JP2008141026A - 電子機器及びその製造方法、並びに、発光ダイオード表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】各種の素子に設けられた接続部と配線とを多数の工数を必要とせずに接続し得る構成を有する電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の電子機器は、第１の配線１２が形成された基体１１、第２の配線２２が形成された可撓性を有するフィルム２１、第１接続部及び第２接続部を備えた複数の素子３１、並びに、接着剤層１３から構成されており、各素子３１は、第１接続部が第１の配線１２と接触し、第２接続部が第２の配線２２と接触し、且つ、フィルム２１に引張り力が加えられた状態で、基体１１とフィルム２１との間に挟まれており、更には、この状態で、基体１１とフィルム２１とは接着剤層１３によって接着されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電子機器及びその製造方法、並びに、発光ダイオード表示装置及びその製造方法に関する。

微小な素子を表示装置用基板に実装することで製造される電子機器が多々あり、その一例として、発光ダイオード表示装置を挙げることができる。発光ダイオード表示装置においては、赤色発光ダイオードが赤色発光副画素（サブピクセル）として機能し、緑色発光ダイオードが緑色発光副画素として機能し、青色発光ダイオードが青色発光副画素として機能し、これらの３種類の副画素の発光状態によってカラー画像を表示する。

発光ダイオード表示装置は、通常、第１の方向に延びる複数の第１の配線、第１の方向とは異なる第２の方向に延びる複数の第２の配線、並びに、第１接続部及び第２接続部を備えた複数の発光ダイオードから構成されている。そして、第１の配線と第２の配線とが重複する領域に発光ダイオードが配置され、各発光ダイオードの第１接続部（一方の電極）が第１の配線と接続され、第２接続部（他方の電極）が第２の配線と接続されている。

通常、多数の発光ダイオードを、化合物半導体基板等の基板（以下、素子製造用基板と呼ぶ場合がある）にアレイ状に作製する。そして、これらの発光ダイオードのそれぞれを、素子製造用基板から表示装置用基板に移動（例えば転写）する。ここで、素子製造用基板に形成された発光ダイオードは、ｎ型の導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、ｐ型の導電型を有する第２化合物半導体層が順次形成されて成る。更には、第２化合物半導体層上にはｐ側電極が形成されており、第１化合物半導体層上にはｎ側電極が形成されている。

例えば、対角４０インチのフルＨＤ（High Definition）高精細フルカラー表示装置においては、画面の水平方向の画素数が１９２０、画面の垂直方向の画素数が１０８０である。従って、この場合、実装する発光ダイオードの個数は、１９２０×１０８０×（１画素を構成するのに要する赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発光ダイオードの３種の発光ダイオードの個数）であり、約６００万個となる。それ故、このような膨大な数の発光ダイオードを公称４０インチの表示装置用基板に実装するための方法として、画面サイズよりも小さなサイズで発光ダイオードをアレイ状に形成し、この発光ダイオード・アレイから発光ダイオードを表示装置用基板に位置をずらしながら順次実装する方法、即ち、ステップ転写法（ステップ実装法）が知られている。

このようなステップ転写法が、例えば、特開２００４−２７３５９６、特開２００４−２８１６３０から周知である。これらの特許公開公報に開示された技術にあっては、粘着層が表面に形成された表示装置用基板を用いる。そして、基本的には、素子製造用基板に形成された複数の発光ダイオードから、所定の発光ダイオードを、素子製造用基板から剥離した状態で転写基板に転写し、次いで、発光ダイオードが部分的に突出した状態となるように発光ダイオードを転写基板から表示装置用基板の粘着層に埋入させた後、発光ダイオードをローラー等で粘着層に深く埋入することで、発光ダイオードを表示装置用基板に実装する（例えば、特開２００４−２７３５９６の段落番号［００４５］〜段落番号［００４８］や、特開２００４−２８１６３０の段落番号［００３８］及び段落番号［００４６］を参照）。

発光ダイオード表示装置を完成させるためには、上述したとおり、発光ダイオードを、所定の間隔、ピッチで表示装置用基板に実装する。そして、その後、全面に第１の絶縁層を形成し、発光ダイオードの一方の電極の上方の第１の絶縁層に第１の開口部を形成し、係る一方の電極と接続された第１の配線を第１の絶縁層の上に形成する。次に、第１の配線を含む第１の絶縁層と保持基板とを、接着剤を介して貼り合わせる。その後、例えばレーザ・アブレーション法に基づき、発光ダイオードを表示装置用基板から剥離し、全面に第２の絶縁層を形成した後、発光ダイオードの他方の電極の上方の第２の絶縁層に第２の開口部を形成し、係る他方の電極と接続された第２の配線を第２の絶縁層の上に形成する。そして、第１の配線、第２の配線を駆動回路と接続することによって、従来の発光ダイオード表示装置を完成させることができる。

特開２００４−２７３５９６ 特開２００４−２８１６３０

ところで、このような発光ダイオード表示装置を製造するためには、上述したように、一方の電極と第１の配線との接続、他方の電極と第２の配線との接続に多数の工数を必要とする。

従って、本発明の目的は、各種の素子に設けられた接続部と配線とを、確実に、しかも、比較的容易に、更には、多数の工数を必要とせずに接続し得る構成、構造を有する電子機器及びその製造方法、並びに、発光ダイオード表示装置及びその製造方法を提供することにある。

上記の目的を達成するための本発明の電子機器は、
（Ａ）第１の配線が形成された基体、
（Ｂ）第２の配線が形成された、可撓性を有するフィルム、
（Ｃ）第１接続部及び第２接続部を備えた複数の素子、並びに、
（Ｄ）接着剤層、
から構成された電子機器であって、
各素子は、第１接続部が第１の配線と接触し、第２接続部が第２の配線と接触し、且つ、フィルムに引張り力が加えられた状態で、基体とフィルムとの間に挟まれており、
更には、この状態で、基体とフィルムとは接着剤層によって接着されていることを特徴とする。

上記の目的を達成するための本発明の発光ダイオード表示装置は、
（Ａ）複数の第１の配線が形成された基体、
（Ｂ）複数の第２の配線が形成された、可撓性を有するフィルム、
（Ｃ）第１接続部及び第２接続部を備えた複数の発光ダイオード、並びに、
（Ｄ）接着剤層、
から構成された発光ダイオード表示装置であって、
各発光ダイオードは、第１接続部が第１の配線と接触し、第２接続部が第２の配線と接触し、且つ、フィルムに引張り力が加えられた状態で、基体とフィルムとの間に挟まれており、
更には、この状態で、基体とフィルムとは接着剤層によって接着されていることを特徴とする。

上記の目的を達成するための本発明の電子機器の製造方法は、
（Ａ’）第１の配線、及び、接着剤層が形成された基体、
（Ｂ’）第２の配線が形成された、可撓性を有するフィルム、並びに、
（Ｃ’）第１接続部及び第２接続部を備えた複数の素子、
を準備し、
（ａ）基体上において、第１接続部が第１の配線と接触した状態となるように各素子を配置した後、
（ｂ）各素子の第２接続部が第２の配線と接触し、且つ、フィルムに引張り力を加えた状態となるように、基体とフィルムとの間に素子を挟み、この状態を維持しつつ、基体とフィルムとを接着剤層によって接着する、
ことを特徴とする。

上記の目的を達成するための本発明の発光ダイオード表示装置の製造方法は、
（Ａ’）複数の第１の配線、及び、接着剤層が形成された基体、
（Ｂ’）複数の第２の配線が形成された、可撓性を有するフィルム、並びに、
（Ｃ’）第１接続部及び第２接続部を備えた複数の発光ダイオード、
を準備し、
（ａ）基体上において、第１接続部が第１の配線と接触した状態となるように各発光ダイオードを配置した後、
（ｂ）各発光ダイオードの第２接続部が第２の配線と接触し、且つ、フィルムに引張り力を加えた状態となるように、基体とフィルムとの間に発光ダイオードを挟み、この状態を維持しつつ、基体とフィルムとを接着剤層によって接着する、
ことを特徴とする。

本発明の電子機器の製造方法あるいは発光ダイオード表示装置の製造方法においては、複数の素子あるいは発光ダイオード（以下、これらを総称して、素子等と呼ぶ場合がある）が形成された素子製造用基板から所定の素子等を中継基板に付着させた後、中継基板に付着した素子等を接着剤層の上に配置し、次いで、各素子等を第１の配線に突き当てることで、第１接続部が第１の配線と接触した状態とする構成とすることができる。

以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の電子機器若しくはその製造方法において、素子として発光ダイオード（ＬＥＤ）を挙げることができる。そして、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の電子機器若しくはその製造方法、又は、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の発光ダイオード表示装置若しくはその製造方法（以下、単に、本発明と総称する場合がある）において、フィルムと対向する基体内面上であって、素子等が配置されていない部分には、ブラックマトリクス層が形成されている構成とすることが好ましく、更には、ブラックマトリクス層と基体内面との間には絶縁膜が形成されている構成とすることが一層好ましい。あるいは又、このような構成を含む本発明において、フィルムと対向する基体内面とは反対側の基体外面上であって、素子等からの光が出射する部分には、凸レンズが配設されている構成とすることが望ましい。尚、基体内面上にブラックマトリクス層を形成する代わりに、基体外面上であって、素子等からの光が出射する部分以外の部分に、ブラックマトリクス層を形成してもよい。

以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明において、フィルムとの貼り合わせ前の第１の配線と基体の厚さの合計（基体の総厚）をｔ₁、フィルムとの貼り合わせ後の第１の配線と基体の厚さの合計をｔ’₁、基体との貼り合わせ前の第２の配線とフィルムの厚さの合計（フィルムの総厚）をｔ₂、基体との貼り合わせ後の第２の配線とフィルムの厚さの合計をｔ’₂、貼り合わせ前の接着剤層の厚さをｔ_Adh、素子の厚さをｔ_Dとしたとき、
ｔ₁＋ｔ₂＋ｔ_Adh≒ｔ’₁＋ｔ’₂＋ｔ_D （１）
を満足する構成とすることができる。但し、ｔ’₁≦ｔ₁，ｔ’₂＜ｔ₂，ｔ_Adh＜ｔ_Dである。更には、ｔ’₁＜ｔ’₂とすることが望ましい。尚、厚さｔ’₁，ｔ’₂は、素子と接する部分あるいは領域の厚さである。

尚、以下の説明において、基体を「実装用基体」と呼び、フィルムを「実装用フィルム」と呼ぶ場合がある。

ここで、
Δｔ＝ｔ_D−ｔ_Adh
とすると、式（１）は、
ｔ₁＋ｔ₂≒ｔ’₁＋ｔ’₂＋Δｔ （１’）
と変形することができる。即ち、実装用フィルムに引張り力が加えられた状態（引張り応力が存在している状態）で、実装用基体と実装用フィルムとが接着剤層によって接着されているときの、第１の配線の厚さを含む実装用基体の厚さｔ’₁と、第２の配線の厚さを含む実装用フィルムの厚さｔ’₂の合計が、第１の配線の厚さを含む元の実装用基体の総層ｔ₁と、第２の配線の厚さを含む元の実装用フィルムの総層ｔ₂の合計よりも、概ねΔｔだけ薄くなるように、貼り合わせ後の実装用基体及び／又は実装用フィルムは変形していることが望ましい。尚、（ｔ₁＋ｔ₂）の値と（ｔ’₁＋ｔ’₂＋Δｔ）の値とは概ね等しいが、より具体的には、
０．９≦（ｔ₁＋ｔ₂／（ｔ’₁＋ｔ’₂＋Δｔ）≦１．１
であることを意味する。

そして、本発明にあっては、例えば、実装用基体をフィルムから構成したとき、実装用フィルムと実装用基体を構成するフィルムの厚さ及び／又は弾性率を異ならせ、ｔ’₁の値及びｔ’₂の値を最適化し、変形の大きな厚い若しくは弾性率の低いフィルム側の配線の幅を素子等の大きさよりも広くすることで、係る配線に光取出し機能を付与する構成（例えば、光取出しミラーを兼用する構成）とすることが好ましい。一方、変形の小さな薄い若しくは弾性率の高いフィルム側の配線の幅を素子等の大きさよりも狭くすることで、係るフィルム側から光を出射させることが好ましい。

各素子等の第２接続部が第２の配線と接触し、且つ、実装用フィルムに引張り力を加えた状態となるように、実装用基体と実装用フィルムとの間に素子等を挟むとき、気泡の発生、混入を防止するために、例えば、真空雰囲気にて実装用基体と実装用フィルムとの間に素子等を挟み、あるいは又、ドライラミネータを用いて実装用基体と実装用フィルムとの間に素子等を挟むことが望ましい。また、基体とフィルムとを接着剤層によって接着する方法として、例えば、加熱手段を備えた積層プレス装置を用いる方法、加熱手段を備えた積層ローラー装置を用いる方法を挙げることができる。

本発明の電子機器若しくはその製造方法において、素子として、発光ダイオード（ＬＥＤ）以外にも、半導体レーザ、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子等の発光素子；フォトダイオード、ＣＣＤセンサ、ＭＯＳセンサ等の受光素子；ＩＣチップ、ＬＳＩチップ等の電子素子を例示することができる。あるいは又、素子として、半導体素子［発光素子、受光素子、電子走行素子等］のほか、圧電素子、焦電素子、光学素子［非線形光学結晶を用いる第２次高調波発生素子等］、誘電体素子［強誘電体素子を含む］、超伝導素子等を挙げることもできる。更には、素子として、例えば、光エンコーダ等の各種のＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）に用いる微小な部品又は要素を挙げることもできる。

素子等の大きさ（例えばチップサイズ）も特に制限されないが、素子等は、典型的には微小なものであり、具体的には、例えば１ｍｍ以下、あるいは、例えば０．３ｍｍ以下、あるいは、例えば０．１ｍｍ以下の大きさのものである。電子機器（あるいは発光ダイオード表示装置）を構成する素子等は複数であり、電子機器の用途や機能、電子機器や発光ダイオード表示装置に要求される仕様等に応じて、素子等の数、種類、実装（配置）、間隔等が決められる。

本発明において、実装用フィルムとして、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）フィルム、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、ポリイミド（ＰＩ）フィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを例示することができる。また、実装用基体として、上記の各種フィルムの他、ガラス基板、ガラス基板に上記の各種フィルムが貼り合わされたもの、ガラス基板上にポリイミド樹脂層、アクリル樹脂層、ポリスチレン樹脂層、シリコーンゴム層が形成されたものを例示することができる。また、ガラス基板を金属基板やプラスチック基板に置き換えてもよい。

本発明の発光ダイオード表示装置あるいはその製造方法において、複数の第１の配線のそれぞれは、全体として、帯状であり、第１の方向に延びており、複数の第２の配線のそれぞれは、全体として、帯状であり、第１の方向とは異なる第２の方向（例えば、第１の方向と直交する方向）に延びている。尚、全体として帯状である配線は、帯状に延びる幹配線、及び、幹配線から延びる複数の枝配線から構成されていてもよい。

一方、本発明の電子機器あるいはその製造方法において、第１の配線は、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として第１の方向に延びており、第２の配線も、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として、第１の方向とは異なる第２の方向（例えば、第１の方向と直交する方向）に延びている構成とすることができる。あるいは又、第１の配線は、共通の配線（コモン電極）から成り、第２の配線は、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として一方向に延びている構成とすることができる。あるいは又、第１の配線は、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として一方向に延びており、第２の配線は、共通の配線（コモン電極）から成る構成とすることができる。あるいは又、第１の配線は、共通の配線（コモン電極）から成り、第２の配線も、共通の配線（コモン電極）から成る構成とすることができる。尚、配線は、例えば、幹配線、及び、幹配線から延びる複数の枝配線から構成されていてもよい。

第１の配線、第２の配線を構成する材料として、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）等の金属、あるいは、これらの金属元素を含む合金、これらの金属から成る導電性粒子、これらの金属を含む合金の導電性粒子を挙げることができるし、これらの元素を含む層の積層構造とすることもできる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］といった有機材料（導電性高分子）を挙げることもできる。第１の配線、第２の配線の形成方法として、これらを構成する材料にも依るが、物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；ＭＯＣＶＤ法を含む各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）；スピンコート法；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法といった各種印刷法；エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法、浸漬法といった各種コーティング法；スタンプ法；リフト・オフ法；シャドウマスク法；電解メッキ法や無電解メッキ法あるいはこれらの組合せといったメッキ法；及び、スプレー法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができる。尚、ＰＶＤ法として、（ａ）電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着等の各種真空蒸着法、（ｂ）プラズマ蒸着法、（ｃ）２極スパッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、バイアススパッタリング法等の各種スパッタリング法、（ｄ）ＤＣ（direct current）法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法を挙げることができる。第１の配線を構成する材料と、第２の配線を構成する材料は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。

尚、本発明において、実装用フィルムが可撓性を有するとは、実装用フィルムに引張り力が加えられた状態（引張り応力が存在している状態）で、実装用基体と実装用フィルムとの間に素子等が挟まれている状態となり得る程度に、実装用フィルムが柔らかいことを意味する。また、接着剤層は、場合によっては、実装用フィルム側に設けられていてもよいし、実装用フィルム側及び実装用基体側の両方に設けられていてもよい。

絶縁膜を構成する材料として、酸化ケイ素系材料、窒化ケイ素（ＳｉＮ_Y）、金属酸化物高誘電絶縁膜にて例示される無機系絶縁材料だけでなく、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）やポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）にて例示される有機系絶縁材料を挙げることができるし、これらの組み合わせを用いることもできる。尚、酸化ケイ素系材料として、酸化シリコン（ＳｉＯ_X）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低誘電率ＳｉＯ_X系材料（例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機ＳＯＧ）を例示することができる。絶縁膜の形成方法として、上述の各種ＰＶＤ法；各種ＣＶＤ法；スピンコート法；上述した各種印刷法；上述した各種コーティング法；浸漬法；キャスティング法；及び、スプレー法の内のいずれかを挙げることができる。

ブラックマトリクス層を構成する材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金）、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、耐熱性有機樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を含有するガラスペースト等の材料を挙げることができる。ブラックマトリクス層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せ、各種印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。また、凸レンズを構成する材料として、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーンゴムを挙げることができるし、凸レンズの形成方法（配設方法）として、リフロー法、ポッティング法、インプリント法、フォトリソグラフィ法、エッチング法、印刷法を挙げることができる。

素子等の実装用基体への具体的な配置方法、素子等の接着剤層の上への具体的な配置方法に関しては、後述する。尚、電子機器における複数の素子の実装用基体への配置、接着剤層の上への配置は、規則的であってもよいし、不規則であってもよい。一方、発光ダイオード表示装置における複数の発光ダイオードの実装用基体への配置、接着剤層の上への配置は、規則的である。

以上に説明した好ましい構成を含む本発明において、接着剤層は、光（特に紫外線等）、放射線（Ｘ線等）、電子線等といったエネルギー線の照射によって接着機能を発揮する材料、熱や圧力等を加えることによって接着機能を発揮する材料等、何らかの方法に基づき接着機能を発揮する材料である限り、基本的にはどのような材料から構成されていてもよい。ここで、容易に形成することができ、しかも、接着機能を発揮する材料として、樹脂系の接着剤層、特に、感光性接着剤、熱硬化性接着剤、又は、熱可塑性接着剤を挙げることができる。感光性接着剤としては従来公知のものを用いることができ、具体的には、例えば、ポリケイ皮酸ビニルやポリビニルアジドベンザル等の光架橋反応により露光部が難溶性となり、あるいは、アクリルアミド等の光重合反応により露光部が難溶性となるネガ型のもの、ｏ−キノンジアジドノボラック樹脂のようなキノンジアジド基が光分解によりカルボン酸を生じて易溶性となるポジ型のものなどを用いることができる。また、熱硬化性接着剤として従来公知のものを用いることができ、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることができる。更には、熱可塑性接着剤として従来公知のものを用いることができ、具体的には、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリアミド樹脂等を用いることができる。例えば、感光性接着剤を用いる場合、接着剤層に光や紫外線を照射することによって、接着剤層に接着機能を発揮させることができる。また、熱硬化性接着剤を用いる場合、ホットプレートやオーブン、熱プレス装置、熱ローラー等により加熱することによって、接着剤層に接着機能を発揮させることができる。更には、熱可塑性接着剤を用いる場合、光の照射等により接着剤層の一部分を選択的に加熱することによって係る一部分を溶融し、流動性を持たせた後、冷却することで、接着剤層に接着機能を発揮させることができる。接着剤層として、その他、例えば、感圧性接着剤層（例えば、アクリル系樹脂等から成る）等や、形成しただけで接着機能を有するものを挙げることもできる。

電子機器として、例えば、発光ダイオード表示装置、発光ダイオードを用いたバックライト、発光ダイオード照明装置、ＥＬ表示装置を挙げることができる。電子機器は、基本的にはどのようなものであってもよく、携帯型のものと据え置き型のものとの双方を含み、具体例を挙げると、携帯電話、モバイル機器、ロボット、パーソナルコンピュータ、車載機器、各種家庭電気製品等である。赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード及び青色発光ダイオードとして、例えば、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いたものを用いることができ、赤色発光ダイオードとして、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体を用いたものを用いることもできる。

ＧａＩｎＮ系の発光ダイオードを製造するための素子製造用基板として、現在のところ、公称２インチを超える大口径の基板の製造は困難であるし、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオードを製造するための素子製造用基板として、現在のところ、公称３インチを超える大口径の基板の製造は困難である。従って、例えば、公称口径２インチのサファイア基板を素子製造用基板として用いて、青色発光ダイオード、緑色発光ダイオードを製造し、公称口径３インチのＧａＡｓ基板を素子製造用基板として用いて、赤色発光ダイオードを製造している。そして、例えば、対角２６インチの発光ダイオード表示装置を製造する場合、６５０ｍｍ×５５０ｍｍの大きさの表示装置用基板に、青色発光ダイオード、緑色発光ダイオード及び赤色発光ダイオードを実装する必要がある。

ところで、このような発光ダイオード表示装置を製造するためには、前述したステップ転写法を用いる場合、例えば、２４×１０×（３種類の発光ダイオード）＝７２０回も、発光ダイオードを素子製造用基板から実装用基体に移動（例えば転写）させる必要がある。尚、１回の移動（転写）において、複数の発光ダイオードの移動（転写）を行う。移動回数の詳細については、後に説明する。従って、高精度で、しかも、スループットの高い実装装置が必要となり、発光ダイオード表示装置の製造コストの増加を招くだけでなく、発光ダイオード表示装置の生産それ自体を困難なものとしている。

このような問題を解決するためには、例えば、
（１）後の工程で分離することによって素子等を得るための素子中間物が素子製造用基板上に形成されて成る素子中間物構造体を、複数、準備し、次いで、
（２）複数の素子中間物構造体における素子中間物を仮固定用基板に仮固定した後、
（３）複数の素子中間物構造体を構成する素子製造用基板を素子中間物から除去し、その後、
（４）仮固定用基板に仮固定された素子中間物を分離することで複数の素子等を得た後、
（５）仮固定用基板に仮固定された複数の素子等を、実装用基体上に配置する、
といった工程を採用すればよい。

尚、前記工程（５）は、
（５−１）仮固定用基板に仮固定された複数の所定の素子等を、中継基板に仮止めした後、
（５−２）中継基板に仮止めされた素子等を、実装用基体上に配置する、
工程から成る態様とすることができる。

仮固定用基板に仮固定された複数の所定の素子等を中継基板に仮止めする方法として、例えば、中継基板に微粘着層を形成しておき、素子等をこの微粘着層に付着させる方法を挙げることができる。中継基板に仮止めされた素子等を実装用基体上に配置し、あるいは、接着剤層の上に配置する（移動あるいは転写する）具体的な方法については、後述する。

そして、この場合、工程（５−２）において、より具体的には、中継基板に仮止めされた素子等を接着剤層の上に配置（移動あるいは転写）した後、素子等を第１の配線に突き当てる構成とすることが好ましい。

素子中間物の形態、構成、構造として、素子等に依存するが、例えば、薄膜状を例示することができる。また、素子製造用基板は、素子等を製造するのに適した基板とすればよく、素子が、例えば青色発光ダイオードや緑色発光ダイオードの場合、素子製造用基板としてサファイア基板を挙げることができるし、例えば赤色発光ダイオードの場合、素子製造用基板としてＧａＡｓ基板を挙げることができる。即ち、素子中間物は、前者の素子製造用基板を用いる場合、ＧａＩｎＮ系化合物半導体層の積層体であり、後者の素子製造用基板を用いる場合、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層の積層体である。素子中間物を製造する方法は、素子等に依存して決定すればよい。素子製造用基板からの最終的な素子等の取り数や、素子中間物構造体の数は、電子機器や発光ダイオード表示装置を構成する素子等の数から、適宜、決定すればよい。

仮固定用基板や後述する支持基板を構成する材料として、ガラス板、金属板、合金板、セラミックス板、プラスチック板を挙げることができる。複数の仮固定用基板を支持基板に固定する方法、素子中間物構造体における素子中間物の仮固定用基板への仮固定方法として、接着剤を用いる方法、金属接合法、半導体接合法、金属・半導体接合法を例示することができる。素子製造用基板を素子中間物から除去する方法として、レーザ・アブレーション法や加熱法、エッチング法を挙げることができるし、複数の素子中間物を分離する方法として、ウエットエッチング法若しくはドライエッチング法、レーザ照射法、ダイシング法を例示することができる。

本発明の電子機器あるいは発光ダイオード表示装置において、各素子等は、第１接続部が第１の配線と接触し、第２接続部が第２の配線と接触し、且つ、フィルムに引張り力が加えられた状態で、基体とフィルムとの間に挟まれており、更には、この状態で、基体とフィルムとは接着剤層によって接着されている。また、本発明の電子機器の製造方法あるいは発光ダイオード表示装置の製造方法においては、各素子等の第２接続部が第２の配線と接触し、且つ、フィルムに引張り力を加えた状態となるように、基体とフィルムとの間に素子等を挟み、この状態を維持しつつ、基体とフィルムとを接着剤層によって接着する。従って、従来の技術のように、素子等を表示装置用基板に実装した後で配線を形成する必要が無くなり、素子等を表示装置用基板に実装した後の配線の形成といった多数の工数が必要とされず、素子等に設けられた接続部を、確実に、しかも、比較的容易に、しかも、高い信頼性をもって配線と接続することができる。

また、本発明の電子機器の製造方法あるいは発光ダイオード表示装置の製造方法の好ましい形態にあっては、素子中間物を仮固定用基板に仮固定し、素子製造用基板を素子中間物から除去した後に、仮固定用基板に仮固定された複数の素子中間物を分離して、素子等を得る。従って、素子等を得た後の状態は、素子製造用基板の何倍もの大きさ（素子製造用基板の枚数分を含む大きさ）を有する仮固定用基板を、恰も、素子製造用基板とみなして、素子等を製造したと等価の状態である。その結果、素子製造用基板から素子等を移動（例えば転写）させる必要がないし、仮固定用基板から実装用基体に素子等を移動（例えば転写）する回数を減じることができるし、素子中間物を分離して素子等を得るとき、分離した後に並べるよりも、高い位置精度を達成することができる。従って、高精度で、しかも、スループットの高い実装装置を必要とせずに、仮固定用基板から実装用基体に素子等を移動（例えば転写）することができる結果、素子等の製造コストの増加を招くことがないし、多数の素子等が実装された装置や発光ダイオード表示装置の生産それ自体を容易なものとすることができる。

また、仮固定用基板に仮固定された複数の素子中間物を分離して素子等を得るので、仮固定用基板に残された分離後の素子等の位置精度は、素子中間物を分離する加工精度に依存し、素子中間物を仮固定用基板に仮固定するときの位置精度に依存しない。従って、高精度で、しかも、スループットの高い実装装置を必要とせずに、素子製造用基板から素子中間物を仮固定用基板に移動することができる。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。

実施例１は、本発明の電子機器及びその製造方法、並びに、発光ダイオード表示装置及びその製造方法に関する。実施例１においては、素子を発光ダイオードとする。それ故、以下の説明においては、「素子」という用語の代わりに『発光ダイオード』という用語を用いる場合がある。従って、以下の説明において、「発光ダイオード」という用語を用いる場合、原則として、『素子』という概念が包含される。

実施例１の電子機器あるいは発光ダイオード表示装置の模式的な一部断面図を図１の（Ａ）に示し、第１の配線及び第２の配線のレイアウトを図１の（Ｂ）に示し、実装用フィルムの模式的な一部断面図を図２の（Ａ）に示し、実装用基体の模式的な一部断面図を図２の（Ｂ）に示し、素子（発光ダイオード）３１の模式的な断面図を図３の（Ａ）に示し、実装用フィルムと実装用基体を貼り合わせた状態を上から眺めた模式図を図３の（Ｂ）に示す。実施例１にあっては、対角１３インチの発光ダイオード表示装置を製造する。それ故、３００ｍｍ×２００ｍｍの領域に、１９２０×１０８０×（３種類の発光ダイオードの個数）の数の発光ダイオードを実装する。

実施例１の電子機器は、
（Ａ）第１の配線１２が形成された実装用基体１１、
（Ｂ）第２の配線２２が形成された、可撓性を有する実装用フィルム２１、
（Ｃ）第１接続部３５及び第２接続部３６を備えた複数の素子３１、並びに、
（Ｄ）接着剤層１３’、
から構成されている。

あるいは又、実施例１の発光ダイオード表示装置は、
（Ａ）複数の第１の配線１２が形成された実装用基体１１、
（Ｂ）複数の第２の配線２２が形成された、可撓性を有する実装用フィルム２１、
（Ｃ）第１接続部３５及び第２接続部３６を備えた複数の発光ダイオード３１、並びに、
（Ｄ）接着剤層１３’、
から構成されている。

そして、各素子（発光ダイオード）３１は、第１接続部３５が第１の配線１２と接触し、第２接続部３６が第２の配線２２と接触し、且つ、実装用フィルム２１に引張り力が加えられた状態（引張り応力が存在している状態）で、実装用基体１１と実装用フィルム２１との間に挟まれており、更には、この状態で、実装用基体１１と実装用フィルム２１とは接着剤層１３’によって接着されている。尚、未硬化の接着剤層を参照番号１３で表し、硬化した後の接着剤層を参照番号１３’で表す。

実施例１の電子機器にあっては、第１の配線１２は、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として、帯状であり、第１の方向に延びており、第２の配線２２も、複数の配線から構成され、これらの複数の配線のそれぞれは、全体として、帯状であり、第１の方向とは異なる第２の方向に延びている。尚、第１の配線１２は、帯状に延びる幹配線１２Ａ、及び、幹配線１２Ａから延びる複数の枝配線１２Ｂから構成されている。

図２の（Ｂ）に模式的な一部断面図を示すように、実装用基体１１は、幅３００ｍｍ、公称厚さ１０μｍ、弾性率２×１０⁹Ｐａ（２ＧＰａ）のＰＥＳフィルムから成る。そして、実装用フィルム２１と対向する実装用基体１１の内面１１Ａ上であって、発光ダイオード３１が配置されていない部分（３００ｍｍ×２００ｍｍの矩形の領域）には、カーボンから成るブラックマトリクス層１４がスクリーン印刷法に基づき形成されており、ブラックマトリクス層１４と実装用基体１１の内面１１Ａとの間の３００ｍｍ×２００ｍｍの矩形の領域には、厚さ１μｍの絶縁膜１５が形成されている。尚、１つの発光ダイオード３１を配置するための、ブラックマトリクス層１４が形成されていない実装用基体１１の内面１１Ａの部分の外形形状を、直径３０μｍの円形とした。更には、絶縁膜１５の上には、帯状に延びる幹配線１２Ａ、及び、幹配線１２Ａから延びる複数の枝配線１２Ｂから構成され、厚さ０．５μｍのアルミニウムから成り、真空蒸着法にて形成された第１の配線１２が設けられている。尚、幹配線１２Ａの本数は１０８０本であり、幹配線１２Ａの幅は１００μｍ、ピッチは１５０μｍであり、１本の幹配線１２Ａから、幅２μｍ、ピッチ５０μｍ、１９２０×３本の枝配線１２Ｂが延びている。また、絶縁膜１５及び第１の配線１２の上には、熱硬化性接着剤から成り、厚さ（ｔ_Adh）２μｍの接着剤層１３が、スピンコーティング法にて形成されている。尚、接着剤層１３はどのような方法によって形成してもよく、塗布法（スピンコーティング法等）以外にも、例えば、印刷法（コンタクトプリント法、インプリント法、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷等）に基づき形成することができる。更には、実装用フィルム２１と対向する実装用基体１１の内面１１Ａとは反対側の実装用基体１１の外面１１Ｂの上であって、発光ダイオード３１からの光が出射する部分には、正面輝度を約２倍程度に高めるために、アクリル樹脂から成り、リフロー法に基づき形成された凸レンズ１６が配設されている。

一方、図２の（Ａ）に模式的な一部断面図を示すように、実装用フィルム２１は、幅３００ｍｍ、公称厚さ１００μｍ、弾性率２×１０⁹Ｐａ（２ＧＰａ）のＰＥＳフィルムから成る。そして、実装用基体１１と対向する実装用フィルム２１の内面２１Ａ上には、アルミニウムから成り、真空蒸着法にて形成された第２の配線２２が設けられている。尚、第２の配線２２の本数は１９２０×３本であり、幅は４０μｍ、ピッチは５０μｍ、厚さ０．５μｍである。第２の配線２２は、光取出しミラーを兼用している。

発光ダイオード３１の模式的な断面図を図３の（Ａ）に示す。この発光ダイオード３１は、ｎ型化合物半導体から成る第１化合物半導体層３２、活性層３３、ｐ型化合物半導体から成る第２化合物半導体層３４が、順次、積層されて成る。第１化合物半導体層３２、活性層３３、及び、第２化合物半導体層３４は全体として例えば円形の平面形状を有しており、発光ダイオード３１は全体として切頭円錐形である。第２化合物半導体層３４の上には、例えば円形の第１接続部（ｐ側電極）３５が形成されている。一方、第１化合物半導体層３２の上には、例えば円形の第２接続部（ｎ側電極）３６が形成されている。第１化合物半導体層３２、活性層３３、及び、第２化合物半導体層３４を構成する化合物半導体は、具体的には、例えば、ＧａＩｎＮ系化合物半導体やＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体である。

発光ダイオード３１が例えばＧａＮ系発光ダイオードである場合、各部の寸法、材料等の具体例を挙げると、以下のとおりである。即ち、第１化合物半導体層３２は、厚さ２．６μｍのｎ型ＧａＮ層から成り、活性層３３は、厚さが例えば０．２μｍであり、ＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮ障壁層とから成る多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。また、第２化合物半導体層３４は、厚さ０．２μｍのｐ型ＧａＮ層から成る。活性層３３を構成するＩｎＧａＮ井戸層のＩｎ組成は、ＧａＮ系発光ダイオードが青色発光ダイオードである場合には、例えば０．１７、緑色発光ダイオードである場合は、例えば０．２５である。また、発光ダイオード３１の最大径、即ち、第２化合物半導体層３４の下面の直径は２０μｍであり、発光ダイオード３１の全体の厚さ（ｔ_D）は５μｍである。ｐ側電極３５は、例えばＡｇ／Ｐｔ／Ａｕ構造の金属多層膜から成る。ｐ側電極３５をＡｇの単層膜としてもよい。ｎ側電極３６は、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ構造の金属積層膜から成る。この発光ダイオード３１において、動作時に活性層３３から発生する光は、端面３７から出た光は、第２の配線２２で反射され、実装用基体１１、凸レンズ１６を介して外部に取り出される。

発光ダイオード３１の面積をＳ_D、面積Ｓ_Dを有する発光ダイオード３１単体での実効弾性率をＥ’_D、貼り合わせ時に加圧されているときの面積Ｓ_Dの実装用基体１１の実効弾性率をＥ’₁、貼り合わせ時に圧力Ｐ₂で加圧されているときの面積Ｓ_Dの実装用フィルム２１の実効弾性率をＥ’₂、接着剤層１３’の弾性率をＥ_Adh、貼り合わせ時に発光ダイオード３１に加わる圧力をＰ₁とする。そして、
Ｅ’_D≫Ｅ’₁
Ｅ’₁＝Ｅ’₂
Ｅ_Adh≫Ｐ₂
Ｅ’₁≫Ｐ₂
Ｅ’₂≫Ｐ₂
としたとき、貼り合わせ時に発光ダイオード３１に加わる圧力Ｐ₁は、以下の式（２）のとおりとなる。
Ｐ₁＝Ｅ’₁×（ｔ_D−ｔ_Adh）／（ｔ₁＋ｔ₂）＋Ｐ₂ （２）
ここで、
Ｅ’₁ ＝５×１０⁹Ｐａ（５ＧＰａ）
ｔ_D−ｔ_Adh＝３μｍ
ｔ₁＋ｔ₂ ＝１１０μｍ
Ｐ₂ ＝１×１０⁶Ｐａ（１ＭＰａ，約１０ｋｇｆ／ｃｍ²）
としたとき、
Ｐ₁ ＝１．４×１０⁸Ｐａ
となる。

ここで、応力をＴ、歪みをεとしたとき、ヤング率Ｅは、
Ｅ＝Ｔ／ε
で表すことができる。例えば、同じ実効弾性率Ｅ’₁＝Ｅ’₂を有するフィルムが発光ダイオード３１を挟んだ状態で変形することによって生じる応力は、厚さ（ｔ₁＋ｔ₂）、即ち、これらのフィルムが一体となったフィルムが変形して生じる応力と同じである。従って、フィルム変形による歪みの合計εは、変形量（ｔ_D−ｔ_Adh）を元の合計厚さ（ｔ₁＋ｔ₂）で除した値、（ｔ_D−ｔ_Adh）／（ｔ₁＋ｔ₂）となる。一方、上式のＥは、フィルムの実行弾性率Ｅ’₁で置き換えることができる。従って、同じ実効弾性率Ｅ’₁＝Ｅ’₂を有するフィルムが上記εだけ歪みを生じたことによる応力Ｔは、
Ｅ’₁×（ｔ_D−ｔ_Adh）／（ｔ₁＋ｔ₂）
と表現され、発光ダイオード３１に圧力Ｐ₁は、（Ｔ＋Ｐ₂）で表されるので、上記式（２）が得られる。尚、配線１２，２２が存在していても、厚さの非常に薄い配線１２，２２は容易に塑性変形するので、弾性変形に対しては有意な影響を与えないと考えられる。

即ち、各発光ダイオード３１において、第１接続部３５が第１の配線１２と確実に接触し、第２接続部３６が第２の配線２２と確実に接触するための重要なファクターである貼り合わせ時に発光ダイオード３１に加えられる圧力Ｐ₁は、実装用基体１１の実効弾性率Ｅ’₁、実装用フィルム２１の実効弾性率Ｅ’₂、実装用基体１１の総厚ｔ₁、実装用フィルム２１の総厚ｔ₂、接着剤層の厚さｔ_Adh、発光ダイオード３１の厚さｔ_Dに依存し、貼り合わせ時に実装用フィルム２１に加えられる圧力Ｐ₂の値及びそのバラツキには影響されない。従って、大面積でも、均一な荷重を素子（発光ダイオード３１）の全体に加えることができる結果、配線と接続部との間の安定した通電を得ることができる。

以下、実施例１の電子機器の製造方法、発光ダイオード表示装置の製造方法を、素子等の模式的な一部端面図である図４の（Ａ）〜（Ｃ）、図５の（Ａ）〜（Ｂ）、図６の（Ａ）〜（Ｂ）、図７の（Ａ）〜（Ｂ）、図８を参照して説明する。尚、図７の（Ｂ）、図８における実装用基体１１の図示にあっては、実装用基体１１及び接着剤層１３，１３’のみを示し、第１の配線１２、ブラックマトリクス層１４、絶縁膜１５、凸レンズ１６の図示は省略した。

ここで、シリコーンゴムから成る微粘着層６１が形成された中継基板６０を準備する（図５の（Ｂ）参照）。尚、ブラックマトリクス層１４をアライメントマークとして用いる。

［工程−１００］
先ず、周知の方法で、後の工程で分離することによって発光ダイオード３１を得るための素子中間物４２が素子製造用基板４１上に形成されて成る素子中間物構造体４０を、準備する（製造する）（図４の（Ａ）参照）。具体的には、例えば、公称口径２インチのサファイア基板から成る基板（素子製造用基板４１）の上に、ＭＯＣＶＤ法に基づき、ｎ型の導電型を有する第１化合物半導体層３２、活性層３３、ｐ型の導電型を有する第２化合物半導体層３４を順次形成し、第２化合物半導体層３４上に、更に、真空蒸着法にて第１接続部（ｐ側電極３５）を形成する。こうして、第１化合物半導体層３２、活性層３３、第２化合物半導体層３４、ｐ側電極３５の積層構造から構成された素子中間物４２が素子製造用基板４１上に形成されて成る素子中間物構造体４０を得ることができる。尚、図面においては、素子中間物４２を１層で表している。

［工程−１１０］
次に、１枚の素子中間物構造体４０における素子中間物４２を、仮固定用基板５０に仮固定する。具体的には、表面に未硬化の接着剤から成る接着層５１が形成されたガラス基板から成る仮固定用基板５０を準備する。そして、素子中間物構造体４０における素子中間物４２（より具体的には、ｐ側電極３５）と接着層５１とを貼り合わせ、接着層５１を硬化させることで、仮固定用基板５０に仮固定する（図４の（Ｂ）参照）。

［工程−１２０］
その後、複数の素子中間物構造体４０を構成する素子製造用基板４１を素子中間物４２から除去する（図４の（Ｃ）参照）。具体的には、素子中間物４２（より具体的には、第１化合物半導体層３２）と素子製造用基板４１との界面に、素子製造用基板４１を介してエキシマレーザを照射することで、レーザ・アブレーションが生じる結果、素子製造用基板４１を素子中間物４２から剥離することができる。

［工程−１３０］
次いで、仮固定用基板５０に仮固定された素子中間物４２を分離することで、複数の発光ダイオード３１を得る（図５の（Ａ）参照）。具体的には、第２接続部（ｎ側電極３６）を第１化合物半導体層３２上に形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、素子中間物４２をエッチングすることで、複数の発光ダイオード３１を得ることができる。発光ダイオード３１を拡大した模式的な一部断面図を、図５の（Ｃ）に示す。発光ダイオード３１は、アレイ状（２次元マトリクス状）に仮固定用基板５０上に残される。発光ダイオード３１の平面形状を、直径２０μｍの円形とした。

尚、仮固定用基板５０を構成する材料として、ガラス基板の他、金属板、合金板、セラミックス板、プラスチック板を挙げることができる。素子中間物構造体４０における素子中間物４２の仮固定用基板５０への仮固定方法として、接着剤を用いる方法の他、金属接合法、半導体接合法、金属・半導体接合法を挙げることができる。また、素子製造用基板４１を素子中間物４２から除去する方法として、レーザ・アブレーション法の他、加熱法、エッチング法を挙げることができるし、複数の素子中間物４２を分離する方法として、ウエットエッチング法若しくはドライエッチング法、レーザ照射法、ダイシング法を例示することができる。

その後、仮固定用基板５０に仮固定された各発光ダイオード３１を、以下の方法に基づき、実装用基体１１の上において、第１接続部３５が第１の配線１２と接触した状態となるように配置する。具体的には、複数の発光ダイオード３１が形成された素子製造用基板４１から所定の発光ダイオード３１を中継基板６０に付着させた後、中継基板６０に付着した発光ダイオード３１を接着剤層１３の上に配置し、次いで、各発光ダイオード３１を実装用基体１１上に配置して、第１接続部３５が第１の配線１２と接触した状態とする。

［工程−１４０］
より具体的には、この［工程−１４０］にあっては、先ず、発光ダイオード３１がアレイ状（２次元マトリクス状）に残された仮固定用基板５０上の発光ダイオード３１に、微粘着層６１を押し当てる（図５の（Ｂ）及び図６の（Ａ）参照）。中継基板６０を構成する材料として、ガラス板、金属板、合金板、セラミックス板、半導体基板、プラスチック板を挙げることができる。また、中継基板６０は、図示しない位置決め装置に保持されている。位置決め装置の作動によって、中継基板６０と仮固定用基板５０との位置関係を調整することができる。次いで、実装すべき発光ダイオード３１に対して、仮固定用基板５０の裏面側から、例えば、エキシマレーザを照射する（図６の（Ｂ）参照）。これによって、レーザ・アブレーションが生じ、エキシマレーザが照射された発光ダイオード３１は、仮固定用基板５０から剥離する。その後、中継基板６０と発光ダイオード３１との接触を解くと、仮固定用基板５０から剥離した発光ダイオード３１は、微粘着層６１に付着した状態となる（図７の（Ａ）参照）。

次いで、発光ダイオード３１を接着剤層１３の上に配置（移動あるいは転写）する（図７の（Ｂ）及び図８参照）。具体的には、ブラックマトリクス層１４をアライメントマークとして用いて、発光ダイオード３１を中継基板６０から実装用基体１１の接着剤層１３の上に配置する。発光ダイオード３１は微粘着層６１に弱く付着しているだけなので、発光ダイオード３１を接着剤層１３と接触させた（押し付けた）状態で中継基板６０を実装用基体１１から離れる方向に移動させると、発光ダイオード３１は接着剤層１３の上に残される。

このような中継基板６０を用いた方式を、便宜上、ステップ転写法と呼ぶ。そして、このようなステップ転写法を所望の回数、繰り返すことで、所望の個数の発光ダイオード３１が、微粘着層６１に２次元マトリクス状に付着し、実装用基体１１上に転写される。具体的には、実施例１にあっては、１回のステップ転写において、１６０×１２０個の発光ダイオード３１を、微粘着層６１に２次元マトリクス状に付着させ、実装用基体１１上に転写する。従って、（１９２０×１０８０）／（１６０×１２０）＝１０８回のステップ転写法を繰り返すことで、１９２０×１０８０個の発光ダイオード３１を、実装用基体１１上に転写することができる。そして、以上の［工程−１００］〜［工程−１４０］を合計３回、繰り返すことで、所定の数の赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発光ダイオードを、所定の間隔、ピッチで実装用基体１１に実装することができる。

［工程−１５０］
次に、各発光ダイオード３１の第２接続部であるｎ側電極３６が第２の配線２２と接触し、且つ、実装用フィルム２１に引張り力を加えた状態（引張り応力が存在している状態）となるように、実装用基体１１と実装用フィルム２１との間に発光ダイオード３１を挟み、この状態を維持しつつ、実装用基体１１と実装用フィルム２１とを接着剤層１３によって接着する。具体的には、発光ダイオード３１の第２接続部（ｎ側電極３６）が、実装用フィルム２１に設けられた第２の配線２２と接するように、真空雰囲気中で、実装用基体１１を実装用フィルム２１で覆う。そして、こうして得られた積層体を、積層プレス装置に搬入し、約１×１０⁶Ｐａ（約１０ｋｇｆ／ｃｍ²）に圧力を加えた状態で、１５０゜Ｃにて１時間、加熱し、接着剤層１３を硬化させる。こうして、実装用フィルム２１に引張り力が加えられた状態（引張り応力が加わった状態）で、実装用基体１１と実装用フィルム２１とが接着剤層１３’によって接着される。実装用フィルム２１と実装用基体１１を貼り合わせた状態を上から眺めた模式図を図３の（Ｂ）に示す。その後、実装用基体１１及び実装用フィルム２１を所定の寸法に切断し、第１の配線１２、第２の配線２２を駆動回路と適切な方法に基づき接続することによって、発光ダイオード表示装置あるいは電子機器を完成させることができる。

尚、仮固定用基板５０上に残された発光ダイオード３１は、次の実装用基体１１への発光ダイオード３１の実装に用いればよい。

実施例１にあっては、従来の技術のように、素子や発光ダイオードを表示装置用基板に実装した後で配線を形成する必要が無くなり、素子や発光ダイオードを表示装置用基板に実装した後の配線の形成といった多数の工数が必要とされず、素子や発光ダイオードに設けられた接続部を、確実に、しかも、比較的容易に、しかも、高い信頼性をもって配線と接続することができる。

しかも、実装用基体１１に微小な発光ダイオード３１を実装するとき、発光ダイオード３１が不所望の位置にずれたり、傾いてしまうといった現象が生じることがなく、容易に、しかも、確実に、高い位置精度で実装することが可能となる。従って、実装装置の実装位置精度が低くて済み、プロセスコストの低減による多数の発光ダイオード３１が配列された発光ダイオード表示装置の製造コストの低減や、実装装置のコストの低減を図ることができる。

実施例２は、実施例１の変形である。実施例２においては、実施例１よりも、ステップ転写の回数を劇的に減少させることができる。実施例２にあっては、対角２６インチの発光ダイオード表示装置を製造する。それ故、６５０ｍｍ×５５０ｍｍの大きさの実装用基体に、１９２０×１０８０×（３種類の発光ダイオードの個数）の数の発光ダイオードを実装する。以下、実施例２の電子機器の製造方法、発光ダイオード表示装置の製造方法を、素子等の模式的な一部端面図である図４の（Ａ）〜（Ｃ）、図５の（Ａ）〜（Ｂ）、図６の（Ａ）〜（Ｂ）、図７の（Ａ）〜（Ｂ）、図８を再び参照して説明する。

［工程−２００］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、後の工程で分離することによって発光ダイオード３１を得るための素子中間物４２が素子製造用基板４１上に形成されて成る素子中間物構造体４０を、複数、準備する（製造する）（図４の（Ａ）参照）。

［工程−２１０］
次に、複数（２以上であり、具体的には、実施例２においては１２×５＝６０枚）の素子中間物構造体４０における素子中間物４２を、仮固定用基板５０に仮固定する。具体的には、表面に未硬化の接着剤から成る接着層５１が形成されたガラス基板から成る仮固定用基板５０を準備する。そして、素子製造用基板４１の一部をダイシング法に基づき切断した後（外形形状は、図９の（Ａ）参照）、素子中間物構造体４０における素子中間物４２（より具体的には、ｐ側電極３５）と接着層５１とを貼り合わせ、接着層５１を硬化させることで、仮固定用基板５０に仮固定する（図９の（Ａ）及び図４の（Ｂ）参照）。実施例２においては、仮固定用基板５０のＸ方向に１２枚、仮固定用基板５０のＹ方向に５枚の合計６０枚の素子中間物構造体４０を、１枚の仮固定用基板５０に仮固定する。素子中間物構造体４０の仮固定のＸ方向のピッチＸ₁、Ｙ方向のピッチＹ₁を概ね以下のとおりとした。
Ｘ₁＝４８ｍｍ
Ｙ₁＝６４．８ｍｍ

［工程−２２０］
その後、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、複数の素子中間物構造体４０を構成する素子製造用基板４１を素子中間物４２から除去する（図４の（Ｃ）参照）。尚、図９の（Ｂ）において、剥離された素子製造用基板４１を点線で示した。

［工程−２３０］
次いで、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、仮固定用基板５０に仮固定された素子中間物４２を分離することで、複数の発光ダイオード３１を得る（図９の（Ｂ）及び図５の（Ａ）参照）。発光ダイオード３１は、アレイ状（２次元マトリクス状）に仮固定用基板５０上に残される。発光ダイオード３１の平面形状を、直径１５μｍの円形とし、発光ダイオード３１と発光ダイオード３１との間のＸ方向のピッチ及びＹ方向のピッチを２０μｍとした。また、発光ダイオード３１が設けられた領域の大きさを、Ｘ方向２４ｍｍ、Ｙ方向３２．４ｍｍとした。従って、１枚の素子製造用基板４１当たり、Ｘ方向に１２００個、Ｙ方向に１６２０個の合計１９４４０００個の発光ダイオード３１が得られる。尚、図９の（Ｂ）においては、発光ダイオード３１がアレイ状（２次元マトリクス状）に仮固定用基板５０上に残された領域を、実線の矩形形状で示した。

［工程−２４０］
その後、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、先ず、発光ダイオード３１がアレイ状（２次元マトリクス状）に残された仮固定用基板５０上の発光ダイオード３１に、微粘着層６１を押し当てる（図５の（Ｂ）及び図６の（Ａ）参照）。次いで、実装すべき発光ダイオード３１に対して、仮固定用基板５０の裏面側から、例えば、エキシマレーザを照射する（図６の（Ｂ）参照）。これによって、レーザ・アブレーションが生じ、エキシマレーザが照射された発光ダイオード３１は、仮固定用基板５０から剥離する。その後、中継基板６０と発光ダイオード３１との接触を解くと、仮固定用基板５０から剥離した発光ダイオード３１は、微粘着層６１に付着した状態となる（図７の（Ａ）参照）。尚、微粘着層６１に２次元マトリクス状に付着した発光ダイオード３１のピッチを３００μｍ×３００μｍとした。

次いで、発光ダイオード３１を接着剤層１３に配置（移動あるいは転写）する（図７の（Ｂ）及び図８参照）。具体的には、ブラックマトリクス層１４をアライメントマークとして用いて、中継基板６０から発光ダイオード３１を、実装用基体１１の接着剤層１３上に配置する。発光ダイオード３１は微粘着層６１に弱く付着しているだけなので、発光ダイオード３１を接着剤層１３と接触させた（押し付けた）状態で中継基板６０を実装用基体１１から離れる方向に移動させると、発光ダイオード３１は接着剤層１３の上に残される。

この工程を、第１回目のステップ転写と呼ぶ。

１枚の素子製造用基板４１当たり、Ｘ方向に８０個、Ｙ方向に１０８個の合計８６４０個の発光ダイオード３１を、微粘着層６１に２次元マトリクス状に付着させ、実装用基体１１上に転写する。また、素子製造用基板４１を６０枚使用しているので、総計５１８４００個の発光ダイオード３１が、微粘着層６１に２次元マトリクス状に付着し、実装用基体１１上に転写される。この状態を模式的に図１０の（Ａ）に示す。尚、図１０の（Ａ）あるいは後述する図１０の（Ｂ）、図１１の（Ａ）及び（Ｂ）において、例えば、「０５，０６」という数字は、第５行、第６列に位置する素子製造用基板に対応した素子（発光ダイオード）３１の集合を意味し、矩形で囲まれた「１」から「４」までの数字は、第何回目のステップ転写であるかを示す。更には、矩形で囲まれた領域に、１回のステップ転写によって、上述したとおり、８６４０個の発光ダイオード３１が転写される。

この［工程−２４０］を合計４回、繰り返し、第２回目のステップ転写（図１０の（Ｂ）参照）、第３回目のステップ転写（図１１の（Ａ）参照）、第４回目のステップ転写（図１１の（Ｂ）参照）を実行する。尚、図１１の（Ａ）において、第４回目のステップ転写のための領域に、明確化を目的として斜線を付した。こうして、４回のステップ転写を行うことで、１９２０×１０８０個の発光ダイオード３１を実装用基体１１上に転写することができる。更に、［工程−２００］〜［工程−２３０］、４回の［工程−２４０］を、再度、繰り返し、更に、［工程−２００］〜［工程−２３０］、４回の［工程−２４０］を、再々度、繰り返すことで、所定の数の赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発光ダイオードを、所定の間隔、ピッチで実装用基体１１に実装することができる。

［工程−２５０］
次に、実施例１の［工程−１５０］と同様にして、各発光ダイオード３１の第２接続部であるｎ側電極３６が第２の配線２２と接触し、且つ、実装用フィルム２１に引張り力を加えた状態（引張り応力が存在している状態）となるように、実装用基体１１と実装用フィルム２１との間に発光ダイオード３１を挟み、この状態を維持しつつ、実装用基体１１と実装用フィルム２１とを接着剤層１３’によって接着する。その後、実装用基体１１及び実装用フィルム２１を所定の寸法に切断し、第１の配線１２、第２の配線２２を駆動回路と適切な方法に基づき接続することによって、発光ダイオード表示装置あるいは電子機器を完成させることができる。

尚、実施例１と同様に、仮固定用基板５０上に残された発光ダイオード３１は、次の実装用基体１１への発光ダイオード３１の実装に用いればよい。

従来の技術にあっては、１回のステップ転写において、１枚の素子製造用基板から、例えば、８０×１０８個の発光ダイオードを実装用基体１１に転写するとする。この場合、１９２０×１０８０個の発光ダイオードを実装用基体１１に転写するためには、２４０回のステップ転写を実行する必要があり、３種類の発光ダイオードを素子製造用基板から表示装置用基板に移動（例えば転写）させるためには、合計、７２０回のステップ転写を実行する必要がある。然るに、以上のように、実施例２によれば、素子中間物４２を仮固定用基板５０に仮固定し、素子製造用基板４１を素子中間物４２から除去した後に、仮固定用基板５０に仮固定された複数の素子中間物４２を分離して、発光ダイオード３１を得る。従って、発光ダイオード３１を得た後の状態は、素子製造用基板４１の６０倍もの大きさを有する仮固定用基板５０を、恰も、素子製造用基板とみなして、発光ダイオード３１を製造したと等価の状態である。その結果、４回のステップ転写で１９２０×１０８０個の発光ダイオードを実装用基体１１に転写することができるし、高い位置精度をもって、素子中間物４２を分離して発光ダイオード３１を得ることができる。従って、高精度で、しかも、スループットの高い実装装置を必要とせずに、仮固定用基板５０から実装用基体１１に発光ダイオード３１を移動（例えば転写）することができる結果、発光ダイオード３１の製造コストの増加を招くことがないし、多数の発光ダイオード３１が実装された装置や発光ダイオード表示装置の生産それ自体を容易なものとすることができる。また、仮固定用基板５０に仮固定された複数の素子中間物４２を分離して発光ダイオード３１を得るので、仮固定用基板５０に残された分離後の発光ダイオード３１の位置精度は、素子中間物４２を分離する加工精度に依存し、素子中間物４２を仮固定用基板５０に仮固定するときの位置精度に依存しない。従って、高精度で、しかも、スループットの高い実装装置を必要とせずに、素子製造用基板４１から素子中間物４２を仮固定用基板５０に移動することができる。

このように、実装用基体１１上に赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード及び青色発光ダイオードを、容易に、しかも、高い位置精度で配列することができるので、表示装置画面の均一性の向上を図ることができる。また、ステップ転写法に基づき、発光ダイオードが形成された素子製造用基板のサイズよりも大きなサイズの発光ダイオード表示装置を製造する際に、ステップ転写境界を消失させることができるので、これによっても表示装置画面の均一性の向上を図ることができる。そして、プロセスコストの低減による発光ダイオード表示装置の製造コストの低減や実装装置のコストの低減を図ることができる。

実施例３は、実施例２の変形である。実施例２においては、１２×５＝６０枚の素子中間物構造体４０における素子中間物４２を、仮固定用基板５０に仮固定した。そして、実施例２の［工程−２４０］を４回、繰り返すことで、１種類の発光ダイオードを所定の間隔、ピッチで実装用基体１１に実装した。一方、実施例３においては、６×５＝３０枚の素子中間物構造体４０における素子中間物４２を、仮固定用基板５０に仮固定した。そして、実施例２の［工程−２４０］と同様の工程を８回、繰り返すことで、１種類の発光ダイオードを所定の間隔、ピッチで実装用基体１１に実装した。尚、一般的には、Ｍ×Ｎ枚の素子中間物構造体４０に基づき、実施例２の［工程−２４０］をα回、繰り返すことで、発光ダイオード３１を実装用基体１１に実装することができるとした場合、（Ｍ／ｍ）×（Ｎ／ｎ）枚の素子中間物構造体４０に基づき、実施例２の［工程−２４０］をｍ×ｎ×α回、繰り返すことで、発光ダイオード３１を実装用基体１１に実装することができる。尚、Ｍ，Ｎ，ｍ，ｎ，（Ｍ／ｍ），（Ｎ／ｎ）は正の整数である。

実施例３におけるその他の工程は、実施例２と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。実施例３にあっては、実施例２の［工程−２４０］と同様の工程の繰り返し数が多くなるが、準備すべき素子中間物構造体４０の数を少なくすることができるといった利点を有する。

以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、実施例において挙げた数値、材料、構成、構造、形状、各種基板、原料、プロセス等はあくまでも例示に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、材料、構成、構造、形状、基板、原料、プロセス等を用いることができる。例えば、実施例２の［工程−２１０］において、例えば、３０枚あるいは１５枚の素子中間物構造体４０における素子中間物４２を仮固定用基板５０に仮固定し、このような仮固定用基板５０を２枚あるいは４枚、支持基板に固定してもよい。

電子機器の構造に依っては、第１の配線を、共通の配線（コモン電極）から構成し、第２の配線に、実施例１において説明したような第１の配線あるいは第２の配線と同じ構造を採用してもよいし、あるいは又、第１の配線に、実施例１において説明したような第１の配線あるいは第２の配線と同じ構造を採用し、第２の配線を、共通の配線（コモン電極）から成る構成してもよいし、あるいは又、第１の配線を、共通の配線（コモン電極）から構成し、第２の配線も、共通の配線（コモン電極）から構成してもよい。尚、共通の配線は、電子機器の構造に依存して、１枚のシート状であってもよいし、複数のシート状あるいは帯状であってもよい。素子（発光ダイオード）を交流駆動する場合には、第１接続部が第１の配線と接触し、第２接続部が第２の配線と接触した素子（発光ダイオード）、及び、第２接続部が第１の配線と接触し、第１接続部が第２の配線と接触した素子（発光ダイオード）が混在してもよい。尚、第２接続部が第１の配線と接触し、第１接続部が第２の配線と接触した素子（発光ダイオード）にあっては、第１の配線と接触している第２接続部を「第１接続部」と読み替え、第２の配線と接触している第１接続部を「第２接続部」と読み替えればよい。

実装用基体上において、第１接続部が第１の配線と接触した状態となるように各素子を配置する方法も、実施例において説明した方法に限定されず、電子機器に依っては、例えば、ディスペンサーで素子を実装用基体上に散布することで、素子を配置してもよいし、あるいは又、ロボット等の実装装置を用いて素子を実装用基体上に素子を配置してもよい。また、本発明の電子機器の製造方法あるいは発光ダイオード表示装置の製造方法を、所謂、バッチ方式だけでなく、実装用基体をロール状のフィルムから構成し、実装用フィルムもロール状として、リール・トゥー・リール方式で実行することも可能である。更には、実施例においては、素子等を実装用基体に固定する接着剤層と、実装用基体と実装用フィルムとを貼り合わせる接着剤層とを兼用させたが、素子等を実装用基体に固定する接着剤層と、実装用基体と実装用フィルムとを貼り合わせる接着剤層とを、別の接着剤層としてもよい。場合によっては、露出した第１接続部や第２接続部に対して、洗浄のために、例えば、Ａｒプラズマ処理を施してもよい。

また、図１２の（Ａ）に示すように、実装用フィルム２１の内面２１Ａに適切な方法で凹凸部を設け、その上に第２の配線２２を形成し、図１２の（Ｂ）に示すように、実装用フィルム２１の内面２１Ａと対向する絶縁膜１５の内面に適切な方法で凹凸部を設け、その上に第１の配線１２（より具体的には枝配線１２Ｂ）を形成することで、発光ダイオード３１の第２接続部であるｎ側電極３６と第２の配線２２との接続、第１接続部であるｐ側電極３５と第１の配線１２との接続を確実なものとすることができる。尚、場合によっては、実装用フィルム２１の内面２１Ａに凹凸部を設け、その上に第２の配線２２を形成するだけでもよいし（即ち、実装用フィルム２１の内面２１Ａと対向する絶縁膜１５の内面に凹凸部を設けることは省略してもよいし）、あるいは又、第２の配線２２を形成すべき実装用フィルム２１の内面２１Ａの部分のみに凹凸部を設けたり、第１の配線１２を形成すべき絶縁膜１５の内面の部分のみに凹凸部を設けてもよい。更には、図１２の（Ｃ）及び（Ｄ）に図示するように、実装用フィルム２１の内面２１Ａに凹凸部を設けるための材料２１Ｂ（樹脂や金属から構成することができる）を配したり、絶縁膜１５の内面に凹凸部を設けるための材料１５Ｂ（樹脂や金属から構成することができる）を配してもよい。

図１の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１の電子機器あるいは発光ダイオード表示装置の模式的な一部断面図、及び第１の配線及び第２の配線のレイアウトを示す図である。 図２の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１における実装用フィルムの模式的な一部断面図、及び、実装用基体の模式的な一部断面図である。 図３の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、素子（発光ダイオード）の模式的な断面図、及び、実装用フィルムと実装用基体を貼り合わせた状態を上から眺めた模式図である。 図４の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例１の電子機器の製造方法あるいは発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための素子等の模式的な一部端面図である。 図５の（Ａ）及び（Ｂ）は、図４の（Ｃ）に引き続き、実施例１の電子機器の製造方法あるいは発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための素子等の模式的な一部端面図であり、図５の（Ｃ）は、［工程−１３０］において得られた発光ダイオードを拡大した模式的な一部断面図である。 図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、図５の（Ｃ）に引き続き、実施例１の電子機器の製造方法あるいは発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための素子等の模式的な一部端面図である。 図７の（Ａ）及び（Ｂ）は、図６の（Ｂ）に引き続き、実施例１の電子機器の製造方法あるいは発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための素子等の模式的な一部端面図である。 図８は、図７の（Ｂ）に引き続き、実施例１の電子機器の製造方法あるいは発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための素子等の模式的な一部端面図である。 図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２の電子機器の製造方法あるいは発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための素子等の模式的な平面図である。 図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、図９の（Ｂ）に引き続き、実施例２の電子機器の製造方法あるいは発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための素子等の模式的な平面図である。 図１１の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１０の（Ｂ）に引き続き、実施例２の電子機器の製造方法あるいは発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための素子等の模式的な平面図である。 図１２の（Ａ）、（Ｃ）、並びに、（Ｂ）及び（Ｄ）は、それぞれ、実施例１の変形例における実装用フィルムの模式的な一部断面図、及び、実装用基体の模式的な一部断面図である。

符号の説明

１１・・・基体（実装用基体）、１２・・・第１の配線、１３，１３’・・・接着剤層、１４・・・ブラックマトリクス層、１５・・・絶縁膜、１６・・・凸レンズ、２１・・・フィルム（実装用フィルム）、２２・・・第２の配線、３１・・・素子（発光ダイオード）、３２・・・第１化合物半導体層、３３・・・活性層、３４・・・第２化合物半導体層、３５・・・第１接続部（ｐ側電極）、３６・・・第２接続部（ｎ側電極）、３７・・・端面、４０・・・素子中間物構造体、４１・・・素子製造用基板、４２・・・素子中間物、５０・・・仮固定用基板、５１・・・接着層、６０・・・中継基板、６１・・・微粘着層

Claims (15)

1. （Ａ）第１の配線が形成された基体、
   （Ｂ）第２の配線が形成された、可撓性を有するフィルム、
   （Ｃ）第１接続部及び第２接続部を備えた複数の素子、並びに、
   （Ｄ）接着剤層、
   から構成された電子機器であって、
   各素子は、第１接続部が第１の配線と接触し、第２接続部が第２の配線と接触し、且つ、フィルムに引張り力が加えられた状態で、基体とフィルムとの間に挟まれており、
   更には、この状態で、基体とフィルムとは接着剤層によって接着されていることを特徴とする電子機器。
2. 素子は発光ダイオードから成ることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
3. フィルムと対向する基体内面上であって、素子が配置されていない部分には、ブラックマトリクス層が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電子機器。
4. ブラックマトリクス層と基体内面との間には絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の電子機器。
5. フィルムと対向する基体内面とは反対側の基体外面上であって、素子からの光が出射する部分には、凸レンズが配設されていることを特徴とする請求項２に記載の電子機器。
6. フィルムとの貼り合わせ前の第１の配線と基体の厚さの合計をｔ₁、フィルムとの貼り合わせ後の第１の配線と基体の厚さの合計をｔ’₁、基体との貼り合わせ前の第２の配線とフィルムの厚さの合計をｔ₂、基体との貼り合わせ後の第２の配線とフィルムの厚さの合計をｔ’₂、貼り合わせ前の接着剤層の厚さをｔ_Adh、素子の厚さをｔ_Dとしたとき、
   ｔ₁＋ｔ₂＋ｔ_Adh≒ｔ’₁＋ｔ’₂＋ｔ_D
   （但し、ｔ’₁≦ｔ₁，ｔ’₂＜ｔ₂，ｔ_Adh＜ｔ_Dである）を満足することを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
7. （Ａ）複数の第１の配線が形成された基体、
   （Ｂ）複数の第２の配線が形成された、可撓性を有するフィルム、
   （Ｃ）第１接続部及び第２接続部を備えた複数の発光ダイオード、並びに、
   （Ｄ）接着剤層、
   から構成された発光ダイオード表示装置であって、
   各発光ダイオードは、第１接続部が第１の配線と接触し、第２接続部が第２の配線と接触し、且つ、フィルムに引張り力が加えられた状態で、基体とフィルムとの間に挟まれており、
   更には、この状態で、基体とフィルムとは接着剤層によって接着されていることを特徴とする発光ダイオード表示装置。
8. （Ａ’）第１の配線、及び、接着剤層が形成された基体、
   （Ｂ’）第２の配線が形成された、可撓性を有するフィルム、並びに、
   （Ｃ’）第１接続部及び第２接続部を備えた複数の素子、
   を準備し、
   （ａ）基体上において、第１接続部が第１の配線と接触した状態となるように各素子を配置した後、
   （ｂ）各素子の第２接続部が第２の配線と接触し、且つ、フィルムに引張り力を加えた状態となるように、基体とフィルムとの間に素子を挟み、この状態を維持しつつ、基体とフィルムとを接着剤層によって接着する、
   ことを特徴とする電子機器の製造方法。
9. 複数の素子が形成された素子製造用基板から所定の素子を中継基板に付着させた後、中継基板に付着した素子を接着剤層の上に配置し、次いで、各素子を第１の配線に突き当てることで、第１接続部が第１の配線と接触した状態とすることを特徴とする請求項８に記載の電子機器の製造方法。
10. 素子は発光ダイオードから成ることを特徴とする請求項８に記載の電子機器の製造方法。
11. フィルムと対向する基体内面上であって、素子が配置されていない部分には、ブラックマトリクス層が形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の電子機器の製造方法。
12. ブラックマトリクス層と基体内面との間には絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の電子機器の製造方法。
13. フィルムと対向する基体内面とは反対側の基体外面上であって、素子からの光が出射する部分には、凸レンズが配設されていることを特徴とする請求項１０に記載の電子機器の製造方法。
14. フィルムとの貼り合わせ前の第１の配線と基体の厚さの合計をｔ₁、フィルムとの貼り合わせ後の第１の配線と基体の厚さの合計をｔ’₁、基体との貼り合わせ前の第２の配線とフィルムの厚さの合計をｔ₂、基体との貼り合わせ後の第２の配線とフィルムの厚さの合計をｔ’₂、貼り合わせ前の接着剤層の厚さをｔ_Adh、素子の厚さをｔ_Dとしたとき、
    ｔ₁＋ｔ₂＋ｔ_Adh≒ｔ’₁＋ｔ’₂＋ｔ_D
    （但し、ｔ’₁≦ｔ₁，ｔ’₂＜ｔ₂，ｔ_Adh＜ｔ_Dである）を満足することを特徴とする請求項８に記載の電子機器の製造方法。
15. （Ａ’）複数の第１の配線、及び、接着剤層が形成された基体、
    （Ｂ’）複数の第２の配線が形成された、可撓性を有するフィルム、並びに、
    （Ｃ’）第１接続部及び第２接続部を備えた複数の発光ダイオード、
    を準備し、
    （ａ）基体上において、第１接続部が第１の配線と接触した状態となるように各発光ダイオードを配置した後、
    （ｂ）各発光ダイオードの第２接続部が第２の配線と接触し、且つ、フィルムに引張り力を加えた状態となるように、基体とフィルムとの間に発光ダイオードを挟み、この状態を維持しつつ、基体とフィルムとを接着剤層によって接着する、
    ことを特徴とする発光ダイオード表示装置の製造方法。

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