JP7333192B2 - 移設方法 - Google Patents

移設方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7333192B2
JP7333192B2 JP2019082146A JP2019082146A JP7333192B2 JP 7333192 B2 JP7333192 B2 JP 7333192B2 JP 2019082146 A JP2019082146 A JP 2019082146A JP 2019082146 A JP2019082146 A JP 2019082146A JP 7333192 B2 JP7333192 B2 JP 7333192B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical device
adhesive
layer
device layer
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019082146A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020181847A (ja
Inventor
将 小柳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2019082146A priority Critical patent/JP7333192B2/ja
Priority to KR1020200034193A priority patent/KR20200124157A/ko
Priority to TW109113183A priority patent/TWI836061B/zh
Priority to CN202010315789.5A priority patent/CN111834278A/zh
Priority to US16/855,081 priority patent/US11011670B2/en
Publication of JP2020181847A publication Critical patent/JP2020181847A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7333192B2 publication Critical patent/JP7333192B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68354—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75743—Suction holding means
    • H01L2224/75745—Suction holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7598—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors specially adapted for batch processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen

Description

本発明は、光デバイス層を移設する移設方法に関する。
ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの光デバイスは、例えば、ｐｎ接合を構成するｎ型半導体層及びｐ型半導体層をサファイア基板の表面上にエピタキシャル成長させることにより形成される。このように形成された光デバイス層をサファイア基板から剥離して移設部材へ転写するレーザーリフトオフという剥離技術が知られている（特許文献１及び２参照）。近年では、マイクロＬＥＤと呼ばれる極小サイズのＬＥＤの製造技術も発展しており、エッチングにより半導体層を分割して多数のＬＥＤを作製する技術が知られている（特許文献３参照）。
特開２００４－０７２０５２号公報 特開２０１６－０２１４６４号公報 特開２０１８－１０７４２１号公報
ところが、上記のマイクロＬＥＤをレーザーリフトオフする際に、移設部材へのＬＥＤの転写率が低くなってしまうという問題があった。
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、レーザーリフトオフする際に、移設部材への光デバイスの転写率が低くなることを抑制することが可能な光デバイス層を移設する移設方法を提供することである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の光デバイス層を移設する移設方法は、チップサイズに分割された光デバイス層がバッファ層を介してエピタキシー基板の表面に積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を移設する移設方法であって、該光デバイスウエーハと移設部材とを接着剤を介して接合し、該光デバイスウエーハのチップサイズに分割された光デバイス層と光デバイス層の隙間に該接着剤を充填する移設部材接合ステップと、該移設部材接合ステップを実施した後、該移設部材が接合された光デバイスウエーハのエピタキシー基板の裏面側から、エピタキシー基板の全面に対して、エピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファ層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線をバッファ層に照射し、バッファ層を破壊するバッファ層破壊ステップと、該バッファ層破壊ステップを実施した後、該エピタキシー基板を該光デバイス層から剥離して、該エピタキシー基板に積層されていた光デバイス層を該移設部材に転写する光デバイス層転写ステップと、該光デバイス層転写ステップの後、該移設部材接合ステップで接着剤層に埋設された該光デバイス層が該接着剤層から突出するように、光デバイス層と光デバイス層の隙間に充填された接着剤の少なくとも一部を除去する接着剤除去ステップと、該接着剤除去ステップの後、該接着剤層から突出した光デバイス層を実装基板へと移設する光デバイス層移設ステップと、を含み、該接着剤除去ステップでは、該光デバイス層へのレーザー光線の照射を避けて、該光デバイス層同士の間の接着剤の少なくとも一部へレーザー光線を照射して、該接着剤を選択的に除去し、接着剤が露出した領域においてはレーザー光線を照射して、該レーザー光線により該接着剤の少なくとも一部を除去し、該光デバイス層が転写された領域においてはレーザー光線をＯＦＦにすることを特徴とする。該移設部材接合ステップでは、該接着剤を加熱して該接着剤の粘性を低下させて、該接着剤を該光デバイス層に沿って変形させることにより、該光デバイス層と該光デバイス層との隙間に該接着剤を充填してもよい。
本願発明は、レーザーリフトオフする際に、移設部材への光デバイスの転写率が低くなることを抑制することができる。
図１は、実施形態に係る移設方法の移設対象を含む光デバイスウエーハの斜視図である。 図２は、図１の光デバイスウエーハの断面図である。 図３は、実施形態に係る移設方法を示すフローチャートである。 図４は、図３の移設部材接合ステップの一状態を示す断面図である。 図５は、図３の移設部材接合ステップの図４後の一状態を示す断面図である。 図６は、図３のバッファ層破壊ステップの一例を示す斜視図である。 図７は、図３の光デバイス層転写ステップの一例を示す斜視図である。 図８は、図３の接着剤除去ステップの一例を示す斜視図である。 図９は、図３の光デバイス層移設ステップの一状態を示す断面図である。 図１０は、図３の光デバイス層移設ステップの図９後の一状態を示す断面図である。
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態〕
本発明の実施形態に係る移設方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態に係る移設方法の移設対象を含む光デバイスウエーハ１の斜視図である。図２は、図１の光デバイスウエーハ１の断面図である。なお、図１及び図２は、本実施形態の説明のため、実際よりも光デバイスウエーハ１に対して光デバイス層５等を大きく模式的に示しており、以降の図面についても同様である。光デバイスウエーハ１は、図２に示すように、エピタキシー基板２と、エピタキシー基板２の表面３側にバッファ層４を介して積層された光デバイス層５と、を含む。
エピタキシー基板２は、本実施形態では、直径が２インチ（約５０ｍｍ）程度で厚みが３００μｍ程度の円板形状を有するサファイア基板である。光デバイス層５は、本実施形態では、図２に示すように、エピタキシー基板２の表面３にエピタキシャル成長法によって合計６μｍ程度の厚さで形成されるｎ型窒化ガリウム半導体層５－１及びｐ型窒化ガリウム半導体層５－２であり、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）として使用されるものである。バッファ層４は、実施形態１では、エピタキシー基板２に光デバイス層５を積層する際に、エピタキシー基板２の表面３と光デバイス層５のｐ型窒化ガリウム半導体層５－２との間に形成される厚みが１μｍ程度の窒化ガリウム（ＧａＮ）層である。
光デバイス層５は、本実施形態では、図１に示すように、格子状に交差した複数のストリート６によって区画された複数の領域に、チップサイズに分割されて積層され、光デバイス７を形成している。光デバイス層５同士の間隔、すなわち、光デバイス７同士の間隔は、ストリート６の幅と同じであり、本実施形態では、５μｍ程度である。また、光デバイス層５の大きさ、すなわち、光デバイス７の大きさは、ストリート６同士の間隔と同じであり、本実施形態では、１０μｍ以上２０μｍ以下である。すなわち、光デバイス層５は、本実施形態では、直径が２インチのエピタキシー基板２に２００万個程度の、マイクロＬＥＤとして使用される光デバイス７が形成されている。
次に、実施形態に係る移設方法を説明する。図３は、実施形態に係る移設方法を示すフローチャートである。移設方法は、光デバイスウエーハ１の光デバイス層５を移設する移設方法であって、図３に示すように、移設部材接合ステップＳＴ１１と、バッファ層破壊ステップＳＴ１２と、光デバイス層転写ステップＳＴ１３と、接着剤除去ステップＳＴ１４と、光デバイス層移設ステップＳＴ１５と、を含む。
図４は、図３の移設部材接合ステップＳＴ１１の一状態を示す断面図である。図５は、図３の移設部材接合ステップＳＴ１１の図４後の一状態を示す断面図である。移設部材接合ステップＳＴ１１は、図４及び図５に示すように、光デバイスウエーハ１と移設部材１１とを接着剤１２を介して接合し、光デバイスウエーハ１のチップサイズに分割された光デバイス層５と光デバイス層５の隙間に接着剤１２を充填するステップである。
移設部材接合ステップＳＴ１１では、具体的には、図４に示すように、まず、移設部材１１としてエピタキシー基板２と同様の大きさを有する移設基板を準備し、移設部材１１の一方の面に、光デバイス層５と光デバイス層５との隙間に相当するストリート６の総体積以上の体積を有する接着剤１２を塗布する。
なお、移設部材１１は、本実施形態では、エピタキシー基板２と同程度の０．３ｍｍ程度の厚みを有するガラス基板が好適な基板として用いられるが、本発明はこれに限定されず、有機化合物を含んで構成される接着剤１２との間で接着可能なものであれば、金属製の基板等のその他の種々の材料の基板を用いることができる。
また、接着剤１２は、有機化合物を含んで構成されるもの、例えば、粘着テープに使用される糊が好適なものとして用いられる。接着剤１２は、加熱されることで軟化して粘性が低下し、更に加熱するか、または紫外線を照射することで、硬化反応等の化学反応が起きて硬化して粘性がさらに低下する性質を有する。
移設部材接合ステップＳＴ１１では、次に、エピタキシー基板２に積層された光デバイス層５と移設部材１１に塗布された接着剤１２とを対向させて、接近させ、接触させる。移設部材接合ステップＳＴ１１では、さらに、エピタキシー基板２の表面３とは反対側の面である裏面８側から移設部材１１に向かって、または、移設部材１１の接着剤１２が塗布された側とは反対側の面からエピタキシー基板２に向かって、押圧することで、図５に示すように、光デバイス層５に沿って接着剤１２を変形させて、光デバイス層５を完全に接着剤１２にめり込ませる。このようにして、移設部材接合ステップＳＴ１１では、光デバイスウエーハ１のチップサイズに分割された光デバイス層５と光デバイス層５の隙間に接着剤１２を充填する。
ここで、移設部材接合ステップＳＴ１１では、押圧力が、光デバイスウエーハ１及び移設部材１１が破壊しない程度に強ければ強いほど好ましく、この場合、接着剤１２がより好適に光デバイス層５に沿って変形することで、より好適に光デバイス層５と光デバイス層５との隙間を充填することができる。また、移設部材接合ステップＳＴ１１では、エピタキシー基板２の裏面８側または移設部材１１側から、接着剤１２が硬化反応等の化学反応が起きない程度に加熱することが好ましく、この場合、接着剤１２の粘性が低下するため、接着剤１２がより好適に光デバイス層５に沿って変形することで、より好適に光デバイス層５と光デバイス層５との隙間を充填することができる。
図６は、図３のバッファ層破壊ステップＳＴ１２の一例を示す斜視図である。バッファ層破壊ステップＳＴ１２は、図６に示すように、移設部材接合ステップＳＴ１１を実施した後、移設部材１１が接合された光デバイスウエーハ１のエピタキシー基板２の裏面８側からエピタキシー基板２に対しては透過性を有しバッファ層４に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線３４をバッファ層４に照射し、バッファ層４を破壊するステップである。
バッファ層破壊ステップＳＴ１２では、具体的には、図６に示すように、まず、移設部材接合ステップＳＴ１１で接合した光デバイスウエーハ１と移設部材１１との接合体の移設部材１１側の面を、不図示の真空源に接続したチャックテーブル２０の保持面２１で吸引保持する。
バッファ層破壊ステップＳＴ１２では、次に、レーザー光線照射手段３０により、チャックテーブル２０で保持した光デバイスウエーハ１と移設部材１１との接合体のエピタキシー基板２の裏面８側から、エピタキシー基板２に対しては透過性を有しバッファ層４に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線３４をバッファ層４に照射することで、バッファ層４を破壊する。バッファ層破壊ステップＳＴ１２は、本実施形態では、エピタキシー基板２の全面に対してパルスレーザー光線３４の照射を実行している。
ここで、レーザー光線照射手段３０は、図６に示すように、レーザー光線発振手段３１により上記した所定の波長のパルスレーザー光線３４を発振し、光学ミラー３２によりレーザー光線発振手段３１からのパルスレーザー光線３４をチャックテーブル２０で保持した接合体のエピタキシー基板２の裏面８に直交する方向に向きを変更し、集光レンズ３３により光学ミラー３２からのパルスレーザー光線３４を集光してパルスレーザー光線３４のスポット径及びデフォーカスを調整することで、バッファ層破壊ステップＳＴ１２におけるパルスレーザー光線３４の照射条件を調整する。
バッファ層破壊ステップＳＴ１２では、例えば、繰り返し周波数が５０ｋＨｚ以上２００ｋＨｚ以下であり、平均出力が０．１Ｗ以上２．０Ｗ以下であり、パルス幅が２０ｐｓ以下の波長約２５７ｎｍの紫外線レーザー光をパルスレーザー光線３４として用いて、スポット径を１０μｍ以上５０μｍ以下とし、デフォーカスを約１．０ｍｍに調整して、バッファ層４の破壊処理を実行する。
図７は、図３の光デバイス層転写ステップＳＴ１３の一例を示す斜視図である。光デバイス層転写ステップＳＴ１３は、バッファ層破壊ステップＳＴ１２を実施した後、エピタキシー基板２を光デバイス層５から剥離して、エピタキシー基板２に積層されていた光デバイス層５を移設部材１１に転写するステップである。
光デバイス層転写ステップＳＴ１３では、具体的には、バッファ層破壊ステップＳＴ１２でバッファ層４が破壊された接合体のエピタキシー基板２の裏面８側から、不図示の超音波振動手段が配設されたホーンにより超音波振動を付与することで、破壊されたバッファ層４を起点として、エピタキシー基板２を光デバイス層５から剥離して光デバイス層５を移設部材１１に転写する。
このようにして、バッファ層破壊ステップＳＴ１２及び光デバイス層転写ステップＳＴ１３によるいわゆるレーザーリフトオフを実施することで、移設部材１１の一方の面に塗布して形成された接着剤１２に光デバイス層５（光デバイス７）が埋設されて転写された図７に示す光デバイス層転写基板１０を得る。
図８は、図３の接着剤除去ステップＳＴ１４の一例を示す斜視図である。接着剤除去ステップＳＴ１４は、図８に示すように、光デバイス層転写ステップＳＴ１３の後、移設部材接合ステップＳＴ１１で接着剤１２の層である接着剤層に埋設された光デバイス層５が接着剤層から突出するように、光デバイス層５と光デバイス層５との隙間に充填された接着剤１２の少なくとも一部を除去するステップである。
接着剤除去ステップＳＴ１４では、具体的には、まず、図６に示すように、光デバイス層転写ステップＳＴ１３で得られた光デバイス層転写基板１０の移設部材１１側の面を、チャックテーブル２０の保持面２１で吸引保持する。接着剤除去ステップＳＴ１４では、次に、チャックテーブル２０の保持面２１で保持された光デバイス層転写基板１０とレーザー光線照射手段４０によるレーザー光線４１の照射位置との位置合わせを行うアライメントを遂行する。
なお、本実施形態では、接着剤除去ステップＳＴ１４で使用するレーザー光線照射手段４０と、バッファ層破壊ステップＳＴ１２で使用するレーザー光線照射手段３０とは異なるものであるが、本発明ではこれに限定されず、バッファ層破壊ステップＳＴ１２と接着剤除去ステップＳＴ１４とで同じレーザー光線照射手段を使用してもよい。
接着剤除去ステップＳＴ１４では、次に、光デバイス層転写基板１０の接着剤１２に光デバイス層５（光デバイス７）が転写された側から、光デバイス層５（光デバイス７）へのレーザー光線４１の照射を避けて、光デバイス層５（光デバイス７）同士の間の接着剤１２の少なくとも一部へレーザー光線４１を照射して、この接着剤１２を選択的にレーザーアブレーション加工することで除去する。
接着剤除去ステップＳＴ１４では、例えば、繰り返し周波数が１００ｋＨｚ以上１０００ｋＨｚ以下であり、平均出力が０．２Ｗ以上１．５Ｗ以下であり、波長約２５７ｎｍ以上約５１５ｎｍ以下の紫外線領域から可視光領域のレーザー光をレーザー光線４１として用いて、スポット径を０．５μｍ以上３μｍ以下と絞って、このようなレーザー光線４１を１００ｍｍ／ｓ以上６００ｍｍ／ｓ以下で接着剤１２上を走査することで、接着剤１２の除去処理を実行する。
接着剤除去ステップＳＴ１４では、接着剤１２の除去厚み１２－１を光デバイス層５（光デバイス７）の厚みの半分以上とすることが好ましく、この場合、後述する光デバイス層移設ステップＳＴ１５で、光デバイス層５（光デバイス７）を接着剤１２から好適にピックアップすることを可能にする。なお、接着剤除去ステップＳＴ１４では、接着剤１２の除去厚み１２－１を移設部材１１に到達する深さ分未満とすることが好ましく、この場合、移設部材１１をレーザー光線４１でアブレーション加工してしまう可能性を抑制することができる。
また、接着剤除去ステップＳＴ１４では、接着剤１２の除去厚み１２－１を所定の範囲内にすることが好ましく、一定にすることがより好ましく、これらの場合、後述する光デバイス層移設ステップＳＴ１５で、光デバイス層５（光デバイス７）を所定の範囲内の力で安定して接着剤１２からピックアップすることを可能にする。
本実施形態では、光デバイス層５（光デバイス７）が転写された領域が１０μｍ以上２０μｍ以下のスケールであり、接着剤１２が露出した領域がストリート６の幅と同様の５μｍ程度のスケールであり、接着剤１２の除去厚み１２－１が光デバイス層５（光デバイス７）の厚みの半分程度と同様の３μｍ程度のスケールである。接着剤除去ステップＳＴ１４では、レーザー光線４１によりレーザーアブレーション加工するので、本実施形態のようなμｍ単位のスケールの接着剤１２の除去領域１２－２及び除去厚み１２－１を制御することができる。
本実施形態では、光デバイス層５（光デバイス７）が転写された領域と、接着剤１２が露出した領域とが、周期的に配列されている。このため、接着剤除去ステップＳＴ１４では、設定した周期でレーザー光線４１のＯＮ及びＯＦＦを繰り返しながらレーザーアブレーション加工する所謂ＨａｓｅｎＣｕｔ（登録商標）や、ガルバノスキャナー、レゾナントスキャナー、音響光学偏向素子又はポリゴンミラー等を備えるスキャニング手段によるレーザー光線４１の走査等によって、接着剤１２を除去することが好ましい。接着剤除去ステップＳＴ１４では、具体的には、レーザー光線４１をＯＮ及びＯＦＦを繰り返しながら照射する。例えば、接着剤１２が露出した領域においてはレーザー光線４１をＯＮで照射して、光デバイス層５（光デバイス７）が転写された領域においては、レーザー光線４１をＯＦＦにして通過させる。
図９は、図３の光デバイス層移設ステップＳＴ１５の一状態を示す断面図である。図１０は、図３の光デバイス層移設ステップＳＴ１５の図９後の一状態を示す断面図である。光デバイス層移設ステップＳＴ１５は、図９及び図１０に示すように、接着剤除去ステップＳＴ１４の後、接着剤層から突出した光デバイス層５を実装基板１００へと移設するステップである。
光デバイス層移設ステップＳＴ１５では、具体的には、まず、ピックアップユニット５０の光デバイス層５（光デバイス７）と対向する位置に配列して設けられたピックアップ部５１でそれぞれの光デバイス層５（光デバイス７）をピックアップする前に、光デバイス層５（光デバイス７）を支持する接着剤１２の粘着性を低下させる粘着性低下処理を実施することが好ましい。粘着性低下処理は、例えば、接着剤１２を加熱することで接着剤１２の粘性を低下させる処理や、接着剤１２に紫外線を照射したりさらに加熱したりすることで重合反応等の硬化反応を引き起こすことで接着剤１２の粘着性を低下させる処理であり、ピックアップユニット５０による光デバイス層５（光デバイス７）をより低い力でピックアップすることを可能にし、ピックアップする確率を高めるとともに、光デバイス層５（光デバイス７）に接着剤１２が残存することを低減、抑制するものである。
光デバイス層移設ステップＳＴ１５では、次に、図９に示すように、ピックアップユニット５０の各ピックアップ部５１で、各光デバイス層５（光デバイス７）を把持または吸着保持することで、ピックアップする。光デバイス層移設ステップＳＴ１５では、その後、図１０に示すように、ピックアップユニット５０の各ピックアップ部５１でピックアップした各光デバイス層５（光デバイス７）を、実装基板１００上に光デバイス層５（光デバイス７）と同様の形状、サイズ及び間隔等で配列して設けられた接合層１１０上に移動させて載置する。
光デバイス層移設ステップＳＴ１５で実装基板１００の接合層１１０上に移設された各光デバイス層５（光デバイス７）は、接合層１１０を介して実装基板１００に接合されて実装される。
このようにして、光デバイス層移設ステップＳＴ１５では、本実施形態では、ピックアップユニット５０の各ピックアップ部５１で、接着剤１２から突出した各光デバイス層５（光デバイス７）を、全面一度に、実装基板１００へと移設するので、効率よく光デバイス層５（光デバイス７）を移設することができる。なお、本発明ではこれに限定されず、１つのピックアップ部５１で、接着剤１２から突出した各光デバイス層５（光デバイス７）を１つずつ実装基板１００へと移設してもよく、この場合、各光デバイス層５（光デバイス７）の移設精度を高めることができる。
実施形態に係る光デバイスウエーハ１の光デバイス層５を移設する移設方法は、移設部材接合ステップＳＴ１１で、光デバイスウエーハ１のチップサイズに分割された光デバイス層５と光デバイス層５の隙間に接着剤１２を充填させた状態にして、光デバイスウエーハ１と移設部材１１とを接着剤１２を介して接合するので、レーザーリフトオフする際に、移設部材１１への光デバイス７（光デバイス層５）の転写率が低くなることを抑制することができるという作用効果を奏する。
また、実施形態に係る光デバイスウエーハ１の光デバイス層５を移設する移設方法は、接着剤除去ステップＳＴ１４で、光デバイス層５と光デバイス層５の隙間に充填された接着剤１２の少なくとも一部を除去することで、移設部材接合ステップＳＴ１１で接着剤層に埋設された光デバイス層５を接着剤層から突出させるので、光デバイス層５（光デバイス７）を実装基板１００に移設する移設効率及び移設精度が低くなることを抑制することができるという作用効果を奏する。
〔変形例〕
本発明の実施形態の変形例に係る移設方法を説明する。変形例に係る移設方法は、接着剤除去ステップＳＴ１４が異なること以外、実施形態と同じである。
変形例に係る接着剤除去ステップＳＴ１４は、実施形態に係るレーザー光線４１の照射に代えて、エッチング処理やスクライバー加工処理で、接着剤１２を選択的に除去する。
変形例に係る接着剤除去ステップＳＴ１４では、例えば、接着剤１２との間で化学反応を起こすことで接着剤１２を除去し、なおかつ、光デバイス層５との間で顕著な化学反応をほとんど起こさない液体又は気体の化合物を含有するエッチング剤を、光デバイス層５及び接着剤１２に向けて供給することで、エッチング処理により接着剤１２を選択的に除去する。
また、変形例に係る接着剤除去ステップＳＴ１４では、例えば、先端の直径が接着剤１２の露出領域及びストリート６の幅と同様もしくはそれより小さい数μｍ以下程度のスケールの金属製又はダイヤモンド製等の工具のスクライバーを用いて、ストリート６に沿って接着剤１２の露出領域を削ることで、スクライバー加工処理により接着剤１２を選択的に除去する。
これらの変形例に係る光デバイスウエーハ１の光デバイス層５を移設する移設方法は、実施形態に係る光デバイスウエーハ１の光デバイス層５を移設する移設方法と同様の作用効果を奏するものとなる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
１ 光デバイスウエーハ
２ エピタキシー基板
３ 表面
４ バッファ層
５ 光デバイス層
７ 光デバイス
８ 裏面
１１ 移設部材
１２ 接着剤
１００ 実装基板

Claims (2)

  1. チップサイズに分割された光デバイス層がバッファ層を介してエピタキシー基板の表面に積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を移設する移設方法であって、
    該光デバイスウエーハと移設部材とを接着剤を介して接合し、該光デバイスウエーハのチップサイズに分割された光デバイス層と光デバイス層の隙間に該接着剤を充填する移設部材接合ステップと、
    該移設部材接合ステップを実施した後、該移設部材が接合された光デバイスウエーハのエピタキシー基板の裏面側から、エピタキシー基板の全面に対して、エピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファ層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線をバッファ層に照射し、バッファ層を破壊するバッファ層破壊ステップと、
    該バッファ層破壊ステップを実施した後、該エピタキシー基板を該光デバイス層から剥離して、該エピタキシー基板に積層されていた光デバイス層を該移設部材に転写する光デバイス層転写ステップと、
    該光デバイス層転写ステップの後、該移設部材接合ステップで接着剤層に埋設された該光デバイス層が該接着剤層から突出するように、光デバイス層と光デバイス層の隙間に充填された接着剤の少なくとも一部を除去する接着剤除去ステップと、
    該接着剤除去ステップの後、該接着剤層から突出した光デバイス層を実装基板へと移設する光デバイス層移設ステップと、
    を含み、
    該接着剤除去ステップでは、該光デバイス層へのレーザー光線の照射を避けて、該光デバイス層同士の間の接着剤の少なくとも一部へレーザー光線を照射して、該接着剤を選択的に除去し、接着剤が露出した領域においてはレーザー光線を照射して、該レーザー光線により該接着剤の少なくとも一部を除去し、該光デバイス層が転写された領域においてはレーザー光線をＯＦＦにすることを特徴とする、光デバイス層を移設する移設方法。
  2. 該移設部材接合ステップでは、該接着剤を加熱して該接着剤の粘性を低下させて、該接着剤を該光デバイス層に沿って変形させることにより、該光デバイス層と該光デバイス層との隙間に該接着剤を充填することを特徴とする、請求項１に記載の光デバイス層を移設する移設方法。
JP2019082146A 2019-04-23 2019-04-23 移設方法 Active JP7333192B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019082146A JP7333192B2 (ja) 2019-04-23 2019-04-23 移設方法
KR1020200034193A KR20200124157A (ko) 2019-04-23 2020-03-20 광 디바이스층의 이설 방법
TW109113183A TWI836061B (zh) 2019-04-23 2020-04-20 光學元件層之移設方法
CN202010315789.5A CN111834278A (zh) 2019-04-23 2020-04-21 光器件层的移设方法
US16/855,081 US11011670B2 (en) 2019-04-23 2020-04-22 Optical device layer transferring method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019082146A JP7333192B2 (ja) 2019-04-23 2019-04-23 移設方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020181847A JP2020181847A (ja) 2020-11-05
JP7333192B2 true JP7333192B2 (ja) 2023-08-24

Family

ID=72913669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019082146A Active JP7333192B2 (ja) 2019-04-23 2019-04-23 移設方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11011670B2 (ja)
JP (1) JP7333192B2 (ja)
KR (1) KR20200124157A (ja)
CN (1) CN111834278A (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112967992B (zh) * 2020-12-07 2022-09-23 重庆康佳光电技术研究院有限公司 外延结构的转移方法
US11631650B2 (en) * 2021-06-15 2023-04-18 International Business Machines Corporation Solder transfer integrated circuit packaging
JP2024000569A (ja) * 2022-06-21 2024-01-09 東レエンジニアリング株式会社 保持層一部除去方法、及び保持層一部除去装置
WO2024009956A1 (ja) * 2022-07-06 2024-01-11 信越化学工業株式会社 Ｌｅｄ実装基板の製造方法、洗浄液及び洗浄方法
CN116914061B (zh) * 2023-09-12 2024-01-23 晶能光电股份有限公司 MicroLED显示组件及其制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261335A (ja) 2000-07-18 2002-09-13 Sony Corp 画像表示装置及び画像表示装置の製造方法
JP2003098977A (ja) 2001-09-19 2003-04-04 Sony Corp 素子の転写方法、素子の配列方法、及び画像表示装置の製造方法
JP2004072052A (ja) 2002-08-09 2004-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2016021464A (ja) 2014-07-14 2016-02-04 株式会社ディスコ リフトオフ方法及び超音波ホーン
JP2017076729A (ja) 2015-10-16 2017-04-20 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置、及び、半導体発光装置の製造方法
US20180166429A1 (en) 2016-12-13 2018-06-14 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Mass Transfer Of Micro Structures Using Adhesives
JP2018107421A (ja) 2016-12-23 2018-07-05 ルーメンス カンパニー リミテッド マイクロｌｅｄモジュール及びその製造方法
JP2018194718A (ja) 2017-05-19 2018-12-06 株式会社ディスコ Ｌｅｄディスプレーパネルの製造方法
US20190097081A1 (en) 2017-09-22 2019-03-28 Asti Global Inc., Taiwan Method for manufacturing light-emitting module

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017208405B4 (de) * 2017-05-18 2024-05-02 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Schutzfolie
JP7258414B2 (ja) * 2018-08-28 2023-04-17 株式会社ディスコ 光デバイスウェーハの加工方法
US20210005520A1 (en) * 2019-07-02 2021-01-07 Sharp Kabushiki Kaisha Method and apparatus for manufacturing array device

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261335A (ja) 2000-07-18 2002-09-13 Sony Corp 画像表示装置及び画像表示装置の製造方法
JP2003098977A (ja) 2001-09-19 2003-04-04 Sony Corp 素子の転写方法、素子の配列方法、及び画像表示装置の製造方法
JP2004072052A (ja) 2002-08-09 2004-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2016021464A (ja) 2014-07-14 2016-02-04 株式会社ディスコ リフトオフ方法及び超音波ホーン
JP2017076729A (ja) 2015-10-16 2017-04-20 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置、及び、半導体発光装置の製造方法
US20180166429A1 (en) 2016-12-13 2018-06-14 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Mass Transfer Of Micro Structures Using Adhesives
JP2018107421A (ja) 2016-12-23 2018-07-05 ルーメンス カンパニー リミテッド マイクロｌｅｄモジュール及びその製造方法
JP2018194718A (ja) 2017-05-19 2018-12-06 株式会社ディスコ Ｌｅｄディスプレーパネルの製造方法
US20190097081A1 (en) 2017-09-22 2019-03-28 Asti Global Inc., Taiwan Method for manufacturing light-emitting module

Also Published As

Publication number Publication date
US20200343405A1 (en) 2020-10-29
CN111834278A (zh) 2020-10-27
US11011670B2 (en) 2021-05-18
JP2020181847A (ja) 2020-11-05
KR20200124157A (ko) 2020-11-02
TW202040834A (zh) 2020-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7333192B2 (ja) 移設方法
KR102217032B1 (ko) 리프트 오프 방법
JP6349175B2 (ja) リフトオフ方法及び超音波ホーン
JP5528904B2 (ja) サファイアウェーハの分割方法
JP7258414B2 (ja) 光デバイスウェーハの加工方法
KR20150089931A (ko) 광디바이스 및 광디바이스의 가공 방법
JP2007158108A (ja) ウエーハの分割方法
JP7072977B2 (ja) デバイスの移設方法
JP5819605B2 (ja) 基板の分割方法
JP7282452B2 (ja) ウェーハの加工方法
TW201916966A (zh) 剝離方法
JP7253994B2 (ja) 光デバイスの移設方法
JP6450637B2 (ja) リフトオフ方法及び超音波ホーン
TWI803712B (zh) 剝離方法
TWI836061B (zh) 光學元件層之移設方法
JP7251898B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2017050444A (ja) 光デバイス層の剥離方法
JP7458910B2 (ja) デバイスの製造方法
JP7199307B2 (ja) 移設方法
KR102279643B1 (ko) 캐리어 기판 및 이를 이용한 소자 전사방법
JP7166720B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2021012936A (ja) 光デバイスの移設方法
JP2020136378A (ja) ウェーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220218

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220930

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221004

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20221130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230307

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230508

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230725

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230814

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7333192

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150