JP2015029130A - 発光装置、その製造方法、および発光装置使用装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 75
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 216
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims abstract description 215
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 206
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 31
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 10
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 68
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 63
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 16
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 11
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 10
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 10
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 10
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 8
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910018879 Pt—Pd Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000001864 heat-flux differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
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- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
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- H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
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- B32B17/10009—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets
- B32B17/10036—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets comprising two outer glass sheets
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
- H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Abstract
【解決手段】電極層15が形成されたLEDチップ10と、透光性基体21と透光性導電層25とを有しLEDチップ10を覆う透光性導電体20と、LEDチップ10の周囲13と透光性導電体20の透光性導電層25側の表面とに接着し、熱可塑性エラストマーからなる透光性絶縁エラストマー層30とを備えた発光装置1において、透光性導電体20の透光性導電層25は、複数個の透光性導電フィラーと、隣接する透光性導電フィラー同士を接触させた状態で接着する透光性樹脂バインダーとからなる。
【選択図】図2
Description
これに対し、特許文献1、2、3、4および5には、発光装置の発光素子の接続方法として、ワイヤボンディング法を用いない方法が開示されている。
実施形態の発光装置使用装置は、上記問題点を解決するものであり、前記発光装置を備えることを特徴とし、代表的には、照明装置や表示装置を構成する。
図面を参照して実施形態の発光装置について説明する。はじめに、第1の実施形態の発光装置について説明する。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態の発光装置の要部断面図である。
発光装置1は、LED本体11の表裏両方の表面に第1および第2の電極層15(15A、15B)が形成されたLEDチップ10と、透光性基体21と、この透光性基体21の表面に形成された透光性導電層25(25A、25B)とを有し、LEDチップ10をそれぞれ覆う第1および第2の透光性導電体20(20A、20B)と、LEDチップ10の周囲13と、透光性導電体20Aの透光性導電層25A側の表面および透光性導電体20Bの透光性導電層25B側の表面とに接合している透光性エラストマー層30と、を備える。
図2は、図1の部分拡大図である。図3は、図2のA1部分の部分拡大図である。図4は、第1の実施形態の発光装置の断面走査型電子顕微鏡写真の一例である。なお、図4において、符号95は測定試料である発光装置1を固定するための断面観察用固定樹脂であり、発光装置1を構成するものではない。
基板側電極層である電極層15Aは、LED本体11の表面のうち、透光性導電体20A側の第1の表面71Aのほぼ全面に形成される。
電極層15Aの凹凸形状45は、一般に隣接導電層との密着性向上のために付与され、表面粗さRa(測定法は後述)が通常1〜5μmである。
なお電極層15Bの表面の凹凸形状(図示せず)は、通常、表面粗さRaが0.1μm以上1μm以下である。
電極層15A,15Bの表面の凹凸形状の表面粗さRaは、0.1μm〜10μmであればよい。
LEDチップ10の厚さ(高さ)は、特に制限されないが、例えば、通常90〜290μmである。またその表面寸法は、当然に、発光装置全体に占めるその表示素子単位としての要請により多様に変化し得るものであるが、通常0.04μm2〜2.25mm2の範囲にある。
透光性導電体20(20A、20B)は、可撓性を有する透光性基体21(21A、21B)と、この透光性基体21の表面に形成された透光性導電層25(25A、25B)とを有する。透光性導電体20は、透光性導電層25がLEDチップ10の電極層15(15A、15B)と導通するようにLEDチップ10を挟んでいる。透光性導電層25には、1個以上の同一種または複数種のLEDチップ10を駆動する配線パターンが形成されている。
透光性基体21は、透光性および可撓性を有する基体であり、シート状になっている。なお、透光性基体21は、透光性および可撓性を有する基体である限り、立体曲面等を有するシート状であってもよい。
透光性導電層としては、特に限定されないが、たとえば、複数個の透光性導電フィラーと隣接する透光性導電フィラー同士を接触させた状態で接着する透光性樹脂バインダーとからなる厚膜、スパッタリングや蒸着で形成した導電材料の薄膜、銀系微粒子などの非透光性の導電体を含むメッシュ電極等を用いることができる。透光性導電層25は、透光性基体21の表面に形成された、透光性を有するとともに導電性を有する層である。透光性導電層25は、透過率が通常10〜85%である。
このような導電性微粒子分散型透光性導電層が、上記シート抵抗で代表される導電性を有するのは、透光性樹脂バインダー中に分散された導電性微粒子(フィラー)(複数)が、互いに接触した状態で存在することによる。このためには、透光性導電フィラーが、透光性導電層中に50重量%以上95重量%以下の割合で存在することが好ましい。
透光性導電層25は、複数個の透光性導電フィラーを透光性樹脂バインダーで接着しているため、透光性導電層25全体が耐屈曲性または変形追従性を有する。
メッシュ電極を構成するAu等は、非透光材料であるが、メッシュ電極を構成する面積割合が小さいので、メッシュ電極全体としては透光性となり、上記のような全光透過率を与えるものである。
透光性エラストマー層30は、エラストマーからなり、LEDチップの周囲13と、透光性導電体20(20A、20B)の透光性導電層25(25A、25B)側の表面とに接着して、LEDチップ10と透光性導電体20(20A、20B)とを接着する。
エラストマーは、高分子材料の弾性体で、樹脂である。ここで用いたエラストマーは、ビカット軟化温度を有することからも理解されるように熱可塑性を有する熱可塑性エラストマーである。例えば、室温付近でゴム弾性を示し、高温では熱可塑性を示すポリマーである。熱可塑性エラストマーは、硬化温度まで昇温することにより重合して、以後、熱可塑性を有するものであってよい。本発明の一実施形態による発光装置の製造方法は、このような熱可塑性エラストマーシートを、LEDチップ電極と導電層の間に挟んだ状態で、ビカット軟化点と同等あるいはこれより若干上で且つ融解温度より低い温度で真空プレスすることにより、過度の可塑性を付与する(流動させる)ことなく、変形させることにより、LEDチップ電極と導電層の電気的接触を良好に保ちつつ、両者間の空隙を充填して、両者間の接着力(剥離防止効果)を向上させているところに特徴がある。
必要に応じて他の樹脂成分、充填剤、添加剤等を含んでいても良い。
発光装置1(図1)の製造方法について、図7を参照して説明する。
発光装置1は、LEDチップ10の電極層15と、透光性導電体20の透光性導電層25との間に、透光性エラストマーシート35を配置した後、弱い圧力で予備プレスした後、作業空間を真空引きする。このような真空雰囲気中にて積層体を透光性エラストマーのビカット軟化点(Tv)より10℃低い温度より以上でかつ、30℃高い、より好ましくは20℃高い温度より以下の温度(Tp)(すなわち、Tv−10℃≦Tp≦Tv+30℃、より好ましくはTv−10℃≦Tp≦Tv+20℃、で定まる範囲内の温度(Tp))に加熱しながら圧着させることにより製造することが好ましい。
なお、透光性エラストマー層30に用いられるエラストマーの、ビカット軟化温度における引張貯蔵弾性率は、0.1MPa以上が好ましく、より好ましくは1MPa以上、例えば1MPa〜1GPaである。
また、透光性エラストマー層30に用いられるエラストマーの、加熱圧着温度での引張貯蔵弾性率は、0.1MPa以上が好ましく、より好ましくは1MPa以上、例えば1MPa〜1GPaである。
より詳しくは、図7を参照して、透光性導電体20Bの透光性導電層25B上に、透光性導電層25Bの全体を覆うように、所定の厚さの透光性エラストマーシート35を載せ、得られる発光装置において所望の表示パターンが得られるように、その上の所定の位置と方向に一以上のLEDチップ10を配置する。さらにその上に、所定の厚さの透光性エラストマーシート35、さらにその上に、透光性導電体20Aを、透光性導電層25Aが下向きになるようにして所定の位置に載せる。透光性エラストマーシートである第1の透光性絶縁樹脂シートは、透光性導電層25Aの全体を覆う形状を有している。積層の順序は、上下を逆にしても良い。
この製造方法によれば、発光装置1を容易に作製することができる。また、透光性エラストマー層35でLEDチップ10を挟み込むため、製造の際にLEDチップ10を確実に固定することができる。
発光装置1の作用について説明する。
発光装置1は、LEDチップ10の電極層15(15A、15B)の表面の凹凸形状45の凹部46と透光性導電体20(20A、20B)の透光性導電層25(25A、25B)の表面26との間の隙間空間48にも、透光性エラストマー層30が形成されるため、LEDチップ10の電極層15(15A、15B)の表面の凹凸形状45の凸部47が透光性導電体20(20A、20B)の透光性導電層25(25A、25B)の表面26に当接しても、透光性導電層25(25A、25B)にクラックや破断が生じにくい。この結果透光性導電層の電気的な接続信頼性が高いことから、発光装置1を強く屈曲させたり熱サイクルを与えたりしても点灯を維持できる。
本実施態様の製造方法は(1)LED電極層15と透光性導電層25を電気接続する際に、LED電極15と透光性導電層25の間に、(真空熱プレス工程において溶融もしくは、低粘度化(引張貯蔵弾性率が0.1MPa未満になることをいう)しない)エラストマーシート35を挟むこと、および、(2)透光性導電体20とエラストマーシート35とLEDチップ10からなる積層体を真空熱プレスすることにある。
本発明者がおこなった、(1)の条件を満たさない製造例について説明する。
図8は、発光装置の製造例1を説明する図である。製造例1は、第1の実施形態の発光装置1の製造方法において、LEDチップの電極層15Aと透光性導電層25Aの間に透光性エラストマーシート35を挟まずに積層し、透光性導電体20とエラストマーシート35とLEDチップ10からなる積層体を真空熱プレスした製造例である。
図10〜図12に示されるように、製造例1により作成した、発光装置90では、LEDチップ10の電極層15の表面の凹凸形状45の凹部46と、透光性導電体20Aの透光性導電層25Aの表面26との間に形成された隙間空間48が空隙91となり、そこには透光性エラストマー30が殆ど存在しない、すなわち、エラストマー被覆率が明らかに10%以下であった。
図13に、LEDチップの電極層15Bと透光性導電層25Bの間に透光性エラストマーシート35を挟まずに積層し透光性導電体20とエラストマーシート35とLEDチップ10からなる積層体を真空熱プレスした実験例2の断面の走査型電子顕微鏡写真を示す。
特開2012−84855号公報(特許文献5)には、アクリル系エラストマーからなる中間層に貫通孔を形成し、この貫通孔に発光素子を配置することにより、発光素子の表裏を支持体で挟んだ発光装置を製造する方法が記載されている。
特許文献3には、LEDチップの電極層15と透光性導電層25の間に透光性エラストマーシート35の代わりにホットメルト接着剤を挟んで積層し、かつ透光性導電体20とエラストマーシート35とLEDチップ10からなる積層体を、(ホットメルト接着剤を溶融させて)熱プレスしている。本発明の製造方法で用いている透光性エラストマーは、真空熱プレス工程においても透光性エラストマーとしての性質を維持している必要がある材料であり、加工温度で溶融していることが特徴であるホットメルト接着剤とは全く異なる材料であり、真空熱プレスという製造方法に適用できない材料である。その結果として、特許文献3の製造方法による発光装置Cは、LEDチップの電極層15と透光性導電層25の間も含め、発光装置内に気泡が残留しないように製造することは困難であり、LEDチップの電極層15と透光性導電層25の間、ホットメルト接着剤が充填されていない空隙が残る、と共に加圧加工時に生じたと推定される透光性導電層25と電極層15の当接部分のクラックが生じていいた。このため、発光装置90Cでは、耐屈曲試験や熱サイクル試験の過程において容易に不点灯となった。
図14は、第2の実施形態の発光装置の断面図である。発光装置1Aは、図1に第1の実施形態として示された発光装置1に比較して、LEDチップ10に代えて片面に2種類の電極層15A、15Bが形成されたLEDチップ10Aを用い、第1の透光性導電体20Aに代えて透光性導電層25を有さない透光性基体21Dを用い、および第2の透光性導電体20Bに代えて2種類の透光性導電層25A、25Bが形成された透光性導電体20Cを用いる点で異なり、他の構成は、発光装置1と同じてある。このため、図14に第2の実施形態として示された発光装置1Aと、図1に第1の実施形態として示された発光装置1とで、同じ構成に同じ符号を付し、構成および作用の説明を省略または簡略化する。
図15は、図14に示したLEDチップ10Aの拡大図である。
LEDチップ10Aは、LED本体11Aの片面に第1の電極層としての電極層15Aおよび第2の電極層としての電極層15Bが形成されたものである。
透光性基体21Dは、第1の実施形態における透光性導電体20Aを構成する透光性基体21Aと同じであるため、説明を省略する。
透光性導電体20Cは、耐屈曲性を有する透光性基体21Cと、この透光性基体21Cの片方の表面に形成された2種類の透光性導電層25A、25Bとを有する。透光性導電層25AはLEDチップ10Aの電極層15Aと導通するように設けられ、透光性導電層25BはLEDチップ10Aの電極層15Bと導通するように設けられる。
また透光性導電体20C上に形成される透光性導電層25も、第1の実施形態における透光性導電層25と同様に、(1)導体薄膜、(2)透光性導体の微粒子を分散させた樹脂塗膜あるいは(3)メッシュ電極、のいずれでもあり得る。透光性基体21C上に、(1)〜(3)のいずれかの構成により形成された透光性導電層25は、レーザー加工やエッチング処理等によりN型半導体層42上の電極層(カソード)15Aに接続される導電層25AあるいはP型半導体層44上の電極層(アノード)15Bに接続される導電層25Bにパターン化される。
図16を参照して、発光装置1Aの製造方法について説明する。
図14に模式的に示す部分断面構造を有する発光装置1Aは、図1に第1の実施形態として示した発光装置1と同様に、LEDチップ10Aの電極層15と、透光性導電体20の透光性導電層25との間に、透光性エラストマーシート35を配置した後、前記透光性エラストマーのビカット軟化温度より10℃低い温度以上、30℃高い温度以下でLEDチップ10Aと透光性導電体20、透光性絶縁基体21Dとを真空熱プレスして、LEDチップ10Aと透光性導電体20と透光性絶縁基体21Dを前記透光性エラストマーで接合することにより製造される。
本発明の完成途中において、従来の発光装置を再検討したところ、以下の事実が判明した。
本発明は、上記知見に鑑み、従来技術の課題を解決するべく完成されたものである。
本発明の発光装置使用装置は、上記の本発明に係る発光装置を備えるものである。
発光装置使用装置としては、たとえば、テレビ、パソコン等の電子機器、展示板、掲示板等の電子表示装置、発光装置からなる照明装置や表示装置を備えた、車両、船舶、航空機等の移動体、発光装置からなる照明装置や表示装置を備えた、建築物や工作物等が挙げられる。
Raは、JIS B 0601-2001に基づいた測定値の算術平均粗さで対象とする電極の横断長さの1/3以上の領域での測定値とした。
薄膜型導電層、導電粉末分散型樹脂導電層及びメッシュ電極のいずれについてもJIS K 7194に基づく四端子法により測定した。
使用するシート状試料について)、以下の特性の測定を行った。
・ビカット軟化温度は、安田精機製作所製のNo.148−HD−PCヒートディストーションテスタを用いて、試験加重10N、昇温速度50℃/時間の条件で、JIS K7206(ISO 306)記載のA50法により求めた。
・ガラス転移温度および融解温度は、JIS K2121(ISO 3146)に準拠した方法で、島津製作所製示差走査熱量計DSC−60を用いて、−100 ℃から吸熱ピーク(融点)まで5℃/分の昇温速度で、熱流束示差走査熱量測定を行い、求めた。
・引張貯蔵弾性率は、JIS K7244−4(ISO 6721−4)に準拠して、株式会社エー・アンド・ディ製のDDV−01GP動的粘弾性自動測定器を用いて、−100℃から200℃まで、1℃/分の等速昇温、周波数10Hzで求めた。測定は、0℃、100℃およびビカット軟化温度について行った。
以下の項目を評価した。
<透光性絶縁エラストマー層のLEDチップ間における厚さ>
(後述の実施例、比較例等で得られた、互いに約5mm離間して直線状に配列された直列接続の6個のLEDチップ(平面寸法:0.3mm×0.3mm、高さ:175μm)を含む長さ約90mm(幅:約50mm)の帯状LED装置試料中の)透光性絶縁エラストマー層の厚さを、中央部近傍のLEDチップ端から1500μm離れた位置で、20℃の室内で、光学的に測定し、12個の試料についての測定値の算術平均として求めた。
得られたLED装置12個の内、6個について、温度20±2℃、相対湿度60〜70%、常圧(86〜106kPa)の環境下で耐屈曲試験を行った。
はじめに、半径が100mmから20mmまで10mm刻みで減少する、それぞれ均一の直径及び真円状の断面を有する測定用円柱を複数種類用意した。
次に、得られた帯状LED装置を、その長手方向が測定用円柱の軸と直行するように且つLEDチップの発光面の裏面が測定用円柱の表面の曲面に当たるようにセットした。さらに、LED装置を点灯させ、この状態で測定用円柱の表面の曲面に沿って180°屈曲させて、点灯状態が維持されるか否かを評価した。この評価を半径の大きい測定用円柱から半径の小さい測定用円柱へと順番に行い、各試料について、実用的に優れた屈曲性と判定される20mmあるいはこれに準ずる小屈曲半径の2点について、その曲率半径と6個の試料中の点灯維持試料数を記録した。
得られた別の6個のLED装置資料について、JIS C60068−14に準拠して熱サイクル試験を行った。
具体的には、水平状態に保持した点灯状態の帯状LED装置に対し、−20℃〜60℃の温度範囲で、−20℃および60℃における放置時間:各30分、中間の昇降温速度3℃/min(1サイクル:53.3分)の熱サイクル試験に付し、2000サイクル後、2500サイクル後および300サイクル後の各時点での、6個の試料中の点灯維持試料数を記録した。
上記耐屈曲性および熱サイクル試験の採用したLED装置の点灯条件としては、基本的には直列接続した6個のLEDチップに6mAの一定電流が流れるようにそれらの両端に所定の直流電圧を連続印加して、透光性導電層の種類により、給電条件を以下のように変化させた。
・ITO分散樹脂膜
厚さ1μm:両端電圧 25V,
厚さ3μm:両端電圧 20V,
・ITOスパッタ膜:両端電圧 30V,
・Ag粒子メッシュ電極膜:両端電圧 20V,
作成後温度20±2℃、相対湿度60〜70%、常圧(86〜106kPa)の環境下で24時間放置した資料について、以下の評価を行った。
(外観観察)
上記耐屈曲試験前後ならびに熱サイクル試験前後の透光性LED発光装置について、目視による外観検査を行った。
より具体的には、透光性LED装置の表面または裏面を目視にて観察し、気泡の有無を一次確認した。一次確認で気泡の観察されなかったサンプルは、気泡なしと判定し検査を終了した。一方、一次検査で気泡の観察されたサンプルは、カメラ付きの顕微鏡(倍率:×50)を用いて、気泡の写真撮影を行った。写真を用いて、気泡の輪郭線上の任意の2点間距離を測定し、距離が最大となる長さを外径と定義した。そして気泡の外径がLEDのチップサイズ以上、もしくは500μm以上であるか否かに基づいて、以下の基準で、評価した。
A:目視による一次確認で気泡が認められなかった。
B:目視により気泡がわずかに認められるが、顕微鏡写真による確認により、LEDのチップサイズ以上、もしくは500μm以上の外径を有する気泡は存在しなかった。
C:目視により気泡が認められ、且つ顕微鏡写真による確認により、LEDのチップサイズ以上、もしくは500μm以上の外径を有する気泡も認められた。
耐屈曲試験後および熱サイクル試験後の透光性LED装置について断面観察を行った。 具体的には、透光性帯状LED装置を断面観察測定用樹脂に埋め込み、日立製作所製イオンミリング装置E−3500でイオンミリングして現れた、中央LEDチップを含む帯状LED装置の長手方向と直行する断面を、日立製作所製走査型電子顕微鏡(SEM)により倍率約10,000倍で観察して、LEDチップの表裏の電極と、対向する透光性導電層との接触およびLEDチップ周壁近傍のエラストマーによる充填の良否について、以下の基準で評価した
A:LEDチップ上の電極とこれに近接する透光性導電体上の導電層とが接触しており、且上記電極上の凹凸と導電層との隙間がエラストマーに充填されている。更に電極チップ周壁までエラストマーが充填されている。
A2:片面電極型LEDチップ上の電極とこれに隣接する透光性導電体上の導電層とが接触しており、且つ上記電極上の凹凸と導電層との隙間がエラストマーに充填されている。更に電極チップ周壁までエラストマーが充填されている。ただし、LEDチップの電極が形成されていない側の表面と透光性基体との間にはエラストマーが充填されていない。
B1:両面電極型LDEチップの発光側電極と隣接する導電層ならびに非発光側電極と隣接する導電層とが、いずれも接触しており、LEDチップの周囲がエラストマーで充填されている。またLEDチップの非発光側電極の表面の凹凸と隣接する導電層との間の隙間がエラストマーで充填されている。但しLEDチップの発光側電極の表面の凹凸と隣接する導電層との間の隙間はエラストマーで充填されていない。
C1:両面電極型LDEチップの発光側電極と隣接する導電層とならびに非発光側電極と隣接する導電層とが、いずれも接触しており、LEDチップの周囲がエラストマーで充填されている。またLEDチップの発光側電極の表面の凹凸と隣接する導電層との間の隙間がエラストマーで充填されている。但しLEDチップの非発光側電極の表面の凹凸と隣接する導電層との間の隙間はエラストマーで充填されていない。
C2:片面電極型のLEDチップ上の電極(複数)とこれに隣接する透光性導電体上の導電層(複数)との二の対において両者が接触しており、電極チップ周壁までエラストマーが充填しているが、上記電極上の凹凸部と導電層との隙間はエラストマーが充填されていない。
D:LEDチップ上の電極とこれに近接する透光性導電体上の導電層とが接触しているが、上記電極上の凹凸と導電層との隙間がエラストマーにより充填されてなく、また電極チップ周壁までエラストマーが充填されていない。
(両面電極型)
LEDチップの配置状態としては図1及び図2とほぼ同じ、耐屈曲試験後および熱サイクル試験後の透光性LED装置について、長手方向端部シール部をダイヤモンドカッターで切除したのち、ミクロトームを用いて透光性エラストマー層30に、水平方向に約5mmの切れ込みを入れた。前記切れ込み端部の透光性導電体20Aと透光性導電体20Bの外表面に、幅5mm、厚さ5mm、長さは透光性LED発光シートの端部長と同じで取っ手のついた、ステンレス製の角棒を強固に接着させた。水平に設置した堅い平板上にLED装置試料と同じ大きさの両面粘着テープを貼り、透光性導電体20B外表面を、両面接着テープに貼り付けることで、堅い平板に固定した。透光性導電体20Aに接続させたステンレス棒を水平に維持しつつ、透光性導電体20B平面に対して90度方向にゆっくりと引っ張り上げて透光性導電体20Aを透光性導電体20Bから剥離させた。これらの操作によりLEDチップの電極15Aの表面が露出したLED装置を複数用意した。その一部を、LEDチップの電極層15Aのエラストマー被覆率測定用の試料とした。
上記のようにして透光性導電体20Aを剥離した透光性LED装置のうちの残部について、その露出した電極15Aを含む表面上に、接着剤を塗布した、厚さ180μmのPETフィルムを貼りつけた。その後、上記のように透光性導電体20Bの端部に設置したステンレス棒を水平な状態を維持しつつ、平面に対して90度方向にゆっくりと引っ張り上げて、LED装置試料を平板から剥離させた。次に、剥離したLED装置の上下を逆にして、接着剤を塗布した、厚さ180μmのPETフィルムの外面を前と同様に両面粘着テープで堅い平板に固定した。透光性導電体20Bに接続させたステンレス棒を水平状態を維持しつつ、平板平面に対して90度方向にゆっくりと引っ張り上げて、接着剤を塗布した厚さ180μmのPETフィルムから透光性導電体20Bを剥離させた。この操作により、PETフィルム上に、電極15Bを表面に露出したLEDチップが残った。これを用いてLEDチップの電極層15Bのエラストマー被覆率測定用の試料とした。
LDEチップの配置状態としては図14とほぼ同じ、耐屈曲試験後および熱サイクル試験後の透光性片面型LED装置についても、上記方法の前半と同様にして、透光性導電体20Cのみを剥離して、LEDチップ10A上の電極15Aおよび15Bを露出させ、エラストマー被覆率測定用の試料とした。
概略構造として、互いに約5mm離間して直線状に配列された直列接続の6個の両面電極型LEDチップを、それらの両面電極上に、それぞれエラストマーシートを配置した後、一対の透光性導電体シートで挟持した後、加熱真空プレスすることにより、長さ約90mm、幅約50mmの帯状LED装置を製造した。その部分概略積層構造は図1及び2に示す通り。より詳細には以下の通り。
LEDチップとして、表裏両面に電極層が形成されたGaAlAs/GaAs系赤色発光LEDチップ(平面寸法:約300×300μm、全体厚さ(高さ):175μm)を用意した。LEDチップの表裏両面の電極層は、LED本体(11)のN型半導体(N−GaAlAs)層(42)と半導体基板(41A)を介して電気的に接続された厚さが3.5μmのAuからなる基板側電極層(15A)と、LED本体のP型半導体(P−GaAlAs)層(44)と電気的に接続された厚さが0.5μmのAuからなる発光側電極層(15B)とからなるものとした。LEDチップは、基板側電極層(15A)がLED本体(11)の表面全体に形成され、発光側電極層(15B)がLED本体の表面の20%に形成されるようにした。
また、LEDチップは、基板側電極層(15A)の表面のRaが0.5μm、発光側電極層(15B)の表面のRaが0.13μmであった。
透光性導電体(20A,20B)を作製した。透光性導電体(20)は、透光性基体としての厚さ180μmのポリエチレンテレフタレート(PET)のシート(21)の表面に、ITO微粒子を分散させたスラリーを印刷し、室温で紫外線硬化させて、厚さ1μmの導電層を形成した後、レーザー照射によるそのパターニングにより、上述のように直線状に配列される6個のLEDチップの直列接続に適した回路層(25)を形成したものである。スラリーとしては、紫外線硬化型アクリル系透明樹脂に、平均粒径0.15μm(アスペクト比:3.0)のITO微粒子を約90重量%の割合で分散させたものを用いた。
透光性エラストマー層を構成する(30)材料として、ビカット軟化温度が110℃で、厚さが60μmのアクリル系エラストマーシートを用意し、透光性導電体(20)とほぼ同面積のシート(35)に切断して用いた。そのガラス転移温度は−40℃、融解温度は220℃引張貯蔵弾性率が0℃で1.1GPa、100℃で0.3GPa、ビカット軟化温度である110℃で0.2GPaであった。
図7(但し上下が逆)を参照して、はじめに、透光性導電体(20A)を導電回路層(25A)が上向きになるように保持した。この上に、エラストマーシート(35)を積層し、さらにLEDチップ(10)を発光側電極層(15B)が上向きになるように積層した。次に、LEDチップの発光側電極層(15B)の上に、エラストマーシート(35)を積層し、さらに透光性導電体(20B)を導電回路層(25B)が下向きになるように積層した。
得られた積層体を0.1MPaの圧力で予備プレスした後、雰囲気を5kPa以下に真空引きしながら、120℃、10MPaの真空熱プレスを10分間おこなったところ、透光性導電体(20A−20B)間かつLEDチップ(10)の周囲に密に透光性エラストマー層(30)が形成され、気泡のない透光性LED発光シート(LED発光装置)が得られた。また、得られた透光性LED発光シートの周囲端面を熱硬化性樹脂でシールして、帯状LED発光装置を得た。
上記実施例1の製造条件の概要を、以下の実施例及び比較例の結果とまとめて、後記表1に記す。
上記で得られたLED発光装置について、透光性絶縁エラストマー層の厚さ測定、断面観察LED電極のエラストマー被覆率測定、耐屈曲試験、熱サイクル試験、による評価を行った。結果を、以下の実施例及び比較例の結果とまとめて後記表2に示す。
基板側および発光面側の透光性導電体の導電層の厚さをともに2μmにし、積層体を真空熱プレスする際の圧力を12MPa、加熱温度を110℃にした以外は実施例1と同様にして、透光性LED発光装置を作製し、評価した。
基板側電極層側の透光性導電体の導電層の厚さおよび発光側電極層側の透光性導電体の導電層の厚さをともに3μmにし、積層体を真空熱プレスする際の圧力を15MPa、加熱温度を100℃にした以外は、実施例1と同様にして、透光性LED発光シートを作製し、評価した。
透光性導電体の導電層の厚さを、基板側電極層側の透光性導電体の導電層を3μm、発光側電極層側の透光性導電体の導電層を3μmにするとともに、エラストマーシートの厚さを80μmとした以外は、実施例1と同様にして、透光性LED発光シートを作製し、評価した。
得られた透光性LED発光シートについて、実施例1と同様にして耐屈曲試験、熱サイクル試験、断面観察、LED電極面のエラストマー被覆率測定を行った。
本実験例の透光性LED発光シートは、LEDチップの表裏の基板側電極層および発光側電極層が、それぞれ基板側電極層側の透光性導電体の導電層および発光側電極層側の透光性導電体の導電層に接触するとともに、LEDチップの周囲がエラストマーで充填されていることが分かった。
なお、本実験例の透光性LED発光シートでは、LEDチップの基板側電極層の表面の凹凸とこれに接触する基板側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間が、エラストマーで充填されていることが分かった。
基板側電極層側の透光性導電体の導電層(25A)の厚さおよび発光側電極層側の透光性導電体の導電層(25B)の厚さをともに3μmにするとともに、基板側電極層側の透光性導電体(20A)とLEDチップの基板側電極層との間にエラストマーシートを配置せず、発光側電極層側の透光性導電体(20B)とLEDチップの発光側電極層(15B)との間に配置するエラストマーシート(30)の厚さを120μmとした以外は、実施例1と同様にして、透光性LED発光シートを作製し、評価した。
本実験例の透光性LED発光シートでは、供試体6個中、1個が屈曲半径100mmで不点灯になり、屈曲半径80mmでは6個とも不点灯になることが分かった。なお、屈曲を解放すると4個は点灯が回復したが、耐屈曲試験を10サイクル繰り返した後は、屈曲を解放しても6個とも不点灯のままであることが分かった。
本実験例の透光性LED発光シートでは、1個が1500サイクル実施後に不点灯になり、2000サイクル実施後では6個全てが不点灯になった。
本実験例の透光性LED発光シートは、LEDチップの表裏の基板側電極層および発光側電極層が、それぞれ基板側電極層側の透光性導電体の導電層および発光側電極層側の透光性導電体の導電層に接触するとともに、LEDチップの周囲がエラストマーで充填されていることが分かった。
また、本実験例の透光性LED発光シートでは、LEDチップの発光側電極層の表面の凹凸とこれに接触する発光側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間がエラストマーで充填されていることが分かった。
しかし、本実験例の透光性LED発光シートでは、製造時にエラストマーシートを配置しなかったLEDチップの基板側電極層の表面の凹凸とこれに接触する基板側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間はエラストマーで充填されていないことが分かった。
概略構造としては、実施例1と同様に、互いに約5mm離間して直線状に配列された直列接続の6個の、但し片面電極型LEDチップを用意し、それらの電極側表面上に、エラストマーシートを配置した後、一対の透光性導電体シートで挟持し、加熱真空プレスすることにより、長さ約90mm、幅約50mmの帯状LED装置を製造した。その部分概略積層構造は図14及び15に示す通り。製造のより詳細は以下の通り。
LEDチップとして、片面に2種類の電極層が形成されたGaN系青色LEDチップ(平面寸法:約350×350μm、全体厚さ(高さ):90μm)を用意した。LEDチップ(10A)は、サファイア製基板(41A)上に、N型半導体層(42)、発光層(43)及びP型半導体層(44)をこの順序で積層したもので、そのP型半導体層(44)側の片面(発光面)上に、N型半導体層(42)およびP型半導体層(44)とそれぞれ電気的に接続されたそれぞれ厚さが1.5μmでAuからなる電極(15A)および電極(15B)を設けてなる。電極15Aおよび15Bの表面のRaはともに0.15μmであった。
実施例1と同様に、厚さ180μmのポリエチレンテレフタレート(PET)のシートからなる透光性基体(21)の一対を用意し、その一方を非発光面側の透光性基体21Dとした。他方の透光性基体21Cの一面に、紫外線硬化型アクリル系透明樹脂に、平均粒径0.15μm (アスペクト比:3)のITO微粒子を約90重量%の割合で分散させて得たスラリーを塗布し、室温で紫外線硬化させて得た厚さ3μmの塗膜を、レーザー照射による部分除去(パターニング)により、上述したように直線状に配列される6個のLEDチップの直列接続に適した、N型半導体用電極15Aとの接続用の導電層25A及びP型半導体用電極15Bとの接続用の導電層25Bを形成して、透光性導電体20Cとした。
実施例1と同様に、ビカット軟化温度が110℃で厚さが60μmのエラストマーシートを用意し、切断して透光性導電体20Cと同程度の面積を有するエラストマーシート35を形成した。
図16を参照して、はじめに、透光性導電体20Cの上向きに配置した導電層(25)上に、エラストマーシート35を積層し、さらにLEDチップ10A(複数)を、発光面側電極15A及び15Bが、下向き且つ透光性導電体20Cの導電層25A及び25Bとそれぞれ対抗するように位置合わせして、積層した。次に、LEDチップ10Aの非発光面71上には、エラストマーシートを積層することなく、透光性基体21を積層した。
得られた積層体を0.1MPaの圧力で予備プレスした後、雰囲気を5kPa以下になるように真空引きしつつ、120℃、10MPaの圧力で真空熱プレスを10分間おこなったところ、透光性導電体20Cおよび透光性基体21とLEDチップ10Aの間かつLEDチップ21Aの周囲に透光性エラストマー30が充填され、気泡の無い透光性LED発光シート1A(図14)が得られた。また、得られた透光性LED発光シートについて、端面を熱硬化性樹脂でシールするシール処理を行って、透光性帯状の製品LED発光装置を作製し、実施例1と同様にして評価した。
本実験例の透光性LED発光シートは、LEDチップの片面に形成された2種類の発光側電極層が、透光性導電体の導電層に接触するとともに、LEDチップの周囲がエラストマーで充填されていることが分かった。
また、本実験例の透光性LED発光シートでは、LEDチップの2種類の発光側電極層の表面の凹凸とこれに接触する透光性導電体の導電層との間の隙間が、エラストマーで充填されていることが分かった。
さらに、LEDチップの電極層が形成されない側の表面と透光性基体との間の隙間がエラストマーで充填されていることが分かった。
エラストマーシート35の厚さを80μmとした以外は、実施例5と同様にして、透光性LED発光シートを作製し、評価した。
厚さ60μmのエラストマーシート35を、LEDチップ10Aの電極面側でなく透明基体41側に配置する以外は、実施例5と同様にして透光性LED発光シートを作製し、評価した。
本実験例の透光性LED発光シートでは、供試体6個中、1個が屈曲半径50mmで不点灯になり、屈曲半径40mmでは6個とも不点灯になることが分かった。なお、屈曲を解放すると4個は点灯が回復したが、耐屈曲試験を10サイクル繰り返した後は、屈曲を解放しても6個とも不点灯のままであることが分かった。
本実験例の透光性LED発光シートでは、1個が100サイクル実施後に不点灯になり、500サイクル実施後では6個全てが不点灯になった。
本実験例の透光性LED発光シートは、LEDチップの片面に形成された2種類の発光側電極層が、透光性導電体の導電層に接触するとともに、LEDチップの周囲がエラストマーで充填されていることが分かった。
しかし、本実験例の透光性LED発光シートでは、LEDチップの片面の2種類の発光側電極層の表面の凹凸とこれに接触する透光性導電体の導電層との間の隙間が、エラストマーで充填されていないことが分かった。
なお、LEDチップの電極層が形成されない側の表面と透光性基体との間の隙間はエラストマーで充填されていた。
エラストマーシートの厚さを30μmとし、LEDチップの2種類の発光側電極層が形成された側の表面との間に加えて、LEDチップの他の表面と透光性基体との間にも配置した以外は実施例5と同様にして、透光性LED発光シートを作製し、評価した。
厚さ180μmのPETシート上に、スラリー塗布硬化型の導電層でなく、厚さ0.15μmのITOスパッタリング膜を導電層として形成した透光性導電体を用いる以外は、実施例1と同様にして、光性LED発光シートを作製し、評価した。
ビカット軟化温度が140℃で厚さが45μmのエラストマーシートを用い、真空熱プレスを140℃で行った以外は、実施例1と同様にして、透光性LED発光シートを作製し、評価した。
透光性導電体として、実施例8と同じ、導電層をスパッタリングで作製した透光性導電体を用い、厚さ100μmのエラストマーシートをLEDチップの発光面側にのみ配置し、エラストマーシートをLEDチップの非発光面側には配置せずに、積層する以外は実施例8と同様にして、透光性LED発光シートを作製し、評価した。
本実験例の透光性LED発光シートでは、供試体6個中、1個が屈曲半径100mmで不点灯になり、屈曲半径80mmでは6個とも不点灯になることが分かった。なお、屈曲を解放すると4個は点灯が回復したが、耐屈曲試験を10サイクル繰り返した後は、屈曲を解放しても6個とも不点灯のままであることが分かった。
本実験例の透光性LED発光シートでは、1個が50サイクル実施後に不点灯になり、500サイクル実施後では6個全てが不点灯になった。
本実験例の透光性LED発光シートは、LEDチップの両面に形成された2種類の電極層が、透光性導電体の導電層に接触するとともに、LEDチップの周囲がエラストマーで充填されていることが分かった。
しかし、本実験例の透光性LED発光シートでは、LEDチップの非発光面側電極層の表面の凹凸とこれに接触する透光性導電体の導電層との間の隙間が、エラストマーで充填されていないことが分かった。
なお、LEDチップの発光面側の電極層表面と透光性基体との間の隙間はエラストマーで充填されていることが分かった。
透光性導電体として、実施例8と同じ、導電層をスパッタリングで作製した透光性導電体を用いた以外は、実施例7と同様にして、透光性LED発光シートを作製し、評価した。
透光性導電体として、実施例8と同じ、導電層をスパッタリングで作製した透光性導電体を用いた以外は、比較例2と同様にして、透光性LED発光シートを作製し、評価した。
本実験例の透光性LED発光シートでは、供試体6個中、2個が屈曲半径50mmで不点灯になり、屈曲半径40mmでは6個とも不点灯になることが分かった。なお、屈曲を解放しても5個は点灯が回復しなかった。
本実験例の透光性LED発光シートでは、1個が100サイクル実施後に不点灯になり、500サイクル実施後では6個全てが不点灯になった。
透光性導電体として、実施例8と同じ、導電層をスパッタリングで作製した透光性導電体を用いた以外は、実施例5と同様にして、透光性LED発光シートを作製し、評価した。
透光性導電体の導電層の厚さをそれぞれ5μm、0.5μmおよび12μmと変更する以外は、実施例5と同様にして透光性発光装置を作成し、評価を行った。
また、これら全ての実施例では透光性LED発光装置の熱サイクル試験では、2500サイクル実施後も6個全てが点灯状態を維持した。
導電層の厚さをそれぞれ0.5μもよび12μmと変更する以外は実施例1と同様にして透光性発光装置を作成し、同様にして評価を行った。
厚さ180μmのPETシート上に、感光性化合物であるハロゲン化銀を塗布した後、露光・現像処理を施して厚さ1μm、線径10μm、目開き500μmの正方格子形Ag粒子メッシュ電極層を透光性導電層として有する透光性導電体を用意した。
この透光性導電体を、ITO分散樹脂硬化膜型の透光性導電層を有する透光性導電体の代わりに用いる以外は、実施例1と同様にして、透光性発光装置を作成し、評価した。
実施例17で用いたAg粒子メッシュ電極層を透光性導電層として有する透光性導電体をITO分散樹脂硬化膜型の透光性導電層を有する透光性導電体の代わりに用いる以外は、実施例5と同様にして、透光性発光装置を作成し、評価した。
特許文献5に記載された方法で透光性LED発光シートを作製した。
(LEDチップ)
すなわち、実施例1と同様にビカット軟化温度が110℃で但し厚さが120μmのエラストマーシートを用い、実施例1と同じ平面寸法の帯状エラストマーシーを形成し、更にLEDチップ10を収容するに適した6個の透孔を形成した。この帯状エラストマーシートを、その透孔により、直列に配列された6個のLEDチップをそれぞれ収容するように配置する以外は実施例1と同様にして積層体を形成し、その後実施例1と同様にして、真空プレスすることにより、透光性LED発光シートを作製し、評価した
本実験例の透光性LED発光シートでは、屈曲半径100mmになるまでに、供試体6個中、6個とも不点灯になることが分かった。
本実験例の透光性LED発光シートでは、1個が500サイクル実施後に不点灯になり、550サイクル実施後では6個全てが不点灯になった。
本実験例の透光性LED発光シートは、LEDチップの表裏の基板側電極層および発光側電極層が、それぞれ基板側電極層側の透光性導電体の導電層および発光側電極層側の透光性導電体の導電層に接触するとともに、LEDチップの周囲がエラストマーで充填されていることが分かった。
しかし、本実験例の透光性LED発光シートでは、LEDチップの基板側電極層の表面の凹凸とこれに接触する基板側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間、およびLEDチップの発光側電極層の表面の凹凸とこれに接触する発光側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間はエラストマーで充填されていないことが分かった。
特許文献4に記載された方法で透光性LED発光シートを作製した。
(LEDチップ)
LEDチップ(複数)、帯状透光性導電体および帯状透光性基体として、それぞれ、実施例5と同じものを使用した。
図16に示す参照符号を用いて説明すると、透光性導電体20Cを導電層25A,25Bが上向きになるように保持し、この上に、LEDチップ10Aを、発光側電極層である2種類の電極層15Aおよび15Bが下向きで且つ位置合わせした導電層25Aおよび25Bとそれぞれ、異方性導電接着剤で固定した。次に、LEDチップ10Aの電極層が形成されていない上側に、透光性基体21Dを積層した。
得られた積層体を5kPa以下の真空下におき、積層体の透光性導電体20Cと透光性基体21Dとの間、かつLEDチップ10Aの周囲に紫外線硬化型アクリル樹脂系接着剤を隙間が生じないように充填した。この後、紫外線を照射してアクリル樹脂系接着剤を部分硬化させた。
これにより、耐屈曲性を有し、かつ、LEDチップ10Aの表面のうち電極層15A,15B以外の表面が透光性導電体および透光性基体と接着している発光装置としての透光性LED発光シートが得られた。また、得られた透光性LED発光シートについて、端面を熱硬化性樹脂でシールするシール処理を行って、帯状のLED発光装置を作成し、実施例5と同様にして評価した。
本実験例の透光性LED発光シートでは、屈曲半径60mmになるまでに、供試体6個中、6個とも不点灯になることが分かった。
本実験例の透光性LED発光シートでは、1個が80サイクル実施後に不点灯になり、600サイクル実施後では6個全てが不点灯になった。
本実験例の透光性LED発光シートは、LEDチップの片面に形成された2種類の発光側電極層が、透光性導電体の導電層に接触するとともに、LEDチップの周囲がアクリル樹脂系接着剤で充填されていることが分かった。
しかし、本実験例の透光性LED発光シートでは、LEDチップの基板側電極層の表面の凹凸とこれに接触する基板側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間、およびLEDチップの発光側電極層の表面の凹凸とこれに接触する発光側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間はアクリル樹脂系接着剤で充填されていないことが分かった。
LEDチップの両面に配置するエラストマーシートの代わりに、環球法(JIS K7234)による軟化点が120℃の市販の、厚さ60μmのホットメルト接着剤シートを用いて形成した積層体を、大気圧下で、温度180℃、圧力100kgf/cm2の条件で1分間プレスして透光性LED発光シートを形成する以外は、実施例1と同様にして、帯状LED発光装置を作成し、評価した。
本実験例の透光性LED発光シートでは、供試体6個中、6個とも屈曲半径が60mmまでは、点灯が維持できたが、屈曲半径が30mmになると6個とも不点灯となった。
本比較例の透光性LED発光シートでは、600サイクル実施後に6個全てが不点灯となった。
本比較例の透光性LED発光シートでは、LEDチップの基板側電極層の表面の凹凸とこれに接触する基板側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間、およびLEDチップの発光側電極層の表面の凹凸とこれに接触する発光側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間は接着剤が殆ど存在していないことが分かった。
図9を参照して、基板側電極層側の透光性導電体の導電層(25A)の厚さおよび発光側電極層側の透光性導電体の導電層(25B)の厚さをともに3μmにするとともに、発光面側の透光性導電体とLEDチップの発光面側電極層(15B)との間にエラストマーシートを配置せず、基板側電極層側の透光性導電体(25A)とLEDチップの基板側電極層(15A)との間に配置するエラストマーシート(35)の厚さを120μmとした以外は、実施例1と同様にして、透光性LED発光シートを作製し、評価した。
本実験例の透光性LED発光シートでは、供試体6個中、1個が屈曲半径100mmで不点灯になり、屈曲半径80mmでは6個とも不点灯になることが分かった。なお、屈曲を解放すると4個は点灯が回復したが、耐屈曲試験を10サイクル繰り返した後は、屈曲を解放しても6個とも不点灯のままであることが分かった。
本実験例の透光性LED発光シートでは、1個が1500サイクル実施後に不点灯になり、2000サイクル実施後では6個全てが不点灯になった。
本実験例の透光性LED発光シートは、LEDチップの表裏の基板側電極層および発光側電極層が、それぞれ基板側電極層側の透光性導電体の導電層および発光側電極層側の透光性導電体の導電層に接触するとともに、LEDチップの周囲がエラストマーで充填されていることが分かった。
また、本実験例の透光性LED発光シートでは、LEDチップの発光側電極層の表面の凹凸とこれに接触する発光側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間がエラストマーで充填されていることが分かった。
しかし、本実験例の透光性LED発光シートでは、製造時にエラストマーシートを配置しなかったLEDチップの発光面側電極層の表面の凹凸とこれに接触する発光面側電極層側の透光性導電体の導電層との間の隙間はエラストマーで充填されていないことが分かった。
10 LEDチップ(両面電極型)、10A LEDチップ(片面電極型)
11 LED本体(両面電極型)、11A LED本体(片面電極型)
13 LEDチップの周囲
15 電極層
15A 第1の電極層(カソード電極層、電極層)
15B 第2の電極層(アノード電極層、電極層)
17 電極層の外周面
18 電極層の角部
20 透光性導電体
20A 第1の透光性導電体
20B 第2の透光性導電体
20C 第2の実施形態の透光性導電体
21、21A、21B、21C、21D 透光性基体
25 透光性導電層
25A 第1の透光性導電層(透光性導電層)
25B 第2の透光性導電層(透光性導電層)
26 透光性導電層の表面
30 透光性エラストマー層
35 仮透光性エラストマー層
36,36A,36B バンプ電極
36S Auバンプ
41 LED半導体基板(両面電極型)
41A LED耐熱性基板(片面電極型)
42 N型半導体層
44 P型半導体層
43 発光層
45 凹凸形状
46 凹部
47 凸部
48 隙間空間
71 LED本体の表面
71A LED本体の第1の表面
71B LED本体の第2の表面
71C LED本体の第3の表面
71D LED本体の第4の表面
72 N型半導体層発光層側界面
85 発光面
91 空隙
92 クラック
95 断面観察用固定樹脂
Claims (12)
- それぞれ透光性導電層を具備した一対の透光性絶縁体シートにより、または、透光性導電層(複数)を具備した透光性絶縁体シートと透光性導電層を具備しない透光性絶縁体シートとにより、挟まれた領域が、
前記透光性導電層のそれぞれと個別に電気的に接続されたカソード電極とアノード電極とをそれぞれ具備する一以上の半導体発光素子と、透光性エラストマーとで充填されており、かつ
前記透光性導電層は、複数の透光性導電フィラーと、前記透光性導電フィラーを接触させた状態で接着する透光性樹脂バインダーの少なくとも2種類の材料からなることを特徴とする発光装置。 - 前記透光性導電層中の導電フィラーの重量%が50%以上90%以下となる請求項1に記載の発光装置。
- 前記透光性導電体のシート抵抗が1000Ω/□以下である請求項1または請求項2に記載の発光装置。
- 全光透過率が1%以上85%以下、ヘイズ値が3%以下である請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記透光性導電層はアクリル樹脂からなる透光性樹脂バインダーと、酸化インジウムスズまたは酸化亜鉛からなる導電フィラーを含む請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記LEDチップのアノード電極と前記透光性導電体上の透光性導電層との界面に前記透光性エラストマーが少なくとも部分的に存在し、かつ前記LEDチップのカソード電極と前記透光性導電層との界面に前記透光性エラストマーが少なくとも部分的に存在する請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記LEDチップのアノード電極及びカソード電極の表面上に存在する凹凸部の凹面の全てもしくは一部に前記透光性エラストマーが存在する請求項6に記載の発光装置。
- 前記透光性絶縁エラストマー層のビカット軟化温度が80℃以上160℃以下の範囲で、0℃から100℃の間の引張貯蔵弾性率が0.01GPa以上10GPa以下の範囲である透光性エラストマーである請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記LEDチップの少なくとも1つの電極は、LEDチップの発光面より小さい面積と前記発光面から突出した形状とを有し、前記発光面における前記電極の非形成面と前記導電回路層との間の空間に前記透光性絶縁エラストマーが充填されている請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の発光装置。
- 発光装置内に外径が500μm以上またはLEDチップサイズ以上である気泡が存在していない請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記透光性導電体の透光性導電層の表面に、前記LEDチップに加え、抵抗、タイオード、トランジスタ、ICから選ばれる1種以上の半導体素子が搭載される請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の発光装置。
- 請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載の発光装置を備えることを特徴とする発光装置使用装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014200152A JP6514474B2 (ja) | 2013-03-28 | 2014-09-30 | 発光装置、および発光装置使用装置 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013069988 | 2013-03-28 | ||
JP2013069989 | 2013-03-28 | ||
JP2013069988 | 2013-03-28 | ||
JP2013069989 | 2013-03-28 | ||
JP2014200152A JP6514474B2 (ja) | 2013-03-28 | 2014-09-30 | 発光装置、および発光装置使用装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2014530029A Division JP5628460B1 (ja) | 2013-03-28 | 2014-03-27 | 発光装置、その製造方法、および発光装置使用装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2015029130A true JP2015029130A (ja) | 2015-02-12 |
JP6514474B2 JP6514474B2 (ja) | 2019-05-15 |
Family
ID=51624417
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014530029A Active JP5628460B1 (ja) | 2013-03-28 | 2014-03-27 | 発光装置、その製造方法、および発光装置使用装置 |
JP2014200152A Active JP6514474B2 (ja) | 2013-03-28 | 2014-09-30 | 発光装置、および発光装置使用装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2014530029A Active JP5628460B1 (ja) | 2013-03-28 | 2014-03-27 | 発光装置、その製造方法、および発光装置使用装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
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US (4) | US9837587B2 (ja) |
EP (2) | EP2980870B1 (ja) |
JP (2) | JP5628460B1 (ja) |
CN (2) | CN105122482B (ja) |
WO (1) | WO2014157455A1 (ja) |
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KR102319307B1 (ko) | 2017-05-23 | 2021-11-03 | 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 마이크로 발광다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
US10707192B2 (en) | 2017-09-11 | 2020-07-07 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Light emitting panel comprising a plurality of light emitting modules |
US10985144B2 (en) | 2018-09-03 | 2021-04-20 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Light emitting apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9837587B2 (en) | 2017-12-05 |
WO2014157455A1 (ja) | 2014-10-02 |
EP2980870B1 (en) | 2018-01-17 |
EP3321982A1 (en) | 2018-05-16 |
US20160027973A1 (en) | 2016-01-28 |
CN108922959B (zh) | 2022-07-29 |
US11784290B2 (en) | 2023-10-10 |
EP2980870A1 (en) | 2016-02-03 |
JP5628460B1 (ja) | 2014-11-19 |
JP6514474B2 (ja) | 2019-05-15 |
US20220393083A1 (en) | 2022-12-08 |
EP3321982B1 (en) | 2022-10-26 |
CN105122482B (zh) | 2018-06-19 |
US20180076364A1 (en) | 2018-03-15 |
US20200251630A1 (en) | 2020-08-06 |
CN108922959A (zh) | 2018-11-30 |
CN105122482A (zh) | 2015-12-02 |
EP2980870A4 (en) | 2016-11-09 |
JPWO2014157455A1 (ja) | 2017-02-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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