JP2017076729A - 半導体発光装置、及び、半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置、及び、半導体発光装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
11 サファイア基板(成長基板)
12 GaNバッファ層
13 アンドープGaN層
14 n型GaN層
15 GaN/InGaN発光層
16 p型GaN層
17 半導体層
18 溝
19 SiO2膜
20 p側電極
21 ウェハ接合剤
22 サファイア基板(支持基板)
23 レジスト
24 n側電極
25 UVシート(ハンドリング用シート)
26 非UVシート(ハンドリング用シート)
27 絶縁フィルム
28 打ち込み装置
29、30 通電基材
31 空隙
32 Si基板(支持体)
33 耐熱工程用微粘着フィルム
34、35 PEDOT/PSS膜
50 LED素子
51 半導体層
52 p側電極
53 n側電極
54 通電基材
54a 配線
Claims (14)
- (i)n型半導体層、発光層、p型半導体層を含む半導体積層構造と、(ii)前記n型半導体層、前記p型半導体層にそれぞれ電気的に接続されたn側電極、p側電極とを含み、前記n型半導体層は錐形状部分を備え、該錐形状部分の表面に前記n側電極が形成されている半導体発光素子と、
前記半導体発光素子が貫通配置された絶縁層であって、第1の面側に前記n側電極、前記第1の面とは反対の第2の面側に前記p側電極が配置された絶縁層と、
前記半導体発光素子及び絶縁層を挟持する第1及び第2の通電基材であって、前記n側電極に電気的に接続された第1の通電基材、及び、前記p側電極に電気的に接続された第2の通電基材と
を有する半導体発光装置。 - 前記絶縁層の前記第2の面側には、前記n側電極は配置されない請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記n型半導体層の錐形状部分と前記n側電極とで構成される前記半導体発光素子の錐形状部分の高さは、前記半導体発光素子の平面サイズ以上である請求項1または2に記載の半導体発光装置。
- 前記n型半導体層の錐形状部分と前記n側電極とで構成される前記半導体発光素子の錐形状部分の高さは、前記半導体発光素子の平面サイズの1.5倍以上である請求項3に記載の半導体発光装置。
- 前記第1及び第2の通電基材はITOで形成される請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- 前記第1及び第2の通電基材はPEDOT/PSSで形成される請求項2に記載の半導体発光装置。
- (a)n型半導体層、発光層、p型半導体層を含む半導体積層構造と、(ii)前記n型半導体層、前記p型半導体層にそれぞれ電気的に接続されたn側電極、p側電極とを含み、前記n型半導体層は錐形状部分を備え、該錐形状部分の表面に前記n側電極が形成されている半導体発光素子を形成する工程と、
(b)第1の面、及び、前記第の1面とは反対の第2の面を備える絶縁層を準備し、前記半導体発光素子を、前記第1の面側に前記n側電極、前記第2の面側に前記p側電極が配置されるように、前記絶縁層に貫通させる工程と、
(c)前記半導体発光素子及び前記絶縁層を、第1及び第2の通電基材間に配置し、前記n側電極と前記第1の通電基材、前記p側電極と前記第2の通電基材を電気的に接続する工程と
を有する半導体発光装置の製造方法。 - 前記工程(a)において、前記n型半導体層の錐形状部分を、
(a1)前記n型半導体層の表面に、側面がテーパ形状のレジストを形成する工程と、
(a2)前記レジストをマスクとして前記n型半導体層のエッチングを行う工程と
を含む工程により形成する請求項7に記載の半導体発光装置の製造方法。 - 前記工程(b)において、前記半導体発光素子を、前記絶縁層の前記第2の面側には、前記n側電極は配置されない深さに貫通させる請求項7または8に記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記工程(a)において、前記n型半導体層の錐形状部分と前記n側電極とで構成される前記半導体発光素子の錐形状部分の高さが、前記半導体発光素子の平面サイズ以上となるように、前記半導体発光素子を形成する請求項7〜9のいずれか1項に記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記工程(a)において、前記n型半導体層の錐形状部分と前記n側電極とで構成される前記半導体発光素子の錐形状部分の高さが、前記半導体発光素子の平面サイズの1.5倍以上となるように、前記半導体発光素子を形成する請求項10に記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記工程(c)において、前記第1及び第2の通電基材としてITO膜を用いる請求項7〜11のいずれか1項に記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記工程(c)において、前記第1及び第2の通電基材を、液状の導電性材料を固化して形成する請求項9に記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記工程(c)において、前記第1及び第2の通電基材を、PEDOT/PSSで形成する請求項13に記載の半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2017076729A true JP2017076729A (ja) | 2017-04-20 |
JP6591254B2 JP6591254B2 (ja) | 2019-10-16 |
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Country Status (1)
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- 2015-10-16 JP JP2015204175A patent/JP6591254B2/ja active Active
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