示例示性的实施例的接着剂去除装置的图。
参照图4，接着剂去除装置可包括：激光照射部(110)，向形成于光罩(10)与上述薄层(20)之间的接着剂层(30)照射激光束；及控制部(120)，控制激光束的波长、波形及能量密度，以便借由照射激光束而去除接着剂层(30)。并且，接着剂去除装置可更包括提供激光束参数的反馈信息的激光测定部(115)。
自激光照射部(110)射出的大部分激光束可朝向光罩(10)上的接着剂层(30)进行照射。另外，一部分激光束可入射至激光测定部(115)。激光测定部(115)可测定所入射的激光束的波长、波形、能量密度等。激光测定部(115)可将测定到的激光束的参数信息传输至控制部(120)。控制部(120)可基于激光测定部(115)的测定信息确定激光束参数的控制信息。另外，控制部(120)可将上述控制信息传输至激光照射部(110)。
控制部(120)在控制激光束的波长的情形时，可使激光束的光子(photon)具有可分离接着剂层(30)的键结结构的程度的能量。例如，在如上所述般接着剂层(30)包括氟聚合物类物质的情形时，为了分离上述氟类物质的键结结构，会需要4.5eV以上的能量。因此，控制部(120)可将激光束的波长控制成266nm以下。上述数值仅为示例，并不限制于此。激光束的波长可根据上述接着剂层(30)可具有的物质的键结结构而改变。然而，若激光束的波长过短，则会使光罩(10)受损。因此，可将激光束的波长调节成大致193nm至290nm之间的范围。
并且，控制部(120)可将激光束的波形调节成按照固定周期反复的脉冲波形。此时，上述激光束可包括具有特定的脉冲宽度及周期的脉冲波形。调节激光束的波形的原因如下。若激光束的波形为能量强度固定的形态的波形而并非脉冲波形，则在照射激光束的期间，接着剂层(30)的温度会持续上升。然而，光罩(10)不受损而可承受的温度有限。例如，为了不使光罩(10)的特性发生变化，需将光罩(10)的温度维持成大致200℃以下。因此，在向接着剂层(30)照射激光束时，需以不会变得高于上述光罩(10)的特性发生变化的温度的方式保持接着剂层(30)的温度。为此，激光束可具有按照特定的周期反复的脉冲波形。若激光束具有脉冲波形，则反复进行于激光束的能量变高的期间使接着剂层(30)的温度变高，且在激光束的能量变低的期间使接着剂层(30)的温度再次变低的过程而防止接着剂层(30)的温度一味地增加。
例示性地，控制部(120)可将激光束的脉冲宽度调节成大致10皮秒(ps)至100奈秒(ns)的范围。并且，控制部(120)可使脉冲波的周期为10Hz至100Hz的周期。例示性地，在上述范围内脉冲宽度越大，则周期也随着越大，但并非必须限制于此。
并且，控制部(120)可在25mJ/cm2至1000mJ/cm2的范围内调节激光束的能量密度。
实施例的接着剂去除装置可包括对照射激光束的区域进行监控的拍摄部(130)。拍摄部(130)可提供照射激光束的区域的拍摄信息。借此，拍摄部(130)可提供接着剂层(30)的去除情况的监控信息。可在拍摄部(130)的前方设置镜面(140)。镜面(140)可使激光束透射。相反地，镜面可反射自下文将述的拍摄部(130)出射的照明光(L2)。
图5是表示拍摄部(130)的构成的图。
参照图5，拍摄部(130)可包括照明光源(132)。照明光源(132)可照射拍摄激光束照射区域所需的照明光(L2)。如上所述，加工用激光束的波长较短，故而适于破坏性制程。因此，若直接拍摄加工用激光束，则会导致装置受损，拍摄图像的品质也会变差。因此，拍摄部(130)可利用自照明光(L2)出射的照明光(L2)获得激光束照射区域的拍摄图像。此处，拍摄图像不仅包括实时影像信息，而且也包括静止的图像信息。
拍摄部(130)可包括用以拍摄照明光(L2)的相机(138)。照明光(L2)的波长可调节成可见光范围，以便易于由相机(138)获得拍摄图像。例示性地，照明光(L2)的波长可为570nm至770nm。
拍摄部(130)也可包括分束器(134)，上述分束器(134)用以使自照明光源(132)射出的光中的一部分透射，且使自激光束照射区域反射的照明用光中的一部分向相机(138)侧反射。自分束器(134)反射的照明光(L2)可入射至相机(138)。相机(138)可接收照明光(L2)而获取激光束照射区域的拍摄图像。
拍摄部可包括滤光器(136)，上述滤光器(136)使入射至上述拍摄部的光与上述照明光的波长具有相同波长的光透射，且遮蔽与上述照明光的波长具有不同波长的光。滤光器(136)可根据波长选择性地遮蔽光或使光透射。滤光器(136)可遮蔽激光束(L1)，仅使照明光(L2)朝向相机(138)透射。利用滤光器(136)向相机(138)入射激光束，从而可防止相机(138)受损。
再次参照图4，接着剂去除装置可包括供照明光(L2)及激光束(L1)入射的镜面(140)。镜面(140)可使照明光(L2)及激光束(L1)中的任一者透射且反射另一者。例如，镜面(140)可为根据波长选择性地反射光或使光透射的分色镜(dichroic mirror)。另外，可不同地设定激光束(L1)与照明光(L2)的波长。分色镜可使波长不同的激光束(L1)及照明光(L2)中的任一者透射且反射另一者。
在图4的实施例中，表示镜面(140)使激光束(L1)透射且反射照明光(L2)的例。然而，实施例并不限制于此。例如，镜面(140)也可反射激光束(L1)且使照明光(L2)透射。
参照图4及图5，接着剂去除装置可更包括设置于激光束的行进路径的外部的辅助拍摄部(150)。辅助拍摄部(150)可对在激光束照射区域散射的照明光(L2)进行拍摄。辅助拍摄部(150)可包括拍摄照明光(L2)的相机(152)。另外，辅助拍摄部(150)可包括滤光器(154)。滤光器(154)可根据光的波长而选择性地使光透射。例如，滤光器(154)可遮蔽具有193nm至290nm的波长的激光束(L1)且使具有570nm至770nm的波长的照明光透射。滤光器(154)可防止辅助拍摄部(150)的相机(152)因激光束(L1)而受损。并且，滤光器(154)可提高由相机(152)拍摄的照明光(L2)的图像的清晰度。
图6是表示利用例示性的实施例的接着剂去除装置的接着剂去除方法的流程图。
参照图6，实施例的接着剂去除方法可包括如下步骤：步骤(S110)，控制上述激光束的波长、波形及能量密度，以便借由照射激光束(L1)而去除接着剂层(30)；步骤(S120)，向形成于光罩(10)与薄层(20)之间的接着剂层(30)照射激光束(L1)；以及步骤(S130)，获取照射激光束的区域的拍摄图像。
在步骤(S110)中，控制部(120)可调节激光束的参数。例如，控制部(120)可将激光束(L1)的波长调节成大致193nm至290nm。并且，控制部(120)可将激光束(L1)的脉冲宽度调节成大致10ps至100ns的范围，将脉冲波的周期调节成10Hz至100Hz的周期。控制部(120)可借由调节激光束(L1)的参数而减少对光罩(10)的损伤，并且借由激光束(L1)去除接着剂层(30)。
在步骤(S120)中，可向接着剂层(30)照射自激光照射部(110)射出的激光束(L1)。
在步骤(S130)中，拍摄部(130)及辅助拍摄部(150)可获取照射激光束(L1)的区域的拍摄影像。为了获取拍摄影像，拍摄部(130)可自照明光源(132)向激光束照射区域照射照明光(L2)。例示性地，照明光(L2)的波长可为570nm至770nm。由拍摄部(130)获取的拍摄图像可用于确定是否变更激光束照射区域。
例示性地，接着剂去除方法可更包括如下步骤：步骤(S140)，在在步骤(S130)中获取的拍摄图像中确认是否已去除接着剂层(30)；以及步骤(S150)，若确认已去除接着剂层(30)，则变更激光束照射区域。
在步骤(S140)中，可根据拍摄图像判断是否去除接着剂层(30)。可在拍摄图像中确认到是否可观察到已去除接着剂层(30)的图像。确认作业也可借由人工作业而由人直接确认拍摄图像，并根据上述拍摄图像确定是否变更激光束照射区域。作为其他例，也可借由内置于拍摄部(130)的计算装置执行确认作业。计算装置可借由指定的算法分析拍摄图像。例如，计算装置可将已去除接着剂的光罩(10)的表面图像储存为基准图像。另外，计算装置可对拍摄图像与基准图像进行比较而评估两个图像的相似度。计算装置可根据上述相似度的评估信息确定是否需进一步照射激光束(L1)。例如，在将相似度的评估信息换算成分数的情形时，计算装置可在上述分数为特定基准值以上时，判断为已去除接着剂层(30)。
图7是例示性地表示由拍摄部(130)获取的拍摄图像的图。
参照图7，可确认倒于激光束照射区域(S1)中，接着剂层(30)未被完全去除而残留。如图7所示，若在拍摄图像中接着剂层(30)残留于激光束照射区域(S1)，则可再次返回至步骤(S120)而进一步照射激光束(L1)。
图8是表示由拍摄部(130)获取的拍摄图像的另一例的图。
参照图8，可确认到于激光束照射区域(S1)中，接着剂层(30)被去除而露出光罩(10)的表面。如图8所示，若在拍摄图像中接着剂层(30)未残留于激光束照射区域(S1)，则可执行步骤(S150)而变更激光束照射区域(S1)。在步骤(S150)中，在改变激光束照射区域(S1)时，可改变激光照射部(110)的激光束(L1)的照射方向。作为另一例，可不改变激光照射部(110)照射激光束(L1)的方向而借由调节扫描器的方向改变激光束(L1)照射的方向。作为又一例，可不改变激光束(L1)照射的位置而借由移动加工物平台(未图示)使光罩(10)移动。可相对于激光束(L1)照射的位置相对移动光罩(10)而变更于光罩(10)及接着剂层(30)上激光束照射的位置(S1)。
以上，参照图1至图8对例示性的实施例的接着剂去除装置及方法进行了说明。根据上述实施例，可利用激光束(L1)去除光罩(10)上的接着剂层(30)。另外，可获取激光束照射区域的拍摄影像而对接着剂去除制程进行监控。并且，可根据监控结果适当地调节照射激光束(L1)的时间而缩短接着剂去除时间，确实地去除接着剂层(30)。并且，可防止过度地照射激光束(L1)而导致光罩(10)受损的情形。
在以上说明中，具体地记载有多个事项，但这些事项并不限定发明的范围，而应解释为较佳的实施例的示例。因此，本发明的范围不应由所说明的实施例界定，而应由申请专利范围中所记载的技术思想界定。

Claims (16)

1.一种接着剂去除装置，其是自光罩上去除将所述光罩与薄层连接着的接着剂的装置，其特征在于所述接着剂去除装置包括：
激光照射部，向形成于所述光罩与所述薄层之间的接着剂层照射激光束；
控制部，控制所述激光束的波长、波形及能量密度，以便借由照射所述激光束而去除所述接着剂层；以及
拍摄部，对照射所述激光束的区域进行监控。
2.根据权利要求1所述的接着剂去除装置，其中所述拍摄部包括：照明光源，照射照明光；以及相机，对自照射所述激光束的区域反射的所述照明光进行拍摄。
3.根据权利要求2所述的接着剂去除装置，还包括镜面，所述镜面供所述照明光及所述激光束入射，使所述照明光及所述激光束中的任一者透射且反射所述照明光及所述激光束中的另一者。
4.根据权利要求2所述的接着剂去除装置，其中所述照明光的波长与所述激光束的波长不同。
5.根据权利要求2所述的接着剂去除装置，其中所述拍摄部包括滤光器，所述滤光器使入射至所述拍摄部的光出射时使与所述照明光的波长具有相同波长的光透射且遮蔽与所述照明光的波长具有不同波长的光。
6.根据权利要求1所述的接着剂去除装置，其中所述激光束的波长为193nm至290nm。
7.根据权利要求2所述的接着剂去除装置，其中所述照明光的波长为570nm至770nm。
8.根据权利要求2所述的接着剂去除装置，更包括辅助拍摄部，所述辅助拍摄部设置至所述激光束的行进路径的外部，对在所述接着剂层及所述光罩上散射的所述照明光进行拍摄。
9.根据权利要求8所述的接着剂去除装置，其中所述辅助拍摄部包括：滤光器，遮蔽所述激光束且使所述照明光透射；以及相机，对透射所述滤光器的所述照明光进行拍摄。
10.一种接着剂去除方法，其是自光罩上去除将所述光罩与薄层连接着的接着剂的方法，其特征在于所述接着剂去除方法包括：
控制激光束的波长、波形及能量密度，以便借由照射所述激光束而去除所述接着剂层；
向形成于所述光罩与所述薄层之间的接着剂层照射激光束；以及
获取所述激光束照射的区域的拍摄图像。
11.根据权利要求10所述的接着剂去除方法，包括：当在所述拍摄图像中判断为已去除所述接着剂层的情形时，变更所述激光束照射的区域。
12.根据权利要求10所述的接着剂去除方法，其中获取所述拍摄图像包括：向所述激光束照射的区域照射照明光；以及对自所述激光束照射的区域反射的所述照明光进行拍摄。
13.根据权利要求12所述的接着剂去除方法，其中所述照明光的波长与所述激光束的波长不同。
14.根据权利要求12所述的接着剂去除方法，其中获取所述拍摄图像包括：
设置至所述激光束的行径路径的外部，对在所述接着剂层及所述光罩上散射的所述照明光进行拍摄。
15.根据权利要求12所述的接着剂去除方法，包括：在所述激光束的行进路径中，利用镜面使所述照明光及所述激光束中的任一者透射且反射所述照明光及所述激光束中的另一者。
16.根据权利要求13所述的接着剂去除方法，其中所述激光束的波长为193nm至290nm，所述照明光的波长为570nm至770nm。
CN201680051025.1A 2015-09-04 2016-08-17 移除接着剂的方法与装置 Pending CN108139664A (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20150125604 2015-09-04
KR10-2015-0125604 2015-09-04
KR1020160103758A KR101821239B1 (ko) 2015-09-04 2016-08-16 접착제 제거장치 및 방법
KR10-2016-0103758 2016-08-16
PCT/KR2016/009002 WO2017039184A1 (ko) 2015-09-04 2016-08-17 접착제 제거장치 및 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108139664A true CN108139664A (zh) 2018-06-08

Family

ID=58460295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680051025.1A Pending CN108139664A (zh) 2015-09-04 2016-08-17 移除接着剂的方法与装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11478828B2 (zh)
KR (1) KR101821239B1 (zh)
CN (1) CN108139664A (zh)
TW (1) TWI617877B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109870835A (zh) * 2019-02-01 2019-06-11 东旭（昆山）显示材料有限公司 修补机
CN113681163A (zh) * 2020-05-18 2021-11-23 韩商未来股份有限公司 薄膜去除装置及薄膜去除方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6903486B2 (ja) 2017-05-12 2021-07-14 日本発條株式会社 サスペンションの再生方法
KR20230132637A (ko) * 2018-07-05 2023-09-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 포토마스크 펠리클 접착제 잔류물 제거
TW202109178A (zh) * 2019-04-16 2021-03-01 日商信越化學工業股份有限公司 防塵薄膜組件用黏著劑、防塵薄膜組件、附有防塵薄膜組件的曝光原版、半導體裝置的製造方法、液晶顯示板的製造方法、曝光原版的再生方法及剝離殘渣降低方法
DE102019134444A1 (de) * 2019-12-16 2021-06-17 Kiener Maschinenbau Gmbh Verfahren zum Reinigen einer Applikationskomponente sowie Maschine mit einer solchen Applikationskomponente

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1194057A (zh) * 1995-06-07 1998-09-23 大锅有限合伙人公司 用极化辐照和背面辐照方法清除物质
CN102189332A (zh) * 2010-03-18 2011-09-21 奥林巴斯株式会社 激光加工方法及激光加工装置
US20120219654A1 (en) * 2011-02-25 2012-08-30 Jin-Ho Kim Photomask Cleaning Apparatus and Methods of Cleaning a Photomask Using the Same
CN103827627A (zh) * 2011-09-26 2014-05-28 美德客科技有限公司 非接触式部件检查装置及部件检查方法
KR101495031B1 (ko) * 2013-10-17 2015-02-26 주식회사 코윈디에스티 포토 마스크 세정 장치 및 이를 이용한 포토 마스크 세정 방법
CN105081560A (zh) * 2014-05-16 2015-11-25 灿美工程股份有限公司 缺陷观察装置及包含所述缺陷观察装置的激光加工设备

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6048588A (en) * 1988-07-08 2000-04-11 Cauldron Limited Partnership Method for enhancing chemisorption of material
JP4337999B2 (ja) * 1999-09-14 2009-09-30 ソニー株式会社 焦点位置制御機構及び方法、並びに、半導体ウェハの検査装置及び方法
WO2004105110A1 (ja) * 2003-05-22 2004-12-02 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. レーザーダイシング装置
TWI254792B (en) * 2003-07-01 2006-05-11 Au Optronics Corp Detecting method and device of laser crystalline silicon
US20050045272A1 (en) * 2003-08-28 2005-03-03 Xerox Corporation Laser removal of adhesive
JP4413569B2 (ja) * 2003-09-25 2010-02-10 株式会社 日立ディスプレイズ 表示パネルの製造方法及び表示パネル
US7767365B2 (en) 2006-08-31 2010-08-03 Micron Technology, Inc. Methods for forming and cleaning photolithography reticles
KR100856621B1 (ko) 2006-12-18 2008-09-03 동부일렉트로닉스 주식회사 포토 마스크의 펠리클 제거 장치 및 방법
US8182609B1 (en) 2007-08-09 2012-05-22 Rave, Llc Apparatus and method for direct surface cleaning
JP2010231172A (ja) * 2009-03-04 2010-10-14 Seiko Epson Corp 光学物品およびその製造方法
TWI523720B (zh) * 2009-05-28 2016-03-01 伊雷克托科學工業股份有限公司 應用於雷射處理工件中的特徵的聲光偏轉器及相關雷射處理方法
US9402036B2 (en) * 2011-10-17 2016-07-26 Rudolph Technologies, Inc. Scanning operation with concurrent focus and inspection
CN103170739B (zh) * 2011-12-23 2015-03-18 雷科股份有限公司 激光除胶工艺
US9956720B2 (en) * 2012-09-27 2018-05-01 North Carolina State University Methods and systems for fast imprinting of nanometer scale features in a workpiece
US20150059411A1 (en) * 2013-08-29 2015-03-05 Corning Incorporated Method of separating a glass sheet from a carrier
CN103604813B (zh) * 2013-12-05 2016-08-17 南京辉锐光电科技有限公司 用于激光加工过程的熔池监测装置
KR20170025100A (ko) * 2015-08-27 2017-03-08 삼성전자주식회사 포토 마스크 세정 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1194057A (zh) * 1995-06-07 1998-09-23 大锅有限合伙人公司 用极化辐照和背面辐照方法清除物质
CN102189332A (zh) * 2010-03-18 2011-09-21 奥林巴斯株式会社 激光加工方法及激光加工装置
US20120219654A1 (en) * 2011-02-25 2012-08-30 Jin-Ho Kim Photomask Cleaning Apparatus and Methods of Cleaning a Photomask Using the Same
CN103827627A (zh) * 2011-09-26 2014-05-28 美德客科技有限公司 非接触式部件检查装置及部件检查方法
KR101495031B1 (ko) * 2013-10-17 2015-02-26 주식회사 코윈디에스티 포토 마스크 세정 장치 및 이를 이용한 포토 마스크 세정 방법
CN105081560A (zh) * 2014-05-16 2015-11-25 灿美工程股份有限公司 缺陷观察装置及包含所述缺陷观察装置的激光加工设备

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109870835A (zh) * 2019-02-01 2019-06-11 东旭（昆山）显示材料有限公司 修补机
CN113681163A (zh) * 2020-05-18 2021-11-23 韩商未来股份有限公司 薄膜去除装置及薄膜去除方法
CN113681163B (zh) * 2020-05-18 2023-09-29 韩商未来股份有限公司 薄膜去除装置及薄膜去除方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI617877B (zh) 2018-03-11
TW201714018A (zh) 2017-04-16
KR20170028834A (ko) 2017-03-14
US20180290182A1 (en) 2018-10-11
KR101821239B1 (ko) 2018-01-24
US11478828B2 (en) 2022-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108139664A (zh) 移除接着剂的方法与装置
JP4711251B2 (ja) 欠陥フォトマスクを修理するための方法およびシステム
TWI390359B (zh) 具有線上粒子偵測功能之浸潤式微影製程
DE102009015717B4 (de) Verfahren und System zum Erkennen einer Teilchenkontamination in einer Immersionslithographieanlage
KR20060058683A (ko) 포토마스크의 임계치 변화량 정정 방법
TWI407248B (zh) 光罩之檢查裝置、光罩之檢查方法、液晶裝置製造用光罩之製造方法以及圖案轉印方法
TW200727335A (en) Method for forming resist pattern, and method for manufacturing semiconductor device
DE602004028511D1 (de) Bestrahlungsverfahren
TWI711886B (zh) 在極紫外光微影中的臨界尺寸變化校正
JP2015211978A (ja) ビーム整形マスク、レーザ加工装置及びレーザ加工方法
TWI417650B (zh) 多調式光罩之評估方法
TWI824288B (zh) 移除薄膜及光罩上之粒子之方法
TWI553981B (zh) 雷射處理設備和方法
TW200912521A (en) Method of acquiring photomask information, method of displaying photomask quality, method of supporting manufacture of an electronic device, method of manufacturing an electronic device, and photomask product
JP4348839B2 (ja) 検査装置及び検査方法
JP5358572B2 (ja) 光学材料特性を修正するための装置及び方法
KR102048056B1 (ko) 동적 리소그래픽 노출 방법 및 장치
JP2007113962A (ja) マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法、及びリソグラフィー用ガラス部材の製造方法
JP2008141087A (ja) 近接場露光方法、近接場露光装置
KR20110119689A (ko) 마스크 블랭크용 글래스 기판의 제조 방법, 마스크 블랭크의 제조 방법 및 노광용 포토마스크의 제조 방법
Zait et al. CD variations correction by local transmission control of photomasks done with a novel laser-based process
JP4997748B2 (ja) フォーカスモニターマークを有するフォトマスクの転写シミュレーション方法
JPH0777188B2 (ja) 加工装置
CN220305620U (zh) 激光直写装置
KR102598586B1 (ko) 포토리소그라픽 마스크의 기판에 도입되는 하나 이상의 픽셀의 효과를 결정하기 위한 방법 및 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180608

RJ01 Rejection of invention patent application after publication