TW201714018A - 接著劑去除裝置及方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種自光罩去除將光罩與薄層接著的接著劑的裝置及方法。接著劑去除裝置包括：雷射照射部，向形成於上述光罩與上述薄層之間的接著劑層照射雷射束；控制部，控制上述雷射束的波長、波形及能量密度，以便藉由照射上述雷射束而去除上述接著劑層；以及拍攝部，對照射上述雷射束的區域進行監控。

Description

移除黏著劑的方法與裝置

本發明是有關於一種為了自光罩分離薄層而去除光罩上的接著劑的裝置及方法。

於製造半導體裝置或液晶顯示器等的電路圖案時，在平版印刷製程中使用光罩或主光罩（reticle）等曝光用基板。然而，若如污染物等的異物附著至此種曝光用基板，則平版印刷製程的精確度會下降，為了防止異物附著，將稱為薄層（Pellicle）的防塵罩安裝至光罩或主光罩上。

於大型積體電路（Large Scale Integration，LSI）、超LSI等半導體器件或液晶顯示板等的製造製程中，藉由介隔光罩（曝光圓板，亦稱為主光罩）向感光層等照射光而進行圖案化。此時，若於光罩附著有異物，則光會被異物吸收或因異物而彎曲。因此，產生形成的圖案變形或邊緣變得參差不齊而圖案的尺寸、品質及外觀等受損的問題。為了解決如上所述的問題，將稱為薄層（Pellicle）的防塵罩安裝至光罩上。

薄層包括金屬製的薄層框架及配置於薄層框架的一端面的薄層膜。另外，可於薄層框架的另一端面形成有用以將薄層固定至光罩的光罩接著劑。於薄層的壽命已盡或破損的情形時，需進行更換，為此應去除上述接著劑。

先前利用硫酸或有機化學物而藉由濕式去除方式去除接著劑，但於此情形時，不僅去除接著劑，而且亦會使光罩一併受損，存在接著劑去除製程變得非常嚴苛的問題。

[發明欲解決的課題] 根據實施例，提供一種藉由利用雷射束去除形成於光罩與薄層之間的接著劑而分離薄層的方法及裝置。 [解決課題的手段]

於一觀點中，提供一種接著劑去除裝置，其是自光罩去除將光罩與薄層接著的接著劑的裝置，接著劑去除裝置包括：雷射照射部，向形成於光罩與薄層之間的接著劑層照射雷射束；控制部，控制雷射束的波長、波形及能量密度，以便藉由照射雷射束而去除接著劑層；以及拍攝部，對照射雷射束的區域進行監控。

拍攝部可包括：照明光源，照射照明光；以及相機，對自照射雷射束的區域反射的照明光進行拍攝。

接著劑去除裝置可包括鏡面，供照明光及雷射束入射，使照明光及雷射束中的任一者透射且使照明光及雷射束中的另一者反射。

照明光的波長與雷射束的波長不同。

拍攝部可包括濾光器，濾光器使入射至拍攝部的光出射時使與照明光的波長具有相同波長的光透射且遮斷與照明光的波長具有不同波長的光。

雷射束的波長可為193 nm至290 nm。

照明光的波長可為570 nm至770 nm。

接著劑去除裝置可更包括輔助拍攝部，輔助拍攝部設置至雷射束的行進路徑的外部，對在接著劑層及光罩上散射的照明光進行拍攝。

輔助拍攝部可包括：濾光器，遮斷雷射束且使照明光透射；以及相機，對透射濾光器的照明光進行拍攝。

於另一觀點中，提供一種接著劑去除方法，其是自光罩去除將光罩與薄層接著的接著劑的方法，接著劑去除方法至少包括如下步驟：控制雷射束的波長、波形及能量密度，以便藉由照射雷射束而去除接著劑層的步驟；向形成於光罩與薄層之間的接著劑層照射雷射束的步驟；以及獲取雷射束照射的區域的拍攝圖像的步驟。

接著劑去除方法可包括如下步驟：於在拍攝圖像中判斷為已去除接著劑層的情形時，變更雷射束照射的區域的步驟。

獲取拍攝圖像的步驟可包括如下步驟：向雷射束照射的區域照射照明光的步驟；以及對自雷射束照射的區域反射的照明光進行拍攝的步驟。

照明光的波長可構成為與雷射束的波長不同。

獲取拍攝圖像的步驟可包括如下步驟：設置至雷射束的行進路徑的外部，對在接著劑層及光罩上散射的照明光進行拍攝的步驟。

接著劑去除方法可包括如下步驟：於雷射束的行進路徑中，利用鏡面使照明光及雷射束中的任一者透射且使照明光及雷射束中的另一者反射的步驟。

雷射束的波長可為193 nm至290 nm，照明光的波長可為570 nm至770 nm。 [發明效果]

根據例示性的實施例，可利用雷射束去除光罩上的接著劑層。另外，可獲取雷射束照射區域的拍攝影像而對接著劑去除製程進行監控。並且，可根據監控結果適當地調節照射雷射束的時間而縮短接著劑去除時間，確實地去除接著劑層。並且，可防止過度地照射雷射束而導致光罩受損的情形。

以下，參照隨附圖式，詳細地對例示性的實施例的雷射加工裝置用鏡面底座進行說明。

於以下圖式中，相同的參照符號表示相同的構成要素，為了說明的明確性及便利性，可於圖中誇張地表示各構成要素的尺寸。另一方面，以下所說明的實施例僅為示例，可根據這些實施例實現多種變形。

以下，於記載為“上部”或“上”時，不僅包括接觸而位於正上方的情形，而且亦可包括以非接觸的方式位於上方的情形。

第一、第二等用語可用於說明各種構成要素，但構成要素不應受用語的限定。用語僅以自其他構成要素區分一個構成要素為目的而使用。

只要未於文中明確地表示其他含義，則單數的表達包括複數的表達。並且，於記載為某個部分“包括”某個構成要素時，只要無特別相反的記載，則意味著可更包括其他構成要素，而並非是指排除其他構成要素。

並且，說明書中所記載的“…部”、“模組”等用語是指對至少一個功能或動作進行處理的單位。

圖1是表示薄層20附著於光罩10上的情況的立體圖。並且，圖2是表示圖1所示的光罩10及薄層20的剖面的剖面圖。

參照圖1及圖2，可於光罩10上附著有薄層20。可於光罩10形成有光罩圖案12。光罩圖案12的形狀可根據欲藉由平版印刷製程而形成至LSI、超LSI等半導體器件或液晶顯示板的圖案形狀而改變。例示性地，光罩10可包括石英（Quartz）。並且，光罩10可包括石英層及設置於石英層上的鉻（Cr）層。作為另一例，光罩10可包括石英層及設置於石英層上的矽化鉬 （molybdenum silicide，MoSi）層。因此，光罩10可於與接著劑30接觸的表面包括石英、鉻及矽化鉬中的至少一種。以上物質僅為示例，並不限制於此。

可於光罩10上附著有薄層20。薄層20可包括薄層框架24及設置於薄層框架24上的薄層膜22。薄層框架24的尺寸及形狀可與平版印刷製程中所使用的光罩10的尺寸及形狀對應地改變成各種尺寸及形狀。並且，薄層框架24的尺寸及形狀並非必須與光罩10的尺寸及形狀對應。可於薄層框架24的一面附著有薄層膜22。薄層膜22可藉由薄層接著層26而與薄層框架24附著。然而，並非必須限制於此，薄層膜22與薄層框架24亦可無薄層接著層26而連接成一體。薄層膜22為透明性材質，於進行平版印刷製程時，可藉由薄層膜22而使光透射。透射薄層膜22的光可經由光罩10而將加工對象物圖案化。

於薄層20附著於光罩10上時，會於薄層膜22與光罩10之間具備特定的空間。另外，上述特定空間可藉由薄層膜22及薄層框架24而與外部阻斷。因此，可防止異物進入至光罩10。

薄層20可藉由接著劑30而附著至光罩10。接著劑30由具有接著力的接著材質構成，可將薄層20固定至光罩10上。例示性地，接著劑30可包括含氟聚合物。例示性地，上述含氟聚合物可包括聚四氟乙烯聚合物、四氟乙烯（TFE）/全氟烷基乙烯基醚聚合物、乙烯/四氟乙烯聚合物及三氟氯乙烯（CTFE）等，但並不限制於此。除上述氟聚合物類物質以外，接著劑30可更包括其他物質。例如，接著劑30可包括含有苯乙烯/異戊二烯/苯乙烯類三嵌段聚合物等具有飽和環狀烴結構的嵌段共聚物的加氫物及黏著賦予劑的接著劑物質。並且，亦可包括含有苯乙烯/乙烯/丙烯/苯乙烯三嵌段共聚物及脂肪族類石油樹脂的熱熔接著劑物質。

圖3是表示於自光罩10去除薄層20後，接著劑30殘留於光罩10的表面的情況的圖。

如圖3所示，若於光罩10殘留有接著劑30，則更換薄層20而再次附著至光罩10的情形會較為困難。先前，為了去除光罩10上的接著劑，使用有機化合物或硫酸化合物。即，可藉由利用上述有機化合物或硫酸化合物的濕式清洗製程去除接著劑30。然而，於進行上述濕式清洗製程的情形時，會產生光罩10的光罩圖案12或光罩10的材質的透射率等發生變化的問題。並且，清洗製程本身較為繁雜，會消耗較多時間。

圖4是概略性地表示例示性的實施例的接著劑去除裝置的圖。

參照圖4，接著劑去除裝置可包括：雷射照射部110，向形成於光罩10與上述薄層20之間的接著劑層30照射雷射束；及控制部120，控制雷射束的波長、波形及能量密度，以便藉由照射雷射束而去除接著劑層30。並且，接著劑去除裝置可更包括提供雷射束參數的反饋資訊的雷射測定部115。

自雷射照射部110射出的大部分雷射束可朝向光罩10上的接著劑層30進行照射。另外，一部分雷射束可入射至雷射測定部115。雷射測定部115可測定所入射的雷射束的波長、波形、能量密度等。雷射測定部115可將測定到的雷射束的參數資訊傳輸至控制部120。控制部120可基於雷射測定部115的測定資訊確定雷射束參數的控制資訊。另外，控制部120可將上述控制資訊傳輸至雷射照射部110。

控制部120於控制雷射束的波長的情形時，可使雷射束的光子（photon）具有可分離接著劑層30的鍵結結構的程度的能量。例如，於如上所述般接著劑層30包括氟聚合物類物質的情形時，為了分離上述氟類物質的鍵結結構，會需要4.5 eV以上的能量。因此，控制部120可將雷射束的波長控制成266 nm以下。上述數值僅為示例，並不限制於此。雷射束的波長可根據上述接著劑層30可具有的物質的鍵結結構而改變。然而，若雷射束的波長過短，則會使光罩10受損。因此，可將雷射束的波長調節成大致193 nm至290 nm之間的範圍。

並且，控制部120可將雷射束的波形調節成按照固定週期反覆的脈衝波形。此時，上述雷射束可包括具有特定的脈衝寬度及週期的脈衝波形。調節雷射束的波形的原因如下。若雷射束的波形為能量強度固定的形態的波形而並非脈衝波形，則於照射雷射束的期間，接著劑層30的溫度會持續上升。然而，光罩10不受損而可承受的溫度有限。例如，為了不使光罩10的特性發生變化，需將光罩10的溫度維持成大致200˚C以下。因此，於向接著劑層30照射雷射束時，需以不會變得高於上述光罩10的特性發生變化的溫度的方式保持接著劑層30的溫度。為此，雷射束可具有按照特定的週期反覆的脈衝波形。若雷射束具有脈衝波形，則反覆進行於雷射束的能量變高的期間使接著劑層30的溫度變高，且於雷射束的能量變低的期間使接著劑層30的溫度再次變低的過程而防止接著劑層30的溫度一味地增加。

例示性地，控制部120可將雷射束的脈衝寬度調節成大致10皮秒(ps)至100奈秒(ns)的範圍。並且，控制部120可使脈衝波的週期為10 Hz至100 Hz的週期。例示性地，於上述範圍內脈衝寬度越大，則週期亦隨著越大，但並非必須限制於此。

並且，控制部120可於25 mJ/cm2至1000 mJ/cm2的範圍內調節雷射束的能量密度。

實施例的接著劑去除裝置可包括對照射雷射束的區域進行監控的拍攝部130。拍攝部130可提供照射雷射束的區域的拍攝資訊。藉此，拍攝部130可提供接著劑層30的去除情況的監控資訊。可於拍攝部130的前方設置鏡面140。鏡面140可使雷射束透射。相反地，鏡面可反射自下文將述的拍攝部130出射的照明光L2。

圖5是表示拍攝部130的構成的圖。

參照圖5，拍攝部130可包括照明光源132。照明光源132可照射拍攝雷射束照射區域所需的照明光L2。如上所述，加工用雷射束的波長較短，故而適於破壞性製程。因此，若直接拍攝加工用雷射束，則會導致裝置受損，拍攝圖像的品質亦會變差。因此，拍攝部130可利用自照明光L2出射的照明光L2獲得雷射束照射區域的拍攝圖像。此處，拍攝圖像不僅包括實時影像資訊，而且亦包括靜止的圖像資訊。

拍攝部130可包括用以拍攝照明光L2的相機138。照明光L2的波長可調節成可見光範圍，以便易於由相機138獲得拍攝圖像。例示性地，照明光L2的波長可為570 nm至770 nm。

拍攝部130亦可包括分束器134，上述分束器134用以使自照明光源132射出的光中的一部分透射，且使自雷射束照射區域反射的照明用光中的一部分向相機138側反射。自分束器134反射的照明光L2可入射至相機138。相機138可接收照明光L2而獲取雷射束照射區域的拍攝圖像。

拍攝部可包括濾光器136，上述濾光器136使入射至上述拍攝部的光與上述照明光的波長具有相同波長的光透射，且遮蔽與上述照明光的波長具有不同波長的光。濾光器136可根據波長選擇性地遮蔽光或使光透射。濾光器136可遮蔽雷射束L1，僅使照明光L2朝向相機138透射。利用濾光器136向相機138入射雷射束，從而可防止相機138受損。

再次參照圖4，接著劑去除裝置可包括供照明光L2及雷射束L1入射的鏡面140。鏡面140可使照明光L2及雷射束L1中的任一者透射且反射另一者。例如，鏡面140可為根據波長選擇性地反射光或使光透射的分色鏡（dichroic mirror）。另外，可不同地設定雷射束L1與照明光L2的波長。分色鏡可使波長不同的雷射束L1及照明光L2中的任一者透射且反射另一者。

於圖4的實施例中，表示鏡面140使雷射束L1透射且反射照明光L2的例。然而，實施例並不限制於此。例如，鏡面140亦可反射雷射束L1且使照明光L2透射。

參照圖4及圖5，接著劑去除裝置可更包括設置於雷射束的行進路徑的外部的輔助拍攝部150。輔助拍攝部150可對在雷射束照射區域散射的照明光L2進行拍攝。輔助拍攝部150可包括拍攝照明光L2的相機152。另外，輔助拍攝部150可包括濾光器154。濾光器154可根據光的波長而選擇性地使光透射。例如，濾光器154可遮蔽具有193 nm至290 nm的波長的雷射束L1且使具有570 nm至770 nm的波長的照明光透射。濾光器154可防止輔助拍攝部150的相機152因雷射束L1而受損。並且，濾光器154可提高由相機152拍攝的照明光L2的圖像的清晰度。

圖6是表示利用例示性的實施例的接著劑去除裝置的接著劑去除方法的流程圖。

參照圖6，實施例的接著劑去除方法可包括如下步驟：步驟S110，控制上述雷射束的波長、波形及能量密度，以便藉由照射雷射束L1而去除接著劑層30；步驟S120，向形成於光罩10與薄層20之間的接著劑層30照射雷射束L1；以及步驟S130，獲取照射雷射束的區域的拍攝圖像。

於步驟S110中，控制部120可調節雷射束的參數。例如，控制部120可將雷射束L1的波長調節成大致193 nm至290 nm。並且，控制部120可將雷射束L1的脈衝寬度調節成大致大致10 ps至100 ns的範圍，將脈衝波的週期調節成10 Hz至100 Hz的週期。控制部120可藉由調節雷射束L1的參數而減少對光罩10的損傷，並且藉由雷射束L1去除接著劑層30。

於步驟S120中，可向接著劑層30照射自雷射照射部110射出的雷射束L1。

於步驟S130中，拍攝部130及輔助拍攝部150可獲取照射雷射束L1的區域的拍攝影像。為了獲取拍攝影像，拍攝部130可自照明光源132向雷射束照射區域照射照明光L2。例示性地，照明光L2的波長可為570 nm至770 nm。由拍攝部130獲取的拍攝圖像可用於確定是否變更雷射束照射區域。

例示性地，接著劑去除方法可更包括如下步驟：步驟S140，於在步驟S130中獲取的拍攝圖像中確認是否已去除接著劑層30；以及步驟S150，若確認已去除接著劑層30，則變更雷射束照射區域。

於步驟S140中，可根據拍攝圖像判斷是否去除接著劑層30。可於拍攝圖像中確認到是否可觀察到已去除接著劑層30的圖像。確認作業亦可藉由人工作業而由人直接確認拍攝圖像，並根據上述拍攝圖像確定是否變更雷射束照射區域。作為其他例，亦可藉由內置於拍攝部130的計算裝置執行確認作業。計算裝置可藉由指定的算法分析拍攝圖像。例如，計算裝置可將已去除接著劑的光罩10的表面圖像儲存為基準圖像。另外，計算裝置可對拍攝圖像與基準圖像進行比較而評估兩個圖像的相似度。計算裝置可根據上述相似度的評估資訊確定是否需進一步照射雷射束L1。例如，於將相似度的評估資訊換算成分數的情形時，計算裝置可於上述分數為特定基準值以上時，判斷為已去除接著劑層30。

圖7是例示性地表示由拍攝部130獲取的拍攝圖像的圖。

參照圖7，可確認倒於雷射束照射區域S1中，接著劑層30未被完全去除而殘留。如圖7所示，若於拍攝圖像中接著劑層30殘留於雷射束照射區域S1，則可再次返回至步驟S120而進一步照射雷射束L1。

圖8是表示由拍攝部130獲取的拍攝圖像的另一例的圖。

參照圖8，可確認到於雷射束照射區域S1中，接著劑層30被去除而露出光罩10的表面。如圖8所示，若於拍攝圖像中接著劑層30未殘留於雷射束照射區域S1，則可執行步驟S150而變更雷射束照射區域S1。於步驟S150中，在改變雷射束照射區域S1時，可改變雷射照射部110的雷射束L1的照射方向。作為另一例，可不改變雷射照射部110照射雷射束L1的方向而藉由調節掃描器的方向改變雷射束L1照射的方向。作為又一例，可不改變雷射束L1照射的位置而藉由移動加工物平台（未圖示）使光罩10移動。可相對於雷射束L1照射的位置相對移動光罩10而變更於光罩10及接著劑層30上雷射束照射的位置S1。

以上，參照圖1至圖8對例示性的實施例的接著劑去除裝置及方法進行了說明。根據上述實施例，可利用雷射束L1去除光罩10上的接著劑層30。另外，可獲取雷射束照射區域的拍攝影像而對接著劑去除製程進行監控。並且，可根據監控結果適當地調節照射雷射束L1的時間而縮短接著劑去除時間，確實地去除接著劑層30。並且，可防止過度地照射雷射束L1而導致光罩10受損的情形。

於以上說明中，具體地記載有多個事項，但這些事項並不限定發明的範圍，而應解釋為較佳的實施例的示例。因此，本發明的範圍不應由所說明的實施例界定，而應由申請專利範圍中所記載的技術思想界定。

10‧‧‧光罩
12‧‧‧光罩圖案
20‧‧‧薄層
22‧‧‧薄層膜
24‧‧‧薄層框架
26‧‧‧薄層接著劑
30‧‧‧接著劑/接著劑層
110‧‧‧雷射照射部
115‧‧‧雷射測定部
120‧‧‧控制部
130‧‧‧拍攝部
130‧‧‧第二吸入區域
132‧‧‧照明光源
134‧‧‧分束器
136、154‧‧‧濾光器
138、152‧‧‧相機
140‧‧‧鏡面
140‧‧‧第三吸入區域
150‧‧‧輔助拍攝部
162‧‧‧壓力傳遞孔
200‧‧‧光罩夾盤
L1‧‧‧雷射束
L2‧‧‧照明光
S1‧‧‧雷射束照射區域
S110～S150‧‧‧步驟

圖1是表示薄層附著於光罩上的情況的立體圖。 圖2是表示圖1所示的光罩及薄層的剖面的剖面圖。 圖3是表示於自光罩去除薄層後，接著劑殘留於光罩表面的情況的圖。 圖4是概略性地表示例示性的實施例的接著劑去除裝置的圖。 圖5是表示拍攝部的構成的圖。 圖6是表示利用例示性的實施例的接著劑去除裝置的接著劑去除方法的流程圖。 圖7是例示性地表示由拍攝部獲取的拍攝圖像的圖。 圖8是表示由拍攝部獲取的拍攝圖像的另一例的圖。

10‧‧‧光罩

30‧‧‧接著劑/接著劑層

110‧‧‧雷射照射部

115‧‧‧雷射測定部

120‧‧‧控制部

130‧‧‧拍攝部

140‧‧‧鏡面

150‧‧‧輔助拍攝部

152‧‧‧相機

154‧‧‧濾光器

L1‧‧‧雷射束

L2‧‧‧照明光

Claims (16)

1. 一種接著劑去除裝置，其是自光罩去除將所述光罩與薄層接著的接著劑的裝置，所述接著劑去除裝置包括： 雷射照射部，向形成於所述光罩與所述薄層之間的接著劑層照射雷射束； 控制部，控制所述雷射束的波長、波形及能量密度，以便藉由照射所述雷射束而去除所述接著劑層；以及 拍攝部，對照射所述雷射束的區域進行監控。
2. 如申請專利範圍第1項所述的接著劑去除裝置，其中所述拍攝部包括：照明光源，照射照明光；以及相機，對自照射所述雷射束的區域反射的所述照明光進行拍攝。
3. 如申請專利範圍第2項所述的接著劑去除裝置，還包括鏡面，所述鏡面供所述照明光及所述雷射束入射，使所述照明光及所述雷射束中的任一者透射且反射所述照明光及所述雷射束中的另一者。
4. 如申請專利範圍第2項所述的接著劑去除裝置，其中所述照明光的波長與所述雷射束的波長不同。
5. 如申請專利範圍第2項所述的接著劑去除裝置，其中所述拍攝部包括濾光器，所述濾光器使入射至所述拍攝部的光出射時使與所述照明光的波長具有相同波長的光透射且遮蔽與所述照明光的波長具有不同波長的光。
6. 如申請專利範圍第1項所述的接著劑去除裝置，其中所述雷射束的波長為193 nm至290 nm。
7. 如申請專利範圍第2項所述的接著劑去除裝置，其中所述照明光的波長為570 nm至770 nm。
8. 如申請專利範圍第2項所述的接著劑去除裝置，更包括輔助拍攝部，所述輔助拍攝部設置至所述雷射束的行進路徑的外部，對在所述接著劑層及所述光罩上散射的所述照明光進行拍攝。
9. 如申請專利範圍第8項所述的接著劑去除裝置，其中所述輔助拍攝部包括：濾光器，遮蔽所述雷射束且使所述照明光透射；以及相機，對透射所述濾光器的所述照明光進行拍攝。
10. 一種接著劑去除方法，其是自光罩去除將所述光罩與薄層接著的接著劑的方法，所述接著劑去除方法包括： 控制雷射束的波長、波形及能量密度，以便藉由照射所述雷射束而去除所述接著劑層； 向形成於所述光罩與所述薄層之間的接著劑層照射雷射束；以及 獲取所述雷射束照射的區域的拍攝圖像。
11. 如申請專利範圍第10項所述的接著劑去除方法，包括：於在所述拍攝圖像中判斷為已去除所述接著劑層的情形時，變更所述雷射束照射的區域。
12. 如申請專利範圍第10項所述的接著劑去除方法，其中獲取所述拍攝圖像包括：向所述雷射束照射的區域照射照明光；以及對自所述雷射束照射的區域反射的所述照明光進行拍攝。
13. 如申請專利範圍第12項所述的接著劑去除方法，其中所述照明光的波長與所述雷射束的波長不同。
14. 如申請專利範圍第12項所述的接著劑去除方法，其中獲取所述拍攝圖像包括： 設置至所述雷射束的行徑路徑的外部，對在所述接著劑層及所述光罩上散射的所述照明光進行拍攝。
15. 如申請專利範圍第12項所述的接著劑去除方法，包括：於所述雷射束的行進路徑中，利用鏡面使所述照明光及所述雷射束中的任一者透射且反射所述照明光及所述雷射束中的另一者。
16. 如申請專利範圍第13項所述的接著劑去除方法，其中所述雷射束的波長為193 nm至290 nm，所述照明光的波長為570 nm至770 nm。